電子工程 93 年電子學大意考古題

當運算放大器作比較器時的敘述何者正確？有虛地（Virtual Ground）效應操作在飽和區操作在線性區輸出阻抗＝∞

摻雜下列何種元素於本質 (intrinsic) 半導體材料中可將其轉變為p 型半導體？ 砷 磷 硼 銻

下圖電路輸出何者正確？

稽納 (Zener) 二極體主要用於下列何種電路？ 濾波電路 振盪電路 放大電路 穩壓電路

關於雙極性接面電晶體（BJT）截止（Cutoff）時的敘述何者正確？射極基極介面（EBJ）為順向偏壓，集極基極介面（CBJ）為順向偏壓射極基極介面（EBJ）為順向偏壓，集極基極介面（CBJ）為反向偏壓射極基極介面（EBJ）為反向偏壓，集極基極介面（CBJ）為順向偏壓射極基極介面（EBJ）為反向偏壓，集極基極介面（CBJ）為反向偏壓

變容二極體 (varactor) 係應用下列何者來改變其電容量？ 頻率 溫度 電壓 電流

雙極性接面電晶體（BJT）截面圖如下圖，下列敘述何者正確？X 為射極（E），Y 為基極(B)，Z 為集極(C)X 為射極（E），Z 為基極(B)，Y 為集極(C)Z 為射極（E），Y 為基極(B)，X 為集極(C)Y 為射極（E），X 為基極(B)，Z 為集極(C)

發光二極體 (LED) 所發光之顏色，主要與下列何者相關？ 外加電壓 外加電壓之頻率 週遭溫度 材料能帶間隙

若A、B 為常數，關於濾波器轉移函數T(S)＝A/(S+B)的敘述下列何者正確？高通（High pass）低通（Low Pass）帶通（Band Pass）全通（All Pass）

一橋式整流器之輸出電壓的均方根值為100V，其中各個二極體所承受之逆向峰值電壓為何？ 70.7V 100V 141.4V 200V

右圖的等效電路為何？電容電感電阻二極體

電晶體於數位電路中之最主要用途係作為： 整流 濾波 放大 開關

右圖為何種電路？共射極電路共基極電路共集極電路振盪路nVinVoVCC

下列何者用以控制場效應電晶體 (FET) 之電流？ 重力場 電場 磁場 電磁場

下列何者在直流分析時為斷路？電阻電感電容二極體

下圖所示穩壓電路之輸出電壓Vo 為何？ 5V 10V 15V 25V 9 一矽質二極體於溫度25℃時之逆向飽和電流為5nA，當溫度上升至55℃時，其逆向飽和電流將變為： 5nA 10nA 20nA 40nA 10 接面場效應電晶體 (JFET) 之動作原理，係乃控制其： 通道中之載體濃度 通道中之導電係數 通道空乏區之厚度 通道接面之電流 11 一接面場效應電晶體 (JFET) 之夾止電壓VP＝－4V，IDSS＝4mA，VGS＝－2V，其ID 值為何？ 1mA 2mA 4mA 8mA 12 就MOSFET 而言，下列敘述何者為非？ 其輸入電阻甚高 係為電壓控制元件 係為雙載體元件 可分為空乏型與增強型 13 理想電壓放大器之輸入與輸出阻抗值，應分別為： 0，0 ，0 0， ， 14 電晶體放大器中，共集極放大電路之電壓增益為： 遠大於一 略大於一 恰等於一 略小於一 15 就電晶體之偏壓電路而言，下列何者其工作點受β值變化之影響最大？ 分壓偏壓電路 固定偏壓電路 集極回授偏壓電路 射極回授偏壓電路 16 一共射極電晶體放大器工作於作用區，其基極電流IB＝0.1mA，射極電流IE＝10.1mA，則其β值為何？ 1 10 100 101 17 電晶體線性放大器之工作點應選擇位於何區？ 截止區 作用區 飽和區 崩潰區 18 射極隨耦器 (emitter follower) 係屬何種型態之回授電路？ 電壓串聯 電流串聯 電壓並聯 電流並聯 19 一放大器之輸入電壓為1mV，輸出電壓為1V，則其電壓增益為何？ 30dB 60dB 100dB 1000dB 20 多級放大器之串接級數愈多，其整體頻寬： 愈寬 不變 愈窄 視電路而定 21 積體電路中所最常採用之放大器耦合方式係為： RC 耦合 電感耦合 變壓器耦合 直接耦合 22 一輸出變壓器耦合之功率放大器，Vcc＝18V，ICQ＝50mA，次級負載RL＝10Ω，則其變壓器之圈數比為何？ 3：1 5：1 6：1 10：1 23 欲設計一效率高又失真低之功率放大器，應選擇下列何種類型？ A 類 AB 類 B 類 C 類 24 下列敘述何者非為達靈頓 (Darlington) 放大器之特性？ 輸入阻抗高 輸出阻抗低 電壓增益高 電流增益高 25 一功率放大器之直流輸入功率為50W，交流輸出功率為43W，其類型為何？ A 類 AB 類 B 類 C 類 26 一串饋式A 類放大器之Vcc＝12V，RL＝12Ω，其最大輸出交流功率為： 1.5W 3W 6W 12W 27 下列何種方法可用以消除放大器交叉失真？ 增加微小逆向偏壓 增加微小順向偏壓 增加電源電壓 增加負載電阻 28 一功率電晶體之總熱阻為5℃/W，於室溫25℃時之集極接面最高溫度為100℃，其集極散逸功率PD 為： 5W 10W 15W 20W 29 功率電晶體之金屬外殼，通常係與其本身之那一極相連接？ 集極 射極 基極 閘極 30 下列有關理想運算放大器之敘述，何者錯誤？ 輸出阻抗為零 輸入阻抗無窮大 閉迴路電壓增益無窮大 頻寬無窮大 31 對放大器施予負回授之主要目的在於： 產生振盪 提高功率 提高增益 增加穩定度 32 一運算放大器之最大輸出迴轉率 (slew rate) 為5V/μs，倘輸入訊號於15μs 內變動3V，則其最大閉迴路增益 為何？ 5 15 25 45 33 以運算放大器建構之RC 相移振盪器，其輸出波形為： 方波 弦波 三角波 鋸齒波 34 運算放大器內部主要結構中之輸入級係為： 射極隨耦器 電壓隨耦器 差動放大器 電流放大器 10kΩ 100kΩ Vo R C + － + － 2kΩ 4kΩ Vo VA Vo Vi C C R 0.1R － + － + 35 下圖所示為何種電路？ 無穩態電路 單穩態電路 雙穩態電路 低通濾波器 36 設下圖中運算放大器之飽和輸出電壓為± 12V，則下列選項何者為是？ 若VA＝－3V，則Vo＝＋9V 若VA＝－3V，則Vo＝－9V 若VA＝＋5V，則Vo＝＋12V 若VA＝＋5V，則Vo＝－12V 37 下圖所示為何種電路？ 帶通濾波器 帶拒濾波器 低通濾波器 高通濾波器 38 下列何種電路可僅以二極體與電阻器組成？ 放大器 濾波器 截波器 振盪器 39 振幅限制器係指下列何者？ 箝位器 截波器 濾波器 放大器 40 一電壓調整器之無載輸出電壓為12V，滿載時降為10V，則其電壓調整率為： 12% 17% 20% 25%

若忽略二極體壓降，且VB＞0，下圖之輸入輸出（Vi-Vo）關係為何？Vo＝極大值（Vi－VB, 0）Vo＝極大值（Vi＋VB, 0）Vo＝極小值（Vi－VB, 0）Vo＝極小值（Vi＋VB, 0）

場效電晶體（FET）之門檻（threshold）電壓Vth 之敘述何者正確？加強型（enhancement）NMOS Vth＜0乏型（depletion）NMOS Vth＞0加強型（enhancement）PMOS Vth＞0加強型（enhancement）PMOS Vth＜0

關於共基極（CB）放大器的敘述何者正確？電壓增益≈1電壓增益＜1電流增益≈1電流增益＞1

關於TO3 功率電晶體（Power Transistor）的敘述何者正確？不需金屬包裝（Package）散熱射極連接外殼包裝基極連接外殼包裝集極連接外殼包裝

積體電路工廠90 奈米（nm）製程是指多少米的製程？9.0×10-69.0×10-79.0×10-89.0×10-9

關於741 運算放大器（Op Amp）的敘述何者正確？輸出級有保護電路3dB 頻率≈數百Hz電壓增益≈1有回饋（feedback）電容跨接輸入級兩端

下圖為何種電晶體？PMOS 場效電晶體NMOS 場效電晶體NPN 雙極性接面電晶體（BJT）PNP 雙極性接面電晶體（BJT）

關於下圖跟隨速率（Slew rate）的敘述，下列何者正確？跟隨速率＝最小值（輸入電壓，輸出電壓）跟隨速率＝0跟隨速率＝斜率S跟隨速率＝∞

下列關於史密特觸發器（Schmitt trigger）輸入輸出關係的敘述何者正確？有身體效應（Body Effect）有米勒效應（Miller Effect）符合巴克豪森準則（Barkhausen Criterion）有磁滯效應（Hysteresis Effect）

下列關於交換式電容（Switched-Capacitor）濾波器的敘述何者正確？等效電阻和時脈頻率成正比等效電阻和電容成正比等效電阻和電容成反比等效電阻和電容成無關nViVo

下式為韋恩（Wien）振盪器之轉移（transfer）方程式，則下列敘述何者正確？SRCSRCRRST13)1()(12+++=)1(12RR+＝0)1(12RR+＝1)1(12RR+＝2)1(12RR+＝3

關於共源極（Common-Source）NMOS 場效電晶體的簡化小信號等效電路為何？電壓控制之電流源電流控制之電壓源電壓控制之電壓源電流控制之電流源

下圖輸入偏壓電流補償電路之關係為何？R1＝R2＋R3R3＝R1＋R2R3＝R1||R2R2＝R1||R3

傳統CMOS 反及（NAND）閘的連接方式為何？NMOS 串聯，PMOS 並聯NMOS 並聯，PMOS 串聯NMOS 串聯，PMOS 串聯NMOS 並聯，PMOS 並聯

傳統CMOS 的功率消耗（Power dissipation）敘述何者正確？靜態功率消耗很大靜態功率消耗≈0動態功率消耗≈0動態功率消耗和頻率成反比

若NMOS 及PMOS 之門檻（threshold）電壓分別為VTN 及VTP，CMOS 傳輸（Transmission）閘傳遞邏輯-0及邏輯-1 之電壓值為何？邏輯-0＝VDD，邏輯-1=0邏輯-0＝VTN，邏輯-1=VDD邏輯-0＝0，邏輯-1=VDD邏輯-0＝VTN，邏輯-1=VDD－｜VTP｜

加強型（Enhancement）NMOS 及加強型PMOS 之門檻（threshold）電壓分別為VTN 及VTP，下列敘述何者正確？VTN＞0 及VTP＞0VTN＞0 及VTP＜0VTN＜0 及VTP＞0VTN＜0 及VTP＜0

二級之積體電路運算放大器，其頻率補償電路跨接何級？輸出級輸入級偏壓級短路保護電路

下圖為用於變換電容（Switched Capacitor）濾波器之電路，時脈1 和時脈2 關係為何？時脈1 和時脈2 頻率相同、可重疊時脈1 和時脈2 頻率相同、不可重疊時脈1 和時脈2 無關時脈1 和時脈2 頻率不相同

有關放大器輸出穩定時，極點和S 平面的關係何者正確？極點落在S 平面第二、三象限（左半面）極點落在S 平面第一、四象限（右半面）極點落在S 平面jω 軸上極點落在S 平面σ 軸上

若NMOS 場效電晶體（FET）之汲極源極電壓VDS＞閘極源極電壓VGS＞門檻（threshold）電壓Vth，下列何者正確？電晶體操作在非飽和區電晶體操作在飽和區電晶體截止電晶體操作在飽和區和非飽和區交界處R1R2R3

關於場效電晶體（FET）之閘極電容的敘述，下列何者正確？與場效電晶體（FET）閘極之通道長度成反比與場效電晶體（FET）閘極之通道寬度成反比與場效電晶體（FET）閘極之通道面積成反比與場效電晶體（FET）閘極之通道面積成正比

將一電容值為C 的電容跨接於增益為A 的放大器輸出端及輸入端，其等效輸入米勒（Miller）電容值為何？（A, C＞0）C（1＋A）C（1－A）C（1 +1/A）C（1－1/A）

下列場效電晶體（FET）之反向器（Inverter）的負載，何者有最大汲極（Drain）平均電流？電阻加強型（Enhancement）PMOS乏型（Depletion）NMOS加強型NMOS

加強型（Enhancement）NMOS 之門檻（threshold）電壓為VTN，則加強型NMOS 負載的場效電晶體（FET）反向器（Inverter）之正常輸出電壓為下列何者？VDDVDD－VTN0VTN

右圖之敘述何者正確？布林函數F＝AB＋C布林函數F＝(A＋B)CF 正常最大輸出電壓為VDDF 正常最大輸出電壓為(VDD－VTN)

頻率在零（Zero）點時，轉移函數（Transfer Function）的數值為何？01轉移函數最大值無限大

場效電晶體（FET）閘極之通道長度為L 和閘極之通道寬度為W，若兩顆相同的場效電晶體（FET）串連，則等效通道長度寬度比（L/W）為何？0.5120

右圖電路之輸出邏輯函數F 為何？F＝0F＝ABF＝AB＋BAF＝BA＋BA

右圖電路為何種電路？TTL 或閘（OR）TTL 反或閘（NOR）ECL 或閘（OR）ECL 反或閘（NOR）

右圖電路何者敘述正確？NMOS 動態隨機存取記憶體細胞NMOS 靜態隨機存取記憶體細胞CMOS 動態隨機存取記憶體細胞CMOS 靜態隨機存取記憶體細胞

下列TTL 敘述何者最正確？速度比ECL 快速度比CMOS 及ECL 慢速度比CMOS 快速度比CMOS 及ECL 快VyVxVo））ABCAABBF