電子工程 108 年電子學大意考古題

某FET 工作在飽和區（Saturation (A)增強型NMOS (B)增強

一幾何比W/L 固定的場效電晶體（FET）工作於飽和區，當過驅電壓VOV（Overdrive Voltage）變為原來的2 倍，則轉導gm（Transconductance）將變為原來的： (A)1 倍 (B)2 倍 (C)4 倍 (D)8 倍

下圖中輸入信號為弦波 vi (t)= 5 sin 10t 伏特，二極體 D1 之導通電壓為 0.7 V，導通電阻為 0 Ω。放大器（Amp）之增益為9 V/V，輸入阻抗為無限大，輸出阻抗為0，則輸出vo(t)之最大值為何？ (A)5 V (B)4.57 V (C)4.43 V (D)4.3 VAmpD1vivoR=10 kΩ

下列有關矽PN 接面二極體的敘 (A)二極體為順偏且固定電壓時 (B)二極體為順偏且固定電流時 (C)二極體逆偏崩潰電壓若大於 (D)二極體的飽和電流之溫度係

對於n-通道增強型MOSFET 的本體效應（body effect），下列敘述何者正確？ (A)源極電壓提高時，源極與本體之間的空乏區會縮小 (B)源極電壓提高時，電晶體的臨界電壓下降 (C)變化源極對本體的電壓也可以影響汲極電流 (D)本體應接到電路的最高電壓

一個NPN 雙極性電晶體，β=100 且操作在主動區（active region）。若集極對射極的電壓為5 V，集極電流為1 mA。熱電壓VT = 0.025 V。求由基極視入的基射極小信號電阻rπ？ (A)25 Ω (B)50 Ω (C)2.5 kΩ (D)5 kΩ

一個電壓v 對時間t 的函數為square value）：3.54 (A)伏特5 (B)伏

將一個n-通道增強型MOSFET 的汲極與閘極短路。此電晶體μnCox = 20 μA/V2，W/L =10, Vt =0.5 V。若使汲極電流為100 μA，問電晶體的過驅電壓（overdrive voltage）為多少？ (A)0.5 V (B)0.707 V (C)1 V (D)1.414 V

將一個n-通道增強型MOSFET 操作在飽和區，源極接地，以理想電流源注入100 μA 的汲極電流。此電晶體μnCox = 20 μA/V2，W/L =10，Vt =0.5 V。若電晶體的爾利電壓（Early voltage）VA= 20 V，問小信號增益大小的絕對值為多少？ (A)20 (B)40 (C)100 (D)200

如圖所示為一CMOS 反相器，QN 之小信號轉導gm = 1 mA/V求小信號增益vo/vi（選最接近之 (A)-10 (B)-18

若矽二極體在逆向偏壓且在室溫時，飽和電流（saturation current）為Io， 已知溫度每變化1°C，飽和電流變化約7%，試問溫度增加10°C，飽和電流如何變化？ (A)飽和電流約為10Io (B)飽和電流約為2Io (C)飽和電流約為0.5Io (D)飽和電流約為0.1Io

已知某一雙極性接面電晶體的互導為gm、輸入阻抗為rπ、電流增益為β，試問下列何者正確？ (A)rπ = gm β (B)β= gm rπ (C)gm= β rπ (D)rπ gm β = 1

如圖所示之電路，OP AMP 為理R/2 (A) (B)3R/2政府公務人員考試試題座號選出一個正確或最適當的答案，複選作答者，該題n Region），其|iD|-vGS關係如圖所示，|iD|是汲極電強型PMOS (C)空乏型NMOS (D)敘述，何者正確？，電流會隨溫度上升而上升，電壓會隨溫度上升而上升20 V，崩潰電壓之溫度係數為負值數為負值v(t) = 20 + 5 sin(2πft) V，f=60 Hz。求其AC 信伏特7.07 (C)伏特 (D)在輸入端與輸出端之間接上1 MΩ 之電阻作為，ro = 30 kΩ；而電晶體QP 之小信號轉導gm =之值）。 (C)-30 (D)理想。求vi/i。2 (C)2R (D)0Vt|iD|vGSVDDQPQNC=∞C=∞vovi1MΩvoviiRR3R2R座號：題不予計分。上作答者，不予計分。電流之大小，則此FET 為： (D)空乏型PMOS號的均方根值（root mean20 (D)伏特為放大器之用。若電晶體= 0.5 mA/V，ro = 20 kΩ， (D)-75 (D)3R

某一增強型MOSFET 其臨界電壓Vt = 2 V，若源極接地而直流電源3 V 接到閘極，當VDS = 0.5 V 時，試問該MOSFET 操作在什麼區域？ (A)崩潰區（breakdown region） (B)飽和區（saturation region） (C)三極管區（triode region） (D)主動區（active region）

如圖所示為一系列的方形脈波，其頻率為？ (A)300 kHz (B)250 kHz (C)200 kHz (D)150 kHzv(t)(V)t (μ sec)

如圖，CMOS 場效電晶體的輸 (A)拉上（pull-up）至VDD (C)VDD/2

下圖電路中，設運算放大器（OPA）為理想，則從A 點看入的輸入阻抗為何？ (A)R1R2/( R1 + R2) (B)R1 (C)R1 + R2 (D)0

在積體電路中，有關二氧化矽（SiO2）的角色，下列敘述何者正確？ (A)它讓擴散物質通過 (B)它的熱傳導性高 (C)它可保護且使矽表面絕緣 (D)它可控制擴散物質的濃度

有一個時間常數為1 ns，電容（duration）5 ns 的方形波。設此 (A)無窮大 (B)10 k

有一放大器可將 1 mV 的信號放大至 1 V，則其分貝增益為： (A)80 dB (B)60 dB (C)30 dB (D)20 dBR2R1R3VOViBC－＋A

有一雙極接面電晶體，其VBE 保持定值，若此電晶體射極與基極的接面積增為2 倍時，其小信號輸出電阻（small signal output resistance）會如何？ (A)增大為原來的2 倍 (B)不變 (C)減小為原來的一半 (D)減小為原來的4 分之1

在印刷電路板上的數位IC，其 (A)增加電流量 (C)提高工作速度

下列那一個電路是精確半波整流器（precision half-wave rectifier）電路？ (A) (B) (C) (D)

下列那一種FET 在閘極未加電壓時是沒有通道的？ (A)增強型MOSFET (B)JFET (C)P 通道空乏型MOSFET (D)N 通道空乏型MOSFET

有一放大器電路如圖所示，放間，二極體D1、D2 順向電壓均兩個二極體導通的狀態為何？ (A)二極體D1、D2 均導通 (C)二極體D1 導通、二極體D2

分析運算放大器電路時，兩輸入端常視為虛擬短路，其意為何？ (A)需將兩輸入端連在一起 (B)兩輸入端需各自接地 (C)兩輸入端的電壓相等 (D)兩輸入端的輸入阻抗為零

如圖所示為一個理想CMOS 開關電路，若輸入電壓Vi 為負電壓（包含0 伏特）時，則輸出電壓Vo應為多少伏特？ (A)VDD (B)VDD/2 (C)VDD/3 (D)0

如圖所示之電路，運算放大器2.5 kΩ (A) (B)5 kΩ輸入端vI 接地時，其輸出端vo 是處於下列何種狀 (B)拉下（pull-down）至地 (D)QP與QN 皆關閉，輸出浮容值為100 fF 的RC 低通濾波器，設其驅動電此電路在方形波注入前後均無其他輸入信號，則kΩ (C)1 kΩ (D)其電源接腳旁經常有一顆0.1 μF 的電容器，其作 (B)消除電源線中的雜訊干擾 (D)減少功率消耗大器U1 為理想運算放大器，其輸出電壓範圍均為VD＝0.7 V，電阻R1、R2、R3 均為1 kΩ (B)二極體D1、D2 均不導通2 不導通 (D)二極體D1 不導通、二極為理想，求此電路之輸入阻抗值為何？Ω (C)7.5 kΩ (D)VDDQNQPvIvoR2R1BACD1DD2U1R3VI5kΩ2.5kΩVoutVinZi狀態？浮接電壓是一個振幅10 V，寬則此濾波器之電阻值為何？ (D)100 Ω作用是下列那一項功能？擾圍侷限在+10 V 與-10 V 之Ω，電源VI＝-5 V，試問通極體D2 導通 (D)10 kΩ

若某空乏型NMOS 場效電晶體之臨界電壓為Vt，其參數電流IDSS 是電晶體： (A)工作在三極管區（Triode）且電壓VGS＝0V 之電流 (B)工作在三極管區（Triode）且電壓VGS＝Vt 之電流 (C)工作在飽和區（Saturation）且電壓VGS＝0V 之電流 (D)工作在飽和區（Saturation）且電壓VGS＝Vt 之電流

圖為使用理想運算放大器之電路，若電壓增益Av =vO / vI = -100，R2 = R4 = 100 kΩ，R3 = 200 kΩ，則R1 為多少？ (A)5 kΩ (B)10 kΩ (C)15 kΩ (D)20 kΩ

如圖所示之放大器電路，其中二 (A) (B)

如圖所示之運算放大器電路，其中Ao＝∞，求此電路之電壓增益為何？ (A)-1 (B)-2 (C)-4 (D)-6VoutRR0.5 RRAoVinvivovivovivovivo－－－－＋＋＋＋

關於P-N 接面二極體之敘述，下列何者正確？ (A)順向偏壓時擴散電容（diffusion capacitance）較空乏電容（depletion capacitance）為大 (B)逆向偏壓增加時，接面之少數載子濃度增加 (C)逆向偏壓增加時，空乏區之寬度減少 (D)順向偏壓減少時，擴散電容增加

有一差動放大器，其一端輸入共模拒斥比（CMRR）為10，9.5 mV (A) (B)11.5

有一放大器電路如圖所示，放大器U1 為理想的運算放大器，二極體D1 順向壓降VD0＝0.7 V。若R1＝1kΩ，輸入電壓VI＝5V，試問輸出電壓 Vo 應落在下列何範圍內？ (A)5.0 V ≦Vo (B) 4.5 V ≦Vo＜ 5.0 V (C) 4.0 V ≦Vo＜ 4.5 V (D)Vo＜ 4.0 V

如圖所示電路，U1 為理想運算放大器。已知電阻R1=1 kΩ、R2=3 kΩ、R3=1 kΩ、R4=3 kΩ。求在輸入端vI2 的等效輸入電阻Rin2 約為多少？ (A)1 kΩ (B)3 kΩ (C)4 kΩ (D)8 kΩR1R2vI1vI2vOU1R4R3Rin2

圖示的二極體-電容器倍壓電路之峰值逆向電壓PIV1 與PIV2V (A)C2=10 V (B)PIV

圖示的理想箝位電路中，已知輸入信號vi（t）及輸出信號vo（t）的最大值分別為10 及6 伏特，則偏壓電源VR 為多少？ (A)-6 V (B)-4 V (C)4 V (D)6 V

某pn 接面二極體在固定電流順偏導通下，下列敘述何者正確？ (A)溫度變化與二極體兩端電壓降無關 (B)溫度愈高，二極體兩端電壓降愈高 (C)pn 接面截面積愈大，二極體兩端電壓降愈低 (D)溫度與電壓關係為＋2 °C/mV

橋式整流-電容濾波電路（二極1.414%，若負載電阻R 改變為0.707 (A)倍 (B)1 倍

針對一個整流-電容濾波電路（二極體視為理想）而言，下列那一種設計方式無法有效減小漣波因素？ (A)增大負載電阻值 (B)增大濾波電容值 (C)增大輸入信號頻率 (D)增大輸入信號振幅

如圖所示電路，若圖中輸入電壓為Vi = 5 V，假設二極體皆為理想二極體，則輸出電壓Vo 為多少？ (A)5 V (B)2.5 V (C)- 2.5 V (D)- 5 VViVo

如下圖所示，若稽納二極體（位電路正常工作？

下圖所示之電路中，若變壓器二次側vS = Vm sinωt，則輸出電阻R 之vR 波形為何？ (A) (B) (C) (D)vRRD1D2vSvSvRvRvRvRπωt2ππωt2ππ2ππ2πωtωtvi(t)vo(t)VRRDCVIVOD1U1R1－＋

如圖所示之電路，假設二極體之壓降皆為 0.7 V，求其輸出電壓 vout 之漣波電壓（ripple voltage）值為何？ (A)12 V (B)3.51 V (C)2.92 V (D)0.324 VAC 12 Vrms60 Hzvout

(A)V (B)14 VVoutVin二極體及運算放大器均為理想。此電路之電壓轉 (C) (D)Vi1 ＝100 μV，另一端輸入Vi2 ＝50 μV，且此則其輸出電壓為何？5 mV (C)13.5 mV (D)路於穩定狀態時電容器C1 所跨電壓VC1=10 V的敘述何者錯誤？V1=20 V (C)PIV2=20 V (D)極體為理想且RC 時間常數遠大於輸入信號為原先的1.414 倍且漣波因素為1%時，電容值倍1.414 (C)倍 (D)Zener diode）的VZ＝10 V，輸入電壓Vi 為多少V (C)12 V (D)VoutVinRLVoutVoutVinVinVC1VC2PIV1PIV2C1C2D2D1N1：N2VOViR1R220kΩ10kΩVZ轉移特性圖為下列何者？ (D)此放大器之Acm 為20，而 (D)15.5 mV，下列有關VC2，D1 及D2 (D)VC2+PIV2=40 V號週期）中之漣波因素為值C 需為原先的多少倍？2.828 (D)倍少才可使此稽納二極體箝 (D)10 VVoutVin16「橋式整流電路」中二極體之反體的： (A)兩倍 (B)一樣

若輸入信號 vi 如圖所示，二極體之導通電壓為0 V，導通電阻為0 Ω，電容C1兩端之初始電壓差為 0 V， 關於輸出信號vo 的敘述，下列何者錯誤？ (A)vi 與vo 的週期相同 (B) vo 的最小值為1 V (C)vo 的最大值為2 V (D)vo 的平均值> 0 V

共源極接面場效電晶體（JFET）放大器的輸入電阻很大，是因為輸入端為？ (A)未加電壓 (B)絕緣材質 (C)順向偏壓 (D)逆向偏壓

下圖為一整流器，若各二極體之導若輸出漣波電壓< 0.1 V，C=1050 k (A)Ω500 (B)

如圖所示之電路，其輸入電源為正弦波，假設二極體之壓降皆為0.7 V，而此電路之輸出電壓vout 之峰值為12 V，則此輸入電源之電壓均方根值（rms）約為多少？ (A)8.5 V (B)9.5 V (C)11.6 V (D)13.4 V

圖示電路中，A1 及A2 為理想運算放大器，vI = 5sinωt（V），問vO 的平均電壓約為若干？ (A)1.6 V (B)3.2 V (C)4.8 V (D)6.4 VvIvO

下圖中二極體D1 與D2 之導通為0.7 V，崩潰電壓皆為5 V，正確？ (A)vo(t)之振幅為10 V (B)vo(t)

如圖所示之電路，假設二極體D 之壓降為0.8 V，其IR1 與Iin 之關係亦如圖所示，圖中I1 之表示式為何？ (A) 0.8/R1 (B)1.2/R1 (C)2/R1 (D)2.8/R1

如圖所示二極體電路，假設二極體導通電壓VD0=0.7 V。已知電壓vS (t)=12 sin(120πt) V、R=10 kΩ、C=47 μF。試求輸出電壓vO 的漣波電壓（ripple voltage）值約為多少？ (A)2 V (B)1 V (C)0.4 V (D)0.1 V

理想箝位電路及其輸入信號vi(6 (A) (B)8

下列關於中心抽頭變壓器全波整流電路的敘述，何者錯誤？ (A)電路中2 個二極體會同時導通或反偏 (B)轉換效率較半波整流電路佳 (C)同時利用輸入正弦電壓的正負週期 (D)輸出－輸入電壓特性的斜率絕對值接近1

如圖所示二極體電路，假設二極體導通電壓VD0=0.7 V。已知電壓vS (t)=12 sin(120πt) V、R1=10 kΩ、VDC = 5 V。若R2=20 kΩ，對於輸出電壓vO 的正及負電壓峰值（V+及V-）約為多少？ (A)V+＝5.7 V，V-＝-12 V (B)V+＝12 V，V-＝-5.7 V (C)V+＝5.7 V，V-＝-8 V (D)V+＝8 V，V-＝-5.7 VR1R2VDC

圖示由理想二極體構成電路，7 (A)mA (B)4 m

全波整流電路的漣波頻率是輸入頻率的幾倍？ (A)0.5 倍 (B)1 倍 (C)2 倍 (D)5 倍IR1IinI1voutIinIR1R1D2 VvoutvinCRvivivoC11 V+－t2-3

如圖所示之電路，輸入電壓 vi 為一交流弦波，有效值為100 V，頻率為60 Hz，二極體皆為理想，求輸出之平均直流電壓值約為何？ (A)7 V (B)8 V (C)9 V (D)10 Vvivo

雙極性電晶體（BJT）共基極電β=α/(α (A)-1) (B)β= (6-4反向峰值電壓（PIV）值大約是「變壓器中間抽樣大 (C)一半 (D)導通電壓皆為0 V，導通電阻皆為0 Ω，輸入信號為00 μF，則電阻R 之最小值為何？kΩ5 M (C)Ω (D)通電壓為0.7 V，導通電阻為0 Ω，稽納二極體導通電阻為0 Ω。輸入信號為弦波，vi (t)= 10)之振幅為5.7 V (C)vo(t)之振幅為4.3 V (D)(t)如圖，則該二極體D 承受的最大逆向電壓P (C)10 (D)若電阻R 為1 kΩ，則電流I 為多少毫安（mAmA (C)2 mA (D)電流增益α 與共射極電流增益β，兩者之關係為(α-1)/α (C)β=α/(1-α) (D)vovsRCD1D3D4D2100ΩD2D1Z1Z2vovi+－－+vi(t)vo(t)vi(t)tDC2VRvOI+1 V+2 V+4 VR抽頭式整流電路」中二極 (D)四分之一為弦波，vs(t)= 5 sin (10πt) V，50 M (D)Ω體Z1 及Z2 之導通電壓皆sin 10t V，下列敘述何者 (D)vo(t)之振幅為0.7 VPIV 約為多少伏特（V）？ (D)12A）？ (D)1 mA為： (D)β=α/(1+α)

分析如圖之電路，若稽納（Zener）二極體 ZD1、 ZD2 之崩潰電壓為6 V，導通電壓為0.7 V，且導通電阻值為0 Ω。vI=10sinωt (V)，則電阻上流過之最大電流為何？ (A)0 mA (B)1.65 mA (C)3.35 mA (D)4.3 mA

如圖所示之電路，二極體皆為理想，有關此電路之敘述，下列何者正確？ (A)C1 的耐壓為2 Vm (B)D1 的峰值反向電壓為 Vm (C)VO 之值為2 Vm (D)D2 的峰值反向電壓為2 VmC1tVmωsinD1

如圖所示二極體電路，假設二C=47 μF、VDC=3 V、R 為無窮 (A)-3.7 V (B)-4.3

如圖振幅限制器（Limiter）電路，U1 為理想運算放大器，假設二極體導通電壓VD0=0.7 V。已知V=15 V、R1=40 kΩ、Rf=60 kΩ、R2=9 kΩ、R3=3 kΩ、R4=3 kΩ、R5=9 kΩ。若vI=2 V，試求輸出電壓vO 約為多少？ (A)5 V (B)3 V (C)-3 V (D)-5 V

如圖所示之電路，二極體導通之壓降為 0.7 V， RC >> vi 之週期，求電路穩態時之V3 為何？ (A)4.3 V (B)5.7 V (C)9.3 V (D)12.7 VviV3vovivo

請問如圖所示放大器之集極電0.7 V。0.3 mA (A) (B)3 m

如圖所示之電路，已知VT = 26 mV，其中電晶體之參數為：β=150，VBE(on) = 0.7V ，且爾利（Early）電壓VA 為∞ ，求此電路之小信號電壓增益值約為何？ (A)0.63 (B)0.73 (C)0.83 (D)0.93+15V30 kΩ5 kΩvivo30 kΩ6.7 kΩ2 kΩD1D2vIR1R2R3RfU1vO+V-VR4R5vBvA1 kΩ1 kΩZD1ZD2vI

如圖所示之電路，其中電晶體之參數為β=100 ，VA = ∞， VT = 26 mV 且VBE(on) = 0.7 V，求其小信號電壓增益值為何？ (A)-2.02 (B)-4.02 (C)-6.02 (D)-8.0210 V3.6 kΩvo10 kΩ5 kΩvi2.2 kΩ1 kΩ

若將雙極性電晶體（BJT）的集 (A)耐壓提高，增益降低 (B)耐壓

下列何種電路適合應用於輸出緩衝級？ (A)共源極放大器 (B)共汲極放大器 (C)共閘極放大器 (D)共基極放大器

假設圖中電晶體操作於飽和區，閘極與源極之壓差為0.7 V，且臨界電壓VTH= 0.6 V。請問圖中共閘極放大器之小訊號輸入電阻RIN 為何？ (A)10 Ω (B)20 Ω (C)30 Ω (D)40 ΩVGVDDvoRDRGRINvi5 mA

圖中電晶體M1 之μnCox(W/L)=在飽和區，Vo= 4V，則R 值為1 (A)kΩ (B)1.8 k

下列有關操作於主動區的BJT 小訊號等效模型敘述，何者錯誤？ (A)基極-射極接面電容Cπ 小於基極-集極接面電容Cμ (B)轉導（gm）正比於集極電流 (C)輸出電阻正比於爾利電壓（VA） (D)輸入電阻正比於電流增益（β）

圖中電晶體之μnCox(W/L)1 = μnCox(W/L)2 = 0.5 mA/V2 ，臨界電壓 VT = 0.8 V ，若忽略通道調變效應，則Vo = ？ (A)0.54 V (B)0.84 V (C)1.24 V (D)2.24 V5 V1 mAM1M2Vo1 kΩ

圖中電晶體M1 之μnCox(W/L)1=效應，則Vo =？4.9 V (A) (B)4.8 VDCvSVDC極體導通電壓VD=0.7 V。已知電壓vs(t)為方波大，在穩態時，輸出vO 電壓的最大負值約為多V (C)-6.3 V (D)流IC 為何？假設電晶體之電流增益β 為100mA (C)0.7 mA (D)集極與射極對調使用，則下列何者正確？壓不變，增益降低 (C)耐壓降低，增益不變 (D)=0.5 mA/V2，臨界電壓VT =0.8 V，若忽略通道調為何？kΩ (C)2.2 kΩ (D)= 0.5 [ μnCox(W/L)2]= 0.5 mA/V2，臨界電壓VTV (C)2.8 V (D)RvOvDiDvSVD10ms8ms10kΩ1.0Vβ=100IC1kΩ5VM1RVo5VM1M2Vo100Ω1mA波，波形如下右圖所示、多少？ (D)-8.3 V，基極與射極導通壓降為 (D)7 mA (D)耐壓降低，增益亦降低調變效應且M1 維持操作 (D)4 kΩ=0.8 V，若忽略通道調變 (D)0.1 V12V0Vt

圖中電晶體M1 之臨界電壓 VT = 1V，若 M1 操作在飽和區，電流源為理想，則電阻R 的最大值為何？ (A)4kΩ (B)8 kΩ (C)12 kΩ (D)16 kΩ

關於金氧半場效電晶體 （MOSFET）的小信號模型，下列敘述何者錯誤 ？ (A)在特定（W/L）的條件下，ro 與偏壓電流成正比 (B)在特定（W/L）的條件下，偏壓電流越大則gm越大 (C)在特定（W/L）的條件下，元件的直流偏壓VGS 越大則gm 越大 (D)對共源級（common source）放大器而言，輸入阻抗為無窮大GDrovgsgmvgsS

圖中電晶體M1 操作在飽和區| vo / vs | =？100 (A) (B)10

夾止電壓VGS（P）為4 V 之p 通道MOSFET 工作在夾止飽和區且在VGS1 = 1 V 及VGS2 = 3 V 時，測得汲極電流分別為ID1 及ID2。若ID1+ID2 = 10 mA，當VGS= 0 V 時，則該MOSFET 的汲極電流約為多少？ (A)10 mA (B)16 mA (C)20 mA (D)24 mA

圖中電晶體操作在主動區 （active region），β=99 ，gm=10 mA/V 。直流偏壓為 VB ，交流輸入信號為 vs，輸出信號為vo。下列敘述何者正確 ？ (A)屬共射級（common emitter）放大器 (B)為同相放大器 (C)|vo/vs | = 100 (D)輸入阻抗 < 10 kΩVCCvsvoVB10 kΩ

將圖示放大電路的電晶體輸入該電阻RB 約為多少？已知RC =1.5 kΩ (A) (B)10 k

如圖所示直流偏壓電路的電晶體放大器中，電晶體的輸出直流電壓工作點為4 V ，電晶體β 值變為原來的2倍而其他特性參數不變，則RB 必須變為原來的多少倍才能使輸出直流電壓工作點變為6 V？ (A)0.75 倍 (B)1.5 倍 (C)2 倍 (D)3 倍5 V4 kΩ4 kΩM1R0.5 mA

具有共射極電流增益β 及爾利（Early）電壓VA 的電晶體，其輸入、輸出直流偏壓電流分別為IBQ、ICQ 時，下列那一選項具有最大的小信號等效輸出電阻？ (A)VA=100 V，β=100，ICQ=2 mA (B)VA=100 V，β=80，IBQ=0.02 mA (C)VA=80 V，β=50，ICQ=2 mA (D)VA=80 V，β=80，IBQ=0.04 mA

圖示之增強型MOSFET 放大器Vth= 1 V 且μnCox(W/L) =2 mA/V8 V (A) (B)6 V

如圖為共源極放大電路及其MOS 電晶體的轉換特性與輸出負載線關係，假設RG>>2 kΩ，該放大電路的小信號電壓增益絕對值為何？ (A)30 (B)18 (C)12 (D)6

轉導（Gm）放大器之輸入與輸出阻抗特性之敘述，下列何者正確？ (A)輸入應為低阻抗 (B)輸出應為高阻抗 (C)輸入阻抗與電流放大器之輸入特性相似 (D)輸出阻抗與電壓放大器之輸出特性相似

增強型MOSFET 分壓式偏壓共R2 = 400 kΩ、R3 = 1.5 kΩ 及R4幅3 V，求輸入小信號之振幅約大工作區。0.03 V (A) (B)0.06區，輸出阻抗ro= 10 kΩ，轉導值gm=10 mA/V (C)90/11 (D)特性以定壓降0.5 V 模型化後，如果想要得到= 1 kΩ。kΩ15 (C)kΩ (D)器中，MOSFET 的輸出直流偏壓VDSQ 等於多V2。 (C)5 V (D)共閘極放大器中，MOSFET 的μnCox(W/L) = 4 mA/4 = 3 kΩ，測得流經電阻R3 的直流偏壓電流為約為多少？其中，該放大器之偏壓電路等可提6 V (C)0.25 V (D)1kΩvovsIVDDM1C=∞+－RC10V2VRBICQIBQIB(μA)VBE(V)0.5β=5012VVDSQ1.5kΩ6MΩ2MΩVDDvoviR1R2R3R4CGCDCSV，電流源I 為理想，則 (D)5到5 V 的輸出直流工作點，40 (D)kΩ多少？電晶體的臨界電壓 (D)4 V/V2，電阻值R1 = 800 kΩ、為2 mA 及輸出弦波信號振提供該MOSFET 正確的放 (D)0.5 V

圖示MOS 場效電晶體電路，電晶體之Vt = 1 V、μnCox(W/L) = 1 mA/V2，若要使電晶體在飽和區工作，電壓VD 最小值應為多少？ (A)4 V (B)3 V (C)2 V (D)1 V

如圖所示為操作於主動模式（active mode）的雙極接面電晶體的π 型小訊號等效電路，若gm 值增為兩倍，則rπ 值會如何？ (A)增為2 倍vberorπ (B)增為2 倍gmvbe (C)減為一半 (D)不變

圖示雙極性接面電晶體（BJT）為電流源的主要原因為何？ (A)阻抗RO 太小 (C)電流IO 與IREF相差太大

如圖為一共閘（CG）放大器的簡圖（其偏壓電路未示）。若電晶體的轉導參數為gm，輸出電阻為ro→∞，則此放大器的電壓增益為何？ (A)gmRD (B)gm(RD+RS) (C)gmRD/(1+ gmRS) (D)RD/RS

當一 n 通道增強型MOSFET，工作於三極管區（Triode region）時，下列何者正確？ (A)VDS≧VGS－Vt (B)VDS≦Vt (C)VGD≧Vt (D)Vt≦0

如圖為共集（CC）放大器（其訊號參數gm、re、rπ 均為已知R (A)L/(re + RL) (B)RL/(

如圖電路為一共源放大器的簡圖，若電晶體之gm=0.5 mA/V，VA=∞，RD=5kΩ，則此放大器的輸入電阻Ri 為： (A)0 (B)2 kΩ (C)5 kΩ (D) ∞+VDDRDvovIRS+4 VRDVD+VDDRDvoRi-VSSIvI+－CSRGCG

分析如圖之電路，若 MOSFET 皆操作在飽和區且轉導值gm 為1 mA/V，忽略元件之輸出阻抗ro，試求其共模增益Vo/Vicm = ？VDD (A)1019.9 kΩ10.1 kΩVo (B)151M2M1 (C)-101Vicm1 kΩ (D)-151

如圖所示為非反相施密特觸發一偏壓電源VR =2 V，若此電路多少伏特（V）？ (A)-10 V (B)0 V

如圖所示的韋恩電橋（Wien-bridge）振盪電路，R1=R=5kΩ、R2= 2R、C1=2C2，當該電路處於等幅振盪時，Rf 的電阻值應約為多少？ (A)5 kΩ (B)10 kΩ (C)12.5 kΩ (D)20 kΩ

圖中電晶體 M1 操作在飽和區（saturation region），輸出阻抗 ro =10 kΩ， 轉導值 gm = 10 mA/V。若電阻R=10 kΩ，下列敘述何者正確？ (A)小信號增益 | vo / vs | = 10 (B)屬共汲極（common drain）放大器 (C)Rout = 5 kΩ (D)若電阻R 值增加且電晶體 M1 維持操作在飽和區，| vo / vs |降低VDDRvoM1vsRout

變壓器耦合串級放大電路中第壓VT = 25 mV，Q1 與Q2Av1=vo1/vi1=Av2=vo2/vi2，求負載R2 (A) kΩ (B)1.6 kC1vi1:8）電路，其中IO 為輸出電流，電晶體Q1 與Q2 特 (B)阻抗RREF太大 (D)Q1 不在主動區（Active其偏壓電路未繪示），設電晶體工作於主動模式，輸出電阻ro→∞，電壓增益ovivAv≡為：(rπ+ RL) (C)RL/[(rπ + (β + 1) RL)] (D)電路，其OPA 為理想並使用±10 V 的電源電壓路vI先輸入10 V 一段時間後，vI 再改輸入為0 (C)5 V (D)1、第2 級放大電路具有相同的基極偏壓電流的β 值與爾利電壓（Early voltage）均相RL 約為多少？kΩ (C)600 Ω (D)VCCROIORREFR1Q1Q2IREFVCCRsigvivoVsigRLvOvIVR+－1kΩ2kΩRLREC2C1R2REC2R2R1R1Q1Q2VCCvvi1vi2vo2vo15:14:18特性相同，此電路不能作Region）工作式（active mode），其小 (D)RL/( β + 1)(re + RL)壓，於OPA 反相輸入端加V，則最終輸出電壓約為 (D)10 V流IB1=IB2=10 μA，其中熱電相同。若欲使電壓增益 (D)200 ΩLvo

兩電晶體Q1（β1=49）與Q2（β2=79）直接耦合的串級放大電路如圖所示，其中Q1 的基極偏壓電流為IB1=1.25μA，求該放大電路之輸出電阻Ro 約為多少Ω？熱電壓VT =25 毫伏特。 (A)10Ω (B)125 Ω (C)1250 Ω (D)2000 Ω

圖示RC 耦合串級放大電路的總電壓增益為 60 dB，將第1 級放大電路的偏壓電阻值R1 與R2 均變為原來的2 倍後，假設各級放大電路仍正常工作，總電壓增益約為多少？ (A)200 (B)400 (C)500 (D)1000

R1=R2且C1=C2 的韋恩電橋（W幅為2 V 時，則輸出vO的有效值1.414 (A)V (B)2 V

圖示為理想運算放大器組成的電路，運算放大器的輸出飽和電壓為±10 V，R1 =10 kΩ、R2 = 30 kΩ，輸出電壓vO 原為+10 V，輸入電壓vI 為下列何電位時，輸出vO 將為-10 V？ (A)-4 V (B)-3 V (C)3 V (D)4 VQ1Q2R2vOvIR1－+RfRVfVOC1R1C2 R2+－

如圖所示為一CMOS 反相器，其負載為電容CL。若輸入的信號vi 為方波，其高電位為VDD、低電位為0，頻率為f，下列何者正確？ (A)反相器負載電容CL 愈大功率消耗愈低 (B)反相器操作頻率愈快，功率消耗愈大 (C)反相器電晶體通道長度愈長，功率消耗愈小 (D)反相器電源電壓VDD 愈低，功率消耗愈大

RC 串級放大電路於未耦合前的忽略電容效應，求該串級放大4000 (A) (B)200

如圖放大器電路，試問C1 和C2 耦合（coupling）電容會衰減放大器頻率響應的那一頻段？ (A)中頻段 (B)低頻段 (C)高頻段 (D)沒有影響

如圖電路，若輸入vi(t)為方波電壓，則輸出vo(t)是什麼波形？ (A)正弦波 (B)三角波 (C)脈波 (D)矩形波vi (t)vi (t)

造成積體電路放大器在高頻的 (A)電導 (B)電感

如圖非穩態電路，輸出vo 的飽和電壓在±10 V，其R1 = 100 kΩ，R2 = R = 1 MΩ且C = 0.01 μF；試問v - 在什麼電壓時，輸出電壓vo 會轉態？ (A)v - 下降達+0. 91 V 或v - 下降達-0.91 V (B)v - 上升達+0. 91 V 或v - 上升達-0.91 V (C)v - 下降達+0. 91 V 或v - 上升達-0.91 V (D)v - 上升達+0.91 V 或v - 下降達-0.91 V

一個n 通道MOSFET，若其閘極-汲極電容Cgd = 10 f F，閘極-源極電容Cgs = 50 f F，轉導gm = 1.2mA/V，則此MOSFET 之單一增益頻率（unity-gain frequency）約為多少？（f =10-15） (A)1.18 GHz (B)2.18 GHz (C)3.18 GHz (D)4.18 GHz

某電路之轉移函數：(( )(oiVT sV= (A)低通響應 (C)高頻增益為10 dB

下列為一主動式濾波器（Active filter）。設U1 為理想運算放大器，試問此電路轉移函數（Transferfunction） T(s)≡Vo/Vi 的數學形式為何？ (A)00)(ω+=≡ssaVVsTiO (B)001)(ω+=≡saVVsTiO (C)0,)(0000<+−=≡assaVVsTiOωω (D)0,)(0000>+−=≡assaVVsTiOωω

圖電路中雙極性接面電晶體之增益β = 100，小訊號參數rπ = 1.44 kΩ，則此電路之轉角頻率（cornerfrequency）約為多少？ (A)23.2 Hz (B)30.2 Hz (C)37.2 Hz (D)44.2 HzR1 =51.2 kΩRSi =0.1 kΩvi

圖示電路，當電路正常工作時 (A)弦波 (B)方波

某一RC 主動式濾波器（active filter）電路如圖所示，已知放大器U1 為理想運算放大器，且R1＝R2＝R3，試問該電路為何種濾波器？ (A)低通濾波器（low-pass filter） (B)高通濾波器（high-pass filter） (C)帶通濾波器（band-pass filter） (D)全通濾波器（all-pass filter）

如圖為哈特來振盪器（Hartley Oscillator），已知L1 = 0.05 mH 和L2 = 0.01 mH 和C = 60 nF，試求振盪頻率fo 約為多少？ (A)1.414 MHz (B)527 kHz (C)225 kHz (D)84 kHz

如圖為一共射（CE）放大器電Cμ）中，以何者對放大器的低C (A)c1 (B)Cc2Ri1=1viWien-bridge）振盪電路如圖，當該電路發生等幅振值vO,rms約為多少伏特（V）？其中理想OPA 的 (C)4.24 V (D)的各單級放大電路示意圖含輸出/輸入電阻、電電路的總電壓增益？0 (C)800 (D)衰減，主要的原因為放大器內部的：感 (C)電洞 (D)( )10( )100sss=+，下列有關T(s)之敘述，何者正確 (B)直流增益為0 (D)增益為10 dB 時的頻率為，問電壓v1 的波形為何？波 (C)三角波 (D)路，在一般情況下，此三個外加電容以及電晶頻響應影響最大？ (C)CE (D)C1RRfR2R1C2VOkΩRo1=3kΩRo2=2kΩRi2=1kΩRL=8kΩvo2vo1vi2voR2R1RCv1v2vovsigRsigCc1Cc2RCRLRBCEI-VEEVCC+－Vf振盪時，若能測得Vf 的振的輸入電源為±12 V。 (D)8.48 V電壓增益及負載如圖所示， (D)400 (D)電容確？為100 rad/s (D)階梯波晶體的內部極際電容（Cπ、 (D)Cπ

一個雙極性接面電晶體，其單一增益（unity-gain）頻率 fT = 20 GHz，在 Ic = 1 mA 下，電晶體增益β = 120，則電晶體的頻寬約為多少？ (A)107 MHz (B)125 MHz (C)146 MHz (D)167 MHzC1C2RBRSVoViRERL+VCCvov+R1R2+VCC-VCCRC－+R1R2CU1VoViR1R2R3VoViC1U1v-

如圖所示之電路，其為何種濾波器？ (A)低通 (B)帶通 (C)高通 (D)全通RL1L2CRVoutVinCL