電子工程 103 年電子學大意考古題

雙極性接面電晶體（BJT）放大器的下列組態中，何者的輸出電阻較小？ (A)CE 組態 (B)CB 組態 (C)CC 組態 (D)疊接（cascode）組態

若

如圖所示為臨界電位比較器，已知其電源電壓為±15 V，則使輸出改變狀態之Vin 轉折電壓為何？ (A)+5 V (B)-5 V (C)+15 V (D)-15 V

有一BJT 電晶體之集極電流為4.9mA，射極電流為5mA，求此電晶體之β 約為多少？ (A)4.9 (B)49 (C)99 (D)999

/41VmAK n =，，則下列電路之值為：（提示：）V2Vtn =mg2tnGSD)VV(I−=nK (A)1 mA/V+12V (B)2 mA/V (C)3 mA/V (D)4 mA/V6kΩVo1mA2下圖由理想運算放大器所組成之低通濾波器，若欲設計使其高頻截止頻率，則電阻R 約為多少？kHz10H =f (A)31.8 kΩ30 kΩ (B)20.7 kΩ10 kΩVoV (C)15.9 kΩ (D)7.07 kΩiRRL1 nF

下列關於理想運算放大器的輸出特性，何者錯誤？ (A)零共模增益 (B)無限大共模拒斥 (C)常用為差動輸入 (D)常用為交流耦合

下列關於雜訊邊界的描述何者正確？ (A)絕對雜訊邊界定義為高邏輯邊界與低邏輯邊界二者中的最大者 (B)雜訊邊界愈大表示邏輯電路抗拒雜訊能力愈強 (C)雜訊邊界表示輸入訊號的最大值 (D)雜訊邊界會隨輸入電壓而改變

下圖電路中，理想運算放大器之電源電壓為±15 V，請問流過100 Ω電阻之電流IL 為多少？ (A)5 mA (B)3 mAVO-1VIL1 kΩ100 Ω5 kΩ2 kΩ10 kΩ (C)2 mA (D)1 mA

一使用理想運算放大器的微分電路，當RC 乘積值變大時，其輸出相對輸入之相位移為何？ (A)變大 (B)變小 (C)保持-90°不變 (D)保持-180°不變

CMOS 反相器的操作電壓為3V，輸出端等效電容為10fF，當操作在500MHz 時，其動態功率消耗為多少？ (A)15 μW (B)45 μW (C)75 μW (D)135 μW

電路圖中運算放大器為理想運算放大器，且電源電壓為±15 V，則電路中VO 輸出為多少V？ (A) -5 VVO-1 V1 V100 k140 k10 k50 k (B)-3 V (C)+3 V (D)+5 V-1 V

如圖所示之電路，其邏輯函數為下列何者？ (A))DC)(BA( (B))DB)(CA( (C))CD)(AB( (D))BD)(AC(CRvovIVDDVOACBD

P 通道MOSFET 導通時之傳導電荷載子是： (A)電子 (B)多數載子為電子，少數載子為電洞 (C)電子與電洞數各一半 (D)電洞

假設下圖電路中運算放大器為理想運算放大器，求電壓增益Av = vO/vI 為多少？ (A)-5 (B)-10 (C)+10 (D)+5

有一邏輯閘電路設計如左圖所示，設PMOS、NMOS 的電流—電壓（I-V）特性一樣，只是偏壓極性相反，亦即臨界電壓（Threshold Voltage）絕對值相同，且在相同的偏壓下有相同的通道電流。若已知此電路的轉移特性（Voltage transfer characteristic）曲線如右圖所示，試研判在曲線A 點兩電晶體MP1、MN1 的工作狀態。 (A)電晶體MP1 的工作狀態為截止（Cut-off）區、電晶體MN1 的工作狀態為截止（Cut-off）區 (B)電晶體MP1 的工作狀態為三極管（Triode）區、電晶體MN1 的工作狀態為截止（Cut-off）區 (C)電晶體MP1 的工作狀態為三極管（Triode）區、電晶體MN1 的工作狀態為飽和（Saturation）區 (D)電晶體MP1 的工作狀態為飽和（Saturation）區、電晶體MN1 的工作狀態為飽和（Saturation）區

欲將矽質BJT 電晶體改為齊納（Zener）二極體使用，通常應將E、B、C 三個引線腳中之那一腳剪掉不用？ (A)E (B)B (C)C (D)任一腳均可

關於MOSFET 電晶體之敘述，下列何者錯誤？ (A)PMOS 主要靠電洞導電 (B)增強型NMOS 之臨界電壓為正值 (C)一般NMOS 在使用時之源極（Source）電壓較汲極（Drain）電壓高 (D)NMOS 之基板（Substrate）為P 型vGSiDVt0

在一般MOSFET 元件中，為何閘極電流幾乎為零？ (A)因為有閘絕緣層在通道上方 (B)因為有空乏區在通道上方 (C)因為閘極反偏 (D)因為元件靠電壓驅動

下列何種效應對崩潰二極體所造成的崩潰電壓較大？ (A)爾利效應（Early Effect） (B)雪崩效應（Avalanche Effect） (C)米勒效應（Miller Effect） (D)齊納效應（Zener Effect）20022002sQssaVVsTIo200202sQssaVVsTIo20020sQssaVVsTIo200201sQsaVVsTIo

某FET 工作在飽和區（Saturation Region），其iD-vGS 關係如圖所示，iD 是流入汲極之電流，則此FET為： (A)增強型NMOS (B)增強型PMOS (C)空乏型NMOS (D)空乏型PMOS

雙極性接面電晶體中，收集多數載子的電極稱為： (A)源極 (B)基極 (C)集極 (D)閘極

在室溫下的熱電壓VT 的值約為多大： (A)25 mV (B)0.3 V (C)0.7 V (D)1 V

雙極性電晶體電路中，若電晶體做為開關時，當為ON 時電晶體一般工作於何種區段？ (A)截止區 (B)線性區 (C)崩潰區 (D)飽和區

一個理想二極體，在逆向偏壓時： (A)電流為零 (B)電壓為零 (C)電阻為零 (D)電容為零

整塊N 型半導體在熱平衡時之總電荷是呈現： (A)負電性 (B)正電性 (C)電中性 (D)視雜質原子之原子序而定

一個1MHz 的石英晶體具有L=1H, Cs=0.024pF, Cp=8pF 和r=90Ω，求其品質因數（Q-factor）的近似值： (A)50000 (B)60000 (C)70000 (D)80000

一般電流計可以利用並聯電阻加大電流計的量測範圍，細部電路如下圖所示。若電流計本身的電阻Rm = 1 kΩ，最大可容許通過的滿載電流Immax = 100 μA。已知加入的並聯電阻值分別為Ra = 9.09 Ω、Rb = 0.909 Ω、Rc = 0.101 Ω，今將切換開關接到B 接點，試研判這樣的組態在電表正負端接點之間最大的電流量測範圍？ (A)100 μA (B)1 mA (C)10 mA (D)100 mA

考慮一低通（low-pass）濾波器之截止帶（stopband）的傳輸不大於通帶（passband）傳輸的1%，求其最小所需截止帶傳輸Amin.： (A)3 dB (B)10 dB (C)20 dB (D)40 dB

在一般矽半導體中，電子的移動率（mobility）μn 與電洞的移動率μp，何者較大？ (A) μn＞μp (B)μn＜μp (C)兩者約略相等 (D)視半導體為n 型或p 型而定

若P-N 接面二極體之導通電壓為0.7 V，導通電阻值為0 Ω。則2 V 電壓源流出之電流值為何？ (A)1.5 mA (B)1.3 mA (C)1.1 mA (D)0.7 mA

調諧放大器（Tuned Amplifier）是何種濾波器？ (A)高通 (B)帶通 (C)低通 (D)帶拒

下圖為理想二極體的截波電路，當輸入電壓大於5V 時，其輸出電壓為何？ (A)(2·Vi –5)/3R2R1D1D2vIvA (B)(3·Vi –5)/4 (C)(2·Vi +5)/3 (D)(3·Vi +5)/4

今欲設計二極體整流電路使vO 產生負極性的電壓輸出，下列何者正確？ (A) (B) (C) (D)

若一BJT 放大器之驅動電晶體，是由一共射（Common-Emitter）電晶體的集極接一共基（Common-Base）電晶體的射極所構成，則此放大器為： (A)達林頓（Darlington）放大器 (B)疊接（Cascode）放大器 (C)差動（Differential）放大器 (D)運算（Operational）放大器

如圖電路，設二極體導通時之VD = 0.7 V 之定值。此電路之輸出電壓VO 之值約為何？ (A)0.7 V (B)1.7 V (C)2.3 V+5V (D)4.3 VID10 kΩ15 kΩ17 kΩVO+ VD -

圖示由理想二極體構成電路，若電阻R 為0.5 kΩ，則電流I 為若干mA？ (A)6 (B)8 (C)10 (D)12

雙極性接面電晶體（BJT）中雜質摻雜濃度最高者一般為： (A)集極 (B)基極 (C)射極 (D)閘極

圖示理想運算放大器電路中，R1 = 1 kΩ及R2 = 2 kΩ，且二極體導通的電壓降為0.7 V。若輸入電壓vI = 1 V，則電壓 vA 為若干？ (A) -2 V (B)-0.7 V (C)0 V (D)2 V

如圖所示之電路，二極體皆為理想，則有關此電路之敘述，下列何者正確？ (A)C1 的耐壓為2 Vm (B)C1+C3 的耐壓為4 Vm (C)C2+C4 的耐壓為3 Vm (D)D4 的峰值反向電壓為2 VmvACRD2vOD1vSvACRD2vOD1vSvSvACRD2vOD1vACRD2vOD1vSR+5V+2V+1V0VvoI2V1kΩ1kΩ1kΩVmsinωtD4D3D2D1C1C3C2C4VCCRCREvivbvo

某兩級串接放大器，各級電壓增益分別為20 dB 和40 dB。若第一級放大器輸入端加入峰值為2 mV的訊號，在不失真情況下，第二級之輸出訊號的峰值為多少？ (A)400 mV (B)800 mV (C)2 V (D)8 V

圖中為一半波整流電路，當輸入為頻率60 Hz、峰值120 V 的電壓，請問其漣波電壓約為多少？ (A)0.1 V (B)0.2 V (C)1 V (D)2 V

如圖所示之電路，假設二極體導通之壓降為0.7 V，輸入電壓vi 為一峰值10 V 之交流正弦波，試求輸出電壓之最大負值為何？ (A)-5.3 V (B)-10.7 V (C)-14.3 V (D)-20.7 V

下列何者為帶通濾波器（Band Pass Filter）電路轉移函數（Transfer Function）的數學表示式？ (A) (B) (C) (D)

如圖所示之電路，變壓器圈數比N1：N2 = 8：1，輸入電壓vi 為一交流弦波，峰值為100 V，頻率為60 Hz，二極體導通之壓降皆為0.7 V，求二極體之峰值反向電壓為何？ (A) 14.3 V (B)24.3 Vvo+-vi+-N1N2N2 (C)34.3 V (D)44.3 V

如圖所示之電路，輸入電壓vi 為一交流弦波，有效值為100 V，頻率為60 Hz，二極體導通之壓降皆為0.7 V，求二極體之峰值反向電壓約為何？ (A)17.4 V (B)34.7 V (C)69.4 V (D)104.1 V

通常半波整流電路，最少需搭配使用幾個二極體？ (A)1 個 (B)2 個 (C)3 個 (D)4 個

如圖所示之理想運算放大器電路，稽納（Zener）二極體操作在崩潰（breakdown）區，求i 為何？ (A) 1 mA2 mA (B)3 mA (C)4 mA (D)

一般二極體在固定電流順偏導通狀況下的壓降，其溫度係數（Temperature Coefficient）為： (A)零溫度係數 (B)正溫度係數 (C)負溫度係數 (D)正負溫度係數依導通電壓大小而定

齊納二極體（Zener Diode）主要常應用於何種電路？ (A)整流 (B)穩壓 (C)開關 (D)放大

當一矽二極體導通時，跨於二極體兩端的電壓VD 約有多大？ (A) 0 V (B)0.025 V (C)0.7 V (D)1.4 V

對理想二極體之敘述，下列何者錯誤？ (A)順向時視為短路，逆向時視為開路 (B)順向電阻等於零，逆向電阻無限大 (C)順向電壓等於零，逆向電流無限大 (D)無順向電壓降，無逆向電流

下列關於非穩態（astable）複振器的描述何者錯誤？ (A)沒有穩態的存在 (B)有兩個非穩態 (C)需要訊號持續進行觸發 (D)可作為方波產生器

圖示理想二極體電路中，若輸入vI 為弦波，峰值電壓5 V，下列何者為vO 的波形？ (A) (B) (C) (D)-++10V1 kΩ1 kΩ1 kΩVoutVZ = 3ViRvO3 VvIvOt3 V5 VvOt3 V5 V

雙極性接面電晶體的各種組態放大器，何者最適合作輸出端的阻抗匹配？ (A)共基極放大器（CB） (B)共集極放大器（CC） (C)共射極放大器（CE） (D)共汲極放大器（CD）

MOSFET 單級放大器架構中，小訊號特性電壓增益接近於1 是那種？ (A)共源極 (B)共汲極 (C)共閘極 (D)具有源極電阻之共源極

圖中電晶體的β=240，VBE = 0.7 V 及VT = 25 mV，其電壓增益（Vo / Vi）約為： (A)-700(∞)∞)(∞)(∞)((∞)(∞)4.3 kΩ12 kΩ36 kΩ7.5 kΩVo-+Vi+20V (B)-500 (C)-300 (D)-100

分析下圖之電路，若BJT 操作在順向主動區（forward active region）且轉導值gm為10 mA / V，β=10，RE=1 kΩ，RC=10 kΩ，忽略元件之輸出電阻ro，試求vo / vi 約為多少？ (A)5 (B)8 (C)12 (D)15

如圖所示反相放大器（Inverting Amplifier），其中電容C 與電阻R3為抑制運算放大器的輸入偏移電壓（Offset Voltage，Vos）與輸入偏置電流（Input Bias Current，IB）造成輸出的偏移電壓影響，則下列何者錯誤？ (A)低頻3 dB 頻率為：1/2π R1C (B)R3=R1R2/（R1+R2） (C)高頻電壓增益（Vo / VIN）為：-R2/R1 (D)高頻輸入阻抗為：R1

下列之放大器若電晶體操作於順向主動區（forward active region），對於小訊號電壓增益io VV，下列敘述何者錯誤？VCCVoViRBRCRERSQ1 (A)增加RE 則增益減低 (B)增加RC 則增益提高 (C)若RS= 0，增加RB 則增益增加 (D)增加RS 則增益減低

如圖所示共射極放大器（CE）（偏壓電路略去未繪），其電壓增益Av≡vo / vi 大致可表為： (A)-gmRC (B)-gm(RC+rπ ) (C)-RC/(RE+re) (D)-Rsig/REvsigRsigvivoRCRE+VCC5Vvivo1kΩvivo4:1RERCVCCQ1VB

如圖所示為電阻R1、R2、R3，以及運算放大器組成的電壓放大器。R3 的作用使運算放大器的輸入偏置電流（Input Bias Current）在輸出所產生偏移電壓（Offset Voltage）有效降低。若R2=60 kΩ 、R3=10 kΩ ，則R1 的電阻值為： (A)8 kΩ (B)10 kΩ (C)12 kΩ (D)15 kΩ

BJT 單級放大器架構中，小訊號特性電壓增益接近於1 是那種？ (A)共射極 (B)射極隨藕 (C)共基極 (D)具有射極電阻之共射極

若下圖電路中之BJT 電晶體操作於飽和區，下列何種調整方式可讓電晶體進入順向主動區（forwardactive region）？ (A)減小VCC (B)加大VB (C)加大RE (D)加大RC

如圖所示，電路U1 為理想運算放大器。假設二極體導通電壓VD0=0.7 V。已知電阻R1=1 kΩ 、R2=2 kΩ 。當vI =5 V 時，輸出電壓vo 約為多少？ (A)4 V (B)3 V (C)2 V (D)0 VR2R1R3VINCVOR2VOR3R1VINR2R1D1D2U1vIvO+－

當BJT 操作於主動模式，其IB、IC、IE 三者之大小關係為： (A) IB＜IC＜IE (B)IB＞IC＞IE (C)IC＞IE＞IB (D)IC＜IB＜IE

下列那一項為影響放大器低頻響應的主要因素？ (A)使用的電晶體型式 (B)放大器的負載電容 (C)放大器的電壓增益 (D)放大器中的耦合電容

如圖電路，設二極體為理想二極體。則通過二極體之電流I 為何？ (A)0.1 mA (B)0.5 mA (C)0.75 mA (D)1.25 mA

P 通道增強型MOSFET 導通時，閘極必須加： (A)正電壓 (B)負電壓 (C)正、負電壓均可 (D)零

如圖所示之接面場效電晶體（JFET）放大器，已知工作點（Operating Point）閘源極電壓VGS為-2.6 V，汲極電流ID 為2.6 mA，IDSS 為8 mA，夾止電壓（Pinch-off Voltage）VP 為-6 V，則此放大器的輸入阻抗Zi 約為多少？ (A)470 kΩ (B)680 kΩ (C)1 MΩ (D)1.8 MΩ

有關下圖電路的特性敘述，何者錯誤？ (A)這是一個半波整流電路 (B)Vo 可以輸出Vi 兩倍峰值電壓 (C)是一個倍壓電路 (D)若C1 及C2 夠大，漣波電壓就會相當小

如圖所示之電路，若MOSFET 操作在飽和區（Saturation Region）且轉導值（gm）為1 mA/V，輸出阻抗（ro）為10 kΩ，試求Vo / Vi=？ (A)-5.25M11 kΩ-+VbViVo21 kΩVDD (B)-10.5 (C)-21 (D)-42

圖示雙極性接面電晶體（BJT）電路，電晶體β = 100，VBE = 0.7 V，當電路處最佳工作點，則電阻RB 約為若干kΩ？ (A)115 (B)230 (C)460 (D)575

如圖所示之電路，其中二極體VD,on =0.7 V，電晶體VBE(on) =0.7 V，則I1 為多少？ (A)0 mA (B)0.26 mA (C)1.05 mA (D)1.25 mA

MOSFET 一般可應用於類比及數位兩種電路，當應用於小訊號放大，此時電晶體應工作於下列何區域？ (A)截止區 (B)三極管區（Triode Region） (C)飽和區 (D)崩潰區

關於MOSFET 電晶體之輸出阻抗，下列敘述何者錯誤？ (A)相同電流且寬長比（W / L）相同之條件下，通道長度越長輸出阻抗越大 (B)固定元件尺寸之條件下，電流越大輸出阻抗越大 (C)電晶體操作在飽和區（saturation）時之輸出阻抗較操作在三極管區（triode region）時之輸出阻抗大 (D)輸出阻抗是由於通道調變效應所造成IC10VRB3V10kΩVOCS+20V4.7kΩ680kΩ1kΩViZiRGRLRSRDCC2CSCC1

圖示理想二極體電路，電壓Vo 為若干？ (A)-5 V (B)-3 V (C)0 V (D)3 V+12 V +20 V10 kΩ10 kΩ6 kΩ6 kΩVoIViN1：N2VsD2VoD1C1C2Vo5V4 kΩI110 kΩ0.1 V5 VD2+5 V-5 V4 kΩ1 kΩVoD1

有一npn 電晶體，其爾利電壓（Early Voltage）VA = 40 V。該電晶體操作於主動模式，且IC = 4 mA，則電晶體的輸出電阻ro 約為： (A)10 kΩ (B)20 kΩ (C)160 kΩ (D)無窮大

已知一BJT 電晶體之β = 100，gm = 0.01 A / V，求圖中電路之Rin 值？ (A)1 kΩ (B)10 kΩ (C)100 kΩ (D)500 kΩ

如圖示之放大器，若電晶體須維持操作於飽和區，且忽略其輸出阻抗效應，下列敘述何者錯誤？ (A)增加RG 及同時減低ID (B)增加RS 及同時減低ID (C)減少寬長比（W/L）及同時減低ID (D)增加VDD 及同時增加ID

如圖的共射（CE）放大器，設電晶體工作於主動模式（Active Mode），其小訊號參數gm、re、rπ 及輸出電阻ro 均為已知，各外加電容均極大。則此放大器之輸入電阻Rin（不含Rsig）為： (A) RBRERCV+V- (B) RB || rπ (C)RB || ro+VCC (D)RB || RCCC2RCVCC1VoRsigiRLVsigRB+-IRinCE-VEE

如圖電路所示，若電晶體參數β = 100，Cμ = 2 pF，Cπ = 6 pF，則其高頻-3dB 頻率約為多少kHz？ (A)110 (B)220 (C)330 (D)550

如圖為MOS 電晶體操作於飽和模式（Saturation-mode）之π 型小訊號等效電路，其中gmro 的乘積與汲極電流ID 的關係約為： (A)gmro 正比於1/ID (B)gmro 正比於1/ (C)gmro 正比於 (D)gmro 與ID 無關

下列之放大器若電晶體操作於順向主動區（forward active region），且vo 對vi 為高通（high pass）頻率響應，下列何種方式無法降低本放大器之低頻3dB 頻率點(Lω )？ (A) 增加RLVCC (B)增加RB (C)增加RE (D)減低C1RBRCvoviC1REC2Q1RL

下列對於MOSFET 共源極架構放大器的頻率響應特性敘述中，何者錯誤？ (A)低-3 dB 頻率與電晶體內部電容無關，而是與外部電容有關 (B)高-3 dB 頻率受到米勒效應的影響而變大 (C)當外部電容愈大，低-3 dB 頻率愈小 (D)在場效電晶體內部電容中，Cgd 對於高-3 dB 頻率的影響最大

圖示MOS 場效電晶體電路，電晶體之Vt = 1V、μnCox（W/L）= 2mA /V2，欲電晶體在飽和區工作，電阻RD 的最大值約為若干kΩ ？ (A)1 (B)2 (C)3 (D)4

圖示電路，若V + = +12 V、V − = -12 V、RE = 3 kΩ，且電晶體之α ≈ 1，EB 接面導通電壓為0.7 V，EC間飽和電壓降為0.3 V，欲電晶體在主動區（Active Region）工作，則電阻RC之最大值約為若干kΩ？ (A) 2.1 (B)3.3 (C)5.5 (D)8.6V −

一般MOSFET 單級放大器架構中，小訊號特性輸出阻抗較低的是那一種？ (A)共源極 (B)共汲極 (C)共閘極 (D)具源極電阻之共源極

圖示電路，若RG = 10 MΩ 、RD = 10 kΩ ，電晶體的輸出阻抗ro = 10 kΩ ，電壓增益Av = vo/vi = - 4，則Rin 約為若干？ (A)∞ (B)10 MΩ (C)5 MΩ (D)2 MΩVDDVORSViCIDRGGDSrogmvgsvgs1 kΩ3 MΩ2 MΩRD5 VVDDRDRGRinvivo∞∞

有一電如下圖所示，若所有電阻R1~R5 均相等，且所有放大器U1 及U2 均為理想運算放大器。若交流電V1，其振幅為5 V，試問節點A 的最大電壓VA 應落在下列何範圍內？路 (A) 6 V VA源 (B) 4 V VA＜6 V൑൑ (C)2 V൑VA＜4 VU1I2I1VDDvovi (D)VA＜2 VR3R2R1DC

如圖所示一放大器，外接電容為CC1、CC2 和CS，MOSFET 的寄生電容為Cgs 和Cgd。有關此放大器電路在中頻的增益（Mid-band gain），下列敘述何者正確？ (A)主要是受外接電容的影響 (B)主要是受MOSFET 寄生電容的影響 (C)受外接電容與MOSFET 寄生電容的影響程度均相同 (D)均不受外接電容與MOSFET 寄生電容的影響vSVCCVOViRS=10kΩRinRC=10kΩ10kΩ10kΩvo0.5mA20V∞Vo－VssVDDVsigVCCRC2VOVI—VEEREVI+RC1Q1Q2

如圖所示之電路，若電晶體之rπ= 1 kΩ ，CC = 1 μF，R1 = 10 kΩ ，R2 >> rπ，CL= 10pF，gm = 1 mA/V，下列敘述何者正確？ (A)低頻 -3dB 頻寬(ω L)為1k rad/sec (B)高頻 -3dB 頻寬(ω H)為1k rad/sec (C)高頻之單一增益頻寬（Unity-gain bandwidth）為10M rad/sec (D)增加CC 將使放大器平坦增益（flat gain）之頻寬減少

相較於基本單級的共源極CS 放大器，圖示CD-CS 串接放大電路的主要優點為： (A)可提高輸入阻抗 (B)可提高輸出阻抗 (C)可提升電壓增益 (D)可增加頻寬

下列為一被動式濾波器（Passive filter）。試問此電路轉移函數（Transfer function）T(s)≡VO / Vi 的數學形式為何？ (A)20020iOsQssaVV)s(T (B)20020iOsQs1aVV)s(T (C)00iOssaVV)s(T (D)00iOs1aVV)s(T

分析如下圖之電路，若MOSFET 操作在飽和區且轉導值gm為1 mA /V。元件之輸出阻抗ro，Rb1，Rb2，C1，C2 皆為無窮大，試求io/VV： (A)0 (B)5 (C)10 (D)20

某一單極點放大器在無回授時電壓增益為100，頻帶寬為5 kHz。若加了負回授後其電壓增益降為80，則頻帶寬為多少？ (A)6.25 kHz (B)5 kHz (C)4 kHz (D)3.5 kHz

下列何者可產生方波？ (A)考畢子（Colpitts）振盪器 (B)無穩態多諧振盪器（Astable Multivibrator） (C)雙穩態多諧振盪器（Bistable Multivibrator） (D)韋恩橋式（Wien Bridge）振盪器

圖示為衛德勒（Wilder）電流源，此電路的特色為： (A)使用較大的電阻RE 來輸出大電流IO (B)使用較大的電阻RE 來輸出小電流IO (C)使用較小的電阻RE 來輸出大電流IO (D)使用較小的電阻RE 來輸出小電流IO

關於CE-CE 放大器的特性，下列何者正確？ (A)高頻寬 (B)低輸出阻抗 (C)高電壓增益 (D)低電流增益

相較於共射極放大器（CE），下列有關共基極放大器（CB）之敘述，何者正確？ (A)輸入阻抗較大 (B)頻率響應較佳 (C)輸出電壓與輸入電壓相位差180° (D)輸出阻抗較低

圖示差動放大器中，對於電阻Re 的主要功用，下列敘述何者錯誤？ (A)降低差模電壓增益 (B)增加負回授的穩定特性 (C)降低輸出阻抗 (D)提高差模輸入電壓的線性放大範圍VCCVoViR2R1CLCCQVDD10 kΩVbRb210 kΩVoVbRb1ViIbC1C2M2M1VCCRREFQ2Q1REIOVCCRCRCvovid ReRe-VEEIQ1Q2

若欲使用單一頻率訊號以測放大器之大致頻率響應情形時，一般常使用下列那一種訊號波形？ (A)方波 (B)正弦波 (C)三角波 (D)鋸齒波

下列何者為全通（All Pass）被動濾波器的主要功用之一？ (A)放大訊號 (B)去除雜訊 (C)類比訊號轉換為數位訊號 (D)提供相位移

如圖所示之電路，假設電晶體操作在順向主動區，IC = 1 mA，VT = 26 mV，β = 100，Cπ = 100 fF，Cμ= 10 fF，忽略爾利（Early）效應與其他電容效應，採用米勒（Miller）趨近法，假使RL值為40 Ω ，則其輸入電容之值為何？ (A)39.4 fF (B)49.4 fF (C)59.4 fF (D)69.4 fF

如圖為一共射（CE）放大器電路，在一般情況下，此三個外加電容以及電晶體的極間電容中，以何者對放大器的高頻響應影響最大？ (A) CC1 (B)CC2 (C)CE (D)電晶體的極間電容

圖為單端輸出差動放大器（Differential Amplifier）。其中RE = 4.3 kΩ，RC1 = RC2 = RE / 2，VCC = -VEE = 5 V，電晶體的β 為100，放大器的輸入共模（Common Mode）偏壓為0 V。則差動放大器的共模拒斥比（Common Mode Rejection Ratio, CMRR）約為？ (A)344 (B)258 (C)172 (D)86

如圖所示為操作於主動模式（active mode）的雙極性接面電晶體的π 型小訊號等效電路，若集極電流為IC。爾利電壓（Early voltage）為VA，熱電壓為VT，則下列敘述何者錯誤？ (A)gm = IC/VT (B)ro = VA/IC (C)rπ = VT/IC (D)gmrπ = β

一反向放大器其直流增益值為-50V/V，當其頻率為10 f3dB 時，其增益為何？ (A) -1 V/V (B)-5 V/V (C)-10 V/V (D)-50 V/V

兩個共集極放大器串接之電壓增益為何？ (A)約1000 (B)約100 (C)約10 (D)約1

下圖是雙極性接面電晶體（BJT）共射極組態的小訊號電路模型，其輸出電阻RO 為何？ (A)RC (B)ro (C)RC // ro (D)RC // ro // RBVCCVinRLVovbeBCrogmvberπEViVoRoRCrorπRBRiβib

下列關於濾波器的描述，何者錯誤？ (A) 低通濾波器可通過低頻信號而濾除高頻信號 (B)帶拒濾波器過濾特定頻帶範圍的信號 (C)頻寬與帶通濾波器之中心頻率呈反比關係 (D)帶通濾波器的品質因數（Quality Factor）愈大，選擇性愈低EV1BR4AR5U2+--++-+-+VCCCC2voRCRLICC1RBvsigRsig-VEE+-CE

分析下圖之電路，若MOSFET 皆操作在飽和區且轉導值gm為1 mA / V，忽略元件之輸出阻抗rO，試求VO / Vi？ (A)5 (B)10 (C)-5 (D)-10

如圖所示為一BJT 差動對（Differential-Pair）電路。Q1 = Q2，並設工作於主動模式（Active-mode）。則此差動放大器的差動增益（Differential Gain）idodd/VVA 以熱電壓（Thermal Voltage）VT 表示為： (A)TCVIR21 (B)TCVIR (C)TCVIR21 (D)TCVIR139 圖(A)為一遲滯比較器（Hysteresis Comparator），圖(B)為其轉移曲線，其臨界電壓VTH 為何？ (A)0.8 V (B)1 V (C)1.25 V (D)2 V40如圖所示的MOS 電晶體放大器電路中，通常以那一個電阻的電阻值會最小： (A)RG1 (B)RG2 (C)RD (D)RSVCCVodRCRCB1B2Vid-VEEIQ1Q2vivoL+L-VTLVTH 圖(B)VDDRG1RG2RDRS1 kΩ4 V-5 Vvivo 圖(A)4 kΩ

圖示電路為CMOS 運算放大器，則下列敘述何者正確？ (A)Q1 與Q2 構成主動負載+VDDQ1Q2Q3Q4vo-VSSQ5Q6Q7ICCviviQ8IREF (B)Q3 與Q4 提供差動放大 (C)CC 為旁路電容（Bypass Capacitor） (D)Q6 功能為電壓放大

有一電路的轉移函數1s100)s(T，則下列何者正確？ (A)半功率頻率為100 rad / sec (B)增益為100 dB 的頻率為1 rad / sec (C)直流增益為40 dB (D)高頻增益為100

如圖為一個疊接（Cascode）放大器（偏壓電路未顯示），此疊接放大器相較一個共源（CS）放大器，具有： (A)較小的輸入電阻 (B)較大的輸出電阻 (C)較小的電壓增益 (D)較小的頻寬

如圖為一個疊接（Cascode）放大器（偏壓電路未顯示），此疊接放大器相較一個共源（CS）放大器，下列敘述何者錯誤？+VDD (A) 約有相同的輸入電阻 (B)約有相同的電壓增益RDvIvOVGQ2Q1 (C)約有相同的頻寬 (D)疊接放大器的兩個電晶體，具有相同的汲極電流

如圖振盪電路，U1為理想運算放大器，假設二極體導通電壓VD0 = 0.7 V。已知V = 15 V、R1 = 10 kΩ、Rf = 20.3 kΩ、R2 =3 kΩ、R3=1 kΩ、R4 = 1 kΩ、R5 = 3 kΩ。在放大器U1 正端輸入設有一回授網路，其中CS = 16 nF、RS = 5 kΩ、CP = 16 nF、RP = 5 kΩ。試求此電路輸出振盪電壓的峰對峰值（peak-to-peak value）約為多少？ (A)6 V (B)11 V (C)16 V (D)21 V

圖示電流源電路，已知IREF = 40 μA，電晶體Q1 特性與Q2 完全相同：Vt = 0.5 V、μnCox(W/L) = 20 μA/V2，若電路能正常工作，則電壓VO 之最小值應為若干伏特？ (A)2.5 (B)2.0 (C)1.5 (D)0.5IR = 1 kΩQ1Q2IR+VCC = 5 V10 kΩ10 kΩQ1Q2ROQ1Q2RDVoVG+VDDvIVCCViVoIREFQ1Q2+-VGSVDDVOIO

如圖所示電路為一主動式高通濾波器，則其輸出入電壓之轉移函數(s)V(s)Vio為： (A)1CRs1+ (B)1CRsCRs+ (C)12CRssRC1222++RRCCViVo (D)12CRssRCsRC222222++

若欲提高雙極性接面電晶體（BJT）差動放大器之共模拒斥比（CMRR），則差動電路中之射極端以連接下列何種元件為較佳？ (A)定電流源 (B)定電壓源 (C)定電阻 (D)定電容VDDM1ViVO10kΩM2IbR2CSCPRPRSR1U1RfD1R3D2R4R5＋V－VV+V—VAVOVB