電子工程 110 年電子學大意考古題

圖示為理想運算放大器之電路，R1 = R2= R3 = R4 = 1 kΩ、RL = 2 kΩ，試求輸出電壓vO 為若干V？ (A)-2 (B)-1 (C)0 (D)1

圖示為某Vt = 1 V 之NMOS 場效電晶體所構成的電路，若電晶體工作在飽和區（saturation region），下列有關電壓VD 之敘述，何者正確？ (A)VD 之最大值為1 V (B)VD 之最小值為1 V (C)VD 之最大值為2 V (D)VD 之最小值為2 V

一個N 通道MOSFET 元件，其源/汲極結構會是金屬與何種半導體接觸形成？ (A)N-井區 (B)P-井區 (C)N+區 (D)P+區

下列元件特性何者會受到通道長度調變效應（Channel Length Modulation Effect）的影響？ (A)雙極性接面電晶體（BJT）的輸出阻抗 (B)雙極性接面電晶體（BJT）的輸入阻抗 (C)金氧半場效電晶體（MOSFET）的輸出阻抗 (D)金氧半場效電晶體（MOSFET）的輸入阻抗

如圖所示之電路，OP AMP 為理想。求vo/vid： (A)-1 (B)-k (C)-(1+k) (D)-(1+1/k)

某增強型NMOS 場效電晶體的Vt = 0.7 V、μnCox（W/L）= 50 μA/V2，今若其源極（Source）電壓0.5 V，閘極（Gate）電壓2.5 V，汲極（Drain）電壓1.0 V，則此電晶體工作在那一區？ (A)飽和區（Saturation Region） (B)截止區（Cutoff Region） (C)三極體區（Triode Region） (D)主動區（Active Region）

若雙極性接面電晶體（BJT）在主動區（Active Region）的電流放大率β= 100，當此電晶體工作在飽和區（Saturation Region）時，下列何者為其可能的電流放大率？ (A)50 (B)100 (C)101 (D)150

如圖所示為運算放大器電路，若要消除該運算放大器自身輸入偏壓電流（input bias current）對輸出電壓的影響，試求電路上的電阻R =？ (A)5 kΩ (B)10 kΩ (C)15 kΩ (D)20 kΩ－+＋－vovidkRRkRRVDDVDRDVGS3VvovI

有一積體電路晶片的腳位布局圖（pin layout）如下所示，請問第10 隻腳為下列何者？VCCIN4AIN4BOUT4 IN3AIN3BOUT3IN1AIN1BOUT1 IN2AIN2BOUT2GND (A)OUT1 (B)IN2B (C)IN3A (D)IN4B

下圖是一矽場效電晶體（Si FET）元件的剖面結構，各層使用不同材料，圖中僅標示某假想製程厚度，此電晶體的臨界電壓（threshold voltage）的絕對值為|Vth| = 0.5 V。VD1 = 2 V，VD2 = -2 V，VD = 2 V，VE = -2 V。試由此結構剖面判斷此電晶體的汲極（Drain）是那一個接點？ (A)VD1 接點 (B)VD2 接點 (C)VD 接點 (D)VE 接點

已知一正弦波經半波整流後之電壓波形v(t)如圖所示，試問其平均值是多少伏特（V）？ (A)6.36 V (B)7.07 V (C)3.18 V (D)5.00 V

如圖為一齊納二極體電路，此齊納二極體流過的電流必須大於0.2 mA 才能維持在崩潰的狀態。假若齊納二極體崩潰時的內阻可以忽略，問負載電阻RL最少應為多少？ (A)0.5 kΩ (B)1.1 kΩ (C)1.5 kΩ (D)34 kΩ

有一以矽材料所製的互補式金氧半場效電晶體（Si-CMOSFET）電路及輸入電壓vI 的波形如下所示，VDD= 5 V，假設兩個電晶體QP、QN 的特性參數一致，即通道導通臨界電壓（threshold voltage）的絕對值均為|Vth| = 0.5 V，相同的轉導值（transconductance）與幾何參數，亦即noxpoxnpWWCCLL。試研判電晶體QP在時間t1 最可能的工作模式？ (A)飽和模式（Saturation mode） (B)線性模式（Linear mode） (C)次臨界模式（Subthreshold mode） (D)截止模式（Cut-off mode）RLvOR2R1R3R4－1 V+1 V層層層層層層層~2 Vt2t1~4 V

有一p 通道接面場效電晶體的VGS(off) = + 4 V，IDSS=6 mA，則當VGS = + 6 V 時，此電晶體的ID 為多少？ (A)無限大 (B)9 mA (C)6 mA (D)0 A

如圖所示之理想放大器電路，求vo/vi。 (A)0 (B)-5 (C)-6 (D)5RL6.8 V齊納+10 VR = 0.5 kΩ5RRR5Rvivo

設計數位電路時，若採用NPN 或PNP 雙極性接面電晶體（BJT），一般情形會使用到BJT 的那一種偏壓模式？ (A)飽和模式（Saturation mode） (B)線性模式（Linear mode） (C)順向主動模式（Forward active mode） (D)逆向主動模式（Reverse active mode）

在共源極（common source）放大器中，若FET 的VGS 未達臨界電壓，則汲極端的電壓為： (A)0 V (B)VDD (C)∞ (D)VGS

如圖所示為雙極性電晶體Q 接成共射極組態，已知電晶體之電流增益為β 且集-基極接面的逆向飽和電流為ICBO，若iB = 0 且VCE > 0 時，則電晶體Q 的iE = ？iBiCiEQ (A)iE = -ICBO (B)iE = ICBO (C)iE = -(1+β)ICBO (D)iE = (1+β)ICBO

有一矽雙極性接面電晶體（Si-BJT）電路及輸入接腳VI1、VI2 的電壓波形如下所示，VCC = 5 V，R1 = R2 = 1 kΩ，R3 = R4 = 100 Ω，CL= 5 μF，電晶體電流增益βQ1 =βQ2 = 100。試研判電晶體Q2 的集極電流（collector current）比較高的時間點。 (A)0 與t1 (B)0 與T (C)t1 與t2 (D)T 與t2

如果將電容濾波全波整流器的負載阻抗降低，則漣波電壓會如何變化？ (A)增加 (B)減少 (C)不受影響 (D)頻率會變化

設圖中所示電晶體的射極電壓為1 V，又設∣VBE∣= 0.7 V，則其α 為？ (A)1.52 (B)0.98 (C)0.54 (D)0.11

欲使下圖的二極體元件順向導通，下列何種方法正確？ (A)A 腳應施加比B 腳更高電壓，使電子由A 腳流向B 腳 (B)A 腳應施加比B 腳更低電壓，使電子由A 腳流向B 腳 (C)A 腳應施加比B 腳更高電壓，使電流由A 腳流向B 腳 (D)A 腳應施加比B 腳更低電壓，使電流由A 腳流向B 腳

如圖電路中，將訊號源連接在輸入端V1 和V2 之間，所看到的輸入電阻為Rin1；將訊號源同時連接在輸入端V1 和V2 上，所看到的輸入電阻為Rin2，其值分別為何？ (A)Rin1=2kΩ、Rin2=2kΩ (B)Rin1=2kΩ、Rin2=4kΩ (C)Rin1=4kΩ、Rin2=2kΩ (D)Rin1=4kΩ、Rin2=4kΩ

圖為理想運算放大器電路，其電壓增益Av＝vO/vI為多少？ (A)8 (B)11 (C)15 (D)18

如圖中NPN 雙極性電晶體，β=100。假設電晶體基射極的順偏電壓為0.7 V，飽和時的集射極電壓為0.3 V。問此電路集射極電壓與下列何值最為接近？ (A)0.3 V (B)0.7 V (C)0.9 V (D)3.0 V3 V1 kΩ10 kΩQ1~4 V~2 V~2 V~4 V

令流入運算放大器輸入端之電流為Ii，兩輸入端間電壓差為Vi ，則一個理想反相運算放大器之虛接地（virtual ground）特性為： (A)Ii =∞, Vi =∞ (B)Ii =0, Vi =∞ (C)Ii =∞, Vi =0 (D)Ii= 0, Vi =0

下列何者屬於理想運算放大器的特性？ (A)交流耦合 (B)有限頻寬 (C)開路增益無窮大 (D)輸出阻抗無窮大

如圖所示為一CMOS 反相器在輸入端與輸出端之間接上1 MΩ 之電阻作為放大器之用。若兩個電晶體QN 與QP 特性相同；其小訊號轉導gm = 1 mA/V，ro = 20 kΩ，則小訊號輸入電阻約為多少？ (A)20 kΩ (B)24 kΩ (C)48 kΩ (D)1 MΩ

如圖所示之電路，假如Ao =∞，求此電路之閉迴路增益為何？ (A)12 (B)15 (C)19 (D)21VoutVin

一個NMOS 電晶體，其臨界電壓Vt = 0.5 V。當輸入端電壓VGS = 1.5 V 時之汲極飽和電流ID = 1 mA，則當VGS 增為2.5 V 時其汲極飽和電流ID 約為多大？ (A)1 mA (B)2 mA (C)3 mA (D)4 mA

一個NPN 雙極性電晶體，其作用區之β=50，若操作在順向飽和區（forward saturation region），下列何者正確？ (A)集極電流與基極電流的比值為50 (B)集極對射極的電壓應為正值 (C)電流的方向為由射極流入集極 (D)基極對集極的電壓應為反偏

圖示理想運算放大器電路中，若運算放大器的正負輸出飽和電壓為±12V，輸入電壓vI 為-2V，則vO 為若干？ (A)-12 V (B)0 V (C)-2 V (D)+12 V

下列有關利用理想運算放大器構成的電壓隨耦器（voltage follower）之特性，何者錯誤？ (A)回授電阻值為零 (B)反相端接地 (C)電壓增益為1 (D)在訊號源與負載間插入電壓隨耦器，可消除負載效應

如圖為雙極性差動式放大器，已知電晶體Q1 和Q2 的基極電阻rπ、射極電阻re、轉導gm、共基極電流增益α 和共射極電流增益β 均相同，試求輸入阻抗Rid = ？ (A)re (B)2re (C)rπ (D)2rπ

雙極性接面電晶體工作於主動區（active region）的輸出阻抗ro，是下列何種效應所造成？ (A)爾利效應（Early effect） (B)米勒效應（Miller effect） (C)溫度效應（temperature effect） (D)通道長度調變效應（channel length modulation effect）

有一放大器電路如圖所示，放大器U1 為理想運算放大器，其輸出電壓範圍侷限在+10 V 與-10 V 之間，二極體D1 順向電壓VD0 ＝0.7 V。電阻R1 ＝1 kΩ，V1 為交流電源，若欲使節點A 為正時二極體D1導通，為負時二極體D1 不導通，試問放大器U1 的端點1 應為正輸入或負輸入？R1CBU112D1+A (A)正輸入 (B)負輸入 (C)正輸入或負輸入均可 (D)無法判斷40 kΩ20 kΩ20 kΩvI40 kΩvO+5 V-5 V5 kΩ5 kΩ20 kΩVBVEVC_V1

如圖所示，兩個由二極體-電容器所構成之倍壓電路（變壓器及二極體均視為理想），變壓器均輸入相同的弦波信號，電容器C1~C4 所跨電壓VC1~VC4 間之關聯性在下列選項中何者正確？ (A)VC1=VC2 (B)VC4=2VC3 (C)VC2=VC4 (D)VC1=VC4VDDQPvoQNviC = ∞1 MΩC = ∞vc1vc2vidRid

如圖示截波電路，其中輸入信號vi(t) 為振幅12 伏特的弦波且D 為理想二極體，如果要得到峰對峰電壓值為16 伏特的輸出信號，則偏壓電源VR 應為多少？ (A)-4 V (B)0 V (C)4 V (D)8 V

變壓器型半波整流電路及中間抽頭變壓器型全波整流電路，當輸入不同弦波信號時，測得兩種電路中二極體所承受之峰值逆向電壓（PIV）剛好均相同時，設半波及全波之輸出信號峰值電壓為Vo1（p）及Vo2（p），則Vo1（p）:Vo2（p）之比值為何？ (A)0.5 (B)1 (C)2 (D)4

如圖所示為理想箝位器，其輸入電壓vi(t)為介於-VA 伏特與VB 伏特的矩形週期波。若電容器跨壓為9伏特且輸出信號vo（t）的最大值為12 伏特，求VA+VB 之值？ (A)-3 V (B)3 V (C)6 V (D)9 V

運算放大器反相微分器（differentiator）電路中，回授電路元件為： (A)二極體 (B)電感器 (C)電容器 (D)電阻器

圖示截波電路（D 為理想二極體）及其輸入信號vi(t) = 10sin(ωt)伏特，已知輸出信號vo 的峰對峰電壓值為4 伏特，則偏壓電源VR 應該是多少伏特？ (A)6 V (B)4 V (C)-4 V (D)-6 V

將弦波信號輸入由二極體-電阻構成之半波整流電路（二極體視為理想）後，得到輸出信號vo(t)的峰值電壓Vo(p) = 12 volt，有關該vo(t)的有效值電壓Vo(rms) = A 伏特、平均值電壓Vo(dc) = B 伏特，及漣波電壓峰對峰值Vr(p-p) = C 伏特，漣波因素= r %等之敘述，下列何者均正確？ (A)A=8.48，B=3.82 (B)B=3.82，C=12 (C)C=12，r=50 (D)r=50，A=6

如圖所示之電路，二極體為理想，若Vin 為一DC 值為零且振幅為5V 的正弦波，求最高及最低的Vout為何？ (A)+2V 及-8V (B)+0V 及-10V (C)-2V 及-12V (D)+2V 及-10Vvi(t)

下列何者不是二極體應用上的功能？ (A)整流 (B)截波 (C)放大 (D)電壓箝位

如圖所示之電路，假如二極體之壓降為0.7 V，求二極體之逆向峰值電壓（PIV）為何？ (A)10 V (B)12.74 V (C)13.44 V (D)14.14 V

稽納（Zener）二極體若應用在穩壓電路時，其工作區域為： (A)順向導通區 (B)飽和區 (C)逆向截止區 (D)逆向崩潰區

圖示為部分的電晶體共射極放大電路，與電容器C 有關功能的敘述，下列何者正確？ (A)用於隔離直流信號但耦接交流信號 (B)用於同時耦接直流、交流信號 (C)用於耦接直流信號但隔離交流信號 (D)用於同時隔離直流、交流信號

如圖所示之電路，假設二極體之壓降為0.7 V，求其輸出電壓vout之漣波電壓（ripple voltage）值為何？ (A)11.47 V (B)5.83 V (C)3.57 V (D)0.68 V

下圖電路中輸入信號為弦波vi(t)=0.5 sin 10t 伏特，二極體D1 與D2 之導通電壓皆為0.7 V，導通電阻為 100 Ω。則電壓vo (t)最大值為多少伏特？ (A)0.7 (B)0.5 (C)0.2 (D)0

圖中之電路若二極體之導通電壓與導通電阻皆為0，電容C1與C2之初始電壓皆為0V，vi(t)=10sin(10t)伏特，於穩態時，下列敘述何者正確？ (A)vo(t)=5sin(10t)伏特 (B)vo(t)=10sin(10t)伏特 (C)vo(t)=20sin(10t)伏特 (D)vo(t)=20 伏特vivoC1C2R1R2viVCCCR +VR+VRiv (t)+VRov (t)D

當輸入電壓VIN = -3.5 V，求此電路的輸出電壓VOUT 為何？假設二極體的開啟電壓（turn-on voltage）為0.8 V。 (A)-4.2 V (B)-5 V (C)-2 V (D)-1.2 Vrmsoutoutrms

圖中二極體D1 之導通電壓為0.7V，導通電阻為 0 Ω，電容C 兩端之初始電壓為0V，下列何者正確？ (A)vout 之最低電壓為-0.7 V (B)D1 在穩態時恆導通 (C)vout 之最高電壓為10 V (D)vC 之穩態電壓為9.3 V

如圖所示之電路，假設二極體皆為理想，vin=Vmsin(ωt)，且Vm > 3 V，則其輸出電壓vout 之波形最有可能為下列何者？+_R1R2vin+_+vout3V_ (A) (B) (C) (D)

下列敘述對於如圖所示二極體的整流電路何者正確？ (A)VOUT 的漣波（ripple）大小反比於CL (B)VOUT 的漣波（ripple）大小正比於RL (C)VOUT 的漣波（ripple）大小正比於VIN 的頻率 (D)VOUT 的漣波（ripple）大小反比於二極體的開啟電壓（turn-on voltage）

如圖所示之電路，vin 為輸入電壓波形，假設二極體為理想，則其輸出電壓vout 之波形最有可能為下列何者？ (A) (B) (C) (D)voutvinvoutvin+－vinvoutvoutvoutvout

如圖所示二極體電路，假設二極體導通電壓VD0=0.7 V。已知電壓vs(t)=12sin(120πt) V、R=2 kΩ，試求每一顆二極體峰值反向電壓約為多少？ (A)12 V (B)11.3 V (C)10.6 V (D)9.2 V

如圖所示之箝位電路，已知電壓VE 為11V，電阻R = 1kΩ、RL = 1kΩ，並假設理想稽納二極體的崩潰導通電壓VZ = 7V，則流過電阻RL之電流為何？ (A)0 mA (B)2.75 mA (C)5.5 mA (D)11 mA

圖示電路中vI 為輸入電壓vo 為輸出電壓，本電路為何種電路？ (A)倍壓電路 (B)濾波電路 (C)截波電路 (D)箝位電路

如圖所示電路，U1 為理想運算放大器。假設二極體導通電壓VD0=0.7 V，已知電阻R1=1 kΩ、R2=2 kΩ、R3=1 kΩ、VCC = -5 V。當vI= 3 V 時，對於節點B 的電壓vB，下列敘述何者正確？R1R3R2AD1U1D2B+_VCCvIvO (A)vB > 2.5 V (B)0 V < vB ≤ 2.5 V (C)-2.5 V < vB ≤ 0 V (D)vB ≤ -2.5 V

如圖所示之理想二極體電路，若RL = 1 kΩ，V1 = 2 V、V2 = -2 V、V3 = 4 V，則流經電阻的電流為何？ (A)1 mA (B)2 mA (C)3 mA (D)4 mA

圖示理想二極體電路中，若輸入vI為峰對峰值10 V 的方波，在穩態時下列有關輸出vO 的敘述，何項正確？ (A)vO 的最小值為0 V (B)vO 的最小值為+5 V (C)vO 的最大值為+10 V (D)vO 的最大值為+20 V

如圖所示二極體電路，假設二極體導通電壓VD0=0.7 V。已知電壓vs(t)=12sin(120πt) V，在穩態時輸出電壓vO 的電壓值約為多少？ (A)-22.6 V (B)-10.6 V (C)10.6 V (D)22.6 VvoutvoutvoutD1D2D3D4RvOvSvACvACvACvSvOD2D1C1C2ttttvout

下圖電路中輸入信號為弦波，vi (t) = 5 sin 10t 伏特，二極體D1 與D2 之導通電壓均為0.7 伏特，導通電阻均為0 Ω。電壓vo(t)最大值為多少伏特？ (A)5 (B)2.7 (C)2.3 (D)0IL

如圖所示二極體電路，假設二極體導通電壓VD0=0.7 V，已知電壓vs(t)=12 sin(120πt) V、R=2 kΩ。試問輸出電壓vO 的波形為何？ (A) (B) (C) (D)

如圖所示之電路，假設二極體為理想，試求輸出電壓之最大負值為何？-10 Vvi10 V0t+_10 kΩ10 kΩ10 kΩ6 V4 Vvo+_ (A)-2 V (B)-4 V (C)-6 V (D)-8 V

如圖所示之放大器電路，假設此電路之直流偏壓電流為1 mA，電晶體M1 與M2 之參數如下：μn1Cox=μn2Cox= 200 μA/V2 ，VTH1 = VTH2 = 0.4V 且 λ1 =λ2 = 0.1 V-1；求此放大器電路之小信號輸出電阻Rout 之值為何？ (A)619 Ω (B)719 Ω (C)819 Ω (D)919 Ω

共源極放大器的頻寬主要由下列那個寄生電容決定？ (A)閘極-源極 (B)源極-基板 (C)閘極-汲極 (D)汲極-源極

若只需考慮負載電阻RL與負載電容CL，如圖所示之放大器的頻寬約為何？RL = 1 kΩCL = 1 pFViVo5 V (A)1.6 MHz (B)16 MHz (C)160 MHz (D)1600 MHz

如圖所示之回授偏壓共源極放大器之增益（vo/vi）為何？假設汲極電流ID= 1 mA，MOSFET 的VTH＝0.5 V。 (A)-3 (B)-4 (C)-5 (D)-6

如圖所示，射極電阻RE常被用於共射極放大器的設計，其主要目的為何？ (A)提高增益 (B)降低雜訊 (C)改變相位 (D)穩定偏壓vID4

下列何者不是共基極放大器的特性？ (A)輸入阻抗低 (B)輸出阻抗高 (C)輸入與輸出訊號同相 (D)頻寬受到米勒效應的限制

於BJT 的小訊號模型中，下列敘述何者錯誤？ (A)轉導(gm)與集極電流成正比 (B)輸出電阻(ro)與集極電流成正比 (C)輸入電阻(rπ)與電流增益(β)成正比 (D)輸入電阻(rπ)與基極電流成反比

若PNP 型雙極性電晶體（BJT）偏壓在主動區IB= 0.05mA，IE = 5mA，則電流增益為： (A)α= 0.9 (B)α= 0.95 (C)β= 95 (D)β= 99

下列MOSFET 放大器的組態中，何者所需的電源電壓最大？ (A)共源極（CS）組態 (B)共閘極（CG）組態 (C)共汲極（CD）組態 (D)疊接（cascode）組態

如圖所示為一共源極放大器及其偏壓電路，電晶體操作在飽和區，其汲極電流ID 為何？ (A)15 mA (B)25 mA (C)35 mA (D)45 mA

電晶體放大電路及其輸入特性曲線如圖，偏壓電源為VCC=10 V 及VBB=1.6 V，R1=1.5 kΩ、R2=50 kΩ，該放大電路的輸入直流電流IBQ 約為多少？ (A)0.02 mA (B)0.06 mA (C)0.08 mA (D)0.1 mA

圖中電晶體M1 之μnCox（W/L）= 1 mA/V2，臨界電壓VT = 0.8 V，若忽略通道調變效應，VI=1 V，Vo =？ (A)4.8 V (B)4.6 V (C)3 V (D)1.8 V

下列BJT 放大器的組態中，何者有較大的輸出阻抗？ (A)共射極（common-emitter）組態 (B)共基極（common-base）組態 (C)共集極（common-collector）組態 (D)疊接（cascode）組態outvin

藉由分壓偏壓的電晶體放大電路中（β=49），流進基極端的電流為I = 0.025 mA 時測得輸出交流弦波信號振幅為0.5 V，則輸入信號的振幅約為多少？其中熱電壓近似為25 mV。 (A)2 mV (B)2.5 mV (C)4 mV (D)5 mV

如圖所示為一共射極放大電路及其電晶體的部分輸出特性，基-射極接面（BEJ）於導通時因壓降變化不大而視為常數= 0.7 V，RB = 40 kΩ 時，欲得到6 V 的輸出直流工作點，RC 約多少？1.7 V RBIBQ (A)1.5 kΩ (B)2 kΩ (C)2.4 kΩ (D)3.2 kΩ12 V1.7 VM1Vo5 V10 kΩVIICQ0.25IB = 50 μAVCE (V)RCIC (mA)β

對於一共源極放大器的特性，下列敘述何者錯誤？ (A)電壓增益正比於負載電阻 (B)電壓增益正比於轉導 (C)輸出與輸入訊號同相 (D)輸入阻抗可極大

如圖所示的電晶體共射極放大器，輸出交流信號的振幅為0.6 V，β 及R1、R2 均變成原來的1.5 倍，電晶體其他特性維持不變，輸出交流信號的振幅變為多少？以上改變仍使放大器工作在不失真放大範圍。 (A)0.4 V (B)0.6 V (C)0.9 V (D)1.35 V

圖中所示的增強型MOSFET 具有特性參數包括：臨界電壓Vth = 1 V、μnCox（W/L）= 1 mA/V2，如果MOSFET 的輸入直流電壓VGSQ 需被設計為3 V 時，則圖中標示的電阻R 值應約多少？ (A)0.5 kΩ (B)1 kΩ (C)2 kΩ (D)3 kΩ

若雙極性電晶體（BJT）的ICBO 值為10 nA，而其ICEO 為1 μA，試求此電晶體的β 值約為： (A)0.01 (B)10 (C)100 (D)150

若電晶體操作於順向主動區（forward active region），電流增益值β =50，爾利電壓（Early voltage, VA）= 10 V，gm = 10 mA/V，熱電壓（thermal voltage）= 25 mV，關於如圖小訊號模型之敘述，下列何者正確？ (A)rπ＜1/gm (B)ro ＞rπ (C)ro 與操作電流成正比 (D)gm與操作電流成反比BrπＶπgmＶπCroE

電晶體放大電路藉由如圖所示的分壓偏壓電路，使得該電晶體的輸出直流電壓工作在VECQ =6 V，射-基極的導通定電壓固定為0.8 V，求電阻R 約為多少？ (A)0.8 kΩ (B)1.2 kΩ (C)1.6 kΩ (D)2.4 kΩ

如圖所示之電晶體偏壓電路，是屬於何種組態電路？ (A)共源極 (B)共射極 (C)共基極 (D)共集極

圖示電晶體在主動區工作，電晶體的β＝99，VBE＝0.7 V，則電晶體的集極電壓VC 約為： (A)8 V (B)6 V (C)4 V (D)2 V

如圖電路若電晶體操作於飽和區，下列何種方式可使電晶體進入主動區？ (A)減低RB (B)提高VCC (C)增加RE (D)減低IC

如圖所示之電晶體放大電路，基-射極接面於導通時所跨電壓視為定值（0.6 V），求輸出電壓VO 約為多少？ (A)1.2 V (B)4.8 V (C)6 V (D)7.2 V

在雙極接面電晶體的共射（CE）、共基（CB）、共集（CC）三種組態中，何者之電流增益小於1？ (A)CE (B)CB (C)CC (D)CE 及CC

如圖電路，設電晶體之β = 100，RB＝50 kΩ，I＝1 mA，VCC＝3 V。若要使電晶體維持工作在主動模式（Active-mode）而不進入飽和模式（Saturation-mode），則RC 可容許之最大值約為： (A)0.5 kΩ (B)2 kΩ (C)4 kΩ (D)5.5 kΩ10 V12 V3 MΩ6 MΩ2 kΩ20 kΩ0.4 kΩ80 kΩ-13 VRβ =49R = ?VCCICQ1RECRBViVO+VCCRCRBVEβI-VEE

相較於共射極（CE）放大器，下列有關共集極（CC）放大器的敘述，何者正確？ (A)電壓增益較大 (B)頻率響應較差 (C)輸出阻抗較小 (D)較常應用於差動放大器

如圖為一共源（CS）放大器的簡圖（其偏壓電路未示）。若電晶體的轉導參數為gm，輸出電阻為ro→∞，則此放大器的電壓增益為何？ (A)-gm(RD+RS) (B)-gmRD/(1+ gmRS) (C)-RD/RS (D)-gmRD

下列電晶體組態中，何者兼具大於1 之電流增益以及電壓增益？ (A)共射（CE） (B)共基（CB） (C)共集（CC） (D)共閘（CG）

下列那一種β 與A 的關聯性條件滿足巴克豪森準則（Barkhauson criterion）？其中β 為回授網路因子，而A 為基本放大器之電壓增益。 (A)相位180 度的β=0.2 及相位180 度的A=0.2 (B)相位0 度的β=-0.2 及相位0 度的A=5 (C)相位180 度的β=0.1 及相位-180 度的A=0.1 (D)相位0 度的β=-0.1 及相位180 度的A=10

如圖所示為以電阻R=5 kΩ、Rf =7.5 kΩ 及電感L1 =2 mH、L2 所構成的韋恩電橋（Wien-bridge）振盪電路，當等幅振盪啟動時，決定其振盪頻率ω 約為多少rad/s？ (A)3.5M rad/s (B)1M rad/s (C)700k rad/s (D)500k rad/s

在某個瞬間測得流過如圖所示波形產生電路中電容器C = 0.2 μF 的電流i(t)=2 mA，決定輸出vO 的頻率約為多少Hz？其中兩個理想放大器的直流電源電壓值均為±10 伏特。+-+- (A)500 Hz (B)1 kHz (C)10 kHz (D)50 kHz

圖示運算放大器組成的電路，vO 為輸出波形，本電路為： (A)反相放大器 (B)同相放大器 (C)調諧放大器 (D)雙穩態電路vOR2R1vI

直接耦合串級放大電路於未耦合前第1 級放大電路的集極偏壓電流為1 毫安培（1 mA），如圖決定耦合後第2 級放大電路的電壓增益大小（vo/vi2 的大小）？其中Q2 之β2=99 及VBE,on=0.8 V，熱電壓VT =25 mV。 (A)50 (B)100 (C)150 (D)250Q1Q21.2kΩvIvOvi2

一個3 級直接耦合串級放大電路的輸入端與輸出端電阻分別為Ri = 2 kΩ 與Ro = 1 kΩ，各單級放大器的電壓增益分別為-50、-3 dB、及20，決定該串級放大電路的功率增益為多少dB？ (A)-20 dB (B)-3 dB (C)60 dB (D)127 dB

有關圖示電路之敘述，下列何者正確？ (A)調諧放大電路 (B)低通電路 (C)緩衝器電路 (D)無穩態電路

如圖為一方波振盪器。若OP AMP 輸出的上下限為±10 V。R2 = R3、R1C1= 10 ms。求方波的週期？ (A)10 ms (B)11 ms (C)20 ms (D)22 ms

圖示為理想運算放大器組成的電路，運算放大器的輸出飽和電壓為±10 V，R1 = 10 kΩ、R2 = 30 kΩ，輸出電壓vO原為+10 V，輸入電壓vI為下列何電位時，輸出vO將為-10 V？ (A)-3 V (B)-2 V (C)2 V (D)4 V

圖示電路，當電路正常工作時，電壓va 的波形為何？ (A)弦波 (B)方波 (C)三角波 (D)階梯波

有N 級放大器，其中每一級的增益AoN 和頻寬ωHN 都完全相同，若該Ｎ級放大器串接在一起且Ｎ為有限值；試問其總頻寬ωH 相較於單一級放大器的頻寬ωHN，下列敘述何者正確？ (A)ωH＝ωHN (B)ωH＞ωHN (C)ωH＜ωHN (D)ωH＝(ωHN )N

如圖電路，已知輸出vo 的飽和電壓在±10 V，其R1 = 100 kΩ，R2 = R = 1 MΩ 且C = 0.01 μF；若在電容器C 旁邊並接一顆二極體，其順向電壓為0.7 V，則輸出電壓vo 會在什麼狀態？+- (A)保持在±10 V 變化 (B)保持在-10 V (C)保持在+10 V (D)保持在0 V

關於串級放大器的頻率響應，下列何者錯誤？ (A)射極電阻的旁路電容（bypass capacitor）會使放大器增益值在高頻下降 (B)電晶體基射極接面電容對放大器的低頻響應沒有影響 (C)放大器增益值在高頻3 dB 頻率下，會有約30%的下降 (D)放大器輸入與輸出信號在低頻3 dB 頻率下，會有約45 度的相位差

如圖雙穩態電路，其R1 = 10 kΩ 且R2 = 16 kΩ，若在t = 0 時輸出電壓Vo 飽和在-13 V；當在t > 0 時，輸入電壓vI < -5V，輸出電壓Vo 會在什麼狀態？ (A)0 V (B)-13 V (C)+13 V (D)±13 V 變化

下列那一種耦合串級放大器有最佳的低頻響應？ (A)變壓器耦合串級放大器 (B)RC 耦合串級放大器 (C)直接耦合串級放大器 (D)阻抗耦合串級放大器vIvOR1R2i(t)=2 mAC = 0.2 μFRR1=4 kΩR2=2 kΩvOR1R2RCv-v+-VCC+VCCvo

關於串級放大器的頻率響應，下列何者錯誤？ (A)RC 耦合的方式使各級放大器的偏壓互不影響 (B)RC 耦合主要是靠電容來阻隔直流的電流 (C)RC 耦合的電容也會限制高頻的截止頻率 (D)RC 耦合的電容越大其所對應的低頻極點頻率（pole frequency）越低

圖為一個三級環式振盪器電路，若每一級之小訊號低頻增益A = 4，MOSFET 之轉導gm = 66.67 μA/V，電容C = 4.59 nF，則電路之振盪頻率約為多少？ (A)1 kHz (B)2 kHz (C)3 kHz (D)4 kHz

如圖電路，若輸入vi(t)為三角波電壓，則輸出vo(t)是什麼波形？+- (A)正弦波 (B)三角波 (C)脈波 (D)方波

如圖所示為一用理想的OP AMP 組成之相移振盪器（phase-shift oscillator）。設R = 10 kΩ，C=16 nF，K =20，求振盪頻率（選最接近之值）？ (A)573 Hz (B)994 Hz (C)3610 Hz (D)6250 Hz

如圖所示放大器，外接電容為CC1、CC2 和CS，MOSFET 的寄生電容約為Cgs 和Cgd。有關此放大器電路的低頻響應，下列敘述何者正確？ (A)主要是受外接電容的影響 (B)主要是受MOSFET 寄生電容的影響 (C)受外接電容與MOSFET 寄生電容的影響程度均相同 (D)主要受其他電容影響，但受外接電容與MOSFET 寄生電容的影響程度不大

有一放大器電路的轉移函數（Transferfunction）F(s) =VO(s)/VI(s)，其中s=jω = j2πf：2101610sF ss，在製作|F(s)|的波德曲線圖（Bode plot）時，欲估計在頻率f = 3 kHz 時的線段斜率，下列何者正確？ (A)大於+10 dB/decade (B)落在-10 dB/decade 至+10 dB/decade 之間 (C)落在-30 dB/decade 至-10 dB/decade 之間 (D)小於-30 dB/decade

已知一運算放大器（OPA）的直流增益為100 dB 及其-3 dB 的頻寬fβ，試問在頻率f = fβ 時，該OPA的相位角為多少度？ (A)+90 度 (B)-90 度 (C)+45 度 (D)-45 度KRRRRCCC－＋vovbvaR2R1RRR2R1vO

在BJT 電晶體的放大器中，若訊號的擺幅很小，則電晶體的爾利效應（Early effect）可以等效為下列何者？ (A)電壓源 (B)電流源 (C)電阻 (D)電容－+ＶoR2R1R3C1v +↓

如圖由理想運算放大器所組成之哈特萊振盪器，其振盪頻率為何？+- (A)1212fLLC (B)1212fL L C (C)1212fLL C (D)1212fL L CR1RFL2L1CRvi(t)0VtCRvo(t)