電子工程 114 年電子學大意考古題

有關金氧半場效電晶體，在線性近似條件下，若元件的電場固定，當元件尺寸縮小K 倍，則操作電壓應為何？ (A)增大為K 倍 (B)降低為(1/K)倍 (C)增大為K2 倍 (D)降低為(1/K)2 倍

假設矽二極體在25℃時，其順向跨壓為0.7 V，則當溫度上升至65℃時，其順向跨壓約為何？ (A)0.75 V (B)0.7 V (C)0.65 V (D)0.6 V

磷化鎵（GaP）發光二極體（LED）發光的導通電流為20 mA，導通電壓為2.2 V，電路如圖所示，要使此LED 發光，電源應至少提供多少功率？ (A)44 mW (B)46 mW (C)60 mW (D)90 mW

純矽半導體中摻雜下列何種元素組合活化後，其少數載子先後分別為電洞、電子？ (A)硼、磷 (B)銦、磷 (C)砷、鎵 (D)鎵、銻

有關共集極放大電路之敘述，下列何者正確？ (A)信號由集極輸入 (B)輸入電阻高 (C)射極電壓的平均值必為0 V (D)又稱為集極隨耦器

一PNP 雙極性接面電晶體，射-基極電壓VEB = 0.6 V 時集極電流IC = 0.01 mA，熱電壓VT = 0.0259 V。當VEB = 0.75 V 時IC 約為何？ (A)0.33 mA (B)0.63 mA (C)3.28 mA (D)6.28 mA

如圖所示JFET 電路，電晶體工作於夾止飽和區，VP = -3 V，IDSS = 18 mA，VGS = -2 V，VDS 為何？ (A)1.9 V (B)9.2 V (C)11 V (D)15 V

空乏型MOSFET 不適合用於下列何者？ (A)線性放大器 (B)壓控電感 (C)壓控電阻 (D)壓控電容40 ΩVDD = 15 VRD = 1.9 kΩRG = 5 MΩ

有關絕緣閘極雙極性電晶體（IGBT）之特性，下列何者正確？ (A)輸入與輸出特性與金氧半場效電晶體（MOSFET）相似 (B)輸入與輸出特性與雙極性接面電晶體（BJT）相似 (C)輸入特性與金氧半場效電晶體（MOSFET）相似、輸出特性與雙極性接面電晶體（BJT）相似 (D)輸入特性與雙極性接面電晶體（BJT）相似、輸出特性與金氧半場效電晶體（MOSFET）相似

如圖所示電路，運算放大器開路電壓增益A 為有限值，互轉阻值（Transresistance）Rm = vo /ii 為何？ (A)Rf/(1+A) (B)Rf (C)-Rf (D)-Rf/(1+1/A)

有關負回授結構之運算放大器，下列敘述何者錯誤？ (A)可控制電壓增益，呈現線性放大器的特性 (B)部分輸出回授至反相輸入端 (C)產生振盪輸出 (D)增加頻寬

如圖所示電路，VCC = 7 V，VCE = 7 V，PNP 雙極性接面電晶體工作於何區？ (A)截止區 (B)飽和區 (C)主動區 (D)歐姆區

當15 Hz 正弦波電壓輸入半波整流器，則輸出電壓的頻率為下列何者？ (A)7.5 Hz (B)15 Hz (C)30 Hz (D)435 Hz

在全波整流器中，流經負載的直流電流等於流過每一個二極體直流電流的幾倍？ (A)1 倍 (B)2 倍 (C)0.5 倍 (D)4 倍

一個稽納二極體（Zener Diode）在40℃時的最大功率額定值為500 mW，衰減因數為4 mW/℃。則稽納二極體在90℃時消耗的最大功率值為何？ (A)100 mW (B)150 mW (C)200 mW (D)300 mW

圖為全波橋式整流器，如果二極體視為理想。流過1 kΩ 的電流約為何？ (A)12 mA (B)16.9 mA (C)24 mA (D)7.6 mARfiiiiviAvo120 Vrms60 HzREVCERCVBEVCCR1 kΩ250 μFC10：1T1

如圖所示電路，下列何者為全波整流器？ (A)c 與d (B)a 與b (C)a 與d (D)c 與b

有一整流濾波器的直流濾波電壓為20 V，漣波電壓的有效值為0.4 V，則漣波因數為何？ (A)1% (B)2% (C)3% (D)4%

如圖所示電路，假設均為理想二極體，下列敘述何者錯誤？ (A)電容C1 兩端的電壓為Vm (B)電容C2 兩端的電壓為2 Vm (C)電容C3 兩端的電壓為3 Vm (D)電容C4 兩端的電壓為2 Vm

下圖為何種電路？ (A)並聯二極體截波 (B)串聯二極體截波 (C)上箝位器 (D)下箝位器

如圖所示電路，假設二極體導通電壓為0.7 V，則輸出正、負半週波形之峰值電壓分別為何？ (A)30 V、-30 V (B)29.3 V、-29.3 V (C)0.7 V、-0.7 V (D)皆為0 VVmC1C2C3C4RVoV1120 VrmsDRVoutD1D2Vin ＋30 V-30V0 V2.2 kΩ(a)(c)(b)(d)RLRLRLRL

如圖所示電路，假設二極體導通電壓為0.7 V 及RC 時間常數遠大於輸入訊號週期，輸入正弦波電壓之均方根（root mean square）值為100 V，輸出波形直流成分的電壓值為何？ (A)142 V (B)140.7 V (C)100 V (D)99.3 V

圖示電路，VCC = 10 V，RB1 = RB2 = 100 kΩ，RC = 5 kΩ，RE = 2 kΩ，電晶體電流放大率β = 100，VBE = 0.7 V，則此電晶體的工作區為何？ (A)截止區（Cutoff region） (B)主動區（Active region） (C)飽和區（Saturation region） (D)逆向主動區（Reverse Active region）

有關溫度對BJT 電路之影響，下列敘述何者錯誤？ (A)電流增益β 值會隨溫度上升而變小，但是與集極電流IC 無關 (B)基極-射極電壓VBE 會隨溫度上升而下降 (C)逆向飽和電流ICBO 會隨溫度上升而增加 (D)集極電流IC 增加時，會使集極接面溫度上升

有一如圖之BJT 電路，若VBE = 0.7 V，VCE = 4 V，β = 99，則R 應為何？ (A)1 kΩ (B)10 kΩ (C)100 kΩ (D)165 kΩVP(in)0VoutRL＋16 V5 kΩR0.7 V＋-1 kΩRCRERB1RB2VCC-

使用一接面場效電晶體設計如圖電路，此電晶體的IDSS = 9 mA，VGS(TH) = -3 V，其汲極電流為何？ (A)1 mA (B)2 mA (C)3 mA (D)4 mA

當考慮雙極性接面電晶體的爾利效應（Early effect）時，需在小信號模型中加入下列何種電阻？ (A)rπ (B)re (C)ro (D)1/gm

有一如圖之BJT 電路，若CC1 之阻抗可忽略，VEB = 0.7 V，VT = 25 mV，β = 100，則Rin 約為何？ (A)0 Ω (B)26.8 Ω (C)10 kΩ (D)無窮大阻抗

圖中放大器電路中電晶體的β = 99、VA = 100 V，熱電壓VT = 0.025 V，放大器的輸入電阻Rin 約為何？ (A)2 kΩ (B)2.5 kΩ (C)12 kΩ (D)12.5 kΩ750 kΩ1 kΩ12 V1 kΩ250 kΩRE = 10 kΩviCC1V+ = +10 VvoCC2RC = 5 kΩV- = -10 V10 kΩ2 kΩVCC10 kΩvo∞∞vsigRin1 mAVEERinRin

圖中放大器電路中電晶體的β = 99、VA = 100 V，放大器輸出電阻Rout 的最接近值為何？ (A)2 kΩ (B)5 kΩ (C)9 kΩ (D)10 kΩ

圖中放大器電路中電晶體的VTH = 1 V，VA = ∞ V，μnCox(W/L) = 2 mA/V2，放大器的電壓增益vo/vi的最接近值為何？ (A)5 V/V (B)10 V/V (C)20 V/V (D)40 V/V

圖示為電晶體放大器的小訊號交流等效電路，其中vi 為輸入訊號、vo 為輸出訊號，則此放大器主要功用為何？ (A)電壓放大用 (B)截波器 (C)緩衝器 (D)濾波器1 mA∞∞10 kΩVCCRoutvo10 kΩ2 kΩvsigVEEVDD-VSS1 mA10 kΩvovi100 kΩ∞∞10 kΩvsigvovi

如圖為一串級放大電路，已知Q1 和Q2 之參數β 均為120，且rπ1 = 5.45 kΩ，rπ2 = 0.642 kΩ。電路中的R1 = 67.3 kΩ，R2 = 12.7 kΩ，R3 = 15 kΩ，R4 = 45 kΩ，RC1 = 10 kΩ，RE1 = 2 kΩ，RE2 = 1.6 kΩ，RL = 250 Ω。此電路之電壓放大率Vo/Vi 約為何？ (A)-195 (B)-95 (C)95 (D)195

下列耦合型態之串級放大器電路，何者最適合IC 積體電路化？ (A)變壓器耦合 (B)RC 耦合 (C)電感耦合 (D)直接耦合

如圖為某變壓器耦合串級放大電路的小訊號等效電路，電晶體的參數β1 = β2 = 99，rπ1 = rπ2 = 2 kΩ，ro1 = ro2 = 50 kΩ。則輸出阻抗Ro 為何？ (A)32 kΩ (B)8 kΩ (C)500 Ω (D)125 Ω

在變壓器耦合串級放大器中，耦合變壓器的總電感抗會影響放大器的何種頻段的響應？ (A)低中高頻段均不受影響 (B)高頻響應 (C)中頻響應 (D)低頻響應

如圖所示振盪電路，電路振盪頻率fo 約為何？ (A)3.28 kHz (B)6.56 kHz (C)32.8 kHz (D)65.60 kHzVCCViVoR1R2Q1Q2R3RC1RE1R4RLRE2CC1CC2CC3CEViRi1：26：110：1RoVoib1ib2rπ1ro1ro2rπ2β1ib1β2ib2VCC10 VRC1RB2RB1RC22.2 kΩ22 kΩ22 kΩ1 kΩVO1VO2Q1Q2C1C20.01 μF0.01 μF

圖示為一加偏壓之非反相施密特觸發器，電路中OPA 之輸出飽和電壓為15 V，則其下臨界電壓（voltage of lower threshold）VTL 為何？ (A)-23/3 V (B)-7/3 V (C)7/3 V (D)23/3 V

下列何者不是構成正弦波振盪電路的要件？ (A)使用負回授電路結構 (B)維持振盪訊號的相位不變 (C)維持振盪訊號的振幅不變 (D)只在所要振盪的頻率上滿足巴克豪森（Barkhausen）準則

如圖為施密特-方波產生器示意圖，影響高低準位VTH 和VTL的主要元件為何？ (A)R 和C (B)R1 和R2 (C)R1 和C (D)R1、R2 和C+VCC150 kΩ50 kΩVSVO-VCCVR = +2 V+VCCR1R2VoV+-VCCRC