電子工程 105 年電子學大意考古題

有關一個理想運算放大器之敘述，下列何者錯誤？ (A)直流偏壓在主動區 (B)輸入電流為零 (C)共模輸出訊號是無限大 (D)輸出端可當作一輸出阻抗為零之理想電源

某一內部補償的運算放大器，其直流開迴路增益為100 dB，單一增益頻寬（Unity-gain Bandwidth）為2 MHz，求頻率在2 kHz 時的開迴路增益？ (A)10 dB (B)20 dB (C)30 dB (D)60 dB

如圖所示電路，一個理想反相運算放大器，若R1 = 20 kΩ、R2 = 100 kΩ，當Vi = 0.2 V 時，求流經R2電流為多少？ (A)2 μA (B)10 μA (C)20 μA (D)0.2 mA

一運算放大器其增益為5103×，直流供應電壓為±12 V，最大輸出電壓變化範圍為±11.5 V，當其正輸入端與負輸入端電壓分別為50 μV 和90 μV，其輸出電壓為何？ (A)11.5 V (B)-11.5 V (C)12 V (D)-12 V

如圖所示CMOS 反相器電路，使用電壓源為+3.3 V，反相器之輸出負載為一個電容CL = 1 pF，若輸入訊號vI 之交換頻率為1 MHz，則此電路之消耗功率約為多少？ (A)3 μW (B)6 μW (C)11 μW (D)14 μW

某單一增益運算放大器的電壓轉換率（Slew rate）為0.628 V/μs，當輸入電壓振幅為5 V 之正弦波時，其最大不失真的輸入頻率為何？ (A)1 kHz (B)2 kHz (C)10 kHz (D)20 kHz

場效電晶體在飽和區（saturation region）的有限輸出阻抗，是由於： (A)本體效應（Body effect） (B)通道長度調變效應（Channel length modulation effect） (C)溫度效應（Temperature effect） (D)密勒效應（Miller effect）

圖中邏輯電路的輸出信號Y 為何？ (A)DCBAY+++= (B)ABCDY = (C)D)B)(C(AY++= (D)D)B)(C(AY++=

雙極性接面電晶體（BJT）的轉導值（Transconductance）gm 定義為： (A) (B) (C) (D)vCE= VCE∂iC∂vCEiC= IC∂iC∂vBEiC= IC∂iC∂vCBiC= IC∂iB∂vBER1R2ViVo+3.3 VvICL = 1 pF－＋

若雙極性接面電晶體（BJT）工作在主動區（Active Region）的電流放大率為β，下列何項敘述正確？ (A)β 定義為IB/IC (B)相同電路之下，β 較小的電晶體較易飽和 (C)β 值大小與溫度無關 (D)工作在飽和區（Saturation Region）的電流放大率小於β

如圖所示電路，一個理想運算放大器，若運算放大器之飽和電壓為V14±，在其飽和前，iL 的最大值約為何？ (A)4.7 mA (B)4 mA (C)2 mA (D)1.4 mA

關於P-N 接面二極體崩潰電壓之敘述，下列何者錯誤？ (A)逆向崩潰電壓較順向導通電壓為大 (B)PN 區域雜質濃度越高，若發生稽納式崩潰（Zener breakdown）時，崩潰電壓越大 (C)溫度越高，若發生雪崩式崩潰（Avalanche breakdown）時，崩潰電壓越大 (D)雪崩式崩潰（Avalanche breakdown）之崩潰電壓較稽納式崩潰（Zener breakdown）之崩潰電壓為大

下列那一個元件的端點數最多？ (A)電阻 (B)二極體 (C)雙極性接面電晶體 (D)MOS 電晶體

如圖所示之電路為何種濾波器？ (A) 低通 (B)帶通 (C)高通 (D)全通ABCDYCLRVinVout

有關P-N 接面二極體之敘述，下列何者錯誤？ (A)溫度越高，雪崩式崩潰（Avalanche breakdown）之崩潰電壓越大 (B)溫度越高，稽納式崩潰（Zener breakdown）之崩潰電壓越大 (C)雜質濃度較濃之一側，空乏區較小 (D)逆向偏壓時，一般不考慮擴散電容（diffusion capacitance）

將砷（As）元素經熱擴散摻進純矽晶體中且取代矽原子，此矽晶體將成為何種摻雜型式半導體？ (A)正（P）型 (B)負（N）型 (C)以上皆有可能 (D)無法確定

如圖所示電路，若二極體為理想二極體，當Vi = 11 V 時，Vo 為多少伏特？ (A)-11 (B)-9 (C)-7 (D)-5

圖中理想二極體電路輸入正弦波訊號的峯值為Vm，請問在那兩個端點間可得到4 Vm 的輸出？ (A)A、B 端點 (B)A、C 端點 (C)F、E 端點 (D)F、D 端點

如圖所示電路，稽納二極體（Zener Diode）的VZ = 6 V，崩潰的最小工作電流IZK = 2 mA，欲稽納二極體在崩潰區工作，有關電阻RL 的敘述，下列何項正確？ (A)最大值為1 kΩ (B)最小值為1 kΩ (C)最大值為750 Ω (D)最小值為750 Ω3 kΩiL7 kΩ－＋vI500 ΩRLVZ＋－10 VViVo20 kΩ10 kΩ10 kΩ5 V5 VD1D2＋＋－－

如圖所示，跨於二極體的電壓VD 應為： (A)0.7 V (B)-5 V (C)-7 V (D)-10 V

如圖所示電路，輸入電壓vi 為一交流弦波，有效值為100 V，頻率為60 Hz，二極體導通之壓降為0.7 V，則其輸出之漣波值約為何？ (A)0.2 V (B)2 V (C)6 V (D)10 V

如圖所示之電路，二極體為理想。其電源電壓vs 為一交流弦波，大小為110 Vrms，頻率為60 Hz，R=25 Ω，則io 之均方根值（rms）為何？ (A)2.11 A (B)3.11 A (C)4.11 A (D)5.11 A

當稽納二極體（Zener Diode）做穩壓電路（regulator）時，操作在何區域？ (A)崩潰（Breakdown）區 (B)順向偏壓區 (C)逆向偏壓區，但尚未崩潰 (D)原點

圖中為一由兩個5.7 V 稽納（Zener）二極體所構成的截波電路，其順偏時的電壓為0.7 V，請問輸入波形被截波的電壓為何？ (A)±1.4 V (B)±5 V (C)±6.4 V (D)±11.4 V

如圖所示理想運算放大器電路，vI 為輸入電壓、vO 為輸出電壓，本電路為： (A)濾波電路 (B)箝位電路 (C)截波電路 (D)倍壓電路

圖示整流電路，輸入vI 為弦波，若二極體D 的導通角度變大，下列敘述何者為其可能原因？ (A)vI 的週期變大 (B)vI 的峰值電壓變大 (C)電容值C 變大 (D)電阻值R 變大ABCDＥＦVi+－+－VD+12 V10 kΩ40 kΩ2 kΩ+－VsVoioVoViR+－vORDCvIR

二極體接逆向偏壓時，其空乏區將如何變化？ (A)不變 (B)變寬 (C)變小 (D)不一定

如圖電路，稽納二極體的Vz=5 V，電源V=10 V，R=2 kΩ，則RL 的最小值RLmin 約為多大？ (A)1 kΩ (B)2 kΩ (C)3 kΩ (D)4 kΩ

有關共射極放大器的特性，下列敘述何者正確？ (A)電流增益為α，輸出與輸入電壓相位差180° (B)電流增益為β，輸出與輸入電壓相位差0° (C)電流增益為α，輸出與輸入電壓相位差0° (D)電流增益為β，輸出與輸入電壓相位差180°

如圖電路，設二極體為理想二極體。I=1 mA，E=10 V，R=10 kΩ，則流經二極體之電流ID 為多大？ (A)0 mA (B)0.5 mA (C)1 mA (D)2 mA

雙極性接面電晶體（BJT）之共基極電流增益α = 0.98，試問：其共射極電流增益β 為多少？ (A) 49 (B)70 (C)98 (D)198

如圖電路為一共源放大器的簡圖，若電晶體之gm=0.5 mA/V，VA=∞，RD=5 kΩ，則此放大器的電壓增益|Av|為： (A)0 (B)2 V/V (C)2.5 V/V (D)∞

如圖所示電路，當輸入電壓vI = 0 時，輸出電壓vO 為： (A)+VCC (B)0 (C)-0.7 V (D)-VCC10：12.2 kΩ 50 μFvivo＋－vOvIC＋－+VCCvIvOIRL－VCC

關於下列之放大器，若電晶體操作於飽和區，且電流源為理想，下列敘述何者錯誤？ (A)Ibias 增加，若電晶體維持操作於飽和區，則其電壓增益越大 (B)Cs=0 則其電壓增益為0 (C)若W/L 減少則電晶體可能從飽和區進入三極管區（triode region） (D)若RD 增加則電晶體可能從飽和區進入三極管區（triode region）+－RLIZVZRV+－EIRRRID+－+VDDRDvOCS-VSSIRivIVDDRDVoViRGCSCIbias

如圖所示雙極性接面電晶體（BJT）電路，若電晶體β = 100，電流I = 1 mA，則電壓增益Av 約為若干？ (A)-40 (B)-20 (C)-10 (D)-5

如圖的放大器（其偏壓電路未示），若電晶體的轉導參數為gm，輸出電阻為ro，則此放大器的電壓增益約為何？ (A)-gmRC (B)-gm(RC//ro) (C)-RC/RE (D)-ro/RE

如圖所示放大器，若電晶體操作於飽和區，電流源為理想，且忽略元件之寄生電容效應，下列敘述何者錯誤？ (A)增加Vbias 將提高放大器之電壓增益 (B)增加C 值可降低放大器之低頻3-dB 頻率ωL (C)增加電晶體之W/L 可提高放大器之電壓增益 (D)增加RL 可提高放大器之電壓增益

雙極性接面電晶體中，下列何種電路組態其小訊號輸入阻抗為最大？ (A)共射極組態 (B)共基極組態 (C)共集極組態 (D)共閘極組態

在下列MOS 電晶體放大器組態中，以那一種放大器具有最小的輸入電阻？ (A)共源（CS）放大器 (B)共閘（CG）放大器 (C)共汲（CD）放大器 (D)疊接（Cascode）放大器

若要使一操作於飽和區的MOS 電晶體的轉導值增為2 倍，可藉由下列的何種方式改變汲極電流ID來達成？ (A)將ID 增為4 倍 (B)將ID 增為2 倍 (C)將ID 增為2 倍 (D)將ID 減半

如圖所示電路，若BJT 操作在順向主動區（forward active region）且轉導值（gm）為10 mA/V，電晶體之β = 10，元件之輸出阻抗（ro）= 10 kΩ，試求輸出阻抗（Ro）約為多少？ (A)2.5 kΩ (B)4.5 kΩ (C)6.5 kΩ (D)8.5 kΩ

有關BJT 雙極性接面電晶體與FET 場效電晶體的一般特性比較，下列何者錯誤？ (A)BJT 的轉導（Transconductance）gm 比FET 的轉導大 (B)BJT 的輸出電阻ro 比FET 的輸出電阻小 (C)BJT 的本質增益（Intrinsic Gain）A0 比FET 的本質增益大 (D)BJT 的輸入阻抗Ri 比FET 的輸入阻抗小

雙極性接面電晶體（BJT）在截止區（Cutoff Region）操作下，其偏壓施加方式為： (A)BE 間逆偏，CB 間順偏 (B)BE 間順偏，CB 間逆偏 (C)BE 及CB 間均逆偏 (D)BE 及CB 間均順偏VDDIbiasVDDVoViVbiasRLC－＋VCC10 kΩVo1 kΩQ1ViRo－VEE+VCC2 kΩ∞vo2 kΩ175 Ω500 kΩ∞∞viRinI＋－

如圖所示之電路，若MOSFET 操作在飽和區（Saturation Region）且轉導值（gm）為1 mA/V，輸出阻抗（ro）為10 kΩ，試求Vo/Vi=？ (A)-2.5 (B)-5 (C)-10 (D)-20

如圖所示電路，若MOSFET 操作在飽和區（Saturation Region）且轉導值（gm）為1 mA/V，輸出阻抗（ro）為10 kΩ，其增益值Vo / Vi 為何？ (A)10 V/V (B)5 V/V (C)2.5 V/V (D)1.25 V/V

圖示電路，若電晶體β=100，VBE(on)=0.7 V，電流IC 約為若干mA？ (A) 0.2 (B)0.4 (C)0.7 (D)1.3vO+VCCvIRERCVDDVoM1ViVb+－1 kΩ10 kΩ10 V1 kΩ2 kΩ400 kΩ100 kΩIC

一個長通道N 增強型MOSFET，Vth = 1 V，當VGS = 3 V、VDS = 4.5 V 時，ID = 0.8 mA；當VGS = 2 V、VDS = 4.5 V 時，ID 為何？ (A)0.8 mA (B)0.4 mA (C)0.2 mA (D)0.1 mA

P 通道空乏型MOSFET 閘極加上正電壓時，其通道導通程度會： (A)減小 (B)加大 (C)無影響 (D)不一定

一N 通道增強型MOSFET 的Vt = 2 V，若VG = 3 V 且VS = 0 V，又此元件工作於三極區（TriodeRegion），則汲極的電壓VD 約為： (A)2.5 V (B)2.0 V (C)1.5 V (D)0.5 V

如圖電路，設電晶體的β=100，VBE=0.7 V，則IC 電流約為： (A)19.6 mA (B)9.3 mA (C)0.1 mA (D)0 mA

若MOSFET 電晶體操作於飽和區（Saturation Region），有關其小訊號模型的敘述，下列何者錯誤？ (A)電流ID 越大，則轉導值（gm）越小 (B)Cgs＞Cgd (C)ID 越大，ro 越小 (D)過驅電壓越大（Overdrive Voltage），則轉導值（gm）越大

圖示放大器電路中的電阻Re 主要功用為何？ (A) 降低輸出阻抗 (B)提升電壓增益 (C)提高輸入訊號的線性放大範圍 (D)頻率補償

有關MOSFET 的單一增益頻率（Unity-gain frequency）的敘述，下列何者正確？ (A)單一增益頻率值與外部電路元件相關 (B)單一增益頻率值與轉導值成反比 (C)共源極架構中短路電流增益為1 時之頻率 (D)共源極架構中開路電壓增益為1 時之頻率

在BJT 的小訊號參數中，下列那一個關係式錯誤？ (A)re=VT/IE (B)rπ=VT/IB (C)gm=IC/VT (D)ro=VT/IC

共源極放大器之低頻3-dB 頻率，通常以下列何種電容為主要考慮因素？ (A)輸入端耦合電容 (B)輸出端耦合電容 (C)源極旁路電容 (D)電晶體內部電容

如圖所示之電路，假設BJT 電晶體操作在順向主動區，忽略爾利（Early）效應，IC=1 mA，VT=26 mV，β=100，Cπ=100 fF，Cμ=20 fF，且CCS=30 fF，採用米勒（Miller）趨近法，求於BJT 輸入端之極點頻率為何？ (A)516 MHz (B)616 MHz (C)716 MHz (D)816 MHz+10 VIC100 kΩ0.5 kΩRC+VCCvoRLReRBRsigvsig-VEE+－VoVCCVin2 kΩ200 Ω

某放大器的輸入與輸出端之間有一跨接電容C1 = 2 pF，其電壓增益為VO / VI = -100 V/V。若輸出端至地之等效電容為C2，試求C2 / C1 的比值？ (A)接近0 (B)接近1 (C)接近50 (D)接近100

如圖所示之電路，若忽略元件本身之寄生電容，下列敘述何者錯誤？ (A)該電路為高通放大器 (B)增加Ib 有助於降低低頻-3 dB 頻率（Lω ） (C)Cc 增加有助於降低低頻-3 dB 頻率（Lω ） (D)該電路為同相放大器

已知A 及B 為兩個獨立的電壓放大器，其電壓增益分別為A1 及A2，輸入阻抗分別為Ri1 及Ri2，輸出阻抗分別為Ro1 及Ro2；若將A 的輸出端連接至B 的輸入端，則整體的電壓增益為何？ (A) A1+A2 (B)A1A2 (C)A1A2212ioiRRR+ (D)A1A22121ooiiRRRR++

如圖所示之理想運算放大器電路，2nn2inoωQωssa(s)VV++=，求nω 為何？ (A)10 kHz (B)50 kHz (C)100 kHz (D)200 kHz > 答案：?

一直流增益80 dB 的運算放大器具有一單極點頻率響應，其單一增益頻率（unity-gain frequency）為ft = 10 MHz，被用來設計一直流增益為100 的非反相放大器，求此非反相放大器的單一增益頻率值？ (A)100 kHz (B)1 MHz (C)10 MHz (D)100 MHzVDD10 kΩVoVi1 kΩ1 kΩVbM1＋－

非反向運算放大器電路具有增益40 dB，其3 dB 頻率為25 kHz，將其應用在某特殊系統中，若此系統需要50 kHz 的頻寬，在此情況下能夠達到的最大增益為何？ (A)10 V/V (B)20 V/V (C)50 V/V (D)100 V/V

有一差動放大器，其一端輸入Vi1 = 100 μV，另一端輸入Vi2 = 50 μV，且此放大器之差模增益Ad 為100，而共模拒斥比（CMRR）為10，則其輸出電壓為何？ (A)2.75 mV (B)3.75 mV (C)4.75 mV (D)5.75 mV

關於CC-CC 放大器的特性，下列何者正確？ (A)低輸入阻抗 (B)高輸出阻抗 (C)高電壓增益 (D)高電流增益

如圖所示電路，若MOSFET 操作在飽和區（Saturation Region）且轉導值（gm）為1 mA/V；BJT 操作在主動區（forward active region）且轉導值（gm）為10 mA/V，β = 40。若忽略元件之輸出阻抗（ro），試求Vo / Vi 之值？ (A) -400 (B)-100 (C)-80 (D)-40

若增加差動放大器中之射極電阻，則： (A)Acm 增加 (B)Acm 不變 (C)CMRR 值增加 (D)CMRR 值減少

如圖所示韋恩電橋（Wien-Bridge）振盪器，其振盪角頻率為何？ (A) 1k rad/s (B)2k rad/s (C)5k rad/s (D)10k rad/s

圖示差動放大器，若電晶體Q1 與Q2 的特性相同，Q3 與Q4 的特性相同，且其轉導（Transconductance）gm皆為2 mA/V、輸出電阻ro 皆為20 kΩ，則差模電壓增益Ad=vo/vid=？ (A)-20 (B)-10 (C)10 (D)20

如圖所示低通濾波器電路之3 分貝（或截止）頻率約為多少？ (A)3 kHz (B)5 kHz (C)6 kHz (D)8 kHz

有一電路的轉移函數1s100T(s)+=，當頻率遠大於此電路的轉角頻率（Corner Frequency）時，頻率與|T(s)|的變化關係，下列何者正確？ (A)頻率每增大十倍，|T(s)|減少10 dB (B)頻率每增大十倍，|T(s)|減少20 dB (C)頻率每增大二倍，|T(s)|減少10 dB (D)頻率每增大二倍，|T(s)|減少20 dBVCC+－IbVbCcViVoRVoVin+－2 nF5 kΩ2 nF5 kΩ+－-VSSVDDQ1Q2Q3Q4voIvid

有關Butterworth 低通濾波器的敘述，下列何者錯誤？ (A)可濾除高頻信號 (B)濾波器轉移函數只有極點頻率，沒有零點頻率 (C)當階數愈低，愈接近理想低通濾波器的濾波特性 (D)當階數愈高，通帶的平坦性愈佳VDD10 kΩViVb＋－M1Q1Vo20 kΩ10 kΩ20 kΩ20 kΩ25 nF25 nF＋－Vo0.01 μFVo＋－－C1Vi2 kΩ 2 kΩ C20.01 μFR2R1R3R45.86 kΩ10 kΩ

下圖由5 個NOT 閘組成之環形振盪器，若每一個NOT 閘的延遲時間（Delay Time）為2 ns，則此電路之振盪頻率為多少？ (A)25 MHz (B)50 MHz (C)100 MHz (D)125 MHz

如圖所示波形產生電路，U1 為理想運算放大器，且飽和電壓（Saturation voltage）為 +10 V 與 -10 V。對於電容C 兩端電壓VC 可能之波形，下列敘述何者正確？ (A)接近正弦波 (B)接近方波 (C)接近三角波 (D)接近一直流準位

一個兩級串接放大器電路，其第一級放大器之低3 分貝頻率（Lower 3 dB Frequency）與高3 分貝頻率（Upper 3 dB Frequency）分別為1 kHz 與1 MHz。電路中第二級放大器之低3 分貝頻率（Lower 3dB Frequency）與高3 分貝頻率（Upper 3 dB Frequency）分別為10 kHz 與2 MHz。則此放大器之頻寬約為： (A)990 kHz (B)999 kHz (C)1990 kHz (D)1999 kHz

如圖所示差動對電路，電晶體之β = 100，ro →∞，RC = 4 kΩ，I = 2 mA，VCC = -VEE = 10 V，取VBE(on) = 0.7 V，VCE(sat) = 0.3 V，VT = 25 mV，當vB1 = vB2 = 0 時，iC1(iC2)之值約為何？ (A)0 mA (B)0.01 mA (C)1 mA (D)2 mA

關於韋恩（Wien）振盪器，下列敘述何者正確？ (A)振盪波形為方波 (B)振盪波形為三角波 (C)振盪波形為單一脈波 (D)振盪波形為弦波

如圖所示電路，若MOSFET 操作在飽和區（Saturation Region）且轉導值（gm）為1 mA/V，忽略其輸出阻抗（ro），該放大器之高頻3-dB 頻率（ωH）為何？ (A) 1 GHz (B)20 MHz (C)1.59 MHz (D)318 kHz

圖示放大器中所有電晶體特性完全相同且匹配，所有電晶體的|VA|=2 V，過驅電壓（Overdrive voltage）|VOV|=|VGS－Vt|=0.2 V，工作電流ID 皆為0.2 mA，則輸出阻抗Ro 約為若干kΩ？ (A)50 (B)100 (C)150 (D)200

如圖所示放大器（其偏壓未示），若電晶體的轉導參數為gm，輸出電阻為ro，則此放大器的輸出電阻RO 約為何？ (A)RC (B)RE (C)ro+ RC (D)ro+ RER1R2Vo＋－R3U1＋－VCCVCCRCvC2vIvB2－＋IVEEiC2iC1RCvC1vB1＋－VDD0.1 pFVO1 kΩVi1 nFM110 kΩIVb＋－+VCCRCvOvIRORE

下列為一被動式濾波器（Passive filter），試研判此電路是何種濾波器？ (A)低通濾波器 (B)高通濾波器 (C)帶通濾波器 (D)帶拒濾波器VDDQ1Q2Q3Q4voVG4VG3VG2viRo+－Vi+－VoRCL