電子工程 101 年電子學大意考古題

如下圖所示之差動放大器，其輸出電壓Vo (A)V1 (B)V2 (C)V1＋V2 (D)V1－V2IC2VCCIC1V1V2RR+-Vo

矽二極體與鍺二極體在室溫的順向導通電壓分別約為： (A)0.7 V，0.7 V (B)0.7 V，0.2 V (C)0.2 V，0.7 V (D)0.2 V，0.2 V的增大而：

當二極體於逆向偏壓時，下列敘述何者正確？ (A) 空乏區變寬、障壁電位減少 (B)空乏區變寬、障壁電位增加 (C)空乏區變窄、障壁電位減少 (D)空乏區變窄、障壁電位增加

1QQ =2如下圖之MOS差動放大器（Differential Amplifier），，其臨界電壓（Threshold Voltage），爾利電壓（Early Voltage）VV5.0Vt =0VV2G1G==∞→。當A時，若電晶體工作於飽和模式（Saturation Mode），其汲極電流I2D與閘源電壓的關係為GSV)VV(2ItGSD−=(mA)。則輸入之共模電壓（Common-mode Voltage）VCM之最大值可為多大，而仍可維持電晶體工作於飽和模式？ (A)0.5 V+2V-2VVG1VG2RDRDQ1Q2VsI=1mA (B)1 V (C)1.5 V (D)2 V

逆向偏壓的pn接面，其接面電容隨逆向偏壓VR (A)增大 (B)減小 (C)不變 (D)先增大再減小

若一電源頻率為50 Hz，經半波整流後，輸出電壓漣波頻率為何？ (A) 25 Hz (B)50 Hz (C)60 Hz (D)100 Hz

在材料實驗室新領到MOSFET IC 時，常見到此IC 腳擺置在IC 套管內，其主要目的是： (A)增加價值感 (B)證明它是新品 (C)避免因靜電而遭破壞 (D)增加美觀

下列何種二極體通常工作於逆向偏壓？ (A)蕭特基（Schottky）二極體 (B)發光二極體 (C)雷射二極體 (D)變容二極體

如圖所示電路，稽納（Zener ）二極體之崩潰電壓VZ＝16 V，請問此稽納二極體之消耗功率約等於多少？=5kΩR1 (A)0 W (B)6.4 mW (C)8 mW (D)10.6 mW

在下列各選項中，那一個選項對MOS電晶體的臨界電壓（Threshold Voltage）V 的影響最小：toxε (A)通道的寬長比W/L (B)氧化層的介電常數 (C)氧化層的厚度 (D)半導體的雜質濃度NoxtGSDvi−

輸入方波訊號v2Ti經過圖中電路處理後（二極體是理想二極體），輸出電壓v 波形中的V 為何？oXviC1 VvotTT/20++t0TvvRio-1 V---VX (A)1 V (B)2 V (C)3 V (D)4 V

如圖所示電路，基極電壓為0.7 V，集極電壓為2 V，若熱電壓VT ＝25 mV，請問基極交流電阻rπ等於多少？ (A)200 Ω (B)250 Ω (C)400 Ω (D)450 Ω

某FET 工作在飽和區（Saturation Region），其關係如下圖所示，則此FET 為： (A)增強型NMOSiD0VtvGS (B)增強型PMOS (C)空乏型NMOS (D)空乏型PMOS

如圖的全波整流器電路，各二極體導通時之V = 0.7 V。若輸入電壓vDI之對為10 V之正弦波，則輸出電壓v 之最大值為：OvI+-vOR+- (A)10 V (B)9.3 V (C)8.6 V (D)7.2 V(f)下降的原因是由於： > 答案：?

有一N通道空乏型MOSFET的汲極飽和電流IDSS＝8 mA，截止電壓VGS(off)＝-4 V，則在VGS＝0 V的情況下，請問汲極電流ID＝？ (A)8 mA (B)12 mA (C)16 mA (D)20 mA

如下圖所示之放大器，若電晶體操作於三極管區（Triode Region），下列何種調整方式可使電晶體進入飽和區（Saturation Region）？VDDR1M1R2VoViVb +-～ (A)增加R1 (B)增加Vb (C)選用寬長比（W/L）較大之MOSFET (D)增加R2

共射極電晶體電路在高頻時，電壓放大率Av (A)電晶體內部電容的高頻響應 (B)外接基極耦合電容的高頻響應 (C)電晶體的歐萊效應（Early Effect） (D)外接基極電阻效應

如圖所示電路，若VDD＝3 V，IREF＝0.1 mA，Q1、Q2及Q3之轉導gm＝20 mA/V，輸出電阻ro＝20 kΩ，請問電壓增益約等於多少？ (A)-100 (B)-200 (C)-400 (D)-800

如下圖電路，設二極體為理想二極體。則此電路的輸出電壓V 為何？o (A)5 V+6V+10V10kΩ10kΩ10kΩ10kΩVo (B)4 V (C)3 V (D)2 V

雙極性接面電晶體（BJT）若作小訊號放大用，則工作於： (A)截止區（Cut-off Region） (B)飽和區（Saturation Region） (C)主動區（Active Region） (D)截止區和飽和區

如圖所示電路，其功能為何？ (A)低通濾波器 (B)高通濾波器 (C)半波整流器 (D)全波整流器Vz=5kΩR20V2+VDDQQ32VoIVREFQi1DVO+iVPAo-RL

利用三用電錶電阻量測功能來測量二極體，無論測試棒如何接法，指針的指示值均為高值，則表示此二極體的狀況最可能是： (A)正常 (B)短路 (C)斷路 (D)無法判斷

如圖所示的電路為何種邏輯閘？Q1Q2CR1R2REAB10 kΩ10 kΩ3.0 kΩVCC = 5 V (A)NOR (B)OR (C)NAND (D)AND

如圖所示電路，請問輸出電壓Vo＝？ (A)10 V (B)-10 VR2 (C)12 VR1V (D)-12 V1Vo

關於P-N 接面二極體之敘述，下列何者錯誤？ (A)P 型區域為加入三價雜質 (B)N 型區中空乏區離子帶負電 (C)順向偏壓時擴散電容增加 (D)逆向偏壓時空乏電容減少

假設電晶體的IB = 20 μA及IC = 2 mA，已知熱電壓（Thermal Voltage）VT = 25 mV，則中頻電晶體小訊號模型的r 及gπm分別約為： (A)1.25 kΩ、80 mA/V (B)2.5 kΩ、100 mA/V (C)3 kΩ、120 mA/V (D)4 kΩ、150 mA/V

有一差動放大器，假設其差動增益為1000，共模增益為1，請問此差動放大器之共模拒斥比（CMRR）約等於多少？ (A)20 dB (B)30 dB (C)40 dB (D)60 dB±

下列何者是形成pn 接面位能障礙（Barrier）的主要原因？ (A)空乏區內的磁場 (B)空乏區內的電場 (C)空乏區內的電容 (D)空乏區內的電感

若圖中電晶體的VBE = 0.7 V，β= 100，則IE之值約為：100 kΩ50 kΩ5 kΩ3 kΩ+15 V (A)2.52 mA (B)1.43 mA (C)1.05 mA (D)0.83 mA

若運算放大器的迴轉率（slew rate ） 為0.5 V/μs，其輸出訊號為峰值5 V 的對稱三角波，則在不失真的情況下，此訊號最高頻率等於多少？ (A)20 kHz (B)25 kHz (C)30 kHz (D)50 kHz

雙極性接面電晶體I逆向電流受環境溫度之影響是：CBO (A)溫度每下降1℃時，則增加1 倍 (B)溫度每上升1℃時，則增加1 倍 (C)溫度每下降10℃時，則增加1 倍 (D)溫度每上升10℃時，則增加1 倍

下列何者為能正常工作的數位電路參數？ (A)V= 3.2 V、VOHIH = 1.8 V、V= 0.3 V、VOLIL = 0.8 V (B)V= 1.8 V、VOHIH = 3.2 V、V= 0.3 V、VOLIL = 0.8 V (C)V= 1.8 V、VOHIH = 3.2 V、V= 0.8 V、VOLIL = 0.3 V= 3.2 V、V (D)VOHIH = 1.8 V、V= 0.8 V、VOLIL = 0.3 V

如圖所示電路，請問Q 與Q 所構成之放大器的組態分別為何？12 (A)Q1：共射極Q2：共集極+5V (B)Q1：共射極Q ：共基極2 (C)Q1：共基極Q2：共射極3kΩ (D)Q1：共集極Q2：共基極

如下圖所示放大器，若電晶體操作於主動區（Forward Active Region）假設C 為無窮大且忽略爾利效應（Early Effect），Vi 為輸入，Vo 為輸出，下列敘述何者正確？ (A) 該放大器為反相放大器R1VoVCCViVbIbQC+-～ (B)增加R1 則增益減少 (C)增加電流Ib 可增加增益 (D)增加VCC可減少增益

增強型N通道MOSFET之臨限電壓|V | = 3 V，欲使之導通，則閘極和源極間的電壓VtGS應加何種偏壓？ (A)0 V (B)2 V (C)4 V (D)-4 V

在串聯－串聯之負回授電路，若與其未加上回授時比較，則此回授電路之輸入阻抗及輸出阻抗會有何變化趨勢？ (A)輸入阻抗減少，輸出阻抗減少 (B)輸入阻抗減少，輸出阻抗增加 (C)輸入阻抗增加，輸出阻抗減少 (D)輸入阻抗增加，輸出阻抗增加

如下圖所示電路，何者提供直流偏壓的負回授？ (A)RB1RB2REVCCRB1RC (B)RB2 (C)RC (D)REB、I

一N通道增強型MOSFET的Vt = 1 V，μncox(W/L) = 1 mA/V2，則工作點在I = 0.5 mA，VDGS = 3 V時的互導gm之值約為： (A)2 mA/V (B)4 mA/V (C)6 mA/V (D)8 mA/V

若A 類功率放大器的負載為電阻性負載，請問其最高效率約等於多少？ (A)25% (B)50% (C)78.5% (D)100%

當一BJT電晶體工作在主動模式（Active-Mode）時，IBC、IE間之大小關係為何？ (A) (B) (C)BCEIII>>EBCIII<<BCEIII== (D)CEBIII<<

雙極性接面電晶體（BJT）共射極接線組態時，射極-地間的電阻常並聯一電容，此電容之目的為： (A)改善電壓增益 (B)降低射極的直流電壓 (C)升高射極的直流電壓 (D)濾除雜訊

下列何種功率放大器通常作為射頻（RF）調諧放大器使用？ (A)A 類功率放大器 (B)B 類功率放大器 (C)AB 類功率放大器 (D)C 類功率放大器

雙極性接面電晶體（BJT）中，下列那種電路組態其輸出阻抗最小？ (A)共基極組態 (B)共射極組態 (C)共集極組態 (D)射-基極組態

下列何種記憶體需要更新（Refresh）的動作？ (A)快取記憶體（Cache） (B)靜態隨機存取記憶體（SRAM, Static Random-Access Memory） (C)唯讀記憶體（ROM, Read Only Memory） (D)動態隨機存取記憶體（DRAM, Dynamic Random-Access Memory）

電源電路中的RC 濾波器是屬於下列何種濾波器？ (A)帶通濾波器 (B)高通濾波器 (C)低通濾波器 (D)帶拒濾波器

共射極（CE）放大器的高頻響應較差，其主要原因為： (A)爾利效應（Early Effect） (B)通導長度調變效應（Channel Length Modulation Effect） (C)溫度效應（Temperature Effect） (D)米勒效應（Miller Effect）40=β

雙極性接面電晶體（BJT）中，下列何種電路組態其小訊號輸出阻抗為最低？ (A)共射極組態 (B)共基極組態 (C)共集極組態 (D)共閘極組態

如圖所示電路，假設電晶體M 的輸出電阻及輸出電容可忽略不計，請問此電路具有何種濾波特性？ (A)低通 (B)高通 (C)帶通 (D)全通20kΩ∞vo6kΩQ2i∞o10kΩvQi1∞ii20kΩ∞2kΩvovi

如下圖所示之電路，若BJT操作在主動區（Forward Active Region），轉導值(gm)為10 mA/V，，若忽略元件之輸出阻抗，試求)r( o=io V/V？VoVCCQViVb+-1kΩ10kΩ (A)10/11 (B)82/83 (C)400 (D)410

如圖所示之雙極性接面電晶體（BJT）放大器，已知電晶體參數β(= I /Icb)為100，以及電晶體集極到射極的交流輸出阻抗r 為50 kΩ，則此放大器的輸入阻抗Z (= V /Ioiii)約為多少？ (A)560 kΩ (B)37 kΩ (C)22 kΩ (D)2 kΩ

如圖所示電路，請問其高頻電壓增益約等於多少？ (A)0 dB (B)-10 dB (C)-20 dB (D)-30 dBVi

如下圖的共射（CE）放大器，設電晶體工作於主動模式（Active Mode），其小訊號參數、、及輸出電阻均為已知，各外加電容均極大。若電晶體之mgerπriovvvA ≡or∞→or1≅α為：，，則電壓增益 (A)BmRg (B)BC RR /+VCCViRBCEVoRCI-VEE (C)πrRC / (D)TC VIR /∞=oA

對動態隨機存取記憶體（DRAM, Dynamic Random-Access Memory）而言，如果其位址線有8 條，則其記憶位址有： (A)8 個 (B)16 個 (C)8K 個 (D)64K 個

如圖所示電路，若要消除運算放大器輸入偏壓電流（input bias current）的效應，則R3之電阻值應為： (A)R1 (B)R2R1 (C)R1＋R2 (D)R1 // R2

如下圖所示之理想運算放大器電路，其中，求輸出電壓為何？ (A)-2V2V6V2RR2R+-AoVout (B)-6V (C)-10V (D)-12V

圖為由電阻R1、R2、R3、R4和理想運算放大器組成的差分放大器（Difference Amplifier），其中R2 = R4 = 1 MΩ，由於誤差，R1 = 9.9 kΩ，R3 = 10 kΩ，其共模電壓增益（Common Mode VoltageGain，VO/VCM）約為： (A)-1 (B)-0.1 (C)-0.01 (D)-0.001Ii560 kΩVo2.2 kΩ400 Ω+20 VViZi+-R1R2R4VCMVOR3

如圖所示電路，其功能為何？ (A)弦波產生器 (B)方波產生器 (C)鋸齒波產生器 (D)三角波產生器

有一放大器電路如下圖所示，放大器為理想的運算放大器，其輸出電壓範圍侷限在+10 V 與-10 V之間，二極體順向電壓。若電阻1U1DV7.0V 0D =kΩ1R1 =V5V1 =，交流電源，試問節點C 的輸出電壓應落在下列何範圍內？CV (A)CVV0.5≤ (B)V5VV5.4C <≤BAI01I02R1V1U1D1C+-～+-123 (C)V5.4VV0.4C <≤ (D)V0.4VC <

圖為差動放大器（Differential Amplifier）。其中VDD為電壓源，I為偏置電流源（Bias Current Source），I、Q= 1 mA。R =2 kΩ+ΔRD1D/2，R =2 kΩ-ΔRD2D/2，電晶體Q12的驅使電壓（Overdrive Voltage，V）為0.2 V，並且Q 、Q-VGSTH12完全匹配。此放大器輸入偏移電壓（Offset Voltage）為1 mV。則ΔR 約為：DVDDRD1RD2Vi+Vo-Vi-Vo+Q1Q2I (A)20 Ω (B)10 Ω (C)2 Ω (D)1 Ω

如圖所示電路，其功能為何？ (A)哈特萊振盪器 (B)考畢子振盪器 (C)韋恩電橋振盪器 (D)RC 移相振盪器

下圖中電路的放大器為一理想運算放大器，此電路的輸入電阻為何？ (A)10 kΩ (B)30 kΩViVo50kΩ20kΩ10kΩ+- (C)60 kΩ (D)80 kΩ

某差動放大器的共模增益ACM = 0.1，差模增益Adm = 100，則其共模拒斥比（Commom Mode RejectionRatio）為多少dB？ (A)20 (B)40 (C)60 (D)100

如圖所示電路，vA、vB及vBC為輸入，vY為輸出，於正邏輯系統中，其功能為何？ (A)AND 閘 (B)OR 閘 (C)NAND 閘 (D)NOR 閘vYvAvBBvCvvoutinR3Vo+5V

下圖中為一轉阻放大器，其電壓輸出為何？oV (A)-2 V2kΩ5kΩ1mAVo+- (B)2 V (C)-5 V (D)5 V2/5.021VmALWCoxn=μ0=γ

如圖所示為達靈頓（Darlington）電路，若電晶體Q 與Q 之特性參數各自為V12BE1、β1及VBE2、β2，則下列何者有誤？VCCvoCoR1R2viCiIB1IB2IC2IE2Q1Q222112BE1BECC1BR)1)(1(RVVVIβ+β++−−=22112BE1BECC12BR)1)(1(R)VVV(Iβ+β++−−β= (B) (A)2211BE2BE1CC12C2)Rβ)(1β(1R)VV)(Vβ(1βI+++−−+=)1)(1(IIA211B2EIβ+β+== (D)電流增益值 (C)

如圖所示電路，A 與B 為輸入，Y 為輸出，於正邏輯系統中，其功能為何？22如圖所示電路，A 與B 為輸入，Y 為輸出，於正邏輯系統中，其功能為何？ (A)AND 閘 (A)AND 閘 (B)OR 閘 (B)OR 閘 (C)NAND 閘 (C)NAND 閘 (D)NOR 閘 (D)NOR 閘

如下圖所示之電路，其MOS 電晶體參數：，，VVTN4.0=0=λ，；假如，V3.3=φVvI3.3=，求準穩態（quasi steady-state）輸出電壓為何？ (A)2.4 VCL=1 pFvovIφφφ (B)2.9 V (C)3.3 V (D)3.6 V

圖中電路，若輸出（V ）與輸入（V ）之電壓增益為-4，則其輸入端之等效電容值（Coiin）為何？VoVi1 pFCin-4 (A)0.2 pF (B)1 pF (C)1.25 pF (D)5 pF

如圖所示電路，其功能為何？23如圖所示電路，其功能為何？ (A)NMOS 反相器 (A)NMOS 反相器 (B)PMOS 反相器 (B)PMOS 反相器 (C)CMOS 反相器 (C)CMOS 反相器 (D)BJT 反相器 (D)BJT 反相器

有一邏輯閘電路如下圖所示，其中數位邏輯閘使用整個電路相同的電源與接地，但並未顯示於此電路圖中，而且輸入電壓大致以為高低準位的判斷界限。設NOR 閘、的延遲時間DDV2/VDD1U2UNORτ遠小於電阻R 電容C 所組成的時間常數RCRC =τ，今於A 點輸入一脈波如下圖所示，其中1 代表高準位，0 代表低準位，此脈波在第Ⅱ區的寬度RCtτ>>。試研判針對輸出Y 的波形何者描述最為可能？tA100ⅠⅡⅢ (A)Y 在第Ⅰ、Ⅲ區為穩定的低準位輸出 (B)Y 在第Ⅰ、Ⅲ區為穩定的高準位輸出 (C)Y 在第Ⅱ區為穩定的低準位輸出AU1V1RCXVDDBYU2 (D)Y 在第Ⅱ區為穩定的高準位輸出

圖中之電路，若運算放大器為理想，則V 為何？o1 kΩ1 kΩ1 kΩ1 kΩVo+-1 V (A)2 V (B)-2 V (C)3 V (D)-3 V

如圖所示電路，A與B為輸入，vVDD-VSSR2R1D1D2BVoutVD0VDIDo為輸出，於正邏輯系統中，其功能為何？24如圖所示電路，A與B為輸入，v (A)AND 閘 (A)AND 閘 (B)OR 閘 (B)OR 閘 (C)NAND 閘 (C)NAND 閘 (D)NOR 閘 (D)NOR 閘

下圖電路為一個使用增強型PMOS 及NMOS 所組成之邏輯閘電路，請問此電路所實現之輸出Y 為何？ (A)D)BCA(Y+= (B)D)CB(AY++=VDDADBCYD)BCA(Y+= (C)D)CB(AY++= (D)

圖為由電阻R 、R 、R123以及理想運算放大器組成的電路，其中R1 = R ，則此電路輸入電阻R 為：2INVO+-R1R2R3RIN (A)2 R3 (B)R (C)-R33 (D)-0.5 R3

今有一二極體電路如下左圖所示，假設二極體元件的電流-電壓（I-V）特性曲線如下右圖所示：導通後，二極體的端電壓為VD0＝0.7 V，不考慮二極體導通的串聯電阻效應。已知VDD＝10 V、VSS＝5 V、R1＝5 kΩ、R2＝10 kΩ。試研判此電路中兩顆二極體的導通情形：25今有一二極體電路如下左圖所示，假設二極體元件的電流-電壓（I-V）特性曲線如下右圖所示：導通後，二極體的端電壓為V (A)二極體D1 導通、二極體D2 不導通 (B)二極體D1、二極體D2 都不導通 (A)二極體D1 導通、二極體D2 不導通 (B)二極體D1、二極體D2 都不導通 (C)二極體D1、二極體D2 都導通 (D)二極體D1 不導通、二極體D2 導通 (C)二極體D1、二極體D2 都導通 (D)二極體D1 不導通、二極體D2 導通為輸出，於正邏輯系統中，其功能為何？ovo＝0.7 V，不考慮二極體導通的串聯電阻效應。已知V＝10 V、VDDSSD0＝5 V、R1＝5 kΩ、R2＝10 kΩ。試研判此電路中兩顆二極體的導通情形：VDD-VSSR2R1D1D2BVoutVDIDVD0A B C

下圖CMOS 邏輯閘的輸入端為A 和B，輸出Y 以正邏輯表示為何？ (A)ABY = (B)BAY+=YABBAABY = (C)BAY+= (D)

下列何種放大器電路組態不會改善頻寬？ (A)CC-CE (B)CC-CB (C)達靈頓組態（Darlington Configuration） (D)疊接組態（Cascode Configuration）

有一商用BJT 電晶體元件其三支接腳分別標記為A、B、C，又僅有一具電阻計可利用。試利用此電阻計研判此電晶體之型態與接腳。設此電阻計的(+)端輸出相對於(-)端+1.5 V 的直流電壓，內有電阻限制最大電流，避免燒毀元件，由通過(+)(-)端兩端點接腳之電流換算求得電阻。今試取任意兩接腳進行導通測試，測量裝置圖與測量結果如下所示。有關此電晶體之型式與接腳之敘述，下列敘述何者最為正確？(+)端(-)端測量結果AB不導通BA導通AC不導通CA導通BC不導通CB不導通 (A)此電晶體為NPN 型，且接腳A 為基極（Base） (B)此電晶體為NPN 型，且接腳C 為基極（Base） (C)此電晶體為PNP 型，且接腳A 為基極（Base） (D)此電晶體為PNP 型，且接腳C 為基極（Base）

有一BJT，其β=100，已知在室溫下熱電壓VT=25mV，IC=1mA，則該BJT之小訊號參數rπ值為： (A)25Ω (B)250Ω (C)2.5kΩ (D)25kΩ

如圖所示電路，下列何者為非？Vo+-R1R2R3ViC123maxioRR1VV+= (A)當輸入訊號V 的頻率f極小時（f0），電壓增益的最大值≅i0VVio ≅ (B)當輸入訊號V 的頻率f極大時（f∞），電壓增益≅i)RR1(21VV23io+=11CR21fπ= (C)當輸入訊號V的頻率時，電壓增益衰減為i11HCR21fπ= (D)此電路高頻截止頻率為2s2)s(T+=，當角頻率ω= 2 rad/sec 時，則|T(jω)|約為：

有一p通道增強型（p-channel enhance mode）之MOSFET元件，不考慮輸出電阻效應，已知其iD-vDS電流電壓特性曲線如下圖所示，其中電壓v 、電流i 均採用絕對值。若考慮vDSDGS的極性，試研判其飽和電流|i|vDS||iD|飽和區vGSvGS|iD|vGS|iD|vGS|iD|vGS|iD|ABROVDD-VSSI0vSvGD|與v 的關係以下列那一曲線最為正確？GS (A) (B) (C) (D)

在BiCMOS 的數位電路中，使用BJT 電晶體是基於它的那一個優點？ (A)低消耗功率 (B)高輸入阻抗 (C)寬雜訊邊界 (D)高電流驅動能力

有一濾波器之轉移函數（Transfer Function） (A)1.0 (B)0.7 (C)0.5 (D)0.2

今有一單級放大器的電路如下所示，其中定電流源I0部分具有一有限之輸出電阻RO。在進行小信號等效電路分析時，設信號由輸入端vG輸入，v 為輸出信號。試研判此電路為何種組態（Configuration）？S (A)Common Drain（CD） (B)Common Gate（CG） (C)Common Source（CS） (D)Common Body（CB）

下列那一種記憶體在儲存資料設定後不會再更改？ (A)ROM (B)DRAM (C)SRAM (D)Flash Memory

有一單級放大器，其低頻截止頻率為640 Hz而高頻截止頻率為10 kHz，若將相同兩個放大器串接在一起，則此系統之低頻截止頻率為fL及高頻截止頻率為f ，試問系統之頻寬BW = f -fHHL約為何值？（註：64.0414.0≅） (A)2.70 kHz (B)4.14 kHz (C)5.40 kHz (D)9.36 kHz

今有一矽BJT差動放大器（Differential amplifier）的電路如下左圖所示，其中Q1、Q2 兩電晶體特性完全相同，定電流源I 部分具有一有限之輸出電阻R0IO。在進行共模特性分析（Common mode analysis）時，本電路可簡化成一單電晶體放大器之半電路（Half circuit），其電路如下右圖所示。設Q3 的特性與Q1、Q2 完全相同，有關此等效電路其他各元件與原電路對應元件之間的關係，下列敘述何者最為正確？RIOCVCCC-VEECI0CvCCvCMCQ3RCCRIOVCC-VEEI0vC1vCMQ1RCvC2vCMQ2RC (A)IRVI(s)IO(s)CVO(s)CU1R2R1VI(s)VO(s)0C＝2 I0 (B)RI0C＝2 RI0 (C)RCC＝2 RC (D)vCC＝2 vC1＝2vC2(s)/V

下圖為交換電容積分器電路（Switched-Capacitor Integrator），已知為理想運算放大器，1Φ1U與2Φ 為不重疊的雙相時脈（Nonoverlapping Two-Phase Clock），用來控制電晶體的開關狀態。若欲獲得反相輸出，試問、與C 之時脈如何規劃？41M~MABC2 (A)2AΦ=；1BΦ=；2CΦ= (B)2AΦ=；2BΦ=；1CΦ= (C)1AΦ=；2BΦ=；2CΦ= (D)1AΦ=；1BΦ=；2CΦ=

圖中雙穩態多諧振盪器（Bistable Multivibrator），假設R1 = 10 kΩ，輸出電壓範圍為±5 V。若觸發電壓VTH = -VTL = 0.5 V，則R 等於：2VO+-R1R2VI (A)100 kΩ (B)20 kΩ (C)10 kΩ (D)1 kΩ

有一放大器電路的頻率響應轉移函數（Transfer function）F(s)＝VOI(s)如下所示，其中s＝jω＝j2πf：2106110)(×+=πsssF，在製作絕對值|F(s)|的波德曲線圖（Bode plot）時，欲估計在頻率f＝3 kHz 時的線段斜率，下列敘述何者最為正確？ (A)此線段斜率大於+10 dB/decade (B)此線段斜率落在-10 dB/decade 至+10 dB/decade 之間 (C)此線段斜率落在-30 dB/decade 至-10 dB/decade 之間 (D)此線段斜率小於-30 dB/decade

一維持工作於飽和模式（Saturation Mode）的MOSFET，若其過驅電壓（Overdrive Voltage）VOV增為兩倍，則其汲極電流ID會如何變化？ (A)增為4 倍 (B)增為2 倍 (C)減為一半 (D)減為四分之一

圖中之電路，若運算放大器為理想，且V = -4 V，則輸出電壓V 約為何？io1 kΩVo+-1 kΩVi-6 V6 V (A)-8 V (B)-6 V (C)6 V (D)8 V

有一放大器電路的頻率響應轉移函數（Transfer function）F(s)＝V (s)/VOI(s)如下所示，其中s＝jω＝j2πf：2106110)(×+=πsssF，在製作絕對值|F(s)|的波德曲線圖（Bode plot）時，欲估計在頻率f＝3 kHz 時的相角，下列敘述何者最為正確？ (A)此相角大於60° (B)此相角落於30°至60°之間 (C)此相角落於-30°至30°之間 (D)此相角小於-30°)()(sVsVIO

下圖中高通濾波器運算放大器電路，下，其高頻增益為15，低頻響應之角頻率kΩ20R1 =)(ω為5×103 rad/s，試求及值為何？2RC (A)，kΩ280R 2 =nF10C = (B)，kΩ300R 2 =nF10C = (C)，kΩ280R 2 =pF10C = (D)，kΩ300R 2 =pF10C =

一般市電之60 Hz 弦波訊號常干擾授控系統或量測系統，因此可設計下列何種濾波器以消除此干擾的影響？ (A)低通濾波器（Low Pass Filter） (B)高通濾波器（High Pass Filter） (C)帶通濾波器（Band Pass Filter） (D)帶拒濾波器（Band Reject Filter）

有一放大器輸入部分的小信號等效電路如下所示，今定義電容C 的端電壓為輸出電壓，試分析的轉移函數可能的頻率響應特性： (A)高通響應（High-pass response） (B)低通響應（Low-pass response） (C)帶通響應（Band-pass response） (D)帶斥響應（Band-reject response）

如下圖所示之理想運算放大器振盪電路，mHL1=，C1 = C2 = 30pF，若不考慮對回授網路之負載效應，當電路振盪時其振盪頻率為何？1R (A)0.6 MHz (B)0.9 MHz (C)1.3 MHz (D)1.9 MHzR2R1ViVoC-+R2R1VoLC1C2+-Φ1Φ2Φ1CCV1iU-1I02I01M1M4M2M32+3+V1o-～AVB1nF1=C

某振盪電路之迴路增益為A(jω)β，β為正實數，A(jω) = 100/(1+ jω/ωc)3，ωc為實數。若β選得適當，此電路可振盪產生弦波，振盪頻率ω為何？ (A)0.866 ωc (B)1.41 ω (C)1.73 ω (D)3.14 ωccc

今有一階Op Amp-RC 電路所製作的主動式濾波器（Active filter）如下圖所示。設放大器U1 為理想的電壓放大器，且R1＝R2。此電路屬於那一種濾波器類型？ (A)低通濾波器（Low-pass filter） (B)高通濾波器（High-pass filter） (C)帶通濾波器（Band-pass filter） (D)全通濾波器（All-pass filter）、Q

下圖振盪器電路中，若、kΩ1001 =RkΩ2002 =RkΩ1003 =R，則振盪頻率約為多少？、及 (A)530 Hz-++-R2R3R1VoC--++ (B)1.5 kHz (C)5 kHz (D)10 kHz100=βmA.IC8380=

圖中為射極耦合邏輯（Emitter-Coupled Logic, ECL）電路。其中V 為輸入，V、VIO1O2為輸出，VCC = 0 V，參考電壓VR = -1.32 V，偏置電流源（Bias Current Source）I = 4 mA，RC = 200 Ω。當輸出為邏輯低位準時，其電壓約為：VCCQ1Q2IVIVRVO1VO2RCRC (A)-1 V (B)-0.8 V (C)-0.5 V (D)-0.1 V

今有一NMOS邏輯反相器（Inverter）的電路如下左圖所示，已知電晶體Q12特性均相同。此電路之電壓轉移特性（Voltage transfer characteristic）如下右圖所示。在此電壓轉移曲線所標示的四個工作點中：A點為v ＝0 V的工作條件；B點為電壓轉移曲線斜率＝-1 的工作條件；C點為vVDDvOvIQ2Q1vOvICBDAVDD斜率=-1()tVPωsinVOVI=R2R1U1VOR2R1U1R3CVOR2R1U1R3C1C2R4IDIO＝0.5VDD的工作條件；D點為v ＝VIDD的工作條件，試研判那一工作點的功率損耗最少？ (A)A (B)B (C)C (D)D

如下圖所示之電路，假設BJT 電晶體操作在順向主動區，，，mVVT26=，，，忽略爾利（Early）效應以及其它電容效應，求輸入端之-3 dB 頻率為何？pF3=μCpF24C=π (A)123 MHzVinVoRLRCRBCB→∞CC2→∞CC1→∞10kΩ-10V+10V1kΩ (B)223 MHz (C)323 MHz (D)423 MHz

如圖所示之互斥或閘（Exclusive OR Gate），若輸入訊號之一被強制為1，則輸出訊號為何？1YA (A)1 (B)0 (C)A (D)A

有一放大器應用電路，設放大器U1 為理想放大器，且飽和電壓（Saturation voltage）為+10 V與-10 V，亦即輸出電壓侷限在-10 V到+10 V之間。設電阻R1、R2 均相等，今輸入電壓V 為振幅VIP＝1 V之正弦波，試研判輸出電壓V 之反應：OIOVRRV12= (A)VO將落入一定值不再變動 (B)產生振幅為2 V的正弦波放大輸出 (C)VO產生振幅為10 V的正弦波輸出 (D)VO產生振幅為+10 V的方波輸出

如下圖所示之電路，假設BJT 電晶體操作在順向主動區，忽略爾利（Early）效應與元件內之極間電容效應，假使此BJT 之轉導（transconductance）為70 mA/V，100=β，求此電路之轉折（corner）頻率為何？VCCVoRC50kΩ10kΩ1μFVin (A)131 Hz (B)231 Hz (C)331 Hz (D)431 Hzfjjsπω2==

下列邏輯圖，若以布林代數表示（Boolean expression），其表示式為：ABCY)CBA)(CBA)(CBA)(CBA(Y++++++++= (A))CBA)(CBA)(CBA)(CBA(Y++++++++= (B)CBAABCBCACBAY+++= (C)CBACBACBACABY+++= (D)

有一放大器應用電路，設放大器U1 為理想放大器，且飽和電壓（Saturation voltage）為+10 V與-10 V，亦即輸出電壓侷限在-10 V到+10 V之間。設電阻R1、R2、R3 均相等，試研判輸出電壓V 可能之波形：O (A)VO產生正弦波輸出 (B)VO產生方波輸出 (C)VO產生鋸齒波輸出 (D)VO穩定處於10 V或-10 V的穩態中

有一放大器電路的轉移函數（Transfer Function）F(s) 如下所示，其中：⎟⎠⎞⎜⎝⎛×+⎟⎠⎞⎜⎝⎛×+×−=435104110611021)(πππssssF試問此轉移函數可能的頻率響應特性為何？ (A)高通響應（High-Pass Response） (B)低通響應（Low-Pass Response） (C)帶通響應（Band-Pass Response） (D)帶斥響應（Band-Reject Response）

下列那一個元件之特性與光線無關？ (A)光敏電阻 (B)太陽能電池 (C)光遮斷器 (D)熱敏電阻

有一放大器振盪電路，設放大器U1 為理想放大器，已知R2＝2 kΩ、R1＝1 kΩ、R3＝R4＝3 kΩ、C1＝C2＝1 pF，試研判輸出電壓V 可能之振盪頻率：O (A)接近25 MHz (B)接近50 MHz (C)接近100 MHz (D)接近150 MHzC1

下圖中、kΩ11 =RkΩ12 =R、。則此電路之-3 分貝頻率約為多少？μF11 =C (A)40 HzR1C1ViVoR2+- (B)80 Hz (C)120 Hz (D)160 Hz

圖中分別顯示邏輯電路輸出（Output）與輸入（Input）之「1」與「0」狀態的電壓位階範圍，此系統之「雜訊容限」（Noise margin）NMH及NM 為：LV1V2V3V4V5V6V7V8InputOutput (A)NMH = V -V ，NM12L = V -V (B)NM34H = V -V ，NM62L = V -V37 (C)NMH = V -V ，NM23L = V -V (D)NM67H = V -V ，NM56L = V -V78

今有一二極體電路如下左圖所示，假設二極體元件均為理想二極體，其電流-電壓（I-V）特性曲線如＝0 V，不考慮二極體導通的串聯電阻效應。已知V下右圖所示：順向導通電壓為VPD0＝2 V，試研判此電路中有關C1 的描述，下列那一敘述最為正確？C1C2D1D2()tVPωsinABVout (A)C1 的端電壓接近2 V 且A 節點電壓比B 節點電壓高 (B)C1 的端電壓接近2 V 且A 節點電壓比B 節點電壓低 (C)C1 的端電壓接近4 V 且A 節點電壓比B 節點電壓低 (D)C1 的端電壓接近4 V 且A 節點電壓比B 節點電壓高

如下圖為一MOSFET 共源極架構放大器，下列何者是其高-3 dB 頻率？VDDR (A))))||(1((1LomgsgdsigRrgCCR++ (B))))||(1((1LomgdgssigRrgCCR++ (C)))R||r(g1)(CC(R1Lomgdgssig++ (D)))R||r(g/1)(CC(R1Lomgdgssig++

如圖的電路是那一類的放大器？+VCCvIvOIRL-VCC (A)A 類（Class A） (B)B 類（Class B） (C)AB 類（Class AB） (D)C 類（Class C）

今有一使用Zener二極體電路如下左圖所示，假設二極體元件的電流-電壓（I-V）特性曲線如下右圖所示：順向導通電壓為V ＝0.7 V，逆向崩潰電壓為VD0Z0＝5 V，不考慮導通的串聯電阻效應。試研判此電路之電壓轉移特性以下列何者曲線最為正確？VD0VZIZ-VZ0VoutRZ2Z1VinVinVoutVinVoutVinVoutVinVout (A) (B) (C) (D)01234501⎟⎟⎠⎞⎜⎜⎝⎛−=1TD VVSDeII

如下圖所示之電路，若MOSFET操作在飽和區（Saturation Region）且轉導值為1 mA / V。若忽略元件之輸出阻抗，為V)g(m)r( ooVo+及Vo-間之壓差，為ViVi+及Vi-間之壓差，試求Vo / Vi =？ (A)10/3 (B)20/3 (C)5 (D)10-VSSVi-Vo +Vi +Vo-VDD10kΩ10kΩ1kΩ1kΩ2kΩ20kΩVoDCC2CSRGIRsigCC1Vsig +-RL

承上題，若電晶體飽和之VCEsat = 0.2 V，則輸出電壓vO之最大值為v為：Omax (A)+VCC (B)+VCC - 0.2 V (C)vImax - 0.7 V (D)I·RL

今有一二極體電路如下左圖所示，已知二極體的特性函數為 (A) ，其中 (A)、V12101−×=sI＝25 mV，V 、ITDD分別為流經二極體的電壓降，實際的電流-電壓（I-V）特性曲線如下右圖所示。已知V＝2 V、R＝500 Ω。試研判此電路通過二極體的電流I ：DDD (A)接近3.5 mA2(V)(mA) (B)接近2.5 mA (C)接近1.5 mAVDRVDD (D)接近0.5 mAIDIDVDVD