電子工程 104 年電子學大意考古題

如圖所示之理想運算放大器電路，AO = ∞，輸入訊號為一弦波，頻率為2 MHz，假使輸出之大小為輸入訊號之大小的5 倍，則RC 值約為何？ (A)0.8 μs (B)1.8 μs (C)2.8 μs (D)3.8 μs

圖中使用一20 kΩ的可變電阻構成一增益可調放大器，當電阻R 值為多少時，最大增益為51？ (A)0.2 kΩ (B)0.4 kΩ (C)0.8 kΩ (D)1 kΩ

下圖電路中理想運算放大器其開迴路差模電壓增益Aod = 104，若輸出電壓vO = -4 V，則輸入電壓vI 約為多少V？ (A)-0.1 V (B)-0.2 V (C)-0.3 V (D)-0.4 V

如圖所示電路，假設R1 = R2 = Rg = Rf = 10 kΩ，且輸入電壓V1 =3 V，V2 =4 V，則輸出電壓Vo 為： (A)1 V (B)2 V (C)3 V (D)7 V

如圖所示為何種電路？ (A)CMOS 反相器 (B)NMOS 反相器 (C)PMOS 反相器 (D)pseudo-NMOS 反相器

下圖為一理想運算放大器電路，求其輸出電壓VO =？ (A)1 V (B)2 V (C)3 V (D)4 V

如圖所示電路，R1= 1 kΩ，R2= 10 kΩ，Vi = 1 V，則Vo=？ (A)10 V (B)-10 V (C)11 V (D)-11 VRVoutCVinAo－+－+RfR1R2V1V2Rg－+OPAVoR1R2ViVo－+

雙極性接面電晶體為具有幾個端點之元件？ (A)1 個 (B)2 個 (C)3 個 (D)4 個

下圖運算放大器電路圖中接於腳位1 及腳位5 間之可變電阻VR 的主要功能為何？ (A)降低輸入偏移電流 (B)調整偏移電壓 (C)調整共模互斥比 (D)調整電壓增益

如圖所示之電路，其輸出之正邏輯函數為何？ (A)A＋B (B)BA + (C)BA⋅ (D)BA⋅

下圖電路中，由輸入端V1 和V2 所分別看到的輸入電阻Rin1、Rin2 為何？ (A)Rin1 = 5 kΩ、Rin2 = 5 kΩ (B)Rin1 = 5 kΩ、Rin2 = 10 kΩ (C)Rin1 = 10 kΩ、Rin2 = 5 kΩ (D)Rin1 = 10 kΩ、Rin2 = 10 kΩ+-1-xViVoxRVoViVDDVoV1V25 kΩ5 kΩ5 kΩ5 kΩ

圖示為理想運算放大器之電路，R1 =1 kΩ、R2 =25 kΩ、R =10 kΩ，則其輸入阻抗Ri 為若干Ω？ (A)1 k (B)10 k (C)25 k (D)∞vI1 MΩ1 kΩvO+－+12 VVO2 R2 R2 R2 R 2 R2 RRRR+－+ VCC+－234

假設一CMOS 反相器（inverter）之負載電容CL 為2 pF，偏壓（bias）電壓為5 V，且其切換頻率為100 kHz，此反相器之消耗功率約為何？ (A)1 μW (B)3 μW (C)5 μW (D)7 μW

有關一般二極體空乏區的敘述，下列何者錯誤？ (A)空乏區又稱空間電荷區 (B)空乏區中的載子極少，故電阻偏高 (C)空乏區的寬度隨逆偏電壓而增加 (D)空乏區中沒有電場存在

當一虛擬（pseudo）NMOS 反相器的輸出為低準位電壓時，其中的NMOS 和PMOS 的操作區域分別為何？ (A) 三極體區、三極體區 (B)三極體區、飽和區 (C)飽和區、三極體區 (D)截止區、三極體區

最簡單的截波電路所用的元件有： (A)電阻、電容 (B)電阻、二極體 (C)電容、二極體 (D)電容、變壓器

半導體pn 接面在接面處會產生一空乏區，在n 型半導體空乏區內帶電之粒子主要是： (A)電洞 (B)電子 (C)負離子 (D)正離子

當P 型及N 型材料形成PN 接面時，接面處會產生一空乏層，而P 型側之空乏層內主要的帶電粒子為： (A)正離子 (B)負離子 (C)電子 (D)電洞

- VEE1μA741RLR1R2vIRiRvO+－VR5在邏輯電路中，輸出高至低的傳輸延遲（propagation delay）時間的定義為何？ (A)由高準位電壓下降至50%的高準位電壓所需的時間 (B)由高準位電壓下降至70%的高準位電壓所需的時間 (C)由90%的高準位電壓下降至10%的高準位電壓所需的時間 (D)由80%的高準位電壓下降至20%的高準位電壓所需的時間6下列何種記憶體IC 不屬於非揮發性記憶體（Non Volatile Memory）？ (A)DRAM (B)Mask ROM (C)EP-ROM (D)Flash7P 通道空乏型MOSFET，在閘極上施加正電壓時，其通道導通程度會： (A)無影響 (B)減小 (C)加大 (D)無法判斷

圖中)(sIVio為帶通濾波器，下列敘述何者正確？ (A)L 越大則中心頻率越高 (B)C 越大則中心頻率越高 (C)C 越大則頻寬越寬 (D)R 越大則頻寬越窄

如圖所示之電路，輸入電壓vi 為一交流弦波，有效值為100 V，頻率為60 Hz，二極體導通之壓降皆為0.7 V，則其輸出之漣波值約為何？ (A)0.01 V (B)0.17 V (C)1.77 V (D)2.97 V

當一雙極接面電晶體（BJT）操作於主動模式，其轉導值（transconductance）gm 與集極電流IC 的關係為： (A)gm∝IC (B)gm∝CI (C)gm∝CI1 (D)gm∝CI1

利用下列何種效應可以測出半導體是屬於P 型或N 型？ (A)光電效應 (B)霍爾（Hall）效應 (C)米勒（Miller）效應 (D)黑體輻射效應

有一小訊號等效電路如下圖所示，已知R1 = 100 kΩ、C2 = 30 nF、R3 = 420 kΩ。試求Vg (s) / Vi (s) 在f = 10 Hz的值，其中s = jω = j2πf ： (A)接近-3 dB (B)接近-5 dB (C)接近-8 dB (D)接近-12 dB

圖中的LCR 振盪器，當電容C 值增加2%時，其振盪頻率ω0 改變多少？ (A)0.5% (B)不變 (C)-0.5% (D)-1%

關於圖中含理想運算放大器之振盪器，下列何者錯誤？ (A)本電路為橋式（Wien Bridge）振盪器 (B)振盪頻率等於RCπ21 (C)R2/R1=3 (D)Vo 振幅為1.5 倍二極體導通電壓VDDAVoBIiRCL+－VoD1D2R1R2Vo+－RCCR

在矽單晶體內，加入何種雜質會形成P 型半導體？ (A)碳 (C) (B)硼 (B) (C)磷（P） (D)鉀（K）

在P 型半導體材料中，電流傳導的主要載子為： (A)電子 (B)離子 (C)電洞 (D)質子

二極體不具下列何種功能？ (A)截波 (B)檢波 (C)整流 (D)放大

已知一個矽二極體之逆向飽和電流每升高10℃約成為原先之兩倍。在溫度25℃時的逆向飽和電流為3 nA，當逆向飽和電流增加到24 nA，則溫度約升到幾度？ (A)35℃ (B)45℃ (C)55℃ (D)65℃

在一全波整流電路中，使用中心抽頭變壓器，其輸出電壓振幅為VS，二極體正向壓降為VD，請問二極體的峰值反向電壓為何？ (A)VS – VD (B)VS – 2VD (C)2VS – VD (D)2VS – 2VD

如圖的二極體電路，設各二極體為理想二極體，則電流Io 為： (A)0 mA (B)1 mA (C)1.33 mA (D)2 mA

圖示理想二極體電路中，輸入vI 為弦波，其峰值電壓為10 V，若輸出vO 的漣波很小，可忽略不計，則二極體D 的逆向電壓峰值PIV 約為若干？ (A)10 V (B)14 V (C)20 V (D)28 VVgR3C2R1Vi+-DCRvI+--+vOvi10：1+-vo30 μF2 kΩ

有關於光檢測用之光二極體，下列描述何者錯誤？ (A)光二極體工作於順向偏壓區 (B)不同材料之光二極體對光有不同之頻譜響應 (C)不同材料之光二極體產生光激載子的數量與入射光強度成正比 (D)光二極體之逆向電流和光強度成正比

圖示整流電路，若輸入弦波vI 與電阻R 皆固定，今若電容C 變大，下列敘述何者正確？ (A)輸出電壓vO 的漣波（ripple）變大 (B)二極體導通時間變長 (C)二極體最大導通峰值電流變大 (D)輸出電壓vO 的頻率變大

下圖為一個CMOS 邏輯電路，請問輸出F 為何？ (A)ABBAF+= (B)BABAF+= (C)ABF = (D)BAF =

圖示理想二極體電壓，變壓器次級圈交流電壓有效值為10 Vrms，試問在穩定狀態時vO 的電壓約為若干？ (A)10 V (B)14 V (C)20 V (D)28 V

如圖所示之電路，二極體導通之壓降為0.7 V，RC >> vi 之週期，求電路穩態時之V3 為何？ (A)5.3 V (B)9.3 V (C)24.3 V (D)34.3 V

分析以下之電路，若稽納（Zener）二極體之崩潰電壓為6 V，二極體之導通電壓為0.7 V，則流過二極體之電流為何？ (A)3.25 mA (B)4.3 mA (C)6.6 mA (D)8 mA

如圖所示二極體電路，假設二極體導通電壓VD0 = 0.7 V，已知電壓vS (t)= 12 sin(120πt)V、C =47μF、VDC = 3 V、R 為無窮大，在穩態時，電容C 兩端的電壓約為多少？ (A)12 V (B)11.7 V (C)8.3 V (D)3.7 VRCLCD2acD1CvO10 Vrms+－CDRVDCvOvS

利用歐姆錶來測量二極體，無論測試棒如何接法，指針的指示值均為低值，表示該二極體的狀況是： (A)正常 (B)斷路 (C)短路 (D)無法判斷

如圖所示之電路，假設每個二極體的順向壓降為0.7 V，且順向電阻為0，則Io 約為： (A)0.3 mA (B)1.2 mA (C)2.1 mA (D)2.4 mA

如圖電路中，D1 與D2 均為理想二極體。當VI = +5 V 時，Vo 的值為： (A)2 V (B)5 V (C)7 V (D)10 V

圖示理想運算放大器電路，vI 為輸入電壓，vO 為輸出電壓，本電路為： (A)整流電路 (B)箝位電路 (C)濾波電路 (D)倍壓電路+10 V5 kΩ10 kΩ－10 VIoiDDCRvO+－vi 15 V0 V－15 V5 V+－C+－RvoV1V3V2R2R1vID2D1vO－+vI+－

若P-N 接面二極體之導通電壓為0.7 V，且導通電阻值為0 Ω。則電阻10 kΩ上之電流為何？ (A)0.63 mA (B)0.73 mA (C)0.83 mA (D)0.93 mA2 kΩ0.5 kΩ10 V10 V10 kΩ1 V2 V3 V1 kΩ1 kΩ2.4 VIoFAABBBBAAVDD

下圖為理想二極體的截波電路，其輸入波形被截波後的輸出電壓為何？ (A)3 V (B)4 V (C)5 V (D)6 V > 答案：?

P 通道之MOSFET 其傳導電荷載子是： (A)電子 (B)離子 (C)質子 (D)電洞

如圖所示之二極體電路，假設二極體導通電壓VD0 = 0.7 V。已知電壓vs (t) = 12 sin (120 πt)V、R = 10 kΩ、C = 47 μF。試求電容C 的充電頻率為何？ (A)30 Hz (B)60 Hz (C)90 Hz (D)120 Hz

齊納（Zener）二極體主要常應用於何種電路？ (A)放大 (B)濾波 (C)整流 (D)穩壓

關於以下之放大器，若電晶體操作於三極管區（Triode region），下列何種調整方式可使電晶體進入飽和區？ (A)增加RG (B)增加ID (C)減少RS (D)增加VDD

如圖所示之電路，若BJT 電晶體操作在順向主動區，忽略爾利效應（Early Effect）與所有其他電容，假使此電路之功率消耗為2 mW 且-3 dB 頻寬為1 GHz，熱電壓（Thermal Voltage）Vt = 26 mV，求其最大電壓增益約為何？ (A)2.45 (B)3.45 (C)4.45 (D)5.45

如圖的共射（CE）放大器，設電晶體工作於主動模式（Active Mode），其小訊號參數gm、re、rπ 及輸出電阻ro 均為已知，各外加電容均極大。則此放大器之輸出電阻Rout（不含RL）為： (A)RC + ro (B)ro (C)RC || ro (D)RC + re

雙極性接面電晶體（BJT）中，那種電路組態其電壓增益（Av）大於1 且電流增益（Ai）近似於1？ (A)共基極（common base）組態 (B)射極隨耦（Emitter Follower）組態 (C)共射極（common emitter）組態 (D)共集極（common collector）組態

如圖所示之電路，若MOSFET 操作在飽和區（Saturation Region），且忽略元件之寄生電容與輸出阻抗，下列何種調整方式無法增加放大器之頻寬？ (A)減低CL (B)增加Vb (C)加大偏壓電流I (D)選用寬長比（W / L）較大之元件

圖示放大器電路若電流源I 為1 mA、RB = 100 kΩ，RC = RL = 2 kΩ，Re = 100 Ω，電晶體電流放大率β = 100，則電壓增益約為若干？ (A)-100 (B)-10 (C)-8 (D)-4+10 V1 mAVo2 kΩD1D2VIViVo2 kΩ3V2 kΩ+VCCRCRsig CC1ViCC2Vsig +－RBRoutVORLCE-VEEI+VCCRCvoRLReRBvi-VEEI∞∞∞+－

下列組態的串接放大器，何者的輸入電阻最小？ (A)共基極－共射極 (B)共射極－共射極 (C)共集極－共基極 (D)共射極－共基極

如圖所示之接面場效電晶體（JFET）放大器，已知工作點閘源極電壓VGS 為-2.8 V，汲極電流ID 為4.5 mA，IDSS 為16 mA，夾止電壓（Pinch-off Voltage）VP 為-6 V，不考慮接面場效電晶體的交流輸出阻抗rd 的影響，則此放大器的電壓增益AV（=iovv ）約為多少？ (A)8.6 (B)4.2 (C)2.5 (D)0.8CvOvACDRvs2.5 V2 pFVoVinR12 kΩ1 MΩ+9 VvoviVoCLIVbViVDDM1+-

圖中電晶體的VT = 25 mV，β = 100，VBE = 0.7 V，其電流增益（io / ii）約為： (A)8.3 (B)10.1 (C)83 (D)101

一個操作於飽和區的MOS 電晶體，其汲極電流ID 與過激電壓Vov（Overdrive Voltage, VGS－Vt）的關係為： (A)ovDV1I∝ (B)ovDVI∝ (C)ovDVI∝ (D)2ovDVI∝

一維持工作於飽和模式（Saturation Mode）的MOSFET，若其汲極電流ID 增為4 倍，則其轉導（Transconductance）參數gm 的值會如何變化？ (A)增為4 倍 (B)增為2 倍 (C)減為一半 (D)減為四分之一

在雙極性接面電晶體（BJT）共射極組態中，小訊號電源是經由一個耦合電容Cc 進入基極，該電容Cc 之主要功能為何？ (A)使電壓增益變大 (B)使電流增益變大 (C)隔離雜訊 (D)隔離直流

空乏型N 通道MOSFET，閘極和源極間電壓VGS 加上一負電壓時，通道導通程度會： (A)變大 (B)變小 (C)不變 (D)無窮大

若雙極性接面電晶體（BJT）工作在主動區（Active Region）的電流IC = 2 mA，電流放大率β = 100，則其轉導（Transconductance）gm 約為若干mA/V？ (A)20 (B)40 (C)80 (D)100

圖示電路中場效電晶體FET 之VT = -0.5 V、μpCox(W/L) = 2 mA/V2，欲此電晶體工作在飽和區（SaturationRegion），電壓vG 應如何？ (A)0.5 V ≤vG ≤3.5 V (B)1.5 V ≤vG ≤3.5 V (C)0.5 V ≤vG ≤2.5 V (D)1.5 V ≤vG ≤2.5 V

如圖為一共汲極（common drain）放大器的簡圖（其偏壓電路未示）。若電晶體的轉導（transconductance）參數為gm，輸出電阻為ro→∞，則此放大器的電壓增益為何？ (A)gmRS (B)gmRS / (1+gmRS) (C)- gmRS (D)-gmRS / (1+gmRS)

接成共射極組態的雙極性接面電晶體（BJT）放大器，其通常之特性為何？ (A)僅具電流放大特性 (B)僅具電壓放大特性 (C)兼具電流與電壓放大特性 (D)沒有電流或電壓放大特性

如圖電路對於小訊號電壓增益，下列敘述何者錯誤？ (A)RC 過大增益可能減低 (B)若電晶體操作於主動區，增加RE 則增益增加 (C)若電晶體操作於飽和區，增加RB 可使電晶體進入順向主動（forward active）區 (D)若電晶體操作於飽和區，增加RE 可使電晶體進入順向主動（forward active）區+10 VVO+－io-10 V100 kΩii10 kΩ (∞)10 kΩ10 kΩ10 kΩ(∞)(∞)+1 V+3 VvGVCCVoRBRCREQ1CVi－+VS

試問一個n 通道MOSFET 的過激電壓（Overdrive Voltage, VGS－Vt）Vov 及其臨界電壓（ThresholdVoltage）Vtn，與MOSFET 各極間電壓的關係式下列何者正確？ (A) Vov＝VGS－Vtn (B)Vov＝VDS－Vtn (C)Vov＝VGD－Vtn (D)Vov＝VBS－VtnVDDIDVoRGCRSVi+VDDvIvoRS

如圖所示放大器，若BJT 電晶體操作於順向主動區（Forward Active Region）且忽略爾利效應（Early Effect），Vi 為輸入，Vo 為輸出，下列敘述何者錯誤？ (A)該放大器為同相放大器 (B)增加R1 則增益增加 (C)增加R2 則增益增加 (D)增加Ib 則增益增加

分析下圖之電路，若MOSFET 之轉導值gm = 1 mA/V 且操作於飽和區，元件之輸出阻抗ro =10 kΩ，Rb =10 kΩ，RD =10 kΩ，RS =1 kΩ，試求Vo /Vi 約為多少？ (A)-10/3 (B)-5 (C)-20/3 (D)-25/3

如圖所示為一共源極（common source）放大器（偏壓電路未繪示），該電路電晶體之Vt＝0.5 V，VDD＝5 V。當VI＝1.5 V 時，MOSFET 工作於飽和（saturation）區，且ID＝1 mA。求使此MOSFET維持工作在飽和區之最大RD 值為何？ (A)1 kΩ (B)2 kΩ (C)4 kΩ (D)8 kΩ

如圖電路為一共源放大器的簡圖，若電晶體之臨界電壓（Threshold Voltage）Vt = 0.5 V；又VDD = 5 V，RD = 2 kΩ，I = 1.5 mA。若要維持電晶體工作於飽和模式，則輸入電壓vI 之最大直流值VI max 為多大？ (A)5 V (B)2.5 V (C)2 V (D)0 V

有一n 通道MOSFET 工作於飽和模式（saturation mode），並構成共源（CS）放大器，該MOSFET 之臨界電壓Vt = 0.5 V。當VGS =1.5 V 時，其ID = 1 mA，則當VGS 增為2.5 V 時，其ID 為： (A)仍為1 mA (B)增為2 mA (C)增為3 mA (D)增為4 mA

若圖中電晶體為N 通道增強型MOSFET，且電壓增益（vo / vi）為 -3.3，則Rin 約為： (A)8.44 MΩ (B)6.32 MΩ (C)4.56 MΩ (D)2.33 MΩ

下圖為npn 電晶體之混合π 等效電路。假設此電晶體在集極電流IC = 1 mA 時其相關參數為β = 100、Cμ = 0.08 pF、Cπ = 0.22 pF，且熱電壓Vt = 0.026 V。請問此電晶體短路電流增益的3 分貝頻率 fβ 約為多少？ (A)166 MHz (B)174 MHz (C)180 MHz (D)204 MHzIbR2VoVCCViR1+-VbBC+-CπrπVπrogmVπECμ+VDD-VSSIRDCSROvI+-vO

關於理想轉導放大器（Transconductance Amplifier）特性之敘述，下列何者正確？ (A)放大器本身之輸入阻抗為0 (B)放大器本身之輸出阻抗為無限大 (C)放大器本身之輸出阻抗與電壓放大器相同 (D)其增益單位為歐姆（Ω）

如下圖電路，其RS＝1 kΩ、CC＝0.2 μF、rπ＝1.2 kΩ、gm＝50 mA/V、RL＝10 kΩ和CL＝2 nF。則此電路之頻寬約為： (A)7000 Hz (B)7300 Hz (C)7600 Hz (D)8200 Hz

圖示雙極性接面電晶體（BJT）電路，若電晶體β = 100，電流I = 1 mA，則輸入阻抗Rin 約為若干kΩ？ (A)2 (B)20 (C)200 (D)500

圖示電路中場效電晶體之臨限電壓VT =1 V、μnCox(W/L) = 100 μA/V2，電壓VD = 0.2 V，則電阻RD 約為若干kΩ？ (A)34 (B)54 (C)74 (D)94

有一電壓放大器的高頻小訊號等效電路如下圖所示。當gm 增加時，利用米勒效應（Miller effect）估計等效輸入電容Cin 及等效輸出電容Cout 的變化趨勢為何？ (A)Cin 變大、Cout 變大 (B)Cin 變大、Cout 變小 (C)Cin 變小、Cout 變大 (D)Cin 變小、Cout 變小VDD＝5 VID＝1 mARDVOVI＝1.5 V+15 V10 kΩ(∞)10 kΩ(∞)－+vo10 MΩ－viRinRSCC－vπ+－rπgmvπRLCLvovivs－RsRinCinCgsCgdgmvgsRLvoCoutvgs+－++

若某一n 通道金氧半場效電晶體（N-MOSFET）之臨界電壓（Threshold Voltage）Vt = 1 V，且其汲極-源極電壓差VDS = 4 V，閘極-源極電壓差VGS = 2V，則此電晶體係操作在下列何種區域？ (A)截止區域（cut-off region） (B)三極管區域（triode region） (C)歐姆區域（ohmic region） (D)飽和區域（saturation region）

如圖為一共汲（CD）放大器的簡圖（其偏壓電路未示）。若電晶體的轉導參數為gm，輸出電阻為ro→∞，則此放大器的輸入電阻Ri 為何？ (A)RS (B)1/ gm + RS (C)∞ (D)0VDDVoViRsRDRbC1VbVDD=3 VRDVD=0.2 VvOvI+VDDRiRs

如圖的共集極（common collector）（CC）放大器（其偏壓電路未繪示），設電晶體工作於順向主動區（forward active region），其小訊號參數gm、re、rπ 均為已知，輸出電阻ro→∞，則此放大器之輸出電阻Rout（不含RL）為： (A)rπ＋Rsig (B)re＋Rsig (C)（rπ＋Rsig）/（β＋1） (D)（re＋Rsig）/（β＋1）

分析下圖之電路，若MOSFET 之轉導值gm = 1 mA/V 且操作於飽和區，元件之輸出阻抗ro = 10 kΩ，Rb = 10 kΩ，RD = 10 kΩ，RS = 1 kΩ。試求輸出阻抗Ro 約為多少？ (A)20 kΩ (B)10 kΩ (C)7 kΩ (D)3 kΩ

以下之放大器若電晶體操作於順向主動區（forward active region），對於小訊號電壓增益，下列敘述何者無法降低放大器之低頻3 dB 頻率ωL？ (A)增加RS (B)增加RB (C)增加RC (D)增加C 值

分析以下之電路，若BJT 皆操作在順向主動區（forward active region）且轉導（transconductance）參數gm 為10 mA/V，β＝100。試求Ri＝？ (A)20 kΩ (B)51 kΩ (C)101 kΩ (D)121 kΩ

如圖之差動對電路，電晶體之gm = 4 mA/V，Vt = 0.5 V，RL = 10 kΩ，RD = 5 kΩ，RS = 0.25 kΩ，I = 0.8 mA，VDD = -VSS = 5 V，求使電晶體維持工作於飽和模式之共模輸入電壓之最大值VCMmax 為何？ (A)2.5 V (B)3 V (C)3.5 V (D)5 VRSRDVoVDDViRoVbC1RbvIRDRDRLVDDRSRSVSSIQ1Q2- vod +VCM + (vid) /2VCM -(vid) /2I+VCCvivo-VEE+-Rin500 kΩ∞∞175 Ω2 kΩ∞2 kΩ

如圖之電路，振盪發生時，R2 / R 為何？ (A)19 (B)29 (C)39 (D)49

如圖電路中若齊納二極體的VZ＝10 V，電源V＝20 V，R＝2 kΩ，RL＝5 kΩ，則流過齊納二極體之電流IZ 大約有多大？ (A)0 (B)2 mA (C)3 mA (D)5 mA

下列有關於以運算放大器組成之韋恩電橋振盪器（Wien-Bridge Oscillator）的描述，那一項正確？ (A)正回授電路是LC 電路 (B)負回授電路是電阻組成之分壓電路 (C)正回授電路的相移是90° (D)正回授量小於負回授量

下列那一種振盪器是屬於較低頻的正弦波振盪器？ (A)考畢子振盪器 (B)韋恩電橋振盪器 (C)哈特萊振盪器 (D)石英晶體振盪器

具有相位落後特性的電路，其輸出相對於輸入而言有下列何項特性？ (A)電壓放大 (B)電流放大 (C)時間延遲 (D)時間超前

如圖所示之理想運算放大器電路，其 -3 dB 頻率為何？ (A)65.5 kHz (B)75.5 kHz (C)85.5 kHz (D)95.5 kHz

如圖所示之電路，假設電晶體操作在順向主動區，忽略爾利（Early）效應與所有其他電容，假使此電路之功率消耗為2 mW 且低頻增益值為2.45，VT = 26 mV，則其 - 3 dB 頻寬為何？ (A)1 GHz (B)2 GHz (C)3 GHz (D)4 GHzVCCRCRBVoViRS CREQ1R2VoRR+－RCCC2.5 VVoR1Vin2 pF

如圖之差動對電路，電晶體之β＝100，ro→∞，RC＝4 kΩ，I＝2 mA，VCC＝-VEE＝10 V，取VBE(on)＝0.7 V，VCE(sat)＝0.3 V，VT＝25 mV，當v B1＝v B2＝0 時，vE 之值約為何？ (A)0 (B)-0.3 V (C)-0.7 V (D)-10 VVccRsig ViRoutRLVoVsig +－VDD10 kΩ10 kΩRiViQ1Q21 kΩIb1Ib2VRIZVZRLVCCRCvc1iC1 iC2RCvc2vIvB2vEvB1IVEE－－－

如圖之理想運算放大器電路，下列敘述何者正確？ (A)VR2 之波形為方波 (B)VR2 之波形為三角波 (C)VR2 之波形為正弦波 (D)VR2 之波形為直流

如圖之電路，振盪發生時其振盪頻率為何？ (A)198 Hz (B)298 Hz (C)398 Hz (D)498 Hz

圖示電路，若電晶體Q1、Q2、Q3 之特性完全相同，則IO / IREF 與β 之關係約為： (A) 與β 無關 (B)β/211+ (C)2/211β+ (D)3/211β+

有一電路的轉移函數1100)(+= ssT，頻率為10 rad / sec 時，增益約為若干dB？ (A)0 (B)20 (C)40 (D)60

如圖所示之理想運算放大器電路，電源為± 15 V，則此電路之遲滯（Hysteresis）電壓範圍約為何？ (A)10 V (B)15 V (C)18 V (D)30 V

圖示摺疊式疊接（folded cascode）放大器，vI 為輸入電壓，vO 為輸出電壓，相較於傳統疊接（cascode）放大器，摺疊式疊接放大器的主要目的在： (A)提高輸入阻抗 (B)提高電壓增益 (C)降低輸出阻抗 (D)降低所需電源電壓

下列何者是影響放大器高頻響應衰減的因素？ (A)旁路電容 (B)耦合電容 (C)電晶體的內部電容 (D)電源供應器的濾波電容

下圖振盪器電路中，Vo 輸出是屬於下列那一種波形？ (A)三角波 (B)方波 (C)正弦波 (D)脈波

一環形振盪器是由五個反相器所構成，若反相器的傳播延遲為4 ns，其振盪頻率為何？ (A)10 MHz (B)25 MHz (C)50 MHz (D)100 MHz

如圖所示放大器，外接電容為CC1、CC2 和CS，MOSFET 的寄生電容為Cgs 和Cgd。當電壓增益的絕對值VA越大時，有關此放大器的頻率響應頻寬BW，下列敘述何者正確？ (A)VA越大，BW 越寬 (B)VA越大，BW 越窄 (C)VA與BW 之間不是絕對的正向或反向關係，BW 主要受其他參數而變寬變窄 (D)VA與BW 無關係，BW 不受VA影響+-5 kΩVoVi1 kΩ2 nF+-VR2R+VCCVo-CR1R2-VCC-++VCIVo-VSSQ1+-RSVsigCC1RGRLCSCC2RDVDD

下列為一被動式濾波器（Passive filter），試研判此電路是何種濾波器？ (A)低通濾波器 (B)高通濾波器 (C)帶通濾波器 (D)全通濾波器R1R1ViCR2R1R2+－VoR3Vo-VCCVi2 kΩ1 V+－0.1 μF4 kΩ4 kΩR1R20.1 μF+－Vo3 kΩ+VCCC－+Vo++－－

達靈頓放大器具有下列何種特性？ (A)低的輸入阻抗 (B)高的輸出阻抗 (C)小的電流增益 (D)放大器內部兩電晶體採用「共集極」組態

一個MOS 疊接放大器（Cascode Amplifier）主要是用來達成下列那一個功能？ (A)降低輸出電阻 (B)提高電流增益 (C)提高輸入電阻 (D)提高頻寬

圖中振盪器μH10L1π=，μH30L2π=，nF100Cπ=。其振盪頻率約為： (A)1 MHz (B)500 kHz (C)250 kHz (D)125 kHz

某一放大器的中頻帶電壓增益為100，若其低頻 -3dB 頻率為1 kHz，當操作頻率為f＝100 Hz 時，則此時電壓增益約為： (A)100 (B)10 (C)1 (D)0

有一放大器電路的轉移函數（Transfer Function）)(/)()(sVsVsFIO=，其中s = jω = j2πf ：⎟⎠⎞⎜⎝⎛×+⎟⎠⎞⎜⎝⎛×+×−=44510811021102110)(πππssssF，欲估計此放大器在高頻的3 dB 頻率f 3dB，下列何者正確？ (A)接近5 kHz (B)接近10 kHz (C)接近50 kHz (D)接近100 kHz

一個放大器在中段頻率範圍內，輸出電壓峰值為10 V，則在高3 分貝頻率（Upper 3 dB Frequency）時輸出電壓峰值約為多少？ (A)5 V (B)7 V (C)10 V (D)14 V

一BJT 放大器操作在IC＝1 mA 下，其單一增益頻率（unity-gain frequency）為200 MHz，其電容Cπ為24 pF，其電容Cμ 值為何？ (A)8 pF (B)12 pF (C)20 pF (D)24 pF

下圖為由理想運算放大器所組成之考畢子振盪器電路，其振盪頻率為何？ (A)()2121CCLf+=π (B)2121CLCfπ= (C))(2121CCLfπ= (D))(212121CCCCLf+=π

分析以下之電路，若BJT 操作在順向主動區（forward active region）且轉導值gm 為10 mA/V，Ibias 為理想直流偏壓電流，電晶體之β = 10。忽略元件之輸出阻抗ro，試求Vo /Ii 約為多少？ (A)10 kΩ (B)100 kΩ (C)120 kΩ (D)1.2 MΩ

有一放大器電路的轉移函數（Transfer function）F(s)＝VO (s) / VI (s)，其中s＝jω＝j2πf：2106110)(×+=πsssF試估計此放大器在頻率f＝3 kHz 時的電壓增益，下列何者正確？ (A)dB55)()(kHz3>=fIOsVsV (B)dB55)()(dB35kHz3≤<=fIOsVsV (C)dB35)()(dB15kHz3≤<=fIOsVsV (D)dB15)()(kHz3≤=fIOsVsVIREFIOQ1Q2VDDvIQ1I1Q2VBIASvOI2Q3

分析以下之電路，若MOSFET 操作在飽和區且轉導值gm 為1 mA / V；BJT 操作在順向主動區（Forward ActiveRegion）且轉導值gm 為10 mA / V，β = 10。忽略元件之輸出阻抗ro，試求Vo / Vi =？ (A)55/6 (B)55/3 (C)-55/6 (D)-55/3RRFR1C2C1LVoVi1 kΩVDDM1Q110 kΩ

分析以下之電路，若MOSFET 皆操作在飽和區且轉導值gm 為1 mA/V，忽略元件之輸出阻抗ro，試求其輸入端等效之偏移電壓（offset voltage）|Vos| =？ (A)1 mV (B)2 mV (C)10 mV (D)20 mVVDDVoVi9.9 kΩ10.1 kΩM1 M2Vo10 kΩIbiasQ1Q2IiVCCL12 mACRL2+－