電子工程 93 年半導體工程考古題
民國 93 年（2004）電子工程「半導體工程」考試題目，共 10 題 | 資料來源：考選部
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MOSFET 有那兩種？如何區分？（20 分）
解釋下列名詞：（20 分）
半導體材料中之『有效質量』。
半導體材料中之『費米能階』。
半導體材料中之飄移速度（drift velocity）。
半導體材料中之『空乏區』如何形成？
描述四點探針法及其量測片電阻之好處。（20 分）
請畫出金屬／n-type 半導體接面之理想能帶圖（假設金屬之功函數φm<半導體之功函
數φs），同時說明其屬於何種接觸（contact）並解釋其原因。（20 分）
LOCOS 是什麼？請描述此製程，並說明會有何缺點。（20 分）
何謂淺溝渠隔離（shallow trench isolation, STI）製程，其有何好處？取代何種製程？
（20 分）
100 keV 之砷離子（帶單一電荷）於電流1 mA 植入200 cm2 之矽晶圓，植入時間為
10 分鐘，請參考下圖，
植入之離子劑量為多少ions/cm2？（5 分）
植入之RP 與ΔRP 值為多少？（5 分）
於RP 位置植入之濃度為多少？（5 分）
於何位置植入之砷離子濃度降為於位置RP 時之濃度之10
－2？（5 分）
金／氧／半（MOS）電容之電容－電壓關係如下圖所示, 若元件面積為2×10-3 cm2，
金屬／半導體功函數差為φms = -0.5 V，氧化層為SiO2（介電係數為3.9），半導體為
Si（介電係數為11.7），且其濃度為2 × 1016 cm-3。請說明
半導體為n 型或p 型？
氧化層厚度為何？
捕捉之電荷密度量？
計算平代電容值（flat-band
capacitance）。（20 分）
於化學氣相沉積時，存在那兩種反應機制（mechanism）？反應速率如何決定？
（8 分）
何謂蒸氣壓？（4 分）
請定義凝結與汽化？（4 分）
請說明吸收與吸附之差異。（4 分）
請繪出穿遂二極體（tunnel diode）之電流－電壓關係圖，並以電壓 < 0，電壓 = 0，
電壓 > 0 之能帶圖說明之。（20 分）
金／氧／半（MOS）電容之電容－電壓關係圖
C(pF)
200
CFB
20
VF 0 VG
＝－0.8 V
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