電子工程 99 年電子元件考古題
民國 99 年（2010）電子工程「電子元件」考試題目，共 5 題 | 資料來源：考選部
0 題選擇題 + 5 題申論題
一個均勻摻雜的pn 接合面濃度是na=1019 cm-3 以及nd=1014 cm-3。若ni=1010 cm-3，
kT/q=0.026 V。（每小題5 分，共20 分）
當外加偏壓V=0 時，空乏區兩側邊緣的少數載子濃度分別是多少？
當外加偏壓V=0.6 V 時，空乏區兩側邊緣的少數載子濃度分別是多少？
當外加偏壓V=0.6 V 時，空乏區兩側邊緣的過量少數載子（excess minority carrier）
濃度分別是多少？
當外加偏壓V=0.6 V 時，空乏區兩側邊緣的多數載子濃度分別是多少？
一個N+複晶矽-二氧化矽-p 型矽基板的MOS 電容器內，當基板摻雜濃度減少時，請
說明下列各參數有何變化，並簡單解釋。（每小題4 分，共20 分）
累積區電容。
空乏區電容。
反轉區電容。
平帶電壓（flat-band voltage）。
臨界電壓（threshold voltage）。
什麼是複晶矽閘極空乏現象（poly-Si gate depletion）？（10 分）
它對MOS 元件的各項特性有何影響？（10 分）
說明BJT 元件的基極採用矽鍺化合半導體有何優點？（10 分）
鍺在基極的濃度須如何設計，為什麼？（10 分）
畫出pn 接面受不同的光強度照射時的I-V 曲線圖（標明光強度大小）。（6 分）
在上圖中指出p-i-n 光二極體（photodiode）和雪崩光二極體（avalanche photodiode）
的工作區域。（6 分）
p-i-n 光二極體和雪崩光二極體應用在光纖通訊領域時各有何優點？（8 分）
電子工程 99 年其他科目
半導體工程國文工程數學法學知識與英文計算機概論電子學電磁學電路學公民與英文基本電學大意電子學大意原住民族行政及法規計算機概要電子儀表概要電子學概要憲法與英文積體電路技術通訊系統電子計算機原理電磁學與電磁波電路分析高等電子電路學法學知識基礎能力測驗基本電學中華民國憲法與英文積體電路技術研究策略規劃與問題解決高等電子電路學研究原住民族行政及法規大意與英文半導體元件半導體製程固態物理專利法規積體電路製程技術原住民族行政及法規大意半導體元件物理法學知識(包括中華民 國憲法、法學緒論))國 文(作文、公文與測驗)綜合知識測驗(中華民國憲法概要、原住民族行政概及法規概要)綜合知識測驗(中華民國憲法概要、原住民族行政及法規概要)綜合知識測驗(中華民國憲法、原住民族行政及法規)中華民國憲法世界地理大意公民與本國史地大意中華民國憲法概要本國歷史與地理概要物理數位信號處理數位系統設計專業知識測驗(基本電學)綜合知識測驗(一)(中華民國憲法概要、本國歷史、地球科學)綜合知識測驗(二)(法學緒論、數的推理)民用航空法無線電助導航設備航空通信設備電子計算機大意電路學大意專業知識測驗(工程數學、電路學)綜合知識測驗(一)(中華民國憲法、法學緒論、數的推理)綜合知識測驗(二)(本國歷史、地球科學、英文)中外地理中外地理大意公路法數位通信計算機結構高等電子學高等電磁學電信工程電子計算機原理及應用電子電路