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電子工程 102 年固態物理考古題

民國 102 年(2013)電子工程「固態物理」考試題目,共 4 題 | 資料來源:考選部

0 題選擇題 + 4 題申論題

簡單立方晶格(simple cubic lattice)的原始向量(primitive vector)為a1=ax, a2=ay, a3=az;x, y, z 為單位向量。推導簡單立方晶格倒置晶格(reciprocal lattice) 的原始向量b1, b2, b3。(10 分) 矽的晶體結構為鑽石結構,可利用簡單立方晶格加上多原子的基底(basis)來構 成。問基底的原子數目,並列出基底原子的座標(以簡單立方晶格的原始向量為 單位向量)。(10 分) 利用基底的結構因子(structure factor)將簡單立方晶格的倒置晶格變換成矽的倒 置晶格;變換後簡單立方倒置晶格中有些晶格點會消失,列出這些點的數學條件。 (提示:結構因子的公式:SG=Σ fj exp(-iG · rj),其中fj 為原子散射因子(atomic form factor),G 是倒置晶格向量。rj 是基底原子的實空間位置向量。)(10 分)
以近似自由電子模型(nearly free electron model)考慮一塊三維半導體;其導電 帶的電子能量為E(k)=EC+ħ2k2/(2me),推導此導電帶的電子能態密度(density of state)D(E-EC)。(15 分) 假若費米能量EF 遠低於EC,即(EC-EF)>>kBT;kB 為波茲曼常數,T 為絕對溫度。 計算半導體導電帶電子濃度n 之值。(10 分)
考慮一塊半導體材料,載子的濃度為n,電荷為q,等效質量為meff。在材料的 x 方向加上外加電場Ex,造成單位面積電流Jx。試以牛頓第二運動定律推導Jx 與 Ex 的關係式。其中應考慮載子的散射,散射的鬆弛時間為τ。(10 分) 在z 方向再外加磁場Bz。若令此材料y 方向的電流Jy為零,試求Ey與Ex的關係, 以及霍爾係數RH=Ey/(JxBz)之值。(15 分)
何謂馬德隆常數(Madelung constant)?(10 分) 說明順磁性物質與居禮定律(Curie law)。(10 分)

電子工程 102 年其他科目

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