資料來源：司法院裁判書系統
1智慧財產法院行政判決
2108年度行專更（一）字第2號
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4原告美商奈平科技股份有限公司
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7代表人H.CarolBernstein
8
9訴訟代理人陳翠華專利師（兼送達代收人）
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12訴訟代理人陳群顯律師
13被告經濟部智慧財產局
14
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16代表人洪淑敏（局長）住同上
17訴訟代理人薛惠澤
18參加人羅門哈斯研磨材料控股公司
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20
21代表人BlakeT.Biederman
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23訴訟代理人黃麗蓉律師
24馮達發律師
25複代理人李彥群律師
26上列當事人間因發明專利舉發事件，原告不服經濟部中華民國106
27年3月31日經訴字第10606302920號訴願決定，提起行政訴訟，
11經本院於中華民國107年4月12日以106年度行專訴字第39號
2行政判決，原告不服，提起上訴，嗣經最高行政法院於108年5
3月24日以108年度判字第250號判決將原判決廢棄，發回本院，
4本院更為判決如下：
5主文
6訴願決定及原處分關於「請求項3至4舉發不成立」之部分均撤
7銷。
8被告就發明第176078號「化學機械平面化之拋光襯墊」專利舉發
9事件（案號：000000000N02），應為「請求項3至4舉發成立，
10應予撤銷」之處分。
11訴訟費用由被告負擔。
12事實及理由
13壹、事實概要︰
14參加人於民國（下同）90年5月25日以「化學機械平面化之
15拋光襯墊」向被告申請發明專利（申請專利範圍共10項，第
161、8項為獨立項，其餘為附屬項），並以西元2000年5月
1727日申請之美國第60/207,938號專利案及2000年7月28日
18申請之美國第60/222,099號專利案主張優先權，經被告編為第
1990112660號審查後，於92年3月5日核准專利，並於92年4
20月21日公告發給第528646號專利證書（註冊號為第176078
21號，下稱系爭專利）。嗣原告於101年4月27日以系爭專利
22違反90年10月24日修正公布、90年10月26日施行之專利
23法（下稱90年專利法）第20條第1項第1款、第2項及第
2471條第3款之規定，而對之提起舉發。參加人乃於103年2
25月14日提出申請專利範圍更正本，經被告審查，於105年10
26月28日以（105）智專三（三）05048字第10521337420號專
27利舉發審定書為「103年2月14日之更正事項，准予更正。
21請求項1至2、5至7舉發成立，應予撤銷。請求項3至4舉
2發不成立」之處分（下稱原處分）。原告不服其中關於「103
3年2月14日之更正事項，准予更正」及「請求項3至4舉發
4不成立」部分之處分，提起訴願，經決定駁回，原告仍未甘服
5，遂向本院提起行政訴訟。經本院依職權命參加人獨立參加本
6件被告之訴訟，並以106年度行專訴字第39號（下稱前審）
7判決駁回原告之訴，原告不服提起上訴，經最高行政法院108
8年度判字第250號判決廢棄發回本院更審。
9貳、原告之主張：
10一、更原證7號可與更原證6號相互勾稽，而證明更原證6號所
11載之IC1000拋光墊等實驗數據在2000年4月27日已公開：
12更原證7號E7.3簡報場次之標題、發表者、分析之IC1000
13及SUBAIV拋光墊產品，與更原證6號完全一致，內容亦充
14分吻合，故更原證7號之2000年4月27日研討會議程資料可
15與更原證6號研討會簡報資料相互勾稽，而可證明更原證6號
16公開於2000年4月27日，早於系爭專利之最早優先權日
172000年5月27日，具有證據能力（辯論意旨狀第5頁）。縱
18使考量更參證1號（然原告並不同意），系爭專利之發明所屬
19技術領域具通常知識者基於先前技術、更參證1號第11頁內
20容、與更原證7號之相互勾稽，可確認於更參證1號「智勝科
21技版簡報」中，材質較為堅硬之拋光襯墊「A」為IC1000，
22材質則較具撓性之拋光襯墊「B」則為SUBAIV，更參證1
23號之內容與更原證6號實質相同，前述形式上差異，無損於更
24原證6號所載之IC1000拋光墊等實驗數據於2000年4月27
25日研討會公開之事實。
26二、更原證6號與更原證7號並無專利法第81條之適用：
27本件最高行政法108年度判字第250號判決發回意旨明確指出
31本院前審判決「僅憑前案確定判決（即本院98年度行專訴字
2第67號判決）即認定本案證據6（即更原證6號）不得作為
3系爭專利之先前技術，即有認定事實未憑證據之違法」，則參
4加人再徒執本院前案確定判決（即本院98年度行專訴字第67
5號判決），主張更原證6號已遭認定不具證據能力而告確定云
6云，依據行政訴訟法第260條第3項之規定，本院自應依據最
7高行政法院發回理由之法律上判斷為判決基礎，詳予審究更原
8證6號是否得與更原證7號相互勾稽而證明更原證6號之公
9開日期早於系爭專利優先權日乙節加以判斷，更原證6號與更
10原證7號並無專利法第81條一事不再理之適用。
11三、系爭專利發明所屬技術領域具通常知識者可清楚瞭解，更原
12證6號第7頁圖式之縱軸所示儲存模數，為系爭專利說明書
13及請求項3所界定之張力模數E'：
14更原證6號第6頁已明確記載其實驗條件（「Experimental
15Conditions」），顯示係以拉伸（tension）模式、1Hz（「
16Tension:1Hz」）的條件來進行量測。依系爭專利說明書第
1711頁第1行所提ASTMD4092-90（更審附件1號）之定義，
18在聚合物之動態機械性質量測所使用的技術用語中，E'與G'皆
19為「儲存模數（storagemodulus）」，其中，透過剪力（shear
20）模式所量測之模數為G'，透過拉伸（tension）模式所量測
21之模數則為E'。此即，E'與G'雖皆為「儲存模數（storage
22modulus）」，但係以不同模式所量測得到之數值，以拉伸（
23tension）模式所量得之儲存模數的數值為E'，即系爭專利之
24張力模數（或稱「張力儲存模數」），以剪力（shear）模式
25所量得之儲存模數的數值則為G'，為更原證4號所揭露之剪
26力模數（或稱「剪力儲存模數」）。E'與G'之間則存在揭露於
27更原證5號且為參加人所確認之關係E'=2（1+μ）G'。基於
41更原證6號第6頁關於量測條件之記載，更原證6號第7頁
2圖式之縱軸所顯示的儲存模數必定為張力儲存模數E'。
3更原證14號亦清楚記載，其實驗條件係以拉伸（tension）模
4式、1Hz的量測條件進行者。更原證14號所量測之storage
5modulus為張力模數，其圖1結果與更原證6號第7頁圖式結
6果一致，其中縱軸之「Storagemodulus」為張力模數，為系爭
7專利之說明書與申請專利範圍所界定且用以計算KEL值之E'
8。
9綜上，更原證6號第7頁圖式之縱軸所顯示之儲存模數必定
10為張力儲存模數（或稱「張力模數」），為系爭專利說明書及
11申請專利範圍所界定之用以計算KEL值之E'。
12四、熟習此項技術者可由更原證4號及更原證5號之組合得知
13IC1000拋光墊在40℃的張力模數值，更原證4號與更原證5
14號之組合可證明系爭專利請求項3不具進步性：
15系爭專利請求項3係依附於請求項1之附屬項，進一步界定
16「該拋光層具有一在40℃時約為150到2,000MPa的張力模數
17」。
18本院106年行專訴字第34號判決已清楚認定「證據10（即本
19件更原證4號）與證據11（即本件更原證5號）之組合，可
20以證明更正後請求項1不具進步性」，前述認定並經最高行
21政法院108年度判字第249號判決駁回上訴而確定。本院106
22年行專訴字第34號判決更已認定「熟悉該項技術者經參酌證
23據10及11（即更原證4及5號）可以理解，由於證據10明
24確揭露可利用黏彈性材料之原理進行量測及估算，並假設μ為
250.5，而證據11明確揭露當μ＝0.5時，E＝3G」以及「熟習
26該項技術者就被證10所揭示之G'值，參酌上述該領域申請前
27的通常知識，可以換算出得到E'值」，前述認定，亦經最高
51行政法院駁回上訴而確定。因此，熟習此項技術者經參酌更原
2證4號及更原證5號可以理解E＝3G而得基於G'值算出得到
3E'值之結果。
4另更原證4號圖4已清楚揭示IC1000拋光墊在30℃至90℃之
5溫度範圍區間的G'值，顯示IC1000拋光墊在40℃時的G'值依
6量測頻率分別為約70MPa（0.5Hz）與約75MPa（1.0Hz）。
7從而，熟習此項技術者經參酌更原證4號及更原證5號可以
8理解E＝3G而得基於G'值算出得到E'值之結果，當然可以算
9出IC1000拋光墊在40℃時的E'值（張力模數值），依量測頻
10率分別為約210MPa（0.5Hz）與約225MPa（1.0Hz），均落
11入系爭專利請求項3所進一步界定之「約150到2,000MPa」
12範圍。
13綜上，於系爭專利優先權日以前揭露於更原證4號的IC1000
14拋光墊具有系爭專利請求項3之拋光襯墊的全部技術特徵，
15更原證4號與更原證5號之組合不僅可以證明系爭專利請求
16項1不具進步性，亦可證明系爭專利請求項3不具進步性。
17五、熟習此項技術者可由更原證6號得知IC1000拋光墊在30℃與
1890℃之E'比值以及在40℃的張力模數值與KEL值，更原證4
19號、更原證5號、與更原證6號（更原證7號、更原證14號
20補強證據併參）之組合可證明系爭專利請求項3及4不具進
21步性：
22系爭專利請求項3係依附於請求項1之附屬項，進一步界定
23請求項1所請具有拋光層之拋光墊，「該拋光層具有一在40
24℃時約為150到2,000MPa的張力模數」，該張力模數E'技術
25特徵並無量測頻率之限制。此即，請求項3之範圍乃涵蓋以
26任何頻率量測而數值為「約150到2,000MPa」的張力模數E'
27值。至於系爭專利請求項4，其亦依附於請求項1，進一步
61界定「該拋光層具有一約為100到1000（1/Pa在40℃時）之
2KEL」，同樣地，該KEL技術特徵亦無量測頻率之限制而涵
3蓋以任何頻率量測之數值為「約為100到1000（1/Pa在40℃
4時）」的KEL值。
5更原證4號與更原證5號之組合，可以證明系爭專利請求項1
6不具進步性，其中，由更原證4號圖4可以看出，相同拋光
7墊在不同頻率下所量測之儲存模數E'，其30℃與90℃之數值
8的比值，不會因為頻率的差異而有實質上的不同，此於
9IC1000或SubaIV皆然；尤其，由於頻率1.6Hz與1Hz之差
10異極小，故當IC1000於1Hz下、在30℃和90℃時所量測之
11E'的比值落入系爭專利請求項1所界定之1至3.6間的範圍內
12時，可以當然推測IC1000於頻率1.6Hz下、在30℃和90℃所
13量測之E'的比值亦必然落入1至3.6間的範圍內。
14由更原證6號第7頁所示之曲線圖可知，該IC1000拋光墊以
151.0Hz量測在30℃與90℃之E'比值為約3.1，落入1至3.6之
16間。由於頻率1.6Hz與1.0Hz之差異極小，可以當然推測該
17IC1000拋光墊以1.6Hz量測在30℃與90℃之E'比值亦必然落
18入1至3.6之間。另由更原證6號第7頁之曲線圖亦可換算得
19到，該IC1000拋光墊在40℃之E'值為約310MPa，在40℃
20之KEL值為約290（1/Pa）。因此，更原證6號所揭露
21IC1000拋光墊係具有系爭專利請求項1之E'比值技術特徵、
22請求項3進一步界定之張力模數值技術特徵、以及請求項4
23進一步界定之KEL值技術特徵，更原證4號、更原證5號、
24與更原證6號之組合可證明系爭專利請求項3及4不具進步
25性。
26對於系爭專利請求項1界定之E'比值技術特徵，系爭專利之
27說明書並無任何對於功效增進之說明或足以支持功效之實施例
71、數據等之記載，且對於為何以10弳度／秒（即1.6Hz）之
2頻率進行量測亦無任何說明，根本無從認定系爭專利請求項1
3拋光墊有何異於既有之技術或知識的功效。因此，更原證6
4號（更原證7號、更原證14號補強證據併參）可證明系爭專
5利請求項1不具進步性，則由於更原證6號所揭露IC1000拋
6光墊更具有系爭專利請求項3進一步界定之張力模數值技術
7特徵、以及請求項4進一步界定之KEL值技術特徵，更原證
84號、更原證5號、與更原證6號之組合（更原證7號、更原
9證14號補強證據併參）當然可以證明系爭專利請求項3及4
10不具進步性。
11綜上，熟習此項技術者可由更原證6號得知IC1000拋光墊在
1230℃與90℃之E'值的比值（即E'比值）以及在40℃的張力模
13數E'值與KEL值，更原證6號所揭露IC1000拋光墊具有系爭
14專利請求項1、3、4之拋光襯墊的全部技術特徵，更原證4
15號、更原證5號與更原證6號之組合，可以證明系爭專利請
16求項3及4不具進步性。
17六、並聲明：1.訴願決定及原處分關於「請求項3至4舉發不成立
18」之部分均撤銷。2.被告就發明第176078號「化學機械平面
19化之拋光襯墊」專利，應再作成「請求項3至4舉發成立，
20應予撤銷」之處分。3.訴訟費用由被告負擔。
21參、被告之答辯：
22一、本案證據37（即更原證7號）與證據5（即更原證14號）可
23互相勾稽，證明證據5之公開日期早於系爭專利優先權日，
24惟證據37與證據6（即更原證6號）無法互相勾稽，尚難證
25明證據6之公開日期早於系爭專利優先權日：
26更原證14號與更原證7號之主辦單位均為「Materials
27ResearchSociety」，場次均為「SYMPOSIUME7.3」，作者
81均為「IreneLi等人」，因此更原證14號與更原證7號可相互
2勾稽，更原證14之公開日期即為更原證7之2000年4月26
3至27日，早於系爭專利之優先權日（2000年5月27日及
42000年7月28日）。
5更原證6之簡報資料並未記載任何日期，其標題為「
6MechanisticAspectsoftheRelationshipBetweenCMP
7ConsumablesandPolishingCharacteristics」，作者為「IreneLi
8等人」，與更原證7第116頁之E7.3場次之標題與作者均相
9同。惟在最高行政法院100年度判字第2223號判決乙案中，
10該案舉發人提出之簡報內容，列為證據2-5（參見本件參加人
11行政訴訟更審參加補充答辯狀之更參證1），該簡報之內容
12與頁數與本案更原證6之簡報內容相同，差別在於更原證6
13明確標定其拋光墊為IC1000或SUBAIV，上開案證據2-5（
14更參證1）簡報以A與B代稱兩量測之拋光墊，則該簡報與
15本案更原證6簡報在外觀上即有不同，卻均指稱為該研討會
16之簡報內容，是以，本件更原證6尚無法與更原證7號相互
17勾稽，而能認定證據6之公開日期。
18二、熟習該項技術者依證據10（即更原證4號）所揭示之G'值、
19證據11（即更原證5號）所揭露之公式及相關技術內容，無
20法換算推論得知IC1000光墊在40℃的張力模數之絕對數值：
21更原證4號第602頁之2.1指出G'為動態剪切模數（
22dynamicsshearstress），為頻率之函數，係用動態機械分析（
23DMA）量測，在設定之頻率旋轉下量測之數值。又系爭專利
24說明書第9頁第19至24行即指出「拋光作用為一動態過程且
25不可能利用靜態參數來充分定義」，因此E'為儲存模數，係
26在DMA所量測之彈性應力對形變之比例，更原證4號所揭示
27之G'亦為在DMA所量測之剪切模數數值，可依據更原證5
91號所揭露之公式換算其E'值。但系爭專利、更原證4號或更
2原證5號中均未指出，張力模數（E）與儲存模數（E'）或
3動態剪切模數（G'）之對應關係，因此，由更原證4號、更
4原證5號所揭示之儲存模數（E'）或動態剪切模數（G'）並
5無法換算推論得知IC1000光墊在40℃的張力模數之絕對數值
6。
7三、證據6（即更原證6號）所記載之儲存模數（StorageModulus
8）究係張力儲存模數或剪力儲存模數？由更原證6號所揭露
9之技術內容，究可否得知ICl000拋光墊在40℃之張力模數，
10並進而推算其KEL？又所稱「實際實驗參數條件」為何？熟
11習該項技術者，參酌更原證4號、更原證5號可否輕易得知
12？
13系爭專利說明書第10頁第1段所載：「黏彈性材質展現黏性
14和彈性兩種行為來回應一外加形變，所產生之應力訊號可被分
15離成兩種成份：一種與形變相位一致之彈性應力，以及一種與
16形變率相位一致但與形變相位差90度之黏度應力，彈性應力
17係一種材質其行為如一彈性固體之程度的測量，而黏度應力則
18為該材質其行為如一彈性固體之程度的測量，彈性及黏度應力
19係透過應力對形變之比例（此比例可被定義為模數）而與材質
20性質形成關聯，因此，彈性應力對形變之比例為儲存（或彈性
21）模數而黏度應力對形變之比例為損失（或黏度）模數。當以
22拉伸或壓縮來進行試驗時，E'和E"分別指定為儲存和損失
23模數」。因此E'係指儲存模數（Storagemodulus）為彈性應
24力對形變之比例，為一種張力儲存模式，E"係指損失模數（
25Lossmodulus）為黏度應力對形變之比例，為一種剪切損失模
26數。
27更原證6號尚無法與更原證7號相互勾稽，無法認定更原證6
101號之公開日期，已如前所述。由更原證14號之E7.3.1頁介紹
2之第2、3段可知其係使用E7.3.2頁第1段之內容可知G'為
3儲存模數（Storagemodulus），是直接量測物質之彈性特質並
4且審度該物質之回復或儲存的能力，與系爭專利定義之儲存模
5數（Storagemodulus）相同，因此更原證14號之儲存模數G'
6（StorageModulus）為張力儲存模數。因此更原證14號（或
7更原證6號）所揭示之儲存模數（StorageModulus）G'，為
8ICl000拋光墊在動態機械分析儀（DMA）實際實驗參數條件
9為預先將拋光墊泡在研磨液24小時後，在特定的頻率下（
101Hz）量測所得，更原證14號或更原證6號自然無法進一步
11推論得知ICl000拋光墊在40℃之張力模數之絕對數值。
12至於KEL值為E'與E"及tanδ之函數，由於更原證6號之
13公開日期尚無法確定，因此原告主張由更原證6號所揭露之
14內容即無法得知ICl000拋光墊在40℃之張力模數，並進而推
15算其KEL之數值。
16四、並聲明：1.原告之訴駁回；2.訴訟費用由原告負擔。
17肆、參加人之陳述：
18一、更原證6與更原證7不具證據能力：
19針對系爭專利，被告另案於102年7月18日（102）智專三
20（三）06022字第10220944920號舉發審定書認定：「依智慧
21財產法院98年度行專訴字第67號判決，引證一（含引證1-1
22至1-13）並不具證據能力」。其中，該引證1-4即為更原證7
23，該引證1-5即為更原證6。該案舉發人該案舉發人智勝科技
24股份有限公司（下稱智勝科技）未提起行政救濟，故前開舉發
25審定書因而確定。本案更原證6與更原證7既遭認定不具證
26據能力確定，依專利法第81條第1款規定，原告自不得再據
27此兩證據以否定系爭專利之有效性。
111二、更原證6應屬偽作：
2在最高行政法院100年度判字第2223號判決乙案中，該案舉
3發人智勝科技在95年4月18日提起該舉發案時，即提出某簡
4報，並列為證據2-5（請見更參證1號，進入行政訴訟後，該
5證據改列為引證1-5，下稱「智勝科技版簡報」）。細觀「智
6勝科技版簡報」可知，其並未標定其量測之拋光墊名稱，而僅
7以A與B代稱之（更參證1號第3、7、9頁）。復遍觀最高
8行政法院100年度判字第2223號判決乙案，自舉發階段至最
9高行政法院審理階段，智勝科技所提出之「智勝科技版簡報」
10，均是以A與B代稱兩量測之拋光墊。惟在本案中，原告於
11101年4月27日提起本件舉發案時，所提出更原證6，內容
12與頁數與「智勝科技版簡報」相同，但更原證6則是明確標定
13其拋光墊為IC1000或SUBAIV（更原證6號第3、7、9頁）
14，而與「智勝科技版簡報」有異。參酌原告是在101年4月
1527日提出本案更原證6，不僅晚於「智勝科技版簡報」（95
16年4月18日提出），更晚於最高行政法院100年度判字第
172223號判決（100年12月22日），故本案更原證6應是臨訟
18製作甚明。
19三、更原證6與更原證7實無從相互勾稽以證明更原證6公開日
20早於系爭專利優先權日：
21更原證6並未記載任何日期，且遍查更原證6內容，俱無更原
22證7所提及之「MSW2000,Klebosol1498,Klebosol1501」等各
23式研磨漿、「DMF,DMSO」等有機溶劑。尤其是，更原證7
24所載該場次之重要發現，即流體吸收、硬度變化與pH值有關
25，更原證6更是完全未提及。是以，更原證6既無記載更原證
267該E7.3場次所表明之核心內容，則兩者自無從相互勾稽，
27以證明更原證6之公開日期早於系爭專利優先權日。
121四、原告援引更原證4所測拋光墊之物理性質，以主張系爭專利
2請求項3與4欠缺進步性云云，惟此前提應建立在該拋光墊
3之實際物理性質之上，而非該拋光墊之假設物理性質之上：
4最高行政法院100年度判字第2223號判決（更審前卷參證2
5號）及本院98年度行專訴字第67號行政判決（更審前卷參證
61號）認定：蒲松比並非定值，而本案舉發證據10（即本件更
7原證4）所揭示者僅是「假設蒲松比為0.5」，鑑於90年專
8利法用以判斷發明是否具備發明要件，須是以先前技術或知識
9所確實揭示之內容，並不包含「假設」，乃認定不得以本案更
10原證4之「假設內容」與本案更原證5結合，以否定系爭專利
11有效性。是以，更原證4所測拋光墊之物理性質，是否足以否
12定系爭專利有效性？其判斷基礎應是建立在該拋光墊之實際物
13理性質之上，而非該拋光墊之假設物理性質之上。
14五、對照更原證4圖1，更原證4圖4是否正確，並非無疑：
15由更原證4圖1可知，隨著樣品浸於水中時間越長，G'剪應力
16模數越低。並且，依該圖所呈現趨勢，樣品浸於水中800分鐘
17後，在1.0Hz頻率下量測，G'剪應力模數介於105至100MPa
18之間。則將樣品浸於水中24小時，亦即1440分鐘後，在
191.0Hz頻率下，其G'剪應力模數應遠低於100MPa。而觀之更
20原證4圖4曲線變化趨勢可知，當樣品浸於水中24小時後，
21在25℃下之G'剪應力模數應高於30℃之G'剪應力模數，且在
221.0Hz頻率下，其量測之IC1000拋光墊之G'剪應力模數應約
23在100MPa。然此結果，顯與更原證4圖1有所衝突（承前
24所述，G'剪應力模數應遠低於100MPa）。更原證4圖4為樣
25品含水量變動下所得之量測結果，則其圖示及更原證4對應內
26文敘述之正確性，實有疑義；且其攝氏30度與攝氏90度之數
27值，係在樣本含水量不同所量測之結果，則自無從以論斷該量
131測拋光墊之E'（30℃）/E'（90℃）比例。
2六、更原證4、5之組合，無法證明系爭專利請求項3不具進步性
3：
4國立臺灣大學工學院院長陳文章教授表示：依系爭專利優先權
5日當時科學文獻，對於類似更原證6所測之兩拋光墊具有孔
6洞之聚氨酯發泡材料，其蒲松比值為負值，可能範圍為負1
7至0.5（請見更審前卷參證11號）。故而，更原證4所測之
8兩拋光墊既屬於具有孔洞結構之聚氨酯發泡材料，且為原告所
9不否認，則其蒲松比值即應為負值。
10由原告自行量測之拋光墊物理性質，益見更原證4所量測拋
11光墊之蒲松比值，不是定值，且應是「負值」：
12原告舉發階段所提舉發證據8，係原告宣稱為其自行取得並
13分析SUBAIV拋光墊之結果簡報（惟，參加人否認其為本
14案更原證4所測試之SUBAIV拋光墊，請參更審前卷參加
15人行政訴訟答辯狀第24頁第2點）。依該簡報可知，該
16SUBAIV拋光墊蒲松比值介於-0.34至-0.29，而其在40℃
17之蒲松比值平均約為-0.31。原告在本院100年度民專訴字
18第134號民事判決乙案曾提出被證14，並宣稱被證14為其
19自行取得並分析IC1000拋光墊之結果簡報（惟參加人否認
20其為本案舉發證據10所測試之IC1000拋光墊）。依該簡
21報第5頁可知，該IC1000拋光墊蒲松比值在30℃為-0.165
22，在40℃為-0.165（見更參證2號）。
23準此，若依原告前開自行量測結果而得之蒲松比值，分別代
24入更原證4圖4，並以更原證5公式E=2（1+μ）G計算
25，該兩拋光墊在1Hz、40℃下之E'張力模數，分別約為125
26MPa、62MPa，並不在系爭專利請求項3所界定之150至
272000MPa範圍內。由此以觀，更原證4與更原證5均無從
141否定系爭專利請求項3、4之進步性。
2七、更原證4、5、6之組合，無法證明系爭專利請求項3不具進
3步性：
4在原告提出更原證6之前，另有「智勝科技版簡報」，且其
5上僅標示其檢測之拋光墊為「A」或「B」，故更原證6顯然
6應是由「智勝科技版簡報」所改寫而成，亦即將「A」與「B
7」，改成「IC1000」與「SUBAIV」，惟拋光墊「A」與「
8B」是否即是「IC1000」與「SUBAIV」？並無證據證明之
9。再者，更原證6第7頁圖表縱軸，僅標示「StorageModulus
10」。但是，E'是TensileStorageModulus，G'是ShearStorage
11Modulus，兩者均是StorageModulus。則更原證6第7頁圖表
12縱軸所標示之「StorageModulus」，究指何者？更原證6第7
13頁關於兩條G'曲線，並未標示其對應之拋光墊，因此無法判
14定哪一條是IC1000拋光墊？哪一條是SUBAIV拋光墊？從而
15，熟悉此項技術者實無從確認該IC1000拋光墊與該SUBAIV
16拋光墊在攝氏40度時之G'值，遑論其E'值。
17「IC1000」僅是一商品名稱，「SUBAIV」亦僅是一商品名
18稱，在欠缺證據證明更原證4所測試之IC1000拋光墊與
19SUBAIV拋光墊，分別與更原證6所測試之IC1000拋光墊與
20SUBAIV拋光墊具有相同物理性質之情形下，熟悉此項技術
21者實難組合之。尤其，對照更原證4與更原證6之圖表與數
22據可知，更原證4所測試之IC1000拋光墊與SUBAIV拋光
23墊，與更原證6所測試之IC1000拋光墊與SUBAIV拋光墊
24，具有不相同物理性質。熟悉此項技術者，雖經由更原證4
25而可獲悉更原證4所測試拋光墊，具有特定E'（30)/E'（90）
26比值，與經由更原證6而可獲悉更原證6所測試具有特定E
27’值之拋光墊，然此畢竟分屬兩種拋光墊，實無從據此以輕易
151完成一拋光墊，具有更原證4拋光墊之特定E'（30）/E'（90)
2比值，以及更原證6拋光墊之特定E’值。是以，熟悉此項
3技術者無從組合更原證4與更原證6。更無從組合原證4、5
4、6，以輕易完成系爭專利請求項3之發明。是故，原證4、
55、6之組合，不足以證明系爭專利請求項3不具進步性。
6八、更原證4、5、6之組合，無法證明系爭專利請求項4不具進
7步性：
8系爭專利說明書第11頁能量損失因子公式KEL=tanδ*1012/[
2
9E'*（+tanδ）]，係漏繕「1」，而此無礙熟悉此項技術者
10可對於系爭專利請求項4之正確解釋，並認知完整公式為
2
11KEL=tanδ×1012/[E'×（1+tanδ）]。
12更原證6內容不明確，尤其更原證6第7頁關於兩條G'曲線
13，並未標示其對應之拋光墊，因此無法判定哪一條是IC1000
14拋光墊？哪一條是SUBAIV拋光墊？從而，無從確認該
15IC1000拋光墊與該SUBAIV拋光墊在攝氏40度時之G'值，
16遑論其E'值，而KEL值當然亦無從得知。故，縱使組合更原
17證4、5、6，亦無法證明系爭專利請求項4不具進步性。
18在欠缺證據證明更原證4所測試之IC1000拋光墊與SUBA
19IV拋光墊，分別與更原證6所測試之IC1000拋光墊與
20SUBAIV拋光墊具有相同物理性質。且對照更原證4與更原證
216之圖表與數據可知，更原證4所測試之IC1000拋光墊與
22SUBAIV拋光墊，與更原證6所測試之IC1000拋光墊與
23SUBAIV拋光墊，具有不相同物理性質。則熟悉此項技術者
24實難組合之。是以，更原證4、5、6之組合，不足以證明系
25爭專利請求項4具有進步性。
26九、並聲明：1.原告之訴駁回；2.訴訟費用由原告負擔。
27伍、本件爭點：（見本院卷二第387頁、第391頁）
161一、更原證6是否具證據能力？
2二、更原證4、5之組合是否可證明系爭專利請求項3不具進步性
3？
4三、更原證4、5、6之組合是否可證明系爭專利請求項3不具進
5步性？
6四、更原證4、5、6之組合是否可證明系爭專利請求項4不具進
7步性？
8陸、得心證之理由：
9一、本件應適用之專利法：
10系爭專利申請日為90年5月25日，核准審定日為92年3月
115日，其是否有應撤銷專利權之情事，自應以核准審定時所適
12用之90年10月24日修正公布，90年10月26日施行之專利
13法（下稱90年專利法）為斷。按凡利用自然法則之技術思想
14之創作，而可供產業上利用者，得依法申請取得發明專利。又
15按發明係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者
16所能輕易完成時，雖無前項所列情事，仍不得依本法申請取得
17發明專利，90年專利法第20條第1項、第2項定有明文。
18二、系爭專利技術分析：
19系爭專利技術說明：
20系爭專利揭露一種用來拋光半導體元件或其先質之表面，以
21及平面化半導體晶圓上之金屬波紋結構的襯墊和方法，該襯
22墊之拋光層具有一在30℃到90℃為約1到3.6的E'比（摘
23自發明摘要)。
24系爭專利所欲解決的技術問題：行波紋式拋光時在理想狀況
25下，於拋光後導電性插頭和線路為完全平坦且在所有情況下
26均為相等截面厚度，但實際上，橫跨金屬結構寬度各處的厚
27度會發生明顯的差異，且表面中央通常較邊緣具有較小厚度
171，此種效應，普通稱之為「凹化作用」，通常是吾人所不要
2的，因為導電性結構之截面積的變化會導致電阻的變化。凹
3化作用係因較硬之絕緣層（環繞較軟之金屬導體表面）以一
4較金屬物件為慢之速率進行拋光而發生，因此，當絕緣區域
5被拋光成平坦時，拋光襯墊易於磨蝕導體材料，主要從金屬
6物件的中心，這反過來會損傷最終半導體元件的功能（參系
7爭專利說明書第5、6頁）。
8系爭專利所欲達成的目的：在一示範性具體實施例中，本發
9明之襯墊具有一種或一種以上之下列特質：諸如導線和插
10頭之類之導電性表面物件的碟化作用為最小；達成橫跨整
11個晶圓表面的晶粒水平平坦度；和／或諸如抓痕和光點瑕
12疵之類的瑕疵度為最小，且不會對半導體元件之電氣功能產
13生負面影響（參見說明書第8頁)。
14系爭專利申請專利範圍分析：
15系爭專利105年11月21日公告更正後申請專利範圍共10項
16，其中請求項1、8為獨立項，其餘為附屬項。本件爭執者為
17請求項3及4，係請求項1之附屬項，請求項1、3及4之內
18容如下：
19一種用來平面化一半導體元件或其先質表面之拋光襯墊，該
20襯墊之特徵為：一用來平面化該表面之拋光層，該層具有一
21在10弳度/秒之頻率下利用動態機械分析法所測量之在30
22℃到90℃時約為1到3.6的E'比。
23根據申請專利範圍第1項之拋光襯墊，其中該拋光層具有一
24在40℃時約為150到2,000MPa的張力模數。
25根據申請專利範圍第1項之拋光襯墊，其中該拋光層具有一
26約為100到1,000（1/Pa在40℃時）之KEL。
27三、有效性證據技術分析：
181更原證4號（即前審證據10，見本院卷一第271-276頁）為
21995年刊載於ThinSolidFilms270（1995）WeidanLi.等人之
3論文「Theeffectofthepolishingpadtreatmentsonthechemical-
4mechanicalpolishingofSiO2films」，其公開日早於系爭專利
5案優先權日，可為系爭專利之先前技術。其第604頁第4圖
6揭示有IC1000及SUBAIV研磨墊的動態剪力模數G'(即能量
7儲存模數）與溫度關係圖。更原證4號之主要圖式如附圖一
8所示。
9更原證5號（即前審證據11，見本院卷一第277-282頁）為
101983年出版之JohnAklonis.et.al,「IntroductiontoPolymer
11Viscoelasticity」,SecondEdition,封面、版權頁及內頁第7-9
12頁影本，其公開日早於系爭專利案優先權日，可為系爭專利之
13先前技術。其第9頁記載張力模數E（tensilemodulus)、剪
14力模數G（shearmodulus）及蒲松比μ（Poisson'sratio)之關
15係為E=2（1+μ）G(式子(2-7）)。更原證5號之主要圖式如
16附圖二所示。
17更原證6號（即前審證據6、N01案引證1-5，見本院卷一第
18283-296頁）為IreneLi等人2000年4月26-27日在Material
19ResearchSociety於美國舊金山所舉辦之研討會簡報資料影本
20，其公開日早於系爭專利案優先權日，可為系爭專利之先前技
21術。更原證6號包括IC1000及SUBAIV之動態機械特性的研
22究，其第6頁揭示其測試件為：Tension：1Hz(張力測試，頻
23率1Hz)，第7頁揭示有上述兩研磨墊的能量儲存模數（Storag
24emodulus)與溫度關係圖。更原證6號之主要圖式如附圖三所
25示。
26更原證7號（即補強證據37、N01案引證1-4，見本院卷一
27第297-307頁）係2000年4月26日上午9:15第E7.3場次所
191發表之內容即IreneLi等人針對「MECHANISTICASPECTS
2OFTHERELATIONSHIPBETWEENCMPCONSUMABLES&
3POLISHINGCHARACTERISTICS」的簡報場次摘要，其公開
4日早於系爭專利案優先權日，可為系爭專利之先前技術。更原
5證7號係針對IC1000、SUBAIV與IC1000/SUBAIV拋光墊之
6性質探討的報告。更原證7號之主要圖式如附圖四所示。
7四、更原證6是否具證據能力？
8更原證6號可與更原證7號相互勾稽，而證明更原證6號之
9公開日早於系爭專利優先權日：
10經查，更原證6號（即前審證據6、引證1-5)首頁標題與更
11原證7號（即補強證據37、N01案引證1-4)第116頁
129:15AME7.3場次之主題名稱相同，均為「Mechanistic
13AspectsoftheRelationshipBetweenCMPConsumables&
14PolishingCharacteristics」，且更原證6號首頁標示之作者
15及其等服務單位資料如「IreneLi,K.M.Forsthoefel,K.A.
16Richardson,Y.S.Obeng*,A.Maury…」、「Departmentof
17Chemistry,UniversityofCentralFlorida…」等，皆與更原證
187號第116頁所示該場次之資料相符；就技術內容而言，更
19原證6號第2頁以「CMPpolishingpad→behaviorslurry→
20chemicalinteraction」進行說明，其順序與更原證7號第116
21頁所示該場次內文第4行「Inthispaper,wediscusssomeof
22thesefundamentalrelationships,andpresentrecentresultof
23studiesperformedonpads,slurryandtheirinteraction」之意
24相符，更原證6號第2頁亦提到「Propertyvariations
25affectedbypolishingparameter」，該variations應可對應至更
26原證7號第116頁所示該場次內文第10行之「padhardness
27,absorption,morphology…」，更原證6號第2頁末為「
201Chemicalimpact」與「Mechanicalload」，此亦可反映更原
2證7號第116頁所示該場次內文第2段所述細節之結論；因
3此，足證兩證據內容可相互呼應。
4復查更原證6號第3頁標題顯示IC1000/SubaIV及第7頁
5各別IC1000和SubaIV為研究之拋光襯墊，與更原證7號
6第116頁所示該場次內文第7行敘及之「thepolyurethane-
7basedpads（IC1000,SubaIV,IC1000/SubaIV）」相符；更
8原證6號第10頁提到Slurry的Nucleophililic、attack、OH-
9、species出現於更原證7號第116頁所示該場次內文第2
10段第6行之內容；更原證6號第12頁之內容為亦與更原證
117號第116頁所示該場次內文第2段內容相符。據上可知，
12更原證6號與更原證7號兩證據可相互勾稽。又由更原證7
13號可知原證6號簡報之內容於2000年4月26-27日為已公
14開，可為系爭專利之先前技術。
15更原證14（即前審證據5）亦可與更原證6號（即前審證據
166）及更原證7號（補強證據37）互相勾稽：
17更原證14號（即前審證據5）係IreneLi等人於2000年
18IreneLi發表在MaterialResearchSocietySymp.Vol.613之
19論文影本。更原證14號首頁上方記載：「Mat.Res.Soc
20.Symp.Vol.6132000MaterialsResearchSociety」，且該
21頁下方頁數有E7.3.1之標記，而更原證7號第108頁上方
22載有：「SYMPOSIUMEFundamentalsandMaterialsIssuesin
23Chemical-MechanicalPolishingofMaterialsApril26-27,2000
24」，下方載有「ProceedingspublishedasVolume613of
25MaterialsResearchSocietySymposiumProceedingsSeries」，
26第116頁右欄第17行以下載有：「9：15AME7.3
27MechanisticAspectsoftheRelationshipBetweenCMP
211ConsumablesandPolishingCharacteristics」；且更原證14（
2即前審證據5）與更原證7號（即補強證據37）之主辦單
3位均為「MaterialsResearchSociety」，場次均為「
4SYMPOSIUME7.3」，作者（或報告者）均為「IreneLi等
5人」，故更原證14與更原證7號記載之主辦單位、場次、
6作者等資料可相互勾稽，可佐證更原證14之技術內容已於
7更原證7號所示之2000年4月26-27日之研討會進行公開
8簡報（即更原證6號），該日期係早於系爭專利之優先權日
9(2000年5月27日及2000年7月28日）。
10復查，更原證6號與更原證7號之共同作者YawS.Obeng
11、IreneLi已出具聲明書（原證12、原證13，見前審卷一第
1284-123頁）表示更原證6號為更原證14於更原證7號所示
13研討會發表之簡報版，另就技術內容而言，更原證14之E7
14.3.2最後一段至E7.3.3第1段、圖1等之技術內容指出，
15IC1000拋光墊較SubaIV拋光墊具有較高之儲存模數（
16higherstoragemodulus）等，且IC1000拋光墊之tanδ在-80
17°C與105°C會有過渡(transition）變化，而SubaIV拋光
18墊之tanδ則是在-25°C會有過渡（transition）變化，此外
19上述兩拋光墊之tanδ在-30°C亦均有過渡（transition）變
20化等性質，該等拋光墊之性質與更原證6簡報第7頁之內容
21相符，故可得知更原證14中關於IC1000、SubaIV等拋光
22墊之儲存模數與tanδ等技術內容可實質對應於證據6簡報
23第7頁之內容，因此，更原證14亦可與更原證6號互相勾
24稽，而證明更原證6號為更原證14技術內容之簡報。由於
25更原證6號與更原證14可相互勾稽，且更原證14與更原證
267號可互相勾稽（已如前述），更足證更原證6號可與更原
27證7號互相勾稽，而證明更原證6號簡報所有內容於2000
221年4月26-27日已公開，可為系爭專利之先前技術。
2綜上所述，由於更原證6號與更原證7號之間，更原證14
3與更原證7號之間，更原證6號與更原證14之間均可相互
4勾稽，足以證明更原證6號簡報所有內容於2000年4月
526-27日已公開，可為系爭專利之先前技術。
6參加人又主張，更原證6號與更原證7號於本院98年度行專
7訴字67號、最高行政法院100年度判字第2223號判決（系爭
8專利N01舉發案）已認定二者無法勾稽，不具證據能力，應
9有專利法第81條之適用，不得於本件再行主張云云，惟查，
10上開確定判決係以引證1（即本件前審證據5號）為舉發證
11據，引證1-4（即本件更原證7號）或引證1-5（本件更原證
126號）係用以證明引證1公開日期之補強證據，並認定引證1-
134或引證1-5分別均無法證明引證1之公開日早於系爭專利之
14優先權日，惟未就引證1-5是否得與引證1-4相互勾稽，而可
15證明引證1-5之公開日期早於系爭專利優先權日一節加以判斷
16，而本件係以更原證6號為系爭專利之有效性證據，更原證7
17號係作為補強更原證6號之證據，與前案確定判決之舉發證
18據，並非基於同一事實同一證據再為舉發，故本件並無專利法
19第81條「一事不再理原則」的適用，參加人之主張，不足採
20信。
21參加人另主張：「並無任何證據證明『智勝科技版簡報』（即
22另案本院98行專訴字第67號、最高行政法院100年度判字第
232223號專利舉發事件提出之舉發證據，見更參證1，本院卷
24一第321-334頁)之『代號A』、『代號B』數據即屬IC1000
25、SubaIV，更參證1所示簡報之拋光墊僅為代號，與更原證
266號簡報所示IC1000、SubaIV等拋光墊非完全相同，而前述
27簡報共同作者之一IreneLi竟分別出具宣誓書聲明原證6號與
231更參證1之二份簡報為更原證7號所示研討會之發表內容，
2顯見更原證6號為臨訟製作，應不具證據能力，更原證14圖
3示之數據點未以迴歸線呈現，符合出版年西元2000年時（無
4法製作迴歸線)之電腦技術；反觀更原證6之圖示係包含迴歸
5線，不符合同年之電腦技術，故更原證6明顯為臨訟製作」
6、「更原證6共同作者之一IreneLi於其另一份聲明書（舉發
7證據28附件III第5段）中包含"IC1000DMA(Nexplanar）"
8之記載，由該Nexplanar可推知係原告公司名稱；惟原告公司
92004年成立時之名稱為"NEOPADTECHNOLOGIES
10CORPORATION"，並遲至2008年始更名為"Nexplanar"，故該
11檔案為2000年以後製作，顯見更原證6號與更參證1均為臨
12訟製作」、「更原證7摘要該E7.3場次簡報核心內容包含
13"somecommercialslurries（MSW2000,Klebosol1498,Klobosol
141501）"、"invariouspH（slurrychemistryandorganic（DMF,
15DMSO）environments）"、"foundtobepHdependent"、"in
16organicsolvent"等記載，惟更原證6之簡報並無與前述記載相
17對應之技術內容，故更原證6與更原證7無法相互勾稽，而
18證明更原證6簡報之技術內容於2000年4月已公開」云云，
19惟查：
20經核對更原證6號與更參證1簡報之內容與頁數均相同，二
21者之差異僅在於更原證6號之簡報第3、7、9頁之拋光墊
22名稱為IC1000、SubaIV，而更參證1簡報所示者為代號A
23、B；另更參證1所示簡報第9-11頁關於將A拋光墊複合
24於B拋光墊所製得複合拋光墊之性質說明，此3頁簡報雖
25主要以代號表示複合前各別拋光墊材質之真正名稱，然由簡
26報第11頁左下已明確記載其會有因SubaIV拋光墊材質（
27即複合拋光墊中所包含的拋光墊材質之一）而導致之降解（
241Degradation)，可合理推知更參證1簡報所示代號A或B之
2真正名稱可實質對應於前述之IC1000、SubaIV，另衡酌學
3術研討會辦理實務，因實際狀況之需，報告人對簡報所示特
4定物品以代號或真正名稱表示並進行修正而有初稿、定稿等
5不同版本，並無不合理之處，因此，參加人所稱原更參證1
6可能為初稿，更原證6號簡報才是研討會上公開的版本一節
7（見本院108年11月27日程序準備筆錄），應堪採信。綜
8上，本院由更原證6號與更參證1簡報之內容並衡諸經驗法
9則，認為本件更原證6號與更參證1簡報應係互為初稿或定
10稿，二者並無顯然矛盾而不可採之情形，參加人主張更原證
116號簡報之內容為臨訟製作云云，不足採信。
12再查原證12、原證13（見前審卷一第84-123頁）為更原證
136號首頁標示之共同作者YawS.Obeng、IreneLi之聲明書
14，原證13為共同作者之一IreneLi聲明其將對IC1000、
15SubaIV等拋光墊之研究成果載於更原證6號之簡報第7頁
16，且在更原證7所示之研討會中發表，並附有使用IC1000
17、SubaIV、IC1000/SubaIV進行試驗之實驗紀錄影本（原
18證13之附件3)；而於原證12為共同作者之一YawS
19.Obeng之聲明書，具體聲明其與IreneLi共同撰寫更原證6
20號所示之簡報，而前審證據5為該簡報所示技術內容之詳細
21版，參加人對於共同作者YawS.Obeng、IreneLi有出具聲
22明書之事實不爭執，僅爭執聲明書之內容不實在（見本院卷
23一第391頁），惟查，本院認為更原證6號與更參證1簡報
24應可實質對應，並無顯然矛盾而不可採之情形，已如前述，
25參加人未提出明確合理之反證的情況下，空言主張上開共同
26作者出具之聲明書之內容不實，尚非可採。
27關於更原證6圖示呈現方式，查更原證6圖示呈現方式僅係
251將各數據點以圓滑線（smoothline)呈現，並未具體指出迴歸
2方程式之結果，故應只為圓滑線圖而非參加人所主張之迴歸
3線圖，先予敘明；另查將實驗、量測等數據點以圓滑線圖或
4迴歸線圖呈現本為理工相關技術領域之周知技術，應無一定
5須以電腦進行繪圖之必要，故能否以該等圖形呈現與電腦技
6術發展至何種程度並無必要之關聯性，且更原證4（即前審
7證據10）之公開日為1995年，其第6圖（見本院卷一第
8275頁）已以圓滑線圖呈現，顯見相關技術領域於西元2000
9年以前已有繪製圓滑線圖之技術，無論是否以電腦繪製皆可
10證明，並非如參加人所主張在西元2000年不應出現圓滑線
11圖之情事；再者，使用何種格式之圖形呈現實驗數據，乃作
12者因當時需求決定，在研究實務上因實驗數據點過多，用圓
13滑線圖無法清晰呈現各點之間隔而將圓滑線移除之情形，亦
14所在多有，且圖示之技術內容方為決定證據6與證據7間之
15關聯性，其圖形格式應與技術內容無涉，是以在參加人僅憑
16個人臆測而未能提出合理佐證的情況下，尚難遽以認定更原
17證6號簡報之內容為臨訟製作。
18關於IreneLi於其另一份聲明書（舉發證據28）中
19"IC1000DMA(Nexplanar）"之記載，查該段落之原文為「
20Theelectricfile,"IC1000DMA（Nexplanar）",isDMA
21dataonanIC1000CMPpad.Thedata,whichwastakenon
22November19,1998…,thatwaspresentedandpublishiedatthe
23MaterialResearchSocietyheldin…onApril26and27,2000.」
24（見行政訴訟更審參加人辯論意旨狀第7頁最下方文字方框
25內容），其記載內容係表明該檔案之資料曾在2000年4月
2626與27日公開，並非該檔案係於2000年製作；另查檔案
27之命名方式應無法必然地須與原告公司（更名前或後）名稱
261產生連結，且無論是原證12或原證13之更原證6號共同作
2者之聲明書的製作日期均為2012年7月，亦即為原告公司
3更名後所為之聲明，縱使共同作者在原證12或原證13聲明
4當時之檔案名稱含有原告公司2008年以後之「Nexplanar」
5公司名稱，亦無不合常理之處，參加人以該聲明書之檔案名
6稱含有原告2008年更名後之公司名稱「Nexplanar」，據以
7主張更原證6號之證據為臨訟製作，尚非可採。
8關於更原證7號摘要該E7.3場次之slurries、inorganic
9solvent等記載可與更原證6號技術內容可互相對應一節，
10已如前述，另查更原證6之簡報第2頁已記載"CMP
11polishingpad→behaviorslurry→chemicalinteraction"、第
1210頁記載"Nucleophilicattack（OH-species）"、第11頁
13記載"Fibrousstructure'wicks'slurry）"、第12頁記載"
14Solventwets,penerates,andswellsCMPpad"等內容，其技
15術內容顯已包含與slurry、pH（對應OH-species)、solvent
16等相對應之探討，並無參加人主張不存在與前述記載相對應
17技術內容之情事；再者，簡報技術內容的呈現方式，係表達
18作者認為之技術重點，本無須要求所有論文發表或摘要簡介
19所記載之文字內容皆須完全一致地出現於簡報中，因未出現
20之文字內容或細節內容亦可於簡報時以口頭陳敘，以收簡報
21應清晰簡明之效，況且縱使更原證7號的文字細節未出現於
22更原證6之簡報，亦僅能證明該等文字細節無法確定是否於
232000年4月26-27日之研討會中進行發表，並不能反證更原
24證6號之技術內容於當時未公開，而本件之爭點判斷，係更
25原證6簡報之技術內容是否於2000年4月26-27日之研討
26會中公開，並非更原證7之所有文字內容於該研討會中發表
27，故參加人以更原證7號之部分技術內容未於更原證6號簡
271報中對應呈現，據以主張更原證6號簡報之技術內容未於該
2研討會發表或未公開，不足採信。
3綜上所述，更原證6與更原證7可相互勾稽，參加人未提出
4合理反證足以否定更原證6號之證據能力，應認更原證6號
5簡報所有內容於2000年4月26-27日已公開，可為系爭專
6利之先前技術，具有證據能力。
7五、更原證4號（即前審證據10）及更原證5號（即前審證據11
8）之組合可證明系爭專利請求項3不具進步性：
9系爭專利請求項3係為請求項1之附屬項，其中，請求項1
10所請之內容為：「一種用來平面化一半導體元件或其先質表面
11之拋光襯墊，該襯墊之特徵為：一用來平面化該表面之拋光層
12，該層具有一在10弳度/秒之頻率下利用動態機械分析法所
13測量之在30℃到90℃時約為1到3.6的E'比」，而請求項3
14係進一步界定「其中該拋光層具有一在40℃時約為150到
152,000MPa的張力模數」之附屬技術特徵。
16有關系爭專利請求項1的技術特徵：
17經查，更原證4號揭露聚氨酯為一黏彈性材料，其機械性質
18可藉由動態及複合剪切模數G'及G"來描述，在此G'及G"為
19頻率之函數。模數係藉由TA儀器公司之983動態機械分析
20儀（DMA）所測得，該983DMA決定G'及G"，其係藉由
21結合描述物理工具之方程式的結果與黏彈性柱彎曲原理而導
22出之參數。在此研究中，拋光墊之蒲松氏比（Poisson'sratio
23）假設為0.5，其適用於大部分之聚合物，並且在該研究中
24係測量IC1000或SUBAIV拋光墊（參更原證4號第602頁
25第2.1節「拋光墊剪力模數之特性描述」）。
26另查更原證5號係一聚合物黏彈性導論之教科書，其第9頁
27揭露根據一等向性固體（isotropicsolids）之彈性理論，張
281力模數E、剪力模數G及蒲松氏比μ之關係式為：E＝2（
21+μ）G。更原證5號揭露在不可壓縮材料之情況下，（
3dV/dε）＝0，而μ＝0.5，可得以下結果：E＝3G。又更原
4證5號揭露，實驗上對於橡膠，μ是相當接近0.5，但對某
5些塑膠是較低，為0.2至0.3，而對某些非均質（
6heterogeneous）材料則更低。
7因此，熟悉該項技術者經參酌更原證4號及更原證5號可以
8理解，由於更原證4號明確揭露可利用黏彈性材料之原理進
9行量測及估算，且就其研究所使用之拋光墊(如IC1000、
10SUBAIV等拋光墊）而言，其等之μ值可以設為0.5，而更
11原證5號明確揭露明確揭露當μ＝0.5時，E＝3G，故可由
12更原證4號圖4所示拋光墊之G'與溫度等技術內容，經換
13算得知IC1000或SUBAIV拋光墊於頻率1Hz下量測之E'
14，在30℃和90℃時的比例應亦分別為約3及約1.5，即無
15論是IC1000或SUBAIV拋光墊，其於頻率1Hz下量測之
16E'，在30℃和90℃時的比例必然落於1至3.6間。又由更原
17證4號圖4可以看出，於0.5Hz或1Hz之頻率下進行量測
18，對於SUBAIV拋光墊之G'完全沒有影響，而對於IC1000
19拋光墊僅有些微影響，但經換算為E'後在30℃和90℃時的
20比例後皆無實質影響，且由於頻率1.6Hz與1Hz之差異極
21小，可以當然推測當於頻率1.6Hz下進行量測，無論是
22IC1000或SUBAIV拋光墊，在30℃和90℃時的E'比例亦
23必然落於約1至約3.6間。因此，更原證4號及更原證5號
24之組合已教示了系爭專利請求項1所界定的技術特徵。
25再依更原證4號圖4顯示SUBAIV拋光墊對溫度之動態剪
26力模數G'，於實驗前將拋光墊浸泡於水中24小時並於測量
27過程中保持濕潤，當溫度30℃時G'約為42，於90℃時G'
291約為18（見本院卷一第274頁Fig.4），SUBAIV拋光墊
2計算30℃時與90℃時G'之比值約為2.3(雖為約略取值，惟
3可知30℃時G'大於40，而90℃時G'約低於20，故30℃時
4與90℃時G'之比值必大於1，且小於3.6)，且由熟習該項
5技術者應知張力模數E'與G'有一定比例關係〔依參加人於
6108年7月29日行政訴訟更審參加補充答辯狀之更參證2
7可知，張力模數E'與G'一定比例關係之公式，即由更參證2
8（見本院卷一第339頁）可知𪃢=(E'/2G')-1，故E'與G'比例
9關係為E'/G'=2(1+𪃢)，其與更原證5號揭露E/G=2(1+𧸤)相互
10對比為相同，此為熟習該項技術之通常知識)，而知
11G'T=30/G'T=90=E'T=30/E'T=90，即當30℃時與90℃時G'之比值
𡷰𡷰𡷰𡷰
12約為2.3。因此，更原證4號之圖4亦已揭露系爭專利請求
13項1之技術特徵。
14系爭專利請求項1前經本院106年度行專訴字第34號、最
15高行政法院108年度判字第249號判決認定不具進步性，
16並已確定。
17有關系爭專利請求項3之附屬技術特徵：
18經查更原證4號之圖4在40℃時IC1000之G'值約為73MPa(依
19IC1000受頻率些微影響可推知，於系爭專利請求項所界定10弳
20度/秒之頻率條件下，因10弳度/秒頻率約為1.6Hz，高於更原
21證4號之圖4頻率1Hz，故實際值應略高於73MPa)，且如更原
22證5號所揭示之E'=3G'的公式，可得到張力模數E'為219MPa
23，該值係介於系爭專利請求項3界定「150到2,000MPa的張力
24模數」範圍區間之內。據此，更原證4號（即前審證據10）及
25更原證5號（即前審證據11）之組合可證明系爭專利請求項3
26不具進步性。
27被告雖主張「更原證4號所揭示之張力模數與系爭專利所界定
301者並非於相同操作條件下進行量測之數值…」；參加人並主張
2「更原證4號所揭示者係拋光墊之G'值，且其量測之操作條件
3與系爭專利亦不相同…」、「更原證4號所揭示者係拋光墊之
4G'值，就圖1與圖4而言，若單以趨勢推論可能會有互相衝突之
5結論，其原因應為操作條件（例如含水量等之）不同，因而導
6致量測結果亦不相同，因此，張力儲存模數之量測或推論應注
7意操作條件…」，故不應認定更原證4號與更原證5號之組合
8已揭示如系爭專利請求項3所界定之張力模數（參109年1月8
9日準備程序筆錄及參加人當庭所提之簡報、109年2月7日參加
10人所提之行政訴訟更審參加辯論意旨狀第肆點）云云。惟查，
11系爭專利說明書或請求項1中僅界定須於10弳度/秒頻率（約
12為1.6Hz）下測定其E'比，但並未具體限定須於何種操作條件
13下測定如系爭專利請求項3所界定40℃張力模數值之技術特徵
14，且說明書中亦未具體界定量測40℃張力模數值時除1.6Hz頻
15率以外之其他操作條件，故依說明書、請求項所揭露之技術內
16容而言，則該張力模數值應解釋為於該頻率（其它操作條件如
17含水量等則無須特別限制）下所量測者，且如前述，由更原證4
18號圖4可以看出，於0.5Hz或1Hz之頻率下進行量測，對於
19SUBAIV拋光墊之G'完全沒有影響，而對於IC1000拋光墊僅有
20些微影響，其在1Hz頻率之G'值僅略高於0.5Hz之頻率所測得
21者，且由於頻率1.6Hz與1Hz之差異極小，熟習該項技術者可
22以當然推測就IC1000而言，其於頻率1.6Hz下進行量測之G'值
23僅會略高於73MPa(更原證4號圖4之IC1000在40度1Hz頻率
24下之G'值），經前述更原證5號所揭示E'=3G'的公式推算而得
25之E'亦僅會略高於219MPa，換言之，熟習該項技術者基於前
26述先前技術之內容可得知，縱使於請求項1所界定之（頻率1.6
27Hz）操作條件下，更原證4所揭示IC1000拋光墊之E'值亦會落
311入系爭專利請求項3所界定張力模數150-2,000MPa之數值範圍
2內，故更原證4號與更原證5號之組合實質上已揭示該請求項3
3之附屬技術特徵，是以，被告或參加人之主張並不足採。
4參加人又主張「IC1000拋光墊包含多種品項，其物理性質(例如
5比重）亦因而有異」、「更原證5號所揭示之E=(1+2μ）G的
6公式僅適用於等向性材料，並不適用於如系爭專利之IC1000等
7拋光墊」，故不應認定熟習該項技術者能結合更原證4號與更
8原證5號而輕易完成如系爭專利請求項3所界定之張力模數範
9圍云云（參109年1月8日準備程序筆錄及參加人當庭所提之
10簡報）。惟查，更原證4號已具體揭示在其研究中拋光墊之蒲
11松氏比（Poisson'sratio）可假設為0.5，且在該研究中係測量
12IC1000或SUBAIV拋光墊，故熟習該項技術者當然能輕易以更
13原證5號所揭示之蒲松氏公式（Poisson'sequation）而由IC1000
14之G'值推算更原證4號中所使用拋光墊之E'值，並經簡單試驗
15而獲得如系爭專利請求項3所界定張力模數(E'）範圍，並無涉
16及拋光墊之其他品項或物理性質（如比重等）之必要；且如前
17述，更原證5號係黏彈性導論之教科書，其E＝（1+2μ）G雖
18係假設等向性材料而推得，然此係理論上為推導簡便易用公式
19之必然（以避免過度複雜而不符實用之情事），惟實際應用於
20特定類別材料（即便是與等向性略有差異之材質）時，則僅需
21再經實驗確認該特定材料於應用該公式時之合適μ值，以避免
22使用過度複雜之公式但對實務運用之精準度卻幫助很小（例如
23其值與簡易公式所推算者間幾乎沒有差異）之情事，故更原證5
24號亦揭示就實驗上而言，對於橡膠μ是相當接近0.5，而對某些
25塑膠則可為0.2至0.3(由於實務上該等材料可能為等向性或非等
26向性材質，而原證5號並未限定前述材料之μ值只可應用於等
27向性塑膠或等向性橡膠材料，即可佐證將前述材料之該等μ值
321應用於該公式時並無需特別拘泥於究竟是否為等向性材質），
2且衡諸經驗法則，於應用科學之研究或工程實務運用時，前述
3採用理論推導理想化公式（如凡得瓦氣體方程式、蒲松氏公式
4等）配合實驗數據迴歸參數處理非理想化狀況（如真實氣體、
5非等向性聚合物材料等）獲得不會或幾乎不會有誤差之結果（
6縱有誤差亦為可經簡單試驗進行調整的），以簡化操作程序或
7成本之情事亦所在多有，同理，更原證4號已明確教示，就其
8研究所使用IC1000等拋光墊而言，該等拋光墊在應用蒲松氏公
9式推算E'時之μ可假設為0.5(無庸再特別指明其等是否為等向性
10材料），熟習該項技術者當知就該μ值可用於計算該研究所使
11用拋光墊之張力模數（E)而不會或幾乎不會產生誤差，因此，熟
12習該項技術者當然能輕易結合前述證據之技術內容而獲得更原
13證4號所揭示IC1000拋光墊之E'值，縱使μ值之不同而導致E'
14略有差異（例如μ＝0.2時，E'約為175MPa，仍落入系爭專利請
15求項3所界定之數值範圍），系爭專利請求項3所載發明之整
16體仍為熟習該項技術者基於前述先前技術依實際程序之需要而
17能經由簡單試驗輕易完成的。是以，參加人之上開主張，尚不
18足採。
19參加人又主張「依最高行政法院100年度判字第2223號判決意
20旨，以更原證4所測拋光墊之物理性質，來判斷系爭專利有效
21性，其判斷基礎應是建立在該拋光墊之實際物理性質之上，而
22非建立在該拋光墊之假設物理性質之上…」、「依陳文章教授
23表示具有孔洞之聚氨酯發泡材料，其浦松比可能範圍為-1至-0.5
24；依原告自行量測SUBAIV拋光墊（惟參加人否認其為本案更
25原證4所測試之SUBAIV拋光墊）之簡報結果顯示其浦松比範
26圍為-34至-0.29，且IC1000拋光墊（惟參加人否認其為本案更
27原證4所測試之IC1000拋光墊）之簡報結果顯示其浦松比並非
331定值而可約為-0.165…或參加人自行測試結果皆顯示拋光墊之浦
2松比可能為負值，若代入更原證5之公式，則計算所得之張力
3儲存模數（E'）將不會落入請求項3所界定之數值範圍…」、「
4IC1000或SUBAIV僅為商品名稱，其系列下可能包含規格物性
5不同之多種品項，尚難確認更原證4所使用IC1000等拋光墊之
6品項，遑論其物性…」，故不應認定熟習該項技術者能結合更
7原證4號與更原證5號而輕易完成如系爭專利請求項3所界定
8之張力模數範圍云云（參109年2月7日參加人所提之行政訴
9訟更審參加辯論意旨狀第肆點）。惟查：
10最高行政法院100年度判字第2223號判決中前述關於「判斷
11基礎應是建立在該拋光墊之實際物理性質之上，而非建立在
12該拋光墊之假設物理性質之上…」的論述，主要係針對系爭
13專利請求項新穎性爭點之判斷進行說明，究其意旨並未完全
14斷定該論理也應無條件適用於進步性之判斷，亦未認定更原
15證4前述技術內容不能作為推論或判斷系爭專利是否具有進
16步性之先前技術，最高行政法院在系爭專利其他舉發案之行
17政訴訟如108年度判字第249號，也依更原證4及更原證5
18之技術內容判定系爭專利請求項1不具進步性。又按，是否
19具有進步性之判斷，在於熟悉該項技術者依申請前之先前技
20術是否能輕易完成，故縱使系爭專利之發明內容未存在於先
21前技術中，只要所屬技術領域中具有通常知識者，基於先前
22技術之內容能輕易完成系爭專利之發明，應判斷該發明不具
23進步性，與先前技術中對特定技術之內容是否為假設或是否
24存在假設無涉。更原證4已揭示其拋光墊之剪力儲存模數等
25物理性質，並具體敘明就其研究之拋光墊而言，其等之浦松
26比值可設為0.5(亦即不會或幾乎不會產生誤差），熟悉該項
27技術者當能藉由更原證5之浦松公式而輕易得知先前技術（
341如更原證4）中已具體教示或建議具有特定數值（範圍）張
2力儲存模數之拋光墊，且該拋光墊之模數值與更原證4中實
3際研究者相較，應不會或幾乎不會產生誤差，縱有誤差亦應
4為可經簡單試驗進行調整的（拋光墊應可由典型習知技術製
5造，並可藉由習知的墊體材料成分組成調配技術，改良基礎
6聚合物而獲得所欲之特定性質；參系爭專利說明書第11頁第
715行至第12頁第1行、說明書第15頁第4-8行、說明書第
821頁第1-9行可知），是以，前述證據之組合足以證系爭專
9利請求項3不具進步性，參加人之主張，並不足採。
10又查，陳文章教授關於浦松比值之論述系針對有孔洞之聚氨
11酯發泡材料而非系爭專利之拋光墊，尚難據以認定系爭專利
12之發明是否具有進步性；另查原告或參加人關於浦松比可能
13範圍之主張，由於無法確認其等量測時採用之操作條件與更
14原證4之研究所採用者是否完全相同，尚難據以肯定或否定
15系爭專利之發明之進步性；且如參加人所主張「IC1000或
16SUBAIV系列下可能包含規格物性不同之多種品項」，熟悉
17該項技術者在理解更原證4之技術內容時，自當會依更原證
184所教示建議之浦松比進行試驗或作為改良基礎之判斷，因
19為該值係該研究試驗中具體建議最能合理代表其所使用拋光
20墊之性質者（亦即不會有誤差或幾乎不會有誤差），故其它
21研究或量測之結果應已不足以影響系爭專利不具進步性之判
22斷，是以，參加人之主張無理由，應不足採。
23綜上所述，熟習該項技術者當然能結合更原證4號及更原證5
24號之技術內容而輕易完成系爭專利請求項3之發明，更原證4
25號及更原證5號之組合可證明系爭專利請求項3不具進步性。
26六、更原證4號（即前審證據10）、更原證5號（即前審證據11
27）及更原證6號（即前審證據6）之組合，可證明系爭專利
351請求項3不具進步性：
2更原證4號及更原證5號之組合，可證明系爭專利請求項3
3不具進步性，已如前述。再查，更原證6號第7頁（見本院
4卷一第289頁），依該簡報之圖所示的IC1000拋光襯墊之儲
5存模數在40℃時約為310MPa，且更原證6第6頁亦具體指明
6其實驗之操作條件為Tension(張力):1Hz，故其已揭露系爭
7專利請求項3之「該拋光層具有一在40℃時約為150到2,000
8MPa的張力模數」附屬技術特徵。查更原證4號、更原證5
9號及更原證6號均屬黏彈性拋光墊之相關技術領域，包含提
10升化學機械平面化（CMP)程序效能之共通問題，且涉及拋光
11墊黏彈性質等功能或作用之共通性，系爭專利所屬技術領域具
12有通常知識者，當然可以結合更原證4號、更原證5號及更
13原證6號之技術內容而輕易完成系爭專利請求項3之發明，
14因此，更原證4號、更原證5號及更原證6號之組合，可證
15明系爭專利請求項3不具進步性。
16退步言之，系爭專利請求項3係以「張力儲存模數」（之性
17質）界定拋光襯墊，縱使更原證6號第7頁中之儲存模數並
18未指明為張力模數（E'）還是剪力模數（G'），但依該圖所指
19的IC1000拋光襯墊或是參加人所指的A拋光襯墊(參更參證
201第7頁），該儲存模數在40℃時約為310MPa。再同時參考
21更原證5號所記載的E'=3G'公式，可得到如下表之儲存模數值
22：
23
40℃IC1000(A)之張力模數
E'=310約310
G'=310約930
24
25由上可知，無論更原證6號第7頁中之儲存模數所指為何，當
361其為張力模數(E')或是剪力模數(G')，所得到的張力模數值
2均已揭示了系爭專利請求項3所界定的「該拋光層具有一在
340℃時約為150到2,000MPa的張力模數」的技術特徵。據此
4，更原證4號、更原證5號及更原證6號之組合，確足以證
5明系爭專利請求項3不具進步性。
6參加人雖主張，「更原證6第7頁圖表之'StorageModulus'(儲
7存模數)曲線，並未標示其對應之拋光墊何者為IC1000或
8SUBAIV，且採用之座標為對數座標，無從判定40℃時各拋
9光墊之儲存模數值，故更原證6之揭示不明確…」、「更原
10證6第7頁敘明IC1000為較(SubaIV)硬者，然依參加人109
11年2月20日所提簡報第14-17頁所示之內容，熟習該項技術
12者應可得知材質較硬者之儲存模數(storagemodulus,E')較大
13，則其損失模數(lossmodulus,E'')會較小，故材質較軟者之
14tanδ(即E''/E'之)值應會較小，然依更原證6所示圖形
15IC1000之tanδ值雖大致呈現較(SubaIV之tanδ值)小的趨
16勢，但在25℃-105℃一帶的區間卻顯示較SubaIV大之tanδ
17值，故更原證6之揭示不明確…」、「更原證6研究所使用
18之拋光墊厚度為1.25mm，與舉發證據3或舉發證據4規格書
19拋光墊1.27mm厚度明顯不合，且更原證4亦為明確揭示其拋
20光墊厚度，故不能使用更原證6所揭示拋光墊之性質來表示
21更原證4拋光墊之性質…」，故不應認定熟習該項技術者能
22結合更原證4號、更原證5號與更原證6而輕易完成如系爭
23專利請求項3所界定之張力模數範圍云云。惟查：
24更原證6簡報第7頁左方文字內容已具體敘明IC1000為
25StifferMaterial（較硬，亦即模數較大）、SubaIV為
26FlexibleMaterial（柔軟，亦即模數較小），熟習該項技術者
27當然可以得知其右方圖示之儲存模數曲線數值較大者應為
371IC1000，數值較小者則應為SubaIV，且由於更原證6第7
2頁右方之圖示係以理工相關技術領域周知之半對數座標圖呈
3現溫度與模數的關係曲線，熟習該項技術者當然亦可輕易地
4由該圖示讀取前述拋光墊在特定溫度（如40℃）時之儲存
5模數值，應無參加人所主張之不明確或無法讀取對應數值之
6情事。
7另查，更原證6簡報第4頁之技術內容為stress、strain、
8modulus等與time之關係，其圖示亦未指明所研究之內容為
9剪力儲存模數，尚難據以認定原證6簡報第7頁圖示之模數
10曲線即應為剪力儲存模數，另查更原證6簡報第6頁實驗條
11件中已具體指明其操作條件為Tension(張力):1Hz，故該簡
12報中所使用者應係為張力儲存模數，且如前述，縱使更原證
136號第7頁中之儲存模數並未指明為張力模數(E')還是剪力
14模數(G')，但依該圖所指的IC1000拋光襯墊或是參加人所
15指的A拋光襯墊(參更參證1第7頁)在40℃時之儲存模數
16進行推算，該拋光墊之張力模數值均會落入系爭專利請求項
173所界定之範圍，是以，熟習該項技術者當能基於前述先前
18技術之內容而輕易完成系爭專利請求項3之發明，故參加人
19之主張，不足採信。
20關於更原證6第7頁所示圖形中IC1000之tanδ值雖大致
21呈現較SubaIV之tanδ值大的趨勢，但在25℃-105℃一帶
22的區間卻顯示較SubaIV大之tanδ值一節，查參加人前述
23論理主要之依據為其於109年2月20日所提簡報第15頁圖
24形所示之設定條件，再配合系爭專利關於tanδ之定義進行
25推論，惟該簡報第15頁中關於E'之定義為彈性回應（
26elasticrespose)、E''之定義為內部運動之能量損耗（energy
27lossininternalmotion)，與系爭專利說明書第11-12頁中關
381於E'為彈性應力與形變的比例、E''之定義為黏度應力與形
2變的比例等定義並不一致，尚難將二者視為相同定義而進行
3衍伸推論；退萬步言，縱使二者可進行衍伸推導，亦僅能證
4明就該簡報第15頁所示（例如一般材質、應力為重力等）
5之特定條件下該推論成立，尚難據以認定在IC1000、Suba
6IV等使用特定材質之拋光墊亦必然成立。再者，參照更原
7證14（即前審證據5）第E7.3.2~E7.3.4（即更原證6簡報
8之詳細說明論文）可知，其研究所使用之IC1000、SubaIV
9等拋光墊的tanδ在前述溫度點各自有過渡（transition）現
10象發生，是以，該等拋光墊tanδ之表現縱與一般性推論之
11趨勢不一致，仍屬經該研究實驗驗證之該等拋光墊實況，應
12為值得再研究討論之特性，並不能據此逕予否定該等拋光墊
13其他經（同時）實驗量測驗證的性質（如E'值），故在參加
14人未提出合理反證（證明該實驗數據並非IC1000拋光墊）
15的前提下，更原證6簡報第7頁所示圖形中關於E'值較高之
16實驗值曲線，應認定為IC1000拋光墊之量測結果，故本院
17認為參加人之主張，並不足採。
18關於更原證6研究所使用之IC1000拋光墊，會因厚度等因
19素而導致其與更原證4所揭示拋光墊結果不同，不能使用更
20原證6所揭示拋光墊之性質來表示更原證4拋光墊之性質，
21故不應認定熟習該項技術者有動機結合更原證4號、更原證
225號與更原證6號而輕易完成如系爭專利請求項3所界定之
23E'數值範圍一節，查更原證4號、更原證5號及更原證6號
24均屬黏彈性拋光墊之相關技術領域，包含提升化學機械平面
25化(CMP)程序效能之共通問題，且涉及拋光墊黏彈性質等功
26能或作用之共通性，且更原證4號與更原證6號所使用之拋
27光墊皆屬於IC1000與SUBAIV等相同系列之拋光墊，縱使
391更原證6與更原證4所使用之拋光墊非完全一致，熟悉該項
2技術者基於更原證4、更原證5等所揭示之拋光墊而進行調
3整改良時，理應會優先考量與更原證4所揭示拋光墊為相同
4系列（例如更原證6之IC1000等）之性質為目標進行前述
5墊體材料成分組成之調配等改良（拋光墊應可由典型習知技
6術製造，並可藉由習知的墊體材料成分組成調配技術，改良
7基礎聚合物而獲得所欲之特定性質，參系爭專利說明書第
811頁第15行-第12頁第1行、說明書第15頁第4-8行、
9說明書第21頁第1-9行等內容)，因此仍會有動機結合前述
10先前技術之內容而輕易完成系爭專利之發明。是以，參加人
11前述主張，亦不足採。
12參加人又主張「IC1000拋光墊包含多種品項，其物理性質（
13例如比重）亦因而有異」、「更原證6號所揭示者為拋光墊
14之儲存模數，並未指明該模數係張力模數或剪力模數」，故不
15應認定熟習該項技術者能結合更原證4號、更原證5號與更
16原證6號而輕易完成如系爭專利請求項3所界定之張力模數
17範圍云云。惟如前述，熟習該項技術者當能輕易以更原證5
18號所揭示之蒲松氏公式（Poisson'sequation）而由IC1000之G'
19值推算更原證4號中所使用拋光墊之E'值，並經簡單試驗而
20獲得如系爭專利請求項3所界定張力模數（E'）範圍，並無須
21涉及拋光墊之其他品項或物理性質（如比重等）之必要；且如
22前述，無論更原證6號所揭示者為拋光墊之模數係張力模數
23或剪力模數，其所揭示IC1000拋光墊之E'值皆落入系爭專利
24請求項3所界定之數值範圍，故系爭專利請求項3所載發明
25之整體仍為熟習該項技術者基於前述先前技術依實際程序之需
26要而能經由簡單試驗輕易完成的。是以，參加人之主張並無理
27由，應不足採。
401綜上所述，更原證4號、更原證5號及更原證6號之組合，
2足以證明系爭專利請求項3不具進步性。
3七、更原證4號（即前審證據10）、更原證5號（即前審證據11
4）及更原證6號（即前審證據6）之組合，可證明系爭專利請
5求項4不具進步性：
6系爭專利請求項4係為請求項1之附屬項，包含請求項1所
7有之技術特徵，並進一步界定「其中該拋光層具有一約為100
8到1,000（1/Pa在40℃時）之KEL」之附屬技術特徵。
9更原證4號及更原證5號之組合，可證明請求項1不具進步
10性，已如前述。有關請求項4附屬技術特徵，依據更原證4
11號圖4所示，在40℃時IC1000之G'值約為73MPa(照IC1000
12受頻率影響可推知，於系爭專利請求項所界定10弳度/秒之
13頻率條件下，實際值應略高於73MPa)，且如更原證5號所揭
14示之E'=3G'的公式，可得到張力模數E'為219MPa。復查更
15原證6號第7頁（本院卷一第289頁），不論IC1000或
16SUBAIV在40度時之tanδ皆約為0.08，再以E'為219MPa
17帶入系爭專利說明書第11頁(參照其優先權案美國臨時申請案
122
1860/207938)能量損失因子公式KEL=tanδ*10/[E’*(1+tanδ)
1262
19，即KEL=0.08*10/[219(10*(1+0.08)]=362.9，約為362(1/Pa)
20其已揭露系爭專利請求項4之「該拋光層具有一約為100到
211,000（1/Pa在40℃時）之KEL」等技術內容，因此，更原證
224號、更原證5號及更原證6號之組合，足以證明系爭專利
23請求項4不具進步性。
24退步言之，系爭專利請求項4係以性質界定拋光襯墊，而更
25原證6號第7頁中之儲存模數並未指明為張力模數（E')還是
26剪力模數（G'），但依該圖所指的SuBaIV拋光襯墊或是參加
27人所指的B拋光襯墊（參更參證1第7頁），該儲存模數在
41140℃時約為145MPa，且tanδ=0.08。再同時參考更原證5號
2所記載的E'=3G'公式，以及系爭專利說明書第11頁（參照其
3優先權案美國臨時申請案60/207938)能量損失因子公式
122
4KEL=tanδ*10/[E'*（1+tanδ)，可得到如下表之KEL值：
5
40℃SubaIV(B)之KEL
E'=150約530
G'=150約177
6
7
8由上可知，無論更原證6號第7頁中之儲存模數所指為何，
9當其為張力模數(E')或是剪力模數(G')，其所得到的KEL值
10均已揭示了系爭專利請求項4所界定的「該拋光層具有一約
11為100到1,000（1/Pa在40℃時）之KEL」的技術特徵。據
12此，更原證4號、更原證5號及更原證6號之組合，已足以
13證明系爭專利請求項4不具進步性。
14參加人雖主張「IC1000拋光墊包含多種品項，其物理性質（
15例如比重）亦因而有異，更原證6號所揭示之IC1000拋光墊
16與更原證4號所揭示者不必然相同…」，故不應認定熟習該
17項技術者有動機結合更原證4號、更原證5號與更原證6號
18而輕易完成如系爭專利請求項4所界定之KEL數值範圍云云
19。惟查，更原證4號與更原證6號所使用之拋光墊皆屬於
20IC1000與SUBAIV等相同系列之拋光墊，更原證6號更揭示
21關於拋光墊性質之研究，應同時關注儲存模數、tanδ值等，
22以提升其應用性，熟習該項技術者經更原證6號之教示，當
23會有動機嘗試依實際程序之需，基於更原證6號所揭示前述
24儲存模數、tanδ值等之數值範圍，調整更原證4號所揭示相
25同系列拋光墊之前述性質，以進一步提升拋光墊之應用性（拋
421光墊應可由典型習知技術製造，並可藉由習知的墊體材料成分
2組成調配技術，改良基礎聚合物而獲得所欲之特定性質；參系
3爭專利說明書第11頁第15行至第12頁第1行、說明書第15
4頁第4-8行、說明書第21頁第1-9行等內容可知)，故即使更
5原證4與更原證6所使用之拋光墊未完全相同，熟悉該項技
6術者於改良更原證4所揭示拋光墊之性質時，理應會優先以
7同系列拋光墊(如更原證6之IC1000、SUBAIV等)所列示性質
8為目標，進行前述墊體材料成分組成之調配等改良（詳如前述
9陸、六所述），因此仍會有動機結合前述先前技術之內容
10而輕易完成系爭專利之發明；且如前述，更原證6號所揭示
11之技術思想為應同時關注儲存模數(如張力模數E')、tanδ值
12等（亦即須關注其等之相對值）以獲得應用性佳之拋光墊，
13且經換算其所揭示SUBAIV等拋光墊之KEL落入系爭專利請
14求項4所界定之範圍，而系爭專利請求項4進一步界定之
122
15KEL(等於10*tanδ/[E'(1+tanδ)])數值範圍，就技術概念
16的本質而言亦僅為界定張力模數E'於tanδ之相對值範圍，故
17更原證6號已實質揭示系爭專利請求項4所附加之技術特徵
18，又如前述，更原證4號、更原證5號與更原證6號間具有
19技術領域關聯性、解決問題共通性等結合動機，熟習該項技術
20者當能基於前述先前技術依實際程序之需，經由簡單試驗（如
21參數最佳化試驗等）而輕易完成系爭專利請求項4發明之整
22體。是以，參加人之主張，並不足採。
23綜上所述，更原證4號、更原證5號及更原證6號之組合係
24已足以證明系爭專利請求項4不具進步性。
25八、綜上所述，更原證4號、更原證5號之組合，及更原證6號
26之組合，可證明系爭專利請求項3不具進步性，更原證4號
27、更原證5號及更原證6號之組合，可證明系爭專利請求項4
431不具進步性，系爭專利3、4具有得撤銷之事由，系爭專利請
2求項3、4違反90年專利法第20條第2項規定，具有得撤銷
3之事由，原處分關於「請求項3至4舉發不成立」部分之處
4分，及訴願機關所為駁回訴願之決定，尚有違誤，原告訴請
5撤銷訴願決定及原處分關於「請求項3至4舉發不成立」部
6分，應屬正當，又本件事證業已明確，爰依行政訴訟法第200
7條第3款規定，命被告就系爭專利請求項3、4應作成舉發成
8立撤銷專利權之處分。
9九、本件事證已明，兩造其餘攻擊防禦方法，均與本件判決結果
10不生影響，爰不逐一論述，併此敘明。
11據上論結，本件原告之訴為有理由，爰依智慧財產案件審理法第1
12條，行政訴訟法第200條第3款、第98條第1項前段，判決如主
13文。
14中華民國109年3月26日
15智慧財產法院第二庭
16審判長法官曾啟謀
17法官林洲富
18法官彭洪英
19以上正本係照原本作成。
20如不服本判決，應於送達後20日內，向本院提出上訴並表明上訴
21理由，其未表明上訴理由者，應於提起上訴後20日內向本院補提
22上訴理由書；如於本判決宣示後送達前提起上訴者，應於判決送
23達後20日內補提上訴理由書（均須按他造人數附繕本）。
24上訴時應委任律師為訴訟代理人，並提出委任書（行政訴訟法第
25241條之1第1項前段），但符合下列情形者，得例外不委任律師
26為訴訟代理人（同條第1項但書、第2項）。
得不委任律師為訴訟所需要件
代理人之情形
44符合右列情形之一上訴人或其法定代理人具備律
者，得不委任律師師資格或為教育部審定合格之
為訴訟代理人大學或獨立學院公法學教授、
副教授者。
稅務行政事件，上訴人或其法
定代理人具備會計師資格者。
專利行政事件，上訴人或其法
定代理人具備專利師資格或依
法得為專利代理人者。
非律師具有右列情上訴人之配偶、三親等內之血
形之一，經最高行親、二親等內之姻親具備律師
政法院認為適當資格者。
者，亦得為上訴審稅務行政事件，具備會計師資
訴訟代理人格者。
專利行政事件，具備專利師資
格或依法得為專利代理人者。
上訴人為公法人、中央或地方
機關、公法上之非法人團體
時，其所屬專任人員辦理法
制、法務、訴願業務或與訴訟
事件相關業務者。
是否符合、之情形，而得為強制律師代理之例外，
上訴人應於提起上訴或委任時釋明之，並提出所示關
係之釋明文書影本及委任書。
1中華民國109年3月26日
2書記官郭宇修
45