積體電路製程技術考古題｜歷屆國考試題彙整

描述並繪出微影（Lithography）技術中，使用正光阻（Positive Photoresist）及負 光阻（Negative Photoresist）於曝光、顯影蝕刻後薄膜形成之圖案，假設結構層為： 光阻（Photoresist）/薄膜（Film）/基板（Substrate）。同時比較兩種光阻在解析 度（Resolution）、對比（Contrast）、線幅（Line Width）之結果。並説明在多少 相對濕度環境下會有較好的黏附（Adhesion）。（20 分）

敘述鎢金屬化學氣相沉積（Chemical Vapor Deposition, CVD-W）技術在極大型 積體電路 （ULSI） 應用上，氣相預清潔（Vapor Phase Precleaning）技術在沉積 速率（Deposition Rate）、選擇率（Selectivity）、矽耗（Si Consumption）、黏附 （Adhesion）之影響特性。並説明上述結果與傳統 RCA 清潔（RCA Cleaning） 技術之比較。（ 20 分）

説明電子迴旋共振化學氣相沉積（Electron Cyclotron Resonance, ECR-CVD）技 術之優點。描述ECR二氧化矽（SiO2）之氧化機構（Oxidation Mechanism）。 並説明與高溫爐乾/濕式（Furnace Dry/Wet）氧化機構之差異。（ 20 分）

討論從半導體元件物理觀點，如何製造一個好的歐姆接觸（Ohmic Contact）？ （ 20 分）

説明在砷化鎵（GaAs）中，什麼是點缺陷（Point Defect）？為什麼可以容易製 造半絕緣砷化鎵材料？（ 20 分）

說明從天然矽砂到形成矽晶圓的基本步驟。（20 分）

在半導體的摻雜製程中，試說明離子佈植法（Ion Implantation）優於熱擴 散法（Thermal Diffusion）之處。又，為何晶圓在離子佈植後需要熱退火 （Annealing）處理？（20 分）

何謂電漿（Plasma）？列出在化學氣相沉積（Chemical Vapor Deposition, CVD）和蝕刻製程中使用電漿的好處。（20 分）

在金屬化製程中，形成金屬連線的元素種類眾多，為何目前一般製程較 傾向使用銅製程甚於鋁製程，試說明之。 在金屬連線製程中，可以藉由 化學氣相沉積（CVD）與物理氣相沉積（PVD）製程方法來沉積金屬。若 要填充高深寬比之金屬栓塞（Plug），試問何種金屬及何種製程方法較適 合？（20 分）

半導體製程中，為何需要平坦化製程（Planarization Process）？並說明化 學機械研磨法（Chemical-Mechanical Polishing, CMP）之原理及影響此平 坦化技術的主要製程參數為何。（20 分）