一不可逆(irreversible)之液相基本反應(elementary reaction)A+B C 於一
絕熱之連續式攪拌槽反應器(Continuously Stirred Tank Reactor, CSTR)中進
行。此反應之反應熱為-6 kcal/mol,於300 K 之反應常數為0.01 liter/mole.s,
反應活化能為10 kcal/mol。A 與B 的比熱均為15 cal/mol.K,C 的比熱為
30 cal/mol.K。若以相同莫耳濃度之A 與B 以2 公升/秒與CA0=0.1 M 的
條件注入反應器中。試計算達到85%轉化率所需之反應器體積。(25 分)
一層流反應器(Laminar Flow Reactor, LFR)之長度為L,軸向流速分
布可表示為:
−
=
2
2
0
R
r
1
R
π
2v
U
,其中v0 為體積流率,R 為反應器
之半徑,r 為反應器之徑向距離。試推導滯留時間分布(Resident time
distribution function, E(t))。(25 分)
氣體A 在500℃與某壓力條件下進行分解反應,依實驗觀察為一次反
應。某學者提出下列的反應機制:
*
*
A
A
A
A
A
R
S
→
+
+
←
→
+
請回答下列問題:
試說明上述反應機制如何解釋實驗的觀察。(15 分)
試提出為更進一步驗證此機制可進行的實驗,及預期的實驗結果。
(10 分)
A
A
A
A
A
R
S
矽(Si)薄膜在半導體製程中可利用四氯甲矽烷(SiCl4)與氫氣(H2)在平面基板上
以氣相沉積方式鍍膜,設S 為鍍膜表面活性位置(active site),整體反應機制如下:
)
(
2
)
(
2
)
(
4
Cl
SiCl
SiCl
g
g
g
+
(已達準平衡狀態,平衡常數K1)
)
(
)
(
2
2H
H
g
g
(已達準平衡狀態,平衡常數K2)
S
S
g
•
+
2
)
(
2
SiCl
SiCl
(已達準平衡狀態,平衡常數K3)
)
(
)
(
)
(
2
2HCl
Si
2H
SiCl
g
s
g
S
S
k
+
+
⎯→
⎯
+
•
(速率決定步驟,正向速率常數k)
請推導矽薄膜之生成速率表示式(rSi)。(15 分)
請分別說明矽薄膜之生成速率隨SiCl4、H2 與Cl2 分壓之變化關係。(6 分)
請問此反應機制是遵守Eley-Rideal 還是Langmuir-Hinshelwood 理論。(4 分)
氣相二階(second order)反應2A → B 於恆溫之定體積批次反應器中進行,反應
開始時含有A 與惰性氣體I,請問下列實驗數據圖中那些是正確的?原因為何?
(C:濃度;P:壓力;X:轉化率;t:反應時間)(25 分)
CA
t
(a)
ln CA
t
(b)
CA
(c)
1
t
P
X
(e)
PI
X
(f)
CI
t
(d)