智慧財產法院行政判決

民國101年9月6日辯論終結

原告

勝開科技股份有限公司

代表人

劉福洲

訴訟代理人

范清銘 律師

訴訟代理人

范銘祥 律師

上一人複代理人

李宛珍 律師

輔佐人

劉國景

被告

經濟部智慧財產局

代表人

王美花

訴訟代理人

謝文元

參加人

華泰電子股份有限公司

代表人

杜俊元

訴訟代理人

翁祖立 律師

　陳全正 律師

　花瑞銘 專利代理人

上列當事人間因發明專利舉發事件，原告不服經濟部中華民國101 年1 月5 日經訴字第10106100050 號訴願決定，提起行政訴訟，並經本院命參加人獨立參加被告之訴訟，本院判決如下：

主文

事實及理由

壹、事實概要：原告前於民國89年11月22日以「積體電路堆疊構造及其製造方法（一）」向被告申請發明專利，經被告編為第89124965號審查，准予專利，並於公告期滿後，核給發明第145039號專利證書（下稱系爭專利）。參加人以系爭專利違反核准時專利法第20條第2 項及第71條第3 款規定，不符發明專利要件，對之提起舉發。案經被告審查，其於96年7 月5 日以(96)智專三（二）04060 字第09620374570 號專利舉發審定書為舉發不成立之處分。參加人不服，提起訴願，經濟部於97年11月21日以經訴字第09706116410 號訴願決定書撤銷原處分。原告不服，提起行政訴訟，經本院於98年6 月4 日以98年度行專訴字第14號行政判決駁回；原告復向最高行政法院提起上訴，經最高行政法院於98年9 月24日以98年度裁字第2270號裁定上訴駁回確定在案。原告嗣於99年10月12日提出系爭專利申請專利範圍更正本，經被告核認其未實質擴大或變更原申請專利範圍，准予更正，並重行審酌本案舉發案，認系爭專利違反核准時專利法第20條第2 項規定，並於100年7 月28日以(100) 智專三（二）04099 字第10020662130號專利舉發審定書所為「舉發成立，應撤銷專利權」處分。原告不服原處分，提起訴願，經濟部以101 年1 月5 日經訴字第10106100050 號訴願決定駁回之，遂向本院提起行政訴訟。因本院認本件判決之結果，將影響參加人之權利或法律上之利益，依職權命參加人獨立參加本件被告之訴訟。

貳、原告主張：

一、系爭專利請求項1 所限定之技術特徵，當然不脫其本身之技術範圍，故訴願理由之結論中「請求項1 所限定技術特徵，不脫請求項1 整體之技術欲達成之功效」之內容，其與結論顯不具邏輯關係，部分之推論實質上未有論理，顯理由不備，並違論理法則。再者，個別構件之功效眾多，不可能於有限篇幅之專利說明書中逐一詳列，專利審查基準亦未要求記載所有功效。則並無法直接推論出「可見系爭專利業已自承該項所限定技術特徵，不脫請求項1 整體之技術欲達成之功效」。判斷某發明是否具有進步性，其功效應整體觀之，而非將各元件拆解個別觀察。訴願決定僅以系爭專利說明書均未強調系爭專利某請求項之某元件有何功效，即否定該請求項之進步性，明顯違反說明書揭露之判斷原則，亦違反系爭專利核准時審查基準有關進步性判斷之規定。

二、習知技術與證據2 美國第5232962 號專利之組合，縱使可證明請求項4 、7 不具進步性。然加入證據4 美國第5721452號專利後，習知技術即系爭專利之圖1 與證據2 、4 之組合，其與習知技術與證據2 之組合必然不同，則習知技術與證據2 之組合可證明系爭專利請求項4 不具進步性，並無法直接推論習知技術與證據2 、4 之組合，可證明系爭專利請求項4 、7 不具進步性。訴願決定未就組合方式、教示、建議或動機為論述，部分之決定理由顯不備理由。而證據1 美國第5323060 號專利與證據2 之組合，縱使可證明系爭專利請求項7 不具進步性，然加入證據4 之後，證據1 、2 及4 之組合，其與證據1 、2 之組合必不相同，無法直接推論證據1 、2 及4 之組合亦可證明系爭專利請求項7 不具進步性。訴願決定未就組合方式、教示、建議或動機部分為論述，部分之決定理由，顯不備理由。

三、依系爭專利核准審定時專利法第20條第2 項規定，判斷有無進步性之標的為系爭專利，而引證案或其組合係用以與判斷有無進步性之標的比對。訴願決定理由稱：習知技術與證據2 置換或組合後之發明，並未產生無法預期之功效云云。顯誤將應用以比對之引證案或其組合作為標的本身，以判斷其有無進步性。再者，訴願決定未載明系爭專利是否具有突出之技術特徵或顯然之進步。而系爭專利相較於舉發人所提諸引證或其組合，有效改進積體電路堆疊製程，使其製造上更為便利，而降低生產成本，且具有便於將積體電路予以堆疊之功效，以達到提高生產速度之目的，更可在塗佈黏著層時，同時將隔離層置放於積體電路上，可減化積體電路堆疊製程，亦可以現有塗佈機具，同時完成塗佈黏膠及隔離層，不需另外購置設備，在整體上有相乘之功效增進，故系爭專利可稱在技術發展空間有限之堆疊封裝技術領域中，完成突破性之技術結合改進，應得視為具有顯然之進步。訴願決定未審酌審查基準之規定，對於系爭專利是否在技術發展空間有限之領域中，完成突破性之微小改進，亦未說明其所以不採審查基準規定之理由，其決定顯有違誤。

四、習知技術至少未揭露系爭專利請求項1 「一黏著層，係塗佈於下層積體電路之第二表面，其包括有黏著液及填充元件；一上層積體電路，係疊合於下層積體電路之第二表面上，藉由黏著液與下層積體電路黏合固定，且藉由填充元件之阻隔，使下層積體電路與該上層積體電路間形成適當之間距，其中基板訊號輸出端為球柵陣列式之金屬球」技術特徵。而系爭專利將黏著液(44)與填充元件(46)混合成為黏著層，使上層積體電(48)與下層積體電路(32)黏合時，可同時使上層積體電路與下層積體電路形成間距(50)，而複數條導線(40)則位於間距內，不致被上層積體電路壓損，具有便於將上、下兩積體電路予以黏著堆疊之功效。相較習知技術，系爭專利顯然係在技術發展空間有限之領域中，在技術上有微小之改進，得視為具有顯然之進步，而非為熟習該項技術者所能輕易完成。證據2 與系爭專利相較，證據2 至少未揭露系爭專利請求項1 藉由填充元件之阻隔，使下層積體電路與上層積體電路間形成適當之間距技術特徵。故證據2 黏著間隙元件(16)係用於連結材料不同之半導體裸晶(10)及一基材(12)；而系爭專利填充元件係用於連結材料相同之上層積體電路及下層積體電路。而系爭專利使上層積體電路與下層積體電路形成間距，而複數條導線恰位於間距內，不致被上層積體電路壓損，具有便於將上、下兩積體電路予以黏著堆疊之功效。相較證據2 ，系爭專利顯然在技術發展空間有限之領域中，在技術上有微小之改進，得視為具有顯然之進步。系爭專利所載之習知技術未揭露其基板訊號輸出端為球柵陣列式之金屬球(BGA) ，其未標明其上球狀物之材質為何，故其材質亦可能為其他非金屬導電物，訴願決定書謂必為金屬球云云，顯屬武斷。而證據2 亦未揭露其基板訊號輸出端為球柵陣列式之金屬球。準此，系爭專利請求項1 「基板訊號輸出端為球柵陣列式之金屬球」特徵，均未揭露於習知技術及證據2 中。再者，系爭專利請求項1 相較於習知技術或其組合，有效改進積體電路堆疊製程，使其製造上更為便利，而降低生產成本，且具有便於將積體電路予以堆疊之功效，以達到提高生產速度之目的，更可在塗佈黏著層時，同時將隔離層置放於積體電路上，可減化積體電路堆疊製程，亦可以現有塗佈機具同時完成塗佈黏膠及隔離層，不需另外購置設備，在整體上有相乘之功效增進，故系爭專利請求項1 在技術發展空間有限之堆疊封裝技術領域中，完成突破性之技術結合改進，具有顯然之進步。

五、習知技術至少未揭露系爭專利請求項2 「一黏著層，係塗佈於下層積體電路之第二表面，其包括有黏著液及填充元件；一上層積體電路，係疊合於下層積體電路之第二表面上，藉由黏著液與下層積體電路黏合固定，且藉由填充元件之阻隔，使下層積體電路與上層積體電路間形成一適當之間距」技術特徵。而系爭專利將黏著液(44)與填充元件(46)混合在一起成為一黏著層，使上層積體電路(48)與下層積體電路(32)黏合時，可同時使上層積體電路與下層積體電路形成一間距(50) ，而複數條導線(40)恰位於間距內，不致被上層積體電路壓損，具有便於將上、下兩積體電路予以黏著堆疊之功效，相較習知技術，系爭專利顯在技術發展空間有限之領域中，在技術上有微小的改進，得視為具有顯然之進步。證據2 至少未揭露系爭專利請求項2 藉由填充元件之阻隔，使下層積體電路與上層積體電路間形成一適當之間距技術特徵；即證據2 黏著間隙元件(16)係用於連結材料不同之半導體裸晶(10)及一基材(12)；而系爭專利填充元件(46)用於連結材料相同之上層積體電路及下層積體電路。而系爭專利使上層積體電路與下層積體電路形成一間距，而複數條導線位於間距內，不致被上層積體電路壓損，具有便於將上、下兩積體電路予以黏著堆疊之功效。相較證據2 ，系爭專利得視為具有顯然之進步。而系爭專利請求項2 組合「複數個導線係電連接於下層積體電路之第二表面邊緣」特徵後，系爭專利塗佈於下層積體電路之第二表面且包括有黏著液及填充元件之黏著層，可發揮良好控制間距而提供容納導線空間之顯然之進步。系爭專利請求項2 相較於上開習知技術或其組合，有效改進積體電路堆疊製程，使其製造上更為便利，而降低生產成本，且具有便於將積體電路予以堆疊之功效，以達到提高生產速度之目的，更可在塗佈黏著層時，同時將隔離層置放於積體電路上，可減化積體電路堆疊製程，亦可以現有塗佈機具同時完成塗佈黏膠及隔離層，不需另外購置設備。準此，在整體上有相乘之功效增進，有顯然之進步。

六、習知技術至少未揭露系爭專利請求項3 「一黏著層，係塗佈於下層積體電路之第二表面，其包括有黏著液及填充元件；一上層積體電路，係疊合於下層積體電路之第二表面上，藉由黏著液與下層積體電路黏合固定，且藉由填充元件之阻隔，使下層積體電路與上層積體電路間形成一適當之間距」技術特徵。而系爭專利將黏著液(44)與填充元件(46)混合為一黏著層，使上層積體電(48)與下層積體電路(32)黏合時，可同時使上層積體電路與下層積體電路形成一間距(50)，而複數條導線(40)恰位於間距內，不致被上層積體電路壓損，具有便於將上、下兩積體電路予以黏著堆疊之功效，相較習知技術，系爭專利具有顯然之進步，而非為熟習該項技術者所能輕易完成。證據2 至少未揭露系爭專利請求項3 藉由填充元件之阻隔，使下層積體電路與上層積體電路間形成一適當間距之技術特徵；即證據2 黏著間隙元件(16)用於連結材料不同之半導體裸晶(10)及一基材(12)；而系爭專利填充元件用於連結材料相同之上層積體電路及下層積體電路。而系爭專利使上層積體電路與下層積體電路形成一間距，而複數條導線則位於間距內，不致被上層積體電路壓損，具有便於將上、下兩積體電路予以黏著堆疊之功效，相較證據2 ，系爭專利具有顯然之進步。而系爭專利所載之習知技術未揭露系爭專利塗佈於下層積體電路之第二表面，且包括有黏著液及填充元件之黏著層。系爭專利說明書中未載明其習知技術中隔離層為塗佈於下層積體電路之第二表面中央部位，且核諸系爭專利說明書第4 頁第14至21行之內容，未載明其所載之習知技術中隔離層之位置之詳細技術內容。準此，系爭專利所載之習知技術未揭露其黏著層為塗佈於下層積體電路之第二表面中央部位。而證據2 亦未揭露其黏著層係塗佈於下層積體電路之第二表面中央部位。準此，系爭專利請求項3 「黏著層係塗佈於下層積體電路之第二表面中央部位」特徵，均未揭露於系爭專利所載之習知技術及證據2 中。再者，系爭專利請求項3 組合「黏著層係塗佈於下層積體電路之第二表面中央部位」特徵後，系爭專利塗佈於下層積體電路之第二表面，且包括有黏著液及填充元件之黏著層可發揮良好控制間距，而提供容納導線空間之顯然之進步。系爭專利請求項3 相較於上開習知技術或其組合，有效改進積體電路堆疊製程，使其製造上更為便利，而降低生產成本，且具有便於將積體電路予以堆疊之功效，以達提高生產速度之目的，亦可在塗佈黏著層時，同時將隔離層置放於積體電路上，可減化積體電路堆疊製程，亦可以現有塗佈機具同時完成塗佈黏膠及隔離層，不需另外購置設備，故在整體上有相乘之功效增進，應得視為具有顯然之進步。

七、習知技術至少未揭露系爭專利請求項4 「一黏著層，係塗佈於下層積體電路之第二表面，其包括有黏著液及填充元件；一上層積體電路，係疊合於下層積體電路之第二表面上，藉由黏著液與下層積體電路黏合固定，且藉由填充元件之阻隔，使下層積體電路與該上層積體電路間形成一適當之間距」技術特徵。而系爭專利將黏著液(44)與填充元件(46)混合成為一黏著層，使上層積體電(48)與下層積體電路(32)黏合時，可同時使上層積體電路與下層積體電路形成一間距(50)，而複數條導線(40)位於間距內，不致被上層積體電路壓損，具有便於將上、下兩積體電路予以黏著堆疊之功效，相較習知技術具有顯然之進步。證據2 至少未揭露系爭專利請求項4 藉由填充元件之阻隔，使下層積體電路與上層積體電路間形成一適當間距之技術特徵；即證據2 黏著間隙元件(16)用於連結材料不同之半導體裸晶(10)及一基材(12)，而系爭專利填充元件用於連結材料相同之上層積體電路及下層積體電路。而系爭專利使上層積體電路與下層積體電路形成一間距，而複數條導線則位於間距內，不致被上層積體電路壓損，具有便於將上、下兩積體電路予以黏著堆疊之功效，相較證據2 具有顯然之進步。而系爭專利之習知技術未揭露系爭專利塗佈於下層積體電路之第二表面，且包括有黏著液及填充元件之黏著層。另系爭專利說明書中未載明其所載之習知技術中隔離層，係塗佈於下層積體電路之第二表面四周部位，且核諸系爭專利說明書第4 頁第14至21行之內容，未載明系爭專利所載之習知技術中隔離層之位置之詳細技術內容。準此，系爭專利所載之習知技術，未揭露其黏著層為塗佈於下層積體電路之第二表面四周部位。而證據2 亦未揭露其黏著層塗佈於下層積體電路之第二表面四周部位。準此，請求項4 「黏著層塗佈於下層積體電路之第二表面四周部位」特徵，未揭露於系爭專利所載之習知技術及證據2 中。再者，系爭專利請求項4 組合「黏著層塗佈於下層積體電路之第二表面四周部位」特徵後，系爭專利塗佈於下層積體電路之第二表面，且包括有黏著液及填充元件之黏著層可發揮良好控制間距，而提供容納導線空間之顯然之進步。就系爭專利請求項4 而言，參加人以3 件不同文獻之組合，即屬非能輕易完成，故請求項4 具進步性。而系爭專利請求項4 「黏著層係塗佈於下層積體電路之第二表面四周部位」特徵，均未揭露於系爭專利所載之習知技術及證據2 、4 中。再者，系爭專利組合「黏著層係塗佈於下層積體電路之第二表面四周部位」特徵後，系爭專利塗佈於下層積體電路之第二表面，且包括有黏著液及填充元件之黏著層可發揮良好控制間距，而提供容納導線空間之顯然進步，系爭專利請求項4 相較系爭專利所載之習知技術及證據2 、4 之組合具進步性。另系爭專利請求項4 相較於上開習知技術或其組合，有效改進積體電路堆疊製程，使其製造上更為便利，而降低生產成本，且具有便於將積體電路予以堆疊之功效，以達到提高生產速度之目的，更可在塗佈黏著層時，同時將隔離層置放於積體電路上，可減化積體電路堆疊製程，亦可以現有塗佈機具同時完成塗佈黏膠及隔離層，不需另外購置設備。職是，在整體上有相乘之功效增進，應得視為具有顯然之進步。

八、習知技術至少未揭露系爭專利請求項5 「提供一具有黏著液及填充元件之黏著層於下層積體電路上；將一上層積體電路疊合於下層積體電路上，藉由該黏著層與下層積體電路黏合，且藉由填充元件之阻隔，使該下層積體電路與上層積體電路間形成一適當之間距」技術特徵。而系爭專利將黏著液(44)與填充元件(46)混合一起成為一黏著層，使上層積體電(48)與下層積體電路(32)黏合時，可同時使上層積體電路與下層積體電路形成一間距(50)，而複數條導線(40)則位於間距內，不致被上層積體電路壓損，具有便於將上、下兩積體電路予以黏著堆疊之功效，相較習知技術，得視為具有顯然之進步。證據2 未揭露系爭專利請求項5 藉由填充元件之阻隔，使下層積體電路與上層積體電路間形成一適當之間距技術特徵；即證據2 黏著間隙元件(16)係用於連結材料不同之半導體裸晶(10)及一基材(12)；而系爭專利填充元件用於連結材料相同之上層積體電路及下層積體電路。而系爭專利使上層積體電路與下層積體電路形成一間距，而複數條導線則位於間距內，不致被上層積體電路壓損，具有便於將上、下兩積體電路予以黏著堆疊之功效，相較證據2 ，得視為具有顯然之進步。證據1 未揭露系爭專利請求項5 之藉由該填充元件之阻隔，使下層積體電路與上層積體電路間形成一適當之間距技術特徵。而系爭專利使上層積體電路與下層積體電路形成一間距，而複數條導線則位於間距內，不致被上層積體電路壓損，具有便於將上、下兩積體電路予以黏著堆疊之功效，相較證據1 ，具有顯然之進步，而非為熟習該項技術者所能輕易完成。再者，系爭專利請求項5 相較於上開習知技術或其組合，有效改進積體電路堆疊製程，使其製造上更為便利，而降低生產成本，且具有便於將積體電路予以堆疊之功效，以達到提高生產速度之目的，更可在塗佈黏著層時，同時將隔離層置放於積體電路上，可減化積體電路堆疊製程，亦可以現有塗佈機具同時完成塗佈黏膠及隔離層，不需另外購置設備，故在整體上有相乘之功效增進，是系爭專利請求項5 應得視為具有顯然之進步。

九、習知技術至少未揭露系爭專利請求項6 「提供一具有黏著液及填充元件之黏著層於下層積體電路上；將一上層積體電路疊合於下層積體電路上，藉由黏著層與下層積體電路黏合，且藉由填充元件之阻隔，使下層積體電路與上層積體電路間形成一適當之間距」技術特徵。而系爭專利將黏著液(44)與填充元件(46)混合成為一黏著層，使上層積體電(48)與下層積體電路(32)黏合時，可同時使上層積體電路與下層積體電路形成一間距(50)，而複數條導線(40)則恰位於間距(50)內，不致被上層積體電路壓損，具有便於將上、下兩積體電路予以黏著堆疊之功效，相較習知技術，得視為具有顯然之進步。證據2 未揭露系爭專利請求項6 藉由填充元件之阻隔，使下層積體電路與上層積體電路間形成一適當之間距技術特徵；即證據2 黏著間隙元件(16)用於連結材料不同之半導體裸晶(10)及一基材(12)；而系爭專利填充元件用於連結材料相同之上層積體電路及下層積體電路。而系爭專利使上層積體電路與下層積體電路形成一間距，而複數條導線位於間距內，不致被上層積體電路壓損，具有便於將上、下兩積體電路予以黏著堆疊之功效，相較證據2 ，得視為具有顯然之進步。證據1 未揭露系爭專利請求項6 之藉由填充元件之阻隔，使下層積體電路與上層積體電路間形成一適當之間距技術特徵。而系爭專利使上層積體電路與下層積體電路形成一間距，而複數條導線則位於間距內，不致被上層積體電路壓損，具有便於將上、下兩積體電路予以黏著堆疊之功效，相較證據1 ，得視為具有顯然之進步。系爭專利所載之習知技術未揭露系爭專利具有黏著液及填充元件之黏著層。另系爭專利說明書中未載明其所載之習知技術中其隔離層，係塗佈於下層積體電路中央部位之特徵，且參諸系爭專利說明書第4頁第14至21行之內容，未載明系爭專利所載之習知技術中隔離層之位置之詳細技術內容。準此，系爭專利所載之習知技術未揭露其黏著層，係塗佈於下層積體電路中央部位之特徵。而證據2 亦未揭露其黏著層係塗佈於下層積體電路中央部位之特徵，準此，請求項6 「黏著層係塗佈於下層積體電路中央部位」特徵，均未揭露於系爭專利所載之習知技術及證據2 中。再者，系爭專利組合「黏著層係塗佈於下層積體電路中央部位」特徵後，系爭專利塗佈於下層積體電路之第二表面，且包括有黏著液及填充元件之黏著層，可發揮良好控制間距而提供容納導線空間之顯然進步，故請求項6 相較系爭專利所載之習知技術及證據2 之組合具進步性。而證據1未揭露系爭專利具有黏著液及填充元件之黏著層。證據1 說明書亦記載未載明黏著層(38)位置之詳細技術內容。準此，證據1 未揭露其黏著層係塗佈於下層積體電路中央部位之特徵。而證據2 未揭露其黏著層係塗佈於下層積體電路中央部位之特徵。準此，請求項6 「黏著層係塗佈於下層積體電路中央部位」特徵，均未揭露於證據1 、2 。再者，系爭專利組合「黏著層係塗佈於下層積體電路中央部位」特徵後，系爭專利塗佈於下層積體電路之第二表面，且包括有黏著液及填充元件之黏著層，可發揮良好控制間距而提供容納導線空間之顯然進步，故請求項6 相較於證據1 、2 之組合具進步性。系爭專利請求項6 相較於上開習知技術或其組合，有效改進積體電路堆疊製程，使其製造上更為便利，而降低生產成本，且具有便於將積體電路予以堆疊之功效，以達到提高生產速度之目的，更可在塗佈黏著層時，同時將隔離層置放於積體電路上，可減化積體電路堆疊製程，亦可以現有塗佈機具同時完成塗佈黏膠及隔離層，不需另外購置設備。準此，在整體上有相乘之功效增進，應得視為具有顯然之進步。

十、習知技術至少未揭露系爭專利請求項7 「提供一具有黏著液及填充元件之黏著層於下層積體電路上；將一上層積體電路疊合於下層積體電路上，藉由黏著層與下層積體電路黏合，且藉由填充元件之阻隔，使下層積體電路與上層積體電路間形成一適當之間距」技術特徵。而系爭專利將黏著液(44)與填充元件(46)混合成為一黏著層，使上層積體電(48)與下層積體電路(32)黏合時，可同時使上層積體電路與下層積體電路形成一間距(50)，而複數條導線(40)位於間距內，不致被上層積體電路壓損，具有便於將上、下兩積體電路予以黏著堆疊之功效，相較習知技術，得視為具有顯然之進步。證據2 未揭露系爭專利請求項7 藉由填充元件之阻隔，使下層積體電路與上層積體電路間形成一適當之間距技術特徵；即證據2 黏著間隙元件(16)用於連結材料不同之半導體裸晶(10)及一基材(12)；而系爭專利填充元件用於連結材料相同之上層積體電路及下層積體電路。而系爭專利使上層積體電路與下層積體電路形成一間距，而複數條導線則位於間距內，不致被上層積體電路壓損，具有便於將上、下兩積體電路予以黏著堆疊之功效，相較證據2 ，得視為具有「顯然之進步」。證據1 未揭露系爭專利請求項7 之藉由填充元件之阻隔，使下層積體電路與上層積體電路間形成一適當之間距技術特徵。而系爭專利使上層積體電路與下層積體電路形成一間距，而複數條導線則位於間距內，不致被上層積體電路壓損，具有便於將上、下兩積體電路予以黏著堆疊之功效，相較證據1 ，得視為具有顯然之進步。而習知技術、證據1 、2、4 未揭露系爭專利具有黏著液及填充元件之黏著層，其隔離層係塗佈於下層積體電路四周部位之特徵，證據1 、2 ，證據2 、4 亦無法組合出上開特徵。再者，系爭專利組合「黏著層係塗佈於下層積體電路四周部位」特徵後，系爭專利塗佈於下層積體電路之第二表面，且包括有黏著液及填充元件之黏著層可發揮良好控制間距，而提供容納導線空間之顯然進步，系爭專利請求項7 相較於證據1 、2 之組合、習知技術及證據2 之組合具進步性。針對請求項7 ，參加人以3件不同文獻之組合，即屬非能輕易完成。再者，系爭專利組合「黏著層係塗佈於下層積體電路四周部位」特徵後，系爭專利塗佈於下層積體電路之第二表面，且包括有黏著液及填充元件之黏著層，可發揮良好控制間距而提供容納導線空間之顯然進步，依系爭專利核准審定時審查基準規定，請求項7 相較系爭專利所載之習知技術與證據1 、4 及證據2 之組合具進步性。系爭專利請求項7 相較於上開習知技術或其組合，有效改進積體電路堆疊製程，使其製造上更為便利，而降低生產成本，且具有便於將積體電路予以堆疊之功效，以達到提高生產速度之目的，更可在塗佈黏著層時，同時將隔離層置放於積體電路上，可減化積體電路堆疊製程，亦可以現有塗佈機具同時完成塗佈黏膠及隔離層，不需另購置設備，故在整體上有相乘之功效增進，應得視為具有顯然之進步。準此，起訴聲明請求，原處分及原決定均撤銷。

參、被告答辯：

一、系爭專利請求項1 「基板訊號輸出端為球柵陣列式之金屬球」，在系爭專利說明書均未強調有何功效，可見系爭專利業已自承該項所限定技術特徵，不脫請求項1 整體之技術欲達成之功效。證據2 說明書第1 欄第6 至10行揭示本發明係有關一種黏著接合技術，尤其特別用於控制接合線厚度之表面接合，例如有關封裝半導體元件之裝置，足徵習知技藝及證據2 皆屬半導體晶片堆疊封裝相同之技術領域，習知技術與系爭專利之不同在於形成晶片「間距之結構材料」不同，而此不同處已教示於證據2 之黏著材料，將習知技術中之「隔離層」置換為證據2 之「黏著材料」，而完成系爭專利請求項1 之藉由具有黏著液與填充元件之黏著層，使上、下層積體電路黏合固定，並藉由填充元件維持上、下積體電路間形成適當間距之發明，舉發審定書再針對系爭專利請求項1 之「該基板訊號輸出端為球柵陣列式之金屬球」所限定技術特徵，提出舉發審定理由，可見原處分業已充分審酌請求項1所記載之全部文字，難稱未整體觀之。再者，舉發審定理由依據系爭專利請求項1 與說明書所記載之「創作目的」及「創作功效」作為判斷認定，故未於申請專利說明書「創作目的」及「創作功效」揭載者，且非依據申請專利「技術內容、特點」始能獲得之功效，即不得作為認定「進步性」之依據。因此，系爭專利請求項1 「基板訊號輸出端為球柵陣列式之金屬球」，在系爭專利說明書均未強調有何功效之情況下，訴願決定理由難稱違背論理法則。再者，原處分第9 頁第3 行「足證習知技術及證據2 均屬半導體晶片堆疊封裝相同之技術領域」，已清楚指明組合動機，難稱組合動機之理由不備。

二、原處分與本院98年度行專訴字第14號行政判決第24頁第2 行起認定「證據2 說明書第1 欄第6 至10行揭示本發明係有關一種黏著接合技術，尤其特別用於控制接合線厚度之表面接合，例如有關封裝半導體元件的裝置」，足徵習知技藝或證據1 及證據2 均屬半導體晶片堆疊封裝相同之技術領域。甚者，證據2 揭示藉由具有間隙元件之黏著材料來黏著一基板(12) 與晶片(10)，復揭示該間隙元件(16)提供晶片與基板間一適當間距之功效，其已教示習知技藝中之隔離層置換為證據2 之黏著材料或證據1 之黏著層與證據2 之黏著材料之組合動機，而完成系爭專利請求項1 之藉由具有黏著液與填充元件之黏著層，使上、下層積體電路黏合固定，並藉由填充元件維持上、下積體電路間形成適當間距之發明，且習知技藝或證據1 與證據2 置換或組合後之發明，未產生無法預期之功效，是系爭專利申請專利範圍第1 項為該發明對於從事晶片黏著封裝之技術領域者，依習知技藝或證據1 與2 之技術所能輕易完成。系爭專利請求項6 為一種積體電路堆疊之製造方法，其係有關請求項1 之積體電路堆疊構造之製造方法，其主要技術特徵在於提供一具有黏著液及填充元件之黏著層於下層積體電路上，將一上層積體電路疊合於下層積體電路上，藉由黏著層與該下層積體電路黏合，且藉由填充元件之阻隔，使下層積體電路與上層積體電路間形成一適當間距。該方法亦可由習知技藝、證據1 及2 之組合而完成，而為從事晶片黏著封裝之技術領域者，依申請前之既有技術或知識所能輕易完成並無二致，原告訴稱原處分或訴願理由就引證文件何以組合動機，顯然理由不備云云。顯僅係對前揭確定之判決重複主張不服。

三、習知技術與系爭專利之不同在於形成晶片「間距之結構材料」不同，證據2 說明書第1 欄第6 至10行揭示「本發明係有關一種黏著接合技術，尤其特別用於控制接合線厚度之表面接合，如有關封裝半導體元件的裝置」，足證習知技術及證據2 均屬半導體晶片堆疊封裝相同之技術領域。甚者，證據2 揭示藉由具有間隙元件之黏著材料來黏著一基板(12)與晶片(10)，復揭示間隙元件(16)提供晶片與基板間一適當間距之功效，其習知技術中之隔離層置換為證據2 之黏著材料，而完成系爭專利請求項第1 項之藉由具有黏著液與填充元件之黏著層，使上、下層積體電路黏合固定，並藉由填充元件維持上、下積體電路間形成適當間距之發明，且習知技術與證據2 置換或組合後之發明並未產生無法預期之功效。再者，系爭專利請求項1 「該基板訊號輸出端為球柵陣列式之金屬球」揭示於系爭專利說明書習知技藝元件符號(30)，且系爭專利說明書均未強調有何功效，難稱功效不相同。系爭專利請求項1 為該發明對於從事晶片黏著封裝之技術領域者，依習知技術與證據2 結合之技術所能輕易完成。

四、系爭專利請求項1 與2 之差異，在於系爭專利請求項2 未進一步限縮「基板」之限縮條件為「其中基板訊號輸出端為球柵陣列式之金屬球」，而進一步限縮「複數個導線」之限縮條件為「其中複數個導線係電連接於該下層積體電路之第二表面邊緣」，系爭專利請求項2 與1 相同之技術特徵不具進步性。而系爭專利請求項2 「其中複數個導線係電連接於下層積體電路之第二表面邊緣」，揭示於習知技藝元件符號(17 、12) ，且系爭專利說明書均未強調有何功效，難稱功效不相同。系爭專利請求項2 為發明對於從事晶片黏著封裝之技術領域者，依習知技術與證據2 結合之技術所能輕易完成。

五、系爭專利請求項1 與3 之差異，在於系爭專利請求項3 未進一步限縮「基板」之限縮條件為「其中基板訊號輸出端為球柵陣列式之金屬球」，而進一步限縮「黏著層」之限縮條件為「其中黏著層係塗佈於下層積體電路之第二表面中央部位」。系爭專利請求項3 與1 相同之技術特徵不具進步性。而系爭專利請求項3 「其中黏著層係塗佈於該下層積體電路之第二表面中央部位」揭示於習知技術之剖面圖，元件符號(18)置中，且系爭專利說明書均未強調有何功效，難稱功效不相同。系爭專利請求項3 為該發明對於從事晶片黏著封裝之技術領域者，依習知技術與證據2 結合之技術所能輕易完成。

六、系爭專利請求項1 與4 之差異，在於系爭專利請求項4 未進一步限縮「基板」之限縮條件為「其中基板訊號輸出端為球柵陣列式之金屬球」，而進一步限縮「黏著層」之限縮條件為「黏著層係塗佈於該下層積體電路之第二表面四周部位」，系爭專利請求項4 與1 相同之技術特徵不具進步性。而系爭專利請求項4 「黏著層係塗佈於下層積體電路之第二表面四周部位」在系爭專利說明書均未強調有何功效，可見黏著層置「中」或者置於「四周部位」，僅為簡單之選擇，而黏著層置「中」不具進步性，故簡單之選擇置於四周部位，亦難稱功效不相同。系爭專利請求項4 為該發明對於從事晶片黏著封裝之技術領域者，依習知技術與證據2 結合之技術所能輕易完成，故習知技術與證據2 之組合足以證明系爭專利請求項4 不具進步性之理由。準此，習知技術與證據2 、4之組合足以證明系爭專利請求項4 不具進步性。

七、系爭專利請求項5 為一種積體電路堆疊之製造方法，該方法亦可由習知技術、證據2 之組合而完成系爭專利請求項5 之方法發明，而為從事晶片黏著封裝之技術領域者，依申請前之既有技術或知識所能輕易完成。經比對系爭專利請求項5與證據1 ，證據1 在一多晶片模組中，藉由具有一厚度之黏著層(38)來達成第一、二晶片間距有一間距。而系爭專利係藉由一具有黏著液(44)與填充元件(46)之黏著層使上、下積體電路黏合固定，藉由填充元件之阻隔，使下層積體電路與上層積體電路間形成一適當之間距(50)，且導線(44)係電連接於第一晶片(18)之第一接合面(22)，證據1 與系爭專利之不同在於形成晶片間間距之結構材料不同。證據2 說明書之發明摘要記載：「一種具有接合線限制間隔系統之黏著接合物，其包括有一黏著劑，其具有一可硬化黏著成分，暨複數個分佈於該黏著劑中之間隔元件。間隔元件可按尺寸製作，以於欲被接合的表面之間提供一自我限制的接合厚度」。而證據2 之圖1 及說明書第2 欄第60至64行揭示「參考第1 圖，一對基板(10 、12) 可利用一黏著接合材料(14)將兩者接合，並使兩者表面相對，黏著接合材料包括複數個散佈於其中之黏著間隙元件(16)」。說明書第3 欄第1 至5 行揭示「間隙元件可為不被壓塌之球面形狀元件，且可由任何不與環氧樹脂載子起反應之合適材料所形成，間隙元件須足夠堅固俾以維持所要之接合線厚度」。是證據2 揭示系爭專利藉由具有填充元件之黏著層，以形成兩晶片或晶片與基板間適當間距之技術特徵，證據2 之黏著間隙元件所提供之接合線厚度，是為使材料迥異之兩者間熱延展差異，提供良好阻抗。而證據2 說明書第1 欄第6 至10行揭示「本發明係有關一種黏著接合技術，尤其特別用於控制接合線厚度之表面接合，如有關封裝半導體元件的裝置」。足證證據1 、2 均屬半導體晶片堆疊封裝相同之技術領域。甚者，證據2 揭示藉由具有間隙元件之黏著材料來黏著一基板(12)與晶片(10)，復揭示該間隙元件提供晶片與基板間一適當間距之功效，其已教示證據1 之黏著層與證據2 之黏著材料之組合動機，而完成系爭專利請求項5 之藉由具有黏著液與填充元件之黏著層，使上、下層積體電路黏合固定，並藉由填充元件維持上、下積體電路間形成適當間距之發明，且證據1 與2 之置換或組合後之發明並未產生無法預期之功效。該方法可由證據1 與2 之組合而完成系爭專利請求項5 之方法發明，而為從事晶片黏著封裝之技術領域者，依申請前之既有技術或知識所能輕易完成。

八、系爭專利請求項6 為一種積體電路堆疊之製造方法，該方法亦可由習知技術、證據2 之組合而完成。系爭專利請求項6與5 之差異在於，系爭專利請求項6 未進一步限縮「複數個導線」之限縮條件為「係電連接於該下層積體電路之第二表面邊緣」，而進一步限縮「黏著層」限縮條件為「其中黏著層係塗佈於下層積體電路之第二表面中央部位」，系爭專利請求項6 與5 相同部分之技術特徵不具進步性。而系爭專利請求項6 「黏著層係塗佈於下層積體電路之第二表面中央部位」揭示於證據1 黏著層(38)位於第一晶片的中央部位，且系爭專利說明書均未強調有何功效，難稱功效不相同。該方法亦可由證據1 與2 之組合而完成系爭專利請求項6 之方法發明，而為從事晶片黏著封裝之技術領域者，依申請前之既有技術或知識所能輕易完成。

九、系爭專利請求項7 為一種積體電路堆疊之製造方法，該方法亦可由習知技術、證據2 之組合而完成。系爭專利請求項7與5 之差異，在於系爭專利請求項7 未進一步限縮「複數個導線」限縮條件為「係電連接於下層積體電路之第二表面邊緣」，而進一步限縮「黏著層」限縮條件為「黏著層係塗佈於該下層體電路四周部位」，系爭專利請求項7 與5 相同之技術特徵不具進步性。而系爭專利第7 項「黏著層係塗佈於下層體電路四周部位」在系爭專利說明書均未強調有何功效，可見黏著層置「中」或者置於「四周部位」，僅為簡單之選擇，而黏著層置「中」不具進步性，故簡單之選擇置於四周部位，亦難稱功效不相同。該方法可由證據1 與2 之組合而完成系爭專利申請專利範圍第7 項之方法發明，而為從事晶片黏著封裝之技術領域者，依申請前之既有技術或知識所能輕易完成，習知技術與證據2 、4 之組合足以證明系爭專利請求項7 不具進步性。準此，被告所為原處分並無違法，故聲明請求駁回原告之訴。

肆、參加人答辯：

一、系爭專利自承習知技術與系爭專利請求項1 相較，其差異僅於形成晶片間間距結構材料之差異；證據2 揭示藉由具有間隙元件之黏著材料來黏著一基板與晶片，復揭示間隙元件提供晶片與基板間一適當間距之功效，其已教示將習知技術中之隔離層置換為證據2 之黏著材料之組合動機，而完成請求項1 之藉由具有黏著液與填充元件之黏著層，使上、下層積體電路黏合固定，並藉由填充元件維持上、下積體電路間形成適當間距之發明，且習知技術與證據2 置換或組合後之發明並未產生無法預期之功效。此不具進步性之事實認定，本院98年度行專訴字第14號行政判決業已闡明。而第1 項「基板訊號輸出端為球柵陣列式之金屬球」揭示於習知技術元件符號(30)，且系爭專利說明書均未強調有何功效，難稱功效不相同。準此，系爭專利請求項1 為該發明對於從事晶片黏著封裝之技術領域者，依習知技術與證據2 結合之技術所能輕易完成。

二、系爭專利請求項1 之「該基板訊號輸出端為球柵陣列式之金屬球」習知技術與系爭專利之不同，在於形成晶片間間距之結構材料，而此不同處已教示將習知技術中之隔離層置換為證據2 之黏著材料之組合動機，而完成請求項1 之藉由具有黏著液與填充元件之黏著層，使上、下層積體電路黏合固定，並藉由填充元件維持上、下積體電路間形成適當間距之發明，復針對請求項1 「基板訊號輸出端為球柵陣列式之金屬球」所限定技術特徵，作成舉發審定理由及訴願決定，可見原處分及訴願決定業已充分審酌請求項1 所記載之全部文字，難稱未整體觀之。再者，原告再持業經本院98年度行專訴字第14號行政判決駁回之相同理由，爭執其具進步性。然其所持理由並未說明系爭專利具「突出之技術特徵」及「顯然之進步」事實，原告之起訴理由並不足採。

三、系爭專利請求項2 相較於請求項1 ，在於進一步限縮「複數個導線」之限縮條件為「其中複數個導線係電連接於下層積體電路之第二表面邊緣」；請求項2 與1 相同之技術特徵不具進步性。而系爭專利請求項2 「其中複數個導線係電連接於該下層積體電路之第二表面邊緣」技術特徵揭示於習知技術之元件符號(17 、12) ，且系爭專利說明書均未強調有何功效，難稱功效不相同。準此，系爭專利請求項2 為該發明對於從事晶片黏著封裝之技術領域者，依習知技術與證據2結合之技術所能輕易完成。

四、系爭專利請求項3 相較於請求項1 ，在於進一步限縮「黏著層」之限縮條件為「其中黏著層係塗佈於下層積體電路之第二表面中央部位」，系爭專利請求項3 與1 相同之技術特徵不具進步性。而系爭專利請求項3 「其中黏著層係塗佈於該下層積體電路之第二表面中央部位」揭示於習知技術之剖面圖之元件符號(18)中，且系爭專利說明書均未強調有何功效，難稱功效不相同。準此，系爭專利請求項3 為該發明對於從事晶片黏著封裝之技術領域者，依習知技術與證據2 結合之技術所能輕易完成。

五、系爭專利請求項4 相較於請求項1 ，請求項4 進一步限縮「黏著層」限縮條件為「黏著層係塗佈於該下層積體電路之第二表面四周部位」，系爭專利請求項4 與1 相同之技術特徵不具進步性。而系爭專利請求項4 「黏著層係塗佈於下層積體電路之第二表面四周部位」於系爭專利說明書均未強調有何功效，可見黏著層置「中」或者置於「四周部位」，僅為簡單之選擇，而黏著層置「中」不具進步性，簡單之選擇置於四周部位，亦難稱功效不相同。準此，系爭專利請求項4為該發明對於從事晶片黏著封裝之技術領域者，依習知技術與證據2 結合之技術所能輕易完成。

六、系爭專利請求項5 為一種積體電路堆疊之製造方法，其係請求項2 之積體電路堆疊構造之製造方法，該方法可由習知技術及證據2 之組合而完成系爭專利請求項5 之方法發明，而為從事晶片黏著封裝之技術領域者，依申請前之既有技術或知識所能輕易完成。證據1 與系爭專利請求項5 相較，證據1 僅在於形成晶片間間距之結構材料不同；而證據2 揭示系爭專利請求項5 之藉由具有間隙元件之黏著材料以黏著一基板與晶片，復揭示間隙元件提供晶片與基板間一適當間距之功效，其已教示證據1 之黏著層與證據2 之黏著材料之組合動機，而完成系爭專利請求項5 之藉由具有黏著液與填充元件之黏著層，使上、下層積體電路黏合固定，並藉由填充元件維持上、下積體電路間形成適當間距之發明，且證據1 、2 置換或組合後之發明並未產生無法預期之功效。準此，該方法可由證據1 及2 之組合而完成系爭專利請求項5 之方法發明，而為從事晶片黏著封裝之技術領域者，依申請前之既有技術或知識所能輕易完成。

七、系爭專利請求項6 為一種積體電路堆疊之製造方法，其為系爭專利請求項3 之積體電路堆疊構造之製造方法，該方法亦可由習知技術及證據2 之組合而完成系爭專利請求項6 之方法發明，而為從事晶片黏著封裝之技術領域者，依申請前之既有技術或知識所能輕易完成。系爭專利請求項6 相較於請求項5 ，在於進一步限縮「黏著層」限縮條件為「其中黏著層係塗佈於下層積體電路之第二表面中央部位」；系爭專利請求項6 與5 相同部分之技術特徵不具進步性。而系爭專利請求項6 「黏著層係塗佈於下層積體電路之第二表面中央部位」技術特徵，揭示於證據1 黏著層位於第一晶片的中央部位，且系爭專利說明書均未強調有何功效，難稱功效不相同。準此，該方法亦可由證據1 及2 之組合而完成系爭專利請求項6 之方法發明，而為從事晶片黏著封裝之技術領域者，依申請前之既有技術或知識所能輕易完成。

八、系爭專利請求項7 為一種積體電路堆疊之製造方法，其為系爭專利請求項4 之積體電路堆疊構造之製造方法，該方法亦可由習知技術、證據2 之組合而完成系爭專利請求項7 之方法發明，而為從事晶片黏著封裝之技術領域者，依申請前之既有技術或知識所能輕易完成。系爭專利請求項7 相較於請求項5 ，在於進一步限縮「黏著層」限縮條件為「黏著層塗佈於下層體電路四周部位」；系爭專利請求項7 與5 相同之技術特徵不具進步性。而系爭專利請求項7 「黏著層係塗佈於該下層體電路四周部位」在系爭專利說明書均未強調有何功效，可見黏著層置「中」或者置於「四周部位」，僅為簡單之選擇，而簡單之選擇置於四周部位，亦難稱功效不相同。準此，該方法亦可由證據1 及2 之組合而完成系爭專利請求項7 之方法發明，而為從事晶片黏著封裝之技術領域者，依申請前之既有技術或知識所能輕易完成。

九、習知技術與證據2 之組合既足以證明系爭專利請求項4 不具進步性，則習知技術與證據2 及4 之組合自足以證明系爭專利請求項4 不具進步性。習知技術與證據2 既足以證明系爭專利請求項7 不具進步性，則習知技術與證據2 及4 之組合自足以證明系爭專利請求項7 不具進步性。證據1 及2 之組合既足以證明系爭專利請求項7 不具進步性，故證據1 與2及4 之組合自足以證明系爭專利請求項7 不具進步性。綜上所述，原處分及訴願決定均已依據系爭專利核准審定時之審查基準之規定作成處分與決定，而無原告訴稱違反系爭專利核准審定時之審查基準之規定之情事。原告所持之系爭專利具進步性之理由，業經本院98年度行專訴字第14號行政判決駁回，亦有美國專利局複審資料可參考。原告再持相同理由復爭執其具進步性，而未說明系爭專利具突出之技術特徵及顯然之進步」等事實，其理由顯不足採。準此，聲明請求駁回原告之訴。

伍、本院判斷：

一、程序事項：按訴狀送達後，原告不得將原訴變更或追加他訴，但經被告同意，或行政法院認為適當者，不在此限。行政訴訟法第111 條第1 項定有明文。原告前於101 年3 月9 日之原起訴時以經濟部為被告（見本院卷第7 頁），嗣於101 年3 月13日提出行政訴訟陳報狀，更正為經濟部智慧財產局（下稱智慧財產局）為被告（見本院卷第62頁）。核其所為係更正誤繕之被告，並未變更或追加訴之要素，非訴之變更或追加，自無行政訴訟法第111 條第1 項規定之適用，合先敘明。

二、原處分與原決定：原告前於89年11月22日以「積體電路堆疊構造及其製造方法（一）」向被告申請發明專利，經准予發給系爭專利。參加人以系爭專利違反核准時專利法第20條第2 項及第71條第3款規定，不符發明專利要件，對之提起舉發。案經被告審查，並於96年7 月5 日以(96)智專三（二）04060 字第09620374570 號專利舉發審定書為「舉發不成立」之處分。參加人不服，提起訴願，經濟部於97年11月21日以經訴字第09706116410 號訴願決定書撤銷原處分。原告不服，提起行政訴訟，經本院於98年6 月4 日以98年度行專訴字第14號行政判決駁回；原告復向最高行政法院提起上訴，經最高行政法院於98年9 月24日以98年度裁字第2270號裁定上訴駁回確定在案。原告嗣於99年10月12日提出系爭專利申請專利範圍更正本，經被告核認其未實質擴大或變更原申請專利範圍，准予更正，並重行審酌本案舉發案，認系爭專利違反核准時專利法20條第2 項規定，復於100 年7 月28日以(100) 智專三（二）04099 字第10020662 130號專利舉發審定書所為「舉發成立，應撤銷專利權」處分。原告不服行政處分，向經濟部提起訴願，經濟部訴願委員會以相同理由駁回原告之訴願（見本院卷第26至43頁）。原告不服訴願決定，向本院提起行政訴訟。

三、本件專利舉發爭點：按利用自然法則之技術思想之高度創作，而可供產業上利用者，固得依法申請取得發明專利。然運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成時，則不得依法申請取得發明專利。83年1 月21日修正公布之專利法第19條、第20條第1 項前段及第2 項分別定有明文。因系爭專利之申請日為89年11月22日，核准公告日為90年10月11日，故本件關於系爭專利有無具備新穎性或進步性之判斷，應依核准審定時有效之83年1 月21日修正公布之專利法為斷。依專利法第67條第2 項、第3 項規定，發明專利不具新穎性或進步性要件時，應由舉發人附具證據證明之，倘其證據足以證明發明專利有違專利法之規定，自應為舉發成立之處分。原告雖主張系爭專利具進步性要件云云。然被告抗辯稱依據其所提出之證據，足以證明系爭專利不具進步性，系爭專利應撤銷等語。職是，本院自應審究系爭專利是否具進步性。茲先論述系爭專利技術與舉發證據技術內容，繼而比對分析系爭專利申請專利範圍與引證案之技術特徵，作為判斷系爭專利是否具進步性之基準。

四、系爭專利技術分析：

（一）系爭專利技術說明：系爭專利為一種積體電路堆疊構造及其製造方法，其包括有一基板；一下層積體電路，係黏設於基板上；複數條導線，其一端電連接於下層積體電路上，另一端電連接於基板；一黏著層，係塗佈於下層積體電路上，其包括有黏著液及填充元件；一上層積體電路，係疊合於下層積體電路上，藉由黏著液與下層積體電路黏合固定，且藉由填充元件之阻隔，使下層積體電路與上層積體電路間形成一適當之間距。倘將複數個積體電路予以堆疊時，上層積體電並不會壓到下層積體電路之導線，且在堆疊製程上亦相當便利，可有效降低生產成本。

（二）系爭專利之申請專利範圍：系爭專利原申請專利範圍原有9 項，經專利權人於99年10月12日提出申請專利範圍更正本，並經被告機關核准更正並公告在案，申請專利範圍更正本將原請求項1 、6 項刪除，原附屬項第2至5項與第7至9項分別改列為獨立項第1至4 項與第5 至7 項，更正後之申請專利範圍共計7 項，全部為獨立項，系爭專利相關圖式如本判決附圖1所示，其內容如下：

1.請求項1 為一種積體電路堆疊構造，其包括有一基板，基板具有一第一表面及一第二表面，第一表面形成有一訊號輸入端，第二表面形成有一訊號輸出端；一下層積體電路，其設有一第一表面及一第二表面，第一表面係黏設於基板之第一表面上，第二表面有複數個焊墊；複數條導線，其一端電連接於下層積體電路之焊墊上，另一端電連接於基板之訊號輸入端；一黏著層，塗佈於下層積體電路之第二表面，其包括有黏著液及填充元件；一上層積體電路，係疊合於下層積體電路之第二表面上，藉由黏著液與下層積體電路黏合固定，且藉由填充元件之阻隔，使下層積體電路與該上層積體電路間形成一適當間距，其中基板訊號輸出端為球柵陣列式之金屬球(BGA)。

2.請求項2 為一種積體電路堆疊構造，其包括有一基板，基板具有一第一表面及一第二表面，第一表面形成有一訊號輸入端，第二表面形成有一訊號輸出端；一下層積體電路，其設有一第一表面及一第二表面，第一表面係黏設於基板之第一表面上，第二表面有複數個焊墊；複數條導線，其一端電連接於下層積體電路之焊墊上，另一端電連接於基板之訊號輸入端；一黏著層，塗佈於下層積體電路之第二表面，其包括有黏著液及填充元件；一上層積體電路，疊合於下層積體電路之第二表面上，藉由黏著液與下層積體電路黏合固定，且藉由填充元件之阻隔，使下層積體電路與上層積體電路間形成一適當之間距，其中複數個導線係電連接於下層積體電路之第二表面邊緣。

3.請求項3 為一種積體電路堆疊構造，其包括有一基板，基板具有一第一表面及一第二表面，第一表面形成有一訊號輸入端，第二表面形成有一訊號輸出端；一下層積體電路，其設有一第一表面及一第二表面，第一表面係黏設於基板之第一表面上，第二表面有複數個焊墊；複數條導線，其一端電連接於下層積體電路之焊墊上，另一端電連接於基板之訊號輸入端；一黏著層，塗佈於下層積體電路之第二表面，其包括有黏著液及填充元件；一上層積體電路，疊合於下層積體電路之第二表面上，藉由黏著液與下層積體電路黏合固定，且藉由填充元件之阻隔，使下層積體電路與上層積體電路間形成一適當間距，其中黏著層塗佈於下層積體電路之第二表面中央部位。

4.請求項1 為一種積體電路堆疊構造，其包括有一基板，基板具有一第一表面及一第二表面，第一表面形成有一訊號輸入端，第二表面形成有一訊號輸出端；一下層積體電路，其設有一第一表面及一第二表面，第一表面黏設於基板之第一表面上，第二表面有複數個焊墊；複數條導線，其一端電連接於下層積體電路之焊墊上，另一端電連接於基板之訊號輸入端；一黏著層，塗佈於下層積體電路之第二表面，其包括有黏著液及填充元件；一上層積體電路，疊合於下層積體電路之第二表面上，藉由黏著液與下層積體電路黏合固定，且藉由填充元件之阻隔，使下層積體電路與上層積體電路間形成一適當間距，其中黏著層塗佈於下層積體電路之第二表面四周部位。

5.請求項5 為一種積體電路堆疊構造之製造方法，其包括下列步驟：提供一基板；一下層積體電路設於基板上；複數條導線電連於下層積體電路與基板上；提供一具有黏著液及填充元件之黏著層於下層積體電路上；將一上層積體電路疊合於下層積體電路上，藉由黏著層與下層積體電路黏合，且藉由填充元件之阻隔，使下層積體電路與上層積體電路間形成適當之間距，其中複數個導線係電連接於下層積體電路之第二表面邊緣。

6.請求項6 為一種積體電路堆疊構造之製造方法，其包括下列步驟：提供一基板；一下層積體電路設於基板上；複數條導線電連於下層積體電路與該基板上；提供一具有黏著液及填充元件之黏著層於下層積體電路上；將一上層積體電路疊合於下層積體電路上，藉由黏著層與下層積體電路黏合，且藉由填充元件之阻隔，使下層積體電路與上層積體電路間形成一適當間距，其中黏層塗佈於下層積體電路中央部位。

7.請求項7 為一種積體電路堆疊構造之製造方法，其包括下列步驟：提供一基板；一下層積體電路設於基板上；複數條導線電連於下層積體電路與該基板上；提供一具有黏著液及填充元件之黏著層於下層積體電路上；將一上層積體電路疊合於下層積體電路上，藉由黏著層與下層積體電路黏合，且藉由填充元件之阻隔，使下層積體電路與上層積體電路間形成一適當間距，其中黏著層塗佈於下層體電路四周部位。

五、引證案與系爭專利習知技術之技術分析：

（一）證據1之技術分析：證據1 為美國1994年6 月21日公告之第5323060 號Multic-hip module having a stacked chip arrangement」專利案，其公告日早於系爭案申請日2000年11月12日，具有證據能力，相關圖式如本判決附圖2 所示。圖1 揭示一多晶片堆疊模組，第一堆疊(14)包括第一晶片(18)，其具有對向之基板及接合面(20 、22 )，基板底面(20)藉由一可黏著性之物質與多晶片模組之基板(12)黏合，第一晶片接合面(22)包含一中央區域(24)及複數個接合墊(26)。多晶片堆疊包含第二晶片(28)，其具有對向之基板及接合面(30 、32) ，第二晶片接合面(32)包含一中央區域(34)及複數個接合墊(36)。一第一/ 第二黏著層(38)插置於第一晶片之接合面(22)與第二晶片底面(30)間，第一/ 第二黏著層具有一厚度(40)。複數條導線(44)至於第一晶片之結合墊與多晶片模組基板間，黏著層之厚度較環高度(48)為大，使第二晶片之底面向上移開而不與第一接合線相接觸。

（二）證據2之技術分析：證據2 為美國1993年8 月3 日公告之第5232962 號「Adhe-sive bonding composition with bond line limitingspacer system 」專利案，其公告日早於系爭案申請日2000年11月12日，具有證據能力，相關圖式如本判決附圖3所示。圖1 揭示一種具有接合線限制間隔系統之黏著接合物，其包括有一黏著劑，其具有一可硬化黏著成分，暨複數個分佈於該黏著劑中之間隔元件。該等間隔元件可按尺寸製作，以於預備接合之表面間，提供限制之接合線厚度，接合線厚度藉由該等間隔元件保持在所選擇之較低限制。說明書第2 欄第60至64行揭示：參考第1 圖，一對結構(10、12) 可利用一黏著接合材料(14)將兩者接合一起，並使兩者表面相對，黏著接合材料包括複數個散佈其中之黏著間隙元件(16)。說明書第3 欄第1 至5 行揭示：該等間隙元件可為大致球形不倒塌之間隙元件，且可從任何不與環氧樹脂載子起反應之合適材料形成，間隙元件亦需足夠堅固以維持所要的接合線厚度。

（三）證據3之技術分析：證據3 為美國2000年6 月6 日公告之第6072233 號「Stac-kable ball grid array package」專利案，其公告日早於系爭案申請日2000年11月12日，具有證據能力，相關圖式如本判決附圖4 所示。其揭露一種可堆疊的精細球柵陣列式封裝，允許一個陣列堆疊至另一個陣列上，藉由黏著接合用墊(16)將半導體裸晶連結至一基材(12)。

（四）證據4之技術分析：證據4 為美國1998年2 月24日公告之第5721452 號「Angu-larly offset stacked die multichip device and met-hod of manufacture 」專利案，其公告日早於系爭案申請日2000年11月12日，具有證據能力，相關圖式如本判決附圖5 所示。證據4 揭露第二晶片(28)固定在一個或多個柱狀物(15)頂端，該等柱狀物係以其底端固著在基板(12)上，藉一種黏著接合層(38 、52) 連結半導體裸晶。

（五）系爭專利習知技術之技術分析：系爭專利所載之習知技術（下稱習知技術），其為系爭專利之圖1 及系爭專利說明書第4 頁所載之相關說明「習知一種積體電路堆疊構造」。其包括有一基板(1 0) 、一下層積體電路(12)、一上層積體電路(14)、複數個導線(16、17) 及一隔離層(18)。下層積體電路係設於基板上，上層積體電路係藉由隔離層疊合於下層積體電路上方，使下層積體電路與上層積體電路形成一適當間距(20)，複數個導線(16)即可電連接於下層積體電路邊緣，使上層積體電路疊合於下層積體電路上時，不致於壓損下層之複數個導線(17)。

六、對比分析引證案與系爭專利請求項：依據83年公布之專利審查基準第一篇第二章專利要件第四節第三點所載：判斷發明是否能輕易完成時，准予將二件或二件以上不同文獻之全部內容或其各該文獻之部分內容、或同一文獻之各不同部分內容相互組合，准予將先前技術之各片段部分相互組合，以判斷申請專利之發明，是否具有突出之技術特徵或顯然進步。認定組合之技術特徵，以熟習該項技術者於申請當時為準，所能輕易完成者為限，倘有主張優先權者，則以有效優先權日為據。原告於99年10月12日提出系爭專利申請專利範圍更正本，經被告核認其未實質擴大或變更原申請專利範圍，准予更正，故系爭專利有無新穎性或進步性，應以系爭專利申請專利範圍更正本，作為比對分析之基礎，本院探討如後：

（一）組合習知技術與證據2可證明請求項1至7不具進步性：1.組合習知技術與證據2 可證明請求項1不具進步性：

(1)經比對系爭專利請求項1 與習知技術，習知技術係藉由隔離層(18)之結構，使上、下層積體電路維持一適當間距。而系爭專利藉由一具有黏著液(44)與填充元件(46) 之 黏著層使上、下積體電路黏合固定，藉由填充元件之阻隔，使下層積體電路與上層積體電路間形成一適當之間距(50)，習知技術與系爭專利請求項1 之差異，在於形成晶片間之間距結構材料不同。查證據2 說明書第1欄 第6 至10行揭示「本發明係有關一種黏著接合技術，尤其特別用於控制接合線厚度之表面接合，如有關封裝半導體元件之裝置」。足證習知技術及證據2 均屬半導體晶片堆疊封裝之相同技術領域，是熟習該項技術者當遭遇半導體晶片堆疊封裝有關之問題時，應有其動機參考該等證據之技術內容，並予以應用或組合。因證據2 之圖1 已揭示藉由含有間隙元件(16)之黏著材料(14)以黏著一基板(12)與晶片(10)，間隙元件提供晶片與基板間一適當間距之功效。而系爭專利請求項1 「其中基板訊號輸出端為球柵陣列式之金屬球」技術特徵，揭示於系爭專利說明書圖1 所載之習知技術中。準此，系爭專利請求項1 之技術特徵已分別見於習知技術及證據2 ，故系爭專利請求項1 可為熟習該項技術者組合習知技術及證據2 之技術內容所能輕易完成，足證其不具進步性。

(2)原告於起訴狀第8 至12頁第（一）點雖主張：系爭專利請求項1 「一黏著層，塗佈於下層積體電路之第二表面，其包括有黏著液及填充元件；一上層積體電路，係疊合於下層積體電路之第二表面上，藉由黏著液與下層積體電路黏合固定，且藉由填充元件之阻隔，使下層積體電路與上層積體電路間形成一適當間距，其中基板訊號輸出端為球柵陣列式之金屬球」等特徵，相較於習知技術或證據2 具有顯然之進步云云。然證據2 說明書第1 欄第6 至10行揭示「本發明係有關一種黏著接合技術，尤其特別用於控制接合線厚度之表面接合，如有關封裝半導體元件之裝置」。足證習知技術及證據2 均屬半導體晶片堆疊封裝之相同技術領域，是熟習該項技術者當遭遇半導體晶片堆疊封裝有關的問題時，應有其動機參考渠等證據之技術內容，並予以應用或組合。故系爭專利請求項1 進步性之判斷，應以相較於習知技術與證據2之 組合進行判斷。查證據2 圖1揭示藉由含有間隙元件之黏著材料以黏著一基板與晶片，間隙元件提供晶片與基板間一適當間距之功效。而系爭專利請求項1 「其中基板訊號輸出端為球柵陣列式之金屬球」技術特徵，揭示於系爭專利說明書圖1 所載之習知技術。準此，系爭專利請求項1 之技術特徵已分別見於習知技術及證據2 ，故系爭專利請求項1 實可為熟習該項技術者組合習知技術及證據2 之技術內容所能輕易完成，足證其不具進步性，原告主張不可採。

2.組合習知技術與證據2 可證明請求項2 不具進步性：

(1)經比對系爭專利請求項2 與習知技術，習知技術藉由隔離層(18)之結構，使上、下層積體電路維持一適當間距。而系爭專利藉由一具有黏著液(44)與填充元件(46)之黏著層使上、下積體電路黏合固定，藉由填充元件之阻隔，使下層積體電路與上層積體電路間形成適當之間距(50)，習知技術與系爭專利請求項2之差異，在於形成晶片之間距結構材料不同。查證據2說明書第1 欄第6 至10行揭示：本發明係有關一種黏著接合技術，尤其特別用於控制接合線厚度之表面接合，如有關封裝半導體元件的裝置」。足證習知技術及證據2 均屬半導體晶片堆疊封裝之相同技術領域，是熟習該項技術者當遭遇半導體晶片堆疊封裝有關的問題時，應有動機參考渠等證據之技術內容並予以應用或組合。而證據2 之圖1 揭示藉由含有間隙元件(16) 之黏著材料(14)黏著一基板(12)與晶片(10)，間隙元件提供晶片與基板間一適當間距之功效。系爭專利請求項2 「其中複數個導線係電連接於下層積體電路之第二表面邊緣」技術特徵，揭示於系爭專利說明書圖1 所載之習知技術中。準此，系爭專利請求項2 之技術特徵已分別見於習知技術及證據2 ，故系爭專利請求項2 可為熟習該項技術者組合習知技術及證據2 之技術內容所能輕易完成，足證其不具進步性。

(2)原告於起訴狀第12至14頁第（二）點雖主張：系爭專利請求項2 「一黏著層，係塗佈於該下層積體電路之第二表面，其包括有黏著液及填充元件；一上層積體電路，係疊合於下層積體電路之第二表面上，藉由黏著液與下層積體電路黏合固定，且藉由填充元件之阻隔，使下層積體電路與上層積體電路間形成一適當間距，其中複數個導線係電連接於下層積體電路之第二表面邊緣」特徵，相較於習知技術或證據2 具有顯然之進步云云。然證據2 說明書第1欄第6 至10行揭示「本發明係有關一種黏著接合技術，尤其特別用於控制接合線厚度之表面接合，如有關封裝半導體元件之裝置」。足證習知技術及證據2 均屬半導體晶片堆疊封裝之相同技術領域，是熟習該項技術者當遭遇半導體晶片堆疊封裝有關之問題時，應有其動機參考渠等證據之技術內容並予以應用或組合。故系爭專利請求項2 進步性之判斷，係以相較於習知技術與證據2 之組合進行判斷。再者，證據2 之圖1 揭示藉由含有間隙元件(16)之黏著材料(14)以黏著一基板(12)與晶片(10)，間隙元件提供晶片與基板間一適當間距功效。而系爭專利請求項2 「其中複數個導線係電連接於下層積體電路之第二表面邊緣」。技術特徵揭示於系爭專利說明書圖1 所載之習知技術中。準此，系爭專利請求項2 之技術特徵已分別見於習知技術及證據2 ，故系爭專利請求項2 可為熟習該項技術者組合習知技術及證據2 之技術內容所能輕易完成，足證其不具進步性，原告主張不可憑之。

3.組合習知技術與證據2可證明請求項3不具進步性：

(1)經比對系爭專利請求項3 與習知技術，習知技術藉由隔離層(18)之結構，使上、下層積體電路維持一適當間距。而系爭專利藉由一具有黏著液(44)與填充元件(46)之黏著層使上、下積體電路黏合固定，藉由填充元件之阻隔，使下層積體電路與上層積體電路間形成一適當之間距(50)，習知技術與系爭專利請求項3 之差異，在於形成晶片間距之結構材料不同。查證據2 說明書第1 欄第6 至10行揭示「本發明係有關一種黏著接合技術，尤其特別用於控制接合線厚度之表面接合，如有關封裝半導體元件的裝置」。足證習知技術及證據2 均屬半導體晶片堆疊封裝之相同技術領域，是熟習該項技術者當遭遇半導體晶片堆疊封裝有關的問題時，應有其動機參考渠等證據之技術內容並予以應用或組合。再者，證據2 圖1 揭示藉由含有間隙元件(16)之黏著材料(14)來黏著一基板(12)與晶片(10)，間隙元件提供晶片與基板間一適當間距之功效。且系爭專利請求項3 「其中黏著層係塗佈於下層積體電路之第二表面中央部位」技術特徵，揭示於系爭專利說明書圖1 所載之習知技術中。準此，系爭專利請求項3 之技術特徵已分別見於習知技術及證據2 ，故系爭專利請求項3 可為熟習該項技術者組合習知技術及證據2 之技術內容所能輕易完成，足證其不具進步性。

(2)原告於起訴狀第15至18頁第（三）點固主張：系爭專利請求項3 「一黏著層，塗佈於下層積體電路之第二表面，其包括有黏著液及填充元件；一上層積體電路，係疊合於下層積體電路之第二表面上，藉由黏著液與下層積體電路黏合固定，且藉由填充元件之阻隔，使下層積體電路與上層積體電路間形成一適當之間距，其中黏著層係塗佈於下層積體電路之第二表面中央部位」特徵，相較於習知技術或證據2 具有顯然之進步云云。然證據2 說明書第1 欄第6至10行揭示「本發明係有關一種黏著接合技術，尤其特別用於控制接合線厚度之表面接合，如有關封裝半導體元件之裝置」。足證習知技術及證據2 均屬半導體晶片堆疊封裝之相同技術領域，是熟習該項技術者當遭遇半導體晶片堆疊封裝有關之問題時，應有其動機參考渠等證據之技術內容並予以應用或組合。故系爭專利請求項3 進步性之判斷係以相較於習知技術與證據2 之組合進行判斷。再者，證據2 之圖1 揭示藉由含有間隙元件(16)之黏著材料(14)以黏著一基板(12)與晶片(10)，間隙元件提供晶片與基板間一適當間距之功效。且系爭專利請求項3 「其中黏著層係塗佈於下層積體電路之第二表面中央部位」技術特徵，已揭示於系爭專利說明書圖1 所載之習知技術中。準此，系爭專利請求項3 之技術特徵分別見於習知技術及證據2，故系爭專利請求項3 可為熟習該項技術者組合習知技術及證據2 之技術內容所能輕易完成，足證其不具進步性，原告主張不可採。

4.習知技術與證據2 之組合可證明請求項4不具進步性：

(1)經比對系爭專利請求項4 與習知技術，習知技術藉由隔離層(18)之結構，使上、下層積體電路維持一適當間距。而系爭專利藉由一具有黏著液(44)與填充元件(46)之黏著層使上、下積體電路黏合固定，藉由填充元件之阻隔，使下層積體電路與上層積體電路間形成一適當之間距(50)，習知技術與系爭專利請求項4 之差異，在於形成晶片之間距結構材料不同，暨系爭專利之黏著層係塗佈於下層積體電路之第二表面四周部位。查證據2 說明書第1 欄第6 至10行揭示「本發明係有關一種黏著接合技術，尤其特別用於控制接合線厚度之表面接合，如有關封裝半導體元件之裝置」。足證習知技術及證據2 均屬半導體晶片堆疊封裝之相同技術領域，是熟習該項技術者當遭遇半導體晶片堆疊封裝有關之問題時，應有其動機參考渠等證據之技術內容並予以應用或組合。再者，證據2 圖1 揭示藉由含有間隙元件(16)之黏著材料(14)以黏著一基板(12)與晶片(10)，間隙元件提供晶片與基板間一適當間距之功效。且系爭專利說明書圖1 所載之習知技術揭示將將黏著層塗佈置中之技術特徵。而系爭專利請求項4 「黏著層係塗佈於下層積體電路之第二表面四周部位」技術特徵，在系爭專利說明書均未強調有何功效，而對熟習該項技術者而言，將黏著層置「中」或者置於「四周部位」，其僅為簡單之選擇，兩者均具有黏著上下層積體電路之功效，故將黏著層置於「四周部位」並未產生預料不到之技術效果。準此，系爭專利請求項4 為熟習該項技術者運用系爭專利所載之先前技術及證據2 之技術內容所能輕易完成，足證其不具進步性。

(2)原告於起訴狀第18至22頁第（四）點雖主張：系爭專利請求項4 「一黏著層，係塗佈於下層積體電路之第二表面，其包括有黏著液及填充元件；一上層積體電路，係疊合於下層積體電路之第二表面上，藉由黏著液與下層積體電路黏合固定，且藉由填充元件之阻隔，使下層積體電路與上層積體電路間形成一適當間距，其中黏著層係塗佈於下層積體電路之第二表面四周部位」技術特徵，相較於習知技術或證據2 具有顯然之進步云云。然證據2 說明書第1欄第6 至10行揭示「本發明係有關一種黏著接合技術，尤其特別用於控制接合線厚度之表面接合，如有關封裝半導體元件之裝置」。足證習知技術及證據2 均屬半導體晶片堆疊封裝之相同技術領域，是熟習該項技術者當遭遇半導體晶片堆疊封裝有關的問題時，應有其動機參考渠等證據之技術內容並予以應用或組合。故系爭專利請求項4 進步性之判斷係以相較於習知技術與證據2 之組合進行判斷。再者，證據2 之圖1 揭示藉由含有間隙元件(16)之黏著材料(14)以黏著一基板(12)與晶片(10)，間隙元件提供晶片與基板間一適當間距之功效。且系爭專利說明書之圖1 所載習知技術揭示將將黏著層塗佈置中之技術特徵。而系爭專利請求項4 「黏著層係塗佈於下層積體電路之第二表面四周部位」技術特徵，在系爭專利說明書均未強調有何功效，對熟習該項技術者而言，將黏著層置「中」或者置於「四周部位」，其僅為簡單之選擇，兩者均具有黏著上下層積體電路之功效。將黏著層置於「四周部位」未產生預料不到之技術效果。準此，系爭專利請求項4 為熟習該項技術者運用系爭專利所載之先前技術及證據2 之技術內容所能輕易完成，足證其不具進步性，原告主張不可採之。

5.組合習知技術與證據2 可證明請求項5不具進步性：

(1)經比對系爭專利請求項5 與習知技術，習知技術藉由隔離層(18)之結構，使上、下層積體電路維持一適當間距。而系爭專利藉由一具有黏著液(44)與填充元件(46)之黏著層使上、下積體電路黏合固定，藉由填充元件之阻隔，使下層積體電路與上層積體電路間形成一適當之間距(50)，習知技術與系爭專利請求項5 之差異，在於形成晶片之間距結構材料不同。查證據2 說明書第1 欄第6 至10行揭示「本發明係有關一種黏著接合技術，尤其特別用於控制接合線厚度之表面接合，如有關封裝半導體元件的裝置」。足證習知技術及證據2 均屬半導體晶片堆疊封裝之相同技術領域，是熟習該項技術者當遭遇半導體晶片堆疊封裝有關之問題時，應有其動機參考渠等證據之技術內容並予以應用或組合。而證據2 之圖1 揭示藉由含有間隙元件(16)之黏著材料(14)來黏著一基板(12)與晶片(10)，間隙元件提供晶片與基板間一適當間距之功效。而系爭專利請求項5「其中複數個導線係電連接於下層積體電路之第二表面邊緣」技術特徵，揭示於系爭專利說明書之圖1 所載習知技術中。準此，系爭專利請求項5 之技術特徵分別見於習知技術及證據2 ，故系爭專利請求項5 可為熟習該項技術者組合習知技術及證據2 之技術內容所能輕易完成，足證其不具進步性。

(2)原告於起訴狀第22至25頁第（五）點雖主張：系爭專利請求項5 「提供一具有黏著液及填充元件之黏著層於下層積體電路上；將一上層積體電路疊合於下層積體電路上，藉由黏著層與下層積體電路黏合，且藉由填充元件之阻隔，使下層積體電路與上層積體電路間形成一適當間距，其中複數個導線係電連接於下層積體電路之第二表面邊緣」特徵，相較於習知技術或證據2 具有顯然之進步云云。然證據2 說明書第1 欄第6 至10行揭示「本發明係有關一種黏著接合技術，尤其特別用於控制接合線厚度之表面接合，如有關封裝半導體元件之裝置」。足證習知技術及證據2均屬半導體晶片堆疊封裝之相同技術領域，是熟習該項技術者當遭遇半導體晶片堆疊封裝有關之問題時，應有其動機參考渠等證據之技術內容並予以應用或組合。故系爭專利請求項5 進步性之判斷，以相較於習知技術與證據2 之組合進行判斷。而證據2 之圖1 揭示藉由含有間隙元件(16)之黏著材料(14)以黏著一基板(12)與晶片(10)，間隙元件提供晶片與基板間一適當間距之功效。系爭專利請求項5 「其中複數個導線係電連接於下層積體電路之第二表面邊緣」技術特徵，揭示於系爭專利說明書之圖1 所載習知技術中。準此，系爭專利請求項5 之技術特徵分別見於習知技術及證據2 ，故系爭專利請求項5 可為熟習該項技術者組合習知技術及證據2 之技術內容所能輕易完成，足證其不具進步性，原告主張並不可採。

6.組合習知技術與證據2 可證明請求項6不具進步性：

(1)經比對系爭專利請求項6 與習知技術，習知技術係藉由隔離層(18)之結構，使上、下層積體電路維持一適當間距。而系爭專利藉由一具有黏著液(44)與填充元件(46)黏著層使上、下積體電路黏合固定，藉由填充元件之阻隔，使下層積體電路與上層積體電路間形成一適當間距(50)，習知技術與系爭專利請求項6 之差異，在於形成晶片之間距結構材料不同。查證據2 說明書第1 欄第6 至10行揭示「本發明係有關一種黏著接合技術，尤其特別用於控制接合線厚度之表面接合，如有關封裝半導體元件之裝置」。足證習知技術及證據2 均屬半導體晶片堆疊封裝之相同技術領域，是熟習該項技術者當遭遇半導體晶片堆疊封裝有關之問題時，應有其動機參考渠等證據之技術內容並予以應用或組合。而證據2 之圖1 揭示藉由含有間隙元件(16)之黏著材料(14)以黏著一基板(12)與晶片(10)，間隙元件提供晶片與基板間一適當間距之功效。且系爭專利請求項6 「其中黏著層係塗佈於下層積體電路之第二表面中央部位」技術特徵，揭示於系爭專利說明書圖1 所載之習知技術中。準此，系爭專利請求項6 之技術特徵分別見於習知技術及證據2 ，故系爭專利請求項6 可為熟習該項技術者組合習知技術及證據2 之技術內容所能輕易完成，足證其不具進步性。

(2)原告於起訴狀第25至29頁第（六）點固主張：系爭專利請求項6 「提供一具有黏著液及填充元件之黏著層於下層積體電路上；將一上層積體電路疊合於下層積體電路上，藉由黏著層與下層積體電路黏合，且藉由填充元件之阻隔，使下層積體電路與上層積體電路間形成一適當之間距，其中黏層係塗佈於下層積體電路中央部位」特徵，相較於習知技術或證據2 具有顯然之進步云云。然證據2 說明書第1 欄第6 至10行揭示「本發明係有關一種黏著接合技術，尤其特別用於控制接合線厚度之表面接合，如有關封裝半導體元件的裝置」。足證習知技術及證據2 均屬半導體晶片堆疊封裝之相同技術領域，是熟習該項技術者當遭遇半導體晶片堆疊封裝有關之問題時，應有其動機參考渠等證據之技術內容並予以應用或組合，故系爭專利請求項6進步性之判斷係以相較於習知技術與證據2 之組合進行判斷。再者，證據2 之圖1 揭示藉由含有間隙元件(16)之黏著材料(14)以黏著一基板(12)與晶片(10)，間隙元件提供晶片與基板間一適當間距之功效。且系爭專利請求項6 「其中黏層係塗佈於下層積體電路中央部位」技術特徵，亦揭示於系爭專利說明書圖1 所載之習知技術中。準此，系爭專利請求項6 之技術特徵分別見諸於習知技術及證據2 ，故系爭專利請求項6 可為熟習該項技術者組合習知技術及證據2 之技術內容所能輕易完成，足證其不具進步性，原告主張不可採之。

7.組合習知技術與證據2可證明請求項7 不具進步性：

(1)經比對系爭專利請求項7 與習知技術，習知技術藉由隔離層(18)之結構，使上、下層積體電路維持一適當間距。而系爭專利藉由一具有黏著液(44)與填充元件(46)之黏著層使上、下積體電路黏合固定，藉由填充元件之阻隔，使下層積體電路與該上層積體電路間形成一適當之間距(50)，習知技術與系爭專利請求項7 之差異，在於形成晶片之間距結構材料不同及系爭專利之黏著層塗佈於下層積體電路四周部位。查證據2 說明書第1 欄第6 至10行揭示「本發明係有關一種黏著接合技術，尤其特別用於控制接合線厚度之表面接合，如有關封裝半導體元件的裝置」。足證習知技術及證據2 均屬半導體晶片堆疊封裝之相同技術領域，是熟習該項技術者當遭遇半導體晶片堆疊封裝有關之問題時，應有其動機參考渠等證據之技術內容並予以應用或組合。再者，證據2 圖1 揭示藉由含有間隙元件(16)之黏著材料(14)以黏著一基板(12)與晶片(10)，間隙元件提供晶片與基板間一適當間距之功效。且系爭專利說明書之圖1 所載習知技術揭示將黏著層塗佈置中之技術特徵。而系爭專利請求項7 「其中黏著層係塗佈於下層積體電路四周部位」技術特徵，系爭專利說明書均未強調有何功效，其對熟習該項技術者而言，將黏著層置「中」或者置於「四周部位」，其僅為簡單之選擇，兩者均具有黏著上下層積體電路之功效，故將黏著層置於「四周部位」並未產生預料不到之技術效果。準此，系爭專利請求項7 為熟習該項技術者運用系爭專利所載之習知技術及證據2 之技術內容所能輕易完成，足證其不具進步性。

(2)原告於起訴狀第29至35頁第（七）點固主張：系爭專利請求項7 「提供一具有黏著液及填充元件之黏著層於該下層積體電路上；將一上層積體電路疊合於下層積體電路上，藉由黏著層與下層積體電路黏合，且藉由填充元件之阻隔，使下層積體電路與上層積體電路間形成一適當之間距，其中黏著層係塗佈於該下層體電路四周部位」技術特徵，相較於習知技術或證據2 具有「顯然的進步」云云。然證據2 說明書第1 欄第6 至10行揭示「本發明係有關一種黏著接合技術，尤其特別用於控制接合線厚度之表面接合，如有關封裝半導體元件的裝置」。足證習知技術及證據2均屬半導體晶片堆疊封裝之相同技術領域，是熟習該項技術者當遭遇半導體晶片堆疊封裝有關之問題時，應有其動機參考渠等證據之技術內容並予以應用或組合。職是，系爭專利請求項7 進步性之判斷，係以相較於習知技術與證據2 之組合進行判斷。

(3)證據2 圖1 揭示藉由含有間隙元件(16)之黏著材料(14)以黏著一基板(12)與晶片(10)，間隙元件提供晶片與基板間一適當間距之功效。且系爭專利說明書之圖1 所載習知技術揭示將將黏著層塗佈置中之技術特徵。而系爭專利請求項7 「其中該黏著層係塗佈於下層體電路四周部位」技術特徵，在系爭專利說明書均未強調有何功效，而對熟習該項技術者而言，將黏著層置「中」或者置於「四周部位」，其僅為簡單的選擇，兩者均具有黏著上下層積體電路之功效，故將黏著層置於「四周部位」並未產生預料不到之技術效果。準此，系爭專利請求項7 實為熟習該項技術者運用系爭專利所載之習知技術及證據2 之技術內容所能輕易完成，足證其不具進步性，原告主張不可採信。

（二）組合習知技術、證據2 及4 可證明請求項4 不具進步性：原告於起訴狀第21至22頁第5 點雖主張：習知技術、證據2 及證據4 之組合屬非能輕易完成云云。然證據4 揭露第二晶片(28)固定在一個或多個柱狀物(15)之頂端，該等柱狀物係以其底端固著在基板(12)上，藉一種黏著接合層(38 、52) 連結半導體裸晶，足證習知技術、證據2 及4 均屬半導體晶片堆疊封裝之相同技術領域，是熟習該項技術者當遭遇半導體晶片堆疊封裝有關之問題時，應有其動機參考渠等證據之技術內容並予以應用或組合。準此，習知技術與證據2 、4 之組合自足以證明系爭專利請求項4 不具進步性，原告主張即不可採。

（三）組合習知技術、證據2 及4 可證明請求項7 不具進步性：原告於起訴狀第33頁第7 點雖主張：習知技術、證據2 及證據4 之組合屬非能輕易完成云云。惟證據4 揭露第二晶片(28)固定在一個或多個柱狀物(15)頂端，該等柱狀物係以其底端固著在基板(12)上，藉一種黏著接合層(38 、52) 連結半導體裸晶，足證習知技術、證據2 及4 均屬半導體晶片堆疊封裝之相同技術領域，是熟習該項技術者當遭遇半導體晶片堆疊封裝有關之問題時，應有其動機參考渠等證據之技術內容並予以應用或組合。準此，習知技術與證據2 、4 之組合自亦足以證明系爭專利請求項7 不具進步性。

（四）組合證據1 及證據2 可證明請求項5不具進步性：

1.經比對系爭專利請求項5 與證據1 ，證據1 在一多晶片模組中藉由具有一厚度之黏著層(38)以達成第一、二晶片間距有一間距。而系爭專利係藉由一具有黏著液(44)與填充元件(46)之黏著層使上、下積體電路黏合固定，藉由填充元件之阻隔，使下層積體電路與上層積體電路間形成一適當之間距(50)，且導線(44)係電連接於第一晶片(18)之第一接合面(22)，證據1 與系爭專利之差異，在於形成晶片間間距之結構材料不同。查證據2 說明書之發明摘要揭示「一種具有接合線限制間隔系統之黏著接合物，其包括有：一黏著劑，其具有一可硬化黏著成分，暨複數個分佈於黏著劑中之間隔元件。該等間隔元件可按尺寸製作，並欲被接合之表面間，提供限制之接合厚度」。而證據2 之圖1 及說明書第2 欄第60至64行揭示「參考第1 圖，一對基板(10 、12) 可利用一黏著接合材料(14)將兩者接合，並使兩者表面相對，黏著接合材料包括複數個散佈於其中之黏著間隙元件(16)」。暨說明書第3 欄第1 至5 行揭示「該等間隙元件可為不被壓塌之球面形狀元件，且可由任何不與環氧樹脂載子起反應之合適材料所形成，間隙元件亦須足夠堅固俾以維持所要之接合線厚度」。故證據2 揭示系爭專利藉由具有填充元件之黏著層，以形成兩晶片或晶片與基板間適當間距之技術特徵。再者，證據2 說明書第1 欄第6 至10行揭示「本發明係有關一種黏著接合技術，尤其特別用於控制接合線厚度之表面接合，如有關封裝半導體元件之裝置」。足認證據1 及證據2 均屬半導體晶片堆疊封裝相同之技術領域，是熟習該項技術者當面臨半導體晶片堆疊封裝有關的問題時，應有其動機參考渠等證據之技術內容並予以應用或組合。準此，系爭專利請求項5之技術特徵已分別見於證據1 及2 ，故系爭專利請求項5可為熟習該項技術者組合證據1 及2 之技術內容所能輕易完成，足證其不具進步性。

2.原告於起訴狀第22至25頁第（五）點固主張：系爭專利請求項5 「提供一具有黏著液及填充元件之黏著層於下層積體電路上；將一上層積體電路疊合於下層積體電路上，藉由黏著層與下層積體電路黏合，且藉由填充元件之阻隔，使下層積體電路與上層積體電路間形成一適當之間距，其中複數個導線係電連接於下層積體電路之第二表面邊緣」特徵，相較於證據1 或2 具有顯然之進步云云。然證據1在一多晶片模組中藉由具有一厚度之黏著層(38)以達成第

一、二晶片間距有一間距。而證據2 說明書第1 欄第6至10行揭示「本發明係有關一種黏著接合技術，尤其特別用於控制接合線厚度之表面接合，如有關封裝半導體元件的裝置」。足證據1 及2 均屬半導體晶片堆疊封裝之相同技術領域，是熟習該項技術者當遭遇半導體晶片堆疊封裝有關之問題時，應有其動機參考渠等證據之技術內容並予以應用或組合。故系爭專利請求項5 進步性之判斷，係以相較於證據1 與證據2 之組合進行判斷，經比對系爭專利請求項5與證據1 ，證據1 在一多晶片模組中藉由具有一厚度之黏著層以達成第一、二晶片間距有一間距。而系爭專利藉由一具有黏著液(44)與填充元件(46)之黏著層使上、下積體電路黏合固定，藉由填充元件之阻隔，使下層積體電路與上層積體電路間形成一適當之間距(50)，且導線(44)係電連接於該第一晶片(18)之第一接合面(22)。證據1與系爭專利之差異，在於形成晶片間間距之結構材料不同。

3.證據2 說明書之發明摘要揭示「一種具有接合線限制間隔系統之黏著接合物，其包括有：一黏著劑，其具有一可硬化黏著成分，暨複數個分佈於該黏著劑中之間隔元件。該等間隔元件可按尺寸製作，以於欲被接合的表面之間提供一限制之接合厚度」。而證據2 圖1 及說明書第2 欄第60至64行則揭示「參考第1 圖，一對基板(10 、12) 可利用一黏著接合材料(14)將兩者接合，並使兩者表面相對，黏著接合材料包括複數個散佈於其中之黏著間隙元件（16）」；暨說明書第3 欄第1 至5 行則揭示「該等間隙元件可為不被壓塌之球面形狀元件，且可由任何不與環氧樹脂載子起反應之合適材料所形成，間隙元件亦須足夠堅固俾以維持所要之接合線厚度」。故證據2 揭示系爭專利藉由具有填充元件之黏著層，以形成兩晶片或晶片與基板間適當間距之技術特徵。準此，系爭專利請求項5 之技術特徵分別見諸於證據1 及2 ，故系爭專利請求項5 可為熟習該項技術者組合證據1 及2 之技術內容所能輕易完成，足證其不具進步性，原告主張並不可採。

（五）組合證據1 及證據2可證明請求項6不具進步性：

1.經比對系爭專利請求項6 與證據1 ，證據1 係在一多晶片模組中藉由具有一厚度之黏著層(38)以達成第一、二晶片間距有一間距。而系爭專利係藉由一具有黏著液(44)與填充元件(46)之黏著層使上、下積體電路黏合固定，藉由填充元件之阻隔，使下層積體電路與上層積體電路間形成一適當之間距(50)，且導線(44)係電連接於第一晶片(18)之第一接合面(22)，證據1 與系爭專利請求項6 之差異，在於形成晶片間間距之結構材料不同。查證據2 說明書之發明摘要揭示「一種具有接合線限制間隔系統之黏著接合物，其包括有：一黏著劑，其具有一可硬化黏著成分，暨複數個分佈於黏著劑中之間隔元件。該等間隔元件可按尺寸製作，以於欲被接合表面間提供限制之接合厚度」。而證據2 之圖1 及說明書第2 欄第60至64行則揭示「參考第1 圖，一對基板(10 、12）可利用一黏著接合材料(14)將兩者接合在一起，並使兩者表面相對，黏著接合材料包括複數個散佈於其中之黏著間隙元件」。暨說明書第3 欄第1 至5 行揭示「該等間隙元件可為不被壓塌之球面形狀元件，且可由任何不與環氧樹脂載子起反應之合適材料所形成，間隙元件亦須足夠堅固俾以維持所要之接合線厚度」。故證據2 揭示系爭專利藉由具有填充元件之黏著層，以形成兩晶片或晶片與基板間適當間距之技術特徵。再者，證據2 說明書第1 欄第6 至10行揭示「本發明係有關一種黏著接合技術，尤其特別用於控制接合線厚度之表面接合，如有關封裝半導體元件之裝置」。足認證據1 及2 均屬半導體晶片堆疊封裝相同之技術領域，是熟習該項技術者當面臨半導體晶片堆疊封裝有關的問題時，應有其動機參考渠等證據之技術內容並予以應用或組合。準此，系爭專利請求項6 之技術特徵分別見於證據1 及2 ，故系爭專利請求項6 可為熟習該項技術者組合證據1 及2 之技術內容所能輕易完成，足證其不具進步性。

2.原告於起訴狀第25至29頁第（六）點雖主張：系爭專利請求項6 「提供一具有黏著液及填充元件之黏著層於下層積體電路上；將一上層積體電路疊合於下層積體電路上，藉由黏著層與下層積體電路黏合，且藉由填充元件之阻隔，使下層積體電路與上層積體電路間形成一適當之間距，其中黏層係塗佈於下層積體電路中央部位」特徵，相較於證據1 或證據2 具有顯然之進步云云。查證據1 在一多晶片模組中藉由具有一厚度之黏著層(38)以達成第一、二晶片間距有一間距。而證據2 說明書第1 欄第6 至10行揭示「本發明係有關一種黏著接合技術，尤其特別用於控制接合線厚度之表面接合，如有關封裝半導體元件之裝置」。足證據1 及2 均屬半導體晶片堆疊封裝之相同技術領域，是熟習該項技術者當遭遇半導體晶片堆疊封裝有關之問題時，應有其動機參考渠等證據之技術內容並予以應用或組合。故系爭專利請求項6 進步性之判斷，以相較於證據1 與2 之組合進行判斷，經比對系爭專利請求項6 與證據1 ，證據1 在一多晶片模組中藉由具有一厚度之黏著層以達成第一、二晶片間距有一間距。而系爭專利藉由一具有黏著液(44)與填充元件(46)之黏著層使上、下積體電路黏合固定，藉由填充元件之阻隔，使下層積體電路與上層積體電路間形成適當之間距(50)，且導線(44)係電連接於第一晶片(18)之第一接合面(22)，證據1 與系爭專利請求項6 之差異，在於形成晶片間距之結構材料不同。

3.證據2 說明書之發明摘要揭示「一種具有接合線限制間隔系統之黏著接合物，其包括有：一黏著劑，其具有一可硬化黏著成分，暨複數個分佈於該黏著劑中之間隔元件。該等間隔元件可按尺寸製作，以於欲被接合表面間提供限制之接合厚度」。而證據2 之圖1 及說明書第2 欄第60至64行揭示「參考第1 圖，一對基板(10 、12) 可利用一黏著接合材料(14)將兩者接合，並使兩者表面相對，黏著接合材料包括複數個散佈於其中的黏著間隙元件(16)」，暨說明書第3 欄第1 至5 行揭示「該等間隙元件可為不被壓塌之球面形狀元件，且可由任何不與環氧樹脂載子起反應之合適材料所形成，間隙元件亦須足夠堅固俾以維持所要之接合線厚度」。是證據2 揭示系爭專利藉由具有填充元件之黏著層，以形成兩晶片或晶片與基板間適當間距之技術特徵。準此，系爭專利請求項6 之技術特徵已分別見諸於證據1 及2 ，故系爭專利請求項6 可為熟習該項技術者組合證據1 及2 之技術內容所能輕易完成，足證其不具進步性，原告主張不足為信。

（六）組合證據1 及證據2 可證明請求項7不具進步性：

1.經比對系爭專利請求項7 與證據1 ，證據1 係在一多晶片模組中藉由具有一厚度之黏著層(38)以達成第一、二晶片間距有一間距。而系爭專利係藉由一具有黏著液(44)與填充元件(46)之黏著層使上、下積體電路黏合固定，藉由填充元件之阻隔，使下層積體電路與該上層積體電路間形成一適當之間距(50)，且導線(44)係電連接於該第一晶片(18)之第一接合面(22)，證據1 與系爭專利請求項7 之差異，在於形成晶片間間距之結構材料不同及系爭專利之黏著層係塗佈於下層積體電路四周部位。而證據2 說明書第1欄第6 至10行揭示「本發明係有關一種黏著接合技術，尤其特別用於控制接合線厚度之表面接合，如有關封裝半導體元件之裝置」。足證證據1 及2 均屬半導體晶片堆疊封裝相同之技術領域，是該發明所屬技術領域中具有通常知識者當面臨半導體晶片堆疊封裝有關的問題時，應有其動機參考渠等證據之技術內容並予以應用或組合。再者，證據2 說明書之發明摘要記載：「一種具有接合線限制間隔系統之黏著接合物，其包括有：一黏著劑，其具有一可硬化黏著成分，暨複數個分佈於該黏著劑中之間隔元件。該等間隔元件可按尺寸製作，以於欲被接合表面間提供一限制之接合厚度」。而證據2 之圖1 及說明書第2 欄第60至64行揭示「參考第1 圖，一對基板(10 、12) 可利用一黏著接合材料(14)將兩者接合，並使兩者表面相對，黏著接合材料包括複數個散佈於其中之黏著間隙元件(16)」。暨說明書第3 欄第1 至5 行揭示「該等間隙元件可為不被壓塌之球面形狀元件，且可由任何不與環氧樹脂載子起反應之合適材料所形成，間隙元件亦須足夠堅固俾以維持所要之接合線厚度」。是證據2 揭示系爭專利藉由具有填充元件之黏著層，形成兩晶片或晶片與基板間適當間距之技術特徵。再者，將黏著層塗佈置中已見於系爭專利說明書之圖1 剖面圖中或證據1 之圖1 ，而系爭專利請求項7 「其中黏著層係塗佈於下層積體電路四周部位」技術特徵，在系爭專利說明書均未強調有何功效，而對熟習該項技術者而言，將黏著層置「中」或者置於「四周部位」，其僅為簡單之選擇，兩者均具有黏著上下層積體電路之功效。故將黏著層置於「四周部位」並未產生預料不到之技術效果。準此，系爭專利請求項7 可為熟習該項技術者組合證據1 及2之技術內容所能輕易完成，足證其不具進步性。

2.原告於起訴狀第29至35頁第（七）點固主張：系爭專利請求項7 「提供一具有黏著液及填充元件之黏著層於下層積體電路上；將一上層積體電路疊合於下層積體電路上，藉由黏著層與下層積體電路黏合，且藉由填充元件之阻隔，使下層積體電路與上層積體電路間形成一適當之間距，其中黏著層係塗佈於下層體電路四周部位」技術特徵，相較於證據1 或證據2 具有顯然之進步云云。然證據1 在一多晶片模組中藉由具有一厚度之黏著層(38)以達成第一、二晶片有一間距。而證據2 說明書第1 欄第6 至10行揭示「本發明係有關一種黏著接合技術，尤其特別用於控制接合線厚度之表面接合，如有關封裝半導體元件的裝置」。足認證據1 及2 均屬半導體晶片堆疊封裝之相同技術領域，是熟習該項技術者當遭遇半導體晶片堆疊封裝有關之問題時，應有其動機參考渠等證據之技術內容並予以應用或組合。故系爭專利請求項7 進步性之判斷係以相較於證據1與之組合進行判斷，經比對系爭專利請求項7 與證據1 ，證據1 係在一多晶片模組中藉由具有一厚度之黏著層以達成第一、二晶片有間距。而系爭專利係藉由一具有黏著液(44) 與填充元件(46)之黏著層使上、下積體電路黏合固定，藉由填充元件之阻隔，使下層積體電路與上層積體電路間形成一適當間距(50)，且導線(44)係電連接於第一晶片(18)之第一接合面(22)，證據1 與系爭專利請求項7 之差異，在於形成晶片間間距之結構材料不同及系爭專利之黏著層係塗佈於下層積體電路四周部位。

3.證據2 說明書之發明摘要記載「一種具有接合線限制間隔系統之黏著接合物，其包括有：一黏著劑，其具有一可硬化黏著成分，暨複數個分佈於黏著劑中之間隔元件。該等間隔元件可按尺寸製作，以於欲被接合表面間提供限制之接合厚度」。而證據2 之圖1 及說明書第2 欄第60至64行揭示「參考第1 圖，一對基板(10 、12) 可利用一黏著接合材料(14)將兩者接合，並使兩者表面相對，黏著接合材料包括複數個散佈於其中之黏著間隙元件」。暨說明書第3 欄第1 至5 行揭示「該等間隙元件可為不被壓塌之球面形狀元件，且可由任何不與環氧樹脂載子起反應之合適材料所形成，間隙元件亦須足夠堅固，俾以維持所要之接合線厚度」。是證據2 揭示系爭專利藉由具有填充元件之黏著層，亦形成兩晶片或晶片與基板間適當間距之技術特徵。再者，將黏著層塗佈置中已見於系爭專利說明書之圖1剖面圖中或證據1 之圖1 。而系爭專利請求項7 「其中黏著層塗佈於下層積體電路四周部位」技術特徵，在系爭專利說明書均未強調有何功效，而對熟習該項技術者而言，將黏著層置「中」或者置於「四周部位」，其僅為簡單之選擇，兩者均具有黏著上下層積體電路之功效，故將黏著層置於「四周部位」並未產生預料不到之技術效果。準此，系爭專利請求項7 可為熟習該項技術者組合證據1 及2之技術內容所能輕易完成，足證其不具進步性，原告主張不可採。

（七）組合習知技術、證據1 、2 及4 可證明請求項7 不具進步性：原告於起訴狀第34頁第8 點固主張習知技術、證據1 、證據2 及證據4 之組合屬非能輕易完成云云。然習知技術、證據1 、2 及4 均屬半導體晶片堆疊封裝之相同技術領域已如前述，是熟習該項技術者當遭遇半導體晶片堆疊封裝有關的問題時，應有其動機參考渠等證據之技術內容並予以應用或組合。準此，習知技術、證據1 、2 及4 之組合自，足以證明系爭專利請求項7 不具進步性。

七、綜上所述，習知技術與證據2 之組合可證明系爭專利請求項1 至7 不具進步性；習知技術、證據2 及證據4 之組合可證明系爭專利請求項4 、7 不具進步性；證據1 與證據2 之組合可證明系爭專利請求項5 至7 不具進步性；暨習知技術、證據1 、證據2 及證據4 之組合可證明系爭專利請求項7 不具進步性。準此，原告雖於99年10月12日提出系爭專利申請專利範圍更正本，經被告核認其未實質擴大或變更原申請專利範圍，准予更正，並重行審酌本案舉發案，然認系爭專利違反核准時專利法20條第2 項規定，並為舉發成立之處分，其於法並無不合，訴願決定予以維持，亦無違誤。故原告仍執前詞訴請撤銷原處分與訴願決定，均無理由，應予駁回。

八、本件事證已明，兩造其餘攻擊防禦方法，均與本件判決結果不生影響，爰不逐一論述，併此敘明。

據上論結，本件原告之訴為無理由，爰依智慧財產案件審理法第1條、行政訴訟法第98條第1 項前段，判決如主文。

智慧財產法院第二庭