智慧財產法院行政判決

民國102年5月30日辯論終結

原告

群成科技股份有限公司

代表人

卓恩民

訴訟代理人

江國慶專利師

訴訟代理人

陳丁章律師

上一人輔佐人

邱伯縣

被告

經濟部智慧財產局

代表人

王美花

訴訟代理人

簡信裕

參加人

米輯電子股份有限公司

代表人

麥瑞達（Rhonda Meyer）

訴訟代理人

張哲倫律師

　　　　　　陳佳菁律師

　　　　　　蕭輔寬專利代理人

上列當事人因發明專利舉發事件，原告不服經濟部中華民國101年10月3 日經訴字第10106112360 號訴願決定，提起行政訴訟，並經本院命參加人獨立參加被告之訴訟，本院判決如下：

主文

事實及理由

壹、程序方面：按訴狀送達後，原告不得將原訴變更或追加他訴，但經被告同意，或行政法院認為適當者，不在此限。被告於訴之變更或追加無異議，而為本案之言詞辯論者，視為同意變更或追加，行政訴訟法第111 條第1 項、第2 項定有明文。查原告起訴時訴之聲明為訴願決定及原處分均予撤銷，嗣於本院民國（下同）102 年5 月30日言詞辯論程序更正訴之聲明為「1.訴願決定、原處分均撤銷。2.命被告機關作成舉發成立撤銷專利權之處分。」（見本院卷第276 頁）。經核原告係本於同一請求基礎為變更，非屬訴之變更或追加，且被告當庭表示同意原告訴之聲明第二項之補充（見本院卷第277 頁），依首揭規定，原告訴之追加，自應准許。

貳、實體方面：

一、事實概要：參加人之前手○○○○○○○○公司前於90年12月17日以「晶片封裝結構及其製程」向被告申請發明專利，經被告審查後准予專利，並於公告期滿後發給發明第178254號專利證書，○○○○○○○○公司並申准將前揭專利讓與參加人。嗣○○○○○○○○公司（下稱育霈公司）對之提起舉發，參加人提出系爭專利申請專利範圍更正本後，被告認更正合法並依該更正本審查，為舉發不成立之處分。○○公司不服，提起訴願，○○公司於訴願程序進行中因公司合併而消滅，由合併後存續之原告承受其權利義務，並據原告依法向經濟部申請承受訴願，經經濟部決定駁回，原告仍未甘服，遂向本院提起行政訴訟，聲明訴願決定、原處分均撤銷，且應命被告機關作成舉發成立撤銷專利權之處分。本院因認本件訴訟之結果，倘認訴願決定及原處分應予撤銷，參加人之權利或法律上利益將受損害，乃依行政訴訟法第42條第1 項規定，依職權裁定命其獨立參加本件被告之訴訟。

二、原告之主張

(一)系爭專利請求項1 、2 依核准時專利法第20條之1 規定，不具擬制新穎性：

1.被告將系爭專利請求項1 、2 、112 之更正「該被動元件係由該圖案化導線層之部分結構所構成」解讀為「被動元件係由圖案化導線層本身之部分結構所構成，並非一外加元件」，此不同於請求項之界定與系爭專利說明書之內容。前開更正「該被動元件係由該圖案化導線層之部分結構所構成」並未界定被動元件非一外加元件，被動元件有可能是在裝置外製成，後移入圖案化導線層，而成為圖案化導線層之部分。參照系爭專利說明書公告本第21頁第11-14 行之內容可知，系爭專利說明書僅說明被動元件配置於圖案化導線層之上，亦未敘述被動元件係在圖案化導線層上直接製成，故被動元件644 亦可能係在圖案化導線層外先製成，再配置於圖案化導線層上，故被動元件仍可能為一外加元件。如系爭專利說明書第21頁倒數第1-3 行敘述之內容，並未說明螺旋狀結構係直接於圖案化導線層上製成，亦或於圖案化導線層之外製成再配置至圖案化導線層上。故螺旋狀結構雖可稱為圖案化導線層之部分但仍屬一外加元件。

2.由系爭專利記載「第6 圖……被動元件644 係可配置於單層圖案化導線層642a『上』」可知，系爭專利顯將被動元件與圖案化導線層分開，被動元件非屬圖案化導線層。另被動元件與圖案化導線層於不同層，被動元件在A 層形成時產生，無法與圖案化導線層同時產生，益證明被動元件非屬圖案化導線層之部分。依說明書「直接利用單一圖案化導線層642a之梳狀結構來形成被動元件644 」，其中並未說明梳狀結構係於何處形成，故梳狀結構亦可能係在外部另外形成後方移置於圖案化導線層上，則此梳狀結構雖可稱為圖案化導線層之部分，但仍屬一外加元件。

3.又若不考慮被動元件是否為一外加元件，則因原證4 之被動元件同屬配置於圖案化導線層上，原證4 之被動元件亦可視為由圖案化導線層之部分結構所構成，則系爭專利之「被動元件係由圖案化導線層之部分結構所構成」技術特徵已為原證4所揭示。

4.「被動元件……擺放於……晶片上方」之技術特徵，並未界定於系爭專利請求項1、2、112中，因系爭專利說明書並未記載被動元件位於晶片上方之目的和功效，此係參加人於被舉發後所主張之技術特徵。而原證4 之圖案化導線層(14)亦可謂係於晶粒和介電層之上，其延伸出之被動元件(2b)卻會出現於晶粒側邊，亦可證系爭專利請求項「之上」之界定乃極不明確。實則縱稱積層線路層係位在一元件之上，然其繞線可能繞至該元件之側邊，則被動元件位於晶片上方或側邊，僅係相對位置稍有差異，視情況而調整，故可直接置換而無歧異。

5.綜上所述，系爭專利請求項1 依核准時專利法第20條之1 規定，應不具擬制新穎性。而系爭專利請求項2 因與系爭專利請求項1 之差異僅在於「一晶片」與「複數晶片」之不同，故於證明系爭專利請求項1 不具擬制新穎性後，亦能證明系爭專利請求項2 不具擬制新穎性。

(二)系爭專利請求項112 依核准時專利法第20條之1 規定，不具擬制新穎性：原證4 之「環氧樹脂」與系爭專利請求項112 之「玻璃薄層」皆具有絕緣特性，且其作用係在於作為一絕緣層用以分隔導電層與導線間之電訊號，並形成多層電路層。故不論使用原證4 之「環氧樹脂」或系爭專利請求項112 之「玻璃薄層」作為一絕緣層的材料，皆為所屬技術領域所習知。又依據系爭專利說明書第9 頁第14-15 行之內容可知，系爭專利之填充層130 之材質和作用可等同於原證4 之環氧樹脂。且依系爭專利說明書第17頁倒數第4-7 行之內容亦可知，「第一玻璃基板410 」即為系爭專利之「玻璃薄層」，而玻璃本身即為絕緣材料。亦足證系爭專利請求項112 之「玻璃薄層」與原證4 之「環氧樹脂」同係作為一絕緣層，皆為所屬技術領域所習知。而將系爭專利與原證4 比對後可知：系爭專利之介電層142 即為系爭專利請求項112 所界定之玻璃薄層。因介電層142 和填充層130 皆具有絕緣性質，故介電層和填充層130 之整體即為原證4 之環氧樹脂10，此種分割僅造成敘述上之差異，於結構上並無差異可言。亦即若將原證4 之環氧樹脂10在對齊於晶片2a之主動表面處分割成上下兩半：下半即揭示系爭專利之填充層130 ，同時亦揭示系爭專利之填充層130 之頂面對齊於晶片2a之主動表面；上半即揭示系爭專利之介電層142 ，同時亦揭示系爭專利之玻璃薄層配置於填充層及晶片2a之上。亦即「系爭專利之高度對齊於晶片組之主動表面之高度的填充層」，僅係將原證4 之環氧樹脂10在對齊於晶片2a之主動表面處分割成上下兩半，系爭專利之填充層和玻璃薄層皆僅係作為絕緣層，其整體之作用等同於原證4 之環氧樹脂10，而此種分割並非必要，實質上已為原證4 所揭示，依審定時專利法第20條之1 之規定，不具擬制新穎性。

(三)為此起訴聲明請求：1.訴願決定、原處分均撤銷。2.命被告機關作成舉發成立撤銷專利權之處分。

三、被告之答辯

(一)原證4 與系爭專利請求項1 、2 、112 有以下之差異，原證4 之晶粒電容係外加於晶片之側邊，該晶粒電容係外加於圖案化導線層之元件，與系爭專利請求項1 、2 、112 之被動元件係由圖案化導線層之部分結構所構成即被動元件係由圖案化導線層本身之部分結構所構成，並非一外加元件，兩者之技術手段及結構均不同。又系爭專利請求項112 之玻璃薄層係配置於填充層及晶片組上，與原證4 之環氧樹脂兩者之材料亦有差異，且原證4 並未教示玻璃材料可用於配置於填充層及晶片組上，熟習該項技術者基於原證4 之內容無法直接且無歧異得知將「環氧樹脂」置換為「玻璃基板」。故原證4 無法證明系爭專利請求項1 、2 、112 不具擬制新穎性。

(二)依系爭專利請求項1 、2 、112 所載「該外部線路更包含至少一被動元件，其中該被動元件係由圖案化導線層之部分所構成」，並參酌說明書第24頁第15行至25頁第10行所揭示之內容可知，系爭專利請求項1 、2 、112 之被動元件係由圖案化導線層本身或由圖案化導線層本身結合介電層達成，因圖案化導線層係位於晶片之上，故系爭專利之被動元件係位於晶片之上，而原證4 揭示之晶粒電容係外加於晶片之側邊，二者被動元件之配置位置即有差異，且原證4 之該晶粒電容係一外加元件，並非由圖案化導線層之部分所構成，故原證4 之晶粒電容與系爭專利請求項1 被動元件係由圖案化導線層之部分結構所構成即被動元件係由圖案化導線層本身之部分結構所構成，並非一外加元件，二者之技術手段及結構並非相同，非參酌引證文件即能直接置換。又系爭專利說明書之實施例已揭示利用單層圖案化導線層之圓形螺旋狀結構或方形螺旋狀結構來形成被動元件，其係在形成圖案化導線層時，因應電路需求將圖案化導線層形成圓形螺旋狀或方形螺旋狀結構不同形狀以形成被動元件，故該螺旋狀結構或方形螺旋狀結構係由圖案化導線層本身之部分結構所形成，非於外部形成後方移至於圖案化導線層上，系爭專利說明書亦未有在外部形成後才移至於圖案化導線層上之實施例揭露，自得將「該被動元件係由該圖案化導線層之部分結構所構成」解讀為「被動元件係由圖案化導線層本身之部分結構所構成」。關於系爭專利請求項2 與請求項1 之差異在於「一晶片」與「複數個晶片」之不同，因原證4 尚難證明系爭專利請求項1 不具擬制新穎性，故原證4 亦難以證明系爭專利請求項2 不具擬制新穎性。

(三)關於系爭專利請求項112之部分，原證4之環氧樹脂(10)係位於晶片組之間與晶片組之上方，與系爭專利之填充層之頂面對齊於該晶片組之該主動表面兩者結構即有不同，另原證4並未揭示「一玻璃薄層，配置於該填充層及該晶片組之上」之技術特徵，系爭專利請求項112 之玻璃薄層係配置於填充層及晶片組之上，與原證4 之環氧樹脂(16)係配置在環氧樹脂(10)上，二者於結構分佈及材料即有差異，且原證4 並未揭示或教示可採用玻璃材料用於配置於填充層及晶片組之上，該發明所屬技術領域中具通常知識者基於原證4 之技術內容，無法直接且無歧異得知且將「環氧樹脂」置換為「玻璃薄層」，縱將原證4 之環氧樹脂置換為玻璃材料，則亦存在原證4 之環氧樹脂(10)其係位於晶片組之間與晶片組之上方，與系爭專利之填充層頂面對齊於該晶片組之該主動表面之結構不同。再原證4 至6 均未揭示系爭專利請求項112 之被動元件係由圖案化導線層之部分結構所構成之技術特徵，且證據1 與系爭專利請求項112 存在前述之差異，故由原證4尚難證明系爭專利請求項112 不具擬制新穎性。被告原處分並無違法，為此答辯聲明請求駁回原告之訴。

四、參加人之答辯系爭專利相較於原證4具新穎性：

(一)原證4第十六、十七圖揭示將晶粒電容2b設置在底座6上，利用該銅導線14及銲錫12而電性連接該晶粒電容2b，然參照系爭專利說明書第21頁第11至24行所記載之內容可知，系爭專利之被動元件係由圖案化導線層本身或由圖案化導線層本身結合介電層來達成，與原證4 之外加的晶粒電容2b完全不同，則系爭專利之結構與原證4 之結構或形成方法完全不同。且因系爭專利之被動元件係由圖案化導線層之部分結構所構成，其位置必於晶片之上方，縱封裝結構中僅有一層圖案化導線層時，系爭專利之被動元件之位置仍在晶片上方。而原證4 之被動元件即電容2b係外加擺放於晶片2a側邊，系爭專利所屬技術領域之通常知識者於參酌原證4 之教示後，仍難以思及將被動元件（2b）擺放於原證4 之封裝結構中晶片2a上方。則系爭專利之封裝結構與原證4 之封裝結構實屬不同。

(二)原證4 說明書全文僅於摘要、說明書第11頁第7 至9 行、說明書第14頁倒數第9 至6 行、說明書第14頁倒數第6 至2 行、說明書第15頁倒數第5 至3 行提及被動元件即晶粒電容2b，原證4 說明書並未揭示或建議可將被動元件置放於晶粒上方，原證4 僅例示將被動元件配置於晶粒之側並排於玻璃底座上。則原證4 被動元件之配置位置及封裝結構，顯不同於系爭專利請求項1 、2 及112 所載之被動元件係由圖案化導線層之部分結構所構成，且配置於晶片上方之積層線路層中。原告欲以「本發明也能將晶粒電容2b納入封裝過程」主張原證4 被動元件可置於封裝結構中之任何位置，顯不可採。

(三)原證4 之環氧樹脂10係塗佈於晶粒及絕緣基座之上，且包覆於晶片周圍及上方，其上再配置銅導線，則原證4 之環氧樹脂層10顯係一體組成之絕緣層結構，原證4 並未揭露、教示或建議可將環氧樹脂10分割。系爭專利請求項112 係將填充層環繞於晶片組之周圍，且填充層之高度係對齊於該晶片組之該主動表面的高度，接著再以一玻璃薄層配置於填充層及晶片組之上。因原證4 之環氧樹脂10係一體組成，且原證4並未揭露系爭專利之玻璃薄層，原證4 之封裝結構明顯不同於系爭專利請求項112 之封裝結構。又原證4 亦未有任何教示或指導使用「玻璃材料配置於該填充層及該晶片組之上」之內容，則本發明所屬技術領域中具有通常知識者於參考原證4 說明書後，無法直接且無歧異地將原證4 之環氧樹脂以玻璃材料置換。縱原證4 之環氧樹脂層10係一體組成之絕緣層結構，而原告將環氧樹脂層10以玻璃薄層置換後，置換後原證4 之晶粒與銅導線層間之絕緣層係為玻璃薄層，仍與系爭專利請求項112 之晶片組與圖案化導線層間具有玻璃薄層與填充層之結構不同。依原證4 所教示之內容，原證4 之環氧樹脂10係不可分割。若如原告所稱將原證4 之環氧樹脂10分割為上下兩部分，上層部分以玻璃薄層置換，將導致置換後原證4 之晶粒與銅導線層間之絕緣層由玻璃薄層與環氧樹脂兩種不同材料所組成，此與原證4 所揭示晶粒與銅導線層間存在環氧樹脂10作為一體組成之絕緣層結構相違背。原證4 亦未揭示系爭專利之「該填充層之高度係對齊於晶片組之主動表面的高度」及「玻璃薄層，配置於該填充層及該晶片組之上」等技術特徵，二者結構並非相同。則本發明所屬技術領域中具有通常知識者實無法由原證4 之內容而能輕易推得系爭專利請求項112 之技術特徵「一填充層，形成於該玻璃基板之上，且該填充層之高度係對齊於該晶片組之該主動表面的高度；一玻璃薄層，配置於該填充層及該晶片組之上」，則系爭專利之封裝結構相較於原證4 ，自具擬制新穎性，為此答辯請求駁回原告之訴。

五、本院之判斷

(一)參加人之前手○○○○○○○○公司前於90年12月17日以「晶片封裝結構及其製程」向被告申請發明專利，經被告准予專利，並於公告期滿後發給發明第178254號專利證書，○○○○○○○○公司並申准將前揭專利讓與參加人。嗣原告之合併前之○○公司提出舉發證據1 （即本件原證4 ），主張該專利有違核准時專利法第20條之1 、第27條及第71條第3款規定，對之提起舉發。參加人復於95年12月22日、98年6月24日及99年2 月11日提出系爭專利申請專利範圍更正本，被告並於99年11月15日辦理面詢，參加人再次於100 年3 月3 日、100 年6 月3 日及100 年11月11日提出申請專利範圍更正本，○○公司於100 年12月27日就參加人100 年11月11日之更正本提出舉發補充理由書，主張系爭專利更正後之申請專利範圍第1 及2 項仍有違核准時專利法第22條第3 項之規定，且舉發證據1 （即本件原證4 ）仍可證明更正後申請專利範圍第1 、2 及112 項有違審定時專利法第20條之1 規定，經被告審查，認參加人100 年11月11日所提之更正本應准予更正，並依該更正本審查，認核准時專利法第22條第3項之規定，並非可舉發之事由，且認更正後申請專利範圍第1 、2 、112 項並未違反核准時專利法第20條之1 規定，而於101 年5 月1 日以（101 ）智專三（二）04069 字第10120428780 號專利舉發審定書為「舉發不成立」之處分。○○公司不服，提起訴願，育霈公司於訴願程序進行中因公司合併而消滅，由合併後存續之原告承受其權利義務，並據原告依法向經濟部申請承受訴願，經經濟部101 年10月3 日經訴字第10106112360 號決定，以相同之理由駁回，原告仍未甘服，遂向本院提起行政訴訟，主張原證4 係屬申請在先而於系爭專利申請後始公開之專利，故依核准時專利法第20條之1 規定，系爭專利請求項第1 、2 、112 項擬制喪失新穎性；被告及參加人則仍以上開理由主張原證4 無法證明系爭專利請求項第1 、2 、112 項不具擬制新穎性。故本件之爭點為原證4 是否足以證明系爭專利請求項第1 、2 、112 項不具擬制新穎性。

(二)按申請專利之發明，與申請在先而在其申請後始公開或公告之發明或新型專利申請案所附說明書或圖式載明之內容相同者，不得取得發明專利。但其申請人與申請在先之發明或新型專利申請案之申請人相同者，不在此限。核准時專利法第20條之1 定有明文。此即所謂擬制新穎性之規定，現行專利法第23條亦有相同之規定（僅明列申請專利範圍之內容相同亦不得取得專利）。於專利審查上，就同一或無明顯差異之發明，有可能先申請卻後公告，導致對後申請而言，因先申請尚未公開或公告，而無法作為判斷後申請是否具備專利要件之先前技術，造成二同一或無明顯差異之專利併存，此情形一方面對先申請人不公平，一方面亦導致交易市場上無謂之成本支出，並增加授權之困難。擬制新穎性即為解決此問題之機制，以求申請人間之公平，且避免市場之混亂。而由於在一般專利申請之判斷上，單一之先前技術可作為判斷新穎性之標準，亦可結合其他先前技術作為判斷進步性之標準，但申請在先公告在後之先申請專利，僅得作為申請在後公告在先之後申請專利之擬制新穎性之標準。因此，擬制新穎性所稱之「內容相同」，應包括技術特徵完全一樣，或其差異僅在於文字記載之形式或能直接無歧異得知之技術特徵，或僅在於相對應技術特徵之上、下位概念，以及其差異僅在於依通常知識即能直接置換之技術特徵。

(三)查系爭專利係一種晶片封裝結構及其製程，係將晶片貼附於一玻璃基板上，並在晶片及玻璃基板上形成一積層線路層，其具有一外部線路，其中部分外部線路係電性連接晶片上之金屬墊，並延伸至晶片之主動表面上方以外的區域，用以將晶片之金屬墊扇出至晶片之主動表面上方以外的區域。此外，晶片之主動表面上更具有一內部線路及多個主動元件，訊號係可從一主動元件經由內部線路，而傳遞到外部線路，接著再從外部線路經由內部線路，而傳遞至其他的主動元件。另外，更可將功能相同或不同的晶片整合於同一封裝體內，並經由外部線路使得晶片間相互電性連接。其申請專利範圍第1 、2 、112 項內容如下：

1.一種晶片封裝結構，至少包括：一玻璃基板；一晶片，該晶片具有一主動表面及對應之一背面，且該晶片更具有複數個金屬墊，其配置於該主動表面上，而該晶片係以該背面貼附於該玻璃基板上；以及一積層線路層，配置於該玻璃基板及該晶片上，該積層線路層具有一外部線路，其中該些外部線路係電性連接該晶片之該些金屬墊，且至少部分該外部線路係延伸至該晶片之該主動表面上方以外的區域，並且該外部線路具有複數個接合墊，其位於該積層線路層之表層，而每一該些接合墊係分別電性連接至該晶片之部分該些金屬墊之一，其中該積層線路層至少包括一圖案化導線層、一介電層及複數個導電插塞，而該介電層係配置於該玻璃基板及該晶片之上，且該圖案化導線層係配置於該介電層之上，並且該些導電插塞係分別貫穿該介電層，而電性連接該圖案化導線層及該晶片之該些金屬墊，其中該圖案化導線層及該些導電插塞係構成該外部線路，且該圖案化導線層係形成該些接合墊，該外部線路更包括至少一被動元件，其中該被動元件係由該圖案化導線層之部分結構所構成，其中該圖案化導線層之材質為銅。

2.一種晶片封裝結構，至少包括：一玻璃基板；複數個晶片，每一該些晶片分別具有一主動表面及對應之一背面，且每一該些晶片更分別具有複數個金屬墊，其配置於對應之該主動表面上，而該些晶片係以該背面貼附於該玻璃基板上；以及一積層線路層，配置於該玻璃基板及該些晶片上，該積層線路層具有一外部線路，其中該些外部線路係電性連接該些晶片之該些金屬墊，且至少部分該外部線路係延伸至該晶片之該主動表面上方以外的區域，並且該外部線路具有複數個接合墊，其位於該積層線路層之表層，而每一該些接合墊係分別電性連接至該些晶片之部分該些金屬墊之一，其中該積層線路層至少包括一圖案化導線層、一介電層及複數個導電插塞，而該介電層係配置於該玻璃基板及該晶片之上，且該圖案化導線層係配置於該介電層之上，並且該些導電插塞係分別貫穿該介電層，而電性連接該圖案化導線層及該晶片之該些金屬墊，其中該圖案化導線層及該些導電插塞係構成該外部線路，且該圖案化導線層係形成該些接合墊，該外部線路更包括至少一被動元件，其中該被動元件係由該圖案化導線層之部分結構所構成，其中該圖案化導線層之材質為銅。

112.一種晶片封裝結構，至少包括：一玻璃基板；一晶片組，該晶片組具有一主動表面及對應之一背面，且該晶片組更具有複數個金屬墊，其配置於該主動表面上，而該晶片組係以該背面貼附於該玻璃基板上；一填充層，形成於該玻璃基板之上，並環繞於該晶片組之周圍，且該填充層之高度係對齊於該晶片組之該主動表面的高度；一玻璃薄層，配置於該填充層及該晶片組之上，其中該玻璃薄層具有複數個第一導電插塞，其分別電性連接該些金屬墊之一；以及一積層線路層，配置於該玻璃薄層上，該積層線路層具有一外部線路，其中該些外部線路係經由該些導電插塞而電性連接該晶片組之該些金屬墊，且至少部分該外部線路係延伸至該晶片組之該主動表面上方以外的區域，並且該外部線路具有複數個接合墊，其位於該積層線路層之表層，而每一該些接合墊係分別電性連接至該晶片組之部分該些金屬墊之一，其中該積層線路層至少包括一圖案化導線層，該圖案化導線層係配置於該玻璃薄層之上，並且經由該些第一導電插塞而電性連接該圖案化導線層及該晶片組之該些金屬墊，其中該圖案化導線層及該些第一導電插塞係構成該外部線路，且該圖案化導線層係形成該些接合墊，該外部線路更包括至少一被動元件，其中該被動元件係由該圖案化導線層之部分結構所構成，其中該圖案化導線層之材質為銅。其中第1 、2 項之差別僅在於第1 項係一晶片，第2 項係複數個晶片，而第112 項則係在晶片組之玻璃基板上設有填充層及玻璃薄層（系爭專利主要圖式見附表一）。

(四)原證4 為90年9 月25日申請，92年5 月12日公告之台灣專利第90123655號「晶圓型態擴散型封裝之製程」專利（公告號：531854），其申請日早於系爭專利90年12月17日之申請日，但公告日晚於系爭專利92年3 月6 日之公告日，故可作為判斷系爭專利是否有擬制新穎性之技術內容。原證4 之主要技術內容為一種半導體封裝技術，特別是有關於利用擴散型晶圓型態封裝製程製作封裝之方法，其包含切割晶粒後，經過篩選，將晶粒黏著於玻璃底座上，再將黏於晶粒上的金屬墊的I/O 接頭透過特殊材質與方式，將I/O 接頭植球的位置，以擴散型方式，將接觸點往外擴散到晶粒的邊緣甚至晶粒的外圍。而與系爭專利較有關之技術內容為透過網印技術或植球技術植入焊錫球，以及電容植入到玻璃基座上與單一晶粒的晶圓型態擴散型封裝的作型之技術，其主要圖式為原證4 第12及16圖（見附表二）。雖原告主張第1 、2 、122 項未界定「被動元件不是相對於圖案化導線層本身之一外加元件」和「被動元件擺放於晶片上方」之技術，且未為系爭專利說明書所支持等語，惟查從系爭專利記載內容來看，第1、2 項在其倒數第5 至2 行、第112 項在其倒數第6 至3 行已明確記載「其中該圖案化導線層及該些（第一）導電插塞係構成該外部線路……，其中該被動元件係由該『圖案化導線層之部分結構所構成』」，而且系爭專利說明書中第21頁第11行至第22頁第1 行所記之內容也有明確記載以部分圖案化導電層形成被動元件之技術，例如：第21頁第17至24行「……如第10A 圖所示，直接利用單一圖案化導線層642a之梳狀結構來形成被動元件644 （如梳狀電容），或如第10B 圖所示，在兩層圖案化導線層642a之板狀接點間配置一絕緣材料646 ，因而形成被動元件644 （如電容），其中可以原先的介電層（未繪示）來代替絕緣材料646 ，或如第11圖所示，利用單層圖案化導線層642a之螺旋狀結構來形成被動元件644 （如電感）……」，故系爭專利第1 、2 、112 項之被動元件係由該圖案化導線層本身之部分結構所構成而非一外加元件，且為說明書所支持。又系爭專利第1 、2 項所記關於被動元件之配置位置係「一積層線路層，配置於該玻璃基板及該（些）晶片上，該積層線路層具有一外部線路，……其中該積層線路層至少包括一圖案化導線層、一介電層及複數個導電插塞，……其中該圖案化導線層及該些導電插塞係構成該外部線路……，該外部線路更包括至少一被動元件……」，可知配置於玻璃基板及晶片上的積層線路層至少包括一圖案化導線層、一介電層及複數個導電插塞、圖案化導線層及複數個導電插塞係構成外部線路，並且外部線路包括被動元件，亦即被動元件係配置於玻璃基板及晶片上。且系爭專利請求項112 所記關於被動元件之配置位置係「一填充層，形成於該玻璃基板之上……一玻璃薄層，配置於該填充層及該晶片組之上……一積層線路層，配置於該玻璃薄層上，該積層線路層具有一外部線路，……其中該積層線路層至少包括一圖案化導線層，該圖案化導線層係配置於該玻璃薄層上，……其中該圖案化導線層及該些第一導電插塞係構成該外部線路……，該外部線路更包括至少一被動元件……」，可知配置於晶片組上的積層線路層至少包括一圖案化導線層、一介電層及複數個第一導電插塞、圖案化導線層及複數個第一導電插塞係構成外部線路，並且外部線路包括被動元件，亦即被動元件係配置於玻璃薄層及晶片組上。故系爭專利第1 、2 、112 項所記載之被動元件均係配置在玻璃基板及晶片上方，且亦為說明書所支持。從而，原告關於系爭專利解釋不明之主張，均不可採。

(五)原證4 與系爭專利第1 、2 項之最大差異在於原證4 之被動元件為晶粒電容2 配置於玻璃基座上，而系爭專利之相對應技術特徵為「外部線路更包括至少一被動元件，其中該被動元件係由圖案化導電層之部分結構所構成」，以及被動元件之配置位置。雖原告主張原證4 第16圖及說明書第14頁第16至19行已揭示：「本發明也能將晶粒電容2b納入封裝過程，圖十六所示，即為『電容2b植入到玻璃基座上』與單一晶粒的晶圓型態擴散型封裝（wafer level fan out packaging）的成型剖面圖」，可直接無歧異推導出系爭專利之「外部線路更包括至少一被動元件，其中該被動元件係由該『圖案化導線層之部分結構所構成』」之技術特徵，以及因為原證4 之被動元件同樣是配置於圖案化導電層上，故原證4 之被動元件亦可視為由圖案化導電層之部分結構所構成」等語云云，惟查系爭專利之被動元件應解釋為係由該圖案化導線層本身之部分結構所構成，並非一外加元件，且系爭專利之被動元件係配置於玻璃基板及晶片上，已如前所述，而原證4雖提及將晶粒電容2b納入封裝過程，但無法以此直接無歧異推導出該晶粒電容即包含圖案化導電層，且原證4 說明書第14頁第17至18行明確記載：「電容2b植入到玻璃基座上」，亦即被動元件僅配置於玻璃基板並未設於晶片上。簡言之，原證4 被動元件（晶粒電容）的配置位置及整體結構，明顯不同於系爭專利將被動元件由圖案化導線層之部分結構所構成並配置於晶片上方的積層線路層中。故系爭專利第1 、2項與原證4 相對應技術並不相同，且其差異並非僅在於文字記載之形式或能直接無歧異得知之技術特徵，或僅在於相對應技術特徵之上、下位概念，且該技術特徵之差異亦無法依通常知識即能直接置換。故原告主張原證4 足以證明系爭專利第1、2項喪失擬制新穎性，並不可採。

(六)原證4 與系爭專利第112 項之最大差異，除了上開第1 、2項所述之外，尚包括系爭專利之玻璃基板上設有填充層及玻璃薄層。雖原告主張原證4 之環氧樹脂與系爭專利第112 項之玻璃薄層皆具有絕緣特性，且其作用係在於作為一絕緣層用以分隔導電層與導線間之電訊號，並形成多層電路層。因此，不論使用原證4 之環氧樹脂或系爭專利請求項112 之玻璃薄層作為一絕緣層的材料，皆為所屬技術領域所習知…由以上兩圖的比對可知：系爭專利之介電層142 即為新請求項112 所界定之玻璃薄層。因為介電層（玻璃薄層）142 和填充層130 皆具有絕緣層性質，故介電層（玻璃薄層）和填充層130 之整體即為原證4 之環氧樹脂10。而這種分割僅造成敘述上的差異，在結構上並沒有造成差異等語云云。惟查雖然玻璃薄層與環氧樹脂均為所屬技術領域習知之絕緣層材料，但是原證4 環氧樹脂的配置位置（包覆於晶片組周圍和晶片組上方）及整體結構，明顯不同於系爭專利填充層環繞於晶片組之周緣並以頂面對齊於晶片組之主動表面，再以一玻璃薄層配置於填充層及晶片組之上。再就介於晶片組與積層線路層間的絕緣層整體技術來看，系爭專利第112 項係由填充層及玻璃薄層兩種不同的材料所組成的，而原證4 則係全由環氧樹脂所組成且係不可分割的技術，故系爭專利第112項與原證4 相對應技術並不相同，且其差異並非僅在於文字記載之形式或能直接無歧異得知之技術特徵，或僅在於相對應技術特徵之上、下位概念，且該技術特徵之差異亦無法依通常知識即能直接置換。故原告主張原證4 足以證明系爭專利第112 項喪失擬制新穎性，亦不可採。

(七)至原告所提原證5 即1979年所出版，由JACOB MILLMAN 所著之MICRO ELECTRONIC：Digital and Analog Circuits andSystems ，第115 頁、第167 頁；原證6 為1997年出版RaoR Tummala,Eugene J. Rymaszewski及Alan G.Klopfenstein合著之MICROELECTRONICS PACKAGING HANDBOOK,第2 版：Technology Drivers Part I, An overview and 8-2 chip-level interconnection evolution；原證7 為1999年出版John H. Lau 以及S.W.Ricky Lee 合著Chip ScalePackage,Chapter 10.2 Design Concepts and Package Structure, 第157 至161 頁；原證8 為ASM International HandbookCommittee, Electronic Materials handbook Volume 1Packaging, Other Design Considerations, Material andElectronic Phenomena, Physical Characteristics ofMicroelectronic Materials,第104 至111 頁之內容；原證9 為○○○編譯，半導體封裝工程，第九章材料的微構造與性質，第9至5 頁，○○○○○○○○○○公司出版，其公開日期均早於系爭專利申請日，原告主張原證5 至9 係用以證明系爭專利申請時熟習該項技術之通常知識，而該等技術內容，均係基礎性之一般說明，並未揭露或教示系爭專利被動元件的配置位置及整體結構，亦即，在理解及比對系爭專利與原證4後，上述技術差異，並非原告所提原證5 至9 之文獻內所教示之通常知識，且亦未記載該二存有差異之技術特徵乃通常知識或是慣用手段之資訊，也未記載該二存有差異技術特徵對於系爭專利並不會產生不同功效之資訊，故尚難稱該差異部分之技術特徵乃發明所屬技術領域中具有通常知識者參酌原證4 即能直接置換或直接推導者。此外，原證5 至9 亦未指出玻璃薄層與填充層之組合或是環氧樹脂在晶片組以上的部分使用玻璃薄層之技術為通常知識的出處。亦即，在理解及比對系爭專利與原證4 後，上述技術差異，雖在原告所提出之原證5 至9 有教示具散熱功能之承載基板包含金屬基板及陶瓷基板之通常知識，然倘原告將原證4 之環氧樹脂分割為兩部而其中一部以玻璃薄層置換，將導致置換後晶片組與積層線路層間的絕緣層由玻璃薄層與環氧樹脂兩種不同材料所組成，明顯與原證4 所明確揭示環氧樹脂為一體之技術相違，且原告所提出原證5 至9 ，亦未教示環氧樹脂其中一部置換為玻璃薄層可應用於如系爭專利之晶片封裝結構之技術內容。故尚難稱發明所屬技術領域中具有通常知識者，僅參酌原證4 之環氧樹脂即能直接置換或直接推導出系爭專利第112 項所記之玻璃薄層與填充層之組合，或是環氧樹脂在晶片組以上的部分使用玻璃薄層之技術特徵，是以原告此部分主張亦不可採。

六、綜上所述，系爭專利請求項第1 、2 、112 項並未違反核准時專利法第20條之1 之規定，從而被告所為舉發不成立之審定，於法尚無不合，訴願決定予以維持，亦無違誤。原告仍執前詞訴請撤銷原處分及訴願決定，並命被告作成撤銷系爭專利之審定，均無理由，應予駁回。

七、本件事證已明，兩造其餘攻擊防禦方法均與本件判決結果不生影響，故不逐一論述，併此敘明。

據上論結，本件原告之訴為無理由，爰依智慧財產案件審理法第1條，行政訴訟法第98條第1項前段，判決如主文。

智慧財產法院第二庭