智慧財產法院行政判決

民國102年7月3日辯論終結

原告

群成科技股份有限公司

代表人

卓恩民

輔佐人

邱伯縣

訴訟代理人

江國慶專利師

訴訟代理人

黃宜婷律師

被告

經濟部智慧財產局

代表人

王美花（局長）

訴訟代理人

簡信裕

參加人

米輯電子股份有限公司

代表人

麥瑞達

訴訟代理人

張哲倫律師

　陳佳菁律師

　蕭輔寬專利代理人

上列當事人間因發明專利舉發事件，原告不服經濟部中華民國102 年1 月10日經訴字第10106116160 號訴願決定，提起行政訴訟，本院判決如下：

主文

事實及理由

一、事實概要：訴外人○○○○○○○○○○前於民國90年12月31日以「晶片封裝結構及其製程」向被告申請發明專利，經被告編為第90133195號審查，准予專利，並於公告期滿後，發給發明第503496號專利證書（下稱系爭專利，主要圖式如附圖一所示），嗣經申准將系爭專利讓與參加人。其後訴外人○○○○○○○○○○（下稱○○公司）以系爭專利有違核准時專利法第20條之1 規定，不符發明專利要件，對之提起舉發，參加人遂於101年4月6日提出系爭專利申請專利範圍更正本，經被告審認該更正本應准予更正，且舉發證據不足以證明系爭專利更正本有違前揭規定，乃以101年8月17日（101）智專三（二）04069字第10120840210號專利舉發審定書對○○公司為「舉發不成立」之處分，○○公司不服，提起訴願，並於訴願期間之101年10月15日向被告陳報其已於101年5月31日與原告合併，原告為存續公司等情。而後經濟部於102年1月10日就上揭訴願仍以經訴字第10106116160號為「訴願駁回」之決定，原告不服該訴願決定，遂向本院提起行政訴訟。本院認本件判決之結果，將影響參加人之權利或法律上之利益，依職權命參加人獨立參加本件訴訟。

二、原告主張：

（一）系爭專利已為中華民國發明第531854號專利（下稱原證4，主要圖式如附圖二所示）（卷附原證5至原證9得作為證明、建構系爭專利申請時之通常知識；原證12則為原證4說明書第6頁所載之先前技術）所揭示而擬制喪失新穎性：

１、系爭專利之「晶片(120)、金屬墊(126)、導電插塞(142b)、圖案化導電層(144)、貫孔(142a)、介電層(146)」技術特徵已為原證4之「晶粒(2a)、鋁墊(4)、銲錫(12)、銅導線(14)、第三開口(15)、環氧樹脂(16)」所揭露，而系爭專利申請專利範圍第1、2項（第1E圖）與原證4（圖11）所附說明書或圖式載明之內容相同。

２、系爭專利申請專利範圍第1、2項之銅質圖案化導線層及導電插塞已被原證4的銅導線及銲錫所揭示：

⑴系爭專利申請專利範圍第1、2項並未界定銅為貫孔內之材料：更正後系爭專利申請專利範圍第1 、2 項僅界定「圖案化導線層……穿過該介電層之該些貫孔」和「該圖案化導線層之材質為銅」，惟並未界定圖案化導線層如何穿過介電層。而依系爭專利說明書第11頁第12至18行所載「亦可在第1C圖之貫孔142a內預先填入導電材料，例如填入導電膠而形成導電插塞142b，故無論是利用部分圖案化導線層144之導電材料直接填入貫孔142a之內，或是預先在貫孔142a填入導電材料而形成導電插塞142b之後，再形成圖案化導線層144，均可使得圖案化導線層144將可電性連接至晶片120上的金屬墊126」等語，可知系爭專利之圖案化導線層也可能是透過一導電膠穿過介電層，亦即系爭專利申請專利範圍第1項之貫孔內部分（導電插塞）的材料可以是一導電膠。因此，系爭專利申請專利範圍第1項並未界定貫孔內材料之差異，而與原證4在貫孔內材料上並無差異。此外，不論銅與錫之特性是否不同又是否互為上下位概念，在半導體封裝領域中，圖案化導線層及貫孔內的導電插塞之功能本在電性連接，為所屬技術領域之習知技術，不論使用銅材料，抑或錫，均以達成電性連接為其技術目的，而銅與錫均為所屬技術領域習知之電性連接材料。因此，不論以銅或以銲錫作為圖案化導線層或作為貫孔內的導電插塞的材料，皆為所屬技術領域所習知。

⑵系爭專利申請專利範圍第1、2項貫孔內的銅可被原證4之銲錫(12)直接置換：被告認定系爭專利申請專利範圍第1 項已界定「銅為貫孔內之材料」，是依據系爭專利說明書第11頁第9至12行記載「部分圖案化導線層144之導電材料將直接填入貫孔142a之內，用以形成導電插塞（Via）142b，其中例如以銅（Cu）作為圖案化導線層144之材質」等語，然被告亦承認系爭專利說明書中仍有其他「導電膠為貫孔內之材料」的態樣，則依據系爭專利申請專利範圍第1項的敘述參酌說明書既然有可能得出「導電膠為貫孔內之材料」，證明「銅為貫孔內之材料」實質上未界定於系爭專利申請專利範圍第1項中，自不能作為系爭專利區別於原證4的技術特徵。又在不具有此一技術特徵的情況下，系爭專利申請專利範圍第1項已被原證4所揭示。且系爭專利說明書舉出「導電膠為貫孔內之材料」和「銅為貫孔內之材料」2種態樣，證明導電膠和銅可互相替換，又其共通性僅在於「能導電」，證明只要是具有導電性的材質皆可直接置換銅。因此，原證4之銲錫能導電，即能直接置換系爭專利申請專利範圍第1項之銅，而不論是否具有不同的特性或不同的導電性。

⑶原證4發明背景所列之美國專利U.S.Patent No.0000000，發明名稱為Metal Ball Grid Array Package withImproved Thermal Conductivity 已揭示銅作為貫孔內之材料：上開美國專利為原證4 之參考文件，自應視為引證文件之一部分，屬單一文件所揭露之先前技術。而參酌該美國專利圖15及其說明已明白揭示「A conductive via 148 isformed through the base 122.…The hole is thenfilled with a conductive material such as a solder,silver filled polymer or a copper terminal pin.」等語，亦即銅可作為貫孔內之材料，顯見原證4 確可證明系爭專利申請專利範圍第1、2項擬制喪失新穎性。

３、系爭專利申請專利範圍第1、2項之被動元件已被原證4所揭示：

⑴系爭專利申請專利範圍第1、2項未界定「被動元件不是相對於圖案化導線層本身之一外加元件」：

①被告將系爭專利申請專利範圍第1、2項之更正「該被動元件係由該圖案化導線層之部分結構所構成」解讀為「被動元件係由圖案化導線層本身之部分結構所構成，並非一外加元件」，此與系爭專利說明書的內容不同。參照系爭專利說明書第23至24頁所載「接著請同樣參考第6圖，外部線路642更包括至少一被動元件（PassiveDevice）644，例如電容（Capacitor）、電感（Inductor）及電阻（Resistor）等元件，而被動元件644係可配置於單層圖案化導線層642a上，或兩層相鄰之圖案化導線層642a之間。……可將被動元件644（如電阻材料）利用印刷或其他方式，配置於圖案化導線層642a之兩接點間」等語，可知系爭專利說明書僅說明被動元件配置於圖案化導線層之上，並未敘明被動元件不是相對於圖案化導線層本身之一外加元件。

②至於系爭專利說明書第24頁所述之「如第10B 圖所示，在兩層圖案化導線層642a之板狀接點間配置一絕緣材料646，因而形成被動元件644（如電容），其中可以原先的介電層（未繪示）來代替絕緣材料646」等語可知，由於被動元件644所含的絕緣材料646或介電層係不同於圖案化導線層642a的導電材料，推知被動元件在製程中必須外加，因此被動元件應為一外加元件。

⑵系爭專利說明書未敘明被動元件是在何處形成，就無法證明被動元件不是「外加元件」：系爭專利說明書第24頁所述之「如第10A 圖所示，直接利用單一圖案化導線層642a之梳狀結構來形成被動元件644(如梳狀電容) ……或如第11A 圖所示，利用單層圖案化導線層642a之圓形螺旋狀結構或方形螺旋結構（未繪示）來形成被動元件644（如電感），或如第11B圖所示，利用雙層圖案化導線層642a之斜線結構及多根導電插塞642b來包覆並環繞一絕緣材料646，而形成柱狀之被動元件644（如電感），或如第11C圖所示，同樣利用雙層圖案化導線層之斜線結構及多根導電插塞來包覆並環繞一絕緣材料646，而形成環狀之被動元件644（如電感），故可利用上述等結構，將原本銲接於晶片封裝結構上的被動元件，加以整合至晶片封裝結構之內部」等語，其中並未說明梳狀結構或方形螺旋狀結構是在何處形成，亦未說明其如何將被動元件整合至晶片封裝結構之內部，因此梳狀結構或螺旋狀結構亦可能是在外部另外形成後才移置於圖案化導線層上，即使其可稱為圖案化導線層之部分，但仍屬於外加元件。

⑶由前述可知，被告及參加人對於系爭專利申請專利範圍第1、2項「被動元件係由圖案化導線層之部分結構所構成」之解讀，並未獲得系爭專利說明書所支持，由此可知被動元件仍為圖案化導線層之外加元件，故系爭專利申請專利範圍第1、2項「被動元件」之技術特徵已為原證4所揭示而擬制喪失新穎性。何況，系爭專利申請專利範圍第1、2項之積層線路層配置於晶片時有可能繞線至晶片之側邊，被動元件因而有可能位於晶片之側邊，未必一定位於晶片上方，況被動元件位於晶片之上方或側邊等不同之相對位置，並不因此有任何功效之改變。是以，該發明所屬技術領域者皆可依通常知識將晶片位置進行置換，但不因此置換而對於整體技術產生不同功效，仍屬直接且無岐異之置換，系爭專利申請專利範圍第1、2項擬制喪失新穎性，仍屬無疑。

（二）聲明：

１、訴願決定及原處分均撤銷。

２、被告應作成舉發成立撤銷系爭專利之處分。

三、被告抗辯如下：

（一）原證4與系爭專利申請專利範圍第1、2項之差異：

１、系爭專利申請專利範圍第1、2項之圖案化導線層之材質為銅，而原證4之圖案化導線層係由銅導線(14)與銲錫(1 2)所構成：系爭專利申請專利範圍第1、2項已載明「……其中該積層電路層至少包括一圖案化導線層及一介電層，而該介電層係配置於該陶磁基板及該晶片上，其中該介電層具有複數個貫孔，且該圖案化導線層係配置於該介電層之上，並穿過該介電層之該些貫孔而電性連接該晶片之該些金屬墊，其中該圖案化導線層係構成外部線路及形成外部線路接合墊，該外部線路更包含至少一被動元件，其中該被動元件係由圖案化導線層之部分所構成，其中該圖案化導線層之材質為銅」等語，故由系爭專利上開申請專利範圍記載，可知其中圖案化導線層包含配置於介電層之上並穿過貫孔而連接至晶片金屬墊之結構，且該結構之材質均為銅，此可見於系爭專利圖式第1D圖及說明書第11頁第6至13行所記載之實施態樣，故系爭專利申請專利範圍第1、2項之圖案化導線層係配置於介電層之上並穿過貫孔而連接至晶片金屬墊之材質均為銅，與原證4所揭示之圖案化導線層係由銅導線14透過銲錫12連接至鋁墊4所構成之線路層，兩者之材質即有不同，因原證4未揭示以銅作為貫孔內之材料，故系爭專利申請專利範圍第1、2項非發明所屬技術領域中具通常知識者依據原證4能直接且無歧異得知，且銅與銲錫兩者間亦非上下位概念。再者，原證4之銲錫可當作一緩衝區，減少不同層之間不同材質所引發的應力不平衡問題，益證原證4之銲錫與系爭專利之銅金屬具有不同特性，導電性亦不同，故申請專利範圍第1、2項之銅亦非由原證4之銲錫所能直接置換。

２、原證4之晶粒電容係外加於晶片之側邊，該晶粒電容係外加於圖案化導線層之元件，與系爭專利申請專利範圍第1、2項之被動元件係由圖案化導線層之部分結構所構成，兩者之位置分佈及技術手段及結構均不同：依據申請專利範圍第1 、2 項所載：「該外部線路更包含至少一被動元件，其中該被動元件係由圖案化導線層之部分所構成」等語，並參酌說明書第24頁第15至25頁第10行揭示「被動元件644 可配置於單層圖案化導線層642a上，或兩層相鄰圖案化642a之間，如第9A、9B圖所示，可將被動元件644(如電阻材料) 利用印刷或其他方式，配置於圖案化導線層642a之兩接點，或是如第10A 圖所示，直接利用單一圖案化導線層642a之梳狀結構來形成被動元件，……或如第11A圖所示是利用單層圖案化導線層642a之圓形螺旋狀結構或方形螺旋結構來形成被動元件」等語，可知系爭專利申請專利範圍第1、2項之被動元件係由圖案化導線層本身或由圖案化導線層本身結合介電層來達成，因圖案化導線層係位於晶片之上，故系爭專利之被動元件係位於晶片之上。而原證4揭示之晶粒電容係外加於晶片之側邊，兩者之被動元件之配置位置即有差異，且原證4之該晶粒電容係一外加元件，並非由圖案化導線層之部分所構成，故原證4之晶粒電容與系爭專利申請專利範圍第1、2項被動元件係由圖案化導線層之部分結構所構成（即被動元件係由圖案化導線層本身之部分結構所構成，並非一外加元件），兩者之技術手段及結構亦不同，非參酌引證文件即能直接置換。

３、綜上，原證4尚難證明系爭專利申請專利範圍第1、2項擬制喪失新穎性。

（二）聲明：原告之訴駁回。

四、參加人則辯稱：

（一）系爭專利所請發明相較於原證4具新穎性：

１、系爭專利所請封裝結構中之圖案化導線層及介電層貫孔內之材質（插塞）俱為銅材料，並且同時成形；原證4 則係採用銅、銲錫分層結構，並且在銅、銲錫之間存在鎳/ 銅或鈦銅層（銅種子層）：

⑴系爭專利所請封裝結構係包含一積層線路層，該積層線路層至少包括一圖案化導線層及一介電層，而該介電層係配置於矽基板及晶片之上，其中該介電層具有複數個貫孔，且該圖案化導線層係配置於該介電層之上，並穿過該介電層之該些貫孔而電性連接該晶片之該些金屬墊，其中該圖案化導線層係構成外部線路及形成該外部線路之接合墊，該外部線路更包括至少一被動元件，其中該被動元件係由該圖案化導線層之部分結構所構成，其中該圖案化導線層之材質為銅。

⑵由系爭專利說明書第11頁記載「其中部分圖案化導線層144之導電材料將直接填入貫孔142a之內，用以形成導電插塞（Via）142b，其中例如以銅（Cu）作為圖案化導線層144之材質。另外，亦可在第1C圖之貫孔142a內預先填入導電材料，例如填入導電膠而形成導電插塞142b」等語，明顯可知系爭專利說明書揭示2種不同實施態樣。而更正後系爭專利申請專利範圍第1項及第2項係記載「圖案化導線層係配置於該介電層之上，並穿過該介電層之該些貫孔而電性連接該晶片之該些金屬墊」等語，此即為系爭專利說明書所揭示之態樣「其中部分圖案化導線層144之導電材料將直接填入貫孔142a之內，用以形成導電插塞(via)142b，其中例如以銅(Cu)作為圖案化導電層144之材質」。是以，由於系爭專利所請積層線路層係由銅金屬材質之圖案化導線層直接穿過介電層中銅材質（插塞）之貫孔電性連接至晶片之金屬墊，因此系爭專利所請封裝結構中之圖案化導線層及介電層貫孔內之材質（插塞）俱為銅材料，並且同時成形。然而，原證4結構中之積層線路層係由銅導線與銲錫所構成（如原證4第13、14圖所示），其中銅導線係經由銲錫電性連接至晶粒上之鋁墊，核與系爭專利前述之技術特徵並不相同。

⑶原證4 與系爭專利所請發明之另一差異在於原證4 使用銲錫作為貫孔材質，而系爭專利所請發明之相對應技術特徵係於介電層貫孔( 插塞) 中使用銅金屬。銲錫金屬與銅金屬的特性非常不同，無論在導電性、電阻值及熔點都具有相當大的差異性。因此，原證4 並未揭露或建議在相對應於系爭專利所請封裝結構之介電層貫孔中可以使用其他材料取代銲錫。

⑷原證4之說明書第15至16頁載明「本發明能將環氧樹脂中之銲錫當作緩衝區（buffer zone），在後續製程中，減少不同層之間，由於材質使用的不同所引發的應力不平衡問題，增加其可靠度（reliability）」等語，且原告於專利舉發補充理由書中再三強調原證4之所以另聲明銅之下有銲錫，乃欲增進與下層金屬墊物理接合之功效。銲錫可當作一緩衝區，減少不同層之間不同材質所引發的應力不平衡的問題，以增加可靠度，此為該技術領域工作者所具之通常知識等情，益證原證4之銲錫與系爭專利所使用之銅材料具有不同特性，實無法由銅所能直接置換。準此，基於銲錫金屬與銅金屬不同的特性、銲錫金屬在原證4中所具有之特定功能及原證4揭露之技術特徵對系爭專利使用銅金屬之內容並未有任何教示或指導，應認該發明所屬技術領域中具有通常知識者在參閱原證4之說明書後，無法直接且無岐異地得知原證4之銲錫可以被銅所取代。

２、系爭專利所請封裝結構中之被動元件係由該圖案化導線層之部分結構所構成，並且所形成之被動元件位置在晶片之上方；原證4之被動元件（電容）係外加擺放於晶片側邊：

⑴原證4之第16、17圖揭示將晶粒電容2b設置在底座6上，利用該銅導線14及銲錫12而電性連接該晶粒電容2b，然而系爭專利之結構與原證4之結構或形成方法完全不相似。系爭專利所請求之發明「該外部線路更包括至少一被動元件，其中該被動元件係由該圖案化導線層之部分結構所構成」，係可被系爭專利說明書第23頁第24行至第24頁第19行所記載之內容所支持，並且依據上述內容可知，系爭專利所請之被動元件係由圖案化導線層本身或圖案化導線層本身結合介電層來達成，與原證4之外加的晶粒電容2b完全不同。

⑵由於系爭專利的被動元件係由圖案化導線層之部分結構所構成（因為圖案化導線層係配置於晶片上），其位置一定在晶片之上方；即使封裝結構中僅有一層圖案化導線層時，系爭專利之被動元件之位置仍在晶片之上方。然而，原證4之被動元件(電容2b)係外加擺放於晶片2a側邊，是該發明所屬技術領域中具有通常知識者在參酌原證4之教示後，不會也不可能將被動元件(2b)擺放於原證4之封裝結構中晶片2a上方。

⑶據上，原證4 並未教示或建議被動元件由圖案化導線層之部分結構所構成，並且依據原證4 之教示，被動元件係被外加至原證4 之封裝結構中，並且擺放在晶片側邊，該被動元件不會也不可能被擺放於晶片上方。因此，系爭專利之封裝結構與原證4 之封裝結構實不相同。

３、綜上所述，系爭專利所請封裝結構相較於原證4（原證5至原證9 僅為用以證明系爭專利申請時熟習該項技術者之通常知識之佐證資料）具有擬制新穎性。

（二）聲明：原告之訴駁回。

五、得心證之理由：本件兩造所爭執之處應在於原證4是否足以證明系爭專利申請專利範圍第1、2項擬制不具新穎性？茲分述如下：

（一）經查，系爭專利係於91年8 月26日審定准予專利，是系爭專利有無撤銷之原因，應以核准審定時有效之90年10月24日修正公布之專利法（下稱90年專利法）為斷。又按凡利用自然法則之技術思想之高度創作，而可供產業上利用者，固得依90年專利法第19條暨第20條第1項之規定申請取得發明專利。惟如「申請專利之發明，與申請在先而在其申請後始公開或公告之發明或新型專利申請案所附說明書或圖式載明之內容相同者，不得取得發明專利」，復為同法第20條之1本文所明定。而對於獲准專利權之發明，任何人認有違反前揭專利法第20條之1本文規定之情事者，依同法第72條第1項規定，得附具證據，向專利專責機關舉發之。從而，系爭專利有無違反前揭專利法之情事而應撤銷其發明專利權，依法應由舉發人附具證據證明之，倘其證據不足以證明系爭專利有違前揭專利法之規定，自應為舉發不成立之處分，合先敘明。

（二）系爭專利技術分析：

１、系爭專利係一種晶片封裝結構及其製程，係將晶片貼附於一矽基板上，並在晶片及矽基板上形成一積層線路層，其中此積層線路層具有一外部線路，其電性連接晶片上之金屬墊，且部分之外部線路係延伸至晶片之主動表面上方以外的區域，用以將晶片之金屬墊扇出。此外，晶片之主動表面上更具有一內部線路及多個主動元件，訊號係可從一主動元件經由內部線路，而傳遞到外部線路，接著再從外部線路經由內部線路，而傳遞至其他的主動元件。另外，更可將功能相同或不同的晶片整合於同一封裝體內，並經由外部線路使晶片之間得以相互電性連接。

２、系爭專利申請專利範圍（101年4月6日更正、101年9月1日公告）共77項，其中第1、2、3、4、41為獨立項，其餘為附屬項。本件兩造所爭執之申請專利範圍為其中之第1、2項部分，均為獨立項，其內容如下：

⑴第1項：一種晶片封裝結構，至少包括：一矽基板；一晶片，該晶片具有一主動表面及對應之一背面，且該晶片更具有複數個金屬墊，其配置於該主動表面上，而該晶片係以該背面貼附於該矽基板上；以及一積層線路層，配置於該矽基板及該晶片上，該積層線路層具有一外部線路，其中該些外部線路係電性連接該晶片之該些金屬墊，且至少部分該外部線路係延伸至該晶片之該主動表面上方以外的區域，並且該外部線路具有複數個接合墊，其位於該積層線路層之表層，而每一該些接合墊係分別電性連接至該晶片之部分該些金屬墊之一，其中該積層線路層至少包括一圖案化導線層及一介電層，而該介電層係配置於該矽基板及該晶片之上，其中該介電層具有複數個貫孔，且該圖案化導線層係配置於該介電層之上，並穿過該介電層之該些貫孔而電性連接該晶片之該些金屬墊，其中該圖案化導線層係構成該外部線路及形成該外部線路之該些接合墊，該外部線路更包括至少一被動元件，其中該被動元件係由該圖案化導線層之部分結構所構成，其中該圖案化導線層之材質為銅。

⑵第2 項：一種晶片封裝結構，至少包括：一矽基板；複數個晶片，每一該些晶片分別具有一主動表面及對應之一背面，且每一該些晶片更分別具有複數個金屬墊，其配置於對應之該主動表面上，而每一該些晶片係分別以該背面貼附於該矽基板上；以及一積層線路層，配置於該矽基板及該些晶片上，該積層線路層具有一外部線路，其中該些外部線路係電性連接該些晶片之該些金屬墊，且至少部分該外部線路係延伸至該晶片之該主動表面上方以外的區域，並且該外部線路具有複數個接合墊，其位於該積層線路層之表層，而每一該些接合墊係分別電性連接至該些晶片之部分該些金屬墊之一，其中該積層線路層至少包括一圖案化導線層及一介電層，而該介電層係配置於該矽基板及該些晶片之上，其中該介電層具有複數個貫孔，且該圖案化導線層係配置於該介電層之上，並穿過該介電層之該些貫孔而電性連接該些晶片之該些金屬墊，其中該圖案化導線層係構成該外部線路及形成該外部線路之該些接合墊，該外部線路更包括至少一被動元件，其中該被動元件係由該圖案化導線層之部分結構所構成，其中該圖案化導線層之材質為銅。

（三）原告主張系爭專利申請專利範圍第1、2項擬制喪失新穎性，所引用之證據為原證4，至於卷附原證5至原證9，原告則係用來證明、建構系爭專利申請時熟悉該項技術之通常知識之佐證資料，而卷附原證12則為原證4說明書第6頁所載之先前技術，其等內容茲分述如下：

１、原證4為90年9月25日申請、92年5月12日公告之中華民國發明第531854號「晶圓型態擴散型封裝之製程」專利案，其申請日早於系爭專利申請日（90年12月31日），而公告日則晚於系爭專利申請日，可執為系爭專利核准審定時所適用之90年專利法第20條之1規定的先前技術。又原證4係一種半導體封裝技術，特別是有關於利用擴散型（fanout）晶圓型態封裝製程製作封裝之方法。該發明包含切割晶粒後，經過篩選，將晶粒黏著於玻璃底座上，再將黏於晶粒上的金屬墊的I/O接頭透過特殊材質與方式，將I/O 接頭植球的位置，以擴散型（fan out）方式，將接觸點往外擴散到晶粒的邊緣甚至晶粒的外圍，此種接觸點往外擴散，由於有較大的範圍來植入I/O植球，因此，一來可以增加I/O植球的數目，增加更多I/O接觸點，二來可以減少由於接觸點距（pitch）過於接近所造成的訊號干擾（signal coupling）及銲錫接頭過於接近時造成的銲錫橋接（solder bridge）問題。該發明的特徵是延用原來之封裝機台，不需額外花費，同時，該發明可以應用到8吋與12吋晶圓的封裝過程，又可以包含到晶粒與電容以及多晶粒（multi-chip）或多種被動元件，例如中央處理器、DRAM、SRAM等等在封裝底座的封裝過程。此外，由於所選用的底座為玻璃底座，不會產生減少不同層之間，由於材質使用的不同所引發的應力不平衡問題，增加其可靠度。

２、原證5為1979年出版、JACOB MILLMAN 所著之「MICROELECTRONIC：Digital and Analog Circuits andSystems 」第115 頁及第167 頁部分影本（參本院卷第88至90頁），其公開日早於系爭專利申請日（90年12月31日），得為證明、建構系爭專利申請時之通常知識。又原證5第115頁記載整體電路佈局（monolithic-circuitlayout）之設計規則（參本院卷第89頁）；第167頁則記載常見之封裝：雙列直插式（dual-in-line，塑膠或陶瓷）封裝，其具有14個引線（leads），7個輸出（broughtout）至積體電路（IC）之每一邊（參本院卷第90頁）。

３、原證6為1997年出版、Rao R. Tummala,Eugene J.Rymaszewski 以及Alan G. Klopfenstein所合著之「MICROELECTRONICS PACKAGING HANDBOOK」第Ⅰ-12、Ⅰ-13、Ⅰ-64、Ⅰ-65、Ⅰ-82至87頁及第Ⅱ-133頁部分影本（參本院卷第91至97頁），其公開日早於系爭專利申請日，得為證明、建構系爭專利申請時之通常知識。又原證6第133頁第17至21行記載具有多層線路之晶片表面已經成為導體與絕緣體結構之微觀結構圖，該結構普遍形成於先前的多層印刷電路板上與多層陶瓷封裝上。

４、原證7為1999年出版、John H.Lau以及S. W. Ricky Lee所合著之「Chip Scale Package」第157至161頁部分影本（參本院卷第98至101頁），其公開日早於系爭專利案申請日，得為證明、建構系爭專利申請時之通常知識。又原證7第160頁第1至3行記載第二種型態差不多為具有扇出電路與墊外接晶片區域之晶片尺寸封裝。

５、原證8為1989年出版之「Electronic Materials handbookVolume 1 Packaging」第104至111頁部分影本（參本院卷第102至106頁），其公開日早於系爭專利申請日，得為證明、建構系爭專利申請時之通常知識。又原證8為一半導體封裝技術領域之工具書，提供所有封裝技術領域者之相關半導體封裝之技藝與資料，適用於所有該項技術領域者使用。其中電子材料之物理特性一節中已說明，基板（substrate）作為一微電子電路之支持結構，主要為放置各種微電子電路，例如導電元件、介電質、被動元件、電阻材等，且基板必為絕緣體，以隔電路之導電通路，且必須有良好的熱傳導性。

５、原證9為88年出版、郭嘉龍編譯之「半導體封裝工程」第9-5頁部分影本（參本院卷第107至108頁），其公開日早於系爭專利案申請日，得為證明、建構系爭專利申請時之通常知識。又原證9為一半導體封裝技術領域之教科書，主要適用大專院校學生作為教科書使用。其中第9-5頁表9.1已揭露通常使用在封裝之主要材料，包含有各類絕緣物，如氧化矽、碳化矽、氮化矽、氮化鋁、石英玻璃、聚醯亞胺，環氧樹脂化合物等。

６、原證12為1997年5月13日公告之美國第5629835號「METALBALL GRID ARRAY PACKAGE WITH IMPROVED THERMALCONDUCTIVITY」專利案，其係原證4說明書第6頁所載之先前技術。又原證12係關於一種具有整合凸塊（integralbumps）的電子封裝產品，當具整合凸塊元件為封裝基板時可以減少焊球疲勞破壞(fatigue)。

（四）原證4不足以證明系爭專利申請專利範圍第1項擬制喪失新穎性：

１、原證4第12圖及說明書第10頁第12行揭示：一種晶圓型態封裝；說明書第11頁第12至13行揭示：將進行封裝之晶圓2 正面（或第一表面）具有做為輸入輸出之金屬墊，例如是鋁墊；說明書第12頁第5至6行揭示：將晶粒2a擺置於玻璃底座6上面，並透過黏著劑7黏著於玻璃底座6上面；說明書第10頁第17至18行揭示：底座可以是玻璃、陶瓷或矽晶。其中「晶圓型態封裝」、「玻璃底座6」、「晶粒2a」及「鋁墊4」，可分別對應至系爭專利申請專利範圍第1項之「晶片封裝結構」、「矽基板」、「晶片」及「金屬墊」，故原證4已揭示系爭專利申請專利範圍第1項之「一種晶片封裝結構，至少包括：一矽基板(6)；一晶片(2a)，該晶片具有一主動表面及對應之一背面，且該晶片更具有複數個金屬墊(4)，其配置於該主動表面上，而該晶片係以該背面貼附於該矽基板上」技術特徵。

２、原證4 第12圖及說明書第12頁第7 行至第14頁第2 行揭示：於矽基板6及該晶片2a上，由下而上依序形成有第一環氧樹脂(EPOXY)10、銲錫(solder)12及鈦/銅(Ti/Cu)19、銅導線14、第二環氧樹脂(epoxy)16，其中銲錫12係電性連接該晶片之該些金屬墊4，銅導線14延伸至該晶片2a之該主動表面上方以外的區域，並且具4個接合墊（圖12焊錫球18的下方銅導線）位於第一環氧樹脂(EPOXY)10之表層，而每一接合墊分別電性連接至晶片2a之金屬墊4。其中「第一環氧樹脂(EPOXY)10、銲錫(solder)12和鈦/銅(Ti/Cu)19、銅導線14及第二環氧樹脂(epoxy)16之堆疊」、「電性連接金屬墊4的銲錫12、鈦/銅(Ti/Cu)19及延伸至該晶片2a之該主動表面上方以外區域的銅導線14」，和「焊錫球18的下方的銅導線部分」，係分別可對應至系爭專利申請專利範圍第1項之「積層線路層」、「外部線路」及「接合墊」，故原證4已揭示系爭專利申請專利範圍第1項之「以及一積層線路層(10,12,19,14,16)，配置於該矽基板及該晶片上，該積層線路層具有一外部線路(12,19,14)，其中該些外部線路係電性連接該晶片之該些金屬墊，且至少部分該外部線路係延伸至該晶片之該主動表面上方以外的區域，並且該外部線路具有複數個接合墊（焊錫球18的下方的銅導線部分），其位於該積層線路層之表層，而每一該些接合墊係分別電性連接至該晶片之部分該些金屬墊之一」技術特徵。

３、原證4 第12圖及說明書第12頁第11至12行揭示：移除鋁墊4上方的第一環氧樹脂10，形成第二開口13，並暴露出下方的鋁墊4 ；說明書第12頁第20至23行揭示：利用銲錫(solder)12以網印(printer) 技術填滿該第二開口13，然後濺鍍一層鈦/ 銅(Ti/Cu)19 於銲錫(solder)12上；說明書第13頁第1至5行揭示：定義銅導線圖案，利用電鍍方式形成銅導線於鈦/銅(Ti/Cu)19的上面，一端對準第二開口銲錫12的內端( 晶粒的內側邊) ，而另一端以水平方向朝外擴散(fan out) 的方式。其中「第一環氧樹脂10」、「第二開口13」、「銅導線」，以及「銲錫12和鈦/ 銅(Ti/Cu) 19 」之構造係分別可對應至系爭專利申請專利範圍第1 項之「介電層」、「貫孔」、「配置於介電層上之圖案化導線層」及「穿過介電層貫孔之圖案化導線層」，故原證4 已揭示系爭專利申請專利範圍第1 項之「其中該積層線路層至少包括一圖案化導線層(12,19,14)及一介電層(10) ，而該介電層係配置於該矽基板及該晶片之上，其中該介電層具有複數個貫孔(13)，且該圖案化導線層係配置於該介電層之上，並穿過該介電層之該些貫孔而電性連接該晶片之該些金屬墊(4) ，其中該圖案化導線層係構成該外部線路及形成該外部線路之該些接合墊」技術特徵，但並未揭示系爭專利貫孔內之圖案化導線層材質為銅之技術特徵。

４、原證4第16圖及說明書第14頁第16至19 行明確揭示：本發明也能將晶粒電容2b納入封裝過程，依圖16所示，即為「電容2b植入到玻璃基座上」與單一晶粒的晶圓型態擴散型封裝（wafer level fan out packaging）的成型剖面圖。此部分明顯不同於系爭專利申請專利範圍第1項所記載之「外部線路更包括至少一被動元件，其中該被動元件係由該『圖案化導線層之部分結構所構成』」之技術特徵。

５、綜上比對，原證4 與系爭專利申請專利範圍第1 項之技術差異在於：⑴原證4 第一環氧樹脂10中第二開口13內材質為銲錫12及鈦/銅19；而系爭專利之圖案化導線層係配置該介電層之上，並穿過該介電層之該些貫孔而電性連接該晶片之該些金屬墊，其中該圖案化導線層之材質為銅。⑵原證4之被動元件為晶粒電容2b植入到矽基座上；而系爭專利之外部線路更包括至少一被動元件，其中該被動元件係由圖案化導電層之部分結構所構成。

６、原告雖稱：原證4 固未揭示銅為貫孔內之材料，但系爭專利申請專利範圍第1 項亦未界定銅為貫孔內之材料。況在半導體封裝領域中，圖案化導線層及貫孔內的導電插塞之功能本在電性連接，為所屬技術領域之習知知識，而不論使用銅材料，抑或錫，均以達成電性連接為其目的，而銅與錫均為所屬技術領域習知之電性連接材料云云。惟查，系爭專利申請專利範圍第1 項乃載明：「……其中該積層線路層至少包括一圖案化導線層及一介電層，……該介電層具有複數個貫孔，且該圖案化導線層係配置於該介電層之上，並穿過該介電層之該些貫孔……，其中該圖案化導線層之材質為銅」等語，顯已明確記載材質為銅之圖案化導線層配置該介電層之上並穿過介電層中的貫孔，足見銅是介電層中貫孔的材料。又雖然銅與錫均為所屬技術領域習知之電性連接材料，但在貫孔內的結構兩者明顯不同，原證4為銲錫及鈦/銅層兩層，系爭專利則為銅單層。另就圖案化導線層之整體觀之，系爭專利所記載者乃全由銅所組成，而原證4乃由三種不同的材料所組成，且由其說明書第15頁第23行至第16頁第1行所記載，該環氧樹脂（貫孔）中之銲錫尚有當作緩衝區域之目的，可以減少後續製程中不同層材質間所引發的應力不平衡之功效。倘如原告所稱，將原證4之圖案化導線層在貫孔部分之銲錫及鈦/銅19 置換為銅，將導致置換後之圖案化導線層整體變成由同一材料組成，明顯與原證4所明確揭示之貫孔內銲錫及鈦/銅層兩層的結構、圖案化導電層整體為三種不同材料堆疊而成，以及可作為達成減少應力不平衡的目的功效等等相違。再者，從以通常知識將技術特徵置換對系爭案整體技術是否會產生不同功效的角度來看，發明所屬技術領域中具有通常知識者，若將系爭專利中圖案化導電層在介電層貫孔中的銅，以原證4相對應的銲錫及鈦/銅疊層進行置換，雖然未明顯改變貫孔內電性連接的功效，但卻增加了原證4所明確揭露的緩衝功效，因此改變了系爭專利整體的功效，與新穎性可直接置換的判斷原則相違。而且，原告所提出的通常知識（原證5至原證9）也未教示可應用於如系爭專利之晶片封裝結構之技術內容，尚難稱可為發明所屬技術領域中具有通常知識者直接置換而達成系爭專利之功效。是故，綜合上述尚難謂該發明所屬技術領域中具有通常知識者，僅參酌原證4之圖案化導電層在貫孔內材質為銲錫之技術，即能直接置換或直接推導出系爭專利申請專利範圍第1項所記載之圖案化導電層在貫孔內材質為銅之技術。是以，原告上開主張洵不可採。此外，原證12雖為原證4中所明確記載之文件，但其被揭露在原證4的目的只是在於說明原證4申請當時先前技術的技術水準、封裝技術的演進趨勢，或是原證4所欲改善的先前技術，並不是為了更詳細說明原證4中所揭露之技術特徵，或是證明原證4申請時之通常知識，故原證12並不能被視為原證4的一部分，且即便將原證12看成是原證4的一部分，將原證12所揭示之貫孔內導電材料置換於原證4所揭示之銲錫，乃屬原證4部分技術內容的結合而非置換，仍然不符新穎性單獨比對的原則。何況，縱認原證12為原證4申請時的通常知識，惟原證12所揭示者：形成在金屬基板122中的貫孔148以一銲錫、銀充填聚合物或一銅端子釘(asolder, silver filled polymer or a copper terminalpin)等導電材料填入（如原告提出之準備書狀第3頁及簡報第9頁所列原證12第15圖及說明），雖然已有銅材料於貫孔，但是其由端子釘(terminal pin)貫穿於基板的構造及組配關係，與系爭專利之圖案化導線層係配置於介電層之上並穿過介電層之貫孔不同，也未揭示貫孔中的銅端子釘可以當作緩衝層區域之技術。又原證12第15圖的結構明顯不同於原證4之封裝結構，例如在輸出焊墊的位置（原證12在基板下方而原證4在基板上方）、貫孔的位置（原證12貫穿基板而原證4未貫穿基板）、晶粒與基板電連接的方式（原證12為銲線而原證4為貫孔中的銲錫）等方面，是原證4與原證12兩者為不同的實施態樣，尚難相互援用置換。

７、原告又稱：智慧局將系爭專利申請專利範圍第1 、2 項之更正「該被動元件係由該圖案化導線層之部分結構所構成」解讀為「被動元件係由該圖案化導線層本身之部分結構所構成，並非一外加元件」，此與系爭專利申請專利範圍的界定與說明書的內容不同云云。然查，從系爭專利申請專利範圍第1 項記載內容觀之，其已明確記載「其中該被動元件係由該『圖案化導線層之部分結構所構成』」，而且系爭專利說明書中第23頁第24行至第24頁第21行所記載之內容，亦有明確記載以部分圖案化導電層形成被動元件之技術，例如：第24頁第7至19行載明：「……如第10A圖所示，直接利用單一圖案化導線層642a之梳狀結構來形成被動元件644（如梳狀電容），或如第10B圖所示，在兩層圖案化導線層642a之板狀接點間配置一絕緣材料646，因而形成被動元件644（如電容），其中可以原先的介電層（未繪示）來代替絕緣材料646，或如第11A圖所示，利用單層圖案化導線層642a之圓形螺旋狀結構或方形螺旋結構（未繪示）來形成被動元件644（如電感），或如第11B圖所示，利用雙層圖案化導線層642a之斜線結構及多根導電插塞642b來包覆並環繞一絕緣材料646，而形成柱狀之被動元件644（如電感），或如第11C圖所示，同樣利用雙層圖案化導線層之斜線結構及多根導電插塞來包覆並環繞一絕緣材料646，而形成環狀之被動元件644（如電感）……」等語，故系爭專利申請專利範圍第1項為其說明書所支持，並且被動元件由該圖案化導線層本身之部分結構所構成而非一外加元件，被告之解讀並無不妥之處。況且，系爭專利申請專利範圍第1 項所記載關於被動元件之配置位置係「一積層線路層，配置於該矽基板及該晶片上，該積層線路層具有一外部線路，……其中該積層線路層至少包括一圖案化導線層及一介電層，……其中該圖案化導線層係構成該外部線路…，該外部線路更包括至少一被動元件……」等語，可知配置於矽基板及晶片上的積層線路層至少包括一圖案化導線層及一介電層、圖案化導線層構成外部線路，並且外部線路包括被動元件，亦即被動元件係配置於矽基板及晶片上。而原證4 說明書第14頁第17至18行卻明確記載：「電容2b植入到玻璃基座上」，亦即被動元件僅配置於矽基板並未設於晶片上。簡言之，原證4 被動元件（晶粒電容）的配置位置及整體結構，明顯不同於系爭專利將被動元件由圖案化導線層之部分結構所構成，並配置於晶片上方的積層線路層中。況且，原告亦未指出原證5 至9 揭示或教示上述被動元件的配置位置及整體結構差異之技術特徵的具體理由，亦即，在理解及比對系爭專利與原證4 後，上述關於被動元件之技術差異，在原告所提出的原證5 至9 所教示之通常知識，既未記載該二存有差異技術特徵乃通常知識或是慣用手段之資訊，亦未記載該二存有差異技術特徵對於系爭專利並不會產生不同功效之資訊，難謂符合新穎性可直接置換的判斷原則，是原告就此部分之主張，亦無足取。

８、綜上，由於原證4 與系爭專利申請專利範圍第1 項間的差異在於如前所述之部分技術特徵，而該部分技術特徵且非發明所屬技術領域中具有通常知識者參酌原證4 即能直接置換或直接推導者，故不足證明系爭專利範圍申請專利範圍第1 項擬制喪失新穎性。

（五）原證4不足以證明系爭專利申請專利範圍第2項擬制喪失新穎性：經查，前述系爭專利申請專利範圍第2項與系爭專利申請專利範圍第1項所載之內容相較，僅為晶片單複數之差異，其餘技術特徵均相同，而原證4不足以證明系爭專利申請專利範圍第1項擬制喪失新穎性之理由已如前述，故原證4亦不足以證明系爭專利申請專利範圍第2項擬制喪失新穎性。

六、綜上所述，原證4既不足以證明系爭專利申請專利範圍第1、2項擬制喪失新穎性，則被告就本件專利舉發案所為「舉發不成立」之處分，並無違誤，訴願決定予以維持，亦無不合。原告訴請撤銷訴願決定及原處分，及被告應對系爭專利為舉發成立應撤銷專利權之審定，為無理由，應予駁回。

七、本件事證已臻明確，兩造及參加人其餘攻擊、防禦方法及未經援用之證據，經本院審酌後認已對判決結果不生影響，爰不一一論列，併此敘明。

據上論結，本件原告之訴為無理由，依智慧財產案件審理法第1條，行政訴訟法第98條第1 項前段，判決如主文。