智慧財產法院行政判決

民國104年1月15日辯論終結

原告

美商應用材料股份有限公司

代表人

鄺錦安

訴訟代理人

李世章律師

訴訟代理人

彭國洋律師

訴訟代理人

徐念懷律師

被告

經濟部智慧財產局

代表人

王美花（局長）

訴訟代理人

黃本立

參加人

寺田清

訴訟代理人

張哲倫律師

陳初梅律師

　湯舒涵律師

上列當事人間因發明專利舉發事件，原告不服經濟部中華民國103 年2 月19日經訴字第10306100550 號訴願決定，提起行政訴訟，並經本院裁定命參加人獨立參加被告之訴訟，本院判決如下︰

主文

事實及理由

一、事實概要：原告前於民國87年4 月27日以「用於化學機械研磨設備之具有槽道圖樣的研磨墊」向被告申請發明專利，申請專利範圍計27項，並以1997年5 月15日申請之美國第08／856948號專利案及1998年1 月6 日申請之美國第09／003315號專利案主張優先權，經被告編為第87106469號審查准予專利後，發給第132712號發明專利證書（下稱：系爭專利），專利期間自90年4 月21日起至108 年4 月26日止。嗣參加人以系爭專利有違核准時即83年1 月21日修正公布之專利法（下稱：修正前83年專利法）第20條第1 項第1 款、第2 項及第22條第3項至第5 項之規定，對之提起舉發，原告復於98年12月7 日提出系爭專利申請專利範圍更正本，更正後之申請專利範圍計25項（見舉發卷6 第8-35頁）。案經被告審查，認該更正符合修正前83年專利法第64條之規定，應准予更正，經依該更正本審查，認系爭專利有違修正前83年專利法第20條第2項之規定，以101 年10月30日（101 ）智專三（二）04069字第10121173940 號專利舉發審定書為「舉發成立，應撤銷專利權」之處分。原告不服，提起訴願，經被告以系爭專利之申請日及優先權日認定有誤等由，依訴願法第58條第2 項規定自行撤銷原處分重為審定，經濟部爰據被告陳報，以102 年4 月3 日經訴字第10206100500 號訴願決定書為訴願不受理之決定在案。嗣經被告重行審查，認系爭專利有違修正前83年專利法第20條第2 項之規定，以102 年10月28日（102 ）智專三（二）04069 字第10221461810 號專利舉發審定書為「請求項1 至25舉發成立應予撤銷」之處分。原告不服，提起訴願，經經濟部以103 年2 月19日經訴字第10306100550 號訴願決定駁回，原告仍不服，遂向本院提起本件行政訴訟。茲因本件判決之結果，倘認訴願決定及原處分應予撤銷，則參加人之權利或法律上利益將受損害，爰依參加人之聲請（見本院卷1 第114 頁），命參加人獨立參加被告之訴訟。

二、原告主張：

（一）證據2 、3 、6 、11、17之組合，不足以證明系爭專利申請專利範圍第1- 6項不具進步性：

1.證據2 （1995年10月4 日公開之歐洲專利第0674972 號「Chemical mechanical polishing apparatuswithimproved slurry distribution」專利案）所欲解決之技術問題及所採取之技術手段與系爭專利不同：

⑴證據2 僅對研磨墊提供較佳的研漿分佈及改善的研磨墊調整，依證據2 第1 欄第35-49 行說明「用以平坦化半導體基材的化學機械研磨之使用情況並未符合普遍接受的程度，特別是在基板上製作微電子電路期間用以移除高精密特徵的製程，而化學機械研磨在半導體工業中使用受限的一個主要問題在於從基板移除材料之製程中研磨率及均勻度的難以預測。是證據2 敘明研磨製程非均勻的技術問題，在系爭專利申請前即1995年當時之技術水準，對於CMP 之使用仍因難以預測亦無法控制而受到限制。又證據2 第1 欄第50至53行指出「造成化學機械研磨製程無法預測及非均勻性的研磨率之一個因素在於基板及研磨墊之介面處研漿的非一致性補充」，已揭露其意圖解決之技術問題在於基板及研磨墊之介面處研漿的非均一性補充，而未意識到系爭專利所列舉的其他技術問題。被告將證據2 揭露之技術問題簡化成「避免過度或不均勻研磨」，而未探究證據2 實際之發明目的在於「如何均勻化地補充研漿」。再者，依證據2 第2-5 圖所示，其揭露在研磨墊上形成不同的槽道圖案，證據2 之實施範例中給定的螺旋槽道尺寸，僅為用於實施此專利的基本定義，而並未進一步討論此等尺寸設計之意義，依證據2 之揭露內容來看，其僅針對研磨墊表面上整體槽道形狀圖案之設計，並未如系爭專利針對槽道的寬度、深度及間距之設計進行討論。故證據2 未意識到系爭專利所欲解決的6 個主要的技術問題，更無採取與系爭專利不同的技術手段來解決研漿分佈問題。

⑵系爭專利所選定之槽道尺寸相對於證據2 具有不可預期之功效：系爭專利說明書第16-17 頁說明「研磨墊上槽道之深度太深，研磨墊太過彈性，導致『平坦化效應』；槽道之深度太淺，表示研磨墊太厚，浪費其價值，研磨墊上槽道之寬度太寬，研磨墊太過彈性，導致『平坦化效應』；槽道之寬度太窄，則難以將廢料由槽道去除；研磨墊上槽道之間距太大（Dp之距離太小），無法將研漿均勻地傳送至整個基板表面；槽道之間距太小（Dp之距離太大），研磨墊太過彈性，導致『平坦化效應』」，而系爭專利申請專利範圍中所界定之槽道尺寸數值範圍，是針對槽道尺寸之特殊設計，能達成上開優點及功效。然證據2 未討論槽道尺寸之設計，亦未提及其功效。故系爭專利之槽道尺寸具「臨界性」，且能夠達成證據2 所無法預期之功效。又證據2 專注於槽道整體形狀圖案的設計；系爭專利申請專利範圍第1-6 項則載明槽道尺寸之數值範圍的技術特徵，非依證據2 之發明構思來「選擇」出不同的槽道形狀圖案。因此，證據2 係針對槽道整體形狀圖案的設計，並未討論槽道尺寸之設計及變化，自無可能系爭專利之數值變化可參酌證據2 而輕易完成，是系爭專利針對槽道尺寸之設計所達成之優點及功效，可視為具有「臨界性」之設計。

2.證據3 （1993年6 月15日公開之日本特開平5-146969號「半導体基板上に形成された誘電体層を研磨する裝置」專利案）所教示用於最佳化槽道之技術手段與系爭專利之設計原理及方向正相反對：依證據3 第[0009]段教示「同心槽道47能夠增加研磨墊及基板之介面的接觸點，從而增加可使用的研磨區域且使得在每單位基板上覆蓋更多的研漿粒子」，則證據3 係利用槽道47來建立介面之間的接觸點，從而增加可使用的研磨面積，依證據3 之教示，研磨墊上槽道的數量越多，接觸點及可使用的研磨面積便越多，槽道之「寬度」及「間距」勢必越小越好，以便於增加可使用的研磨面積。然而，系爭專利說明書第19-20 頁指出研磨墊之表面與基板接觸之表面積將影響研磨速度，且槽道在研磨墊上佔據的表面積反而會降低研磨速度，此與證據3 所主張之「槽道可增加接觸點及可使用面積」之理念正相牴觸。又系爭專利說明書第16-17 頁亦說明槽道「寬度」及「間距」之數值不可太大或太小，以避免不利之影響。因此，熟習該項技術者不可能朝向與證據3 在設計原理不同甚或正相牴觸的方向上，輕易改變證據3 之內容，以完成系爭專利。再者，證據3 未揭露「槽道之寬度」，而槽道之三個基本參數，「深度」、「寬度」及「間距」三者缺一不可，且彼此交互作用，而構成特定配置及功能之槽道須整體觀之，熟習該項技術者在證據3 未揭露「槽道之寬度」的情況下，無法依證據3 之教示內容而在研磨墊上形成具體的槽道，故證據3 之設計原理及方向與系爭專利正相牴觸，則熟習該項技術者在參考證據3 後，並無合理動機修改或選擇其揭露之槽道參數來完成系爭專利，遑論有與其他證據結合之動機。

3.熟習該項技術者在參考證據6 （1996年2 月22-23 日CMP-MIC 會議所刊載學術期刊「IMPROVING CMPPER FORMANCEUSING GROOVED POLISHING PADS 」）之內容後，並無動機加深其槽道之深度：證據6 係「穿孔研磨墊」及「槽道研磨墊」之間的比較，如證據6 第1(b)及1(d)圖所示，同心的槽道研磨墊（Rodel's IC1000）係在0.05吋之厚度的硬式研磨墊上形成槽道，證據6 顯示槽道之尺寸為0.01吋的寬度、0.015 吋的深度及0.06吋的間距，其所揭露之技術特徵，僅在比較說明具有槽道之研磨墊相較於穿孔之研磨墊為優，其具有「改善研漿之流動」、「改善施力研磨臂及調節器下壓力之效率」、「增加且維持穩定之移除率」，惟證據6 並未探討槽道之尺寸對研磨結果的影響，亦未教示或建議如何選擇槽道的「寬度」、「深度」或「間距」，又依證據6 第41頁第三段教示「較淺的槽道較易於將其上的研漿沖洗掉，且在調整期間顯著地減少沉積在槽道中的顆粒」，是證據6 係教示將槽道設計得越淺越好，則熟習該項技術者在參考證據6 後，並無加深其槽道深度之動機。

4.證據11（1996年6 月18日公告之美國第5527215 號「FOAM BUFFING PAD HAVING A FINISHING SURFACEWITHASPLASH REDUCING CONFIGURATION 」專利案）並未教示或建議如系爭專利申請專利範圍第1-6 項之小的間距範圍：證據11係用於減少潑濺的修整表面之泡沫擦光墊，而泡沫擦光墊係用於修整各種工件表面的拋光操作，其意識到在拋光期間修整液體容易被潑濺，因而造成修整液體的浪費及清潔問題，故所設計之泡沫擦光墊12具有兩個同心槽道51，用於減少修整液體從旋轉中的擦光墊及工件表面之間潑濺出來，又證據11具體教示應利用最少數量的槽道，使得與工件接觸的修整表面面積能夠最大化，增加擦光墊的壽命，其教示盡可能地保留擦光墊上可使用的拋光表面積，便能增加拋光期間可供耗損的材料，從而延長擦光墊的使用時間，惟系爭專利需要高精密度的晶圓進行研磨的技術領域，進行研磨操作之研磨墊必須在歷經數次循環之後仍保持相同的研磨接觸表面，才能繼續使用進行研磨，得到一致性的結果，則系爭專利針對「研磨墊之操作壽命」與證據11所述之「增加擦光墊的壽命」在需求條件及作法上本質不同。再者，依證據11第1 欄第16-20 行之內容，其係專注於用於修整各種工件表面之拋光操作的泡沫擦光墊，其所設計之溝槽的目的在於減少或避免修整液體之噴濺，而並未提及將修整液體均勻分佈之目的或功效，而系爭專利則意圖改善研漿分配之均勻性，並未在意研漿是否噴濺浪費，兩者在所欲解決之技術問題本質上不同。此外，證據11係指泡沫擦光墊，屬於修飾機械工件表面之技術領域，其揭露之槽道尺寸，比用於半導體晶圓之研磨墊之槽道大一至二個級數（10或100 倍以上），於半導體晶圓領域中熟習該項技術者不可能會參考「泡沫擦光墊」之技術，而將精確度差一至二級的「泡沫擦光墊」應用於研磨晶圓表面上。是證據11並未教示或建議如系爭專利申請專利範圍第1-6 項所載明之小的間距範圍。

5.證據17（RODEL 公司於1993年所出版之編號1/93之產品小冊）未教示或建議研磨墊上之槽道設計：證據17即為Rodel 研磨墊產品之之厚度、直徑、硬度、耐熱程度等尺寸表，其IC1000之標準厚度為0.05吋，但可取得厚度：0.02吋、0.032 吋、0.050 吋、0.080 吋或更厚，硬度則為52-62 ，其並未教示或建議研磨墊上之槽道設計，熟習該項技術者並無動機將其揭露之厚度與其餘證據結合，亦無動機在證據17所揭露之諸多參數尺寸變化之中選擇出「厚度」作為與槽道之參數交互作用之參數。

6.系爭專利申請專利範圍第1-6 項與證據2 、3 、6 、11、17之技術特徵，其所欲解決之問題及達到之功效均不相同：

⑴證據2 、3 、6 、11均未完全揭露或涵蓋系爭專利申請專利範圍第1-6 項所界定之槽道深度、寬度及間距3 個參數所界定之特定範圍，彼此交互作用，構成具有特定配置及功能的槽道須整體觀之，不可分開成個別之尺寸看待。而證據2 所揭露之兩種實施例本身作用原理並不相同，證據2 第6 欄第1-5 行及第2 圖顯示，螺旋形槽道26a 在研磨墊14旋轉時以離心力幫助研漿從中心向邊緣加速擴散；證據2 第6 欄第28-42行、第4 及第5 圖則揭露偏離研磨墊中心的圓形槽道26b ，其作用原理為容納研漿於槽道之中，使得研磨墊14旋轉時圓形偏心槽道26b 相對於裝置底座20任何的固定參考點均可徑向向內及向外移動，以達到均勻分佈研漿之功效，又證據2 所揭露之槽道尺寸係針對螺旋形槽道所設計，其揭露之螺旋形槽道26a 與偏離中心的圓形槽道26b 之作用原理不盡相同，並無任何動機將利用離心力加速擴散之螺旋形槽道26a 的尺寸參數轉用至意圖容納保留研漿於其中的圓形偏心槽道26b ，在發明之理念與目的不同之情況下，熟習該項技術者自無動機進一步修改證據2 揭露之數值範圍來達成系爭專利發明。

⑵證據2 、3 、6 、11、17就研磨墊上槽道所具備之3個基本參數，即槽道之深度、寬度、槽道間之間距，均有所差異，並未揭露或涵蓋系爭專利申請專利範圍第1 、3 、5 項所界定之槽道參數範圍，亦未揭露系爭專利申請專利範圍第2 項所界定之槽道寬度範圍。系爭專利申請專利範圍第4 、6 項除了上述槽道之尺寸以外，分別進一步界定上層之厚度以及槽道對隔條之比例的技術特徵，是「槽道之深度」、「槽道之寬度」、「槽道之間的間距」所選定之特定範圍，應視為構成特定配置及功能之槽道，彼此交互作用，不可分開成個別之尺寸看待。又1997年（即系爭專利申請時主張之第1 優先權日）時，熟習該項技術者對於研磨墊抑或其上之槽道的研究仍無統一的理論，尚欠缺「確定尺寸及其配置設計」之技術構思，僅能透過實務經驗及不斷地測試操作，對於特定槽道參數之選擇或改變，以熟習該項技術者而言，非顯而易見。

⑶證據2 係透過研磨墊上槽道之形狀設計，以解決研漿分佈不均勻之問題，其於研磨墊上槽道的整體形狀圖案設計，用於在基板上均勻地散佈補充研漿，並未提及系爭專利所意識到的其他技術問題，且證據2 之槽道尺寸並未完全揭露或涵蓋系爭專利申請專利範圍第1-6 項所載明之槽道範圍，故參考證據2 所教示之槽道整體形狀圖案設計之後，熟習該項技術者並無動機調整或改變槽道之「寬度」、「深度」或「間距」來達成；證據3 係透過研磨墊上之槽道使接觸點增加，以增加且維持研磨墊轉速；證據6 係透過研磨墊上之槽道設計解決研漿分佈不均勻之問題，且增加且維持研磨墊轉速；證據11係透過減少擦光墊上之槽道數量，以解決研漿分佈不均勻之問題，其專注於用於修整各種工件表面的泡沫擦光墊其所揭露槽道的尺寸比使用於半導體技術領域之槽道研磨墊大一至二個級數（10或100 倍以上），故熟習該項技術者並無動機參考或將證據11之泡沫擦光墊應用在晶圓的研磨上，縱參考證據11之內容，仍無法調整改變來達成系爭專利申請專利範圍第1-6 項所界定之槽道的「寬度」、「深度」或「間距」範圍；證據17係透過研磨墊本身之硬度，以解決太過彈性引發的平坦化效應，證據3 、6及17均未討論研磨墊上槽道之尺寸能夠帶來的益處，上開證據均未設計槽道之「寬度」、「深度」或「間距」，亦未提及系爭專利所欲解決之所有技術問題，所採取之技術手段亦有所差異，故熟習該項技術者並無動機將任何此等證據互相拼湊或結合。故證據2 、3 、6 、11、17均未完全揭露或涵蓋系爭專利申請專利範圍第1-6 項所界定之槽道參數範圍，在無合理動機驅使下，熟習該項技術者無從選擇、改變或調整槽道之「寬度」、「深度」或「間距」，以完成系爭專利發明。

⑷原證4 係比較Rodel 的研磨墊產品型號IC1000與IC1010-DV 之間的優劣，依原證4 表1 中呈現，IC1010-DV 具有0.03吋之槽道深度，而IC 1000 具有0.015 吋之槽道深度，IC 1010-DV係依據與IC1000相同的槽道寬度、深度及間距比例而製造，而證據6 所揭露之IC1000的槽道尺寸，其揭露槽道具有0.01吋的寬度、0.015 吋的深度及0.06吋的間距，故可推算出原證4 之槽道具有0.02吋的寬度、0.03吋的深度及0.12吋的間距，則原證4 所教示之IC 1010-DV槽道研磨墊即為系爭專利說明書第16-17 頁所述之最佳實施例的槽道尺寸，原證4 之論述原理及其實驗結果亦與系爭專利說明書相互呼應其敘明IC1010-DV 研磨墊之所以能夠達成顯著地增加壽命及可相比擬或改善地研磨性能，其特徵為：更大且更一致的槽道、均勻的研磨墊磨耗、將研漿及研磨副產物均勻地傳送進出研磨區域及在研磨期間於晶圓上均勻的溫度分佈，如系爭專利所述之槽道具有大致垂直的壁面110 ，且槽道之深度增加改善了研磨墊之壽命；「均勻的研磨墊磨耗」等同於系爭專利所述之提供改善的研磨均勻度之優點，「均勻的溫度分佈」同樣源自能夠「將研漿及研磨副產物均勻地傳送進出研磨區域」，等同於系爭專利所述之有效率地分配研漿至整個研磨墊上之優點；針對將研漿均勻地傳送至研漿區域，系爭專利具體設計適當的槽道間距（不可太大），使得研漿能夠均勻地傳送至基板的整個表面，針對將研磨副產物傳送離開研磨區域，系爭專利則設計適當的槽道寬度（不可太小），使得產生之廢料可輕易地由槽道沖離，依原證4 之結論提出IC 1010-DV之研磨墊壽命達到IC 1000 的兩倍之多，且IC 1010-DV的研磨效能等同或甚至比IC1000更佳。是原證4 之論述與系爭專利吻合，所得到之結論亦與系爭專利相互呼應，則原證4 所提出客觀之實驗數據，可作為客觀之「外部證據」，用以佐證系爭專利所能達成之功效及優點。

⑸證據2 、3 、6 、11、17意圖解決之技術問題以及所達成之技術功效均與系爭專利申請專利範圍第1-6 項不同，上開證據並無「設計較大範圍之槽道尺寸」之參考基礎，如何能謂系爭專利為選擇發明？系爭專利申請專利範圍第1 項所載之具有圓形槽道的研磨墊（槽道寬度、間距範圍較大）不應視為證據2 揭露之具有螺旋形槽道的研磨墊（槽道寬度、間距範圍較特定或較小）的選擇發明；系爭專利申請專利範圍第1 項所載之化學機械研磨墊（槽道的深度不同而槽道的寬度、間距範圍較大）不應視為證據11揭露之泡沫擦光墊（槽道的深度不同而槽道的寬度、間距較特定）的選擇發明；系爭專利申請專利範圍第6 項所載之具有圓形槽道的研磨墊（槽道對隔條的寬度比為0.01-0.25 之間）不應視為證據2 揭露之具有螺旋形槽道的研磨墊（槽道對隔條的寬度比為0.147-0.344 ）的選擇發明，因此，在目的及功效均未被上開證據揭露之情況下，熟習該項技術者並無動機由不同的證據挑選出特定之參數及範圍，並進一步與其他證據拼湊結合，完成系爭專利所載之發明。又系爭專利經過實體審查而取得專利之過程中，並未將系爭專利歸類為「選擇發明」，亦未要求提供「實驗數據」，原證4 中IC1010-DV 研磨墊具有與系爭專利申請專利範圍第5 項完全相同之槽道尺寸，且原證4 第57頁所示之實驗結果亦證明IC1010-DV 之研磨墊壽命能夠達到IC1000的兩倍之多，可證明系爭專利申請專利範圍第5 項，相對於證據6 及17具有不可預期之功效。

⑹系爭專利所欲解決之技術問題不同於證據2 、3 、6、11、17，且系爭專利申請專利範圍第1-6 項所採取之技術手段為針對研磨墊上之槽道尺寸進行特殊設計，均未教示或建議對槽道之尺寸進行設計之技術特徵，熟習該項技術者並無動機將此等證據作任意結合，依申請時之技術水準及各個證據分歧的教示方向，亦無法輕易選擇或調整改變來完成所請之發明。是系爭專利之說明書或原證4 均表明系爭專利之發明能夠達成所有此等證據無法達成或預期之功效，故系爭專利申請專利範圍第1-6 項具有進步性。

（二）證據8 、10、12、22及證據2 、5 之組合，不足以證明系爭專利申請專利範圍第7 -14項不具進步性：

1.證據8 （1986年8 月15日公開之日本昭61-182753 號「研摩皿」專利案）之技術特徵及其所欲解決之問題與系爭專利不同：證據8 係揭露具有螺旋或同心槽道的研磨盤，其第7 圖待研磨的工件12係放置在支撐部件14上，而小於工件的研磨盤16則固定在上方懸吊的支撐部件18，來對工件12進行研磨，證據8 教示其研磨盤對工件具有以徑向方向改變的有效接觸表面，依證據8 第5 圖所示，螺旋狀及同心圓的槽道分別具有從中心部分向四周逐漸變細的間距，「槽道」係以白色部分呈現，且教示槽道的寬度應為常數。然而，依系爭專利第1 圖所示，基板10被懸吊且夾持在上方的承載頭系統70a 至70d 上，而面積較大的研磨墊100 則擺放在下方的研磨站台25a 至25c 上，可知系爭專利之研磨墊及基板的相對位置與證據8 相反，且證據8 之工件與研磨盤之相對尺寸大小亦與系爭專利相反，其本質與系爭專利所述之「快帶效應」不同，是系爭專利與證據8 進行研磨得到之結果以及研磨墊上溝槽之設計無法相比較。又證據8 意識到研磨不均勻之問題，其教示將槽道之間距從中心向四周逐漸變細，且敘明槽道之寬度應為常數，並未教示或建議兩個或更多的不同研磨區域，熟習該項技術者並無動機修改證據8之教示內容，來完成系爭專利之發明。

2.證據10（1992年7 月21日公告之美國第5131190 號「LAPPING MACHINE AND NON-CONSTANT PITCH GROOVEDBED THEREFOR」專利案）之技術特徵及其所欲解決之問題與系爭專利不同：證據10教示槽道之間的間隙如第3 圖所示逐漸改變，其教示控制間距比率λ與半徑R 的函數α成一定比例，使內圈及外緣的間距比率λ較小〈較密〉，中間段的間距比率λ最大〈較疏〉，其係揭露同時研光許多部件的研光機，其所進行研磨的光學部件及所使用的研光墊片均與系爭專利之基材及研磨墊之尺寸有差異，光學部件及晶圓基材所要求之表面平整精準度亦有落差，故證據10所揭露之內容無法應用至半導體基材的研磨，熟習該項技術者並無動機參考證據10之教示；又證據10僅揭露不斷逐漸改變的槽道間距，而並未教示或建議將研光表面劃分為不同的研磨區域，其雖教示直接透過計算公式而計算出不同半徑處槽道的分佈，但其計算公式並不具有「劃分不同區域」概念，是證據10並未教示或建議如系爭專利申請專利範圍所載明之「第一研磨區域」及「第二研磨區域」之分別；再者，證據10未提及或討論槽道的寬度，依證據10第3 圖，其教示內圈及外緣之槽道分佈較密，而中間段的槽道分佈較疏，而系爭專利則意圖將中間段的槽道佔據面積增加，使中間環形區域研磨速度降低，因此，證據10為對系爭專利的反向教示，無法解決系爭專利意圖彌補「快帶效應」之問題。

3.證據12（1994年3 月29日公告之美國第5297364 號「POLISHING PAD WITH CONTROLLED ABRASION RATE 」專利案）之技術特徵及其所欲解決之問題與系爭專利不同：證據12係揭露具有經控制的磨耗比率之研磨墊，依證據12之先前技術說明，建立非平坦的表面為更加複雜，且如此非平坦的表面亦可能為所欲的結果，故證據12專注於提供特殊的研磨墊來建立精確的非平坦表面，其教示在研磨墊上設計不同的區域，每個區域具有不同的孔洞密度31、32、33，能夠控制研磨速率，相對於系爭專利意圖改善研磨均勻性之目標，證據12建立非平坦的表面，與系爭專利之目的相反；又系爭專利揭露在研磨墊上形成槽道，證據12係教示在研磨墊上佈置複數個孔洞41、51，並未教示或建議在研磨墊上形成槽道；再者，在發明目標相反及揭露內容不同之條件下，熟習該項技術者並無任何合理動機參考證據12，更無法將不相容之證據12與證據8 或證據10相結合。

4.證據22（1990年12月13日公開之世界專利第WO90/14926號「ULTRA-PRECISION LAPPING APPARATUS 」專利案）之技術特徵及其所欲解決之問題與系爭專利不同：證據22係揭露行星狀的研光裝置，其研光盤在半徑中間段比內圈及外緣磨耗的更深，第15圖教示在研磨表面中形成數個圓形或螺旋形的槽道93，並教示在盤的半徑中間段設計最窄的槽道93，而靠近內圈及外緣的槽道之寬度增加，故證據22僅揭露用於研光矩形碟盤（諸如用在水晶震盪器中）的研光裝置，而研光裝置所進行研磨的震盪器及所使用的研光盤片均與系爭專利之基材及研磨墊之尺寸有差異，水晶震盪器及晶圓基材所要求之表面平整精準度亦有落差；又證據22僅憑經驗來設計研光盤的槽道93，將研磨盤設計成中間段的槽道之寬度最窄，而靠近內圈及外緣的槽道之寬度增加之技術特徵，為系爭專利之反向教示，無法解決系爭專利意圖彌補「快帶效應」之問題。

5.系爭專利申請專利範圍第7-14項與證據8 、10、12、22之技術特徵，其所欲解決之問題及達到之功效均不相同：

⑴系爭專利之槽道佔據表面積越多，則該區域研磨速度降低，為解決基板上之徑向距離中心之環形區域過度研磨的問題，系爭專利之研磨墊至少設計成具有兩個以上的不同研磨區域，其中靠近中心的第一區域設計成槽道佔據之表面積較少，而包圍第一區域的第二區域則設計成槽道佔據之表面積較多，藉此減少「快帶效應」，以避免研磨不均勻之問題，惟證據8 及10並未揭露劃分不同的研磨區域，僅單純採取逐漸改變的槽道間距，而證據10及22係分別揭露用於研磨光學部件的「研光機」或「研光裝置」，其所揭露之技術特徵屬系爭專利之反向教示；又系爭專利係用於半導體晶圓之化學機械研磨（CMP ），屬於超級精細的研磨處理，使用相對軟的微米粒子，藉由彈性塑性變形來修整移除工件上的極小部分，而不會在工件的表面上製造出易碎裂痕，而研光處理係施用在製造1000微米至10微米之工件單元，能夠達成10微米至0.1 微米之間的表面粗糙〈精細〉度，CMP 處理則施用在製造1奈米至1A之工件單元，其必須亦能夠達成1 奈米至1A之間的表面精細度，兩者之數量級差千至萬倍。是系爭專利之CMP 研磨墊對於精確度之要求，為證據10及22之研光機的千至萬倍，熟習該項技術者不可能將證據10及22之研光機技術，應用至半導體晶圓之研磨；再者，證據12未揭露任何槽道，且其意圖達成之建立精確的非平坦表面之目的，亦相反於系爭專利，故熟習該項技術者並無動機將證據10、22結合，即使將證據10、22強加結合，在相反或無關聯之教示內容下，亦無法輕易完成該發明，故上開證據均無法達成系爭專利意圖消除「快帶效應」之功效。是系爭專利申請專利範圍第7-14項與上開證據8 、10、12、22有所區隔而具有進步性。

⑵系爭專利之美國對應案〈US 5,984,769〉中所列舉之「引用文獻〈References cited〉」僅表明該案之審查官檢索並考慮過此等文件，不能作為與系爭專利相關聯之證明，是系爭專利與證據11之「泡沫擦光墊」與證據10及22本質上即不相同，熟習該項技術者並無參考或組合證據10、22之動機；又證據10及11均未作為系爭專利之美國對應案新穎性或進步性准駁依據之事實，可證美國專利審查官於審酌該案之申請時，便已參考並意識到此等證據與系爭專利之實際差異，自不得據以質疑系爭專利之可專利性。

（三）證據8 、10、12、22之組合，不足以證明系爭專利申請專利範圍第15項不具進步性：系爭專利申請專利範圍第15項係對應至圖式第12圖，並載明「一螺旋槽道形成在研磨表面中，該螺旋槽道於第一研磨區域中具有第一間距，及於第二研磨區域中具有第二不同之間距」之技術特徵。證據8 、10並未揭露劃分不同的研磨區域，而單純採取逐漸改變的槽道間距；又證據10及22所揭露之技術特徵屬系爭專利之反向教示，證據12不但未揭露任何槽道，且其意圖達成之建立精確的非平坦表面之目的，亦相反於系爭專利，故熟習該項技術者並無動機將此等證據作任意結合，即使將此等證據強加結合，在相反或無關聯之教示內容下，亦無法輕易完成其發明，上開證據均無法達成系爭專利意圖消除「快帶效應」之功效。故系爭專利申請專利範圍第15項與此等證據有所區隔而具有進步性。

（四）證據8 、10、12、13、22及證據32之組合，不足以證明系爭專利申請專利範圍第16-18 項不具進步性：

1.系爭專利說明書第22頁及圖13已揭露「多數同心圓槽道224a及多數彎曲槽道224b，每一彎曲槽道224b可以波動於其最內及最外半徑之間，約0.1 吋至0.5 吋之振幅A，彎曲槽道224b之第二間距可為約一至兩倍其振幅、或約一倍半至兩倍其第二寬度」之技術特徵，其上224b之原文為serpentine grooves，即彎曲、蛇行之意。基於系爭專利申請專利範圍相同用語解釋一致性原則，系爭專利申請專利範圍第16項及第18項均採「彎曲」槽道之用語，第18項之「彎曲」槽道即指第16項的「實質彎曲」槽道，其中第18項之「彎曲」槽道具有「振幅」，即其說明書及圖式所指出的「實質彎曲槽道」具有波動之技術特徵，則第16項之「實質彎曲」槽道自應解釋為「彎曲、蛇行」之形狀，又系爭專利申請專利範圍第18項為第16項之附屬項，第16項自應具有較第18項更廣的文義範圍，則系爭專利申請專利範圍第18項記載「彎曲」槽道具有約一至二倍振幅，第16項記載的「實質彎曲」槽道具有約一至二倍振幅以外的振幅。

2.證據32（1995年6 月6 日公告之美國第5421769 號「APPARATUS FOR PLANARIZING SEMICONDUCTORWAFERS,AND A POLISHING PAD FOR A PLANARIZATIONAPPARATUS」專利案）之技術特徵及其所欲解決之問題與系爭專利不同：證據32係揭露一種平坦化半導體晶圓的裝置，其第2 圖及第3 圖教示將第二非圓形研磨墊64固定在第一圓形研磨墊58上，其中第二非圓形研磨墊64具有非圓形的周圍邊緣80，如此設計之下，接近研磨墊外緣的有效研磨面積減少，能夠降低平板表面非均勻移除的問題。然而，系爭專利申請專利範圍第16-18 項載明「第二研磨區域具有複數個實質彎曲的槽道」，其第13圖彎曲槽道224b波動於其最內及最外半徑之間，而具有振幅A ，如此之設計使得此第二研磨區域中槽道所佔據之表面積相對較多，從而減少「快帶效應」，以避免研磨不均勻之問題。惟證據8 、10、12、13、22均未揭露「實質彎曲之槽道」，亦未教示或建議槽道能夠「波動」且具有「振幅A 」，證據32未揭露「槽道」，其僅教示將第二非圓形墊64固定在第一圓形墊58上，非圓形墊64之不均勻突出邊緣80幫助研磨晶圓的不同半徑處，而未提及「快帶效應」之技術問題。因此，上開證據均未意識到系爭專利之「快帶效應」之技術問題，熟習該項技術者並無動機將此等證據作結合，縱將上開證據強加結合，在所有證據均未揭露「實質彎曲之槽道」的情況下，亦無法輕易完成其發明。是上開證據均無法達成系爭專利意圖消除「快帶效應」之功效，故系爭專利申請專利範圍第16-18 項與上開證據有所區隔，具有進步性。

（五）證據8 、10、13、22之組合，不足以證明系爭專利申請專利範圍第19-21 項不具進步性：

1.證據13（1997年7 月22日公告之美國第5650039 號「CHEMICAL MECHANICAL POLISHING APPARATUS WITHIMPROVED SLURRY DISTRIBUTION」專利案），係解決於基板及研磨墊之介面處非均勻性地補充研漿之問題，證據13揭露在研磨墊14上形成複數個同心圓形的偏心槽道26b ，在研磨墊旋轉時，此等偏心槽道26b 能夠從中心掃掠且分散研漿，而將研漿補充在基板12的整個表面上。

2.系爭專利申請專利範圍第19-21 項係採「槽道配置兩個研磨區域」之設計，其中第二研磨區域之同心槽道中心係偏離開第一研磨區域之同心槽道中心。如系爭專利第14圖所示，此舉同樣解決因「快帶效應」而造成基板中間環形區域被過度研磨之問題，達到研磨均勻之功效，惟證據8 之研磨墊及基板的配置完全相反於系爭專利，且其揭露逐漸改變的槽道寬度，而未教示或建議劃分不同的研磨區域，證據10及22所揭露之技術特徵屬系爭專利之反向教示，證據13針對槽道的整體形狀設計成複數個偏離中心點的槽道，並未教示或建議劃分不同的研磨區域，且亦未教示或建議兩組複數個槽道彼此相對偏心。上開證據8 、10、13、22均未意識到系爭專利所稱之「快帶效應」之技術問題，熟習該項技術者並無動機將此等證據作任意結合，縱將上開證據強加結合，因意圖解決之技術問題有所差異，亦無法輕易完成「劃分不同研磨區域」及「第二研磨區域具有偏心槽道」之技術特徵，且均無法達成系爭專利意圖消除「快帶效應」之功效，故系爭專利申請專利範圍第19-21 項與上開證據有所區隔，具有進步性。

（六）組合證據8 、10、11、12、22之組合，不足以證明系爭專利申請專利範圍第22-23 項不具進步性：系爭專利申請專利範圍第22-23 項係對應至圖式第15圖揭露「一第二研磨區域包圍該第一研磨區域，並具有多數槽道弧片段，諸槽道弧片段沿著同心圓路徑分佈，使得每一槽道弧片段並不徑向重疊於在一相鄰路徑之槽道弧片段」之技術特徵。惟證據11之「泡沫擦光墊」比用於半導體晶圓之研磨墊大一至二個級數（10或100 倍以上），已如上述，於半導體晶圓領域中具有通常知識者不會參考「泡沫擦光墊」之技術，而將精確度差一至二級的「泡沫擦光墊」應用於研磨晶圓表面上，此外，證據11並未揭露將擦光墊劃分為不同的研磨區域，而證據8 及10亦未揭露劃分不同的研磨區域，而單純採取逐漸改變的槽道間距，至於證據10及22所揭露之技術特徵屬系爭專利之反向教示，證據12亦未揭露任何槽道，且其意圖達成之建立精確的非平坦表面之目的，亦相反於系爭專利，則熟習該項技術者參考證據11之第6 圖中「具有弧片段槽道之泡沫擦光墊」，仍無動機將證據11與證據8 、10、12、22結合，而改變或增加槽道的數量，縱將上開證據強加結合，在相反或無關聯之教示內容下，亦無法輕易完成該發明。是上開證據均無法達成系爭專利意圖消除「快帶效應」之功效，故系爭專利申請專利範圍第22-23 項與上開證據有所區隔，具有進步性。

（七）證據8 、10、11、13、22之組合，不足以證明系爭專利申請專利範圍第24-25項不具進步性：系爭專利申請專利範圍第24-25項係對應至圖式第16圖揭露「一螺旋槽道形成在研磨表面中，該螺旋槽道於第一研磨區域中具有第一間距，及於第二研磨區域中具有第二不同之間距」之技術特徵，依上所述，證據8 及10並未揭露劃分不同的研磨區域，而單純採取逐漸改變的槽道間距，證據10及22所揭露之技術特徵屬系爭專利之反向教示，證據11之「泡沫擦光墊」不屬於系爭專利之技術領域，未劃分不同的研磨區域，亦教示應利用最少之槽道數量，證據13教示槽道之整體形狀設計，亦未教示或建議劃分不同的研磨區域。故熟習該項技術者並無動機將上開證據作結合，縱將上開證據強加結合，在相反或無關聯之教示內容下，亦無法輕易完成該發明。是上開證據均無法達成系爭專利意圖消除「快帶效應」之功效，故系爭專利申請專利範圍第24-25 項與此等證據有所區隔，具有進步性。

（八）系爭專利之發明達成至少6項技術功效：系爭專利主要之目標即為藉由槽道尺寸或槽道形狀之設計，來改善研磨均勻度，其具體優點及功效為：

1.改善研磨墊對基板研磨之均勻度：證據3 教示增加槽道數量（減少間距）能夠增加可使用的研磨面積，其最佳化之方向相對於請求項界定之適當槽道尺寸範圍為反向教示；證據6 係「增加且維持穩定的移除率」探討從基板移除材料層的速率，與研磨均勻度無關；證據8 係揭露顛倒之配置方式，且意圖解決「邊緣效應」而非系爭專利之「快帶效應」；證據10僅揭露向外逐漸改變之槽道尺寸，並未教示或建議明確區分兩個或更多分別不同的研磨區域，為系爭專利反向之教示；證據12意圖建立精確的非平坦表面與「改善研磨均勻度」之目標相反，其揭露孔洞而非槽道；證據22之設計全憑經驗為系爭專利之反向教示。是以，除證據3 論及與系爭專利相反之槽道尺寸設計之外，上開證據均未採取與系爭專利相同之「槽道尺寸設計」之技術手段。

2.改善研漿分配之均勻性：證據2 係採取「設計槽道整體圖案」之技術手段，未討論「槽道尺寸」之設計及修改；證據6 教示較淺的槽道較佳，其所謂之「改善研漿流動」係將槽道研磨墊與孔洞研磨墊相比較，而非探討槽道尺寸設計；證據11未提及「改善研漿之分配」，其槽道之目的在於節省修整液體且避免噴濺，上開證據均未採取與系爭專利相同之「槽道尺寸設計」之技術手段。

3.改善研磨墊之壽命：證據11教示使用最少槽道數量能夠增加擦光墊之壽命，為證據3 及系爭專利之相反教示，證據7 （美國第5,489,233 號專利案）未被引用作為系爭專利申請專利範圍准駁之依據，未界定特定槽道尺寸，為證據6 之相反教示。是上開證據之間互相矛盾之教示顯見當時之技術水準未成熟，亦無合理動機進行結合，且均未採取與系爭專利相同之「槽道尺寸設計」之技術手段。

4.在調整處理期間有效地沖刷廢料離開槽道：證據6教示較淺的槽道較佳，為證據7及系爭專利之相反教示，未討論槽道尺寸之設計及修改。是上開證據之間互相矛盾之教示顯見當時之技術水準未成熟，亦無合理動機進行結合，且證據6 所揭露之槽道尺寸與系爭專利之界定完全不同。

5.完成研磨週期後幫助研磨墊與基板分離：無證據揭露與系爭專利申請專利範圍相同的槽道尺寸且未提及此技術功效。

6.藉由堅固的尺寸設計方式避免變形所導致的「平坦化效應」：證據22係使用不同槽道寬度之設計，全憑經驗以用於解決「非均勻性」，未討論平坦化效應；證據6 揭露穿孔研磨墊及槽道研磨墊之間的比較，未提及平坦化效應。是上開證據未揭露與系爭專利申請專利範圍相同的槽道尺寸，亦未提及此技術功效。

（九）聲明：原處分及訴願決定均撤銷。

三、被告抗辯：

（一）系爭專利申請專利範圍第1-6項不具進步性：

1.證據2 揭示之化學研磨墊，其中圖2 揭示螺旋形槽道，其說明書第2 圖及第5 欄第46-49 行所載「螺旋形槽道26a …寬度約為3.2 ㎜（0.126 吋），深度至少0.5 ㎜（0.0197吋），間距為12.5至25㎜（0.49 2-0.984吋）」第1 欄第40至48行記載「主要問題為…自基板移除材料的過程中的速率與均勻度…以避免過度研磨與不均一的研磨…」，第6 欄第49-53 行記載「此處提供之槽樣式係為強化在一旋轉研磨墊上的基板上的研漿分佈」，而證據2 第5 圖揭示槽道為圓形槽道之不同實施態樣，亦即圖2 之槽道尺寸亦可適用於圖5 之圓形槽道，故由證據2 揭示無論是圓形或螺旋形槽道，均是系爭專利申請前之習知技術。是系爭專利申請專利範圍第1 、6 項之槽道寬度及間距，已落入證據2 所揭示之數值範圍內，證據2 與系爭專利申請專利範圍第1 、6 項之不同在於證據2 揭示之槽道深度為至少0.5mm （0.0197吋），而系爭專利申請專利範圍第1 、6 項之槽道深度為0.02吋至0.05吋（或≧0.02吋），兩者數值差異並未具有臨界性，該數值變化為熟習該項技術者參酌證據2 所能輕易完成；再者，證據2 之圖5 亦揭示圓形槽道，故熟習該項技術者在參酌證據2 之教示下，有動機將證據2 之圖2 中用於螺旋槽道之間距、深度及寬度等尺寸轉用至圓形槽道（或證據2 之不同實施例之組合）而完成系爭專利申請專利範圍第1 、6 項之發明，故證據2 可證系爭專利申請專利範圍第1 、6 項不具進步性。

2.證據3 圖2 揭示「多數圓形槽道」，其說明書第[0016]段記載「深度約為0.01至0.06吋」，而系爭專利申請專利範圍第1-6 項之深度範圍（0.02~0.05 吋或0.02吋或≧0.02吋或0.03吋），為證據3 所揭露範圍之較小範圍之數值範圍，≧0.02吋之部分範圍已為證據3 揭露；證據3 揭示「每吋2- 32 條槽道（即間距為0.0312至0.492 吋）」與系爭專利申請專利範圍第1-6 項之間距範圍（0.09-0.24 吋或0.12吋或≧0.09吋），為證據3 所揭露範圍之較小範圍之數值範圍，而≧0.09吋之部分範圍亦為證據3 揭露；又證據3 說明書第[0010]段揭示「每單位面積的『槽道數目與間距經最佳化』用以達到『高研磨率與高研磨均一度』」，其已揭示改變槽道之數目及間距可以改善研磨率。

3.證據11說明書第3 欄第25-30 行揭示「0.2 吋深度」、「0.12吋寬度」，以及內外兩槽道之「間距為3.1 吋」，第1 欄第9-12行、第2 欄第7-17行所載為證據11之發明目的，即槽道深度、寬度、間距與分布數量，係為了使研磨漿均勻分布，避免其噴濺，並增加研磨墊壽命，可知證據11與系爭專利所欲解決問題及達成之目的功效相同，故研光機所使用之研磨墊與CMP 所使用之研磨墊應可視為相同或相關領域；又系爭專利之美國對應案（US0000000 ）中，亦列舉證據10及11為該案之引用文獻可證證據10、11及22之研光機所使用之研磨墊與系爭專利CMP 所使用研磨墊應屬相同或相關之技術領域，故原告主張證據8 、10、11、22與系爭專利非為相同或相關之技術領域云云，並不可採。

4.原告主張：證據17完全未教示或建議任何研磨墊上之槽道設計云云。惟證據17證明系爭專利申請專利範圍第4項之上層具有0.06至0.12吋之厚度之技術特徵為系爭專利申請前之先前技術。

5.系爭專利對於引證案而言屬於選擇發明，選擇性發明應具有「臨界性」始具有進步性，若選擇與先前技術產生同一性質之功效，且所限定數值具備臨界性之意義，及具有更為顯著的同一性質之功效，應認定該發明非能輕易完成，反之，若選擇發明是在可能的、有限的範圍內選擇具體的尺寸、溫度範圍或其他參數，而該選擇為熟習該項技術者經由例行工作之普通手段即能得知者…應認定該發明能輕易完成，系爭專利與先前技術所能達成之相同功效（如避免「快帶效應」及使研磨均勻分佈在研磨墊的表面上），系爭專利說明書並未提出具體敘述及實驗數據來證明其臨界性之效果，故應認定該數值之限定為熟習該項技術者經由例行工作之普通手段即能得知者，當可認定該發明能輕易完成。又原告雖引用原證2 、3 ，證明系爭專利於申請時相較該技術領域之先前技術具有功效之增進，及意圖證明系爭專利之發明不易於思及，並已解決該技術領域所欲解決之問題，惟原證2 、3 教示影響晶圓平坦化的因素，及研磨墊僅能佐證系爭專利申請當時研發方向，尚難藉此認舉發證據不能證明系爭專利不具功效之增進。

（二）系爭專利申請專利範圍第7-25項不具進步性：

1.證據8 說明書第278 頁揭示：「有效接觸工作件的研磨面積越向研磨墊的外圍越小…因此，…被研磨物接觸研磨墊的時間越長，反之，越朝向外圍接觸時間越短。」，證據8 第279 頁最末段載明：「複數同心圓槽道寬度自中心向外圍變小，但間距大致維持不變；亦可將寬度做成大致相同，但間距向外圍逐漸變寬」，可知證據8與系爭專利所欲解決問題及達成之目的功效相同，故證據8 之光學研磨墊與CMP 所使用之研磨墊，可視為相同或相關技術領域；又系爭專利說明書第19-20 頁載明：「結果顯示研磨速度係相對於研磨表面積於研磨時接觸基板之百分比。藉由提供一研磨墊以一區域有較多之表面積為槽道所佔據，則研磨速度於該區域被降低。明白地說，於區域154 中之密間距槽道減少了於基板之過研磨之研磨速度，結果，研磨墊補償了快帶效應並改良研磨之均勻性」，而證據8 已揭示該同心圓槽道寬度自研磨墊中心向外圍邊緣處變小，以形成具有不同寬度及間距之複數個同心圓槽道，即證據8 揭示多個不同之研磨區來改變有效接觸面積與接觸時間相對研磨率之關係，故熟習該項技術者在參酌證據8 之教示下易於思及於研磨墊上形成具有不同寬度或間距之研磨區域而完成系爭專利申請專利範圍第7 項之兩個研磨區之發明；再者，證據12圖3 揭示研磨墊具有由外向內為呈現「密- 疏-密」分布的孔洞，其研磨時的實際面積由外向內是「大- 小- 大」，下半圓區域為一研磨墊具有由外向內為呈現「疏- 密- 疏」分布的孔洞，其研磨時的實際面積由外向內是「小- 大- 小」，其說明書第2 欄第1 至10行揭示「被研磨物如晶圓等在研磨墊外圍相較在中央區域將面臨較大的研磨率」，揭示利用孔洞控制不同研磨接觸面積即可控制研磨的均一度或解決研磨不均一的問題，故熟習該項技術者在參酌證據12所教示之研磨墊結構，易於思及採用證據10之槽道而完成系爭專利申請專利範圍第7 項之發明。

2.系爭專利申請專利範圍第16-18 項所界定之「實質彎曲之槽道」用語之解釋，以及第18項「彎曲槽道具有於一至兩倍振幅及一倍半至兩倍寬度」之內容。依修正前83年專利法第56條第3 項規定，解釋申請專利範圍時，雖得參酌說明書中之發明說明及圖式之內容，惟僅限於「申請專利範圍」有用語不當、界線不明時，始得為之。故解釋申請專利範圍時，應以所記載之文字為準，而系爭專利申請專利範圍第16項記載實質彎曲之槽道，則圓形、螺旋型與片段弧形，皆屬其文字所含義之範圍，其文義並無不明確之情形；又系爭專利申請專利範圍第18項係依附申請專利範圍第16項，進一步限定「彎曲槽道具有於一至兩倍振幅及一倍半至兩倍寬度」，系爭專利申請專利範圍第18項僅限定為彎曲，由其間依附關係可知，系爭專利申請專利範圍第16項所載之「實質彎曲之槽道」應包涵系爭專利申請專利範圍第18項。因此，系爭專利申請專利範圍第16之「實質彎曲之槽道」應解釋為非直線即屬彎曲者。

3.證據8 、13之組合，或證據10、13之組合，或證據22、13之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第19、20、21項不具進步性：

⑴原告並未否認證據13圖5 已揭示系爭專利申請專利範圍第19項之多數偏心圓槽道，證據13申請專利範圍第2-4 項載明：這些同心圓形槽道之間的間距可以相同，也可以不同，若間距不同者，則教示該多數偏心的同心圓槽道26b ，可具有多數不同研磨區域，其差異僅在於研磨區域個數改變，則熟習該項技術者在參酌證據8 或證據10或證據22之研磨墊下易於思及採用證據13所教示之偏心同心圓槽道之組合且未產生無法預期之功效，故證據8 、13之組合，或證據10、13之組合，或證據22、13之組合，可證明系爭專利申請專利範圍第19項不具進步性。

⑵系爭專利申請專利範圍第20項係依附申請專利範圍第19項，為進一步限定「第一多數槽道之中心係偏移開第二多數槽道之中心一等於第二多數槽道之間距之距離」，惟系爭專利說明並未揭示該槽道偏移量會產生無法預期之功效，故證據8 、13之組合，或證據10、13 之 組合，或證據13、22之組合，可證明系爭專利申請專利範圍第20項為熟習該項技術者所能輕易完成而不具進步性。

⑶系爭專利申請專利範圍第21項係依附申請專利範圍第19項，為進一步限定「第一多數圓形槽道之間距及寬度之至少一個係不同於第二多數圓形槽道之間距或寬度」。而證據8 第279 頁最末段揭示「寬度與間距二者至少其一不同」之教示「複數同心圓槽道寬度自中心向外圍變小，但間距大致維持不變；亦可以將寬度作成大致相同，但間距向外圍逐漸變寬」；證據10圖3 、圖5A至5C揭示「具有不同寬度或間距的數個研磨區域」；證據22第20頁倒數第1-6 行揭示「數條圓形或螺旋形槽道93由研磨表面向下切出，最接近研磨墊半徑中點的那些槽道93的寬度最窄，槽道寬度朝研磨墊內圈與外緣增加」，已揭露具有多數同心圓槽道之第一研磨區域，及具有多數同心圓槽道之第二研磨區，且第二寬度不同於第一寬度，則證據8 、10或22已教示系爭專利申請專利範圍第21項之附屬技術特徵，故由證據8 、13之組合，或證據10、13之組合，或證據13、22之組合，亦可證明系爭專利申請專利範圍第21 項 不具進步性。

4.證據8 、11、12之組合，或證據10、11、12之組合，或證據11、22、12之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第22、23項不具進步性：

⑴證據8 、10、22已揭示多數同心圓形槽道及多數不同研磨區域，可對應於系爭專利申請專利範圍第22項，而證據11揭示用於使研磨漿均勻分佈的槽道形狀，第6 圖所示係沿同心圓路徑分布的弧形槽道片段，並非沿徑向彼此重疊，其說明書第3 欄第37-39 行記載「該些槽道可形成為同心的或非同心的彎曲槽道片段」，則熟習該項技術者在參酌證據8 、10、22揭示多數同心圓形槽道及多數不同研磨區域之研磨墊下易於思及採用證據11之位於同心圓軌跡上之弧狀槽道片段而完成系爭專利申請專利範圍第22項之發明。因此，證據8 、11、12之組合，或證據10、11、12之組合，或證據11、22、12之組合，可證明系爭專利申請專利範圍第22項不具進步性。

⑵系爭專利申請專利範圍第23項係依附申請專利範圍第22項，為進一步限定「上述之圓形槽道之間距及寬度之至少一個係不同於槽道弧片段之間距或寬度」。證據8 第279 頁最末段揭示「寬度與間距二者至少其一不同」之教示「複數同心圓槽道寬度自中心向外圍變小，但間距大致維持不變；亦可以將寬度作成大致相同，但間距向外圍逐漸變寬」；證據10圖3 、圖5A至5C揭示「具有不同寬度或間距的數個研磨區域」；證據22第20頁倒數第1-6 行揭示「數條圓形或螺旋形槽道93由研磨表面向下切出，最接近研磨墊半徑中點的那些槽道93的寬度最窄，槽道寬度朝研磨墊內圈與外緣增加」，已揭露具有多數同心圓槽道之第一研磨區域，及具有多數同心圓槽道之第二研磨區，且第二寬度不同於第一寬度，則證據8 、10或22已教示系爭專利申請專利範圍第23項之附屬技術特徵。因此，證據8 、11之組合，或證據10、11之組合，或證據11、22之組合，或證據8 、11、12之組合，或證據10、11、12之組合，或證據11、22、12之組合，可證明系爭專利申請專利範圍第23項不具進步性。

5.證據8 ，或證據8 、10之組合，或證據22，或證據8 、22之組合，或證據10、22之組合，或證據11、13之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第24項不具進步性：

⑴證據8 圖5 與圖1 揭示同心圓與螺旋形槽道之實施態樣，並揭示：其間距與寬度可依據研磨墊實際接觸工件之面積與接觸時間做相同變換，熟習該項技術者可依證據8 所揭示之不同實施態樣作相互組合，且該組合可證明系爭專利並未產生無法預期之功效，故證據8 可證明系爭專利申請專利範圍第24項不具進步性；又證據8 已可證明系爭專利申請專利範圍第24項不具進步性，故證據8 、10之組合，亦可證明系爭專利申請專利範圍第24項不具進步性。

⑵證據22圖15及第20頁倒數第1-6 行揭示「數個環形研磨區」及「數條圓形或螺旋形槽道93由研磨表面向下切出。最接近研磨墊半徑終點的那些槽道93最窄，槽道寬度槽研磨墊內圈與外緣增加」，故證據22揭示具有多數圓形或螺旋形槽道之第一研磨區域及第二研磨區域，且系爭專利所界定內圈為圓形槽道外圈為螺旋形槽道並未產生無法預期之功效，熟習該項技術者參酌證據22之教示，易於思及採用圓形槽道及螺旋槽道之組合而完成系爭專利申請專利範圍第24項之發明，故證據22可證系爭專利申請專利範圍第24項不具進步性；又證據22已可證系爭專利申請專利範圍第24項不具進步性，故證據22、8 ，或證據22、10之組合，亦可證明系爭專利申請專利範圍第24項不具進步性。

⑶證據11揭示用於使研磨漿均勻分佈的槽道形狀，第6圖所示係沿同心圓路徑分布的弧形槽道片段，其並非沿徑向彼此重疊，其說明書第3 欄第37-39 行載述「該些槽道可形成為同心的或非同心的彎曲槽道片段。」，故證據13申請專利範圍第4 項揭示多數不同間距之同心圓形形成不同研磨區域，系爭專利所界定內圈為圓形槽道外圈為螺旋形槽道，並未產生無法預期之功效，熟習該項技術者參酌證據13之教示，易於思及採用證據11所揭示之圓形槽道及螺旋槽道之組合而完成系爭專利申請專利範圍第24項之發明，因此，證據11 、13 之組合，亦可證系爭專利申請專利範圍第24項不具進步性。

⑷系爭專利申請專利範圍第25項係依附於申請專利範圍第24項，為進一步限定「上述之圓形槽道之間距及寬度之至少一個係不同於螺旋槽道之間距或寬度」，而證據8 ，或證據8 、10之組合，或證據22，或證據8、22之組合，或證據10、22之組合，可證明系爭專利申請專利範圍第24項不具進步性，且本項之附屬技術特徵已於證據8 、10或22所揭露，因此，證據8 ，或證據8 、10之組合，或證據22，或證據8 、22之組合，或證據10、22之組合，亦可證明系爭專利申請專利範圍第25項不具進步性。

（三）原告雖稱系爭專利之各項申請專利範圍所達成之技術功效，不外就避免研磨墊「平坦化」、增加使用研磨墊壽命「節省成本」云云。然就化學機械研磨製程而言，該製程在整個半導體元件製程中屬後段製程，簡言之，在每完成一道半導體製程就必須將晶圓表面整理，即將施作後的晶圓表面平坦化，在平坦化後再施作下一道製程，故每次施作化學機械研磨製程最重要的功效就是晶圓表面「平坦化」，當研磨墊產生平坦化效應會危及晶圓產品，不論是系爭專利或是先前技術所研發的研磨墊必然會以此為設計開發重點，就研磨墊之研究開發僅就其材料及研磨墊上槽道深、寬、分佈圖案為變化設計，系爭專利說明書僅記載槽道設計即可避免上開效應，惟未有具體實驗數據可查，尚難認系爭專利與先前技術有突出之功效。又「節省成本」功效，可在該研磨墊具有較長使用壽命自可相伴而生，就國內半導體大廠而言，在化學機械研磨製程程序中皆有標準作業流程，不會等到研磨墊達到「平坦化」危及產品時才會更換研磨墊，是否達節省成本，端視使用者主觀判定，非屬系爭專利之獨特功效。至於原告另主張系爭專利具有研磨均勻度、研漿分配均勻性等功效云云，然系爭專利之先前技術及舉發證據所揭露研磨墊，均具有上開功效，且系爭專利說明書中未有任何實驗數據之記載可支持原告主張系爭專利相較於系爭專利之先前技術具有無法預期功效，故原告上開主張均無可採。

（四）答辯聲明：原告之訴駁回。

四、參加人部分：

（一）系爭專利申請專利範圍已被先前技術所揭露或依先前技術能輕易完成，乃客觀之事實：

1.系爭專利主要技術特徵在於界定研磨墊槽道圖案、槽道深度、寬度、間距，系爭專利申請專利範圍第1 項揭示：「一種用以於一化學機械研磨系統中研磨一基板之研磨墊，其至少包含：一研磨表面，具有多數實質圓形槽道，諸槽道具有0.02至0.05吋之深度，至少0.015 吋之寬度，及至少0.09吋之間距」，而證據2 圖5 已揭露多數同心圓形槽道，第5 欄46-49 行亦揭露螺旋形槽道26a ，且揭露寬度約3.2mm （0.126 吋) ，深度至少0.5mm（0.0197吋），間距為12.5至25mm（0.492-0.984 吋），故證據2 已揭露系爭專利申請專利範圍第1 項技術特徵；證據11亦然，則系爭專利申請專利範圍為先前技術所揭露或依先前技術能輕易完成。

2.證據3 於摘要即已指出：「使單位面積有更多研漿與基板接觸」，段落[0010]揭露：「每單位面積的『槽道數目與間距經最佳化』用以達到『高研磨率與高研磨均一度』」，此與系爭專利所欲達成之均勻化研漿分布、研磨均一性等功效相同。又依證據11第1 欄第9-12行、第2 欄第7-17行之發明宗旨與原理，證據11的槽道深度、寬度、間距與分布數量，係為了使研磨漿均勻分布，避免其噴濺，並增加研磨墊壽命，與系爭專利所欲達成之功效相同。

3.原告主張證據6 教示使用淺的槽道以易於沖洗研漿，證據7 教示使用深的槽道以延長壽命云云。惟證據7 第4欄倒數1-4 行之教示尚包括：「如果槽道深度超過研磨墊厚度之90% ，則機械強度將嚴重下降，故應避免」。是原告主張證據6 與7 揭露相反之部分實為「一般性槽道設計原理」，即教示槽道不可過深，亦不可過淺，以避免習知之缺點，並無矛盾存在，而系爭專利之槽道設計僅在此種習知原則下進行之簡單操作。

（二）原證1 至4 非法定「外部證據」，依法無參酌之必要：原告提出原證1-4 號，主張其為「外部證據」，惟外部證據，係「解釋申請專利範圍」於「說明書與申請專利範圍均不甚明確」時，始須參考之證據，原告主張外部證據可佐證系爭專利有新穎性與進步性，顯誤認外部證據之本質與作用。又原證3 第15頁倒數1-3 行指出：「…傳統的溝槽圖案設計，…商業使用上拋光墊溝槽圖案不脫格子狀、同心圓、螺旋狀或相互混合之圖案設計」，可反證系爭專利技術不脫傳統商業用同心圓、螺旋狀或相互混合之設計，證據2 、11等先前技術已證明系爭專利技術不脫習知同心圓、螺旋狀或相互混合之槽道設計，不具進步性。再者，原告既已承認原證4 之作者群與系爭專利之發明人並不相同，原證4 晚於系爭專利申請日，且許多內容均與系爭專利無關，自不能當作系爭專利內容之一部分。縱將原證4 所能提升兩倍研磨墊壽命之功效作為系爭專利申請專利範圍第5 項之功效，證據7 已教示增加槽道深度能夠提升研磨墊壽命，則系爭專利申請專利範圍第5 項係依據先前技術所能輕易完成。因此，原證4 無法證明系爭專利具有較先前技術所不易思及或完成之特性與功效。

（三）系爭專利申請專利範圍或已完全被先前技術所揭露，或僅部分「數值」略不同於先前技術所選定者，故確屬「選擇性發明」，且未證實有「臨界性」特色存在，不具進步性：

1.原告主張證據2 、3 、6 、11、17所欲解決之問題及所達成之技術功效均與系爭專利申請專利範圍第1 至6項不同，並無「設計較大範圍之槽道尺寸」，故系爭專利並非選擇性發明云云。惟證據2 圖5 已揭露多數同心圓形槽道，第5 欄46至49行揭露螺旋形槽道26a ，且揭露寬度約3.2 mm（0.126 吋），深度至少0.5 mm（0.0197吋) ，間距為12.5至25mm(0.492至0.984 吋) ，故證據2 已揭露系爭專利申請專利範圍第1 項技術特徵；參以原告亦自承「證據2 揭露之較小範圍尺寸」，即證據2揭露之具體槽道尺寸，係落於系爭專利申請專利範圍第1 項申請專利範圍之數值，自應認系爭專利申請專利範圍第1 項已經被證據2 揭露而不具新穎性，遑論具有進步性。

2.系爭專利確為「選擇性發明」，因下述證據已經充分證明系爭專利說明書所謂之「改善研磨墊壽命」、「避免平坦化效應」、「改善研磨均勻度」等技術思想與改善之原理原則均屬先前技術，系爭專利僅是依據先前技術揭露之原理原則，選擇特定的槽道形狀、排列、尺寸及研磨墊層數等設計之選擇性發明：

⑴證據7 第4 欄第64-65 行（「A deeper macrochannel gives longer pad life 」），已對「加大槽道深度能提高研磨墊壽命」有所討論及教示。

⑵證據2 第5 圖揭露「多數圓形槽道」，第1 欄第40-48 行指出：「主要問題為…自基板移除材料的過程中的速率與均勻度…以避免過度研磨與不均一的研磨…」，第6 欄第49-53 行指出：「此處提供之槽道樣式係為強化在一旋轉研磨墊上的基板上的研漿分佈」。上開問題與技術手段均與系爭專利相同。

⑶證據3 圖2 已揭露「多數圓形槽道」，其[0010]亦指出：「每單位面積的『槽道數目與間距經最佳化』用以達到『高研磨率與高研磨均一度』」，且[0016]指出：「深度約0.01至0.06吋」，「每吋2-32條槽道（即間距為0.0312-0.492吋）」。

⑷證據6 教示一種在一化學機械研磨系統中研磨一基材的研磨墊，圖1(d)所示，該研磨墊具有一較硬的上層與一較軟的下層，該上層之厚度為0.05英吋。該上層係由Rodel IC1000墊子所構成，該下層則由RodelSUBAIV 墊子所構成。如圖1(b)所示，該研磨墊的上層形成有複數條實質圓形、呈同心狀排列的槽道等間隔地分布在研磨表面，證據6 第41頁倒數第9-10行教示使用淺的槽道以易於沖洗研漿。

⑸證據8 圖5 及圖6 揭露具有多數同心圓槽道的研磨墊，且證據8 第278 頁（證據9 第5 頁第3 段）教示：「有效接觸工作件的研磨面積越向研磨墊的外圍越小。…因此，在該研磨墊接觸區域，越朝中心區域，被研磨物接觸研磨墊的時間越長，反之，越朝向外圍接觸時間越短」。而「寬度與間距二者至少其一不同」於證據8 第279 頁（證據9 第6 頁) 最末段下教示：「複數同心圓槽道寬度自中心向外圍變小，但間距大致維持不變；亦可將寬度做成大致相同，但間距向外圍逐漸變寬。」

⑹證據10揭示達到均一研磨平坦度之技術，其第6 欄第18-24 行揭示：較佳的情形是在邊緣地帶的槽道間隔比（pitch ratio=凸起寬度/(凸起寬度+ 凹陷寬度)較小，亦即：研磨墊凸起與凸起間的空隙密度在邊緣處較大，而中央部份的空隙密度則較小。

⑺證據22圖15揭露具有多數同心圓槽道的三個研磨區，且圖15及其相應說明中已教示將位於研磨墊外圍區域與接近中心區域的研磨區的槽道寬度與間距做成大致相同，只有在研磨墊半徑中點附近的研磨區域槽道寬度較窄。

3.系爭專利為選擇性發明，僅描述能達成與先前技術同樣之功效，並未揭露「臨界性」特色存在之原因，不具可專利性：系爭專利說明書僅敘述系爭專利具有如先前技術所能達成之相同功效（如，避免「快帶效應」、使研漿均勻分佈在研磨墊的表面上等）。惟系爭專利說明書並未提供具體敘述或實驗數據以顯示系爭專利之發明與先前技術相較，能產生「無法預期的功效」，或具有「臨界性」以使這些效應更為顯著而有效。又「臨界性」係證明一選擇發明能夠被准予專利的核心概念，如專利權人僅空言該等數值或數值範圍為其專利權之範圍，卻未揭示如何得到此等數值，及為何與先前技術相較，該等數值可產生更顯著的功效，且若此一專利申請案得以獲准專利，則此現象無異象徵任何人僅藉由在紙面上稍微改變眾所周知的先前技術之數值或形狀，而無須在發展新技術上做任何努力，即能得到一排他專利權。故系爭專利確已違反選擇性發明之規定而無效。

4.系爭專利說明書並未揭露系爭專利申請專利範圍第5 項所載數值具有較先前技術所未慮及或更佳之臨界性功效：

⑴系爭專利說明書僅為一種廣泛之研磨墊製作的原理、原則，並非針對習知技術之既有尺寸與諸多選定尺寸於實驗比較後，驗證得知系爭專利之發明與先前技術相較，能產生「無法預期的功效」，或具有「臨界性」以使這些效應更為顯著而有效，是原告無法提出證明系爭專利申請專利範圍所載數值不但未被先前技術揭露，且能產生優於先前技術揭露之數值之功效之證據。又證據3[0010] 已揭露「多數圓形槽道」，及「每單位面積的『槽道數目與間距經最佳化』用以達到『高研磨率與高研磨均一度』」，且[0016]指出：「深度約0.01至0.06吋」，「每吋2 至32條槽道（即間距為0.0312至0.492 吋）」以及槽道截面可為半圓形，當截面為半圓形時，槽道的寬度係兩倍的深度，亦即深度(0.01 至0.06吋)x2=寬度(0.02 至0.12吋) ，則熟悉該項技藝之人參考證據3 之「圓形槽道」並將尺寸由其證據3 揭露之範圍內選定為「0.03吋之深度，0.02吋之寬度，及0.12吋之間距」，應認為可輕易完成。故系爭專利申請專利範圍第5 項相較於證據3不具進步性。

⑵系爭專利並未於申請專利範圍中界定「槽道斷面形狀」，僅界定槽道形成之圖案與槽道寬度、深度等，證據2 、3 已揭露系爭專利申請專利範圍第5 項的槽道尺寸，由證據2 、3 之教示，在系爭專利完成當時，熟習該項技術者修改證據6 所揭示的槽道的尺寸成一特定尺寸，以便針對特定的研磨墊種類與研漿與特定的被研磨基材種類而將槽道的尺寸最佳化，使能在特定的應用上達到高研磨率與研磨均勻度，乃屬顯而易知。故系爭專利申請專利範圍第5 項，相較於證據2、3 、6 之組合，亦不具進步性。

5.原告主張系爭專利界定之研磨墊槽道尺寸「能夠達成上述所有證據均未提及之至少六項技術功效」，且是「不可預期之功效」，僅為系爭專利說明書中敘述研磨墊較佳應具有之功效，均已見於以下之習知技術：

⑴研磨均勻度：證據2 第1 欄40-48 行：「主要問題為…自基板移除材料的過程中的速率與均勻度…以避免過度研磨與不均一的研磨…」；證據8 （第3 圖、278 頁）教示研磨（材料削去) 率係與一段研磨時間中研磨墊與被研磨物實際接觸面積成正向對應的關係。

⑵研漿分配之均勻性：證據2 第6 欄49-53 行：「此處提供之槽道樣式係為強化在一旋轉研磨墊上的基板上的研漿分佈。」；證據6 第42頁[Conclusion]: 「研磨墊表面之槽道不僅改善研磨時晶圓表面的研磨漿之流動…藉此增加與維持穩定的研磨率」。

⑶研磨墊壽命：證據7 第4 欄第56-65 行揭露：「加大槽道深度能提高研磨墊壽命」，恰可對應系爭專利說明書第9 頁第15行「研磨墊之相對深度槽道同時改良墊之壽命」；證據11第2 欄14至17行：「減少槽道數目以增加接觸工件的研磨面積，可因此增加研磨墊壽命」。

⑷原告主張d （有效沖刷廢料離開槽道）、e （完成研磨週期後幫助研磨墊與基板分離）、f （避免平坦化效應）等所謂系爭專利之優點與功效，僅係採用「槽道」形式的研磨墊所具有之好處，其抄自系爭專利說明書第9 頁第11至15行：「諸槽道是足夠寬，使得由調整製程所產生之廢料可以由槽道沖掉。該槽道係足夠地強，以避免平坦化效應」，以及第25頁「槽道降低了於研磨及調整週期中所產生之廢料與研漿相界之可能性。諸槽道使得廢料容易遷離開研磨表面，降低了阻礙之可能性」；惟證據2 第2 欄48行以下即說明採用「槽道」之研磨墊的各種槽道形狀及優缺點，且證據2 揭露系爭專利申請專利範圍第1 、2 、4 、6項之槽道形狀與尺寸等技術特徵，具有系爭專利文字敘述之功效，且證據6 第41頁倒數第9-10行教示使用淺的槽道以易於沖洗研漿。又證據22係為使研磨墊半徑中點附近較常與工件接觸研磨的區域有較長壽命，減少因平坦化效應所需對研磨墊進行之修整，而採用較大的接觸面積（較小槽道寬度），而系爭專利第16頁倒數第1-2 行提及：「若槽道太寬，該研磨墊將會太富彈性，因此，平坦化效應將會發生」，可見，證據22與系爭專利之功效相同。再者，證據8 第278 頁（證據9 第5 頁第3 段）教示：「有效接觸工作件的研磨面積越向研磨墊的外圍越小…因此，…在該研磨墊接觸區域，越朝中心區域，被研磨物接觸研磨墊的時間越長，反之，越朝向外圍接觸時間越短」，則熟習該項技術者參酌證據8 、22，自能視研磨墊各區域實際與工件接觸研磨時間的多寡，而調整同心圓槽道的寬度或間距，藉以同時達成研磨均一度與減少平坦化效應。

（四）舉發為「公眾審查制度」，原告不能以被告於專利實體審查時未能發現系爭專利已為先前技術所揭露或說明書揭露不充分為由，主張被告之舉發審定理由違法：被告於專利實體審查階段所能發現之先前技術有其侷限性，當時所列入考慮之先前技術，並非如同舉發階段參加人所提出之先前技術般全面而完整，故斯時被告尚難認定系爭專利僅是眾多先前技術揭露之眾多研磨墊槽道形狀與尺寸的可能選項之一，或是並未揭露相較於先前技術具有臨界性之進步性特徵。又舉發制度為一種「公眾審查制度」，係藉由公眾審查之力量彌補被告於檢索及/ 或判斷先前技術能力與時間之欠缺，使不應被授予專利權之技術自始不生專利權效力之制度。因此，原告不能藉由被告於專利申請階段實體審查當時尚不能發現系爭專利已為先前技術所揭露或說明書本身揭露不充分為由，主張被告於舉發階段之審定有所違誤。

（五）系爭專利第19頁揭露之「快帶效應」與舉發證據教示相同：

1.原告主張熟習該項技術者沒有動機將證據2 第2 圖螺旋形槽道與證據2 第5 圖之圓形槽道之研磨墊彼此參照組合，以肯定系爭專利進步性。惟同一份舉發證據之先後段落說明文字與圖式，既屬同樣技術領域，又無彼此矛盾之技術特性，熟習該項技術者當然能輕易思及將二實施例之參數交互運用測試以實現其所欲之功效，且證據2 第5 欄第10行以下揭示槽道26 只 須至少部分地在徑向方向延伸，不一定為螺旋形，而可為直線形，是證據2 並不拘於只能採用某種特定形狀之槽道。

2.系爭專利申請專利範圍第6 項載明：「槽道對隔條之寬度比是於0.01至0.25之間」，顯過大而不受說明書支持；又系爭專利申請專利範圍第6 項之「槽道對隔條之寬度比」特徵，已為證據2 、證據2 、3 之組合、證據2、3 、6 之組合所得以輕易思及與完成；再者，證據6圖(b) 與圖(d) 揭露之IC1000研磨墊係具有0.01的寬度、0.06的間距，故隔條寬度為0.05，因此推算出證據6之「槽道對隔條之寬度比」為0.01/0.05 = 0.2 ，此可以證明證據6 確已揭露系爭專利所謂的「堅固的尺寸設計」、「槽道不可太寬」的槽道設計方式，亦具有與系爭專利相同之「避免變形所導致的平坦化效應」之功效。

3.證據22係為使研磨墊半徑中點附近較常與工件接觸研磨的區域有較長壽命，減少因平坦化效應所需對研磨墊進行之修整，而在半徑中點附近（最內圈與最外圈的中央）採用較大的接觸面積（較小槽道寬度），此與系爭專利第16頁倒數第1-2 行提及：「若槽道太寬，該研磨墊將會太富彈性，因此，平坦化效應將會發生」，實為相同之技術原理之揭露。

4.系爭專利說明書第19- 20頁所述之補償快帶效應的原理與功效為：「結果顯示研磨速度係相對於研磨表面積於研磨時接觸基板之百分比。藉由提供一研磨墊，以一區域有較多之表面積為槽道所佔據，則研磨速度於該區域被降低，此於區域154 中之密間距槽道減少了於基板之過研磨之研磨速度，則研磨墊補償了快帶效應並改良了研磨之均勻性。」然而，證據8 第278 頁（證據9 第5頁第3 段）教示：「有效接觸工作件的研磨面積越向研磨墊的外圍越小。…因此，…. 在該研磨墊接觸區域，越朝中心區域，被研磨物接觸研磨墊的時間越長，反之，越朝向外圍接觸時間越短」；關於「寬度與間距二者至少其一不同」，則為證據8 第279 頁（證據9 第6 頁）最末段所教示：「複數同心圓槽道寬度自中心向外圍變小，但間距大致維持不變；亦可將寬度做成大致相同，但間距向外圍逐漸變寬」。故證據8 （或證據9 ）已教示研磨( 材料削去) 率係與一段研磨時間中研磨墊與被研磨物實際接觸面積成一正向對應的關係。

（六）證據10、11、22為適格之先前技術，原證5 不能否定研磨業界經常輕易地交互參照lapping 與polishing 技術：原證5 之圖1.1 僅顯示「lapping 」技術與「研磨（polishing ）」技術之差異僅在於被研磨工件之表面粗度不同，證據10、11、22所揭露之研磨墊槽道設計原理，其研磨液分布與槽道分布對研磨效果之影響與系爭專利並無不同。參加人於舉發程序中已經提出舉發附件7 、8 、9 ，證明製造研光機的廠商同時也做研磨機，由此可證lapping與polishing 之技術，經常為技術人士交互參照、應用，且在系爭專利歐洲對應案EP0878270 審查時，審查委員引用證據11並標示其為「極度相關之先前技術」（因其於檢索報告上之標號為「X 」）。因此，原告主張證據10、11、22之技術領域不同故非適格先前技術，實非可採。

（七）證據8 、10、11及22及其他證據已提供充分之組合動機，熟習該項技術者可基於其既有之知識合理地嘗試各種組合，且能合理地預期將得致所希望（成功）之結果：

1.證據8 、10、11、22以外之證據皆為研磨墊相關前案，上開研磨墊相關專利與系爭專利屬相同技術領域、其所欲解決之問題相同（如解決研磨不均勻之問題、改善研漿分布等）或具有關連性、與系爭專利於功能或作用上（如解決研磨不均勻之問題，改善研漿分布等）相同，已促使熟習該項技術者具有合理之組合動機。

2.證據8 之發明名稱即為「研磨皿」，其係用以「研磨」，並非研光，故證據8 與系爭專利實為同一技術領域，且證據8 所揭露之研磨墊槽道設計原理，其槽道分布對研磨效果之影響（即研磨削去率係與一段研磨時間中研磨墊與被研磨物實際接觸面積成正向對應關係），與系爭專利說明書第19-20 頁所述補償快帶效應之原理與功效一致。又參加人於舉發程序所提附件9 顯示SpeedFamInternational,Inc. 公司同時販賣雙面研磨機/ 研光機及單面研磨機/ 研光機，其不僅可用於矽晶圓，亦可用於磁碟、石英晶圓、陶瓷及藍寶石等，可見不論是用來研磨積體電路用晶圓或石英、藍寶石等光學元件用晶圓之研磨墊，此類研磨墊之設計均有其共通之處，可互相參照。

3.證據10、11、22與系爭專利屬高度相關之技術領域，並且在欲解決之問題、達成之功能或作用上相同，故本領域熟習該項技術者會認為上開證據具參考價值，且證據5 第4 欄62-65 行指出：「元件10（即研磨墊）及以下所述者，係藉由一研磨操作，例如：lapping 、planarizing 、grind ing 或shaped等，以改變一工作物之表面」，可知，證據5 此領域熟習該項技術者之眼光來看，不論lapping 、planarizing 、grinding、shaped之中文翻譯為何，其均屬於「研磨操作」之技術領域，可用同樣技術原理之研磨墊來進行此種研磨操作。

4.熟習該項技術者具有合理動機將證據8 、10、11、22等先前技術彼此或與其他證據組合：參加人於舉發程序中已經提出舉發附件7 、8 、9 ，證明製造研光機之廠商同時也做研磨機，可證lapping 與polishing 之技術經常為技術人士交互參照、應用，故研磨墊及研磨設備或儀器等並非由「熟習半導體領域人士所製造，而是由熟習研光機、CMP 研磨墊及設備等技術人士所製造，且舉發附件8 之網頁亦建議有些研光機（例如型號LP600 ）亦可用於CMP 製程，是作研磨墊與研磨設備之所屬技術領域中熟習該項技術者有合理動機將舉發證據8 、10、11、22等先前技術與研磨晶圓之研磨墊之技術交互參照並組合；又參證6 已指出Lapping、Polishing 及Buffing 三者均為表面精加工技術之一，並且Buffing 相對Polishing 只有研磨顆粒更細以及所使用的擦光墊質地通常是軟質的之差別，三者是表面精加工領域中緊密相關的技術；再者，參證7 第338 頁：「研光超高精確度加工方法接下來依據所需要表面品質進行研磨（拋光）製程，於研磨時，元件先經過研光以達成高材料移除率並且維持良好的表面品質及尺寸，並且形成公差。爾後，進行研磨以產生包含鏡面拋光之最高的表面品質」，已明確指出可對同一表面進行研磨（拋光）及研光，並且為達最佳的表面品質，可以先進行研光，再進行研磨，則熟習該項技術者對同一工件進行精加工時，可能先後使用研磨及研光等製程，而為了改善研磨墊的問題，亦有動機參考研光墊之設計。從而，證據8 、10及22所揭露之研光及證據11所揭露之擦光，與系爭專利所揭露之研磨均屬有關表面精加工之技術領域的一種技術，且皆對於使工件表面均勻地平滑等技術手段有所揭示，熟習該項技術者藉由證據8 、10、11及22以解決先前技術之各項問題，並就其研磨墊進行改良，自有其合理之組合動機。

（八）舉發證據已揭露系爭專利申請專利範圍之技術特徵及功效，故各該證據組合可證明系爭專利申請專利範圍第1-25項均不具進步性：

1.證據2 、證據11、證據2 、3 之組合或證據2 、3 、6之組合，可證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具進步性：

⑴證據2 第1 欄40-48 行揭露：「主要問題為…自基板移除材料的過程中的速率與均勻度…以避免過度研磨與不均一的研磨…」。第6 欄49-53 行揭露：「此處提供之槽道樣式係為強化在一旋轉研磨墊上的基板上的研漿分佈」。圖5 揭露多數同心圓形槽道，第5 欄46-49 行揭露「螺旋形槽道26a …寬度約3.2mm （0.126 吋），深度至少5mm （0.0197吋），間距為12.5至25mm（0.492-0.984 吋）」。是系爭專利申請專利範圍第1 項為一選擇性發明，證據2 已揭露與系爭專利同樣之功效，系爭專利僅選擇或略微修改習知技術揭露之數值，並無任何超越習知功效或產生不可預期功效之事實，不具進步性。

⑵證據11揭露：圖3 為多數同心圓形槽道，第3 欄25-30 行：「0.20吋深度、0.12吋寬度，以及內外兩槽道之間距為3.1 吋」，第1 欄第9-12行、第2 欄第7-17行載明其發明宗旨與原理：證據11的槽道深度、寬度、間距與分布數量，係為了使研磨漿均勻分布，避免其噴濺，並增加研磨墊壽命。是系爭專利申請專利範圍第1 項為選擇性發明，證據11已揭露與系爭專利相同之功效，系爭專利僅選擇或略微修改習知技術揭露之數值，並無超越習知功效或產生不可預期功效之事實，故不具進步性。

⑶證據3 揭露：[0010]每單位面積的「槽道數目與間距經最佳化」用以達到『高研磨率與高研磨均一度』」，圖2 為多數同心圓形槽道。證據3 之[0016]: 「深度約0.01至0.06吋」；「每吋2-32條槽道（即間距為0.0312-0.492吋）」。

⑷證據6 揭露：圖1 （b ）圖1 （d ）為一研磨墊具有同心圓槽道，槽道深度為0.015 吋，間距為0.06吋，寬度為0.01吋，其槽道與槽道間隔條寬度0.05吋（=槽道間距0.06減去槽道間的隔條寬度0.01），將槽道寬度0.01吋除以隔條寬度0.05吋，得到槽道對隔條的寬度比0.2 、槽道的寬度對深度比0.677 。其研磨墊具有一較硬的上層與一較軟的下層，該上層之厚度為0.05英吋。該上層係由Rodel IC1000墊子所構成，該下層則由RodelSUBA IV墊子所構成，其「研磨墊表面之槽道不僅改善研磨時晶圓表面的研磨漿之流動…藉此增加與維持穩定的研磨率」，熟習該項技術者參酌證據2 、3 之組合或證據2 、3 、6 之組合，可自個別的前案證據中獲得充分動機而將其組合以修改完成系爭專利申請專利範圍第1 項之技術，則系爭專利申請專利範圍第1 項僅選擇或略微修改習知技術揭露之數值，並無超越習知功效或產生不可預期功效之事實，故不具進步性。

2.證據2 、3 之組合，或證據2 、3 、6 之組合，可證明系爭專利申請專利範圍第2 項不具進步性：系爭專利申請專利範圍第2 項係一種用以於一化學機械研磨系統中研磨一基板之研磨墊，其至少包含：一研磨表面，具有多數實質圓形槽道，諸槽道具有至少0.02吋之深度，0.015 至0.04吋之寬度，及至少0.09吋之間距。而證據2 、3 、6 之技術特徵，已如上述，故依證據2 、3 之組合證據2 、3 、6 之組合，熟習該項技術者可自上開證據中獲得充分動機而將其組合，以修改完成系爭專利申請專利範圍第2 項之技術，系爭專利申請專利範圍第2 項係一種數值選擇之發明，上開證據均係有關在使被研磨（或研光）之工件表面較未磨前平滑，使各區域研磨均勻，並改善研磨漿之分布與流動，已揭露與系爭專利同樣之功效，系爭專利申請專利範圍第2 項僅選擇或略微修改習知技術揭露之數值，並無超越習知功效或產生不可預期功效之事實，故不具進步性。

3.證據2 、3 、6 之組合，可證明系爭專利申請專利範圍第3 項不具進步性：證據2 、3 、6 之技術特徵，已如上述，且證據3 已覆蓋系爭專利申請專利範圍第3 項之間距範圍，熟習該項技術者可自證據2 、3 、6 中獲得充分動機而將其組合以修改完成系爭專利申請專利範圍第3 項之技術。系爭專利申請專利範圍第3 項涉及一種數值選擇之發明，上開證據均係有關在使被研磨（或研光）之工件表面較未磨前平滑，使各區域研磨均勻，並改善研磨漿之分布與流動，已揭露同樣之功效，系爭專利申請專利範圍第3項僅選擇或略微修改習知技術揭露之數值，並無超越習知功效或產生不可預期功效之事實，故不具進步性。

4.證據2 、6 、17之組合，或證據11、6 、17之組合，可證明系爭專利申請專利範圍第4 項不具進步性：

⑴證據2 之col. 5, lines 23-25 教示研磨墊可為選自IC1000或Suba IV 的複合墊；證據6 之圖1 （d ）揭示研磨墊具有一上層，其厚度為0.05英吋，41頁10-11 行揭示該研磨墊以Rodel IC1000為其上層材料，以Suba IV 為較軟的下層材料；證據11已揭露槽道深度、寬度、間距與分布數量，係為了使研磨漿均勻分布，避免其噴濺，並增加研磨墊壽命；證據17為Rode l玻璃研磨墊的規格表，教示該IC1000研磨墊除了標準厚度0.05英吋外，0.08英吋或更大厚度的研磨墊亦可取得。

⑵證據2 、6 、11、17均係有關在使被研磨（或研光）之工件表面較未磨前平滑，為相同或高度相關之技術領域，證據2 、6 、11均係為達成相同功效與作用，使各區域研磨均勻，改善研磨漿之分布與流動，且證據17顯示研磨墊業界之基本研磨墊之標準規格，屬於業界通常知識，熟習該項技術者自有組合證據2 、6、11或或證據11、6 、17之動機，則上開證據之先前技術已揭露與系爭專利同樣之功效，系爭專利申請專利範圍第4 項僅選擇或略微修改習知技術揭露之數值，並無超越習知功效或產生不可預期功效之事實，故不具進步性。

5.證據2 、3 、6 之組合，可證明系爭專利申請專利範圍第5 項不具進步性：系爭專利申請專利範圍第5 項係一種用以於一化學機械研磨系統中研磨一基板之研磨墊，其至少包含：一研磨表面，具有多數實質圓形槽道，諸槽道具有約0.03吋之深度，0.02吋之寬度，及0.12吋之間距。惟證據2 、3及6 為熟習該項技術者可自個別的前案證據中獲得充分動機將其組合，以修改完成系爭專利申請專利範圍第5項之技術。又系爭專利申請專利範圍第5 項涉及一種數值選擇之發明，上開前案證據均係有關在使被研磨（或研光) 之工件表面較未磨前平滑，使各區域研磨均勻，並改善研磨漿之分布與流動，已揭露與系爭專利同樣之功效，系爭專利僅選擇或略微修改習知技術揭露之數值，並無超越習知功效或產生不可預期功效之事實，故不具進步性。

6.證據2 ，或證據2 、3 之組合，或證據2 、3 、6 之組合，可證明系爭專利申請專利範圍第6 項不具進步性：系爭專利申請專利範圍第6 項係一種用以於一化學機械研磨系統中研磨一基板之研磨墊，其至少包含：一研磨表面，具有多數實質圓形槽道，諸槽道具有至少0.02吋之深度，至少0.015 吋之寬度，及至少0.09吋之間距，其中上述之槽道係被隔條所分離，槽道對隔條之寬度比是於0.01至0.25之間。惟證據2 之col. 5, lines46-49，其揭露的數值換算為槽道對隔條的寬度比為：0.126/（0.984-0.126 ）- 0.126/（0.492-0.126 ）, 即0.147-0.344.圖揭示同心圓形槽道；col.1,lines 40-48 揭露：「主要問題為…自基板移除材料的過程中的速率與均勻度…以避免過度研磨與不均一的研磨」。而系爭專利申請專利範圍第6 項為一選擇性發明，證據2 已揭露與系爭專利同樣之功效，系爭專利僅選擇或略微修改習知技術揭露之數值，並無超越習知功效或產生不可預期功效之事實，故不具進步性。又證據3 、6 之技術特徵，已如所述，則熟習該項技術者自有充分動機組合證據2 、3 或證據2 、3 、6 ，以修改完成系爭專利申請專利範圍第6 項之技術，且系爭專利申請專利範圍第6 項涉及一種數值選擇之發明，上開證據均係有關在使被研磨（或研光）之工件表面較未磨前平滑，使各區域研磨均勻，並改善研磨漿之分布與流動，已揭露與系爭專利同樣之功效，系爭專利申請專利範圍第6 項僅選擇或略微修改習知技術揭露之數值，並無超越習知功效或產生不可預期功效之事實，不具進步性。

7.證據8 ，證據8 、10之組合，或證據8 、12之組合，或證據10、12之組合，或證據8 、22之組合，或證據10、22之組合，可證明系爭專利申請專利範圍第7 項不具進步性：

⑴證據8 之圖5 與圖6 揭露同心圓形槽道；第278 頁（證據9,p.5 ）「 有效接觸工作件的研磨面積越向研磨墊的外圍越小。…因此，…. 在該研磨墊接觸區域，越朝中心區域，被研磨物接觸研磨墊的時間越長，反之，越朝向外圍接觸時間越短」，第279 頁（證據9,p.6 ）「複數同心圓槽道寬度自中心向外圍變小，但間距大致維持不變；亦可將寬度做成大致相同，但間距向外圍逐漸變寬」。證據8 已教示研磨（材料削去）率係與一段研磨時間中研磨墊與被研磨物實際接觸面積成一正向對應的關係。此與系爭專利說明書第19-20 頁所述之補償快帶效應的原理與功效相同。系爭專利申請專利範圍第7 項為一選擇性發明，證據8已揭露與系爭專利同樣之功效，且系爭專利申請專利範圍第7 項僅選擇或略微修改習知技術揭露之數值，並無超越習知功效或產生不可預期功效之事實，故不具進步性。

⑵證據10之圖3 及圖5a-5c 具有不同寬度或間距的數個研磨區域。其col. 6, lines 18-24 揭露：「較佳的情形是在邊緣地帶的槽道間隔比（pitch ratio=凸起寬度/ （凸起寬度+ 凹陷寬度）較小，亦即研磨墊凸起與凸起之間的空隙密度在邊緣處較大，而中央部份的空隙密度則較小」；col. 4, lines 26-31 揭露：「非均勻的間距(pitch) 的槽道10，以維持距離研磨墊2 中心X-X 軸之任一研磨位置處之工件待研磨表面積與研磨墊研磨表面積比例之恆定」；col.7,lines6-12 揭露：「減少均勻間距的墊所需要的間歇性修整；證據10教示不均勻寬度、間距的數研磨區，能夠達成均勻研磨」，此與系爭專利說明書第25頁第1-3 行所述不同寬度及/ 隔條之梯度能達成「於相鄰區域間形成均勻研磨」，其原理與功效相同。

⑶證據12之col. 2, lines 1-10、48-55 揭露：「被研磨物如晶圓（wafer ）等在研磨墊外圍相較於在中央區域將面臨較大的研磨率」，此即系爭專利所稱之「快帶效應」，圖3 及其相應敘述中指出將研磨墊分成數個同心圓形區域，每個區域有不同孔洞密度，用以達成研磨均一或不均一。

⑷證據22之圖15為數個環形研磨區，第6 頁18-20 行揭露：「同心圓或螺旋形槽道」，第20頁11-16 行揭露：「數條圓形或螺旋形槽道93由研磨表面向下切出。最接近研磨墊半徑中點的那些槽道93的寬度最窄，槽道寬度朝研磨墊內圈與外緣增加」，則證據22已揭露具有多數同心圓槽道之第一研磨區域，及具有多數同心圓槽道之第二研磨區，且第二寬度不同於第一寬度，且圖15揭露具有多數同心圓槽道之第三研磨區。故證據22是為了使研磨墊半徑中點附近較常與工件接觸研磨的區域有較長壽命，減少因平坦化效應所需對研磨墊進行之修整，而在半徑中點附近（最內圈與最外圈的中央）採用較大的接觸面積（較小槽道寬度）。

⑸依證據8 、10之組合，或證據8 、12之組合，或證據10、12之組合，或證據8 、22之組合，或證據10、22之組合，熟習該項技術者可自上開證據中獲得充分動機而將其組合，並自其中之任一組合證據修改完成系爭專利申請專利範圍第7 項之技術；又系爭專利申請專利範圍第7 項涉及一種數值選擇之發明，上開證據均係有關在使被研磨（或研光）之工件表面較未磨前平滑，在研磨墊上不同區域採用不同槽道寬度或間距（或不同孔洞密度），使各區域研磨均勻，同時能減少研磨墊之修整次數，彼此間達成之功能與作用同一，已提供熟習該項技術者組合動機，並揭露與系爭專利同樣之功效，系爭專利申請專利範圍第7 項僅選擇或略微修改習知技術揭露之數值，並無超越習知功效或產生不可預期功效之事實，不具進步性。

8.證據8 、10之組合，或證據8 、12之組合，或證據10、12之組合，或證據8 、22之組合，或證據10、22之組合，可證明系爭專利申請專利範圍第8 、9 項不具進步性：系爭專利申請專利範圍第8 項係如申請專利範圍第7 項所述之研磨墊，更包含一第三研磨區域包圍該第二研磨區域，並具有第三多數實質同心圓槽道，槽道具有第三寬度及第三間距，而系爭專利申請專利範圍第9 項，係如申請專利範圍第8 項所述之研磨墊，其中第三寬度及間距係分別等於第一寬度及間距，依上開證據之組合，熟習該項技術者參酌證據10圖3 、5A、5B、5C的三個或以上具有不同寬度或間距的槽道所形成的同心圓研磨區域，以及證據8 所述調整研磨率以降低快帶效應的做法，或參酌證據12，將不同密度之孔洞改變成不同密度槽道，即屬易於思及系爭專利申請專利範圍第8 、9 項之內容。

9.證據8 、12之組合，或證據10、12之組合，可證明系爭專利申請專利範圍第10、11項不具進步性：系爭專利申請專利範圍第10項係如申請專利範圍第9 項所述之研磨墊，其中第一間距係大於第二間距，而系爭專利申請專利範圍第11項，係如申請專利範圍第10項所述之研磨墊，其中第一間距係兩倍大於第二間距。惟參酌證據8 、10同心圓槽道間距與寬度的變換方式，將證據12圖3 下半圓的三個「疏- 密- 疏」區域中的孔洞改成槽道，即第三區域與第一區域的槽道做成相同的寬度與間距，且較第二區域的槽道間距為大，即屬易於思及而無增進功效，是就上開證據之技術特徵而言，熟習該項技術者可自上開證據中獲得充分動機組合以修改完成系爭專利申請專利範圍第10、11項之技術；又系爭專利申請專利範圍第10、11項涉及一種數值選擇之發明，上開證據均係有關在使被研磨（或研光）之工件表面較未磨前平滑，在研磨墊上不同區域採用不同槽道寬度或間距（或不同孔洞密度），使各區域研磨均勻，同時能減少研磨墊之修整次數，彼此間達成之功能與作用同一，已提供熟習該項技術者組合動機，且已揭露同樣之功效，則系爭專利申請專利範圍第10、11項，僅選擇或略微修改習知技術揭露之數值，並無超越習知功效或產生不可預期功效之事實，不具進步性。

10.證據8 、10之組合，或證據10、12之組合，或證據8 、12之組合，可證明系爭專利申請專利範圍第12、13項不具進步性:系爭專利申請專利範圍第12項，係如申請專利範圍第9項所述之研磨墊，其中第一寬度是少於第二間距，而系爭專利申請專利範圍第13項，係如申請專利範圍第12項所述之研磨墊，其中第二寬度是六倍大於第一間距，則就上開證據之技術特徵，熟習該項技術者可自上開證據中獲得充分動機組合以修改完成系爭專利申請專利範圍第12、13項之技術；又系爭專利申請專利範圍第12、13項涉及一種數值選擇之發明，而上開證據均係有關在使被研磨（或研光）之工件表面較未磨前平滑，在研磨墊上不同區域採用不同槽道寬度或間距（或不同孔洞密度），使各區域研磨均勻，同時能減少研磨墊之修整次數；上開證據彼此間達成之功能與作用同一，已提供熟習該項技術者之組合動機，且系爭專利欠缺數據證明所限定的「第一寬度少於第二間距」相較於習知有三個研磨區域且有間距變化之研磨墊有顯著之進步或由習知技術所無法預期的功效，系爭專利申請專利範圍第12、13項僅選擇或略微修改習知技術揭露之數值，並無超越習知功效或產生不可預期功效之事實，不具進步性。

11.證據8 ，或證據8 、10之組合，或證據8 、12之組合，或證據10、12之組合，或證據8 、22之組合，或證據10、22之組合，或證據2 、5 、8 之組合，或證據2 、5、8 、10之組合，或證據2 、5 、8 、12之組合，或證據2 、5 、10、12之組合，或證據2 、5 、8 、22之組合，或證據2 、5 、10、22之組合，可證明系爭專利申請專利範圍第14項不具進步性：系爭專利申請專利範圍第14項，係如申請專利範圍第7項所述之研磨墊，其中第一多數槽道係為第一多數環形隔條所分離及第二多數槽道係由第二數環形隔條所分離，以及第一多數隔條覆蓋第一區域之表面積之75% ，以及第二多數隔條係覆蓋第二區域之表面積之50% 。

⑴證據2 之圖5 為同心圓槽道，其col. 5, lines46-49揭露：「螺旋槽道2626a …寬度約3.2 mm（0.126吋），深度至少0.5 mm（0.0197吋），間距為12.5至25mm（0.492-0.984 吋），隔條所占表面積為0.74-0.87 」。故證據2 揭露第一區域的研磨接觸面積比例（隔條面積覆蓋率）75% 。

⑵證據5 之圖5 與圖6 揭露同心圓槽道，其col.8,lines 53-56 、64-66 揭露：「研磨墊10的工作表面18可以進一步包含凹陷的槽道26及/ 或凸起的隔條28。…藉由使表面有凹凸，使研磨接觸表面積達到50% 或更多」，col.9,lines 46-55 揭露圖5 、圖6 所示同心圓槽道尺寸，即槽道間距1.397 mm，深度0.356mm ，槽道底部為一60度的斜坡，計算得到槽道寬度為0.617 mm，換算隔條28的面積覆蓋率為0.559 。故證據5 揭露第二區域的研磨接觸面積比例（隔條面積覆蓋率）50% ；又col.9,lines46-55揭露圖5 、圖6 所示同心圓槽道尺寸，即槽道間距1.397mm ，深度0.356mm ，槽道底部為一60度的斜坡，計算得到槽道寬度為0.617 mm，換算隔條28的面積覆蓋率為0.559 。故證據5 已揭露第二區域的研磨接觸面積比例（隔條面積覆蓋率）50% 。

⑶系爭專利申請專利範圍第14項為一選擇性發明，證據8 已揭露與系爭專利同樣之功效，系爭專利申請專利範圍第14項，僅選擇或略微修改習知技術揭露之數值，並無超越習知功效或產生不可預期功效之事實，不具進步性；又系爭專利申請專利範圍第14項涉及一種數值選擇之發明，而上開證據均係有關在使被研磨（或研光）之工件表面較未磨前平滑，在研磨墊上不同區域採用不同槽道寬度或間距（或不同孔洞密度），使各區域研磨均勻，同時能減少研磨墊之修整次數，而上開證據彼此間達成之功能與作用同一，已提供熟習該項技術者之組合動機，且已揭露與系爭專利同樣之功效，則系爭專利申請專利範圍第14項僅選擇或略微修改習知技術揭露之數值，並無超越習知功效或產生不可預期功效之事實，不具進步性。

12.證據8 ，證據8 、10之組合，或證據8 、12之組合，或證據10、12之組合，或證據8 、22之組合，或證據10、22之組合，可證明系爭專利申請專利範圍第15項不具進步性：

⑴證據8 之圖1 揭露螺旋槽道，圖5 及圖6 揭露同心圓槽道，於第279 頁（證據9, p.6, lines 7 至9 ）揭露一研磨表面上有一「螺旋槽道」，其寬度可為固定值，且該螺旋槽道的間距可由中央朝邊緣逐漸變大，以改善快帶效應，是證據8 已揭露與系爭專利申請專利範圍第15項同樣之功效，系爭專利申請專利範圍第15項僅選擇或略微修改習知技術揭露之數值，並何超越習知功效或產生不可預期功效之事實，不具進步性。

⑵證據10教示不均勻寬度、間距的數研磨區，能夠達成均勻研磨，此與系爭專利說明書第25頁第1-3 行所述不同寬度及/ 隔條之梯度能達成「於相鄰區域間形成均勻研磨」，其原理與功效相同；又系爭專利申請專利範圍第15項涉及一種在先前技術已有的槽道圖案中進行數值選擇之發明，而上開證據均係有關在使被研磨（或研光）之工件表面較未磨前平滑，在研磨墊上不同區域採用不同槽道寬度或間距（或不同孔洞密度），使各區域研磨均勻，同時能減少研磨墊之修整次數，上開證據彼此間達成之功能與作用同一，已提供熟習該項技術者之組合動機，且已揭露同樣之功效，系爭專利申請專利範圍第15項僅選擇或略微修改習知技術揭露之數值，並無超越習知功效或產生不可預期功效之事實，不具進步性。

13.系爭專利申請專利範圍第16-18 項所界定之「實質彎曲之槽道」用語之解釋：系爭專利申請專利範圍第16項，係一種用於化學機械研磨系統中之用以研磨基板之研磨墊，其至少包含：一第一研磨區域，具有第一多數之實質圓形之同心圓槽道；及一第二研磨區域包圍該第一研磨區域並具有多數實質彎曲之槽道；系爭專利申請專利範圍第18項如申請專利範圍第16項所述之研磨墊，其中上述之彎曲槽道具有於一至兩倍振幅及一倍半至兩倍寬度，系爭專利申請專利範圍第16、18項係採用「彎曲槽道」之名詞，並未進一步限定該「彎曲槽道」僅能係「蛇行」之形狀，則所謂「彎曲槽道」當然包含任何具有「彎曲」形狀、「圓弧」之形狀之槽道，例如圓形、螺旋形、片段弧形等槽道。

14.證據8 ，證據10，證據8 、10之組合，或證據8 、12之組合，或證據10、12之組合，或證據8 、22之組合，或證據10、22之組合，或證據8 、13之組合，或證據10、13之組合，或證據8 、12、13之組合，可證明系爭專利申請專利範圍第16、17項不具進步性：

⑴證據8 已揭露可做成數個不同研磨區域，與系爭專利同樣之功效，系爭專利申請專利範圍第16、17項僅選擇或略微修改習知技術揭露之數值，並無超越習知功效或產生不可預期功效之事實，不具進步性。

⑵證據10教示不均勻寬度、間距的數研磨區，能夠達成均勻研磨，此與系爭專利說明書第25頁第1-3 行所述不同寬度及/ 隔條之梯度能達成「於相鄰區域間形成均勻研磨」，其原理與功效相同。又證據10揭示兩個或兩個以上同心圓形或螺旋槽道的研磨區域（證據10圖3 、圖5A至5C揭示「具有不同寬度或間距的數個研磨區域」，則證據10申請專利範圍第1 項揭示槽道為螺旋形，即得以否定系爭專利申請專利範圍第17項之進步性。

⑶證據13已揭露彎曲槽道的各種態樣，如多條完整或片段的圓形或螺旋形槽道以非重疊或重疊方式組成的槽道圖案，用以分布研漿至研磨墊與基板的接觸區，則證據13之申請專利範圍第2 至4 項揭露「這些同心圓形槽道之間的間距可以相同，也可以不同」。因此，證據13含有多個研磨區，其具有不同間距的槽道的教示。

⑷就證據8 、10、12、13、22之組合，熟習該項技術者可自上開證據中獲得充分動機而將此5 證據交互組合以修改完成系爭專利申請專利範圍第16、17項之技術；又系爭專利申請專利範圍第16、17項涉及一種在先前技術已有的槽道圖案中進行數值選擇之發明，上開證據均係有關在使被研磨（或研光）之工件表面較未磨前平滑（相同或非常相關之技術領域）、在研磨墊上不同區域採用不同槽道寬度或間距（或不同孔洞密度），使各區域研磨均勻，同時能減少研磨墊之修整次數，彼此間達成之功能與作用同一，可提供組合動機，且已揭露與系爭專利同樣之功效，則系爭專利申請專利範圍第16、17項僅選擇或略微修改習知技術揭露之數值，並無超越習知功效或產生不可預期功效之事實，不具進步性。

15.證據8 、32之組合，或證據10、32之組合，或證據8 、10、32之組合，或證據8 、12、32之組合，或證據10、12、32之組合，或證據8 、22、32之組合，或證據10、22、32之組合，或證據8 、13、32之組合，或證據10、13、32之組合，可證明系爭專利申請專利範圍第18項不具進步性：

⑴證據8 、10、12、13、22均有多個研磨區域做成不同研磨接觸面積，以達成研磨均一性的教示，結合下列證據32利用波浪形槽道邊緣改善快帶效應以增進研磨均一度。

⑵證據32之圖2 、4 及5, col. 4, lines28-35 揭露波浪狀槽道邊緣以補償快帶效應「晶圓56懸於非圓形墊64的邊緣80，使得晶圓56的一部分在非圓形墊64上，一部分在非圓形墊64之外，用以補償因研磨墊外緣速度較快與內緣速度較慢的速度差所造成的研磨不均一」，即波形邊緣的波峰與波谷的距離（即兩倍振幅）不得大於被研磨物（晶圓）的直徑，並於第5 欄中詳述理由，又證據32設置具有振幅的不規則槽道，係為了減少快帶效應，增加研磨均一度，與系爭專利申請專利範圍第18項做成彎曲槽道的功效相同，且系爭專利說明書亦未說明「波浪形的彎曲槽道，其間距約為振幅與寬度的若干倍比例」較習知的彎曲槽道有不可預期之效果。

⑶證據8 、10、12、13、22、32均係有關在使被研磨（或研光) 之工件表面較未磨前平滑（相同或非常相關之技術領域）、在研磨墊上不同區域採用不同槽道寬度或間距（或不同孔洞密度），使各區域研磨均勻，同時能減少研磨墊之修整次數，上開證據彼此間達成之功能與作用同一，已提供熟習該項技術者之組合動機，且揭露同樣功效，則系爭專利申請專利範圍第18項僅選擇或略微修改習知技術揭露之數值，並無超越習知功效或產生不可預期功效之事實，不具進步性。又證據8 、10、12、13、22均一性的教示，基於與系爭專利同一技術領域、達成之功能與作用係相同或高度相關，自可合理預期如此修改可成功地完成系爭專利所述功效，故熟習該項技術者自有動機組合上開先前技術。

⑷證據11已揭露系爭專利申請專利範圍第18項所界定之「具有一倍振幅與一倍寬度之『彎曲槽道』」（同證據13中所述之「circulararcuate groove segments」），證據11之圖6 已揭露弧形槽道53。依據基本幾何學，弧形可視為僅有半個週期之一波動。故弧形槽道53可定義出如上圖所示之振幅a 、寬度w 及間距d，且弧形槽道53間之間距d 約為一倍振幅a 及約為兩倍寬度w ，又系爭專利說明書並未說明「彎曲槽道，其間距約為振幅與寬度的若干倍比例」較習知的彎曲槽道有任何不可預期之效果。則證據11、13均已揭露系爭專利申請專利範圍第18項「上述之彎曲槽道具有（介）於一至兩倍振幅及一倍半至兩倍寬度（之間距）」，可見這種槽道形狀是業界的通常知識，可與證據13、32與其他證據之組合，證明系爭專利申請專利範圍第18項不具進步性。

16.證據8 、13之組合，或證據10、13之組合，或證據22、13之組合，可證明系爭專利申請專利範圍第19、20、21項不具進步性：系爭專利申請專利範圍第19、20、21項涉及一種在既有槽道圖案中選擇排佈方式之發明，上開證據均係有關在使被研磨（或研光）之工件表面較未磨前平滑（相同或非常相關之技術領域）、在研磨墊上不同區域採用不同槽道寬度或間距，使各區域研磨均勻，同時能減少研磨墊之修整次數，彼此間達成之功能與作用同一，已提供熟習該項技術者之組合動機，且已揭露與系爭專利同樣之功效，則系爭專利申請專利範圍第19、20、21項僅選擇或略微修改習知技術揭露之槽道排佈，並無超越習知功效或產生不可預期功效之事實，不具進步性。

17.證據8 、11之組合，或證據10、11之組合，或證據11、22之組合，或證據8 、11、12之組合，或證據10、11、12之組合，或證據11、12、22之組合，可證明系爭專利申請專利範圍第22、23項不具進步性：證據8 、10、22均已教示兩個研磨區域中的圓形槽道的間距或寬度可以不同，可以證明系爭專利申請專利範圍第22、23項不具進步性；又系爭專利申請專利範圍第22、23項涉及一種自前案選擇圖案加以排佈之發明，上開證據均係有關在使被研磨（或研光）之工件表面較未磨前平滑（相同或非常相關之技術領域）、在研磨墊上不同區域採用不同槽道寬度或間距，使各區域研磨均勻，同時能減少研磨墊之修整次數，彼此間達成之功能與作用同一，已提供熟習該項技術者之組合動機，且已揭露與系爭專利同樣之功效，則系爭專利申請專利範圍第22、23項僅選擇或略微修改習知技術揭露之槽道形式，並無超越習知功效或產生不可預期功效之事實，不具進步性。

18.證據8 ，或證據8 、10之組合，或證據22，或證據8 、22之組合，或證據10、22之組合，或證據11、13之組合，可證明系爭專利申請專利範圍第24項不具進步性：證據8 、10、11、13、22之技術特徵，已揭示螺旋形與同心圓槽道功效無異，可互換或並用，則熟習該項技術者可自上開證據中獲得充分動機而交互組合以修改完成系爭專利申請專利範圍第24項之技術；又系爭專利申請專利範圍第24項涉及一種自上開前案選擇圖案加以排佈之發明，上開證據均係有關在使被研磨（或研光) 之工件表面較未磨前平滑（相同或非常相關之技術領域）、在研磨墊上不同區域採用不同槽道寬度或間距，使各區域研磨均勻，同時能減少研磨墊之修整次數，彼此間達成之功能與作用同一，已提供熟習該項技術者之組合動機，且已揭露與系爭專利同樣之功效，則系爭專利申請專利範圍第24項僅選擇或略微修改習知技術揭露之槽道形式，並無超越習知功效或產生不可預期功效之事實，不具進步性。

19.證據8 ，或證據8 、10之組合，或證據22，或證據8 、22之組合，或證據10、22之組合，可證明系爭專利申請專利範圍第25項不具進步性：證據8 、10、22均已教示兩個研磨區域中的槽道的間距或寬度可以不同，且已教示螺旋與同心圓槽道可以互換而無功效差異，則熟習該項技術者可自上開證據中獲得充分動機而交互組合以修改完成系爭專利申請專利範圍第25項之技術；又系爭專利申請專利範圍第25項涉及一種自前案選擇圖案、略微改變數值之發明，上開證據均係有關在使被研磨（或研光）之工件表面較未磨前平滑（相同或非常相關之技術領域）、在研磨墊上不同區域採用不同槽道寬度或間距，使各區域研磨均勻，同時能減少研磨墊之修整次數，彼此間達成之功能與作用同一，已提供熟習該項技術者之組合動機，且已揭露與系爭專利同樣之功效，系爭專利申請專利範圍第25項僅選擇或略微修改習知技術揭露之槽道形式，並無超越習知功效或產生不可預期功效之事實，不具進步性。

（八）綜上，上開證據已揭露系爭專利所欲解決之問題、達成之功效，及改變槽道尺寸、間距、形狀等之技術手段，則系爭專利僅在既有之技術手段上選擇某一特定範圍，而未提出申請專利範圍之技術特徵相較於先前技術有特殊之改進或無法預期之功效之相關說明，因此，應認系爭專利為熟習該項技術者根據先前技術所能輕易選用、修改者，不具進步性。

（九）答辯聲明：原告之訴駁回。

五、系爭專利於90年2 月5 日經被告審定准予發明第1332712 號專利，則系爭專利有無撤銷之原因，應以核准審定時所適用之修正前83年專利法為斷。又參加人以系爭專利有違修正前83年專利法第20條第1 項第1 款、第2 項及第22條第3 項至第5 項規定，對之提起舉發，被告審查期間，原告復於98年12月7 日提出系爭專利申請專利範圍更正本，更正後之申請專利範圍計25項。案經被告審查，認其更正符合修正前83年專利法第64條之規定，應准予更正並依該更正本審查，認系爭專利有違83年專利法第20條第2 項規定，以102 年10月28日（102 ）智專三（二）04069 字第10221461810 號專利舉發審定書為「請求項1 至25舉發成立應予撤銷」之處分。準此，本件原告於98年12月7 日提出系爭專利申請專利範圍更正本，既經被告審查核准更正並公告，是其更正溯及自申請日生效，故本件應以系爭專利核准審定時即修正前83年專利法，據為更正後之申請專利範圍有無撤銷原因之判斷，合先敘明。茲本件經兩造同意整理並協議簡化爭點如下：（見本院卷㈠第188-189 、247 頁）

（一）證據2 ，或證據11，或證據2 、3 之組合，或證據2 、3、6 之組合，可否證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具進步性？

（二）證據2 、3 之組合，或證據2 、3 、6 之組合，可否證明系爭專利申請專利範圍第2 項不具進步性？

（三）證據2 、3 、6 之組合，可否證明系爭專利申請專利範圍第3 項不具進步性？

（四）證據2 、6 、17之組合，或證據11、6 、17之組合，可否證明系爭專利申請專利範圍第4 項不具進步性？

（五）證據2 、3 、6 之組合，可否證明系爭專利申請專利範圍第5 項不具進步性？

（六）證據2 ，或證據2 、3 之組合，或證據2 、3 、6 之組合，可否證明系爭專利申請專利範圍第6 項不具進步性？

（七）證據8 ，證據8 、10之組合，或證據8 、12之組合，或證據10、12之組合，或證據8 、22之組合，或證據10、22之組合，可否證明系爭專利申請專利範圍第7 項不具進步性？

（八）證據8 、10之組合，或證據8 、12之組合，或證據10、12之組合，或證據8 、22之組合，或證據10、22之組合，可否證明系爭專利申請專利範圍第8 、9 項不具進步性？

（九）證據8 、12之組合，或證據10、12之組合，可否證明系爭專利申請專利範圍第10、11項不具進步性？

（十）證據8 、10之組合，或證據10、12之組合，或證據8 、12之組合，可否證明系爭專利申請專利範圍第12、13項不具進步性？

（十一）證據8 ，或證據8 、10之組合，或證據8 、12之組合，或證據10、12之組合，或證據8 、22之組合，或證據10、22之組合，或證據2 、5 、8 之組合，或證據2 、5、8 、10之組合，或證據2 、5 、8 、12之組合，或證據2 、5 、10、12之組合，或證據2 、5 、8 、22之組合，或證據2 、5 、10、22之組合，可否證明系爭專利申請專利範圍第14項不具進步性？

（十二）證據8 ，證據8 、10之組合，或證據8 、12之組合，或證據10、12之組合，或證據8 、22之組合，或證據10、22之組合，可否證明系爭專利申請專利範圍第15項不具進步性？

（十三）系爭專利申請專利範圍第16-18 項所界定之『實質彎曲之槽道』用語之解釋。

（十四）系爭專利申請專利範圍第18項進一步界定的內容「彎曲槽道具有於一至兩倍振幅及一倍半至兩倍寬度」，該振幅及寬度的比對基礎為何？

（十五）證據8 、證據10、組合證據8 及10、組合證據8 及12、組合證據10及12、組合證據8 及22、組合證據10及22、組合證據8 及13、組合證據10及13或組合證據8 、12及13可否證明系爭專利申請專利範圍第16、17項不具進步性？

（十六）證據8 、32之組合，或證據10、32之組合，或證據8 、10、32之組合，或證據8 、12、32之組合，或證據10、12、32之組合，或證據8 、22、32之組合，或證據10、22、32之組合，或證據8 、13、32之組合，或證據10、13、32之組合，可否證明系爭專利申請專利範圍第18項不具進步性？

（十七）證據8 、13之組合，或證據10、13之組合，或證據22、13之組合，可否證明系爭專利申請專利範圍第19、20、21項不具進步性？

（十八）證據8 、11之組合，或證據10、11之組合，或證據11、22之組合，或證據8 、11、12之組合，或證據10、11、12之組合，或證據11、12、22之組合，可否證明系爭專利申請專利範圍第22、23項不具進步性？

（十九）證據8 ，或證據8 、10之組合，或證據22，或證據8 、22之組合，或證據10、22之組合，或證據11、13之組合，可否證明系爭專利申請專利範圍第24項不具進步性？

（二十）證據8 ，或證據8 、10之組合，或證據22，或證據8 、22之組合，或證據10、22之組合，可否證明系爭專利申請專利範圍第25項不具進步性？

六、得心證之理由：

（一）按利用自然法則之技術思想之創作，且可供產業上利用之發明，得依修正前83年專利法第19條、第20條第1 項前段規定申請取得發明專利。又發明係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成時，雖無前項所列情事，仍不得依本法申請取得發明專利，同法第20條第2 項亦定有明文，再依同法第72條第1 項規定，發明有違反第19條、第20條規定之情事，任何人得附具證據，向專利專責機關提起舉發，專利專責機關應為舉發成立之處分。準此，系爭專利有無違反修正前83年專利法第20條第2 項規定之情事應予撤銷，依法應由舉發人（即參加人）附具證據證明之，倘其證據得以證明系爭專利有違上開規定，自應為舉發成立之處分。

（二）系爭專利技術內容（相關圖式，如附件1）：

1.系爭專利揭露一種用於化學機械研磨設備之研磨墊，該研磨墊包含多數同心圓槽道。該研磨墊可以包含多數個具有不同槽道寬度及間距之區域（參系爭專利說明書中文發明專利摘要，見舉發卷1 第155 頁）。

2.系爭專利所欲解決的技術問題：

⑴於CMP 中之一再發生之問題是於基板表面間之研磨速度之不均勻性，其一來源即所謂的「邊緣效應」，即基板之邊緣有種與基板中心以不同速度研磨之傾向，另一來源是被稱為「中心慢效應」，其係基板之中心有過研磨之傾向。這些不均勻研磨效應降低了基板之整個平坦度及基板區域適用於積體電路之製造之情形，因此，降低了製程良率。

⑵另一問題是關於研漿分佈，過去所使用之研磨墊具有穿孔於該墊上，一些穿孔可能具有很少之研漿，而其他可能有太多之研漿。

⑶另一問題是研磨墊之「擦傷」。擦傷發生於當研磨墊被加熱並被壓縮於基板被壓向墊之基板區域時，在研磨墊表面必須週期性地調整製程中，由調整該墊所產生之廢料可能填滿或阻礙於墊中之穿孔，被諸廢料所限礙之穿孔並不能有效地保有研漿，因而，降低了研磨製程之效率，或是當穿孔被廢料所填滿或阻礙時，表面張力增加，使得其較困難以分離墊與基板。因此，基板於分離製程中較佳受損。

⑷於CMP 中另一個問題被稱為「平坦化效應」，即晶圓的峰部及凹部將會被同時研磨。該「平坦化效應」導源於反應於點加載之研磨墊之可壓縮本質。特別地，若研磨墊係大有彈性，其將變形並接觸基板之大表面區域，包含於基板表面中之峰部及凹部（參系爭專利說明書第5-7 頁，中文發明專利摘要，見舉發卷1 第151-155 頁）。

3.系爭專利所欲達成的優點：研磨墊提供改良之研磨均勻度。研磨墊之槽道提供一有效方法，以分配研漿於整個墊上。諸槽道是足夠寬，使得由調整製程所產生之廢料可以由槽道沖掉。該研磨墊係足夠地強，以避免「平坦化效應」。該研磨墊之相對深度槽道同時改良墊之壽命（參系爭專利說明書第9 頁，見舉發卷1 第149 頁）。

4.系爭專利之槽道尺寸及其功效說明：

⑴研磨墊之各種實施例相較於過去所使用之寬及深包含寬及深槽道。槽道104 具有一約0.015 吋之最小寬度Wg。每一槽道104 可以具有一於約0.015 至0.04吋之寬度Wg。明白地說，槽道可以具有一約0.020 吋之寬度Wg。每一隔條106 可以具有於約0.075 至0.20吋之寬度Wp。明白地說，隔條可以具有約0.10吋之寬度Wp。因此，於槽道間之間距P 可以是於0.09至0.24吋之間。明白地說，間距可以約0.12吋。

⑵槽道寬度Wg對隔條寬Wp之比例可以選擇於約0.10至0.25之間。該比例可以約0.2 。若槽道是太寬，該研磨墊將會太富彈性，因此，「平坦化效應」會發生。另一方面，若槽道太窄，則很難將廢料由槽道中除去。同樣地，若間距係太小，則槽道將會太靠近，以及，研磨墊將會太富彈性。另一方面，若間距太大，則研漿將不會均勻地傳送至基板之整個表面。

⑶槽道104 同時也具有至少約0.02吋之深度Dg。該深度Dg可以於約0.02至0.05吋之間。明白地說，槽道之深度Dg可以是大約0.03吋（參系爭專利說明書第16-17頁，見舉發卷1 第141-142頁）。

⑷槽道之深度改良了研磨墊壽命。如上所述，調整處理研磨並由研磨墊表面除去材料，藉以降低槽道之深度。結果，墊之壽命可以藉由增加槽道深度加以增加（參系爭專利說明書第25頁，見舉發卷1 第133 頁）。

5.關於研磨墊表面的槽道區分成具有不同的寬度或間距的多個區域及其功效之說明：於寬間距區域152 及156 中之每一槽道係一具有寬度Wp1 之環形隔條146a，而於窄間距區域154 中之每一槽道是一具有寬度Wp2 之窄環形隔條146b每一寬隔條146a可以具有一於約0.12至0.24吋mdo 之寬度Wp1 ，例如0.18吋。因此，於寬隔條區域中之槽道間之間距P1可以於0.09至0.24吋之間，例如0.2 吋。因此，間距P1 可 以大到為間距P2之兩倍。由寬隔條146a所呈現之表面積是約寬隔條區域之可用表面積之約90% 。如同先前所注意的，於區域154 中之槽道可以較密分隔。每一窄隔條146b可以具有於約0.04至0.12吋間之寬度Wp2 ，例如0.08吋。因此，於窄隔條區域中之槽道間之間距P2可以於0.045 至0.2 吋之間，例如0.10吋。由窄隔條146b所呈現之表面積是窄隔條區域之可用表面積之約75% 。研磨墊140 係特別適用於降低研磨之不均勻之問題，例如所謂之「快帶（fastband）」效應。該快帶效應傾向於出現於使用兩層研磨墊具有一包含吹風矽土之SS12研漿來氧化研磨。該快帶效應造成基板一環形區域，其中心係位於離開基板邊緣約15毫米被過研磨。該環形區域可以是約20毫米寬。若研磨墊40係構建以對抗快帶效應，則第一區域150 可以具有約3.2 吋之寬度W1，第二區域152 可以具有約4.8 吋之寬度W2，及第三區域154 可以具有約1. 2吋之寬度W3，以及第四區域156 可以具有約0.8 吋之寬度W4。這些寬度假設研磨墊是直徑約20吋，及基板將被移動越過該研磨墊表面，以約0.8 吋之掃描範圍，使得基板將約0.2 吋離開掃描之最外點之墊之緣，以及約1.0 吋離開在掃描之最內點之墊中心。結果顯示研磨速度係相對於研磨表面積於研磨時接觸基板之百分比一。藉由提供一研磨墊，以一區域有較多之表面積為槽道所佔據，則研磨速度於該區域被降低。明白地說，於區域154 中之密間距槽道減少了於基板之過研磨之研磨速度。結果，研磨墊補償了快帶效應並改良了研磨之均勻性（參系爭專利說明書第18-20 頁，見舉發卷1 第138-140 頁）。

6.系爭專利申請專利範圍：依原告98年12月7 日提出申請專利範圍更正本，被告於101 年11月21日准予更正並公告之系爭專利申請專利範圍共25項，其中第1-7 項、第15項、第16項、第19項、第22項、第24項為獨立項，其餘為附屬項，內容如下（見舉發卷6 第27-32 頁）：第1 項：一種用以於一化學機械研磨系統中，研磨一基板之研磨墊，其至少包含：一研磨表面，具有多數實質圓形槽道，諸槽道具有0.02至0.05吋間之深度，至少0.015 吋之寬度，及至少0.09吋之間距。第2 項：一種用以於一化學機械研磨系統中，研磨一基板之研磨墊，其至少包含：一研磨表面，具有多數實質圓形槽道，諸槽道具有至少0.02吋之深度，0.015 至0.04吋間之寬度，及至少0.09吋之間距。第3 項：一種用以於一化學機械研磨系統中，研磨一基板之研磨墊，其至少包含：一研磨表面，具有多數實質圓形槽道，諸槽道具有0.02至0.05吋間之深度，0.015 至0.04吋間之寬度，及0.09至0.24吋間之間距。第4 項：一種用以於一化學機械研磨系統中，研磨一基板之研磨墊，其至少包含：一研磨表面，具有多數實質圓形槽道，諸槽道具有至少0.02吋之深度，至少0.015 吋之寬度，及至少0.09吋之間距，其中一上層具有於0.06至0.12吋間之厚度。第5 項：一種用以於一化學機械研磨系統中，研磨一基板之研磨墊，其至少包含：一研磨表面，具有多數實質圓形槽道，諸槽道具有約0.03吋之深度，0.02吋之寬度，及0.12吋之間距。第6 項：一種用以於一化學機械研磨系統中，研磨一基板之研磨墊，其至少包含：一研磨表面，具有多數實質圓形槽道，諸槽道具有至少0.02吋之深度，至少0.015 吋之寬度，及至少0.09吋之間距，其中上述之槽道係被隔條所分離，槽道對隔條之寬度比是於0.01至0.25之間。第7 項：一種用於化學機械研磨系統中之用以研磨基板之研磨墊，其至少包含：一第一研磨區域，具有第一多數之具第一寬度及第一間距之實質圓形之同心圓槽道；一第二研磨區域包圍該第一研磨區域，並具有第二多數實質同心圓槽道，槽道具有第二寬度及第二間距；以及其中至少第二寬度及第二間距之一不同於第一寬度及第一間距。第8 項：如申請專利範圍第7 項所述之研磨墊，更包含一第三研磨區域包圍該第二研磨區域，並具有第三多數實質同心圓槽道，槽道具有第三寬度及第三間距。第9 項：如申請專利範圍第8 項所述之研磨墊，其中上述之第三寬度及間距係分別等於第一寬度及間距。第10項：如申請專利範圍第9 項所述之研磨墊，其中上述之第一間距係大於第二間距。第11項：如申請專利範圍第10項所述之研磨墊，其中上述之第一間距係兩倍大於第二間距。第12項：如申請專利範圍第9 項所述之研磨墊，其中上述之第一寬度是少於第二間距。第13項：如申請專利範圍第12項所述之研磨墊，其中上述之第二寬度是六倍大於第一間距。第14項：如申請專利範圍第7 項所述之研磨墊，其中上述之第一多數槽道係為第一多數環形隔條所分離及第二多數槽道係由第二數環形隔條所分離，以及第一多數隔條覆蓋第一區域之表面積之75％，以及第二多數隔條係覆蓋第二區域之表面積之50％。第15項：一種用於化學機械研磨系統中之用以研磨基板之研磨墊，其至少包含：一研磨表面，具有一第一研磨區域及包圍該第一研磨區域之一第二研磨區域，一螺旋槽道形成在研磨表面中，該螺旋槽道於第一研磨區域中具有第一間距，及於第二研磨區域中具有第二不同之間距。第16項：一種用於化學機械研磨系統中之用以研磨基板之研磨墊，其至少包含：一第一研磨區域，具有第一多數之實質圓形之同心圓槽道；及一第二研磨區域包圍該第一研磨區域並具有多數實質彎曲之槽道。第17項：如申請專利範圍第16項所述之研磨墊，其中上述之圓形槽道之間距及寬度之至少一個係不同於彎曲槽道之間距或寬度。第18項：如申請專利範圍第16項所述之研磨墊，其中上述之彎曲槽道具有於一至兩倍振幅及一倍半至兩倍寬度。第19項：一種用於化學機械研磨系統中之用以研磨基板之研磨墊，其至少包含：一第一研磨區域，具有第一多數之實質圓形之同心圓槽道；及一第二研磨區域包圍該第一研磨區域，並具有第二多數實質同心圓槽道，第二多數之同心槽道之中心係偏離開第一多數同心槽道之中心。第20項：如申請專利範圍第19項所述之研磨墊，其中上述之第一多數槽道之中心係偏移開第二多數槽道之中心一等於第二多數槽道之間距之距離。第21項：如申請專利範圍第19項所述之研磨墊，其中上述之第一多數圓形槽道之間距及寬度之至少一個係不同於第二多數圓形槽道之間距或寬度。第22項：一種用於化學機械研磨系統中之用以研磨基板之研磨墊，其至少包含：一第一研磨區域，具有第一多數實質圓形之同心圓槽道；一第二研磨區域包圍該第一研磨區域，並具有多數槽道弧片段，諸槽道弧片段沿著同心圓路徑分佈，使得每一槽道弧片段並不徑向重疊於在一相鄰路徑之槽道弧片段。第23項：如申請專利範圍第22項所述之研磨墊，其中上述之圓形槽道之間距及寬度之至少一個係不同於槽道弧片段之間距或寬度。第24項：一種用於化學機械研磨系統中之用以研磨基板之研磨墊，其至少包含：一第一研磨區域，具有第一多數實質圓形之同心圓槽道；一第二研磨區域包圍該第一研磨區域，並具有一螺旋槽道。第25項：如申請專利範圍第24項所述之研磨墊，其中上述之圓形槽道之間距及寬度之至少一個係不同於螺旋槽道之間距或寬度。

（三）參加人主張系爭專利不具進步性，其引用之證據為證據2、3 、5 、6 、8 、10、11、12、13、17、22、32及其組合，茲就上開證據之技術內容分析如下：

1.證據2（相關圖式，如附件2）：

⑴證據2 為1995年10月4 日公開之歐洲專利第0674972號「Chemical mechanical polishing apparatuswith improved slurry distribution」專利案，其公開日早於系爭專利第1 優先權日（1997年5 月15日），可為系爭專利之先前技術。

⑵證據2 之技術內容係揭露一種在存有化學活性和/ 或物理研磨漿液的旋轉拋光墊上面研磨基板的化學機械拋光裝置。該拋光墊表面設有至少一個凹槽，至少部分地延伸於徑向方向，以允許研磨漿液到達與拋光墊相接觸的基板表面。另外，在基板被研磨的同時，旋轉的拋光墊表面上也可設置一個拋光墊調整裝置以連續地調整拋光墊（見舉發卷1 第109 頁）。

⑶證據2 說明書第4 欄第51-58 行及圖1 詳細揭示一種持續補充研磨漿到研磨面的化學機械研磨裝置10，包括旋轉平台22上的研磨墊14，及握持基板12的載持具24，在第6 欄第28-43 行及第5 圖揭示在研磨墊14上表面形成有多個同心偏置圓槽道26b ，在第5 欄第46-49 行揭示螺旋形槽道26a 寬度約為3.2mm （即0.126 吋），深度至少0.5mm （0.0197吋），間距為12.5至25mm（即0.492 至0.984 吋）。又經簡單計算，槽道寬度與隔條寬度之比為0.147-0.344 之間（註：即0.126/（0.492-0.126 ）-0.126/ （0.984-0.126 ）之間) ，以及隔條所占表面積大約74至87% （註: （12.5-3.2）/12.5=74% - （25-3.2）/25=87% ）（見舉發卷1 第108 頁）。

2.證據3（相關圖式，如附件3）：

⑴證據3 為1993年6 月15日公開之日本特開平5-146969號「半導体基板上に形成された誘電体層を研磨する裝置」專利案，其公告日早於系爭專利第1 優先權日（1997年5 月15日），可為系爭專利之先前技術。

⑵證據3 之技術內容係揭露一種可以更快拋光形成在半導體基板上介電層的研磨裝置。其包括在拋光墊11的上表面上形成多個圓周槽道47，該些槽道47形成為特定的尺寸大小以增加墊片11的工作區域，並在拋光墊與基板間建立點接觸使得每單位面積附著於基板的漿液量增大，以促進拋光研磨效率（見舉發卷1 第97頁）。證據3 在第[0012]文段及圖1 詳細揭示研磨半導體基板15之複數圓形槽道研磨墊11之研磨裝置，第[0015]文段及第2 圖揭示研磨墊11表面形成有複數圓形槽道47，第[0016]文段及第3 圖揭示槽道斷面形狀可以為半圓形或平底的溝、深度約為0.01至0.06吋，每吋有2-32條槽道（即間距為0.0312至0.5 吋）（見舉發卷1 第95頁）。

3.證據5（相關圖式，如附件4）：

⑴證據5 為1996年11月26日公告之美國第5578362 號「POLYMERIC POLISHING PAD CONTAINING HOLLOWPOLYMERIC MICROELEMENTS 」專利案，其公告日早於系爭專利第1 優先權日（1997年5 月15日），可為系爭專利之先前技術。

⑵證據5 之技術內容係揭露一種製造物件或磨光片以變更操作件表面者，例如將半導體裝置磨光或平面化者。該物件包括一浸注著眾多聚合微體的聚合物基質，每個聚合微體內部具有空洞。該物件具有一操作表面及緊貼該操作表面的次表面。當該物件與操作環境接觸時，在該物件操作表面的聚合微體會變得比包埋在次表面內部的聚合微體更不堅硬。當物件的操作表面在使用中被磨蝕掉時，該磨片的操作表面可連續地再生。於另一較佳實施例中，該操作表面可更包含一小型組織及／或巨型組織。較佳者，該小型組織係將至少一部份操作表面予以斷片圖案化而形成者。本發明也包括減少物件操作表面處的聚合微體之有效堅硬度，將物件操作表面予以再生以及用該物件將半導體裝置的表面予以平面化等諸方法（見舉發卷1 第73頁）。在說明書第8 欄第53-56 行及第5,6 圖，即揭示一種研磨墊10，其工作表面18可以進一步包含凹陷的同心圓形槽道26及/ 或凸起的隔條28，以及在第64-66行揭示：由於工作表面18形成有凹凸，使得表面積露出達到50% 以上，在研磨過程中可以移除碎屑（見舉發卷1 第70頁）。

4.證據6（相關圖式，如附件5）：

⑴證據6 為1996年2 月22至23日CMP-MIC 會議所刊載學術期刊「IMPROVING CMP PERFORMANCE USINGGROOVEDPOLISHING PADS」，其公告日早於系爭專利第1 優先權日（1997年5 月15日），可為系爭專利之先前技術。

⑵證據6 之技術內容係揭露使用表面具有槽道的研磨墊與傳統穿孔式研磨墊之比較結果。研磨墊表面之槽道在研磨時成為研漿流動至晶圓研磨表面的流道，同時也改善研磨頭與拋光墊修正器所施加於研磨墊下壓力的效率，表面具有槽道的研磨墊其具有高而穩定的移除率可降低製程變異及提高產能。在移除率的改善與被研磨的PECVD 氧化層的態樣無關（見舉發卷1 第97頁第65-66 頁）。在第1(b)、1(c)圖中詳細揭示實驗用槽道研磨墊，其上層形成有複數條同心圓形的槽道，槽道的尺寸分別為：深0.015 吋、寬0.01吋，及間距0.06吋（見舉發卷6 第63頁）。並教示槽道形式研磨墊的平均移除率較穿孔形式研磨墊高出30% ，而在隨著研磨晶圓數增加而產生平均移除率的退化程度，槽道形式研磨墊（12% ）也明顯小於穿孔形式研磨墊（30% ）。使用上硬（Rodel'sIC1000 ）下軟（Rodel's Suba IV）的複合研磨墊有助達到好的晶圓整體平坦度並保有晶圓彼此間的一致性。又由證據6 所揭之槽道寬度與間距的比值（0.01/0.06=0.167 ），經簡單計算可得槽道寬度與隔條寬度之比值為0.2 （0.01/ （0.06-0.01 ）=0.2）（見舉發卷1 第65頁）。

5.證據8（相關圖式，如附件6）：

⑴證據8 為1986年8 月15日公開之日本昭61-182753 號「研摩皿」專利案，其公告日早於系爭專利第1 優先權日（1997年5 月15日），可為系爭專利之先前技術。

⑵證據8 之技術內容揭示一種拋光墊1 呈同心圓分佈於支持部2 上表面，其中拋光墊1 同心圓線之線寬係由中心部到周邊部逐漸變窄，而兩相鄰之拋光墊1 之間的距離為固定值，即槽3 的寬度為固定（見舉發卷1第67頁）。在說明書第1 頁右下欄第1 至8 行揭示其發明研磨墊係用於研磨光學元件，習知之光學元件如透鏡、稜鏡、反射鏡等（見舉發卷6 第69頁）。說明書第3 頁左上欄第9 行至右上欄第7 行及第5,6 圖揭示研磨墊1 之表面形成有複數圓形槽道3 ，其在間距保持相同的情況下，寬度由圓心向圓周漸次變窄，或者也可以在寬度保持相同的情況下，間距由圓心向圓周漸次變寬（見舉發卷1 第67頁）。

6.證據10（相關圖式，如附件7）：

⑴證據10為1992年7 月21日公告之美國第5131190 號「LAPPING MACHINE AND NON-CONSTANT PITCHGROOVEDBED THEREFOR 」專利案，其公告日早於系爭專利第1 優先權日（1997年5 月15日），可為系爭專利之先前技術。

⑵證據10之技術內容揭露一種研光機進行高品質平坦表面部件的研磨。在說明書第1 欄第10-11 行揭示高品質平坦表面部件通常是由研光機進行研磨（見舉發卷1 第32頁）。在說明書第4 欄第24-25 行揭示研磨墊表面設有螺旋形槽道10（見舉發卷1 第31頁）。第6欄第18-24 行及第3,4 圖、第5A-5C 圖揭示：最小間距比值較佳地是選擇位於邊緣地帶外的比值（第4圖及第5C圖中的C 點) ，其小於位於邊緣地帶內的比值（第4 圖及第5A圖中的A 點) ，最大值位於上述兩區域的中間位置（第4 圖及第5B圖中的B 點；註：間距比,a/p=a/(a+b)定義於第4 欄第59至64行，p 間距,a凸出的部分,b凹陷的部分，見舉發卷1 第30頁）。證據10第7 欄第6-15行並教示間距在研磨墊修整的頻率，比值非為定值的研磨墊（約每運作100 小時) 少於間距比值為定值的研磨墊（約每運作10小時，見舉發卷6 第29頁），以及研磨墊表面得以均勻地磨耗（第5 欄第20行，見舉發卷1 第30頁）。

7.證據11 （相關圖式，如附件8 ）：

⑴證據11為1996年6 月18日公告之美國第5527215 號「FOAM BUFFING PAD HAVING AFINISHINGSURFACEWITHA SPLASH REDUCINGCONFIGURATION」專利案，其公告日早於系爭專利第1 優先權日（1997年5 月15日），可為系爭專利之先前技術。

⑵證據11之技術內容揭露一種更有效率地將施加到工件的表面上的旋轉發泡拋光墊。藉由離心力的作用而使過量的加工液被從旋轉的拋光墊的周圍拋出，拋光墊的拋光表面包括位於整個墊周緣內的一個或多個槽道，或在當壓力施加於墊的背面時可以形成槽道的凹陷區域。槽道獲捕可能潑濺的加工液然後為泡沫墊吸收（見舉發卷1 第28頁）。拋光墊槽道之技術內容，在說明書第1 欄第17至20行揭示一般發泡拋光墊配合拋光液拋光工件（見舉發卷6 第23頁）、第3 欄第21-30 行及第3 圖揭示拋光墊的表面具複數個同心圓形槽道51，內側槽道深度為「0.2 吋」、寬度為「0.12吋」，以及內外兩槽道之間距為「3.1 吋」（見舉發卷1 第22頁）。

8.證據12（相關圖式，如附件9）：

⑴證據12為1994年3 月29日公告之美國第5297364 號「POLISHING PAD WITH CONTROLLED ABRASIONRATE」專利案，其公告日早於系爭專利第1 優先權日（1997年5 月15日），可為系爭專利之先前技術。

⑵證據12之技術內容揭露一種拋光墊，其表面形狀為可以非均勻地移除研磨工件材料。其非均勻性係與拋光墊旋轉軸（即工作半徑) 距離有關，在拋光墊表面同時配置有凸出接觸區域和空隙非接觸區域，使得弧形磨料接觸不均勻變化為距離拋光墊旋轉軸（即工作半徑) 的函數。在任何距離之孔洞密度可以經由諸如改變孔隙大小為工作半徑的函數，或不同的每單位面積的空隙作為工作半徑的函數等技術來製備。任一技術所形成空隙面積在每總單位面積的變化量，在墊表面距旋轉軸線相同距離的的同心圓上為極微小的範圍（見舉發卷1 第20頁）。

9.證據13（相關圖式，如附件10）：

⑴證據13為1997年7 月22日公告之美國第5650039 號「CHEMICAL MECHANICAL POLISHING APPARATUS WITHIMPROVED SLURRY DISTRIBUTION」專利案，其公告日係晚於系爭專利第1 優先權日（1997年7 月22日）早於系爭專利第2 優先權日（1998年1 月6 日），其與其他之證據組合係用以判斷系爭專利申請專利範圍第16-21 項之進步性，而系爭專利申請專利範圍第16至18項係關於「二不同研磨區域，一為圓形槽道，另一為實質彎曲槽道」的技術、系爭專利申請專利範圍第19至21項係關於「二不同研磨區域，一為圓形槽道，另一為偏置圓形槽道」的技術僅見於第2 優先權案，故判斷系爭專利申請專利範圍第16-21 項專利要件之審查基準日應以第2 優先權日為準，因此，證據13可為系爭專利申請專利範圍第16-21 項之先前技術。

⑵證據13之技術內容揭露一種在存有化學活性和/ 或物理研磨漿液的旋轉拋光墊上面研磨基板的化學機械拋光設備。至少一個槽道設置於拋光墊的表面至少部分地延伸於徑向方向上，以允許研磨漿液到達與拋光墊表面接觸。另外，在基板被研磨的同時，旋轉的拋光墊表面上也可設置一個拋光墊修整裝置以連續地修整拋光墊（見舉發卷1 第13頁）。在說明書第4 欄第12行-18 行及圖1 揭示一種持續補充研磨漿到研磨面的化學機械研磨裝置10，包括旋轉平台22上的研磨墊14，及握持基板12的載持具24（見舉發卷1 第6 頁）。另在第5 欄第29-41 行及第5 圖揭示在研磨墊14上表面形成有多個同心偏置圓槽道26b （見舉發卷1 第5頁）。

10.證據17：

⑴證據17為RODEL 公司於西元1993年所出版之編號1/93之產品小冊，其公告日早於系爭專利第1 優先權日（1997年5 月15日），可為系爭專利之先前技術。

⑵證據17之技術內容之IC為微孔聚氨基甲酸己酯材料，以及IC1000的一般性質，其厚度可為0.08吋（見舉發卷2 第199 頁）。

11.證據22（相關圖式，如附件11）：

⑴證據22為1990年12月13日公開之世界專利第WO90/14926號「ULTRA-PRECISION LAPPINGAPPARATUS」專利案，其公告日早於系爭專利第1 優先權日（1997年5 月15日），可為系爭專利之先前技術。

⑵證據22之技術內容揭露一種行星式研磨裝置，將工件研磨到一個真正的平坦表面，包括用於旋轉並以軌道繞行方式將工件（23）相對於研磨片（14）移動的機構（17），其具有一個360 度形成有磨損較徑向內側和外側部分為少的中間徑向部分（見舉發卷2 第174頁）。在說明書第1 頁第2 文段揭示減小部件厚度至精確厚度及精確平坦度通常是由研光作業完成（見舉發卷2 第172 頁）。在第20頁第9-14行及第15圖揭示：複數條圓形或螺旋形槽道93形成於研磨表面，槽道的寬度，在位於研磨墊半徑中點附近為最窄，並向研磨墊內圈與外緣逐漸遞增（見舉發卷2 第153 頁），並教示其發明可以達到使研磨墊表面均勻地磨耗的目的（見舉發卷2 第168 頁第19-26 行) ，以及可以實質上無需修整研磨墊（見舉發卷2 第169 頁第27-28行) 。

12.證據32（相關圖式，如附件12）：

⑴證據32為1995年6 月6 日公告之美國第5421769 號「APPARATUS FOR PLANARIZING SEMICONDUCTORWAFERS,AND A POLISHING PAD FOR APLANARIZATION APPARATUS」專利案，其公告日早於系爭專利第1 優先權日（1997年5 月15日），可為系爭專利之先前技術。

⑵證據32之技術內容揭露一種安裝非圓形的拋光墊於研磨平台以平坦化半導體表面的設備與研磨技術。其使用一拋光頭固持半導體晶片表面於非圓形拋光墊上表面，令拋光頭位移機構移動拋光頭和半導體晶片穿越並經過的非圓形拋光墊的週邊邊緣部分，以均勻地研磨半導體晶片表面（見舉發卷2 第43頁) ；在說明書第5 欄第8-24行、第43-57 行明確揭示：藉由非圓形研磨墊與部分基板外懸於研磨墊周緣之技術，以獲得較佳的平坦度（見舉發卷2 第36頁） 。

（四）證據2 ，或證據11，或證據2 、3 之組合，或證據2 、3、6 之組合，可否證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具進步性？

1.證據2 ，足以證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具進步性：

⑴系爭專利申請專利範圍第1 項係獨立項，其技術內容及系爭專利說明書中關於槽道尺寸及其功效之說明，業如前述。又「選擇發明係指選擇已知上位概念發明之下位概念而作為構成要件之發明。」、「就選擇發明之下位概念的技術內容在已知發明中並未有具體揭示而言，事實上熟習該項技術者參酌當時之技術、知識式，亦未必能從已知發明之上位概念而導出該下位概念之技術內容，以完成此選擇發明，如果此選擇發明所達成之功效，又比已知發明之功效更為顯著，或能產生已知發明所不能預知之突出的技術特徵時，則視為熟習該項技術者非能輕易完成者。」、「如果，發明是在可能的、有限的範圍內選擇具體的尺寸、溫度範圍或者其他參數，而這些選擇可以由該領域的普通技術人士經通常手段得到時，該發明不具備進步性。」、「一般而言，對已知發明或習知技術內容中之某些參數條件，如組成、溫度、壓力、流速等加以數值上（量）的界定而成之發明，通常有下列情形：（1 ）所界定之量的範圍在已知技術之參數條件範圍內…，（2 ）所界定之量的範圍與已知技術之參數條件範圍有一部分重疊…。判斷此類發明是否為熟習該項技術者所能輕易完成時，應就所界定之數值範圍與已知技術比較其結果，是否具特殊的意義而定。所謂特殊的意義，乃指下述之情形：（1 ）同性質之功效之顯然的進步…。（2 ）產生不同性質之突出的技術特徵…。有關上述（1 ）同性質之功效之顯然的進步，係指所限定之數值意義具備臨界性時，即為熟習該項技術者非能輕易完成者，如不具臨界性時，即為熟習該項技術者所能輕易完成者。」，以及「此類發明在所界定之數值範圍之全領域內，應產生相同之功效，且功效在說明書應有記載」（修正前83年版專利審查基準第1-2-24至1-2-27頁參照）。

⑵證據2 揭示之化學機械研磨裝置及研磨墊槽道尺寸的具體技術內容，亦如上述。依系爭專利申請專利範圍第1 項與證據2 之技術特徵比對可知，系爭專利申請專利範圍第1 項之「一種用以於一化學機械研磨系統（對應於證據2 之chemical mechanical polishingapparatus,10）中，研磨一基板（對應於證據2 之substrate,12）之研磨墊（對應於證據2 之polishingpad,14），其至少包含：一研磨表面，具有多數實質圓形槽道（對應於證據2 之concentric circularoffset grooves, 26b），諸槽道具有至少0.015 吋之寬度（對應於證據2 之3.2mm,即0.126 吋），及至少0.09吋之間距（對應於證據2 之12.5至25mm, 即0.492 至0.984 吋）」內容，已為證據2 所揭示。又證據2 所揭示與系爭專利申請專利範圍第1 項之研磨墊差異僅在於槽道的深度：證據2 為「至少0.5mm,即0.0197吋」，而系爭專利申請專利範圍第1 項為「具有0.02至0.05吋間」。

⑶系爭專利申請專利範圍第1 項槽道深度數值範圍(0.02 至0.05吋間) ，係在證據2 所揭示之槽道深度數值範圍（至少0.5mm,即0.0197吋) 內之選擇發明。而系爭專利說明書內容，並未進一步記載槽道深度特定數值範圍對於改良研磨墊壽命上具備臨界性的相關資料，故系爭專利申請專利範圍第1 項之槽道深度數值範圍，係在可能的、有限的範圍內選擇具體的尺寸範圍，而此選擇可以由該領域的普通技術人士經通常手段（一般技術性手段）得到，亦即經由普通的試驗，觀察改變槽道的深度數值對使用壽命的影響，進而得到最佳的數值範圍。

⑷原告雖主張：

①在系爭專利優先權日前無法確定槽道尺寸及其配置之設計可以達到研磨晶圓的最佳功效，自2002年後始有研究云云（見本院卷1 第11頁背面、原證1-3、本院卷1第145 頁背面）。惟查：原證1-3 ，其為晚於系爭專利之第二優先權日之教科書或論文，形式上即難謂為適格證據，實無審酌之必要。原證1 、2 主要係研磨墊的材料及其特性上相關研究結果，認為是當時最缺乏瞭解的部分，但並未特別指明是針對研磨墊槽道尺寸及配置的部分。原證3 表2-3 發表於2002年之論文（見本院卷1第90-91 頁），主要是以動態機械分析儀量測研磨墊上不同槽道方向之儲存模數及對平坦化效能的影響，但並未說明研磨墊槽道尺寸及配置對於平坦化效能有何影響，且原證1-3 未論及證據2-6 等關於研磨墊槽道尺寸及配置等相關資料，亦難認在系爭專利優先權日前並無關於槽道尺寸及其配置之設計的研發。

②系爭專利說明書已揭露槽道深度數值範圍具有的功效：太深則槽道隔條容易彎曲變形而造成平坦化效應，太淺則易磨耗造成浪費，系爭專利所選定之槽道尺寸相對於證據2 具有不可預期之功效云云（見本院卷1 第146 頁）。惟查：修正前83年版之專利審查基準第1-2-19頁關於進步性判斷原則之記載「[ 輕易完成] ，係指不能超越該發明所屬技術領域中具有通常知識者所可預期的技術上的一般發展，且單單可由先行技術推論而完成者。亦即，申請專利之發明具有突出的技術特徵或顯然的進步時，即認為超越熟習該項技術者所可預期之技術上一般發展，而非所能輕完成者」、第1-2-21頁「『突出的技術特徵』，係指申請專利之發明對該發明所屬技術領域中具有通常知識者而言，若以先前技術為基礎，仍不易由邏輯分析、推理或試驗而得者。」，可知若該發明所屬技術領域中具有通常知識者以先前技術為基礎，經邏輯分析、推理或試驗即能預期到申請專利之發明整體，或是不能超越熟習該項技術者所可預期的技術上的一般發展，申請專利之發明則屬能輕易完成。有關系爭專利說明書所載之「太淺則易磨耗造成浪費」功效，由證據2 揭示內容可知，槽道之主要功用在於傳輸研漿（第4 欄第13-16 行），且會因晶圓被研磨出的顆粒所阻塞（第3 欄第31-35 行）；又研磨墊槽道隔條是與晶圓接觸研磨的主要部分也是被磨耗的部分，熟習該項技術者依據上述之認知為基礎，經邏輯分析、推理即能得知：在相同研磨條件下，相對於槽道深度較深的研磨墊，槽道深度不足的研磨墊因其槽道能容納的空間較小，致使被研磨出的顆粒相對較快地堆積，更容易造成阻塞槽道，且槽道隔條也相對較快地被磨耗；又槽道底部以下的研磨墊並無法傳輸研漿，因此對研磨墊整體厚度而言，槽道深度較深即等同於研磨墊可利用部分較高。故熟習該項技術者，由證據2 即可推知如系爭專利說明所稱之「太淺則易磨耗造成浪費」的功效。就系爭專利申請專利範圍第1 項而言，熟習該項技術者以證據2 所揭示之拋光墊槽道尺寸之數值範圍為基礎，依上開邏輯分析、推理即能預期到系爭專利申請專利範圍第1 項所記之特定數值範圍所能達成的目的功效。

③由原證4 揭示IC1010-DV 槽道深度(0.030吋) 為IC1000槽道深度(0.015吋) 而IC1010-DV 使用壽命為IC1000之兩倍，可證系爭專利所設計特定尺寸之槽道確實具有延長研磨墊壽命之功效云云（見本院卷1第12頁背面）。經查：查進步性之判斷基礎，主要係以系爭專利第1 優先權日前公開之先前技術，原證4 為發表於知名期刊之技術，其公開日期為1999年，晚於系爭專利之第二優先權日，即難謂為適格證據，遑論原證4 亦未能證明壽命倍增係單由槽道深度加倍所產生的結果。原證4 雖在多處揭示改良組IC1010-DV 使用壽命為習用IC1000之兩倍，惟在平均研磨速率相當的情況下（第4 頁Table2所列IC1010-DVRUN#1,3537 埃/ 分，IC1000第2 頁Figure2 最上方的兩組數據,Rate-Ref Pad 及Rate-New Bit, 約在3500埃/ 分) 比對使用壽命，IC1010-DV 約550/墊（實驗資料為每2 片約可研磨1100晶圓，換算即約為550/墊) ，雖為第2 頁圖1 所示IC1000平均值250 晶圓/ 墊之兩倍，但並非IC1000最佳值之兩倍（Pad ID25至28，約350/墊），又IC1010-DVRUN#2使用壽命約650/墊，但其平均研磨速率並不相當（3537埃/ 分）即與IC1000之實驗條件不同，尚難論究其為上述IC1000最佳值之兩倍。再者，如原證4 第2 頁Table 1 及其上下文字敘述所示IC1010-DV 與IC1010之差異（見本案卷第1 第95頁），IC1010-DV 除了槽道深度加倍（IC1010-DV 為30mils，IC1010為15mils）外，其上墊比密度範圍較為集中、整體厚度不同（IC1010-DV 為80mm，IC1000為50mm）；又IC1010-DV 經過預堆疊處理，且增加凝膠均勻度、及槽道深度均勻度均增加、上墊與下墊間、以及下墊與研磨台間結合的材料亦非相同，故IC1010-DV 與IC1010在比較的基礎上即有不同，難認IC1010-DV 使用壽命倍增係單由槽道深度加倍所產生的結果。此外，原證4 第4 頁圖下方的「Design of IC1010-DV 」段落記載研磨墊的使用壽命由研磨表面中最小槽道深度所決定，且槽道的品質可影響研磨墊的使用壽命；原證4 第4 頁末2 行記載IC1010 -DV因增加槽道深度均勻度，相對地即可減少出現最小槽道深度的機率，進而延長使用壽命（見本院卷1 第97頁），亦可見槽道深度加倍並非IC1010-DV使用壽命延長的唯一因素。

④證據2 揭示之槽道尺寸係為螺旋形槽道，並非系爭專利所記之實質圓形槽道，熟習該項技術者並無動機去將證據2 螺旋形槽道之槽道尺寸應用於另一實施例的圓形槽道云云（見本院卷1 第13-14 頁、第146 頁背面-147頁、第233 頁背面-234頁背面）。惟查：組合同一文獻之不同部分，由於該等部分相互間為有關聯之事，對熟習該項技術者而言，視為能輕易完成的（修正前83年版專利審查基準第1-2-21頁參照）。本件證據2 第2 圖所揭示之螺旋形槽道實施例，與第5 圖所揭示之圓形槽道實施例，均具有其說明書第6 欄第49-51 行所記「能夠增加在晶圓基板下方旋轉之研磨墊表面研磨漿的分佈能力」，是以第2 圖與第5 圖相互間有所關聯，故對熟習該項技術者而言，將螺旋形槽道尺寸應用於圓形槽道，係屬能輕易完成者。證據2 之槽道尺寸僅揭示一組具體數值，惟因其為唯一的一組槽道具體數值，並未明確記載該槽道尺寸不能應用於圓形槽道，故對熟習該項技術者而言，即有動機將該槽道尺寸數值應用於另一未揭示槽道尺寸的實施例；再者，依系爭專利說明書第21- 22頁揭示內容而言，圖式第10圖之圓形槽道實施例及第12圖之螺旋形槽道實施例，均具有相同的功效，亦可證對熟習該項技術者而言，將螺旋形槽道之槽道尺寸應用於圓形槽道，係屬可輕易完成的簡單改變。

⑤系爭專利非選擇發明且審查階段未要求提供實驗數據，且證據亦無針對槽道尺寸之調整及設計出任何具體之功效，故系爭專利可視為特定具有臨界性之設計云云（見本院卷1 第150 頁背面-152頁、第228-230 頁）。惟查：系爭專利申請專利範圍第1項係界定槽道尺寸之一定數值範圍，應於系爭專利申請時在說明書記載具有特定臨界性之數值範圍全領域內之功效，用以證明該數值範圍係具有顯然進步或是突出技術特徵（修正前83年版專利審查基準第1-2-24頁至第1-2-27頁參照），此乃專利申請人之義務而非審查官或舉發人應負之責任，自不能因系爭專利申請審查階段專利審查官未要求針對槽道尺寸的具體功效提出證據而得免除其義務。再者，系爭專利說明書記載之功效，如前所述，僅為一般性之功效敘述，並無確切的實驗資料可供證明在系爭專利申請專利範圍所記特定數值範圍內均有臨界性（例如，系爭專利申請專利範圍第1 項在所記的槽道深度範圍內研磨墊壽命或利用率明顯超過熟習該項技術者基於證據2 所能獲得的預期想像），自難謂系爭專利係屬特定具有臨界性之界定。

⑥關於系爭專利發明，熟習該項技術者沒有動機去改變證據所揭示的數值範圍云云（見本院卷2 第166頁背面-169頁）云云。惟查：熟習該項技術者，係指虛擬一具有申請專利當時知道該發明所屬技術領域之既有技術及知識之人，其可用研究、開發等一般技術性手段（指依據既有之技術或知識之基礎，經由邏輯分析、推理或試驗而得之技術手段），並發揮一般創作能力，例如：選擇材料或變更設計，使當時該發明所屬技術領域之技術水準，化為其本身之知識的人而言（修正前83年版專利審查基準第1-2-19頁參照）；又如果發明是在可能的、有限的範圍內選擇具體的尺寸、溫度範圍或者其他參數，而這些選擇可以由該領域的普通技術人士經通常手段得到時，該發明不具備進步性（修正前83年版專利審查基準第1-2-25頁參照），可知先前技術內容所揭露的可能的、有限的範圍內具體的參數數值範圍，其本身即為一種動機促使該領域的普通技術人士或是該發明所屬技術領域中具有通常知識者，發揮其一般創作能力嘗試去改良該現有參數數值範圍或變更設計。準此，證據2 已揭示了研磨墊槽道的具體尺寸範圍，且涵蓋了系爭專利申請專利範圍第1 項所記槽道尺寸範圍，即難謂熟習該項技術者沒有動機去改變證據所揭示的數值範圍。證據2 在第1 欄第40-54 行揭示：化學機械研磨在半導體工業中使用受限的一個主要問題在於難以預測及控制在製程中移除基板材料的速率及均勻度，而其原因之一即基板與研磨墊介面處研漿的非均勻補充，此與系爭專利說明書第5 頁所載「於CMP 中之一再發生之問題是於基板表面間之研磨速度之不均勻性。」（第11、12行）及「另一問題是關於研漿分佈」（第18行）等所欲解決的問題在本質上是相同的，更有動機促使熟習該項技術者參酌證據2 所揭示的數值範圍。

⑦綜上，證據2 與系爭專利申請專利範圍第1 項，兩者差異僅在於槽道的深度，而該數值差異並未具有臨界性，為熟習該項技術者參酌證據2 即能輕易完成的數值簡單改變，故證據2 ，足以證明系爭專利申請專利範圍第1項不具進步性。

2.證據11，不足以證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具進步性：

⑴證據11揭示之研光機研磨墊的槽道尺寸，至少在槽道深度的尺寸相差約10倍，由證據11說明書第28至31欄所揭示：拋光液係塗布於拋光表面14，並且最好不要塗布在槽道50，拋光時拋光液係由工作件表面供應，可知其研磨模式與系爭專利之化學機械研磨模式（如系爭專利第1 、2 圖所示，研磨漿係分布於整個研磨墊）明顯不同；又證據11所揭示槽道的功效，主要是在拋光墊與工作件接觸時減少向外噴濺的拋光液，而由系爭專利說明書第14頁第2-5 行所記「該研漿/ 清洗臂可以包含兩個或多數研漿供給管，以提供研漿至研磨墊之表面。足夠之研漿係提供以覆蓋並濕潤整個研磨墊100 研漿/ 清洗臂52同時包含幾個噴嘴（未示出) …」，可知拋光液向外噴濺的問題對於系爭專利或是化學機械研磨技術領域而言並非主要之問題。再者，證據11第2 欄第7 至17行教示：槽道的數量應較少以而可以有較多的拋光表面面積與工作件接觸，從而增加拋光墊的壽命，與系爭專利藉用控制槽道寬度及間距而使研漿均勻地傳送至基板的整個表面，得以防止平坦化效應或（及）將廢料難自槽道中除去之功效亦不同（系爭專利說明書第16頁第22行至第17頁第4行參照）。

⑵準此，證據11揭露拋光墊槽道尺寸的具體技術內容，經與系爭專利申請專利範圍第1 項比對，在槽道深度的尺寸有明顯的不同，證據11為「0.2 吋」而系爭專利申請專利範圍第1 項為「具有0.02至0.05吋間」，兩者相差約10倍，尚難謂為該領域的普通技術人士經通常手段而可選擇的具體尺寸範圍，故證據11，不足以證明系爭專利申請專利範圍第1項不具進步性。

3.證據2 、3 之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具進步性：證據2 ，足以證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具進步性，業如前述，從而，證據2 、3 之組合，亦足以證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具進步性。

4.證據2 、3 、6 之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具進步性：證據2 或證據2 、3 之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具進步性，業如前述，從而，證據2 、3 、6 之組合，亦足以證明系爭專利申請專利範圍第1項不具進步性。

（五）證據2 、3 之組合，或證據2 、3 、6 之組合，可否證明系爭專利申請專利範圍第2 項不具進步性？

1.證據2 、3 之組合，不足以證明系爭專利申請專利範圍第2 項不具進步性：系爭專利申請專利範圍第2 項係獨立項，其技術內容，業如前述。依系爭專利申請專利範圍第2 項與證據2 、3 之組合之技術內容比對，可知證據3 所揭示之化學機械研磨裝置及研磨墊槽道尺寸的具體技術內容，而系爭專利申請專利範圍第2 項係「一種用以於一化學機械研磨系統（對應於證據3 之研磨裝置) 中，研磨一基板（對應於證據3 之半導體基板15 )之研磨墊（對應於證據3 之研磨墊11) ，其至少包含：一研磨表面，具有多數實質圓形槽道（對應於證據3 之圓形槽道47) ，諸槽道具有至少0.02吋之深度（對應於證據3 之0.01至0.06吋) ，及至少0.09吋之間距（對應於證據3 之每吋有2-32條槽道，即間距為0.0312至0.5 吋) 」內容，已為證據3 所揭示。惟證據3 並未明確揭示系爭專利申請專利範圍第2 項所記研磨墊的槽道「寬度0.015 至0.04吋」，證據2 雖已揭露研磨墊槽道的具體寬度（約為3.2mm,即0.126 吋) ，然其數值範圍並未涵蓋系爭專利申請專利範圍第2 項所記範圍（寬度0.015 至0.04吋），尚難謂為該領域的普通技術人士經通常手段而可選擇的具體尺寸範圍。故證據2 、3 之組合，不足以證明系爭專利申請專利範圍第2 項不具進步性。

2.證據2 、3 、6 之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第2項不具進步性：

⑴證據6 揭示之化學機械研磨裝置及研磨墊槽道尺寸的具體技術內容，業如前述。

⑵就組合動機而言，證據6 與證據3 同屬同心圓槽道研磨墊，並且證據6 所揭示之槽道深度及間距均位於證據3 的範圍內，是以，熟習該項技術者有合理的動機將證據6 所揭示之槽道寬度與深度的比值(0.01/0.015=0.67) 運用於證據3 ，使研磨墊具有較大的平均移除率及較小的平均移除率的退化程度。經簡單計算可得證據3 在證據6 所揭示槽道寬度與深度比值情況下之槽道寬度約為0.007 至0.04吋，故在證據6 與證據3 的組合中揭示系爭專利申請專利範圍第2 項所記研磨墊的槽道「寬度0.015 至0.04吋」。

⑶系爭專利申請專利範圍第2 項槽道尺寸數值範圍，係在組合證據3 及6 所揭示之槽道尺寸數值範圍內之選擇發明。又系爭專利說明書並沒有進一步槽道尺寸特定數值範圍具備臨界性的相關資料。再者，所請的槽道寬度數值範圍，係在可能的、有限的範圍內選擇具體的尺寸範圍，而此選擇可以由該領域的普通技術人士經通常手段得到。

⑷原告主張證據3 所欲解決的問題與系爭專利不同，技術手段相反於系爭專利，且其所揭示之槽道為三角形剖面亦未揭示槽道寬度云云。惟查：系爭專利欲解決之研磨速度不均勻性，相當於證據3 第3 欄第[0010]文段所揭示之達到高研磨均一度；系爭專利所欲改良的對象（穿孔式研磨墊）及其所造成的問題，則相當於證據6 所揭露之穿孔式研磨墊與槽道式研磨墊間的差異及優劣比較，故系爭專利所欲解決的問題與證據3 、6 之組合相同。證據3 第3 圖所揭示槽道剖面雖為三角形，然在其說明書第5 欄第4-5 行亦明確揭示槽道形狀可以是平底的溝或半圓形等，且參酌證據3 ，第[0009]文段所揭示之槽道功效係相對於第[0006]、[0007]文段所揭示使用研磨墊調整器所形成有限的研磨漿通道的情形，第[0016]文段亦明確揭示槽道間距的具體數值範圍，尚難逕謂證據3 建議的方向是小的槽道寬度及間距。原告雖主張證據6 所揭露之技術僅在於比較說明具有槽道之研磨墊優於穿孔式研磨墊，亦未揭露系爭專利申請專利範圍第1 至6 項之槽道尺寸，亦無動機加深其槽道深度云云。惟查，證據6 所揭示之槽道尺寸雖未涵蓋系爭專利之數值範圍，然證據6 與證據3 所揭示者均為同心圓槽道研磨墊，熟習該項技術者有合理的動機將證據6 所揭示之槽道寬度與深度的比值運用於證據3 ，而獲得涵蓋系爭專利申請專利範圍第2 項所記研磨墊的槽道寬度的具體數值範圍。原告另主張證據6 教示「槽道越淺越好」係根據證據6 第41頁第三段所記內容云云，惟參酌證據6 圖1 及第41頁第三段內容，較淺槽道（0.015 吋）係相對於較深（0.05吋）的穿孔式研磨墊而言，尚難逕謂證據6 建議的方向是槽道越淺越好。

⑸綜上，證據3 、6 間有合理的組合動機，且其組合已揭示了涵蓋系爭專利申請專利範圍第2 項所記的槽道尺寸數值範圍，又該數值範圍並未具有臨界性，為該項技術者參酌證據3 、6 之組合所能輕易完成的數值改變，故證據3 、6 之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第2 項不具進步性，從而，證據2 、3 、6之組合，亦足以證明系爭專利申請專利範圍第2 項不具進步性。

（六）證據2 、3 、6 之組合，可否證明系爭專利申請專利範圍第3 項不具進步性？

1.證據2 、3 、6 之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第3 項不具進步性：系爭專利申請專利範圍第3 項係獨立項，其技術內容，業如前述。依系爭專利申請專利範圍第3 項與證據2 、3 、6 之組合技術內容比對，可知，系爭專利申請專利範圍第3 項所記之「一種用以於一化學機械研磨系統（對應於證據3 之研磨裝置）中，研磨一基板（對應於證據3 之半導體基板15）之研磨墊（對應於證據3 之研磨墊11），其至少包含：一研磨表面，具有多數實質圓形槽道（對應於證據3 之圓形槽道47），諸槽道具有0.02至0.05吋間之深度（對應於證據3 之0.01至0.06吋），及0.09至0.24吋間之間距（對應於證據3 之每吋有2-32條槽道, 即間距為0.0312至0.5 吋）。」內容，已為證據3 所揭示。雖證據3 並未明確揭示系爭專利申請專利範圍第3 項所記研磨墊的槽道「寬度0.015 至0. 04 吋」，惟在證據6 與證據3 的組合中，揭示槽度寬度（0.007 至0.04吋）涵蓋上述「0.015 至0.04吋」之理由及組合動機，故證據3 及證據6 間有合理的組合動機，且其組合已揭示了涵蓋系爭專利申請專利範圍第3 項所記的槽道尺寸數值範圍，又該數值範圍並未具有臨界性，為熟習該項技術者參酌證據組合所能輕易完成的數值改變，故證據3 、6 之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第3 項不具進步性。從而，證據2 、3 、6 之組合，亦足以證明系爭專利申請專利範圍第3 項不具進步性。

（七）證據2 、6 、17之組合，或證據11、6 、17之組合，可否證明系爭專利申請專利範圍第4 項不具進步性？

1.證據2 、6 、17之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第4 項不具進步性：

⑴系爭專利申請專利範圍第4 項係獨立項，其技術內容，業如前述。依系爭專利申請專利範圍第4 項與組合證據2 、6 及17之技術內容比對，可知，系爭專利申請專利範圍第4 項「一種用以於一化學機械研磨系統（對應於證據2 之chemical mechanical polishingapparatus,10) 中，研磨一基板（對應於證據2 之substrate,12) 之研磨墊（對應於證據2 之polishing pad,14)，其至少包含：一研磨表面，具有多數實質圓形槽道（對應於證據2 之concentriccircularoffset grooves, 26b），諸槽道具有至少0.02吋之深度（對應於證據2 至少0.5mm,即0.0197吋），至少0.015 吋之寬度（對應於證據2 之3.2mm,即0.126 吋），及至少0.09吋之間距（對應於證據2 之12.5 mm,即0.492 吋）」內容，均為證據2 所揭示。

⑵關於組合動機，槽道深度「至少0.02吋之深度」為證據2 所揭之數值( 至少0.5mm,即0.0197吋) 簡單改變之理由，業如前述。又證據6 所揭示使用上硬（Rodel's IC1000）下軟（Rodel's Suba IV ）研磨墊及其功效亦如前述。證據17第2 頁亦揭示IC1000的厚度包括0.02、0.32、0.05及0.08吋等。是以，為了提高晶圓整體平坦度，熟習該項技術者有合理的動機將證據6 所揭之上硬下軟研磨墊運用於證據2 ，並在有限可取得的IC1000研磨墊中選擇適當的厚度。

⑶原告主張證據17完全未教示或建議槽道設計，選擇的上層厚度具有避免平坦化效應及節省成本之功效云云。經查，證據17固未教示或建議槽道設計，惟其係用以佐證特定厚度IC1000是輕易可以取得的，且證據2及證據6 如上所述，均揭示在IC1000研磨墊的研磨表面設置槽道之技術特徵，是槽道設計已為證據2 、6之組合所揭示。又系爭專利申請專利範圍第4 項上層厚度之功效，依原告所援引說明書第17頁第7-11行內容，係槽道底部與下層間距離之功效而非上層厚度之直接功效，且系爭專利申請專利範圍第4 項所記之槽道深度僅為下限值並不能達到所稱之功效，例如在槽道深度0.02吋而上層厚度為0.12吋時，槽道底部與下層的距離(0.1吋) 大於上述說明書中建議值的上限(0.085) ，即不能達到節省的功效。

⑷證據2 、6 、17間有合理的組合動機且其組合已揭示了系爭專利申請專利範圍第4 項所有的技術特徵，又槽道尺寸數值範圍並未具有臨界性，為熟習該項技術者參酌證據2 、6 、17之組合所能輕易完成的數值改變，故證據2 、6 、17之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第4 項不具進步性。

2.證據11、6 、17之組合，不足以證明系爭專利申請專利範圍第4 項不具進步性：證據11揭示內容，業如前述。經與系爭專利申請專利範圍第4 項比對，至少在槽道深度的尺寸有明顯的不同：證據11為「0.2 吋」，而系爭專利申請專利範圍第4 項為「至少具有0.02吋」，兩者相差約10倍，尚難謂其該領域的普通技術人士可以經通常手段選擇具體的尺寸範圍。又證據17揭示IC1000之厚度可為0.08吋，然證據6的槽道尺寸不在系爭專利申請專利範圍第4 項所限定的數值範圍內，且與證據11所揭示之槽道尺寸相距太大，尚難稱熟習該項技術者有明顯的動機組合證據11、6 、17 ， 而能輕易完成系爭專利申請專利範圍第4 項，故證據11、6 、17之組合，不足以證明系爭專利申請專利範圍第4 項不具進步性。

（八）證據2 、3 、6 之組合，可否證明系爭專利申請專利範圍第5 項不具進步性？

1.證據2 、3 、6 之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第5 項不具進步性：系爭專利申請專利範圍第5 項係獨立項，其技術內容，業如前述。依系爭專利申請專利範圍第5 項與證據2 、3 、6 之組合技術內容特徵比對，可知系爭專利申請專利範圍第5 項「一種用以於一化學機械研磨系統（對應於證據3 之研磨裝置) 中，研磨一基板（對應於證據3之半導體基板15）之研磨墊（對應於證據3 之研磨墊11) ，其至少包含：一研磨表面，具有多數實質圓形槽道（對應於證據3 之圓形槽道47），諸槽道具有0.03吋之深度（對應於證據3 之0.01至0.06吋），及0.12吋間之間距（對應於證據3 之每吋有2-32條槽道, 即間距為0.0312至0.5 吋）」內容，均已為證據3 所揭示。又證據3 雖並未明確揭示系爭專利申請專利範圍第5 項所記研磨墊的槽道「寬度0.02吋」，惟證據6 與證據3 的組合中揭示槽度寬度（0.007 至0.04吋）涵蓋上述「0.02吋」之理由及組合動機，業如前述。故證據3 、6 間有合理的組合動機且其組合已涵蓋了系爭專利申請專利範圍第5 項所記的槽道尺寸數值範圍，且該數值範圍並未具有臨界性，為熟習該項技術者參酌證據3 、6 之組合所能輕易完成的數值改變，故證據3 、6 之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第5 項不具進步性，從而，證據2 、3 、6 之組合，亦足以證明系爭專利申請專利範圍第5 項不具進步性。

（九）證據2 ，或證據2 、3 之組合，或證據2 、3 、6 之組合，可否證明系爭專利申請專利範圍第6 項不具進步性？

1.證據2 足以證明系爭專利申請專利範圍第6 項不具進步性：系爭專利申請專利範圍第6 項係獨立項，其技術內容，已如前述，又證據2 所揭示之化學機械研磨裝置及研磨墊槽道尺寸的具體技術內容，亦如前述。依系爭專利申請專利範圍第6 項與證據2 之技術特徵比對，可知系爭專利申請專利範圍第6 項所記之「一種用以於一化學機械研磨系統（對應於證據2 之chemical mechanicalpolishing apparatus,10）中，研磨一基板（對應於證據2 之substrate,12）之研磨墊（對應於證據2 之polishing pad,14），其至少包含：一研磨表面，具有多數實質圓形槽道（對應於證據2 之concentric circularoffset grooves,26b），諸槽道具有至少0.015 吋之寬度（對應於證據2 之3.2mm,即0.126 吋），及至少0.09吋之間距（對應於證據2 之12.5至25mm, 即0.492 至0.984 吋），其中上述之槽道係被隔條所分離，槽道對隔條之寬度比是於0.01至0.25之間（對應於證據2 之0.147 至0.344 之間）」內容，已為證據2 所揭示。又槽道深度數值範圍（0.02至0.05吋間），係在證據2 所揭示之槽道深度數值範圍（至少0.5mm,即0.0197吋）內之選擇發明。準此，證據2 已揭示涵蓋了系爭專利申請專利範圍第6 項所記的槽道尺寸數值範圍，又該數值範圍並未具有臨界性，為熟習該項技術者參酌證據所能輕易完成的數值改變，故證據2 ，足以證明系爭專利申請專利範圍第6 項不具進步性。

2.證據2 、3 之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第6 項不具進步性：證據2 ，足以證明系爭專利申請專利範圍第6 項不具進步性，業如前述，從而，證據2 、3 之組合，亦足以證明系爭專利申請專利範圍第6 項不具進步性。

3.證據2 、3 、6 之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第6 項不具進步性：證據3 、6 揭示之內容，業如前述。又系爭專利申請專利範圍第6 項之「一種用以於一化學機械研磨系統（對應於證據3 之研磨裝置）中，研磨一基板（對應於證據3 之半導體基板15）之研磨墊（對應於證據3 之研磨墊11) ，其至少包含：一研磨表面，具有多數實質圓形槽道（對應於證據3 之圓形槽道47），諸槽道具有至少0.02吋之深度（對應於證據3 之0.01至0.06吋），及至少0.09吋間之間距（對應於證據3 之每吋有2-32條槽道，即間距為0.0312至0.5 吋），其中上述之槽道係被隔條所分離。」內容，已為證據3 所揭示。雖證據3 未明確揭示系爭專利申請專利範圍第6 項所記研磨墊的槽道「至少0.015 吋之寬度」，及「槽道對隔條之寬度比是於0.01至0.25之間」，惟將證據6 與證據3 組合，證據6揭示之槽道寬度與間距的比值運用於證據3 ，經簡單計算可得證據3 在相同比值情況下之槽道寬度約為0.005至0.08吋。是以，在證據3 、6 之組合中，已揭示系爭專利申請專利範圍第6 項所記研磨墊的槽道「至少寬度0.015 吋」，以及「槽道對隔條之寬度比是於0.01至0.25之間」。故證據3 、6 間有合理的組合動機，且其組合已揭示了涵蓋系爭專利申請專利範圍第6 項之槽道尺寸數值範圍，又該數值範圍並未具有臨界性，為熟習該項技術者參酌證據3 、6 之組合所能輕易完成的數值改變，故證據3 、6 之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第6 項不具進步性，從而，證據2 、3 、6 之組合，亦足以證明系爭專利申請專利範圍第6 項不具進步性。

（十）證據8 ，證據8 、10之組合，或證據8 、12之組合，或證據10、12之組合，或證據8 、22之組合，或證據10、22之組合，可否證明系爭專利申請專利範圍第7 項不具進步性？

1.證據8 或證據8 、12之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第7 項不具進步性：

⑴系爭專利申請專利範圍第7 項係獨立項，其技術內容，已如前述，又證據8 所揭示之研磨裝置及研磨墊槽道由中心向周緣變化的具體技術內容，亦如前述。依系爭專利申請專利範圍第7 項與證據8 之技術特徵比對，可知系爭專利申請專利範圍第7 項之「一種研磨墊，其至少包含：一第一研磨區域（對應於證據8 靠圓心部分），具有第一多數之具第一寬度及第一間距之實質圓形之同心圓槽道；一第二研磨區域（對應於證據8 靠圓周部分）包圍該第一研磨區域，並具有第二多數實質同心圓槽道，槽道具有第二寬度及第二間距；以及其中至少第二寬度及第二間距之一不同於第一寬度及第一間距（對應於證據8 寬度逐漸變窄或間距逐漸變寬）」內容，已為證據8 所揭示。雖證據8並未明確揭示系爭專利申請專利範圍第7 項所記研磨墊係「用於化學機械研磨系統中之用以研磨基板」，惟證據8 第279 頁右上欄第19行至左下欄第2 行教示槽道隔條寬度由中心向周緣減少的研磨墊，可減少鄰近區域不必要的過研磨階差情形。是以，獲得證據8上述教示之功效，熟習該項技術者即有合理動機將證據8 所揭示不同間距比值的同心圓槽道研磨墊轉用於化學機械研磨系統中研磨基板的研磨墊，故證據8足以證明系爭專利申請專利範圍第7 項不具進步性。

⑵原告雖主張證據8 所揭露之研磨墊技術無法應用於化學機械研磨、將槽道寬度設為常數，所欲解決的問題及功效目的均不相同，亦無法達成系爭專利消除快帶效應之功效云云。惟證據8 所揭示之研磨墊技術研磨模式（研磨盤16的尺寸小於工作件12，研磨液供應到工作件表面) ，雖不同於系爭專利之化學機械研磨（如系爭專利第1 、2 圖所示，研磨墊的尺寸大於基板、工作件研磨漿係分布於研磨墊) ，然為了獲得減少鄰近區域不必要的過研磨階差等功效，證據8 所教示的功效即提供合理動機，促使熟習該項技術者將證據8 所揭示不同槽道間距比值研磨墊的技術轉用於化學機械研磨的研磨墊。又系爭專利申請專利範圍第7 項內容係「其中至少『第二寬度及第二間距之一』不同於第一寬度及第一間距。」，以區分第一及第二研磨區域，換言之，在第一區域與第二區中的槽道寬度或槽道間距其中之一有不相同即為其申請專利範圍，而證據8 之槽道具有從中心部分向四周逐漸變寬的「間距」（參證據8 第279 頁右上欄第4-6 行），已揭示槽道間距為非定值的技術。又證據8 第279 頁左上欄第14-17 行所記槽道間距保持相同，寬度（研磨部分）由圓心向圓周漸次變窄，亦揭露槽道寬度為非定值的技術。再者，系爭專利所欲解決的問題乃是晶圓研磨不均勻，而證據8 是在研磨時凸出部位仍能避免鄰近區域的過研磨階差，是以，證據8 與系爭專利所欲解決的問題在本質上均是提高被研磨物的整體研磨均勻度，雖證據8 未揭示系爭專利說明書所記消除快帶效應之功效，惟由證據8 第3 圖教示研磨墊的槽道隔條寬度由中心向周緣減少時，其有效接觸工作件的研磨面積由中心向周緣減少，使得研磨墊與工作件的接觸的時間亦由中心向周緣減少，同時比較使用均勻槽道隔條寬度研磨墊研磨的結果（第8 圖）及使用槽道隔條寬度由中心向周緣減少研磨墊研磨的結果（第4圖) ，可以清楚看出後者可以減少不必要的過研磨階差情形。是以，熟習化學機械研磨技術者在面臨系爭專利之基板特定區域（距周緣約15毫米的環形區域)較其他區域過度研磨的快帶效應時，即有動機將化學機械研磨墊中相對於基板過度研磨區域的槽道隔條寬度，由原來的相同寬度改變成證據8 所教示的較小寬度，以減少該區域基板的有效研磨接觸時間，客觀上即可預期能達成消除快帶效應之功效。

⑶準此，證據8 ，足以證明系爭專利申請專利範圍第7項不具進步性，從而，證據8 、12之組合，亦足以證明系爭專利申請專利範圍第7 項不具進步性。

2.證據8 、10之組合，或證據10、12之組合，或證據10、22之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第7 項不具進步性：

⑴證據10所揭示之研磨裝置及研磨墊槽道尺寸的具體技術內容，業如前述。依系爭專利申請專利範圍第7 項與證據10之技術特徵比對，可知系爭專利申請專利範圍第7 項之「一種研磨墊，其至少包含：一第一研磨區域（對應於證據10靠圓心部分, 如第5A圖所示A 點處），具有第一多數之具第一寬度及第一間距之槽道；一第二研磨區域（對應於證據10中間部分, 如第5B圖所示B 點處）包圍該第一研磨區域，並具有第二多數槽道，槽道具有第二寬度及第二間距；以及其中至少第二寬度及第二間距之一不同於第一寬度及第一間距（對應於證據10第4 圖所示A 點處的間距比值小於B 點處的間距比值）」內容，已為證據10所揭示。雖證據10未明確揭示或教示系爭專利申請專利範圍第7項所記研磨墊係「用於化學機械研磨系統中之用以研磨基板」，以及槽道為「實質同心圓」，惟證據10第3 圖所示研磨墊與被研磨物間的研磨模式相似於系爭專利第1 、2 圖所示，均是研磨墊的尺寸大於被研磨物，並且化學機械研磨系統之研磨墊亦需要定時的調整以保持研磨效率，是為獲得減少調整研磨墊表面的頻率及均勻地磨耗等功效，熟習該項技術者即有合理動機，將證據10所揭示不同間距比值的螺旋形槽道研磨墊轉用於化學機械研磨系統中研磨基板的研磨墊，又螺形槽道與同心圓槽道，亦為熟習該項技術者所能輕易完成之槽道配置圖樣設計上簡單改變，故證據10足以證明系爭專利申請專利範圍第7 項不具進步性。

⑵原告雖主張證據10所揭露之研光機技術無法應用到半導體基材之研磨而無組合動機、未教示第一及第二研磨區之分別且未討論槽道寬度亦有反向教示，所欲解決的問題及功效目的均不相同，亦無法達成系爭專利消除快帶效應之功效云云。惟查：關於轉用及組合動機部分：證據10所揭示之研光機技術研磨模式類似於系爭專利之化學機械研磨，均是研磨墊的尺寸大於被研磨物，並且兩者之研磨墊亦均需要定時的被調整以保持研磨效率，此即提供了轉用的動機，又為了獲得減少調整化學機械研磨墊表面的頻率及均勻地磨耗等證據10所教示的功效，此亦提供合理動機促使熟習該項技術者將證據10所揭示不同槽道間距比值研磨墊的技術轉用於化學機械研磨的研磨墊。關於研磨區、槽道寬度及反向教示部分：系爭專利申請專利範圍第7 項所記內容係「其中至少『第二寬度及第二間距之一』不同於第一寬度及第一間距。」，以區分第一及第二研磨區域，亦即，在第一區域與第二區中的槽道寬度或槽道間距其中之一有不相同即為其申請專利範圍。雖證據10揭示非固定的槽道間距比值，不同於系爭專利申請專利範圍第7 項所記的槽道寬度或槽道間距，但證據10說明書第6 欄第52-53 行（見舉發卷1 第30頁）已教示：實務上可以將槽道凹部寬度設為定值，故由上述之槽道間距比值定義及簡單的代數變換，即可得知槽道隔條寬度（= 槽道凹部寬度* 槽道間距比值/(1-槽道間距比值) ）、槽道間距（= 槽道凹部寬度/(1-槽道間距比值) ）亦非固定值，是以，證據10所揭露槽道間距在邊緣區域與中間區域是不相同的技術，已可對應於系爭專利申請專利範圍第7 項第二研磨區域之第二間距不同於第一研磨區域第一間距之技術特徵。再者，系爭專利申請專利範圍第7 項僅記載兩區域中槽道寬度或槽道間距不同之關係，並未有所稱之槽道佔據面積的關係，即便在系爭專利申請專利範圍第9 、10項中進一步界定第一間距與第二間距的大小關係，不同於證據22上述槽道凹部寬部設為定值之建議，惟其第5B圖B 點處所示之間距P （對應於上述第一間距）明顯大於第5A圖A 點處所示之間距P(對應於上述第二間距)，且熟習該項技術者亦可經由將槽道隔條寬設為定值而達成與系爭專利相同的槽道間距變化，故尚難謂證據22有反向教示之可言。關於解決的問題及功效目的部分：系爭專利所欲解決的問題乃是晶圓研磨不均勻，而證據10是在非常大量的研磨時仍需具有較精密平坦度，則證據10與系爭專利所欲解決的問題，本質上皆在於提高被研磨物的平坦度，雖證據10未揭示系爭專利說明書中所記消除快帶效應之功效，然而，證據10已揭示槽道間距在邊緣區域與中間區域不相同的技術，可對應於系爭專利申請專利範圍第7 項所記的技術特徵，是將證據10之技術轉用於化學機械研磨的研磨墊，客觀上即可預期能達成消除快帶效應之功效。

⑶證據10，足以證明系爭專利申請專利範圍第7 項不具進步性，從而，證據8 、10之組合，或證據10、12之組合，或證據10、22之組合，亦足以證明系爭專利申請專利範圍第7 項不具進步性。

3.證據8 、22之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第7 項不具進步性：

⑴證據22所揭示之研磨墊槽道尺寸的具體技術內容，業如前述。依系爭專利申請專利範圍第7 項與證據22之技術特徵比對，可知系爭專利申請專利範圍第7 項之「一種研磨墊，其至少包含：一第一研磨區域（對應於證據22靠研磨墊靠圓心部分），具有第一多數之具第一寬度及第一間距之實質圓形之同心圓槽道；一第二研磨區域（對應於證據22靠研磨墊半徑中點部分)包圍該第一研磨區域，並具有第二多數實質同心圓槽道，槽道具有第二寬度及第二間距；以及其中至少第二寬度及第二間距之一不同於第一寬度及第一間距（對應於證據22第15圖所示槽道寬度在中點處大於圓心處) 」內容，已為證據22所揭示。又證據22雖未揭示或教示系爭專利申請專利範圍第7 項所記研磨墊係「用於化學機械研磨系統中之用以研磨基板」，惟證據22第1 、2 圖所示研磨墊與被研磨物間的研磨模式相似於系爭專利第1 、2 圖所示，均是研磨墊的尺寸大於被研磨物，且證據2 說明書第2 頁第19-2 2行（見舉發卷2 第171 頁）揭示研光作業的研磨墊需要定時的被調整（re-dressed）以回復研磨表面精確的平坦度，亦類似於化學機械研磨系統之研磨墊需要定時的被調整以保持研磨效率。再者，為了獲得減少調整研磨墊表面的需求及均勻地磨耗等功效，熟習該項技術者即有合理動機將證據22所揭示不同間距比值的同心圓形槽道研磨墊轉用於化學機械研磨系統中研磨基板的研磨墊，故證據22，足以證明系爭專利申請專利範圍第7 項不具進步性。

⑵原告雖主張證據22所揭露之研光機技術無法應用到半導體基材之研磨而無組合動機、未教示第一及第二研磨區之分別且未討論槽道寬度亦有反向教示，所欲解決的問題及功效目的均不相同，亦無法達成系爭專利消除快帶效應之功效云云。惟查：關於轉用及組合動機部分：證據22所揭示之研光機技術研磨模式類似於系爭專利之化學機械研磨，均是研磨墊的尺寸大於被研磨物，並且兩者之研磨墊亦均需要定時的被調整以保持研磨效率，此即提供了轉用的動機。又為了獲得減少調整研磨墊表面的需求及均勻地磨耗等證據22所教示的功效，此亦提供合理動機促使熟習該項技術者將證據22所揭示不同槽道間距比值研磨墊的技術轉用於化學機械研磨的研磨墊。關於研磨區、槽道寬度及反向教示部分：原告主張證據22第15圖所示槽道之分佈在內圈及外緣較中間段為密之技術，相反於系爭專利意圖將中間段槽道佔據面積增加之技術云云。惟查，系爭專利申請專利範圍第7 項在第一區域與第二區中的槽道寬度或槽道間距其中之一有不相同即為其申請專利範圍，而證據22第20頁第9-24行及圖15所揭示者，即為槽道間距不相同的技術，已可對應於系爭專利申請專利範圍第7 項第二研磨區域之第二間距不同於第一研磨區域第一間距之技術特徵；又系爭專利申請專利範圍第7 項如上所述僅記載兩區域中槽道寬度或槽道間距不同之關係，並未有原告所稱之槽道佔據面積的關係，難謂證據22有何反向教示。至系爭專利申請專利範圍第10、11項雖進一步界定第一間距與第二間距的大小關係，惟參加人主張系爭專利申請專利範圍第10、11項不具進步性之舉發證據並未包括證據22（如第五（九）爭點所示），即無需考量原告所指證據22有無反向教示之問題。關於解決的問題及功效目的部分：系爭專利所欲解決的問題乃是晶圓研磨不均勻，而證據22是追求良好的研磨精密度，是以，證據22與系爭專利所欲解決的問題皆在於提高被研磨物的平坦度，二者本質相同；又證據22雖未揭示系爭專利說明書中所記消除快帶效應之功效，然系爭專利申請專利範圍第7 項並未記載達成消除快帶效應之技術手段（槽道佔據面積或是間距大小的變化關係），自難謂能達成消除快帶效應之功效；再者，證據22已揭示槽道間距在邊緣區域與中間區域不相同的技術，係可對應於系爭專利申請專利範圍第7 項所記載之技術特徵，則將證據22之技術轉用於化學機械研磨的研磨墊，客觀上即可預期能達成消除快帶效應之功效。

⑶準此，證據22，足以證明系爭專利申請專利範圍第7項不具進步性，則證據8 、22之組合，亦足以證明系爭專利申請專利範圍第7 項不具進步性。

（）證據8 、10之組合，或證據8 、12之組合，或證據10、12之組合，或證據8 、22之組合，或證據10、22之組合，可否證明系爭專利申請專利範圍第8 、9 項不具進步性？

1.系爭專利申請專利範圍第8 項，係依附於系爭專利申請專利範圍第7 項之附屬項，其技術內容，業如前述。又證據8 、10之組合，或證據8 、12之組合，或證據10、12之組合，或證據8 、22之組合，或證據10、22之組合，均足以證明系爭專利申請專利範圍第7 項不具進步性，業如前述，另證據10第5C圖，揭示在研磨墊圓周部分設置有螺旋形槽道，包圍研磨墊中心部分螺旋形槽道；或者證據8 第5 圖或證據22第15圖，揭示在研磨墊圓周部分設置有同心圓形槽道，包圍研磨墊中心部分同心圓形槽道。故證據8 、10之組合，或證據8 、12之組合，或證據10、12之組合，或證據8 、22之組合，或證據10、22之組合，亦足以證明系爭專利申請專利範圍第8 項不具進步性。

2.系爭專利申請專利範圍第9 項，係依附於系爭專利申請專利範圍第8 項之附屬項，其技術內容，業如前述，又證據8 、10之組合，或證據8 、12之組合，或證據10、12之組合，或證據8 、22之組合，或證據10、22之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第8 項不具進步性，亦如前述。另證據22及證據10所揭示之研磨墊表面之槽道的寬度非為固定值之技術，雖證據8 、證據10或證據22雖均未明確揭示槽道寬度與間距，在特定區域之外緣與內圈相同，惟上述進一步界定的技術特徵僅為槽道尺寸設計上之簡單改變，且系爭專利說明書中亦未記載上述進一步界定的技術特徵具有特別突出的功效。故證據8 、10之組合，或證據8 、12之組合，或證據10、12之組合，或證據8 、22之組合，或證據10、22之組合，亦足以證明系爭專利申請專利範圍第9 項不具進步性。

（）證據8 、12之組合，或證據10、12之組合，可否證明系爭專利申請專利範圍第10、11項不具進步性？

1.系爭專利申請專利範圍第10項，係依附於系爭專利申請專利範圍第9 項之附屬項，其技術內容，業如前述，又證據8 、12之組合，或證據10、12之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第9 項不具進步性，已如前述。另證據8 已揭示槽道間距自中心向外圍變小但寬度大致維持不變；證據10間距比值最大值位於兩區域的中間位置，又由第5B圖B 點處所示之間距P （對應於上述第一間距）明顯大於第5A圖A 點處所示之間距P （對應於上述第二間距）。故證據8 、12之組合，或證據10、12之組合，亦足以證明系爭專利申請專利範圍第10項不具進步性。

2.系爭專利申請專利範圍第11項，係依附於系爭專利申請專利範圍第10項之附屬項，其技術內容，業如前述。證據8 、12之組合，或證據10、12之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第10項不具進步性，亦如前述。雖證據8 與證據10未明確揭示A 點處及B 點處槽道間距具體的比例關係，惟上述進一步界定的技術特徵僅為槽道尺寸設計上之簡單改變，且系爭專利說明書中亦未記載上述進一步界定的技術特徵具有特別突出的功效。故證據8 、12之組合，或證據10、12之組合，亦足以證明系爭專利申請專利範圍第11項不具進步性。

（）證據8 、10之組合，或證據10、12之組合，或證據8 、12之組合，可否證明系爭專利申請專利範圍第12、13項不具進步性？

1.系爭專利申請專利範圍第12項，係依附於系爭專利申請專利範圍第9 項之附屬項，其技術內容，業如前述，又證據8 、10之組合，或證據10、12之組合，或證據8 、12之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第9 項不具進步性，亦如前述。另證據10間距比值最大值位於兩區域的中間位置，又由第5B圖B 點處所示之寬度b （對應於上述第一寬度）明顯少於第5A圖A 點處所示之間距P(對應於上述第二間距) 。故證據8 、10之組合，或證據10、12之組合，或證據8 、12之組合，亦足以證明系爭專利申請專利範圍第12項不具進步性。

2.系爭專利申請專利範圍第13項，係依附於系爭專利申請專利範圍第12項之附屬項，其技術內容，業如前述。又證據8 、10之組合，或證據10、12之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第12項不具進步性，亦如前述。雖證據8 與證據10未明確揭示A 點處寬度b 及B 點處間距P 具體的比例關係，惟上述進一步界定的技術特徵僅為槽道尺寸設計上之簡單改變，且系爭專利說明書中亦未記載上述進一步界定的技術特徵具有特別突出的功效。故證據8 、10之組合，或證據10、12之組合，或證據8、12之組合，亦足以證明系爭專利申請專利範圍第13項不具進步性。

（）證據8 ，或證據8 、10之組合，或證據8 、12之組合，或證據10、12之組合，或證據8 、22之組合，或證據10、22之組合，或證據2 、5 、8 之組合，或證據2 、5 、8 、10之組合，或證據2 、5 、8 、12之組合，或證據2 、5、10、12之組合，或證據2 、5 、8 、22之組合，或證據2 、5 、10、22之組合，可否證明系爭專利申請專利範圍第14項不具進步性？

1.系爭專利申請專利範圍第14項，係依附於系爭專利申請專利範圍第7 項之附屬項，其技術內容，業如前述。又證據8 ，證據8 、10之組合，或證據10、12之組合，或證據8 、22之組合，或證據10、22之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第7 項不具進步性，亦如前述。再者，證據8 第5 圖、證據22第15圖及證據10第5A至5C圖均揭示：槽道間具有凸出的隔條所分離，雖證據8 、證據22或證據10均未明確揭示隔條覆蓋表面積的具體比例，惟上述進一步界定的技術特徵僅為槽道尺寸設計上之簡單改變，且系爭專利說明書中亦未記載上述進一步界定的技術特徵具有特別突出的功效。故證據8 ，證據8、10之組合，或證據8 、12之組合，或證據10、12之組合，或證據8 、22之組合，或證據10、22之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第14項不具進步性，從而，證據2 、5 、8 之組合，或證據2 、5 、8 、10之組合，或證據2 、5 、8 、12之組合，或證據2 、5 、10、12之組合，或證據2 、5 、8 、22之組合，或證據2 、5 、10、22之組合，亦足以證明系爭專利申請專利範圍第14項不具進步性。

2.此外，證據2 由其所揭示圓形槽道的具體尺寸，經簡單計算可得隔條所占表面積大約74至87% ；證據5 ，亦揭示工作表面18形成有凹凸，使得表面積露出達到50% 以上，在研磨過程中可以移除碎屑（dross ），均業如前述，可知，證據2 及證據5 已分別揭示上述進一步界定研磨墊隔條之表面積覆蓋率，是為了獲得減少調整化學機械研磨墊表面的頻率及均勻地磨耗等證據10所教示的功效，以及證據5 所教示在研磨過程中可以移除碎屑的功效，即有合理動機促使熟習該項技術者將證據10所揭示不同槽道間距比值研磨墊的技術，以及證據5 所揭示的研磨墊隔條之表面積覆蓋率技術，運用於證據2 所揭示的化學機械研磨的研磨墊，益可證證據2 、5 、8 之組合，或證據2 、5 、8 、10之組合，或證據2 、5 、8 、12之組合，或證據2 、5 、10、12之組合，或證據2 、5 、8 、22之組合，或證據2 、5 、10、22之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第14項不具進步性。

（）證據8 ，證據8 、10之組合，或證據8 、12之組合，或證據10、12之組合，或證據8 、22之組合，或證據10、22之組合，可否證明系爭專利申請專利範圍第15項不具進步性？

1.證據8 ，或證據8 、12之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第15項不具進步性：

⑴系爭專利申請專利範圍第15項，係獨立項，其技術內容，已如前述。又證據8 之技術內容，亦如前述。依系爭專利申請專利範圍第15項與證據8 之技術特徵比對說明，可知系爭專利申請專利範圍第15項「一種研磨墊，其至少包含：一研磨表面，具有一第一研磨區域（對應於證據8 螺旋形線靠中心部分) 及包圍該第一研磨區域之一第二研磨區域（對應於證據8 螺旋形線靠外緣部分），一螺旋槽道（對應於證據8 螺旋形槽道3 ）形成在研磨表面中，該螺旋槽道於第一研磨區域中具有第一間距，及於第二研磨區域中具有第二不同之間距（對應於證據8 螺旋形線間距由圓心向圓周漸次變寬）」內容，已為證據8 所揭示。雖證據8並未明確揭示或教示系爭專利申請專利範圍第15項所記研磨墊係「用於化學機械研磨系統中之用以研磨基板」，惟依前所述，熟習該項技術者有合理動機將證據8 所揭示具有兩個不同間距的形槽道區域研磨墊轉用於化學機械研磨系統的研磨墊。

⑵證據8 ，足以證明系爭專利申請專利範圍第15項不具進步性，業如前述，則證據8 、12之組合，亦足以證明系爭專利申請專利範圍第15項不具進步性。

2.證據8 、10之組合，或證據10、12之組合，或證據10、22之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第15項不具進步性：證據10之技術內容，已如前述，依系爭專利申請專利範圍第15項與證據10之技術特徵比對，可知系爭專利申請專利範圍第15項之「一種研磨墊，其至少包含：一研磨表面，具有一第一研磨區域（對應於證據10靠圓心部分，如第5A圖所示A 點處）及包圍該第一研磨區域之一第二研磨區域（對應於證據10中間部分，如第5B圖所示B點處），一螺旋槽道（對應於證據10螺旋形槽道10）形成在研磨表面中，該螺旋槽道於第一研磨區域中具有第一間距，及於第二研磨區域中具有第二不同之間距（對應於證據10第4 圖所示A 點處的間距比值小於B 點處的間距比值）」內容，已為證據10所揭示。雖證據10並未明確揭示或教示系爭專利申請專利範圍第15項所記研磨墊係「用於化學機械研磨系統中之用以研磨基板」，惟熟習該項技術者即有合理動機將證據10所揭示不同間距比值的螺旋形槽道研磨墊轉用於化學機械研磨系統中研磨基板的研磨墊，故證據10，足以證明系爭專利申請專利範圍第15項不具進步性，從而，證據8 、10之組合，或證據10、12之組合，或證據10、22之組合，亦足以證明系爭專利申請專利範圍第15項不具進步性。

3.證據8 、22之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第15項不具進步性：證據10之技術內容，已如前述，依系爭專利申請專利範圍第15項與證據22之技術特徵比對，可知系爭專利申請專利範圍第15項之「一種研磨墊，其至少包含：一研磨表面，具有一第一研磨區域（對應於證據22靠研磨墊靠圓心部分）及包圍該第一研磨區域之一第二研磨區域（對應於證據22靠研磨墊半徑中點部分），一螺旋槽道（對應於證據22螺旋形槽道93）形成在研磨表面中，該螺旋槽道於第一研磨區域中具有第一間距，及於第二研磨區域中具有第二不同之間距（對應於證據22第15圖所示槽道寬度在中點處大於圓心處）」內容，已為證據22所揭示。雖證據22並未明確揭示系爭專利申請專利範圍第15項所記研磨墊係「用於化學機械研磨系統中之用以研磨基板」，惟熟習該項技術者即有合理動機將證據22所揭示不同間距比值的螺旋形槽道研磨墊轉用於化學機械研磨系統中研磨基板的研磨墊，故證據22，足以證明系爭專利申請專利範圍第15項不具進步性，從而，證據8、22之組合，亦足以證明系爭專利申請專利範圍第15項不具進步性。

（）系爭專利申請專利範圍第16-18 項所界定之『實質彎曲之槽道』用語之解釋：

1.系爭專利申請專利範圍第16、17項所界定之「實質彎曲之槽道」用語之解釋：按發明專利權範圍，以說明書所載之申請專利範圍為準。必要時，得審酌說明書及圖式，修正前83年專利法第56條第3 項定有明文。查系爭專利申請專利範圍第16項所界定之「實質彎曲之槽道」對熟習該項技術者而言，其語意明確，係指槽道為具有彎曲非直線之形狀，至於其彎曲形狀是否屬來回擺動之蛇形（曲率中心不在同一側變動) 或為單調彎曲（曲率中心在同一側) 則非所問，並無參酌系爭專利說明書之必要，況且系爭專利說明書亦未對「實質彎曲之槽道」有何文字定義。再者，系爭專利申請專利範圍第17項附屬項僅係對彎曲槽道之間距或寬度至少一個是否同於圓形槽道之間距或寬度，對彎曲槽道之形狀並未有進一步之界定，故「彎曲槽道」用語之解釋，仍與其所依附之系爭專利申請專利範圍第16項獨立項相同，故系爭專利申請專利範圍第16、17項所界定之「實質彎曲之槽道」用語，應解釋為「槽道為具有彎曲非直線之形狀」。

2.系爭專利申請專利範圍第18項所界定之「實質彎曲之槽道」用語之解釋：查系爭專利申請專利範圍第18項附屬項因有進一步界定彎曲槽道具有「振幅」，可知彎曲槽道係在研磨墊的水平方向具有來回擺動之形狀，即系爭專利圖第13圖所示之形狀。故參酌說明書之內容，系爭專利申請專利範圍第18項所界定之「實質彎曲之槽道」的範圍，係第16項「實質彎曲之槽道」的下位概念，即為「槽道為具有彎曲非直線且來回擺動之形狀」。

3.原告雖主張依系爭專利說明書第22頁及第13圖所示與申請專利範圍相同用語解釋一致性原則、修正後新專利法第58條第4 項規定，於解釋申請專利範圍時，並得審酌說明書及圖式及第13圖所示多數彎曲槽道之分佈情況，其目的即在解決快帶效應之技術問題，故實質彎曲用語，應解釋為具有波動蛇行形狀云云。惟查：

⑴系爭專利核准日期為90年2 月5 日，是解釋申請專利範圍之適用法條規定，應為修正前83年專利法第56條第3 項之「發明專利權範圍，以說明書所載之申請專利範圍為準。必要時，得審酌說明書及圖式」，雖系爭專利圖式第13圖及說明書第22頁第7 行至第23頁第4 行、第19頁10-22 行揭示在第二區域為具有來回擺動振幅的曲線圖案，及其所對應解決的問題及功效（即解決快帶效應及避免研磨不均勻的功效），惟系爭專利申請專利範圍第16、17項用語明確，並未界定實質彎曲具有波動蛇行形狀，自無從經由解釋而讀入說明書之內容。而系爭專利申請專利範圍第18項進一步明確界定第16項所述之研磨墊，其彎曲槽道具有振幅，可知，系爭專利申請專利範圍第18項之彎曲槽道具有來回擺動振幅的曲線圖案，為第16項「實質彎曲之槽道」的下位概念，自無原告所稱用語解釋一致原則之適用。

（）系爭專利申請專利範圍第18項進一步界定的內容「彎曲槽道具有於一至兩倍振幅及一倍半至兩倍寬度」，該振幅及寬度的比對基礎為何？

1.系爭專利申請專利範圍第18項：「曲槽道具有於一至兩倍振幅及一倍半至兩倍寬度」中振幅及寬度的比對基礎為何並不明確，自有參酌系爭專利說明書之必要，而系爭專利說明書第22頁第17-24 行相對應的內容：「…每一彎曲槽道224b可以波動於其最內及最外半徑之間，以一約0.1 至0.5 吋之振幅A ，例如0.2 吋或0.4 吋。…彎曲槽道224b可以具有約0.125 吋之寬及約0.20吋之間距。彎曲槽道224 之第二間距可以於約一至兩倍其振幅，或於約一倍半至兩倍其第二寬度」（見舉發卷1 第136 頁）。是以，系爭專利申請專利範圍第18項進一步界定之內容應為「其中上述之彎曲槽道具有『間距為』一至兩倍振幅及或一倍半至兩倍寬度」，即振幅及寬度的比對基礎係相對於槽道間距。

2.至於參加人主張無需參酌說明書及圖式之內容，其文義為彎曲槽道本身即具有一倍振幅及一倍寬度云云。惟系爭專利申請專利範圍第18項就振幅及寬度比對基礎之記載有不明確處，依修正前83年專利法第56條第3 項規定，應參酌說明書及圖式內容，參加人此部分主張，並未指出振幅及寬度的比對基礎，尚無可採。

（）證據8 ，證據10，證據8 、10之組合，或證據8 、12之組合，或證據10、12之組合，或證據8 、22之組合，或證據10、22之組合，或證據8 、13之組合，或證據10、13之組合，或證據8 、12、13之組合，可否證明系爭專利申請專利範圍第16、17項不具進步性？

1.證據8 、證據8 、12之組合、或證據8 、13之組合，或證據8 、12、13之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第16項不具進步性：

⑴系爭專利申請專利範圍第16項，係獨立項，其技術內容，及證據8 揭示之內容，已如前述，又系爭專利申請專利範圍第16項所界定之「實質彎曲之槽道」用語，應解釋為「槽道為具有彎曲非直線之形狀」，業如前述，則圓形或螺旋形槽道，均具有弧形非直線之形狀，亦屬於系爭專利申請專利範圍第16項所界定之「實質彎曲之槽道」內容。依系爭專利申請專利範圍第16項與證據8 之技術特徵比對，可知系爭專利申請專利範圍第16項之「一種研磨墊，其至少包含：一第一研磨區域（對應於證據8 靠圓心部分），具有第一多數之實質圓形之同心圓槽道；及一第二研磨區域（對應於證據8 靠圓周部分）包圍該第一研磨區域並具有多數實質彎曲之槽道（對應於證據8 圓形或螺旋形槽道）」內容，已為證據8 所揭示。

⑵雖證據8 並未明確揭示或教示系爭專利申請專利範圍第16項所記研磨墊係「用於化學機械研磨系統中之用以研磨基板」，惟熟習該項技術者有合理動機將證據8 所揭示具有兩個不同間距的形槽道區域研磨墊轉用於化學機械研磨系統的研磨墊，業如前述，故證據8，足以證明系爭專利申請專利範圍第16項不具進步性，從而，證據8 、12之組合、或證據8 、13之組合，或證據8 、12、13之組合，亦足以證明系爭專利申請專利範圍第16項不具進步性。

2.證據10，證據8 、10之組合，或證據10、12之組合，或證據10、22之組合，或證據10、13之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第16項不具進步性：證據10揭示之內容，即圓形或螺旋形槽道具有弧形非直線之形狀，亦屬系爭專利申請專利範圍第16項所界定之「實質彎曲之槽道」內容，均如前述。依系爭專利申請專利範圍第16項與證據10之技術特徵比對，可知系爭專利申請專利範圍第16項之「一種研磨墊，其至少包含：一第一研磨區域（對應於證據10靠圓心部分, 如第5A圖所示A 點處），具有第一多數之螺旋形槽道；及一第二研磨區域（對應於證據10中間部分, 如第5B圖所示B 點處) 包圍該第一研磨區域並具有多數實質彎曲之槽道（對應於證據10螺旋形槽道）」內容，已為證據10所揭示。雖證據10未明確揭示系爭專利申請專利範圍第16項所記研磨墊係「用於化學機械研磨系統中之用以研磨基板」，及第一多數槽道為「實質同心圓」，惟熟習該項技術者即有合理動機將證據10所揭示不同間距比值的螺旋形槽道研磨墊轉用於化學機械研磨系統中研磨基板的研磨墊，故證據10，足以證明系爭專利申請專利範圍第16項不具進步性，從而，證據8 、10之組合，或證據10、12之組合，或證據10、22之組合，或證據10、13之組合，亦足以證明系爭專利申請專利範圍第16項不具進步性。

3.證據8 、22之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第16項不具進步性：證據22揭示之內容，證據10揭示內容，即圓形或螺旋形槽道，均有弧形非直線之形狀，亦屬系爭專利申請專利範圍第16項所界定之「實質彎曲之槽道」內容，業如前述。依系爭專利申請專利範圍第16項與證據22之技術特徵比對，可知系爭專利申請專利範圍第16項之「一種研磨墊，其至少包含：一第一研磨區域（對應於證據22靠研磨墊靠圓心部分），具有第一多數之實質圓形之同心圓槽道；及一第二研磨區域（對應於證據22靠研磨墊圓周部分）包圍該第一研磨區域並具有多數實質彎曲之槽道（對應於證據22圓形或螺旋形槽道）」內容，已為證據22所揭示。又證據22雖未明確揭示系爭專利申請專利範圍第16項所記研磨墊係「用於化學機械研磨系統中之用以研磨基板」，惟熟習該項技術者即有合理動機將證據22所揭示不同間距比值的圓形槽道研磨墊轉用於化學機械研磨系統中研磨基板的研磨墊，故證據22，足以證明系爭專利申請專利範圍第16項不具進步性，從而，證據8 、22之組合，亦足以證明系爭專利申請專利範圍第16項不具進步性。

4.系爭專利申請專利範圍第17項，係依附於系爭專利申請專利範圍第16項之附屬項，其技術內容，已如前述。又證據8 ，證據10，證據8 、10之組合，或證據8 、12之組合，或證據10、12之組合，或證據8 、22之組合，或證據10、22之組合，或證據8 、13之組合，或證據10、13之組合，或證據8 、12、13之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第16項不具進步性，亦如前述。雖證據8 、證據10或證據22未明確揭示對應於系爭專利申請專利範圍第17項所記彎曲槽道部分之槽道間距與寬度具體的比例關係，惟依上所述，進一步界定的技術特徵僅為槽道尺寸設計上之簡單改變，且系爭專利說明書中亦未記載上述進一步界定的技術特徵具有特別突出的功效，證據8 ，證據10，證據8 、10之組合，或證據8 、12之組合，或證據10、12之組合，或證據8 、22之組合，或證據10、22之組合，或證據8 、13之組合，或證據10、13之組合，或證據8 、12、13之組合，亦足以證明系爭專利申請專利範圍第17項不具進步性。

（）證據8 、32之組合，或證據10、32之組合，或證據8 、10、32之組合，或證據8 、12、32之組合，或證據10、12、32之組合，或證據8 、22、32之組合，或證據10、22、32之組合，或證據8 、13、32之組合，或證據10、13、32之組合，可否證明系爭專利申請專利範圍第18項不具進步性？

1.系爭專利申請專利範圍第18項，係依附於系爭專利申請專利範圍第16項之附屬項，其技術內容，已如前述，又系爭專利申請專利範圍第18項所界定之「實質彎曲之槽道」用語，應解釋為「槽道為具有彎曲非直線且來回擺動之形狀」，亦如前述。依系爭專利申請專利範圍第18項與證據32之技術特徵比對，證據32所揭示之研磨墊係具有來回擺動振幅之彎曲外緣，其與系爭專利申請專利範圍第18項所記之具有來回擺動振幅之彎曲槽道，雖略有不同，惟其說明書第5 欄第8-24行、第43-57 行明確揭示：「藉由非圓形研磨墊與部分基板外懸於研磨墊周緣之技術，以獲得較佳的平坦度」（見舉發卷2 第36頁），則證據32主要係藉由研磨墊表面外緣形成來回擺動振幅的彎曲形式，使得在與基板接觸部分亦呈波動振幅的變化，以獲得較佳的平坦度，是將證據32所揭示之非圓形外緣改變為非圓形槽道，仍可使研磨墊在與基板接觸部分呈現如非圓形外緣般來回擺動振幅的變化，即可以預期能獲得證據32所教示的較佳平坦度功效。因此，為了獲得所教示減少鄰近區域不必要的過研磨階差之功效、減少調整化學機械研磨墊表面的頻率及均勻地磨耗等證據10或證據22所教示的功效，以及證據32所教示提高平坦度的功效，即可合理認定會促使熟習該項技術者將證據8 、證據10或證據22所揭示不同槽道間距比值研磨墊的技術，組合證據32所揭示的使研磨墊與基板接觸部分呈波動振幅變化的技術，而改變為具有來回擺動振幅之彎曲槽道之化學機械研磨的研磨墊。

2.原告雖主張證據32僅教示非圓形墊固定於一圓形58並未揭露槽道技術、證據組合未揭示能波動具振幅之實質彎曲之槽道，無法達成系爭專利消除快帶效應之功效云云。惟查：證據32所揭示具有來回擺動振幅之彎曲外緣的技術，雖不同於系爭專利申請專利範圍第18項所記具有來回擺動振幅之彎曲槽道技術，然而藉由研磨墊與基板接觸部分呈波動振幅變化的技術思想以獲得較佳的平坦度之目的，兩者（彎曲外緣的技術與彎曲槽道的技術）在本質上是相同，而且在研磨墊表面設置具有來回擺動振幅圖案的位置，亦是熟習該項技術者可輕易完成的簡單改變。又為了獲得證據8 所教示減少鄰近區域不必要的過研磨階差之功效、減少化學機械研磨墊表面被調整的頻率及均勻地磨耗等證據10或證據22所教示的功效，以及證據32所教示提高平坦度的功效，亦提供合理動機促使熟習該項技術者將證據8 、證據10或證據22所揭示不同槽道間距比值研磨墊的技術，組合證據32所揭示的使研磨墊與基板接觸部分呈波動振幅變化的技術，而改變為具有來回擺動振幅之彎曲槽道之化學機械研磨的研磨墊。再者，證據8 、證據10、證據22及證32與系爭專利所欲解決的問題在本質上是相同的，皆在提高被研磨物的平坦度，雖上開證據組合未揭示系爭專利說明書中所記消除快帶效應之功效，惟證據8 、證據10及證據22均已揭示槽道間距在邊緣區域與中間區域不相同的技術、證據32則已揭示的使研磨墊與基板接觸部分呈波動振幅變化的技術，並且證據間有合理的組合動機，是熟習該項技術者具有通常知識者組合證據後可對應於系爭專利申請專利範圍第18項所記的技術特徵，以及系爭專利說明書第19頁第23行至第20頁第3 行所記的研磨速度與研磨面積之關係，客觀上即可預期能達成消除快帶效應之功效。

3.證據8 ，證據10，證據8 、10之組合，或證據8 、12之組合，或證據10、12之組合，或證據8 、22之組合，或證據10、22之組合，或證據8 、13之組合，或證據10、13之組合，或證據8 、12、13之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第16項不具進步性，已如前述，則證據8 、證據10、證據22或證據32雖未明確揭示對應於系爭專利申請專利範圍第18項所記彎曲槽道部分之槽道間距與寬度具體的比例關係，惟上述進一步界定的技術特徵僅為槽道尺寸設計上之簡單改變，且系爭專利說明書中亦未記載上述進一步界定的技術特徵具有特別突出的功效，故證據8 、32之組合，或證據10、32之組合，或證據8 、10、32之組合，或證據8 、12、32之組合，或證據10、12、32之組合，或證據8 、22、32之組合，或證據10、22、32之組合，或證據8 、13、32之組合，或證據10、13、32之組合，亦足以證明系爭專利申請專利範圍第18項不具進步性。

（）證據8 、13之組合，或證據10、13之組合，或證據22、13之組合，可否證明系爭專利申請專利範圍第19、20、21項不具進步性？

1.證據8 、13之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第19項不具進步性：系爭專利申請專利範圍第19項，係獨立項，其技術內容，及證據13揭示之化學機械研磨裝置及研磨墊槽道尺寸的具體技術內容，均如前述。依系爭專利申請專利範圍第19項與證據13之技術特徵比對，系爭專利申請專利範圍第19項係「一種用於化學機械研磨系統中之用以研磨基板之研磨墊，其至少包含：一第二研磨區域具有第二多數實質同心圓槽道」內容，已為證據13所揭示。雖證據13未明確揭示系爭專利申請專利範圍第19項所記「一第一研磨區域，具有第一多數之實質圓形之同心圓槽道；及一第二研磨區域包圍該第一研磨區域，第二多數之同心槽道之中心係偏離開第一多數同心槽道之中心」等技術特徵，然證據8 已揭示具有兩個不同槽道間距或寬度區域的圓形或螺旋形槽道研磨墊，並已教示有接觸工作件的研磨面積越大則研磨（材料削去）率越大之正向關係，業如前述，是熟習該項技術者即有合理動機將證據8 所揭示用於研磨光學元件的研磨墊組合於證據13所揭示之研磨基板的化學機械研磨系統中，故證據8 、13之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第19項不具進步性。

2.證據10已揭示具有兩個不同槽道間距或寬度區域的螺旋形槽道研磨墊，且熟習該項技術者具有通常知識者有合理動機將證據10所揭示不同間距比值的螺旋形槽道研磨墊組合於證據13研磨基板的化學機械研磨系統的偏置圓形槽道研磨墊，故證據10、13之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第19項不具進步性。

3.證據22已揭示具有兩個不同槽道間距或寬度區域的圓形或螺旋形槽道研磨墊，且熟習該項技術者有合理動機將證據22所揭示不同間距或寬度的螺旋形槽道研磨墊組合於證據13研磨基板的化學機械研磨系統的偏置圓形槽道研磨墊，故證據22、13之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第19項不具進步性。

4.系爭專利申請專利範圍第20項，係依附於系爭專利申請專利範圍第19項之附屬項，其技術內容，業如前述，又證據8 、13之組合，或證據10、13之組合，或證據22、13之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第19項不具進步性，已如前述，上開證據組合雖均未明確揭示偏置槽道中心與偏置槽道間距的具體數值，然進一步界定的技術特徵僅為組合槽道圖樣設計上之簡單改變，且系爭專利說明書中亦未記載上述進一步界定的技術特徵具有特別突出的功效。故證據8 、13之組合，或證據10、13之組合，或證據22、13之組合，亦足以證明系爭專利申請專利範圍第20項不具進步性。

5.系爭專利申請專利範圍第21項，係依附於系爭專利申請專利範圍第19項之附屬項，其技術內容，已如前述，又證據8 、13之組合，或證據10、13之組合，或證據22、13之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第19項不具進步性，業如前述，且證據8 已揭示槽道寬度或間距自中心向外圍變小但另一大致維持不變；證據22揭示：槽道的寬度由研磨墊半徑中點附近向研磨墊內圈與外緣逐漸遞增；證據10所揭示之研磨裝置及研磨墊槽道尺寸的具體技術內容，亦如前述，故證據8 、13之組合，或證據10、13之組合，或證據22、13之組合，亦足以證明系爭專利申請專利範圍第21項不具進步性。

（）證據8 、11之組合，或證據10、11之組合，或證據11、22之組合，或證據8 、11、12之組合，或證據10、11、12之組合，或證據11、12、22之組合，可否證明系爭專利申請專利範圍第22、23項不具進步性？

1.證據8 、11之組合，或證據8 、11、12之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第22項不具進步性：

⑴系爭專利申請專利範圍第22項，係獨立項，其技術內容及證據8 揭示內容，均如前述。依系爭專利申請專利範圍第22項與證據8 之技術特徵比對，系爭專利申請專利範圍第22項之「一種研磨墊，其至少包含：一第一研磨區域（對應於證據8 靠圓心部分），具有第一多數實質圓形之同心圓槽道；一第二研磨區域（對應於證據8 靠圓周部分）包圍該第一研磨區域」內容，已為證據8 所揭示。雖證據8 未明確揭示系爭專利申請專利範圍第22項之研磨墊的槽道「用於化學機械研磨系統中之用以研磨基板」及「並具有多數槽道弧片段，諸槽道弧片段沿著同心圓路徑分佈，使得每一槽道弧片段並不徑向重疊於在一相鄰路徑之槽道弧片段」，惟依前所述，熟習該項技術者已有合理動機將證據8 所揭示具有兩個不同間距的形槽道區域研磨墊轉用於化學機械研磨系統的研磨墊；再者，將外圍槽道區域連續圓形或螺旋形槽道，改變為片段弧形槽道，亦為槽道圖樣設計上之簡單改變，且系爭專利說明書中亦未記載上述進一步界定的技術特徵具有特別突出的功效，故證據8 ，足以證明系爭專利申請專利範圍第22項不具進步性，從而，證據8 、11之組合，或證據8 、11、12之組合，亦足以證明系爭專利申請專利範圍第22項不具進步性。

⑵依證據10或證據22所揭示之技術特徵，熟習該項技術者即有合理動機將證據10或證據22所揭示具有兩個不同間距比值的形槽道區域研磨墊轉用於化學機械研磨系統的研磨墊，業如前述，且將外圍槽道區域連續圓形或螺旋形槽道，改變為片段弧形槽道，亦為槽道圖樣設計上之簡單改變，況系爭專利說明書中亦未記載上述進一步界定的技術特徵具有特別突出的功效，故證據10或證據22，亦足以證明系爭專利申請專利範圍第22項不具進步性，從而，證據10、11之組合，或證據11、22之組合，或證據10、11、12之組合，或證據11、12、22之組合，亦足以證明系爭專利申請專利範圍第22項不具進步性。

2.證據8 、11之組合，或證據10、11之組合，或證據11、22之組合，或證據8 、11、12之組合，或證據10、11、12之組合，或證據11、12、22之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第23項不具進步性：系爭專利申請專利範圍第23項，係依附於系爭專利申請專利範圍第22項之附屬項，其技術內容，業如前述。又證據8 、11之組合，或證據10、11之組合，或證據11、22之組合，或證據8 、11、12之組合，或證據10、11、12之組合，或證據11、12、22之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第22項不具進步性，亦如前述。再者，證據8 已揭示槽道寬度或間距自中心向外圍變小但另一大致維持不變；證據22已揭示：槽道的寬度由研磨墊半徑中點附近向研磨墊內圈與外緣逐漸遞增；證據10所揭示之研磨裝置及研磨墊槽道尺寸的具體技術內容，亦如前述。故證據8 、11之組合，或證據10、11之組合，或證據11、22之組合，或證據8 、11、12之組合，或證據10、11、12之組合，或證據11、12、22之組合，亦足以證明系爭專利申請專利範圍第23項不具進步性。

（）證據8 ，或證據8 、10之組合，或證據22，或證據8 、22之組合，或證據10、22之組合，或證據11、13之組合，可否證明系爭專利申請專利範圍第24項不具進步性？

1.證據8 ，或證據8 、10之組合，或證據22，或證據8 、22之組合，或證據10、22之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第24項不具步性：

⑴系爭專利申請專利範圍第22項，係獨立項，其技術內容，及證據8 揭示內容，均如前述。依系爭專利申請專利範圍第24項與證據8 之技術特徵比對，可知系爭專利申請專利範圍第24項之「一種研磨墊，其至少包含：一第一研磨區域（對應於證據8 靠圓心部分），具有第一多數實質圓形之同心圓槽道；一第二研磨區域包圍該第一研磨區域（對應於證據8 靠圓周部分）」內容，已為證據8 所揭示。又證據8 雖未明確揭示系爭專利申請專利範圍第24項所記研磨墊的槽道「用於化學機械研磨系統中之用以研磨基板」及一第二研磨區域「具有一螺旋槽道」，惟依前所述，熟習該項技術者已有合理動機將證據8 所揭示具有兩個不同間距的形槽道區域研磨墊轉用於研磨基板的化學機械研磨系統的研磨墊；再者，將中央槽道區域螺旋形槽道，改變如證據8 第5 圖所揭示之圓形槽道，亦為槽道圖樣設計上之簡單改變，且系爭專利說明書中亦未記載上述進一步界定的技術特徵具有特別突出的功效，故證據8 ，足以證明系爭專利申請專利範圍第24項不具進步性。

⑵依證據10揭示之技術內容，熟習該項技術者即有合理動機將證據10所揭示具有兩個不同間距比值的螺旋形槽道區域研磨墊轉用於化學機械研磨系統的研磨墊，業如前述，又將中央槽道區域螺旋形槽道，改變如證據8 第5 圖所揭示之圓形槽道，亦為槽道圖樣設計上之簡單改變，且系爭專利說明書中亦未記載上述進一步界定的技術特徵具有特別突出的功效，故證據8 、10之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第24項不具進步性。

⑶依證據22揭示之技術內容，則熟習該項技術者即有合理動機將證據22所揭示具有兩個不同間距比值的圓形或螺旋形槽道區域研磨墊轉用於化學機械研磨系統的研磨墊，業如前述，又在兩個不同間距比值的圓形或螺旋形槽道區域中，設定中央區域為圓形槽道外圍區域為螺旋形槽道，亦為槽道圖樣設計上之簡單選擇，且系爭專利說明書中亦未記載上述進一步界定的技術特徵具有特別突出的功效，故證據22，足以證明系爭專利申請專利範圍第22項不具進步性，從而，證據8、22之組合，或證據10、22之組合，亦足以證明系爭專利申請專利範圍第24項不具進步性。

2.證據11、13之組合，不足以證明系爭專利申請專利範圍第24項不具進步性？查證據13雖揭示有用於化學機械研磨系統中之用以研磨基板之研磨墊，然如前所述，證據11所揭示研磨墊與證據13所揭示化學機械研磨系統中在研磨墊與被研磨物間的研磨模式完全不同，尚難稱有合理動機促使熟習該項技術者將證據11所揭示發泡拋光墊組合於證據13所揭示研磨基板的化學機械研磨系統中，故證據11、13之組合，不足以證明系爭專利申請專利範圍第24項不具進步性。

（）證據8 ，或證據8 、10之組合，或證據22，或證據8 、22之組合，或證據10、22之組合，可否證明系爭專利申請專利範圍第25項不具進步性？查系爭專利申請專利範圍第25項，係依附於系爭專利申請專利範圍第24項之附屬項，其技術內容，已如前述，又證據8 ，或證據8 、10之組合，或證據22，或證據8 、22之組合，或證據10、22之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第24項不具進步性，業如前述。再者，證據8 已揭示槽道寬度或間距自中心向外圍變小但另一大致維持不變；證據22已揭示：槽道的寬度由研磨墊半徑中點附近向研磨墊內圈與外緣逐漸遞增；證據10所揭示之研磨裝置及研磨墊槽道尺寸的具體技術內容，亦如前述。故證據8 ，或證據8 、10之組合，或證據22，或證據8 、22之組合，或證據10、22之組合，亦足以證明系爭專利申請專利範圍第25項不具進步性。

七、綜上所述，㈠證據2 ，或證據2 、3 之組合，或證據2 、3、6 之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具進步性；㈡證據2 、3 、6 之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第2 項不具進步性；㈢證據2 、3 、6 之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第3 項不具進步性；㈣證據2、6、17之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第4 項不具進步性；㈤證據2 、3 、6 之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第5 項不具進步性；㈥證據2 ，或證據2 、3 之組合，或證據2 、3 、6 之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第6 項不具進步性；㈦證據8 ，證據8 、10之組合，或證據8 、12之組合，或證據10、12之組合，或證據8 、22 之組合，或證據10、22之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第7 項不具進步性；㈧證據8 、10之組合，或證據8 、12之組合，或證據10、12之組合，或證據8 、22之組合，或證據10、22之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第8 、9項不具進步性；㈨證據8 、12之組合，或證據10、12之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第10、11項不具進步性；

㈩證據8 、10之組合，或證據10、12之組合，或證據8 、12之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第12、13項不具進步性；證據8 ，或證據8 、10之組合，或證據8 、12之組合，或證據10、12之組合，或證據8 、22之組合，或證據10、22之組合，或證據2 、5 、8 之組合，或證據2 、5 、8、10之組合，或證據2 、5 、8 、12之組合，或證據2 、5、10、12之組合，或證據2 、5 、8 、22之組合，或證據2、5 、10、22之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第14項不具進步性；證據8 ，證據8 、10之組合，或證據8 、12之組合，或證據10、12之組合，或證據8 、22之組合，或證據10、22之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第15項不具進步性；證據8 ，證據10，證據8 、10之組合，或證據8 、12之組合，或證據10、12之組合，或證據8 、22之組合，或證據10、22之組合，或證據8 、13之組合，或證據10、13之組合，或證據8 、12、13之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第16、17項不具進步性；證據8 、32之組合，或證據10、32之組合，或證據8 、10、32之組合，或證據8 、12、32之組合，或證據10、12、32之組合，或證據8、22、32之組合，或證據10、22、32之組合，或證據8 、13、32之組合，或證據10、13、32之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第18項不具進步性；證據8 、13之組合，或證據10、13之組合，或證據22、13之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第19、20、21項不具進步性；證據8 、11之組合，或證據10、11之組合，或證據11、22之組合，或證據8 、11、12之組合，或證據10、11、12之組合，或證據11、12、22之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第22、23項不具進步性；證據8 ，或證據8 、10之組合，或證據22，或證據8 、22之組合，或證據10、22之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第24項不具進步性。證據8 ，或證據8 、10之組合，或證據22，或證據8 、22之組合，或證據10、22之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第25項不具進步性。是被告以系爭專利違反修正前83年專利法第20條第2項規定，而為「請求項1 至25舉發成立應予撤銷」之處分，參照首揭法條規定及說明，於法並無不合，訴願決定予以維持，亦無違誤。至於證據11，不足以證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具進步性；證據2 、3 之組合，不足以證明系爭專利申請專利範圍第2 項不具進步性；證據11、6 、17之組合，不足以證明系爭專利申請專利範圍第4 項不具進步性；證據11、13之組合，不足以證明系爭專利申請專利範圍第24項不具進步性部分，原處分及訴願決定與本院所認雖有所不同，但結論尚無不合。從而，本件原告主張前詞，請求撤銷訴願決定及原處分，為無理由，應予駁回。

八、本件事證已臻明確，兩造及參加人其餘主張或答辯，經本院審酌後認對判決結果不生影響，爰不一一論列，併此敘明。

據上論結，本件原告之訴為無理由，依智慧財產案件審理法第1條、行政訴訟法第98條第1 項前段，判決如主文。

智慧財產法院第三庭