智慧財產法院行政判決

原告

三星SDI股份有限公司（SAMSUNG SDI CO. LTD.）

代表人

趙南成（CHO, NAMSEONG ，CEO執行長）

訴訟代理人

劉法正律師

複代理人

歐政儒律師

被告

經濟部智慧財產局

代表人

王美花（局長）

訴訟代理人

葉獻全

參加人

美商卡博特微電子公司（Cabot MicroelectronicsCorporation）

代表人

凱羅柏斯登（H. Carol Bernstein，副總裁，法律總顧問兼秘書長）

訴訟代理人

陳群顯律師

陳翠華專利師

上列當事人間發明專利舉發事件，原告不服經濟部中華民國104年1 月21日經訴字第10406300240 號訴願決定，提起行政訴訟，本院依職權裁定參加人獨立參加被告之訴訟，本院判決如下︰

主文

事實及理由

甲、程序方面本件原告起訴聲明為：原處分及原訴願決定均撤銷；被告就第86117775號「化學機械磨光組合物與淤漿以及其用途」發明專利舉發事件，應作成「舉發成立，撤銷專利權」之處分，嗣於民國104 年7 月23日準備程序當庭更正為：「原處分（第86117775號發明專利舉發事件）關於第396201號『化學機械磨光組合物與淤漿以及其用途』發明專利（下稱系爭專利）請求項1 至2 、4 至17、21至48部分及訴願決定均撤銷；被告應就系爭專利請求項1 至2 、4 至17、21至48為舉發成立應予撤銷之審定」，被告及參加人均無意見（本院卷第108 頁），核之原告所為係本於同一請求基礎為請求，使聲明更加明確，非屬訴之變更或追加，而無行政訴訟法第111條第1 項規定之適用，予以准許。

乙、實體方面

壹、事實概要：參加人美商卡博特微電子公司之前手美商客寶公司於86年11月26日以「用於金屬CMP 之組合物及淤漿」向被告改制前之中央標準局（88年1 月26日改制）申請發明專利，並以西元1996年11月26日申請之美國第08／753,482 號、1997年4 月8 日申請之美國第08／827,918 號、1997年7 月11日申請之美國第08／891,468 號專利案主張優先權，其申請專利範圍計有48項，經被告編為第86117775號審查，嗣於88年12月6日向被告申請修正專利名稱為「化學機械磨光組合物與淤漿以及其用途」，並於89年7 月12日申請將專利權讓與參加人。案經被告審定准予專利，並發給發明第116769號（公告號396201）專利證書。訴外人第一毛織股份有限公司於96年12月6 日以系爭專利違反核准時專利法第20條第1 項第1 款及第2 項規定，不符發明專利要件，對之提起舉發。參加人分別於97年3 月31日、101 年11月29日及另案（即系爭專利N02 舉發案）99年7 月6 日、102 年5 月24日提出系爭專利申請專利範圍更正本，經被告審查，認參加人102 年5 月24日提出之系爭專利申請專利範圍更正本與其公告本相較，或為申請專利範圍之減縮，或為不明瞭記載之釋明，或為請求項之刪除，且未超出原說明書所揭露之範圍，亦未實質擴大或變更公告時之申請專利範圍，應准予更正，更正後系爭專利之請求項有48項（請求項3 、18至20刪除，但仍保留項次序號，實則僅有44項）。原告（與第一毛織股份有限公司合併後之存續公司）於102 年9 月18日就該更正後內容提出舉發補充理由書，參加人亦於102 年12月30日提出舉發補充答辯。案經被告依該更正本內容及當事人所提出之書證資料審查，於103 年5 月28日以（103 ）智專三（五）01021 字第10320734480 號專利舉發審定書為「102 年5 月24日更正事項，准予更正。請求項1 至2 、4 至17、21至48舉發不成立。請求項3 、18至20舉發駁回」之處分。原告針對原處分關於舉發不成立部分提起訴願，經濟部以104 年1 月21日經訴字第10406300240 號訴願決定駁回，原告不服，遂向本院提起行政訴訟。本院認為本件判決之結果將影響參加人之權利或法律上之利益，依職權命參加人獨立參加本件被告之訴訟（本院卷第96至97頁）。

貳、原告聲明請求原處分關於系爭專利請求項1 至2 、4 至17、21至48部分及訴願決定均撤銷；被告應就系爭專利請求項1至2 、4 至17、21至48為舉發成立應予撤銷之審定。主張略以：

一、訴願決定認定證據5 無法證明系爭專利請求項1 至2 、4 至17、21至48不具新穎性及進步性，不符合專利法及專利審查基準規定：

㈠證據5 是有關金屬層用的化學機械拋光淤漿（Chemicalmechanical polishing slurry for metal layers），其揭露一種用於金屬層化學機械拋光的淤漿，含有均勻分散在穩定的含水介質中的純度高、細的金屬氧化物粒子。證據5 主要係揭露關於研磨顆粒的製造與選用的技術內容。由證據5第5 欄第8 至31行內容清楚顯示，證據5 不僅揭示單一一種氧化物使用，亦揭示較佳的氧化物之混合物群組。此內容已明確且無歧異地揭示「鐵鹽與過氧化物或過硫化物相組合而成之混合物」亦可使用來與證據5 所揭示之研磨劑相組合，並作為CMP 組合物之成分，故「鐵鹽與過氧化物之組合」在證據5 中已有清楚揭示，應堪認定。

㈡關於鐵鹽與過氧化物之組合動機，乃在於鐵鹽本身具有對過氧化物催化（扮演觸媒）之固有化學特性，故即使證據5 未揭示「觸媒」用語，皆無法改變前述鐵鹽能催化過氧化物之事實。換言之，將鐵鹽與過氧化物予以組合時，自會發生此二者在一起之任何反應，包含系爭專利所稱之觸媒反應。訴願決定以系爭專利請求項內有鐵觸媒作為技術特徵而具備可專利性，顯未考量到「鐵觸媒」或「鐵氧化劑」只是不同文字形式表達，二者皆同指「鐵離子」而無分別，故鐵觸媒實不應視為用來與證據5 揭示內容區別之技術特徵。

㈢系爭專利所揭示之技術手段僅在特定的物質（過氧化氫與鐵）可以相互組合。只要特定物質組合（即系爭專利之技術手段）被揭示於習知技術，此技術手段具有的任何效益皆是必然會達成者。證據5 已明示將使用於CMP 較佳的氧化劑予以組合，由證據5 揭示使用氧化物之混合物的內容，就已清楚的顯示出，該項技術人士會將過氧化物與過硫化物與鐵鹽組合，一旦組合就直接發揮出該組合會具有之效益與效果，此即自然會有被告所稱之相乘效益。因此，在證據5 明確揭示之過氧化物與鐵鹽組合而應用到CMP 組合物中，相乘效果也就一定會產生。被告所稱之相乘效益實與系爭專利的可專利性無涉，也不能作為系爭專利具有專利性之依據。

㈣縱將鐵離子作為CMP 組合物中「鐵觸媒」予以考量，依然有所違誤，因鐵離子（鐵鹽）作為過氧化物之觸媒乃是一般常識，且用以增強氧化作用，證據5 既已揭示較佳的氧化劑，加上CMP 中氧化反應提高的重要性，以及鐵鹽與過氧化氫皆可適用於CMP 中作為氧化劑，熟習技術人士由證據5 之揭示內容自當會有組合氧化劑的動機。特別是在所列組合中，只有鐵鹽是既具有氧化作用，又對過氧化物具有觸媒催化作用，則鐵鹽與過氧化氫的搭配是顯而易見的組合方式。況證據5 業已揭示於鎢金屬處理上用來與CMP 之磨料組合的較佳的氧化劑種類，加上鐵鹽是一種可作為氧化劑且是習知技術中廣知用來催化過氧化物或過硫化物氧化反應的物質，以證據5 所揭示之較佳氧化劑作為出發點來強化CMP 之氧化作用，進而增高研磨作用，當然具有組合動機。因為熟悉CMP 之技術領域者基於鐵本身對於過氧化物與過硫化物具有觸媒的效用，為了強化CMP 反應中必需的氧化作用，就只能選擇鐵鹽與過氧化物或過硫化物的組合。

㈤鐵可以催化過氧／過硫化物，進而提高氧化反應效果，此乃該技術人士所熟知的習知技術。鐵與過氧化合物或過硫化合物組合使用，因鐵為過氧化物觸媒而會催化氧化反應乃是一般知識，據此會有加乘氧化反應以及因而造成在CMP 之移除鎢上具有加乘性效果，此是屬該項技術人士基於其所具有之一般知識即可推知與預期到者，此亦由鐵在習知技術即被稱作為過氧化物之觸媒得以佐證。系爭專利與證據5 二者的磨光速率是不相上下的，此事實可由原告在舉發補充理由書中多次列舉的內容得以佐證，以系爭專利的磨光速率與功效與證據5 相仿，更佐證說明系爭專利根本就不存在有被告所稱無法預期的功效。

㈥以系爭專利說明書所揭示請求項實施例內容考量，實施例至少皆是一種含有三種成分之組合物（淤漿），即含有氧化劑、觸媒與磨料，但請求項第1 至2 、4 至9 與48項之組合物省略磨料的界定，根本不含有磨料，且請求項第1 至2 、4至9 與48項亦沒有對觸媒濃度作限定，系爭專利說明書內容根本無法佐證此等請求項所界定之發明具有可實施性。亦即系爭專利請求項第1 至2 、4 至9 與48項之組合物根本無法同時發揮出既有機械磨光作用又可以展現的金屬離子之低污染作用的二種功效。故在缺少磨料作用且沒有金屬濃度之限制下，第1 至2 、4 至9 與48項所界定的發明是無法達成在低金屬離子濃度下具高磨光速率。訴願決定所強調之技術特徵與其所達成之功效不足佐證第1 至2 、4 至9 與48項所界定之發明具有可專利性，自不能援為判斷系爭專利可專利性之依據。

二、訴願決定認定證據5 與一般通常知識之組合或是證據5 與證據3 、6 或13之組合，均無法證明系爭專利請求項1 至2 、4 至17、21至48不具新穎性及進步性，不符合專利法及專利審查基準規定：訴願決定未考量證據5 的國際分類號：「B24B 1／00；H01L21／00」。其中「B24B 1／00」的分類說明為「磨削或拋光之工藝，與此工藝有關的所用輔助設備（以使用專用機床或裝置為特徵之工藝，見與此等機床或裝置相關的位置）」，至於「H01L 21 ／00」的分類說明是「適用於製造或處理半導體或固體裝置或部件之方法或設備（儘限用於製造或處理列入31／00至51／00各目之裝置及其部件之方法或設備見上述各組，列入其他次類之單工序工藝方法各見有關次類，如C23C、C30B；花紋面或表面圖形之照相製版，其材料或原版及專用設備，一般見G03F）」。從證據5 在國際分類號的分類說明中，均可導引技術領域至證據3 （國際分類號為G03F7 ／02；G03C 5／00）、證據6 ( 國際分類號為G03C 7／00；G03C 5／32）及證據13（國際分類號為H01L 21 ／208 ），訴願決定顯然未審酌此節，而違反專利審查基準。

三、美國專利公告第4,491,500 號（下稱原證3 ）核屬依法提出系爭專利不具創作性之新證據而未經審酌：

㈠依智慧財產案件審理法第33條第1 項規定，當事人基於同一撤銷專利理由所提出之新證據原證3 ，應予審酌，依訴願決定理由五之㈦所示顯未審酌之。原證3 在1985年1 月1 日公告，屬於系爭專利之有效前案，此案是有關於精製化金屬表面的方法（method for refinement of metal surfaces ），此案乃有關對於金屬表面的拋光，如其摘要中所顯示，該金屬表面精製化包含有加入液體物質處理金屬，以生成轉換層，再利用該研磨作用使其所形成的軟質層去除，此即已清楚顯示此案亦是涉及金屬表面的CMP 處理，就其中所使用液體物質，在第3 欄第12至17行揭示內容可知，原證3 亦進一步佐證說明，過氧化氫與諸如磷酸與草酸的組合在鐵存在的環境下具有磨光的效用。故系爭專利即使將該組成物使用於CMP 中，如將原證3 納入考量，即認系爭專利確實不具有新穎性與進步性。

㈡被告及參加人認原證3 未揭露鐵觸媒乙事，顯有違誤：

⒈被告稱原證3 未提到使用鐵觸媒磨光云云，參加人指稱原證3 第3 欄第12至17行意涵為「含有磷酸根與草酸根的溶液與過氧化物結合通常對於含鐵金屬表面的精製特別有效」為移除「鐵」並非使用「鐵」云云。惟原證3 固然能移除鐵，但磨光的對象不限於鐵，而是指整體金屬表面，並不是只移除鐵，熟習技藝人士參考原證3 上述內容，即可理解含鐵金屬的磨光效率特別好，是源自於磨光過程產生鐵離子的自我催化反應（autocatalysis ）提升磨光的效率。換言之，含有磷酸根與草酸根的溶液與過氧化物結合，以含鐵金屬磨光過程所產生的鐵離子作為鐵觸媒催化，即可增加磨光速率。是以，被告及參加人顯然遺漏熟習技藝人士在原證3 所教示的鐵觸媒自我催化反應（autocatalysis ），故被告及參加人所言，殊無可採。

⒉原證3 第3 欄第1 至12行內容已說明磨光含鐵金屬通常在酸性環境且有氧化劑尤佳，以提供磨光含鐵金屬所需要的催化反應的環境條件，恰好符合原證3 第3 欄第12至17行所述的鐵金屬催化反應。在原證3 第5 欄第15至27行之內容也提到磷酸鐵（ironphosphates）和過氧化氫（peroxides ）分別得以催化劑和氧化劑的組合方式混合，作為磨光材料，熟習技藝人士據此即可認同系爭專利不具可專利性。

參、被告聲明請求駁回原告之訴。答辯略以：

一、證據5 為美國專利第5527423 號專利案，係有關金屬層用的化學機械拋光淤漿（Chemical mechanical polishingslurry for metal layers ），其揭露一種用於金屬層化學機械拋光的淤漿，含有均勻分散在穩定的含水介質中的純度高、細的金屬氧化物粒子。證據5 主要係揭露關於研磨顆粒的製造與選用的技術內容，僅第5 欄第8 至31行簡單提及可添加使用的氧化劑，其內容完全未述及觸媒的使用，僅提及已知可用之氧化劑，更未針對氧化劑之組合作進一步探討，尤其根本未如原告所宣稱之已明示使用過氧化氫與鐵離子之組合，更未教導、建議或暗示任何氧化劑之組合可以提供如系爭專利1+1 ＞2 的相乘效益（其相乘效益可見系爭專利說明書表1-淤漿4 及5 之鎢磨光速率），縱使所屬技術領域中具有通常知識者藉由證據5 亦無法輕易推知系爭專利之發明，更何況證明系爭專利不具新穎性。由於系爭專利之請求項均包含CMP 鐵觸媒之技術特徵，故由前述理由所述，證據5不足以證明系爭專利請求項1 至2 、4 至17、21至48不具新穎性及進步性。依證據5 所揭示內容即知原告自行任意截取證據5 之片段內容拼湊而推斷論定，並無根據，其主張自不可採。又如參加人答辯所述：「基於證據5 之教導，一般CMP 技術領域之人士，至多僅能思及可選用特定磨料於CMP 漿液中，且使用含量高達5 ％硝酸鐵以提供高磨光速率（4850埃／分鐘）（即，依循一般業界之認知，以金屬氧化劑來提供較高的磨光速率）。根本不會如原告所言，由證據5 而輕易思及於CMP 漿液中同時使用過氧化氫與鐵鹽作為氧化劑，更無法輕易推知被舉發案併用氧化劑與鐵觸媒所達，可以少量金屬提供與證據5 實施例所例示之最高磨光速率相當的效益（參見被舉發案說明書表3 淤漿6 ，併用3.0 ％過氧化氫與0.05％硝酸鐵；以及表5 淤漿4 ，併用5.0 ％過氧化氫與28ppm 鐵），從而減緩、甚至免除業界所不欲之金屬污染問題。證據5 之實施例，實乃進一步突顯被舉發案發明之不可預期增進效益。」，由前揭比較說明即可知悉系爭專利不但可提供較高的磨光速率，且免除業界所不欲之金屬污染問題，與證據5 比較，自具無法預期的功效，原告主張系爭專利不具無法預期的功效云云應不可採。另依系爭專利之實施例或原告所提系爭專利實施例表5 之淤漿4 與證據5 二者的磨光速率比較表所示，均證明系爭專利在低金屬離子濃度下具有高磨光速率，亦應無庸置疑，原告僅自行認定並無任何證據佐證系爭專利無法達成「在低金屬離子濃度下具高磨光速率」之功效，其主張自不可採。

二、依原告之舉發理由、原處分及訴願決定均指「證據5 與一般通常知識之組合或是證據5 與證據3 、6 或13之組合，均無法證明系爭專利請求項1 至2 、4 至17、21至48不具進步性」，並無新穎性之主張或論述。又原告主張之舉發理由所稱證據5 與一般通常知識之組合，指鐵可以催化過氧／過硫化物，進而提高氧化反應效果，此乃是此技術人士所熟知的習知技術，該項技術人士若為求得CMP 上好的氧化作用，由證據5 教示之氧化劑出發，只能單一且惟一一種選項組合，即將鐵離子與過氧化物／過硫化物相組合，進而獲致系爭專利之發明云云。惟依證據5 揭示內容僅單純提及已知包括鐵鹽、過氧化物…等可用之氧化劑，完全未提及有關CMP 觸媒之技術特徵內容，而原告從證據5 所述之諸多氧化物中單獨選取過氧化物再自行推斷拼湊鐵離子組合，明顯為不當而有後見之明，故證據5 與一般通常知識之組合，亦不足以證明系爭專利請求項1 至2 、4 至17、21至48不具進步性。

三、證據3 、證據6 與證據13皆與CMP 技術無涉，與證據5 金屬層用的化學機械拋光淤漿並非相同之技術領域，縱使所屬技術領域中具有通常知識者亦無動機思及與證據5 組合。其中，證據3 與證據6 皆關於蝕刻液技術，蝕刻技術與CMP 技術存在實質上的差異，彼此根本無法輕易套用。證據13亦完全與CMP 技術無涉，其係關於如光電晶體之半導體裝置之改良，係藉由將光電晶體浸漬於一含有過氧化氫與金屬離子之溶液中，以形成穩定之鈍化層，從而降低漏電流（見證據13，摘要與第2 圖）。因此，於CMP 技術領域中具有通常知識者，於面臨CMP 操作之問題時，根本不會輕易參考證據3 、證據6 或證據13，縱使無意間觀得該等證據之內容，仍無將其內容應用於CMP 技術之動機且無法輕易完成系爭專利所請發明，更遑論與證據5 組合應用，原告主張顯為觀得系爭專利說明書內容後拼湊各證據的片段內容所作之後見之明。故證據5 與證據3 、證據6 或證據13任一者之組合，亦不足以證明系爭專利請求項1 至2 、4 至17、21至48不具進步性。原告雖主張證據5 與證據3 、證據6 或證據13之國際分類號具有關聯性，而認訴願決定未審酌此節，惟證據3 與證據6 皆關於蝕刻液技術，蝕刻技術與CMP 技術存在實質上的差異，彼此根本無法輕易套用。而證據13亦完全與CMP 技術無涉，其係關於如光電晶體之半導體裝置之改良，證據3 、證據6或證據13所揭露之技術內容已是不爭之事實，原告另再爭執國際分類號，對前述不爭之事實而言，實無意義。

四、原告所提原證3 新證據一節，誠如訴願決定所示，該專利案與舉發階段所提證據並不具同一基礎事實之關聯性，核屬新證據，其既未經被告審查，要非本件訴願所得審究。由於原告所提原證3 新證據係於訴願階段所提，被告自亦未便審究。又事實上，原證3 第3 欄第12至17行所揭示「Solutionscontaining phosphate and oxalate radicals…refiningferrous metal surfaces」之內容，亦非原告所指「過氧化氫與諸如磷酸與草酸的組合在鐵存在的環境下具有磨光的效用」，併予指明。

肆、參加人聲明請求駁回原告之訴。並陳述略以：

一、系爭專利更正後申請專利範圍所請發明具新穎性與進步性：

㈠證據5 並未揭露或建議系爭專利之發明

⒈系爭專利係關於在CMP 操作中併用「過氧基氧化劑」與「鐵觸媒」所提供不可預期之磨光速率增進效果的發現，尤其該鐵觸媒之效益，更是遠遠超越一般技藝人士之認知。基於該磨光速率上的顯著增進效果，系爭專利可以相對低之金屬用量提供高的磨光速率，從而提供減低甚至避免先前技術使用金屬氧化劑以提供高磨光速率所造成之金屬污染問題的附加效益。系爭專利於CMP 操作併用「過氧基氧化劑」與「鐵觸媒」之技術手段，確實未經任何前案資料揭露，該併用於磨光速率上所提供之顯著增進效益，更未經任何先前技術建議或教導。

⒉證據5 雖亦關於CMP 技術之改良，但係著眼於CMP 淤漿所使用之磨料，尤其針對該磨料顆粒性質對金屬層之磨光效果的改善，根本與系爭專利所關切之CMP 磨光速率的增進無涉。證據5 對於所揭露之詳細說明係提供於第3 欄至第6 欄，其中，有高達四分之三的篇幅係關於研磨顆粒的製造與選用的記載，僅第5 欄第8 至31行簡單提及可添加使用的氧化劑。前述揭露內容之分配，益證證據5 之技術重點在於研磨顆粒，而非研磨顆粒以外之其他成分。又詳閱證據5 前述關於氧化劑之有限篇幅的教導可知，該內容完全未述及觸媒的使用，僅提及已知可用之氧化劑，更未針對氧化劑之組合作進一步的探討，尤其根本未如原告宣稱般已明確且無歧異地揭示「鐵鹽與過氧化物或過硫化物」之組合，更未教導、建議或暗示任何氧化劑之組合可以提供1+1 ＞2 的效益。

⒊至於原告所引述證據5 第5 欄第15至21行的內容，其中「and mixtures thereof」實乃專利文件所慣用之馬庫西形式界定方式，於列出可使用選項之後，在句末並列混合物的態樣，詳閱證據5 全文，除習慣性並列混合物態樣的敘述內容（僅僅3 個英文字）以外，根本未見任何針對使用二種或多種氧化劑之教導，尤其未區分說明併用二種或多種氧化劑與單獨使用一種氧化劑的差異，遑論相較於單獨使用一種氧化劑，併用鐵觸媒與過氧基氧化劑於CMP 可達到的顯著增進效益之相關說明。況證據5 實施例所提供之best mode 僅著眼於所使用磨粒之顆粒性質對淤漿使用效果之影響的討論，所例示之淤漿均以5 ％硝酸鐵作為單一氧化劑，並無任何以過氧化氫或過硫化物為氧化劑之具體實施例，更無併用過氧化氫或過硫化物與鐵鹽之例示實施例，在此情況下，本領域具通常知識者根本不生採用特定氧化劑組合之動機。

⒋原告一方面已確認，於證據5 所提氧化劑之廣泛群組中，並非每種組合皆可提供系爭專利發明之效益，且無法清楚指出，在證據5 之揭露內容中，有何處有提供區分如系爭專利之組合與其他組合之優劣說明，或有提供必須選用如系爭專利之組合之必要性的教導，另一方面卻空言證據5 已清楚揭示系爭專利組合、所提供之功效乃為應用該組合就一定會產生的結果，原告之主張為後見之明。

⒌原告引用系爭專利實施例與證據5 之實施例所述比較，實進一步顯示系爭專利於磨光速率的改良功效，彰顯系爭專利的非顯而易見性。由系爭專利說明書實施例2 表1 中之淤漿2（0.2 重量％硝酸鐵，291 埃／分鐘）與淤漿3 （5.0 重量％過氧化氫，385 埃／分鐘）之結果可知，單位重量之硝酸鐵所提供的磨光速率本遠優於過氧化氫。然針對證據5 實施例3 淤漿1 中採用高達5 重量％硝酸鐵所提供之磨光速率（4850埃／分鐘），系爭專利透過組合「鐵觸媒」與「過氧基氧化劑」，即可於僅採用28ppm 鐵含量之情形下提供（參系爭專利說明書表5 之淤漿4 ）。清楚地，證據5 之實施例實進一步證實，系爭專利的顯著功效（即透過併用「鐵觸媒」與「過氧基氧化劑」，於CMP 磨光速率上提供顯著增進效益，且基於該效益，可提供減低甚至避免金屬污染問題之附加效益），凸顯系爭專利的非顯而易見性。

⒍綜上，證據5 因著重於CMP 淤漿所使用之磨料性質之改良，而對於CMP 淤漿所使用之氧化劑僅以馬庫西形式廣泛提及多種氧化劑種類，完全未強調應併用二或多種氧化劑，並僅例示使用硝酸鐵作為單一氧化劑以符合Best Mode 規定的情況下，CMP 技術領域之人士，至多僅能思及可於CMP 漿液中選用特定磨料，且使用含量高達5 ％之硝酸鐵作為單一氧化劑以提供高的磨光速率，根本沒有動機輕易嘗試如系爭專利之併用「鐵觸媒」與「過氧基氧化劑」，更無法輕易預期該併用所可提供之效益，所述效益並可由證據5 之實施例進一步證實，系爭專利相較於證據5 確實具有新穎性與進步性。

㈡證據5 與證據3 、證據6 、證據13或原證3 無法輕易推知系爭專利發明及其效益

⒈證據3 及證據6 皆關於蝕刻液技術，確與CMP 技術無涉⑴蝕刻技術與CMP 技術存在本質上的差異，無法輕易套用，此由參加人於舉發階段所提呈之證據9 （Geonja Lim等人所著之Oxidation Behavior of Tungsten in H2O2- and Fe （NO3 ）3-Base Aqueous Slurries ，其中Geonja Lim登記之住所即為第一毛織股份有限公司之營業住址，下稱附件3 ，本院卷第83至84頁反面）或證據3 之內容皆可清楚窺見。

⑵附件3 顯示硝酸鐵及過氧化氫兩種氧化劑於靜態蝕刻（蝕刻液技術）與於CMP 技術中，所展現之迥異行為。其係調配三種淤漿以進行靜態蝕刻及CMP 移除的實驗，分別為「不含氧化劑（R ）」、「含5 重量％硝酸鐵（FN）」與「含5 重量％過氧化氫（OH）」。由附件3 表I 及第B172頁可知，在CMP 程序中，「含5 重量％硝酸鐵」的淤漿係提供優於「含5重量％過氧化氫」的淤漿的鎢移除速率，前者達844 埃／分鐘而後者僅為246 埃／分鐘。然如附件3 第B170頁所述，將鎢表面分別浸漬於三種淤漿歷時30分鐘後，發現於「含5 重量％過氧化氫」之淤漿的靜態蝕刻結果較強（所形成的氧化物層係多孔性結構），「含5 重量％硝酸鐵」之淤漿的靜態蝕刻結果反而較弱（所形成的氧化物層則相對緻密）（見附件3 第3 圖）。由此可知，含硝酸鐵之淤漿與含過氧化氫之淤漿於靜態蝕刻與於CMP 移除中的表現大不相同，其中於蝕刻情況中含過氧化氫之淤漿效果優於含硝酸鐵之淤漿，而於CMP 情況中，含硝酸鐵之淤漿效果則優於含過氧化氫之淤漿。此無疑顯示，熟習CMP 之技藝人士即使以系爭專利申請多年後之技術水平，仍無法輕易推知蝕刻液成分於CMP 技術中所可達成之結果的事實。

⑶證據3 更顯示，即使同為蝕刻液，其組成亦因處理對象之不同而大不相同，欲自蝕刻液輕易思及CMP 淤漿之合宜組成，自然更非易事。例如，於證據3 中，所採用以移除未經覆蓋之親水性金屬層的蝕刻液，與所用以清洗銀影像之蝕刻／清潔溶液，其組成即大不相同，無法輕易自其中一者推及另一（參證據3 第11欄第33至42行及第13欄第22至54行）。

⑷以上事實再再顯示，蝕刻技術與CMP 技術存在本質上的差異，無法輕易套用，於面臨CMP 操作之問題時，根本不會輕易參考關於蝕刻液技術之證據3 與證據6 ，縱使無意間觀得該等證據之內容，仍無法由其內容而輕易預期於CMP 操作使用的結果且無法輕易完成系爭專利所請發明，更遑論與證據5組合應用。

⒉證據13著眼於鈍化層之形成，確與CMP技術無涉

⑴證據13係關於在半導體裝置中形成一穩定鈍化層從而降低漏電流之技術，而非關於物料之磨光移除的CMP 技術（參證據13，摘要與第2 圖），尤其與金屬層之磨光移除無關。一般CMP 技屬領域之人士，於面臨系爭專利發明所欲解決之問題時，根本不會輕易參考證據13內容。

⑵根據證據13之教導，其於過氧化氫水溶液中添加金屬離子，該金屬離子之催化作用為，使過氧化氫的分解反應進行（參見證據13，第6 欄第65至67行、以及第8 欄第31至35行）。基於該教導，根本無從得知或輕易推知該組合於CMP 操作中，應用鐵觸媒可加速物料磨光移除的結果。

⑶根據證據13之揭露，使用過氧化氫與金屬離子之組合，除氧化所處理之表面以外，另產生該金屬之氧化物與氫氧化物沉澱物，從而提供一包括氧、金屬元素以及半導體裝置之構成元素、且實際上為雙層結構之穩定鈍化層（參見證據13，摘要、第2 欄第15至27行、第6 欄第65行至第7 欄第14行、以及第8 欄第31至44行）。然如系爭專利說明書說明，於CMP操作中使用氧化劑，金屬污染乃業界所亟欲避免者，金屬沉澱物當然更非所欲。

⑷綜上，CMP 技術領域之人士於面臨系爭專利發明所欲解決之問題（即提供優異磨光移除速率，進而避免金屬污染）時，根本不會輕易參考證據13（關於穩定鈍化層之形成）；即使無意間觀得證據13，亦無法輕易預期於CMP 操作中併用鐵觸媒與過氧基氧化劑，可達顯著提升磨光移除速率之結果。相反地，證據13關於該併用會產生沉澱物之教導，根本將打消CMP 領域之人士嘗試該併用的念頭。一般CMP 技術領域之人士，縱使同時參考證據5 與證據13（然事實上不會），亦無法輕易完成系爭專利之發明，且無法輕易推知系爭專利發明於CMP 操作併用過氧基氧化劑與鐵觸媒，於磨光移除速率所提供之協乘效果。

⒊國際分類結果更顯證據3 、證據6 及證據13之技術領域異於證據5

⑴原告稱訴願決定欠未考量證據5 的國際分類號（B24B 1／00；H01L 21 ／00）相關說明均可導引技術領域至證據3 、證據6 及證據13之事實，其相關意見有欠妥適云云，然原告並未提供其主張之基礎，且未說明證據5 的國際分類號係如何導引至證據3 、證據6 及證據13以實其說，原告之主張根本空言無據。

⑵由本院100 年度民專上易字第35號判決見解可知，國際專利分類（IPC ）僅能作為參考標準之一，仍需考量先前技術和系爭專利該等技術之可置換性及容易性、技術內容是否顯能輕易完成、所欲克服之問題以及達成目的之期待性、具有通常知識者之技術水準等因素作整體性判斷。事實上，證據3、證據6 及證據13皆非針對CMP 技術之改良，CMP 技術領域之人士於面臨系爭專利發明所欲解決之問題（即提供優異磨光移除速率，進而避免金屬污染）時，根本不會輕易參考證據3 、證據6 及證據13，且證據5 之國際分類號明顯與證據3 、證據6 及證據13皆不相同，此一事實毋寧進一步說明證據5 之發明技術領域與證據3 、證據6 及證據13並不相同。

⒋原告所引述原證3 第3 欄第12至17行的內容，其意涵實為「含有磷酸根與草酸根的溶液與過氧化物結合通常對於含鐵金屬表面的精製特別有效」，該內容所教導者係針對「鐵」的移除，而非使用「鐵」，更非原告所指「過氧化氫與諸如磷酸與草酸的組合在鐵存在的環境下具有磨光的效用」之意，原告所言並不實在。

㈢基於上述事實說明，證據5 並未揭露或建議系爭專利更正後之申請專利範圍任一請求項之整體內容。若非經由系爭專利說明書之揭示與教導，CMP 領域中具通常知識者即使無意間同時觀得證據5 與非關CMP 領域之證據3 、證據6 、證據13或原證3 ，仍無法輕易完成系爭專利之發明，更無法輕易預期於CMP 操作中併用「過氧基氧化劑」與「鐵觸媒」之技術手段所呈現的相乘效果，系爭專利更正後申請專利範圍各請求項之可專利性，無庸置疑。

二、我國發明第582066號專利可進一步彰顯系爭專利發明的可專利性：

㈠查三星電子股份有限公司於系爭專利申請日／優先權日數年之後，提出申請（申請日為89年2 月21日）並獲准專利公告第582066號（公告說明書全文如參加人於舉發階段所提呈之附件2 ，於本院編為附件4 ，本院卷第85至95頁）。該專利係關於一CMP 漿體，其技術重點在於併用一第一氧化劑過氧化物及一第二氧化物鐵化合物。其中如附件4 圖4 所示，當以過氧化氫為該「過氧化物」且以硝酸鐵為該「鐵化合物」，併用過氧化氫與硝酸鐵所提供之金屬去除率，明顯高於單獨使用過氧化氫或硝酸鐵之去除率；過氧化氫即屬於系爭專利所涉「過氧基氧化劑」，硝酸鐵即屬於系爭專利所涉「鐵觸媒」。

㈡前述事實說明，如三星電子股份有限公司之CMP 技術領域者在系爭專利申請日／優先權日數年之後，仍認為如系爭專利於CMP 操作中併用「過氧基氧化劑」與「鐵觸媒」所提供之效益為不可預期而提出專利申請，益證系爭專利所提供之效益，於系爭專利申請日當時為不可預期之具進步性者。

三、磨料並非系爭專利組合物之必要成分：原告雖稱系爭專利請求項1 至2 、4 至9 與48所請發明根本不含有磨料，故所請發明無法達成在低金屬濃度下具高磨光速率之發明功效云云。然如熟習此項技術者所周知，化學機械磨光組合物並非單獨運作，而係透過與研磨墊合併使用，從而提供所欲之整體研磨效益。其中當於研磨墊上併含磨料，即可免除CMP 組合物中對於磨料之需求。換言之，對系爭專利所請組合物而言，磨料並非必要成分，系爭專利說明書所例示之淤漿，僅為本發明組合物實際使用之部分態樣，本發明組合物亦可以不含磨料之非淤漿形態與含有磨料之研磨墊併用，故原告之主張並不實在。

伍、本院得心證之理由：

一、查系爭專利之申請日為86年11月26日，優先權日為西元1996年11月26日、1997年4 月8 日、1997年7 月11日，於民國89年4 月26日審定准予專利，於89年7 月1 日公告等情，有系爭專利申請卷可參（申請卷第143 至144 頁、第167 頁、第171 頁），因此，系爭專利有無撤銷之原因，應以核准審定時即83年1 月21日修正公布、同年月23日施行之專利法為斷（下稱83年專利法）。本件爭點為：證據3 、證據5 、證據6 、證據13、原證3 如技術爭點所示組合，可否證明系爭專利請求項1 至2 、4 至17、21至48不具新穎性、進步性？（本院卷第110 頁之準備程序筆錄）。又按關於撤銷、廢止商標註冊或撤銷專利權之行政訴訟中，當事人於言詞辯論終結前，就同一撤銷或廢止理由提出之新證據，智慧財產法院仍應審酌之，智慧財產案件審理法第33條第1 項定有明文。原告於訴願及本件訴訟時提出原證3 與證據5 之組合如下列第五項爭點分析第㈥點所述，係就同一撤銷理由（即系爭專利是否不具進步性）所提之新證據，核屬智慧財產案件審理法第33條第1 項所稱之「新證據」，本院應併予審究，附此敘明。

二、按利用自然法則之技術思想之高度創作，且可供產業上利用之發明，得依83年專利法第19條、第20條第1 項前段規定申請取得發明專利。又發明，無申請前已見於刊物或已公開使用者，得申請取得發明專利，同法第20條第1 項第1 款定有明文，另發明係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成時，雖無前項所列情事，仍不得申請取得發明專利，同法第20條第2 項亦定有明文，再依同法第72條第1 項規定，發明有違反第19條、第20條規定之情事，任何人得附具證據，向專利專責機關舉發之。準此，系爭專利有無違反83年專利法第20條第1 項第1 款、第2 項規定之情事應予撤銷，依法應由舉發人即原告附具證據證明之。又參加人分別於97年3 月31日、101 年11月29日及另案（即系爭專利N02 舉發案）99年7 月6 日、102 年5 月24日提出系爭專利申請專利範圍更正本，經被告審查，認參加人102 年5 月24日所提出之系爭專利申請專利範圍更正本與其公告本相較，或為申請專利範圍之減縮，或為不明瞭記載之釋明，或為請求項之刪除，且未超出原說明書所揭露之範圍，亦未實質擴大或變更公告時之申請專利範圍，應准予更正（更正後系爭專利之請求項有48項，請求項3 、18至20刪除，但仍保留項次序號，實則僅有44項），於103 年5 月28日以本件舉發審定書為「102 年5 月24日之更正事項，准予更正。」之處分，並經核准更正公告在案，因原告並未就上開准予更正之處分聲明不服，且該更正業經公告，兩造及參加人對於本件以系爭專利更正後之申請專利範圍為準均無意見（本院卷第198 頁），是本件即以更正後之專利權範圍為審理，併此敘明。

三、系爭專利之技術內容：

㈠系爭專利所屬之技術領域：依系爭專利之專利說明書【發明領域】記載，系爭專利係有關一種化學機械磨光組合物，其包括至少一種氧化劑與一種觸媒。該化學機械磨光組合物可以單獨使用或與其他化學藥品與磨料併用，其用以磨光半導體製造中之金屬層與薄膜。系爭專利尤其有關一種化學機械磨光淤漿，其特別適用於多層金屬層與薄膜，其中該層或薄膜之一係由鎢組成，別一層或薄膜係由鈦或含鈦合金（諸如氮化鈦）組成。系爭專利亦有關化學機械磨光組合物，其包括至少一種氧化劑、至少一種觸媒與至少一種安定劑。最後，系爭專利有關一種化學機械磨光先質組合物，其隨後於使用時可與一種氧化劑混合（參系爭專利說明書第4 頁第1 至11行，本院卷第206頁）。

㈡系爭專利技術說明：

⒈系爭專利揭露先前技術代表性化學機械磨光（CMP ）方法中，該基材係與旋轉磨光墊直接接觸。一種載體於該基材背面施加壓力。於磨光方法期間，當該基材背面保持一股向下力量時，該墊與座旋轉。在磨光期間將一種磨料與化學反應溶液澱積在該墊上，該溶液通常稱為「淤漿」。該淤漿與欲磨光之膜化學反應引發該磨光方法。可由該墊相對於基材之旋轉運動促進該磨光方法，提供淤漿作為該晶圓／墊之界面。該淤漿組成係CMP 步驟中之重要因素。視該氧化劑、該磨料與其他適用添加劑之選擇而定，可調製該淤漿，以所需之磨光速率對於金屬層提供有效磨光作用，並最小化表面缺陷、瑕疵、腐蝕與侵蝕。此外，該磨光淤漿可用以提供對於目前積體電路技術所使用之其他薄膜物質（諸如鈦、氮化鈦等）之磨光選擇性。代表性CMP 磨光淤漿包含一種磨料物質，諸如氧化矽或氧化鋁，其懸浮於氧化水性介質中。例如，Yu等人於美國專利第5,244,523 號報告提出一種氧化鋁、過氧化氫與氫氧化鉀或氫氧化銨之一，其適於以預定速率去除鎢，並稍微去除其下之絕緣層。Yu等人於美國專利第5,209,816號中揭示一種淤漿，其包括過氯酸、過氧化氫與水性介質中之固態磨料物質。Cadien與Feller於美國專利第5,340,370號中揭示一種鎢磨光淤漿，其包括大約0.1M鐵氰化鉀、大約5 重量百分比氧化矽與醋酸鉀。添加醋酸使該pH值緩衝為大約3.5 （參系爭專利說明書第5 頁第13行至第6 頁第11行，本院卷第207 至208 頁）。

⒉系爭專利所要解決的技術問題為大部分目前市售之CMP 淤漿包含高濃度經溶解之離子金屬組份。因此，該經磨光基材因為將填充物種類吸收至該中間層而受到污染。此等種類可能移動並改變位於閘極與接點元件之電性質，並改變該SiO2層之介電性質。此等改變可能降低該積體電路隨著時間之可靠度。因此，必須使該晶圓僅曝於流動金屬離子濃度極低之高純度化學藥劑中。已知非金屬氧化劑之問題係其鎢磨光速率通常很低。因為其很難以高速率磨光，必須延長磨光步驟去除最後之微量經澱積鎢層。延長該磨光步驟使各層（諸如SiO2）過度磨光並且造成不必要侵蝕。此種侵蝕使得隨後照相平版印刷步驟中難以印刷高解析度線，提高晶圓之失敗數量。此外，延長磨光步驟降低IC製造廠之產出，並提高所形成IC之成本。因此，需要一種新穎之CMP 淤漿，其實質上不含潛在之積體電路污染物，而且可以高速率磨光。此外，需要一種新穎CMP 淤漿與組合物，其於該組合物與淤漿製備一段長時間後仍保持安定與活性（參系爭專利說明書第6 頁第12行至第7 頁第5 行，本院卷第208 至209 頁）。

⒊系爭專利解決問題的技術手段包含一種單一化學機械磨光組合物，其實質上不含金屬，通常包括少於大約3000 ppm金屬或金屬離子。此種不含金屬之化學機械磨光組合物可製造具有較少瑕疵之經磨光基材，該瑕疵通常因CMP 淤漿中存在金屬與金屬污染物造成。系爭專利之化學機械磨光組合物可以高速率磨光鎢、鈦與氮化鈦層。系爭專利亦為一種化學機械磨光組合物，其存在較少廢棄物問題，此係因金屬量極低之故。此外，系爭專利係一種本技藝狀態之（state-of-the-art）化學機械磨光組合物，其可以極高速率磨光鎢，其使雜質瑕疵最小化，而且經使用後容易廢棄。系爭專利亦為一種使用期限長之化學機械磨光淤漿與組合物。系爭專利另外觀念係一種化學機械磨光先質，其不含氧化劑，而且隨後於使用之前可與一種氧化劑併用製成一種適用之CMP 淤漿。此外，系爭專利有關一種在淤漿使用系爭專利化學機械磨光組合物以磨光積體電路中多層金屬層之方法（參系爭專利說明書第7 頁第6 行至第8 頁第1 行，本院卷第209 至210 頁）。

⒋系爭專利定義部分用語，其中「化學機械組合物」係指包括至少一種氧化劑與至少一種觸媒之組合，其可與一種磨蝕墊結合，自多層金屬化層去除一或多層金屬層。化學機械磨光淤漿一辭（「CMP 淤漿」）意指其他系爭專利適用產物，其包括系爭專利化學機械組合物與至少一種磨料。該CMP 淤漿適於磨光多層金屬化層，其包括但是不受限於半導體薄膜、積體電路薄膜，而且適於磨光任何適用CMP 法之其他薄膜、表面與基材。系爭專利觀念之一係一種化學機械組合物，其包括一種氧化劑與適於氧化磨光應用中金屬層之觸媒。該化學機械組合物。此化學機械組合物與化學機械磨光淤漿併用時適於將金屬層氧化成對應之氧化物或離子。例如，該組合可用以將鎢氧化成氧化鎢，將鋁氧化成氧化鋁以及將銅氧化成氧化銅。系爭專利揭示之氧化劑- 觸媒組合與一種CMP 淤漿併用時，或單獨與一種磨蝕墊併用時，適於磨光金屬及以金屬為底質之組分，包括鎢、鈦、氮化鈦、銅、鋁與其各種混合物與組合。系爭專利之化學機械組合物包括至少一種氧化劑，其電化學電勢大於氧化該觸媒所需之電化學電勢。例如將一種六水鐵自Fe(II)至Fe(III) 時，需要電勢大於0.771 伏特之氧化劑與一般氫電極。假如使用一種水銅錯合物，將Cu(I) 氧化成Cu(II)需要一種電勢大於0.153 伏特之氧化劑與一般電極。此等電勢僅用於特定錯合物，而且當該適用氧化劑改變時可能視系爭專利組合物中所添加之添加劑〈諸如配位子（錯合劑）〉而改變。該氧化劑係一種無機或有機過氧化合物為佳。過氧化合物如Hawley's CondensedChemical Dictionary 所定義，其係一種包含至少一種過氧基（-O-O- ）之化合物或一種包含具有其最高氧化狀態之元素。包含至少一種過氧基之化合物實例包括但是不受限於過氧化氫與其加成物，諸如過氧化氫脲與過碳酸鹽、有機過氧化物，諸如過氧化芐基、過醋酸與過氧化二- 第三- 丁基、單過硫酸（SO5=）、過二硫酸（S2O8= ）與過氧化鈉。包含具有其最高氧化狀態元素之化合物實例包括但不受限於過碘酸、過碘酸鹽、過溴酸、過溴酸鹽、過氯酸、過氯酸鹽、過硼酸與過硼酸鹽及過錳酸鹽。符合電化學電勢需求之非過氧化合物之實例包括但是不受限於硼酸鹽、氯酸鹽、鉻酸鹽、碘酸鹽、碘酸與鈰(IV)化合物，諸如硝酸銨鈰。最佳之氧化劑係過氧化氫與其加成物及單過硫酸鹽（參系爭專利說明書第9 頁第18行至第11頁第9 行，本院卷第211 至213 頁）。

⒌系爭專利化學機械組合物包括一種觸媒，該觸媒之目的係自該欲氧化之金屬轉移至該氧化劑（或相似地將電化學電流自該氧化劑轉移至該金屬）。該經選擇之觸媒或多種觸媒可為金屬、非金屬或其組合，而且該觸媒必須可以有效率並迅速地替換介於該氧化劑與金屬基材表面間之電子。該觸媒係選自具有多個氧化狀態之金屬化合物為佳，諸如但是不受限於Ag、Co、Cr、Cu、Fe、Mo、Mn、Nb、Ni、Os、Pd、Ru、Sn、Ti與V 。「多個氧化狀態」一辭意指一個原子及／或化合物，其具有可增加是為電子形式之一或多個負電荷之價數。較佳之金屬觸媒係Ag、Cu與Fe及其混合物。特佳者係鐵觸媒，諸如但是不受限於鐵之無機鹽類，諸如硝酸鐵(II 或III)、硫酸鐵(II 或III)、鹵化鐵(II 或III)，包括氟化物、氯化物、溴化物與碘化物，以及過氯酸鹽、過溴酸鹽與過碘酸鹽，及有機鐵(II 或III)化合物，諸如但是不受限於醋酸鹽、乙醯醋酮酸鹽、檸檬酸鹽、葡萄庚酸鹽、草酸鹽、酞酸鹽與琥珀酸鹽與其混合物。化學機械磨光組合物中該觸媒之存在量自大約0.001 至大約2.0 重量百分比。該化學機械磨光組合物中之觸媒存在量自大約0.005 至大約0.5 重量百分比為佳。該組合物中之觸媒存在量自大約0.01至大約0.05重量百分比最佳。於此等較佳觸媒負荷水準（即0.05重量百分比或以下）而且使用一種非金屬氧化劑（諸如過氧化氫、過氧化氫脲或單過硫酸鹽）時，該化學機械磨光組合物實質上為金屬，而且與市售以硝酸鐵為底質之淤漿相較其「不含金屬離子」。系爭專利之化學機械組合物內之觸媒量可視所使用之氧化劑而定。當較佳氧化劑過氧化氫與較佳觸媒諸如硝酸鐵併用時，該觸媒於組合物中之存在量自大約0.005 至大約0.20重量百分比（溶液中具有大約7 至280 ppm Fe）。當該較佳氧化劑係單過硫酸鹽，而且使用較佳觸媒諸如硝酸鐵時，該觸媒於組合物中之存在量自大約0.05至大約1.0 重量百分比（於溶液中具有大約70至大約1400 ppm Fe ）。系爭專利化學機械磨光淤漿中觸媒之濃度通常係以整體化合物之重量百分比表示。使用含有高分子量金屬之化合物亦在系爭專利觸媒範圍內，其僅包括小重量百分比之觸媒。使用之觸媒亦包括化合物，其中組合物中包含少於10重量％金屬之催化金屬而且該CMP 淤漿中之金屬觸媒濃度佔整體淤漿重量大約2至大約3000 ppm。系爭專利之化學機械組合物可與至少一種磨料併用以製造一種CMP 淤漿。該磨料通常為一種金屬氧化物磨料。該金屬氧化物磨料可選自氧化鋁、氧化鈦、氧化鋯、氧化鍺、氧化矽、氧化鈰與其混合物。系爭專利之CM P淤漿包括自大約1.0 至大約20.0重量百分比或以上之磨料為佳。然而，系爭專利之CMP 淤漿包括自大約3.0 至大約7. 0重量百分比磨料更佳（參系爭專利說明書第11頁倒數第1 行至第13頁倒數第5 行，本院卷第213 至215 頁）。

⒍適用之添加劑係存在金屬錯合物下安定該氧化劑者。已知存在任何金屬離子下若不使用安定劑該過氧化氫呈不安定。因此，CMP 組合物與淤漿可包含一種安定劑。若不使用該安定劑，該觸媒與該氧化劑會以迅速降低該氧化劑活性之方式反應。於組合物中添加一種安定劑會降低該觸媒之效能。因此添加於該組合物之安定劑種類與用量之選擇極為重要，而且明顯影響CMP 之性能。目前已知於其組合物與淤漿中添加安定劑會產生一種安定劑／觸媒錯合物，其可抑制該觸媒與氧化劑反應。本揭示之「至少一種具有多重氧化狀態之觸媒與至少一種安定劑之混合物產物」一辭目的意指不論該最終產物中該組份組成是否形成錯合物於組合物與淤漿中使用此二組份之摻和物。適用之安定劑包括磷酸、有機酸（例如，己二酸、檸檬酸、丙二酸、鄰酞酸與EDTA）、磷酸鹽化合物、腈類與其他與該金屬鍵結並降低其對過氧化氫分解之反應性的配位子，以及其混合物。該酸安定劑可以共軛形式使用，例如可以使用羧酸鹽類代替該羧酸。系爭專利之「酸」一辭目的係用以描述適用之安定劑，亦意指該酸安定劑之共軛鹼。例如「己二酸」意指己二酸與其共軛鹼。可以單獨或組合使用安定劑，而且其可明顯降低氧化劑諸如過氧化氫之分解速率。較佳之安定劑包括磷酸、酞酸、檸檬酸、己二酸、草酸、丙二酸、苯甲腈及其混合物。較佳之安定劑可添加系爭專利組合物與淤漿中，其用量係自大約1 每觸媒當量至大約3.0 重量百分比或以上。系爭專利所使用之「每觸媒當量」意指該組合物中每個觸媒離子對一個安定劑分子。例如2 每觸媒當量意指每個觸媒離子對二個安定劑分子。最佳之安定劑包括自大約2 每觸媒當量至大約15每觸媒當量之丙二酸、自大約3 每觸媒當量至大約3.0 重量百分比酞酸與自大約0每觸媒當量至大約3 每觸媒當量草酸與自大約0.2 至大約1.0 重量百分比己二酸之組合。系爭專利之功效係發現化學機械磨光組合物具有高速鎢（W ）磨光率以及對於鈦（Ti）之良好磨光速率。此外，該化學機械磨光顯示對於該介電絕緣層之所需低磨光速率（參系爭專利說明書第16頁第5 行至第17頁第13行、第14至16行，本院卷第218 至219 頁）。

⒎系爭專利說明書中實施例2 之5 種磨光淤漿的試驗結果如附件一之表1 所示，該控制樣本（淤漿1-3 ）之鎢磨光速率過低。尤其是，單獨使用過氧化氫或單獨使用催化用量之硝酸鐵皆無法達到明顯之鎢磨光速率。然而淤漿4 與5 顯示併用氧化劑與觸媒時，強烈之協合效果所得到之鎢磨光速率為5000埃／分鐘以上之譜。於過氧化氫中添加催化用量之硝酸鐵（或相反地於硝酸鐵中添加過氧化氫）使該鎢磨光速率之提高大於一個等級（參系爭專利說明書第20至21頁，本院卷第222 至223 頁）。

⒏系爭專利說明書中實施例3 之5 種磨光淤漿的試驗結果如附件一之表2 所示，該控制樣本（淤漿1-4 ）之鎢磨光速率過低。淤漿5 係10.0重量％單過硫酸鹽與0.2 重量％硝酸鐵觸媒之組合，其可以極高速率磨光鎢，而且再次顯示併用電子替換觸媒與電化學電勢大於氧化該觸媒所需電勢之氧化劑的協合效果（參系爭專利說明書第21至22頁，本院卷第223 至224 頁）。

⒐系爭專利說明書中實施例4 之9 種磨光淤漿的試驗結果如附件一表3 所示，鎢磨光速率視淤漿中之過氧化氫用量與硝酸鐵觸媒用量二者而定。此外，表3 之結果亦顯示僅有極少量之觸媒（0.05重量百分比或以下）對於使用包括過氧化氫之CMP 淤漿磨光鎢時極為有利（參系爭專利說明書第22至23頁，本院卷第224 至225 頁）。

⒑系爭專利說明書中實施例6 之11種磨光淤漿的試驗結果如附件一表5 所示，每種所試驗之淤漿顯示其鎢磨光速率優於僅包括一種氧化劑之淤漿（實施例2-淤漿3 ；實施例3-淤漿3&4 ），而且優於僅包括觸媒之淤漿（實施例2-淤漿2 ；實施例3-淤漿2 ）（參系爭專利說明書第24至25頁，本院卷第226 至227 頁）。

⒒系爭專利說明書中實施例7 之3 種磨光淤漿的試驗結果如附件一表6 所示，使用淤漿1 與2 可達到絕佳磨光性能。觀察該淤漿發現其對於每種金屬化層之磨光速率都極高，因此最小化清除該金屬化層之時間。與市售淤漿比較，兩種包含觸媒之淤漿顯示較佳性能。以原子力顯微鏡對於該經磨光晶圓之試驗顯示該元件晶圓成功地平坦化，其侵蝕率與其間柱與線路圖型之變形為可接受之低水準。此外，其下之PETEOS層平滑而且不具明顯刮痕或坑洞（參系爭專利說明書第25至26頁，本院卷第227 至228 頁）。

㈢系爭專利申請專利範圍：系爭專利核准公告之申請專利範圍共計48項，其中請求項1、8 、9 、39、40、41、43、44、45及48為獨立項，其餘請求項為附屬項。專利權人即參加人於102 年5 月24日申請更正申請專利範圍，刪除請求項3 及18至20，更正請求項1 、8 及9 限縮所載觸媒為「鐵觸媒」，更正請求項1 及9 限縮所載氧化劑為「包含至少一種過氧基（-O-O- ）之化合物」，更正請求項8 之標的為「一種化學機械磨光先質組合物」，更正請求項1 及9 中補充釋明「該氧化劑係不同於該觸媒」，另比照上述內容更正請求項44、45及48之對應內容，經被告於103 年6 月21日核准更正公告在案，系爭專利核准更正之請求項內容如下:

⒈請求項1 ：一種化學機械磨光組合物，其包含：至少一種氧化劑，其係一種包含至少一種過氧基（-O-O- ）之化合物；與至少一種具有多個氧化部位之鐵觸媒；其中該氧化劑係不同於該觸媒。

⒉請求項2 ：根據申請專利範圍第1 項之化學機械磨光組合物，其中該氧化劑之電化學電勢大於氧化該觸媒所需之電化學電勢。

⒊請求項3 ：（本項刪除）

⒋請求項4 ：根據申請專利範圍第1 項之化學機械磨光組合物，其中該氧化劑為單過硫酸鹽、過硫酸鹽、過氧化物及其混合物。

⒌請求項5 ：根據申請專利範圍第4 項之化學機械磨光組合物，其中該氧化劑包括至少一種單過硫酸鹽，其具有化學式：（詳附件二所示化學式及其內容）。

⒍請求項6 ：根據申請專利範圍第4 項之化學機械磨光組合物，其包含0.5 至20重量百分比之單過硫酸鹽。

⒎請求項7 ：根據申請專利範圍第5 項之化學機械磨光組合物（詳附件三所示內容） 。

⒏請求項8 ：一種化學機械磨光先質組合物，其包含：至少一種具有多個氧化部位之鐵觸媒與至少一種安定劑之混合產物。

⒐請求項9 ：一種化學機械磨光組合物，其包含：至少一種氧化劑，其係一種包含至少一種過氧基（-O-O- ）之化合物；與至少一種具有多個氧化部位之鐵觸媒與至少一種安定劑之混合產物；其中該氧化劑係不同於該觸媒。

⒑請求項10：根據申請專利範圍第8 或9 項之組合物，其中該安定劑為有機酸、無機酸、腈及其混合物。

⒒請求項11：根據申請專利範圍第10項之組合物，其中該安定劑係選自包括磷酸、酞酸、檸檬酸、丙二酸、膦酸、草酸、己二酸、苯甲腈及其混合物。

⒓請求項12：根據申請專利範圍第11項之組合物，其中該安定劑為觸媒0 當量至每觸媒3 當量之草酸與0.2 至1.0 重量百分比己二酸之摻和物。

⒔請求項13：根據申請專利範圍第11項之組合物，其中該安定劑為每觸媒2 當量至每觸媒15當量之丙二酸。

⒕請求項14：根據申請專利範圍第11項之組合物，其中該安定劑為每觸媒3 當量至3.0 重量百分比之酞酸。

⒖請求項15：根據申請專利範圍第9 項之組合物，其中該氧化劑為有機化合物、無機化合物及其混合物。

⒗請求項16：根據申請專利範圍第1 、8 或9 項之組合物，其中該氧化劑為在0.1 至50重量百分比間之過氧化氫。

⒘請求項17：根據申請專利範圍第16項之組合物，其中該氧化劑為在0.5 至10重量百分比間之過氧化氫。

⒙請求項18：（本項刪除）

⒚請求項19：（本項刪除）

⒛請求項20：（本項刪除）請求項21：根據申請專利範圍第1 、8 或9 項之組合物，其中該觸媒為一種選自包括具有多重氧化狀態之無機鐵化合物與有機鐵化合物之鐵觸媒。請求項22：根據申請專利範圍第21項之組合物，其中該鐵觸媒為硝酸鐵。請求項23：根據申請專利範圍第22項之組合物，其中該鐵觸媒為在0.01至0.5 重量百分比間之硝酸鐵。請求項24：根據申請專利範圍第1 、8 或9 項之組合物，其包含0.001 至2.0 重量百分比之觸媒。請求項25：根據申請專利範圍第24項之組合物，其包含0.005至0.2 重量百分比之觸媒。請求項26：根據申請專利範圍第1 或9 項之組合物，其中該氧化劑為過氧化氫，且該觸媒為0.01至0.5 重量百分比之鐵觸媒。請求項27：根據申請專利範圍第1 或9 項之組合物，其中該氧化劑為單過硫酸鹽，且其中該觸媒為0.05至1.0 重量百分比之觸媒。請求項28：根據申請專利範圍第1 、8 或9 項之組合物，其另外包含一種磨料。請求項29：根據申請專利範圍第28項之組合物，其中該磨料為至少一種金屬氧化物磨料。請求項30：根據申請專利範圍第29項之組合物，其中該金屬氧化磨料係選自氧化鋁、氧化鈰、氧化鍺、氧化矽、氧化鈦、氧化鋯及其混合物。請求項31：根據申請專利範圍第28項之組合物，其中該磨料為一種金屬氧化物之含水分散液。請求項32：根據申請專利範圍第29項之組合物，其中該金屬氧化物磨料係由粒子大小分佈小於1.0 微米且平均聚集體直徑小於0.4 微米之金屬氧化物聚集體所組成。請求項33：根據申請專利範圍第29項之組合物，其中該金屬氧化物磨料係由具有主要粒子直徑小於0.400 微米且表面積範圍為約10平方公尺／克至約250 平方公尺／克之分立、個別金屬氧化物球體所組成。請求項34：根據申請專利範圍第28項之組合物，其中該磨料具有表面積範圍從5 平方公尺／克至430 平方公尺／克。請求項35：根據申請專利範圍第34項之組合物，其中該磨料具有表面積範圍從30平方公尺／克至170 平方公尺／克。請求項36：根據申請專利範圍第28項之組合物，其中該磨料為沉澱磨料或煙霧狀磨料。請求項37：根據申請專利範圍第28項之組合物，其中該磨料為沉澱氧化矽、煙霧狀氧化矽或煙霧狀氧化鋁。請求項38：根據申請專利範圍第1 項之化學機械磨光組合物，其包含：一種磨料；一種硝酸鐵之鐵觸媒；及1.0 至10.0重量百分比之氧化劑，選自包括過氧化氫與單過硫酸鹽，其中當該氧化劑為過氧化氫時，則該淤漿包含0.01至0.05重量百分比之硝酸鐵觸媒，而當該氧化劑為單過硫酸鹽時，則該淤漿包含0.1 至0.5 重量百分比之硝酸鐵觸媒。請求項39：一種化學機械磨光淤漿，其包含：1.0 至15.0重量百分比之氧化矽；0.1 至0.5 重量百分比之硝酸鐵觸媒；以及1.0 至10.0重量百分比之單過硫酸鹽。請求項40：一種化學機械磨光淤漿，其包含：1.0 至15.0重量百分比之氧化矽；0.01至0.05重量百分比之硝酸鐵觸媒；以及1.0 至10.0重量百分比之過氧化氫。請求項41：一種化學機械磨光淤漿，其包含：3.0 至7.0 重量百分比之氧化矽；0.01至0.05重量百分比之硝酸鐵觸媒；以及0.5 至10.0重量百分比之過氧化氫與每觸媒2 當量至每觸媒15當量丙二酸之摻和產物。請求項42：根據申請專利範圍第41項之淤漿，其中該氧化矽具有表面積在120 平方公尺／克至200 平方公尺／克之間。請求項43：一種化學機械磨光先質組合物，其包含3.0 至7.0 重量百分比氧化矽之水溶液，與0.01至0.05重量百分比硝酸鐵觸媒及每觸媒2 當量至每觸媒15當量丙二酸之摻和產物。請求項44：一種用以磨光包括至少一種金屬層之基材之方法，其包括以下步驟：（a ）摻和根據申請專利範圍第8 或43項之組合物與去離子水，製得一種化學機械磨光先質；（b）摻和步驟（a ）之化學機械磨光先質與一種氧化劑，製得一種化學機械磨光淤漿，其中該氧化劑係不同於該觸媒，且該氧化劑係一種包含至少一種過氧基（-O-O- ）之化合物；（c ）將該化學機械磨光淤漿塗覆於該基材；以及（d ）使墊片與該基材接觸，並使該墊片相對於該基材移動，去除至少部分該基材之金屬層。請求項45：一種用以磨光包括至少一種金屬層之基材之方法，其包括以下步驟：（a ）摻和去離子水與一包含至少一種氧化劑、至少一種具有多個氧化部位之鐵觸媒及一磨料之組合物、或摻和去離子水與一包含至少一種氧化劑、至少一種具有多個氧化部位之鐵觸媒與至少一種安定劑之混合產物及一磨料之組合物，製得一種化學機械磨光淤漿，其中該氧化劑係不同於該觸媒，且該氧化劑係一種包含至少一種過氧基（-O-O- ）之化合物；（b ）將該化學機械磨光淤漿塗覆於該基材；以及（c ）使墊片與該基材接觸，並使該墊片相對於該基材移動，去除至少部分該基材之金屬層。請求項46：根據申請專利範圍第45項之方法，其中該基材包括一種含鎢金屬層，其中至少部分鎢層係於步驟（c ）中去除。請求項47：根據申請專利範圍第45項之方法，其中該基材另外包括一種鈦及／或氮化鈦金屬層，其中至少部分該氮化鈦層係於步驟（c ）中去除。請求項48：一種化學機械磨光組合物多重包裝系統，其包括：（a ）包含根據申請專利範圍第8 或43項組合物之第一容器；及（b ）包含一種氧化劑之第二容器，其中該氧化劑係不同於該觸媒，且該氧化劑係一種包含至少一種過氧基（-O-O- ）之化合物。

四、原告提出之舉發證據如下：

㈠證據3 （舉發卷一第23至42頁，中譯文於本院卷第158 至167 頁）

⒈為1981年10月27日公告之美國專利第4297436 號「Methodfor producing a multilayer printing plate 」，其公告日早於系爭專利最早優先權日（1996年11月26日），可為系爭專利之先前技術。

⒉技術內容：證據3 係關於多層印刷電路板的製造方法，揭露適用於其發明之蝕刻漂白溶液，必須含有至少一種氧化劑如過氧化氫、過二硫酸鹽（例如，過二硫酸鈉、過二硫酸鉀、過二硫酸銨等）等；並且可以包含一個化合物，其促進氧化劑的作用，如銅(II)鹽〈例如，氯化銅(II)、溴化銅(II)、硝酸銅(II)、硫酸銅(II)、硝酸及其它水溶性銅(II)鹽〉、鐵(III )鹽〈例如，水溶性鐵(III) 鹽如氯化鐵(III )、硫酸鐵(III) 、硝酸鐵(III) 等〉及酸（例如，有機酸如乙酸、酒石酸、檸檬酸、乳酸等，及無機酸如硫酸、鹽酸、硝酸、磷酸等），該等氧化劑被方便地用於從大約0.01的量至約10％（重量）的蝕刻漂白溶液，較佳為0.1 ％至5 ％（重量）（參證據3 說明書第13欄第22至54行）。例如可在實施例2 及實施例6 中使用的蝕刻漂白溶液的例子為，含有氯化銅(II) 、檸檬酸及過氧化氫的水溶液；含有硝酸銅(II)、溴化鉀、乳酸及過氧化氫的水溶液；含有硝酸鐵(III) 、溴化鉀、乳酸及過氧化氫的水溶液；以及相同於上述的水溶液，除了以過硫酸鹽（例如，過二硫酸鈉、過二硫酸鉀、過二硫酸銨等）取代過氧化氫（參證據3 說明書第13欄第61行至第14欄第4 行）。

㈡證據5 （舉發卷一第3 至18頁，中譯文於本院卷第168 至175 頁）

⒈為1996年6 月18日公告之美國專利第5527423 號「Chemicalmechanical polishing slurry for metal layers 」專利，其公告日早於系爭專利最早優先權日，可為系爭專利之先前技術。

⒉技術內容：證據5 之發明係關於半導體裝置的金屬層拋光用的CMP 淤漿，該淤漿含有純度高、均勻地分散在穩定含水介質中的細金屬氧化物粒子。該粒子的表面積約為40平方公尺／克～430 平方公尺／克，聚集粒徑分佈（aggregate sizedistribution）小於約1.0 微米，平均聚集直徑小於約0.4微米，以及一個足以排斥和克服粒子間凡德瓦力的力。在一個較佳的實施方式中，金屬氧化物粒子還有一個大於約±10毫伏的最大Z 電位。又其揭露一種使用拋光淤漿拋光鎢層的方法（參證據5 說明書第2 欄第25至40行）。在另一個實施方式中，氧化組分可以被加入到拋光淤漿中以將金屬層氧化成其相應的氧化物。例如，在其發明中，用氧化組分將金屬層氧化成其相應的氧化物，如將鎢氧化成氧化鎢。對金屬層進行機械拋光以將氧化鎢從金屬層上除去。儘管可使用多種氧化組分，優選的組分包括氧化性金屬鹽、氧化性金屬錯合物、鐵鹽如硝酸鹽、硫酸鹽、EDTA、檸檬酸鹽、鐵氰化鉀等、鋁鹽、鈉鹽、鉀鹽、銨鹽、季銨鹽、鏻鹽、過氧化物、氯酸鹽、過氯酸鹽、高錳酸鹽、過硫酸鹽及其混合物。氧化組分通常以足以保證金屬層的快速氧化，同時平衡淤漿中的機械和化學拋光組分的量存在於淤漿中。另外，現已發現，氧化組分的濃度和拋光淤漿的膠體穩定性之間存在著重要的關係。因此，氧化組分通常以約0.5 ％～15％（重量），優選以1 ％～7 ％（重量）的範圍存在於淤漿中。為了進一步穩定含有氧化組分的拋光淤漿氧化組分的抗沉澱、絮凝和分解的能力，可以使用多種添加劑，如表面活性劑、聚合物穩定劑或其它的表面活性分散劑（參證據5 說明書第5 欄第8 至36行）。通常，所用的添加劑（如表面活性劑）的量應足以達到淤漿的有效立體穩定性，並通常根據所選的特定表面活性劑和金屬氧化物粒子的表面性質而變化。例如，如果所選的表面活性劑的用量不足，則它對穩定性沒有或影響不大。另一方面，過多的表面活性劑將導致淤漿中不需要的起泡和／或絮凝。因此，添加劑（如表面活性劑）通常以約0.001％～10％（重量）存在。此外，也可以採用已知技術將添加劑直接加入到淤漿中或處理在金屬氧化物粒子表面上。在另一個例子中，調整添加劑的量以達到拋光淤漿中所需的濃度。金屬氧化物粒子通常是沉澱的氧化鋁、熱解法氧化矽或熱解法氧化鋁，且較佳為熱解法氧化矽或熱解法氧化鋁（參證據5 說明書第5 欄第57行至第6 欄第9 行）。拋光漿料特別適合於化學機械平面化，以去除不平均的形貌、材料層；及刮痕、粗糙或污物或灰塵等污染粒子等之表面缺陷。因此，相較於傳統回蝕刻技術，使用此漿料的半導體製程能體現表面品質、裝置可靠性及產量的提高。雖然細金屬氧化物粒子已指出為氧化鋁和氧化矽，可以理解此處的技術亦適用其它細金屬氧化物粒子，如氧化鍺、氧化鈰、氧化鈦等。此外，金屬氧化物粒子可用於拋光銅及鈦等其他金屬表面，以及鈦、氮化鈦及鈦鎢底層（參證據5 說明書第10欄第14至29行）。

㈢證據6 （舉發卷一第208 至210 頁，中譯文於本院卷第176至179 頁）

⒈為1980年5 月20日公告之美國專利第4203765 號「Etchbleaching liquid with iron(III)ions 」專利，其公告日早於系爭專利最早優先權日，可為系爭專利之先前技術。

⒉技術內容：證據6 係關於蝕刻漂白液與鐵(III) 離子，揭露酸性之蝕刻漂白水溶液含有過氧化氫、鐵(III) 及無機陰離子，以形成具有溶解度積不大於1E-8的銀鹽，其係於20℃之水中測定，其特徵在於此溶液中包含溶解態的檸檬酸及含有環氧烷單元之高分子的組合，以穩定過氧化氫（參證據6 摘要及說明書第2欄第13至20行、第3欄第48至53行）。

㈣證據13（舉發卷二第129 至139 頁，中譯文於本院卷第180至190 頁）

⒈為1992年9 月15日公告之美國專利第5147827 號「Methodfor producing a passivation film of InP compoundsemiconductor 」專利，其公告日早於系爭專利最早優先權日，可為系爭專利之先前技術。

⒉技術內容：證據13係關於製備InP 化合物半導體之鈍化膜的方法，揭露一裝置如光電晶體管、光電二極管、雷射二極管或類似物，包含一塗覆穩定鈍化膜的化合物半導體，以減少漏電流。鈍化膜包含氧、金屬元件及該裝置的構成元件，並且包含在所述鈍化膜中的元素濃度，透過所述鈍化膜及所述設備之間的界面逐漸改變。這種鈍化膜是藉由一裝置浸泡在氫氧化物水溶液中，在控制溶液的溫度下進行氧化或陽極氧化所形成，水溶液並含有金屬離子如Fe2+、Fe3+、Cu+ 、Cu2+、Co2+或Cr2+（參證據13摘要及說明書第2 欄第1 至22行）。

㈤原證3 （本院卷第35至37頁，中譯文於本院卷第191 至193頁）

⒈為1985年1 月1 日公告之美國專利第4491500 號「Methodfor refinement of metal surfaces」專利，其公告日早於系爭專利最早優先權日，可為系爭專利之先前技術。

⒉技術內容：原證3 係關於使用於金屬表面之精製方法，揭露該方法之一個較佳實施例，元件質量藉由引入質量加工設備，包括足夠量之磨料加工介質，且攪拌步驟將進行一段時間並不超過6 小時。通常表面係選自由鐵、銅、鋅、鋁、鈦及其合金組成之群組中所選出之金屬，且穩定膜包含基板金屬之氧化物、磷酸鹽、草酸鹽、硫酸鹽、及／或鉻酸鹽。因此，使用之液體物質進行目標金屬表面之化學轉換，通常是一溶液含有一或多個基團：磷酸鹽、草酸鹽、硫酸鹽、鉻酸鹽以及其混合物，並且在某些情況下，較佳為物質另外包含一種氧化劑；通常所述液體物質將具有酸性pH值。溶液包含磷酸鹽及草酸鹽之基團，並與過氧化物之組合，通常發現對於精製鐵金屬表面特別有效，且溶液可由三聚磷酸鹽、草酸及過氧化氫來製造（參原證3 說明書第2 欄第65行至第3 欄第17行）。更具體的說明，依據所涉及的金屬基材，活性成分通常由磷酸鹽或酸或其混合物，與乙二酸、乙二酸鈉或其類似物所構成，或與硫酸鹽如硫酸或碳酸氫鈉之混合物，或與鉻酸鹽如鉻酸或鉻酸鈉之混合物，皆為有效。此外，每次洗滌可能包括約每公升0.05～0.5 公克的各種已知活化劑或催化劑，如磷酸鋅、磷酸鎂與磷酸鐵，以及有機與無機氧化劑，如過氧化氫、間- 硝基苯、氯酸鹽、亞氯酸鹽、硝酸鹽與亞硝酸鹽化合物（參原證3 說明書第5 欄第15至27行）。

五、技術爭點分析：

㈠證據5 是否足以證明系爭專利請求項1 至2 、4 至17及21至48不具新穎性？

⒈按發明專利權範圍，以說明書所載之申請專利範圍為準；必要時，得審酌說明書及圖式，83年專利法第56條第3 、4 項定有明文。又發明專利權範圍既以說明書所載之申請專利範圍為準，申請專利範圍自須記載構成發明之技術，以界定專利權保護之範圍。在解釋申請專利範圍時，發明說明及圖式係立於從屬地位，未曾記載於申請專利範圍之事項，固不在保護範圍之內；惟說明書所載之申請專利範圍通常僅就請求保護範圍為必要之敘述，或有未臻明確之處，自不應侷限於申請專利範圍之字面意義，而應參考其專利說明書及圖式，以瞭解其目的、技術內容、特點及功效，據以界定其實質內容。解釋申請專利範圍，得參酌內部證據與外部證據，前者係指請求項之文字、發明說明、圖式及申請歷史檔案；後者指內部證據以外之其他證據。例如，創作人之其他論文著作與其他專利、相關前案、專家證人之見解、該發明所屬技術領域中具有通常知識者之觀點、權威著作、字典、專業辭典、工具書、教科書等，並以內部證據之適用為優先（最高行政法院103 年度判字第417 號判決意旨參照）。另於新穎性判斷之基本原則中，作為新穎性判斷對象之發明，為申請專利範圍之「請求項所載發明」，應就每一請求項目逐項判斷其新穎性。又判斷發明有無新穎性時，應以發明之技術內容比對是否相同（含能由熟習該項技術者直接推導）為準，不相同即具有新穎性，相同即不具新穎性；其比對方式，應採單獨比對方式，以個別獨立的引證資料與「請求項所載發明」進行比對，不得將二個以上獨立的引證資料予以組合，以與「請求項所載發明」比對。此外，下位概念發明之公開，使上位概念發明不具新穎性，上位概念發明之公開，原則上不影響下位概念發明之新穎性，但藉參酌當時之技術知識，而可由上位概念導出下位概念表現的發明時，則不在此限。

⒉查系爭專利請求項1 為一種化學機械磨光（CMP ）組合物，其包含：至少一種氧化劑，其係一種包含至少一種過氧基（-O-O- ）之化合物；與至少一種具有多個氧化部位之鐵觸媒；其中該氧化劑係不同於該觸媒。進一步審酌系爭專利之說明書及圖式，系爭專利於說明書中明確定義部分技術用語，包含「化學機械組合物」係指包括至少一種氧化劑與至少一種觸媒之組合，其可與一種磨蝕墊結合，自多層金屬化層去除一或多層金屬層（參系爭專利說明書第9 頁第19至21行）；其中「氧化劑」係指電化學電勢大於氧化該觸媒所需之電化學電勢（參系爭專利說明書第10頁第12至13行）；其中「觸媒」之目的係自該欲氧化之金屬轉移至該氧化劑（或相似地將電化學電流自該氧化劑轉移至該金屬）（參系爭專利說明書第11頁倒數第1 行至第12頁第2 行）。因此，系爭專利請求項1 之主要技術手段係一種CMP 組合物，其至少包含二種成分，其一為含過氧基化合物（如過氧化氫或過硫酸鹽等過氧化物）之氧化劑，其二為鐵觸媒，而該氧化劑係不同於該觸媒，且由系爭專利說明書可以理解，該觸媒與該氧化劑之目的、作用與功效亦實質不同。

⒊證據5 之發明係關於半導體裝置的金屬層拋光用的CMP 淤漿，該淤漿含有純度高、均勻地分散在穩定含水介質中的細金屬氧化物粒子。該粒子的表面積約為40平方公尺／克～430平方公尺／克，聚集粒徑分佈小於約1.0 微米，平均聚集直徑小於約0.4 微米，以及一個足以排斥和克服粒子間凡德瓦力的力。在一個較佳的實施方式中，金屬氧化物粒子還有一個大於約±10毫伏的最大Z 電位。又其揭露一種使用拋光淤漿拋光鎢層的方法（參證據5 說明書第2 欄第25至40行）。證據5 進一步揭露在另一個實施方式中，氧化組分可以被加入到拋光淤漿中以將金屬層氧化成其相應的氧化物。例如，在其發明中，用氧化組分將金屬層氧化成其相應的氧化物，如將鎢氧化成氧化鎢。對金屬層進行機械拋光以將氧化鎢從金屬層上除去。儘管可使用多種氧化組分，優選的組分包括氧化性金屬鹽、氧化性金屬錯合物、鐵鹽如硝酸鹽、硫酸鹽、EDTA、檸檬酸鹽、鐵氰化鉀等、鋁鹽、鈉鹽、鉀鹽、銨鹽、季銨鹽、鏻鹽、過氧化物、氯酸鹽、過氯酸鹽、高錳酸鹽、過硫酸鹽及其混合物（參證據5 說明書第5 欄第8 至21行）。因此，證據5 已明確揭露一種CMP 淤漿，其係藉由含有特定表面積與粒徑之細金屬氧化物粒子，以達成其發明目的與功效，並例示氧化組分可為鐵鹽、過氧化物或其混合物。

⒋由上可知，證據5 與系爭專利請求項1 界定之技術特徵的主要差異在於證據5 未明示系爭專利請求項1 界定併用含過氧基化合物之氧化劑及鐵觸媒的技術特徵，故證據5 與系爭專利請求項1 在形式上具有差異，並非完全相同。

⒌原告雖主張證據5 已明示鐵鹽與過氧化物之組合可作為CMP組合物之成分，且熟習該項技術者可直接且無歧異得知鐵鹽與過氧化物之組合，並應用作為CMP 組合物中之氧化劑，不應僅以「鐵觸媒」或「鐵氧化劑」之形式不同，而忽略二者均同指「鐵離子」而沒有分別云云（本院卷第10頁），然查證據5 雖例示氧化組分可為鐵鹽、過氧化物或其混合物，但亦同時例示其他10多種不同之氧化組分，彼此之組合情形可能多達數十或數百種，且其說明書中均未明示採用鐵鹽與過氧化物之組合。觀念上，上位概念發明僅表明下位概念包含於上位概念中，或者單純地可從上位概念的用語中，列舉出下位概念的用語者，不得認為可由上位概念發明導出以下位概念來表現之發明。由於系爭專利請求項1 僅限定鐵觸媒與過氧化物之組合作為CMP 組合物，而證據5 係例示鐵鹽與過氧化物之組合可為CMP 組合物之氧化組分，此時先前技術揭露之技術特徵包含數個意義，申請專利之發明僅限定其中一個意義，則不得認定該發明中之技術特徵由該先前技術即能直接且無歧異得知。因此，原告所主張之鐵鹽與過氧化物之組合，並非依證據5 記載之內容而可直接且無歧異得知者，原告主張不可採。

⒍綜上，證據5 未記載系爭專利請求項1 界定併用含過氧基化合物之氧化劑及鐵觸媒之技術特徵，亦非屬依證據5 記載之內容可直接且無歧異得知者，故證據5 不足以證明系爭專利請求項1 不具新穎性。

⒎由於證據5 不足以證明系爭專利請求項1 不具新穎性，已如前述，而系爭專利請求項2 、4 至17及21至48均包含鐵觸媒之技術特徵，故證據5 自不足以證明系爭專利請求項2 、4至17及21至48不具新穎性。

㈡證據5 是否足以證明系爭專利請求項1 至2 、4 至17及21至48不具進步性？

⒈承上，證據5 雖不足以證明系爭專利請求項1 不具新穎性，惟如申請專利之發明為運用申請當日或優先權日之前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者之一般技術知識所能輕易完成者，即不具進步性。反之，如非為熟習該項技術者之一般技術知識所能輕易完成者，即具有進步性。新穎性與進步性係不同的基本要件。申請專利之發明與申請當日或優先權日之前既有之技術或知識若有差異時，即有新穎性，「有無進步性」之問題，僅於有新穎性之情形下，始會產生。本件由前述分析說明可以理解證據5 未明示含過氧基化合物之氧化劑及鐵觸媒之組合可作為CMP 組合物之成分，而本件應釐清者係其是否為熟習該項技術者之一般技術知識所能輕易完成。查證據5 之發明係關於一種CMP 淤漿，係藉由含有特定表面積（40平方公尺／克～430 平方公尺／克）與粒徑（聚集粒徑分佈小於約1.0 微米、平均聚集直徑小於約0.4 微米）之細金屬氧化物粒子，以達成發明目的與功效，而證據5之說明書及其記載之相關實施例，均係討論如何藉由選擇特定表面積與粒徑之細金屬氧化物粒子（氧化鋁或氧化矽），以達成提高拋光品質及選擇率之功效，進一步詳閱證據5 之說明書，並未記載併用二種以上之氧化組分之說明，且其實施例均未記載併用二種以上之氧化組分，均僅使用硝酸鐵作為氧化組分。

⒉由於發明專利是否符合進步性之要件，依系爭專利核准審定時施行之83年專利法第20條第2 項規定，係判斷發明是否為運用申請或優先權日前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成者。然法條之文字存在許多不確定法律概念，例如：技術知識浩瀚無垠，如何定義申請前既有之技術或知識的邊界；熟習該項技術者之技術領域、水準及能力如何定義；輕易完成與否的程度為何。因而，要對於不確定法律概念作出正確並合乎經驗法則與論理法則之判斷，須高度依賴證據所呈現之事實內容以判斷申請前已公開之技術知識，並本於科學與技術之本質，客觀解讀證據後，合理分析及推論證據揭露之事實內容以涵攝適用，始能將不確定法律概念之內涵具體明確化，簡言之，即應依據證據事實為客觀判斷，盡可能減少主觀之論斷。本件證據5 雖例示氧化組分可為鐵鹽、過氧化物或其混合物，但亦同時例示其他10多種不同之氧化組分，彼此之組合情形可能多達數十或數百種，且其說明書中均未明示採用鐵鹽與過氧化物之組合。而證據5所揭露之發明所欲解決之問題、解決問題之技術手段及對照先前技術之功效，均係直接關於選擇特定表面積與粒徑之細金屬氧化物粒子，並無關同時併用過氧化物及鐵鹽作為氧化組分。因此，基於證據5 之揭露內容並參酌優先權日前既有之技術或知識，熟習該項技術者並無任何之教示、建議或動機，欲選擇含過氧基化合物之氧化劑及鐵觸媒之組合作為CMP 組合物之成分，故系爭專利請求項1 非為熟習該項技術者所能輕易完成。

⒊原告辯稱系爭專利所揭示之技術手段僅在特定的物質（過氧化氫與鐵）可以相互結合，只要該特定物質組合（即系爭專利之技術手段）已被揭示於習知技術，此技術手段具有的任何效益是必然會達成者云云（本院卷第10頁），惟查：

⑴按進步性之審查，應以每一請求項中所載之發明整體為對象，亦即應將該發明所欲解決之問題、解決問題之技術手段及對照先前技術之功效作為一整體加以考量，逐項進行判斷，不得僅以發明說明或申請專利範圍中所記載之技術特徵為對象；另進步性之審查不得以發明說明中循序漸進、由淺入深的內容所產生的「後見之明」，作成能輕易完成的判斷，而認定不具進步性。有關進步性之判斷，尤應注意不得僅因系爭專利各項構件已存在先前技術中，即認定不具進步性，而應探究有無具體之理由，促使所屬技術領域中具有通常知識者，將所揭露之技術作成系爭專利之組合態樣。經整體考量比對系爭專利與先前技術之差異處後，縱然舉發證據分別含有系爭專利之各技術特徵，仍須探究有無具體之理由，促使所屬技術領域中具有通常知識者，將所揭露之技術作成系爭專利之組合態樣，而先前技術對系爭專利之技術內容是否有所教示、建議或提示動機，亦為判斷進步性所應考量之因素。本件由證據5 揭露之表面證據，表象上似乎已揭露系爭專利請求項1 界定之技術特徵，例如：CMP 研磨漿、過氧化物及鐵鹽等，然即使將系爭專利請求項1 各個技術特徵與證據5 進行比對，仍應細究系爭專利請求項1 之整體與證據5 揭露之實質技術內容，若僅以證據5 已揭露系爭專利之個別技術特徵而認系爭專利不具進步性，恐稍嫌率斷而忽略以系爭專利請求項1 之整體以判斷進步性。

⑵由於系爭專利之功效係發現化學機械磨光組合物具有高速鎢（W）磨光率以及對於鈦（Ti）之良好磨光速率。此外，該化學機械磨光顯示對於該介電絕緣層之所需低磨光速率（參系爭專利說明書第17頁第14至16行）。又系爭專利說明書中實施例2 之5 種磨光淤漿的試驗結果如表1 所示，該控制樣本（淤漿1-3 ）之鎢磨光速率過低。尤其是，單獨使用過氧化氫或單獨使用催化用量之硝酸鐵皆無法達到明顯之鎢磨光速率。然而淤漿4 與5 顯示併用氧化劑與觸媒時，強烈之協合效果所得到之鎢磨光速率為5000埃/ 分鐘以上之譜。於過氧化氫中添加催化用量之硝酸鐵（或相反地於硝酸鐵中添加過氧化氫）使該鎢磨光速率之提高大於一個等級（參系爭專利說明書第20至21頁）。另系爭專利說明書中實施例3 之5種磨光淤漿的試驗結果如表2 所示，該控制樣本（淤漿1-4）之鎢磨光速率過低。淤漿5 係10.0重量％單過硫酸鹽與0.2 重量％硝酸鐵觸媒之組合，其可以極高速率磨光鎢，而且再次顯示併用電子替換觸媒與電化學電勢大於氧化該觸媒所需電勢之氧化劑的協合效果（參系爭專利說明書第21至22頁）。又系爭專利說明書中實施例4 之9 種磨光淤漿的試驗結果如表3 所示，鎢磨光速率視淤漿中之過氧化氫用量與硝酸鐵觸媒用量二者而定。此外，表3 之結果亦顯示僅有極少量之觸媒（0.05重量百分比或以下）對於使用包括過氧化氫之CMP 淤漿磨光鎢時極為有利（參系爭專利說明書第22至23頁）。另系爭專利說明書中實施例6 之11種磨光淤漿的試驗結果如表5 所示，每種所試驗之淤漿顯示其鎢磨光速率優於僅包括一種氧化劑之淤漿（實施例2-淤漿3 ；實施例3-淤漿3&4 ），而且優於僅包括觸媒之淤漿（實施例2-淤漿2 ；實施例3-淤漿2 ）（參系爭專利說明書第24至25頁）。又系爭專利說明書中實施例7 之3 種磨光淤漿的試驗結果如表6 所示，使用淤漿1 與2 可達到絕佳磨光性能。觀察該淤漿發現其對於每種金屬化層之磨光速率都極高，因此最小化清除該金屬化層之時間。與市售淤漿比較，兩種包含觸媒之淤漿顯示較佳性能。以原子力顯微鏡對於該經磨光晶圓之試驗顯示該元件晶圓成功地平坦化，其侵蝕率與其間柱與線路圖型之變形為可接受之低水準。此外，其下之PETEOS層平滑而且不具明顯刮痕或坑洞（參系爭專利說明書第25至26頁）。因此，依系爭專利之說明書及實施例之記載，可以充分支持併用含過氧基化合物之氧化劑及鐵觸媒而應用於CMP 淤漿之功效，原告稱該功效為必然會達成者云云實不足採。

⒋原告復據證據5 之實施例3 之淤漿1 ，與系爭專利說明書中表5 之淤漿4 進行比較，主張證據5 與系爭專利二者之磨光速率相仿，故系爭專利根本不存在無法預期之功效云云（本院卷第11至12頁）。惟原告以上開二個淤漿進行比較顯無技術上之意義，因為該二淤漿之組成分及含量實質上具有差異，尤其是含鐵成分的含量差距為1000倍以上（5 ％與28ppm），以此相較顯無意義。又以對鎢（W ）的磨光速率（埃／分鐘）來說，系爭專利說明書中表1 之淤漿5 （6214）、表3 之淤漿9 （6214）及表5 之淤漿11（7840），均高於舉發證據5 之實施例3 之淤漿1 （4850），故證據5 與系爭專利二者之磨光速率並非相仿。

⒌綜上，依據證據5 揭露之內容並參酌申請前既有之技術或知識，熟習該項技術者，面臨欲解決磨光速率及磨光選擇性之技術問題時，不具有足夠之教示、建議或動機以輕易完成系爭專利請求項1 ，故尚難稱證據5 足以證明系爭專利請求項1 不具進步性。

⒍由於證據5 不足以證明系爭專利請求項1 不具進步性，已如前述，而系爭專利請求項2 、4 至17及21至48均包含鐵觸媒之技術特徵，故證據5 自不足以證明系爭專利請求項2 、4至17及21至48不具進步性。

㈢證據5 及3 之組合是否足以證明系爭專利請求項1 至2 、4至17及21至48不具進步性？

⒈證據3 之技術內容已如前述，證據3 係揭露關於蝕刻漂白溶液，應用於印刷電路板之製造，與證據5 揭露之CMP 淤漿係應用於半導體晶圓表面之化學機械磨光，二者為完全不同之技術領域，熟習該項技術者，面臨欲解決磨光速率及磨光選擇性之技術問題時，不具有足夠之教示、建議或動機以組合證據5 及3 而能輕易完成系爭專利請求項1 ，故尚難稱證據5 及3 足以證明系爭專利請求項1 不具進步性。

⒉由於證據5 及3 不足以證明系爭專利請求項1 不具進步性，已如前述，而系爭專利請求項2 、4 至17及21至48均包含鐵觸媒之技術特徵，故證據5 及3 自不足以證明系爭專利請求項2 、4 至17及21至48不具進步性。

㈣證據5 及6 之組合是否足以證明系爭專利請求項1 至2 、4至17及21至48不具進步性？

⒈證據6 之技術內容已如前述，證據6 係揭露關於蝕刻漂白溶液，應用於銀圖像（silver image）之印刷製造，與證據5揭露之CMP 淤漿係應用於半導體晶圓表面之化學機械磨光，二者為完全不同之技術領域，熟習該項技術者，面臨欲解決磨光速率及磨光選擇性之技術問題時，不具有足夠之教示、建議或動機以組合證據5 及6 而能輕易完成系爭專利請求項1 ，故尚難稱證據5 及6 足以證明系爭專利請求項1 不具進步性。

⒉由於證據5 及6 不足以證明系爭專利請求項1 不具進步性，已如前述，而系爭專利請求項2 、4 至17及21至48均包含鐵觸媒之技術特徵，故證據5 及6 自不足以證明系爭專利請求項2 、4 至17及21至48不具進步性。

㈤證據5 及13之組合是否足以證明系爭專利請求項1 至2 、4至17及21至48不具進步性？

⒈證據13之技術內容已如前述，證據13係揭露關於製備InP 化合物半導體之鈍化膜的水溶液，與證據5 揭露之CMP 淤漿係應用於半導體晶圓表面之化學機械磨光，二者為完全不同之技術領域，熟習該項技術者，面臨欲解決磨光速率及磨光選擇性之技術問題時，不具有足夠之教示、建議或動機以組合證據5 及13而能輕易完成系爭專利請求項1 ，故尚難稱證據5 及13足以證明系爭專利請求項1 不具進步性。

⒉由於證據5 及13不足以證明系爭專利請求項1 不具進步性已如前述，而系爭專利請求項2 、4 至17及21至48均包含鐵觸媒之技術特徵，故證據5 及13自不足以證明系爭專利請求項2 、4 至17及21至48不具進步性。

⒊原告主張訴願決定未考量由證據5 的國際專利分類（IPC ），均可導引技術領域至證據3 、6 及13，而違反專利審查基準云云（本院卷第13至14頁）。按國際專利分類主要係作為專利資料檢索、分類及管理之運用，並非據以確認技術領域是否相同或以之判斷專利要件，故引證文獻彼此間或引證文獻與系爭專利間之國際專利分類的異同，並非用以判斷引證文獻是否足堪作為系爭專利比對之相關先前技術之唯一標準，尚需考量該等技術之技術內容的相關性、所欲克服之問題以及達成目的之期待性、具有通常知識者之技術水準等因素作整體性判斷，是尚不能以國際專利分類為相同或具有相關性，即稱其技術領域相同或可輕易組合，仍應實質審視引證文獻及系爭專利之說明書整體所載的技術內容，方可論斷。本件經查證據5 、3 及6 之國際專利分類相關性，僅在於證據5 之其中一個國際專利分類「H01L 21 ／00」之分類說明的參見，指出技術主題之相關的一個或數個的分類位置，但其係用以說明IPC 間之分類相關性，並不能代表技術領域之相關性。又查證據5 及13之國際專利分類的次類雖同為「H01L 21 ／00」，屬適用於製造或處理半導體或固體裝置或部件之方法或設備，但半導體的製造技術涵蓋範圍相當廣泛，就證據5 及13二者相關之半導體製造技術係完全無關，尚難僅以國際專利分類相同即稱技術內容相同。此外，由於判斷發明是否能輕易完成時，雖准予將二件或二件以上不同文獻之全部內容或其各該文獻之部分內容相互組合，惟其組合以熟習該項技術者於申請當時或優先權日所能輕易完成者為限；故判斷是否能輕易完成時，若文獻之技術內容屬於非類似、非接近或無關的技術領域者，則其組合通常視為非能輕易完成，例如：組合二件或二件以上之文獻內容後，與申請專利發明之必要的技術內容，在本質上無法相切合時，則此等文獻之組合，通常視為非能輕易完成。因此，原告僅泛稱訴願決定違反專利審查基準云云，卻未指明違反專利審查基準何處及實質理由，實不足採。

㈥證據5 及原證3 之組合是否足以證明系爭專利請求項1 至2、4 至17及21至48不具進步性？

⒈原證3 之技術內容已如前述，原證3 係揭露關於金屬表面之精製方法，即將含磷酸鹽及草酸鹽之基團的溶液，與過氧化物組合，應用於鐵金屬表面之拋光，與證據5 揭露之CMP 淤漿係應用於半導體晶圓表面之化學機械磨光，二者為完全不同之技術領域。又原證3 雖例示活化劑或催化劑可為磷酸鐵或過氧化氫，但亦同時例示其他多種不同之氧化組分，彼此之組合情形可能多達數十或數百種，且其說明書中均未明示採用磷酸鐵及過氧化氫之組合，故其並未揭露併用磷酸鐵及過氧化氫。因此，熟習該項技術者，面臨欲解決磨光速率及磨光選擇性之技術問題時，不具有足夠之教示、建議或動機以組合證據5 及原證3 而能輕易完成系爭專利請求項1 ，故尚難稱證據5 及原證3 足以證明系爭專利請求項1 不具進步性。

⒉由於證據5 及原證3 不足以證明系爭專利請求項1 不具進步性，已如前述，而系爭專利請求項2 、4 至17及21至48均包含鐵觸媒之技術特徵，故證據5 及原證3 自不足以證明系爭專利請求項2 、4 至17及21至48不具進步性。

陸、綜上所述，證據3 、證據5 、證據6 、證據13、原證3 如技術爭點所示組合，均不足以證明系爭專利請求項1 至2 、4至17及21至48不具新穎性、進步性，是系爭專利請求項1 至2 、4 至17及21至48並未違反83年專利法第20條第1 項第1款及第2 項規定，則被告所為本件「請求項1 至2 、4 至17、21至48舉發不成立」之處分，並無不合，訴願決定予以維持，亦無不合。原告請求撤銷此部分之訴願決定及原處分，並就系爭專利此部分為舉發成立應予撤銷之審定，為無理由，應予駁回。

柒、本件事證已臻明確，兩造及參加人其餘主張或答辯，經本院審酌後認對判決結果不生影響，爰不一一論列，併此敘明。

據上論結，本件原告之訴為無理由，依智慧財產案件審理法第1條，行政訴訟法第98條第1 項前段，判決如主文。

智慧財產法院第三庭