智慧財產法院行政判決

原告廖文賢

訴訟代理人周良謀專利師

周宜新專利師

輔佐人施祐宗

被告經濟部智慧財產局

代表人洪淑敏（局長）

訴訟代理人陳聖

參加人日商‧斯克林半導體科技有限公司

代表人須原忠浩

訴訟代理人陳寧樺律師

陳軍宇律師

李懷農律師

輔佐人王慧華

上列當事人間因發明專利舉發事件，原告不服經濟部中華民國105年4月29日經訴字第10506302400號訴願決定，提起行政訴訟，經本院裁定命參加人參加被告之訴訟，並判決如下︰

主文

事實及理由

一、事實概要︰參加人前於民國97年9月9日以「基板處理裝置及基板處理方法」向被告申請發明專利，經編為第97134498號審查後准予專利，並發給發明第I387034號專利證書（下稱系爭專利）。嗣原告以系爭專利違反核准時專利法第22條第4項之規定，對之提起舉發，經參加人答辯並於104年7月16日提出申請專利範圍更正本，將請求項5、6、9、16、17等刪除，案經被告審查，以104年9月15日（104）智專三（二）04169字第10421247890號專利舉發審定書為「104年7月16日之更正事項，准予更正。請求項7至8舉發成立應予撤銷。請求項1至4、10至15舉發不成立。請求項5至6、9、16至17舉發駁回。」之處分。原告就上開舉發不成立之部分提起訴願，經經濟部以105年4月29日經訴字第10506302400號決定駁回，原告仍未甘服，遂向本院提起行政訴訟。本院認本件判決之結果，若認定應撤銷訴願決定及原處分關於舉發不成立之部分，將影響參加人之權利或法律上之利益，遂依職權命參加人獨立參加本件被告之訴訟。

1至4、10至1597134498號「基板處理裝置及基板處理方法」發明專利案「請求項1至4、10至15訟費用由被告負擔。並主張略以：2可證明系爭專利請求項1不具進步性：22旋轉速度（下稱第2轉速）大於第1旋轉速度（下稱第1轉速）並非證據2之必要技術特徵，不產生限定之功效：2第0018段記載「如使清洗液之供給停止於基板之較周緣更靠中心部側之位置，亦即從基板中心部往外側離開預設距離量之位置，則可避免於清洗液供給時，因1500rpm以上之轉速所致基板之大離心力而造成的清洗液擾亂之現象，能提高清洗效果」、第0034段記載「如果洗液噴嘴4之安置點距晶圓W之中心部太遠，則由於作用於清洗液之離心力變大，吐出至晶圓W表面之清洗液會往外側濺開，液流乃受擾亂」，由上可知證據2係藉由「使清洗液之供給停止」，而非「1500rpm以上之轉速」來避免「基板之大離心力所造成的清洗液擾亂之現象」，倘提高轉速將會增高基板離心力，並無法避免清洗液擾亂之現象，而是會「造成」清洗液擾亂之現象，故宜改變清洗液供給停止位置來避免該現象。被告據此認定「依據清洗液供給時為1500rpm以上之轉速，可藉由基板之大離心力避免清洗液擾亂之現象」、「提高第2轉速具有特殊功效」云云，係錯誤解讀，實則「第1轉速小於第2轉速」與「避免清洗液擾亂之功效」並無相關性。

2轉速設定為未滿1500rpm而言，並非相較於第1轉速，證據2並未揭示或暗示該清洗效果與第1轉速具有依存關係，也未揭示或暗示第1轉速與第2轉速的相對大小會影響清洗效果，由證據2第0018段僅能說明第2轉速在1500rpm以上是刻意安排，但無法得出其與第1轉速之相對關係的限定；且證據2第0037段記載「步驟1中，於晶圓W的整體表面形成液膜的製程中，由於只要使晶圓W整面沾濕即可，故晶圓W之轉速及清3洗液之吐出流量並不特加限定，例如可與步驟2中之轉速及吐出流量相同」，就「不特加限定」之文義而言，實質包含第1轉速小於、等於、大於第2轉速的三種態樣，且已明確表示「可與步驟2中之轉速相同」僅係舉例，並非限定條件，被告將之解釋為「也只是可相同」並當作限定條件之一，而認為「第1轉速小於第2轉速，頂多可等於第2轉速」，顯係不當解讀，依該解釋亦表示「提高或不改變第2轉速」均能獲得特殊功效，與被告前述認定「提高第2轉速具有特殊功效」之論點自相矛盾。由上開第0037段明確揭示依據沾溼效果來決定第1轉速，可見證據2對於第1轉速的刻意安排，係在於能使晶圓整面沾濕，只要符合這個前提，第1轉速可以是任何旋轉速度，無論小於、等於、甚至大於第2轉速。

2之第1轉速是為了形成一定厚度的液膜，第2轉速則形成液膜斷開部向外跑，故第2轉速必須大於第1轉速，若二者轉速相同時，第2轉速形成之液流將無法對液膜賦予比第1轉速更強的離心力，從而無法獲得該發明之清洗效果云云，惟查：2並未提及任何有關「液膜厚度」的概念，此僅係參加人之主觀臆測，由證據2第0031段揭示第1步驟例如為轉速1000rpm、流量500ml/分，第0032段揭示第2步驟例如為轉速2000rpm、流量250ml/分，及第0037段明確提及轉速與流量亦可與第2步驟相同，可知證據2已揭示步驟1也可以在更高轉速與更低流量的條件下形成液膜，且因應轉速改變而調整流量也是通常知識者所能輕易思及，故液膜厚度的問題並不會阻礙通常知識者改變轉速。42第0032段已揭示乾燥領域之外緣（即液膜之斷開部）是藉由清洗液供給位置向外側移動使中心缺乏清洗液供給而產生，並且持續移動供給位置，進而使得斷開部向外側馳行。若清洗液供給位置不變時，即使第2轉速大於第1轉速，也不會產生斷開部。故要形成斷開部，重點在於改變清洗液供給位置或供給狀態，並不需特地使第2轉速大於第1轉速。

2第0003至0004段、第0017段及第0031段可知，步驟1的目的在於沾濕而非清洗，其清洗效果並不會優於習知技術，證據2是藉由在步驟2產生乾燥領域（即斷開部），並使外緣向外側馳行，而獲得優於習知技術的清洗效果，其獲得清洗力之重點不在於追求更大的離心力，故步驟1的轉速當然亦可與步驟2相同。

2並未明示系爭專利請求項1之「於朝基板之周緣部供給清洗液之狀態下使基板以低於上述第1轉速之第2轉速旋轉」、「在透過上述清洗液供給移動機構的移動期間，分階段或連續地改變基板之旋轉速度」技術特徵，惟查：2已明確揭示離心力與基板之旋轉有關，如前所述，其「第1轉速小於第2轉速」僅係一種實施態樣，並非為了特殊功效而刻意安排，並已明示第1轉速並不特別限定，實質上隱含「第1轉速大於第2轉速」之態樣。而轉速與離心力有相關性、高轉速帶來的高離心力會造成反濺問題，均為所屬技術領域中通常知識者所熟知，藉由調整轉速來改變離心力以降低反濺，僅係一般例行工作之普通手段，故證據2足以證明系爭專利請求項1及與其有共同技術特徵之請求項15不具進步性。至參加人辯稱此係後見5之明，原告亦再提出證據4以證明為解決該反濺問題而降低轉速，對於通常知識者而言係容易（詳後述）。

1係於移動期間，分階段或連續改變基板轉速，惟「分階段地」改變轉速即等同於「不連續地」改變轉速，二者之技術上意義相同，因此該項特徵即為「不連續地或連續地/分階段地或不分階段地」改變轉速，並非實質性的限定條件，不具有技術上的特別意義，當然也不會帶來特別的功效。又於移動期間改變轉速僅係通常知識，常見於先前技術中，同樣係通常知識者所能輕易思及者，不具進步性。

2若提高第1轉速，將於沾濕晶圓之前使晶圓甩乾，而違反其沾濕晶圓之目的云云，然系爭專利說明書第39頁記載「經過特定時間後，於繼續自液體供給噴嘴650吐出清洗液之狀態下，基板W之旋轉速度上升。清洗液之流量例如為0.2至0.8L/min。此時，如圖7(a)及圖7(d)所示，以覆蓋基板W一邊之方式形成清洗液之液層L」，可知於清洗液供給噴嘴650繼續吐出清洗液之狀態下使基板W之旋轉速度上升，將會以覆蓋基板W整面的方式，形成清洗液之液層L，亦即系爭專利說明書明確揭示晶圓旋轉速度上升並不會在沾濕晶圓之前使晶圓甩乾，「清洗液供給位置」以及「是否繼續吐出清洗液」才是影響基板是否甩乾之關鍵。參加人既宣稱系爭專利「提高轉速可以形成液層」，卻又認為證據2「提高轉速會在沾濕前甩乾」，顯然自相矛盾。

2、4之組合可證明系爭專利請求項1不具進步性：4第0005、0006段記載「為解決此種不良，專利文獻1揭示有使噴射純水的噴嘴與噴6射惰性氣體的噴嘴從基板中心朝向周緣掃描的技術。並且，依據此種構成，因為能大致同時地進行藉由噴射純水達成的基板潤濕、藉由噴射惰性氣體而達成的純水水膜排除、及藉由旋轉離心力所達成基板水膜排除，乾燥區域從基板中心部朝向外周大致同心圓狀地擴展出去，所以不會產生水印或汙染。然而，在此種技術中，因為使基板即晶圓乾燥之際係使晶圓基本上以高速旋轉，此時清洗液可能從裝置的腔室等處濺回，而其水滴附著於晶圓乾燥結束的部分，將會成為微粒等的原因。」；第0044段亦記載「以較低之第2轉速結束掃描，係因為液體供給噴嘴來到晶圓周緣附近時，若晶圓W之旋轉速度採掃描開始時的第1轉速，則水霧會因為在周緣部的濺回及在保持晶圓W的吸爪的濺回等而再行附著。」；且其圖7明確揭示在清洗掃描的開始時與結束時，結束時的旋轉速度較低，已直接揭示第2轉速低於第1轉速之技術特徵。

2、證據4均係於清洗液供給噴嘴至少已達離開基板中心之位置後，才朝基板噴出氣體，惟被告與參加人認為證據4不同於系爭專利請求項1之「朝遠離基板中心之位置供給清洗液」、「朝基板之中心部噴出氣體」技術特徵，經查：42頁所載「如圖7(b)及圖7(e)所示，液體供給噴嘴650自基板W之中心部上方朝外側移動。…使液體供給噴嘴650於自基板W中心部上方移動特定距離之時暫時停止。…如圖7(c)及圖7(f)所示，藉由離心力使液層L於薄層區域內斷裂，且於液層L之中心部形成孔部（以下稱為乾燥核心C）…」，可知液體供給噴嘴650是由基板之中心部「上方」朝「外側」移動，並可7發現系爭專利說明書係使用「基板W之中心部上方」來描述液體供給噴嘴650的位置，明確使用「移動」作為動詞來描述噴嘴進行移動之行為，亦即「朝…供給」應按字面解釋為「朝（特定位置）供給」。又根據上述段落之揭示，當「乾燥核心C」形成時，液體供給噴嘴650已自基板W之中心部上方移動特定距離，亦即液體供給噴嘴到達「已離開基板W之中心部上方」之位置。

48頁記載「氣體供給噴嘴670於液體供給噴嘴650自基板W之中心部上方開始移動後（參照圖7(b)及圖7(e)），朝基板W之中心部上方移動。…當於液層L上形成乾燥核心C後（參照圖7(c)及圖7(f)），則如圖12(a)及圖12(d)所示，氣體供給噴嘴朝基板W之中心部噴出惰性氣體」，同樣係使用「基板W之中心部上方」來描述位置，並明確使用「移動」作為動詞來描述氣體供給噴嘴進行移動之行為；並可知當液體供給噴嘴650開始朝「外側」移動時，氣體供給噴嘴670才開始朝基板W中心部上方移動，而當形成乾燥核心C後，氣體供給噴嘴670朝基板W之中心部噴出惰性氣體，此時液體供給噴嘴650顯然到達「已離開基板W之中心部上方」之位置，此點與證據4相同。

「朝…移動並且供給」，惟系爭專利請求項1中並未使用「移動」作為動詞，所謂「遠離」應指已離開某位置而言，係用以修飾位置的形容，亦無法解釋為動詞，系爭專利請求項1「朝…供給清洗液」、「朝…噴出氣體」的「朝」字均係用於描述噴嘴之「供給位置」（朝下），如系爭專利說明書第50頁提及「氣體供給噴嘴一邊吐出惰性氣8體一邊自基板W之中心部上方朝周緣部上方移動」，始為使用「朝…移動」描述噴嘴之「移動目的地」（水平方向），被告及參加人之解讀顯與請求項之字面意義不符，並嚴重誤解系爭專利之技術內容。如依被告及參加人之解1「朝基板之中心部噴出氣體」應解釋為氣體供給噴嘴670於朝「基板之中心部上方」移動的途中噴出惰性氣體，但此時乾燥核心C尚未形成，顯然與系爭專利說明書之記載產生矛盾，而不受說明書所支持，若僅將「朝基板之周緣部供給清洗液」解釋為移動並且供給，則同一請求項中的「朝…供給」之技術用語將產生1「清洗液供給移動機構，使上述清洗液供給部移動以將清洗液自旋轉之基板中心部連續地供給至周緣部」將與「朝基板之中心部供給清洗液之狀態下使基板以第1旋轉速度旋轉」之技術特徵無法相容，亦導致請求項不明確。

，通常知識者依證據2結合例行手段即可輕易思及系爭專利請求項1之構成，證據4並非必要，原告僅係預備性地提出證據4。又證據2、4同屬基板清洗方法之技術領域，均為國際專利分類(IPC)H01L21/304、日本專利分類(FI)H01L21/304634A、H01L21/304648H、H01L21/304651B之發明，在旋轉基板施加清洗處理、清洗液供給中往基板的徑向掃描、利用氣體噴射使基板乾燥等發明的主要部分為共通，為解決清洗液反濺問題，系爭專利使ω1>ω2，而證據4必須減少反濺，二者於解決問題之性質相同，發明所屬技術領域中具有通常知識者容易想到降低離心力來減少反濺，並於證據2使ω1>ω2，故通常知識者當然有動機將證據2和證據4結合，而能輕易完成系爭專利之發明。無論證據2原本9所欲解決的問題與系爭專利是否相同，均不會妨礙通常知識者將證據2和證據4結合。至被告、參加人稱證據2、4技術上不相容，不存在組合動機云云，惟如前述，證據2中並未排除任何「第1轉速大於第2轉速」之先前技術，也未教示「第1轉速大於第2轉速」會在技術本質上有任何不相容之處，與證據4揭示「第1轉速大於第2轉速」之間不存在反向教示之問題。

2、4之組合可證明系爭專利請求項10不具進步性：4確實未明示清洗液供給壓力，但其第0041段已記載「在如此清洗液即純水的掃描時，可藉由流量控制器74a控制成隨著從晶圓W的中心部往周緣部前進而階段性地或緩緩地減少純水之供給量，藉以更加減低在晶圓W的殘液。

」於噴嘴口徑不變的狀態下，提高供給壓力，就結果而言即會提高單位時間的供給流量，因此壓力與流量應當視為等同構成要素。

4第0041段的記載資訊不足，必須提出充分之公式始足以認定壓力與流量具有線性關係云云，惟依照流體力學公式，流體之流量與壓力具有單調遞增之相關性，不必然侷限於線性關係，依據柏努利定律可知，在流出係數C1/2與流道面積A不變的狀況下，流量Q與差壓的平方根P成正比，亦即流量Q與差壓P之間具有二次曲線的關係，當其中一者增大時，另外一者隨之增大，此為業界之常識，例如工業用噴嘴專門製造商和旺昌噴霧股份有限公司網站上之「噴嘴技術指南」記載：「選購噴嘴前一定要知道的七件事…流量也稱噴量或是噴霧量，是指在固定壓力下，噴嘴在一定時間內所噴出的液體或氣體的體積。一般來說，同一款噴嘴，壓力越大，流量也越大。噴嘴在不同壓力下流量的變10化並不是線性關係，而與壓力的平方根大致成正比。其關係1/2公式如下：Qa/Qb=(Pa/Pb)…」，通常知識者應可依據證據4藉由此種非線性關係而毫無困難地將流量與壓力之構成互換，並結合證據2而輕易完成系爭專利請求項10之發明。

另由於證據2亦有提到第1步驟中的清洗液吐出流量並無特別限定，故即使通常知識者僅單獨依據證據2，亦能將流量與壓力之構成互換，進而完成系爭專利請求項10之發明。

10所採取的方式，係透過直接控制「壓力」的變化，而不改變清洗液「流量」云云，惟該主張並未明確記載於系爭專利請求項10中，於系爭專利說明書亦未揭示任何關於「改變壓力時不改變流量」或「改變流量時不改變壓力」之技術特徵，或任何可據以實現之技術手段，參加人之主張並未受到說明書所支持；且依據流體力學原理，若要改變供給「壓力」而不改變清洗液「流量」，則必須改變流出係數或流道面積等其他參數，參加人僅改變「壓力」而宣稱「流量」不會因此改變，顯然違反流體力學的基本原理，並不可採。

三、被告答辯聲明：原告之訴駁回。訴訟費用由原告負擔。並抗辯略以：2或證據2、4之組合無法證明系爭專利請求項1不具進步性：2第0031段記載圖4(a)的清洗液噴嘴4面對晶圓W中心部，並使旋轉夾頭2以較佳為1000rpm之轉速旋轉（此時轉速應比對為第1轉速）；第0032段記載圖4(b)之清洗液噴嘴4正移動往晶圓W之外側部，且此時旋轉夾頭2以2000rpm之轉速旋轉（此時轉速應比對為第2轉速）；由於證據2的圖4與圖5同屬第1實施例，更在第0038段記載11晶圓W之中心部產生乾燥區域時（即圖4(b)發生時），使晶圓W以1500rpm之轉速旋轉，則藉其離心力使乾燥區域往周圍擴散，故圖5的清洗機制可印證顯影溶解產物之除去效果最大，使晶圓表面異物較少，能提高清洗效果；復參照證據2圖4(c)於晶圓W之較周緣更靠中心部側之位置，即從晶圓W之中心部往外側離開預設距離量之位置，立即停止從清洗液噴嘴4之清洗液供給，此步驟之轉速並未指定，應無變化，繼於圖4(d)以相同轉速2000rpm使乾燥區域6往外側擴展，再於圖4(e)以2000至2500rpm轉速使晶圓甩至乾燥。另在第0018段亦記載如使清洗液之供給停止於較基板周緣更靠中心部側之位置，即從基板中心部往外側離開為預設距離量之位置，則依據清洗液供給時為1500rpm以上之轉速，可藉由基板之大離心力避免清洗液擾亂之現象，能提高清洗效果。

2係刻意安排使第1轉速小於第2轉速，明示第2轉速為1500rpm以上時具有其清洗功效，並已說明整體轉速會一直提升至甩乾晶圓的高轉速，原告所舉第0037段雖記載「只要使晶圓W整面沾濕即可，故不特別限定晶圓W轉速及清洗液之吐出流量」，然觀其整段係在說明步驟1的晶圓W轉速，因為步驟1當下不需要在晶圓中心產生乾燥區，僅需將晶圓W整面沾濕，絕不可能在第1轉速執行高轉速，原告僅依據第0037段的晶圓轉速不特別限定，即稱轉速可任意調整並反轉是可輕易完成的技術，有斷章取義之疑；況第0033至0034段已考慮到噴霧會在晶圓周緣部的反濺問題並嘗試避免，亦難以證明熟悉該項技術者有充分動機取其反轉技術且可輕易完成。證據2既已說明提高第2轉速的理由，當然不可能做出步驟1第1轉速大於步12驟2第2轉速的反向教示，且第0037段僅說明步驟1與步驟2中之轉速「可相同」，並未提及「可大於」，故證據2無法證明系爭專利請求項1不具進步性。

由證據4第6B、7圖及第0038至0043段之記載，清洗液吐出噴嘴（元件51）移動以將純水清洗液自旋轉之晶圓W中心部連續地供給至周緣部（第6B、6C圖及第0039至0040段）；N2氣體吐出噴嘴（元件52）於藉由上述清洗液吐出噴嘴已達遠離晶圓中心之位置供給清洗液之狀態下，朝晶圓之中心部噴出氣體（第6D圖及第0042段）；當朝晶圓之中心部供給清洗液之狀態下使基板以10至1500rpm轉速旋轉，理想為500至1500rpm。第6B、6C圖過程中朝基板之周緣部供給清洗液之狀態下使基板以低於上述轉速之小於500rpm轉速旋轉之方式，在透過上述清洗液供給移動機構的移動期間（第7圖步驟3-1的清洗液ON期間），由1500rpm連續地降低基板之旋轉速度至30rpm。由上開轉速數字及第6B、7圖之記載，可確定證據4係採取「第1轉速大於第2轉速」之方式，是以證據2、4在第1轉速與第2轉速之相對大小存在反向教示的問題，速度技術上不相容。復以證據2第0033至0034段記載已考慮到噴霧會在晶圓周緣部的反濺問題，故證據2、4無法組合也難以證實有動機組合能證明系爭專利請求項1不具進步性。

告主張系爭專利請求項1之「該氣體供給部於藉由上述清洗液供給部朝遠離基板中心之位置供給清洗液之狀態下，朝基板中心噴出氣體」，其中「朝…供給清洗液」與「朝…噴出氣體」均用於描述噴嘴的供應位置，非用於描述噴嘴的移動目的地，又證據4對N2掃吹步驟的記載與系爭專利請求項1相同云云，惟查：1350頁與圖12(a)至(b)、(d)至(e)的過程可知，液體供給噴嘴650自基板之中心部上方朝基板W之外側的移動期間內，即指液體供給噴嘴650自圖12(d)移動至圖12(e)的這段時間，氣體供給噴嘴670也於中心部位連續進行噴氣動作，氣體供給噴嘴670在液體供給噴嘴650還在遠離晶圓中心之位置（至少還沒離開晶圓外側區域）時，早已開始朝晶圓之中心部噴出氣體。

4第6、7圖係顯示N2掃吹步驟，在第6C圖顯示液體供給噴嘴51已達遠離晶圓中心最外側之位置，甚至已經離開晶圓後，第6D圖的氣體供給噴嘴52才開始自晶圓中心之位置執行N2掃吹步驟；在第7圖中亦顯示清洗液OFF之後的一段乾燥時間，N2掃吹步驟（步驟3-2）才開始朝晶圓之中心部噴出氣體。故證據4的N2氣體供應開始的時序確實與系爭專利請求項1完全不同，導致證據4與系爭專利技術上的不相容。

2、4之組合無法證明系爭專利請求項10不具進步性：4第0041段所記載之資訊不足以證明壓力與流量的任何關係，原告指出在噴嘴口徑不變狀態下，供液流量與供液壓力是為等同構成要素僅屬自行臆測，實務上供給量與壓力間的關係尚有其他干擾因素，諸如整個供給系統的管壁摩擦力、管路長度，雖原告引用之白努力定律公式或可證實供液流量與供液壓力之關聯性，但證據4係以流量控制器74a控制純水供應量，因流量控制器的控制方式有很多種，並非僅以壓力控制，亦無法以此推論證據4的流量遞減已完成系爭專利請求項10的第1壓力與第2壓力之相對關係。

2、4在第1轉速與第2轉速之相對大小存在反向教示的問題，轉速技術上完全不相容，復以證據4供液14流量與供液壓力不清楚的情況下，證據2、4無法組合也難以證實有動機組合能證明系爭專利請求項10不具進步性。

。並抗辯略以：2之第2轉速不得小於第1轉速，與證據4之技術先天不相容：2第0008段記載「發明內容︰發明欲解決之問題…其目的為…清洗基板表面時，能得到高清洗效果，並且可縮短清洗時間」，可知其發明目的為「得到高清洗效果」與「縮短清洗時間」。又第0017段已揭示：第1步驟為「依照本發明，係一面使顯影終結之基板旋轉一面使清洗液從基板的中心部往周圍擴展形成液膜」，即第1轉速的作用為在基板上形成清洗液之液膜；第2步驟為「接著，於基板的中心部產生乾燥區域，並使基板以1500rpm以上的轉速旋轉，藉其離心力使前述乾燥區域往周圍擴展，故對顯影時的溶解產物之除去效果大，能減少基板表面上之異物…吾人認為是因為：相當於乾燥區域外緣之液膜的斷開部強勁地往外側馳行，故於液膜之斷開部，顯影時之溶解產物承載於液流並被運走之作用強大所致。」，該第2轉速的作用在於使基板上之乾燥區域往周圍擴大，為了從基板上形成有液膜的狀態，開始產生所謂「液膜之斷開部強力往外跑之力道」，如前揭第0017段所記載須將轉速提高到1500rpm以上，以增加作用於清洗液液膜之離心力，才能將顯影時的溶解產物承載於液流而被運走，藉以達成前述之發明目的。有關第2轉速具有使基板上之乾燥區域往周圍擴大的效果，於證據2請求項1、7、10及第0009、0013、0015、0038段亦載有相同技術內容。152第0031段實施方式之第1步驟揭示：「一面使旋轉夾頭2以1000rpm之轉速旋轉，一面從清洗液噴嘴4面對晶圓W之中心部以例如500ml/分之流量吐出清洗液（例如純水）5秒鐘。藉此清洗液會因為離心力從晶圓W之中心部往周緣擴展，於晶圓W之整體表面形成液膜。」由於為使第2轉速能承載並運走顯影時的溶解產物，第1轉速所形成之清洗液液膜須有一定的厚度，該厚度須足夠對基板上的溶解產物賦予物理能量，是以該第1轉速（1000rpm）被設定小於第0032段所記載步驟2「使乾燥區域產生於晶圓W中心部」之第2轉速（1500rpm以上，例如2000rpm），亦小於第0035段所記載步驟4「乾燥區域往外側擴展。…將晶圓W於液體界面間隱藏之異物被沖上來，並脫離該界面，乘著液流被運到晶圓W外」之第2轉速（2000rpm）。

2轉速設定小於第1轉速時，使基板中心部之乾燥區域往外移動的時間會增長，並因其離心力小於周緣部，會殘留部分清洗液在基板中心部，且亦減少使異物從基板與液體界面分離之能量，將產生與證據2前述「高清洗效果」與「縮短清洗時間」發明目的之相反結果，故證據2存在第2轉速（1500rpm以上，例如2000rpm）相對大於第1轉速（較佳為1000rpm）之技術上必然關係，始能達成其發明目的。此由證據2第0018段記載「…依據清洗液供給時為1500rpm以上之轉速，可藉由基板之大離心力避免清洗液擾亂之現象，能提高清洗效果」，第0038段記載「…使晶圓W以1500rpm之轉速旋轉，藉其離心力使乾燥區域6往周圍擴展…清洗時間，也就是清洗液供給到進行甩脫乾燥狀態之間的時間只要極短至例如10秒以內，能期使生產量提高」可證。

2第0037段雖記載「…步驟1中，於晶圓W表面全體16形成液膜的製程中，由於只要使晶圓W整面沾濕即可，故不特別限定晶圓W轉速及清洗液之吐出流量…」，惟由前揭第0031段記載可知第1轉速係由「清洗液噴嘴4面對晶圓W中心部」再藉由「離心力」使「晶圓W整面沾濕」，而習知技藝人士皆清楚知悉晶圓有尺寸之差異，因此有必要調整轉速，才能隨晶圓尺寸產生足夠之離心力使「晶圓W整面沾濕」。故第0037段所謂「不特別限定此時之晶圓W轉速」，僅為因應「不同晶圓尺寸」而在第2轉速大於第1轉速之限制中，第1轉速可不限於實施方式所記載的轉速，非謂可恣意改變其轉速，否則如前所述將無法達成證據2之發明目的。

2之第1轉速係用於「沾濕」晶圓，而第2轉速則用於「甩乾」晶圓，二者間之相對大小會影響清洗效果，倘第1轉速可大於第2轉速，顯然在「沾濕」清洗前，清洗液就會被「甩乾」，進而無法達到證據2之發明目的。原告主張證據2並未揭示或暗示該清洗效果與第1轉速具有依存關係、或第1轉速與第2轉速的相對大小會影響清洗效果云云，顯係為了淡化證據2與證據4兩者間技術本身不相容之事實，而無視於證據2之發明本質，並曲解證據2所揭示之技術內容。

2之第1轉速與第2轉速間之關係與系爭專利請求項1及證據4所揭示者完全相反，因此證據2、4的發明在技術上具有不相容的關係，不存在組合二者的動機，故證據2、4之組合無從證明系爭專利請求項1不具進步性。

2係有關「液流擾亂所導致之異物殘留」，並不存在證據4「反濺」之問題：2第0006段記載「然而，如果邊使清洗液之供給點從17基板中心部往外側移動邊對接近側吹送氣體，由於氣體之吹送會使清洗液之液流嚴重混亂，與晶圓W表面分離之粒子會不乘載於液流而殘留於表面上，雖然比前述旋轉清洗效果好，但是很難得到高清洗效果」，說明先前技術存在「液流擾亂導致異物殘留」的問題；由第0034段記載「但是，如果清洗液噴嘴4之安放點距晶圓W中心部太遠，則由於對清洗液作用之離心力太大，於晶圓W表面吐出之清洗液會往外側跳開，使液流擾亂，造成晶圓W上之溶解產物或至顯影階段所附著之粒子等異物被捲上來，使得後續藉乾燥區域6界面移動失去異物除去之作用，結果殘留於晶圓W上之可能性大」，可知證據2亦有液流擾亂所導致異物殘留的問題。

2第0035段記載「步驟4：清洗液噴嘴4之清洗液吐出停止後，仍然以該轉速，（本例為2000rpm）使晶圓W旋轉。藉此，如圖4(d)所示，使乾燥區域6往外側擴展。如此，使乾燥區域6擴展開來，則如圖5(a)、(b)所示，乾燥區域6外緣，即清洗液R內緣，由於液體蒸發，其界面會被推到外側而往上升起，並以該狀態跑至晶圓W外緣。可以認為係由於液體往上升的趨勢，將晶圓W與液體界面間隱藏之異物被沖上來，並脫離該界面，乘著液流被運到晶圓W外」，則為標準去除異物之清洗步驟。

4第0006段記載「…在使基板的晶圓乾燥之際，由於基本上是以高速使晶圓旋轉，因此清洗液此時會由裝置的真空室等反濺回來，有可能其水滴會附著在晶圓已結束乾燥的部分而造成顆粒等的原因…」，說明其先前技術具有「清洗液由裝置的真空室反濺回晶圓」之問題；由第0044段記載「…殘存在中心部分的『純水』，照樣進行乾燥還是會因此18殘留有顆粒。進而，藉由高速旋轉衝突到真空室壁等而反濺回的『噴霧』附著到晶圓W也會產生顆粒…」，可知證據4亦有「真空室壁反濺純水或噴霧到晶圓」之問題。

2中「液流擾亂所導致之異物殘留」與證據4中「液滴反濺」的產生因素、殘留與反濺之主體、造成之結果等皆有明顯不同，二者所要解決之問題並不相同。

4與系爭專利之技術差異：4第0039段揭示「如第6B圖所示，將藥液供應管線73切換到純水供應管線74，由液吐出噴嘴51供應純水作為清洗液來進行清洗處理（步驟2）。藉此沖洗晶圓W之表面上的藥液。此時的晶圓轉數為10至1500rpm左右，理想為500至1500rpm」；第0040段揭示「然後，進行乾燥處理（步驟3）。該乾燥處理係藉由晶圓的轉數比清洗處理時還小，且對晶圓W供應清洗液的純水、一邊掃吹一邊使晶圓W乾燥的緩乾步驟（步驟3-1）；和一邊使N2氣體掃吹（scan）、一邊供應到晶圓的N2掃吹步驟（步驟3-2）來進行…」，可知證據4之乾燥處理（即步驟3）分為步驟3-1以及步驟3-2兩個部份。

4第0043段記載「…在晶圓W的轉數為10至30rpm（第2轉數）的時點，以液吐出噴嘴51到達周緣的方式，在該時點停止純水的吐出…在成為60至500rpm之範圍內的特定值（第3轉數）之際，一邊維持其轉數、一邊開始上述之步驟3-2的N2掃吹步驟…」，揭示在第2轉速停止供給清洗液即步驟3-2時，才開始噴出N2；由圖6可知，「N2氣體吐出噴嘴（元件符號52）」開始噴出N2時，「液吐出噴嘴（元件符號51）」已完全停止供給清洗液；由圖7亦可知，在步驟3-1尚未結束前，「液吐出噴嘴（元件符號5191）」已完全停止供給清洗液，而直至步驟3-2時，「N2氣體吐出噴嘴（元件符號52）」才開始噴出N2。

4之「N2氣體吐出噴嘴」開始噴出N2時，「液吐出噴嘴」並不會供給清洗液，此係證據4刻意為之，由第0005、0006段記載「專利文獻1揭示『一種使噴射純水的噴嘴』與『噴射不活性氣體』的噴嘴由基板中心向著周緣掃吹的技術…因噴射純水基板變濕潤的話，就能『大致同時』的進行藉由噴射不活性氣體排除純水水膜…但，這樣的技術…因此清洗液此時會由裝置的真空室等『反濺』回來…」

可知證據4為了避免「反濺」之產生，即否定「同時」進行「噴嘴噴水」以及「噴水噴氣」之清洗模式，且由圖7可明確發現，在結束噴出清洗液後，直至噴出N2氣體前，仍尚有一段時間間隔，二者是相互完全分離的。

2轉速，而不會出現「反濺」問題，因此不需要如同證據4在清洗液的噴出停止後才噴出氣體，可同時進行「噴嘴噴水」以及「噴嘴噴氣」，以更有效率使基板進行乾燥，二者之技術特徵完全不同，原告之主張自不足採。

2、4之組合無法證明系爭專利請求項10不具進步性：由系爭專利圖5所示，若無「充足流量」將會降低清洗液攜帶異物之功能，使清潔基板之效能大打折扣，進而傷害到此技術所存在之最重要目的；又由圖14所示，系爭專利更正後請求項10之「供給壓力」相當於被供給到「液體供給噴嘴650」

的清洗壓力。然而，當供給壓力固定時，「流量」本身會因為供給管徑之管徑大小、管路長度、管路材質等因素所產生之流體摩擦，而使壓力損失有所變化，故流量減少與供給壓力降低未必一致。因此，在系爭專利技術領域中，「清洗液壓力之變20化」與「清洗液流量之變化」本屬兩件獨立背景因素。系爭專利更正後請求項10所採取之方式，係透過直接控制「壓力」

的變化，在不改變清洗液「流量」的情況下，維持系統清洗基板之功能，並仍能達到良好之基板處理方式。而證據2或證據4並無記載任何關於變更供給壓力之內容，為原告所自承，此等技術未被任何先前技術所揭露，且其改善效果能解決先前類似技術所造成之缺點，因此系爭專利請求項10具有進步性。

五、本件適用法律及爭點：21頁至第85頁）在卷可稽，堪認為真正。系爭專利之申請日為97年9月9日，被告審查核准專利日為101年12月18日，原告於102年9月14日提出舉發，主張系爭專利違反核准時專利法第22條第4項之規定，經被告審查後，於104年9月15日作成原處分，系爭專利是否有應撤銷專利權情事，依現行專利法第71條第3項規定，應適用核准審定時即99年8月25日修正公布、同年9月12日施行之專利法（下稱99年專利法）規定。

198頁至第199頁）：2是否可證明系爭專利請求項1、10、15不具進步性？

2、4之組合是否可證明系爭專利請求項1至3、10至13、15不具進步性？

2、3、4之組合是否可證明系爭專利請求項4、14不具進步性？

六、本院判斷如下：21後，於基板旋轉之狀態下，液體供給噴嘴一邊吐出清洗液一邊自基板中心部上方朝外側移動。此時，不存在清洗液之乾燥區域於基板上擴大。當液體供給噴嘴移動至基板之周緣部上方時，基板之旋轉速度下降。液體供給噴嘴之移動速度維持原樣。之後，停止清洗液之吐出，同時使液體供給噴嘴朝基板外側移動。藉此，乾燥區域擴展至整個基板上，使基板45頁）。

9係表示基板之旋轉速度之變化一例之圖、圖10係表示洗淨/乾燥處理單元其他構成之模式性側視圖、圖12(a)至(f)係表示圖10及圖11之洗淨/乾燥處理單元中之基板乾燥處理一部分之圖（如附圖1所示）。系爭專利原公告申請專利範圍之請求項共17項，經104年7月16日更正申請專利範圍並刪除其中之請求項5至6、9、16至17，經更正後本案爭執之請求項1至4、10至15內容如下：請求項1：一種基板處理裝置，係以與曝光裝置相鄰接之方式配置之基板處理裝置；其具備有：處理部，用以對基板進行處理；以及交接部，用以於上述處理部與上述曝光裝置間進行基板之交接；而上述處理部及上述交接部之至少一者包含對基板進行乾燥處理之乾燥處理單元，上述乾燥處理單元包含：基板保持裝置，將基板保持成大致水平；旋轉驅動裝置，使由上述基板保持裝置保持之基板圍繞垂直於該基板之軸旋轉；清洗液（rinseliquid）供給部，將清洗液供給至由上述基板保持裝置保持之基板上；清洗22液供給移動機構，使上述清洗液供給部移動以將清洗液自旋轉之基板中心部連續地供給至周緣部；以及氣體供給部，該氣體供給部於藉由上述清洗液供給部朝遠離基板中心之位置供給清洗液之狀態下，朝基板之中心部噴出氣體；上述旋轉驅動裝置以於朝基板之中心部供給清洗液之狀態下使基板以第1旋轉速度旋轉且於朝基板之周緣部供給清洗液之狀態下使基板以低於上述第1旋轉速度之第2旋轉速度旋轉之方式，在透過上述清洗液供給移動機構的移動期間，分階段地或連續地改變基板之旋轉速度。

請求項2：如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，於向離基板之中心部特定距離之位置處供給清洗液之狀態下，上述清洗液供給移動機構使上述清洗液供給部之移動暫時停止。

請求項3：如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，上述乾燥處理單元更包含氣體供給移動機構，該氣體供給移動機構使上述氣體供給部移動，以使基板上之氣體供給位置在比上述清洗液供給部之清洗液供給位置更接近基板中心部的位置處自基板之中心部朝基板之周緣部移動。

請求項4：如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述處理部更包含：感光性膜形成單元，於曝光處理前之基板形成由感光性材料構成之感光性膜；以及顯影處理單元，對曝光處理後之基板進行顯影處理；而上述乾燥處理單元於由上述曝光裝置進行曝光處理後且由上述顯影處理單元進行顯影處理前，對基板進行乾燥處理。

請求項10：一種基板處理裝置，係以與曝光裝置相鄰接之方式配置之基板處理裝置；其具備有：處理部，用以對基板進行處理；以及交接部，用以於上述處理部與上述曝23光裝置間進行基板之交接；而上述處理部及上述交接部之至少一者包含對基板進行乾燥處理之乾燥處理單元，上述乾燥處理單元包含：基板保持裝置，將基板保持成大致水平；旋轉驅動裝置，使由上述基板保持裝置保持之基板圍繞垂直於該基板之軸旋轉；清洗液供給部，將清洗液供給至由上述基板保持裝置保持之基板上；以及清洗液供給移動機構，使上述清洗液供給部移動以將清洗液自旋轉之基板中心部連續地供給至周緣部；上述清洗液供給部按照以第1供給壓力朝基板之中心部供給清洗液且以低於上述第1供給壓力之第2供給壓力朝基板之周緣部供給清洗液之方式，於藉由上述清洗液供給移動機構所進行的移動期間，分階段地或連續地改變清洗液之供給壓力。

請求項11：如申請專利範圍第10項之基板處理裝置，其中，於朝離基板中心部特定距離之位置供給清洗液之狀態下，上述清洗液供給移動機構使上述清洗液供給部之移動暫時停止。

請求項12：如申請專利範圍第10項之基板處理裝置，其中，上述乾燥處理單元更包含氣體供給部，該氣體供給部於由上述清洗液供給部朝遠離基板中心之位置處供給清洗液之狀態下，朝基板之中心部噴出氣體。

請求項13：如申請專利範圍第12項之基板處理裝置，其中，上述乾燥處理單元更包含氣體供給移動機構，該氣體供給移動機構使上述氣體供給部移動，以使基板上之氣體供給位置於比上述清洗液供給部之清洗液供給位置更接近於基板中心部之位置處，自基板之中心部朝基板之周緣部移動。

請求項14：如申請專利範圍第10項之基板處理裝置，其24中，上述處理部更包含：感光性膜形成單元，於曝光處理前之基板形成由感光性材料構成之感光性膜；以及顯影處理單元，對曝光處理後之基板進行顯影處理；而上述乾燥處理單元於由上述曝光裝置進行曝光處理後且由上述顯影處理單元進行顯影處理前，對基板進行乾燥處理。

請求項15：一種基板處理方法，係於以與曝光裝置相鄰接之方式配置、且包含處理部及交接部的基板處理裝置中對基板進行處理之基板處理方法；其包含：藉由上述處理部對基板進行曝光前之處理之步驟；藉由上述交接部將經上述處理部處理之基板自上述處理部交接至上述曝光裝置之步驟；藉由上述交接部將經上述曝光裝置曝光處理後之基板自上述曝光裝置交接至上述處理部之步驟；藉由上述處理部對基板進行曝光處理後之處理之步驟；以及於上述處理部及上述交接部之至少一者中對基板進行乾燥處理之步驟；而上述對基板進行乾燥處理之步驟包含：將基板保持成大致水平並使其圍繞垂直於基板之軸旋轉之步驟；自旋轉之基板中心部朝周緣部連續供給清洗液之步驟；以及於朝遠離基板中心之位置供給清洗液之狀態下，朝基板之中心噴出氣體之步驟；於上述使基板旋轉之步驟中，以於朝基板之中心部供給清洗液期間使基板以第1旋轉速度旋轉並於朝基板之周緣部供給清洗液期間使基板以低於上述第1旋轉速度之第2旋轉速度旋轉之方式，在上述清洗液的供給位置的移動期間，分階段地或連續地改變基板之旋轉速度。2係2006年3月23日公開之日本第0000-000000號「基板清洗方法及顯影裝置」專利案，其公開日早於系爭專利25優先權日（2007年9月13日），可作為系爭專利之先前技術。

2技術內容：證據2係提供一種一面使顯影終結之晶圓旋轉，一面從噴嘴往晶圓中心部吐出清洗液，使該清洗液往周圍擴展形成液膜，接著，使前述噴嘴移動，於基板中心部產生乾燥區域，令基板以1500rpm之轉速旋轉，藉由該離心力，使前述乾燥區域擴展至周圍。使前述噴嘴以乾燥區域追不上的速度移動到例如距離晶圓中心80mm~95mm之位置，於該處停止清洗液之吐出。或者，亦可事先於該位置配置另外的噴嘴，於該處吐出清洗液，於乾燥區域即將到達該處之前停止清洗液之吐出。如於晶圓中心形成乾燥區域之核心時，較佳為使氣體吹到基板中心部，並立即停止吹送（舉發卷第48頁、本院卷第285頁）。

2圖式：圖1顯示第1實施形態之顯影裝置的縱剖面圖、圖7(a)至(f)顯示上述第2實施形態中清洗顯影後晶圓之狀態之分階段說明圖（如附圖2所示）。

3係2007年3月15日公開之日本第0000-000000號「基板清洗裝置及基板清洗方法」專利案，其公開日早於系爭專利優先權日（2007年9月13日），可作為系爭專利之先前技術。

3技術內容：證據3係一種將來自清洗液噴嘴之清洗液之供給位置從基板中央部朝向周緣移動，同時對於較供給位置在基板旋轉方向之更下游側區域，朝向基板外側吹送氣體。藉此，於清洗液少量流於基板表面而形成液膜之狀態，有因氣流而朝向外側之力作用，因此，於周方向流動之液流往外側移26動。又，藉由將從清洗液噴嘴所流出之清洗液，以形成在與流出口為相同高度或更低位置之液體推壓面部加以限制，能產生液塊，因此即使低轉速也能使離心力增大，而使該液塊往外之作用變大（舉發卷第25頁、241頁）。

3圖式：圖2係顯示上述塗布、顯影裝置之全體立體圖（如附圖3所示）。

4係2007年7月5日公開之日本第0000-000000號「基板清洗方法、基板清洗裝置、程式及電腦可讀取記憶媒體」專利案，其公告日早於系爭專利優先權日（2007年9月13日），可作為系爭專利之先前技術。

4技術內容：證據4係一種基板洗淨方法，具有以下步驟：至少在部份期間一邊使基板旋轉、一邊對基板表面供應液來洗淨之程序；以及其後使基板乾燥之程序；其中，使基板乾燥之程序包含以下步驟：令基板的轉速減速到比洗淨基板時的轉速還低的第1轉速之程序；基板轉速減速到前述第1轉速之際，液的供應位置開始由基板略中心向著周緣部移動之程序；在達到比第1轉速還低的第2轉速的時間點，停止液的供應之程序；由第2轉速起增加轉速之程序；由第2轉速起增加轉速之程序；以及一邊比第2轉速還高的轉速使基板旋轉、一邊朝向基板供應氣體之程序（舉發卷第190頁、302頁）。

4圖式：第2圖係第1圖之晶圓洗淨裝置的概略剖面圖、第6A圖至第6D圖係說明第5圖之各工程的概略圖、第7圖係說明第5圖之乾燥處理工程的最佳例的計時圖（如附圖4所示）。272是否可證明系爭專利請求項1不具進步性？

2圖11（舉發卷第28頁）揭示一種基板清洗方法及顯影裝置，係以與曝光裝置(B4)相鄰接之方式配置之晶圓處理裝置(B2)；其具備有處理部(B2)，用以對晶圓進行處理；以及界面部(B3)，用以於上述處理部(B2)與上述曝光裝置(B4)間進行晶圓之交接；而上述處理部及上述界面部之至少一者包含對晶圓進行乾燥處理之顯影裝置(DEV)，其中，證據2之曝光裝置(B4)、晶圓處理裝置(B2)、界面部(B3)及顯影裝置(DEV)分別對應系爭專利請求項1之曝光裝置、處理部、交接部及乾燥處理單元，故證據2已揭示系爭專利請求項1「一種基板處理裝置，係以與曝光裝置相鄰接之方式配置之基板處理裝置；其具備有：」、「處理部，用以對基板進行處理；」及「以及交接部，用以於上述處理部與上述曝光裝置間進行基板之交接；而上述處理部及上述交接部之至少一者包含對基板進行乾燥處理之乾燥處理單元，」之技術特徵。

2圖1（舉發卷第30頁）揭示一顯影裝置包含：旋轉夾頭(2)，將晶圓保持成大致水平；驅動機構(22)，使由上述旋轉夾頭(2)保持之晶圓圍繞垂直於該晶圓之旋轉軸(21)旋轉；清洗液噴嘴(4)，將清洗液供給至由上述旋轉夾頭

(2)保持之晶圓上；圖2、圖3、圖4（舉發卷第30頁）揭示噴嘴桿(44)，使上述清洗液噴嘴(4)移動以將清洗液自旋轉之晶圓中心部連續地供給至周緣部；圖7（舉發卷第29頁）揭示氣體噴嘴(7)，該氣體噴嘴於藉由上述清洗液噴嘴(4)朝遠離晶圓中心之位置供給清洗液之狀態下，朝晶圓之中心部噴出氣體，承上所述，證據2上開之旋轉夾頭28(2)、驅動機構(22)、清洗液噴嘴(4)、噴嘴桿(44)及氣體噴嘴(7)分別對應系爭專利請求項1之基板保持裝置、旋轉驅動裝置、清洗液供給部、清洗液供給移動機構及氣體供給部，故證據2已揭示系爭專利請求項1之「上述乾燥處理單元包含：基板保持裝置，將基板保持成大致水平；」

、「旋轉驅動裝置，使由上述基板保持裝置保持之基板圍繞垂直於該基板之軸旋轉；」、「清洗液（rinseliquid）供給部，將清洗液供給至由上述基板保持裝置保持之基板上；」、「清洗液供給移動機構，使上述清洗液供給部移動以將清洗液自旋轉之基板中心部連續地供給至周緣部；」及「以及氣體供給部，該氣體供給部於藉由上述清洗液供給部朝遠離基板中心之位置供給清洗液之狀態下，朝基板之中心部噴出氣體；」之技術特徵。

2說明書第0031段至第0036段（舉發卷第40頁、第41頁、本院卷第233頁至第234頁背面）揭示清洗製程步驟，步驟1「…使旋轉夾頭2以1000rpm之轉速旋轉，一面從清洗液噴嘴4對晶圓W之中心部…吐出清洗液(例如純水)…。」；步驟2「…一面使旋轉夾頭2以1500rpm以上例如2000rpm之轉速旋轉，一面使清洗液…吐出，一面使清洗液噴嘴4從晶圓W之中心部往預設之位置以…之移動速度移動。」；步驟3「…從晶圓W之中心部往外側離開預設距離量之位置，停止該清洗液噴嘴4之移動，之後立即停止從清洗液噴嘴4之清洗液供給。…停止清洗液之時點為乾燥區域6到達清洗液供給位置之前…」；步驟4「…清洗液噴嘴4之清洗液吐出停止後，仍然以該轉速(本例為2000rpm之轉速)使晶圓W旋轉。藉此，如圖4(d)所示，使乾燥區域6往外側擴展。如此，…，29乾燥區域6外緣，即清洗液R?緣，…」；步驟5「乾燥區域6擴展到達晶圓W之周緣後，使清洗液噴嘴4從晶圓W上退開，並藉晶圓W旋轉產生之離心力，於此例中，係將晶圓W的轉速維持設定於2000rpm，…」，可知於朝基板之中心部供給清洗液之狀態下，驅動裝置(22)以第1旋轉速度旋轉，且於朝基板之周緣部供給清洗液之狀態下，使基板以大於或等於第1旋轉速度之第2旋轉速度旋轉；復於專利說明書第0037段揭露「…步驟1中，於晶圓W的整體表面形成液膜的製程中，由於只要使晶圓W整面沾濕即可，故晶圓W之轉速及清洗液之吐出流量並不特加限定，例如可與步驟2中之轉速及吐出流量相同。」（舉發卷第40頁、本院卷第295頁背面），由證據2之前開噴嘴從晶圓W之中心部往外側至預設距離量之位置吐出清洗液，對晶圓W之轉速並未加以限定，且例示步驟2至5晶圓W的轉速維持設定於2000rpm，其晶圓W之轉速並未因從晶圓W之中心部往外側供給清洗液而減速。

2以相對於晶圓周圍位置控制停止清洗液供給之方式來控制離心力，並未揭示系爭專利請求項1「上述旋轉驅動裝置以於朝基板之中心部供給清洗液之狀態下使基板以第1旋轉速度旋轉且於朝基板之周緣部供給清洗液之狀態下使基板以低於上述第1旋轉速度之第2旋轉速度旋轉之方式，在透過上述清洗液供給移動機構的移動期間，分階段地或連續地改變基板之旋轉速度。」之技術特徵，及其以降低旋轉速度方式防止朝基板W之周緣部吐出之清洗液飛散，可確實地防止微小液滴殘留於基板之功效，故系爭專利請求項1非為所屬技術領域中具有通常30知識者依證據2所能輕易完成，證據2不足以證明系爭專利請求項1不具進步性。

2、4之組合是否可證明系爭專利請求項1不具進步性？

2已揭示系爭專利請求項1之「一種基板處理裝置，係以與曝光裝置相鄰接之方式配置之基板處理裝置；其具備有：」、「處理部，用以對基板進行處理；」及「以及交接部，用以於上述處理部與上述曝光裝置間進行基板之交接；而上述處理部及上述交接部之至少一者包含對基板進行乾燥處理之乾燥處理單元，」、「上述乾燥處理單元包含：基板保持裝置，將基板保持成大致水平；」、「旋轉驅動裝置，使由上述基板保持裝置保持之基板圍繞垂直於該基板之軸旋轉；」、「清洗液（rinseliquid）供給部，將清洗液供給至由上述基板保持裝置保持之基板上；」、「清洗液供給移動機構，使上述清洗液供給部移動以將清洗液自旋轉之基板中心部連續地供給至周緣部；」及「以及氣體供給部，該氣體供給部於藉由上述清洗液供給部朝遠離基板中心之位置供給清洗液之狀態下，朝基板之中心部噴出氣體；」之技術特徵，惟「未」揭示系爭專利請求項1之「上述旋轉驅動裝置以於朝基板之中心部供給清洗液之狀態下使基板以第1旋轉速度旋轉且於朝基板之周緣部供給清洗液之狀態下使基板以低於上述第1旋轉速度之第2旋轉速度旋轉之方式，在透過上述清洗液供給移動機構的移動期間，分階段地或連續地改變基板之旋轉速度。」之技術特徵。

4圖式第7圖（舉發卷第177頁）、說明書第0041段記載「在緩乾步驟（步驟3-1）中，係使晶圓W之轉速31由500rpm以下的較低值開始下降，成為第1轉速之際，如圖6(C)所示（舉發卷第177頁），一邊使液吐出噴嘴51由晶圓的中心向著周緣部掃描、一邊對晶圓W供應以純水所形成的清洗液。而且，在達到比第1轉速還低的第2轉速的時間點，停止清洗液的供應。在達到第2轉速的時間點，純水的供應位置已達到晶圓周緣部。」（舉發卷第182頁、本院卷第310頁背面），承上所述，證據4之第1轉速、第2轉速及液吐出噴嘴51分別對應系爭專利請求項1之第1旋轉速度、第2旋轉速度及清洗液供給移動機構；另依證據4圖式第7圖（舉發卷第177頁）及說明書第0044段記載「在晶圓W的轉速成為比清洗時的轉速更低的第1轉速的時間點，開始清洗液的掃描，係因為若以清洗時的轉速則會產生清洗液的飛散，但以較低的第2轉速開始掃描，離心力太弱，晶圓W的中心部不會乾燥。又，以較低第2轉速結束掃描，係由於當液供應噴嘴來到晶圓周緣附近時，若晶圓W的轉速為掃描開始時的第1轉速，則水霧會藉由在晶圓周緣部的反濺，在保持晶圓W之吸盤的反濺等再度附著。」（舉發卷第181頁、本院卷第311頁背面），即為關於系爭專利請求項1之第1旋轉速度、第2旋轉速度旋轉之方式，在透過上述清洗液供給移動機構的移動期間，連續地改變基板之旋轉速度的教示，是證據4已揭示系爭專利請求項1之「上述旋轉驅動裝置以於朝基板之中心部供給清洗液之狀態下使基板以第1旋轉速度旋轉且於朝基板之周緣部供給清洗液之狀態下使基板以低於上述第1旋轉速度之第2旋轉速度旋轉之方式，在透過上述清洗液供給移動機構的移動期間，分階段地或連續地改變基板之旋轉速度。」之技術特徵32。

承上，證據2與系爭專利請求項1之差異僅在於證據2未揭示系爭專利請求項1之「上述旋轉驅動裝置以於朝基板之中心部供給清洗液之狀態下使基板以第1旋轉速度旋轉且於朝基板之周緣部供給清洗液之狀態下使基板以低於上述第1旋轉速度之第2旋轉速度旋轉之方式，在透過上述清洗液供給移動機構的移動期間，分階段地或連續地改變基板之旋轉速度。」之技術特徵；而證據4圖式第7圖（舉發卷第177頁）及說明書第0041段、第0044段（舉發卷第181頁、第182頁、本院卷311頁背面），已揭示系爭專利請求項1之第1旋轉速度、第2旋轉速度旋轉之方式，在透過上述清洗液供給移動機構的移動期間，連續地改變基板之旋轉速度的教示，已揭示該項技術特徵差異。又證據2、證據4與系爭專利皆係有關基板清洗方法與基板清洗裝置相同技術領域；且證據2為能得到高清洗效果並可縮短清洗時間，證據4欲解決基板清洗顆粒殘留於晶圓表面之問題，兩者所欲解決基板清洗之問題亦具有共通性；再者，證據2以特定轉速並於清洗液噴嘴距晶圓較周緣之位置，停止清洗液之供給，避免大離心力造成清洗液擾亂之現象，與證據4以降低第1轉速即降低離心力避免清洗液的飛散，兩者於離心力之功能或作用上有共通性，堪認證據2與證據4技術領域相同，在所欲解決基板清洗顆粒殘留的問題及於離心力之功能或作用上具共通性，證據2、4並有關於系爭專利之發明的教示，故證據2與證據4之結合係屬明顯，二者有組合動機，故系爭專利請求項1為所屬技術領域中具有通常知識者依證據2、證據4之組合所能輕易完成，證據2、證據4之組合足以證33明系爭專利請求項1不具進步性。

被告謂「證據2、證據4的第1轉速與第2轉速之相對大小存在反向教示的問題，技術上也不相容，故證據2、4沒有組合動機。」云云。然查，證據2說明書第0037段中記載「步驟1中，於晶圓W的整體表面形成液膜的製程中，由於只要使晶圓W整面沾濕即可，故晶圓W之轉速及清洗液之吐出量並不特加限定，例如可與步驟2中之轉速及吐出流量相同。」（舉發卷第40頁、本院卷第295頁背面），是證據2前開噴嘴從晶圓W之中心部往外側至預設距離量之位置吐出清洗液，並未對晶圓W之轉速加以限定。證據4說明書第0041段記載「在緩乾步驟（步驟3-1）中，係使晶圓W之轉速由500rmp以下的較低值開始下降，成為第1轉速之際，如圖6(C)所示，一邊使液吐出噴嘴51由晶圓的中心向著周緣部掃描、一邊對晶圓W供應以純水所形成的清洗液。而且，在達到比第1轉速還低的第2轉速的時間點，停止清洗液的供應。

在達到第2轉速的時間點，純水的供應位置已達到晶圓周緣部。」（舉發卷第182頁、本院卷第310頁背面），證據4之第1轉速是一邊使液吐出噴嘴51由晶圓的中心向著周緣部掃描，第2轉速是純水的供應位置已到達晶圓周緣部，是證據2、證據4於旋轉速度之相對大小並無存在反向教示的問題。又證據2、證據4皆是有關操控旋轉速度以控制清洗液之離心力及氣體對晶圓噴氣以避免顆粒殘留於晶圓之技術，兩者並無技術上不相容之情事，被告所述並不足採。

參加人謂「在證據2中『不特別限定此時之晶圓W轉速』，僅係為因應『不同晶圓尺寸』之沾濕需求而改變轉速34，並非可恣意改變『晶圓W轉速』，而影響到避免清洗擾亂之現象、提高清洗效果、縮短乾燥時間、使生產量提高等證據2之發明目的」云云。惟查，進步性之判斷應以申請專利之發明的整體為對象，若該發明所屬技術領域中具有通常知識者依據先前技術，並參酌申請時之通常知識認定是否會促使其組合、修飾、置換或轉用先前技術而完成申請專利之發明，先前技術之發明目的則非直接影響關於進步性判斷要素，本件系爭專利為克服離心力之影響而改變與離心力直接相關的轉速，本可由先前技術證據4中輕易思及，參加人所述，並不足採。

2、4之組合是否可證明系爭專利請求項2不具進步性？

經查，系爭專利請求項2依附請求項1，其附屬之技術特徵為「其中，於向離基板之中心部特定距離之位置處供給清洗液之狀態下，上述清洗液供給移動機構使上述清洗液供給部之移動暫時停止。」，如上所述，證據2、4之組合足以證明系爭專利請求項1不具進步性，又證據2說明書第0042段記載「使清洗液噴嘴4移動至預設之位置，例如距晶圓W之中心部50mm至95mm，例如80mm之位置，並如圖7(e)所示，使該清洗液噴嘴4停止，並停止清洗液之供給」（舉發卷第39頁、本院卷第235頁），已揭露系爭專利請求項2所附屬之技術特徵，故證據2、4之組合亦足以證明系爭專利請求項2不具進步性。

2、4之組合是否可證明系爭專利請求項3不具進步性？

經查系爭專利請求項3依附請求項2，其附屬之技術特徵為「其中，上述乾燥處理單元更包含氣體供給移動機構，該氣35體供給移動機構使上述氣體供給部移動，以使基板上之氣體供給位置在比上述清洗液供給部之清洗液供給位置更接近基板中心部的位置處自基板之中心部朝基板之周緣部移動。」

，如上所述，證據2、4之組合足以證明系爭專利請求項2不具進步性，又證據2圖7(b)至圖7(d)（舉發卷第29頁）已揭露氣體噴嘴7以使晶圓W上之氣體供給位置係在比上述清洗液噴嘴4之清洗液供給位置更接近晶圓W中心部的位置處，並自晶圓W之中心部朝晶圓W之周緣部移動，已揭露系爭專利請求項3所附屬之技術特徵，故證據2、4之組合足以證明系爭專利請求項3不具進步性。

2至4之組合是否可證明系爭專利請求項4不具進步性？

系爭專利請求項4依附請求項1，其附屬之技術特徵為「其中，上述處理部更包含：感光性膜形成單元，於曝光處理前之基板形成由感光性材料構成之感光性膜；以及顯影處理單元，對曝光處理後之基板進行顯影處理；而上述乾燥處理單元於由上述曝光裝置進行曝光處理後且由上述顯影處理單元進行顯影處理前，對基板進行乾燥處理。」，如上所述，證據2、4之組合足以證明系爭專利請求項1不具進步性，又證據2圖11、圖12（舉發卷第28頁）及說明書第0064段（舉發卷第36頁、本院卷第239頁）之晶圓處理部B2包含：感光性膜形成單元，於曝光處理前之晶圓形成由感光性材料構成之感光性膜（COT塗佈單元）；以及顯影處理單元(DEV)，對曝光處理後之晶圓進行顯影處理，已揭露系爭專利請求項4之「上述處理部更包含：感光性膜形成單元，於曝光處理前之基板形成由感光性材料構成之感光性膜；以及顯影處理單元，對曝光36處理後之基板進行顯影處理；」之技術特徵。

3說明書第0025段至第0026段記載「其後，結束浸液曝光之晶圓W藉由第2基板輸送部31B從曝光部B4被取出，藉由基板清洗裝置4將基板表面水滴除去，…，然後，藉著主輸送機構A2搬入顯影單元28內。」（舉發卷第18頁）已揭露對應系爭專利請求項4之「上述乾燥處理單元於由上述曝光裝置進行曝光處理後且由上述顯影處理單元進行顯影處理前，對晶圓進行乾燥處理」之技術特徵。又證據3為基板清洗裝置及基板清洗方法與證據2、證據4之技術領域相同，所欲解決基板清洗顆粒殘留的問題，及於離心力之功能或作用上均具共通性，故證據2、證據3與證據4有組合動機，且證據2至4之組合已揭示系爭專利請求項4之整體技術特徵，故系爭專利請求項4為所屬技術領域中具有通常知識者依證據2至4之組合所能輕易完成，證據2至4之組合足以證明系爭專利請求項4不具進步性。

2是否可證明系爭專利請求項10不具進步性？

2圖11（舉發卷第28頁）揭示一種基板清洗方法及顯影裝置，係以與曝光裝置(B4)相鄰接之方式配置之晶圓處理裝置(B2)；其具備有處理部(B2)，用以對晶圓進行處理；以及界面部(B3)，用以於上述處理部(B2)與上述曝光裝置(B4)間進行晶圓之交接；而上述處理部及上述界面部之至少一者包含對晶圓進行乾燥處理之顯影裝置(DEV)，其中，證據2之曝光裝置(B4)、晶圓處理裝置(B2)、界面部(B3)及顯影裝置(DEV)分別對應系爭專利請求項10之曝光裝置、處理部、交接部及乾燥處理單元，故證據2已揭示系爭專利請求項10之「一種基板處理裝置，係以與37曝光裝置相鄰接之方式配置之基板處理裝置；其具備有：」、「處理部，用以對基板進行處理；」及「以及交接部，用以於上述處理部與上述曝光裝置間進行基板之交接；而上述處理部及上述交接部之至少一者包含對基板進行乾燥處理之乾燥處理單元，」之技術特徵。

2圖1（舉發卷第34頁）揭示一顯影裝置包含：旋轉夾頭(2)，將晶圓保持成大致水平；驅動機構(22)，使由上述旋轉夾頭(2)保持之晶圓圍繞垂直於該晶圓之旋轉軸(21)旋轉；清洗液噴嘴(4)，將清洗液供給至由上述旋轉夾頭

(2)保持之晶圓上；圖2、圖3、圖4（舉發卷第34頁）揭示噴嘴桿(44)，使上述清洗液噴嘴(4)移動以將清洗液自旋轉之晶圓中心部連續地供給至周緣部；其中證據2之旋轉夾頭(2)、驅動機構(22)、清洗液噴嘴(4)及噴嘴桿(44)分別對應系爭專利請求項10之基板保持裝置、旋轉驅動裝置、清洗液供給部及清洗液供給移動機構，故證據2已揭示系爭專利請求項10之「上述乾燥處理單元包含：基板保持裝置，將基板保持成大致水平；」、「旋轉驅動裝置，使由上述基板保持裝置保持之基板圍繞垂直於該基板之軸旋轉；」、「清洗液（rinseliquid）供給部，將清洗液供給至由上述基板保持裝置保持之基板上；」、「清洗液供給移動機構，使上述清洗液供給部移動以將清洗液自旋轉之基板中心部連續地供給至周緣部；」之技術特徵。

2未有清洗液供給壓力改變之揭示，自未揭示系爭專利請求項10之「上述清洗液供給部按照以第1供給壓力朝基板之中心部供給清洗液且以低於上述第1供給壓力之第2供給壓力朝基板之周緣部供給清洗液之方式，於藉由上述清洗液供給移動機構所進行的移動期間，分階段地或38連續地改變清洗液之供給壓力。」之技術特徵。

2僅揭示清洗液之流量控制，並未提及對於清洗液改變供給壓力，又流量與流體通過流量控制器的截面積及前後壓力差有關，在前後壓力差為一定，控制流量是由調節控制器的截面積而定，流量並非只是壓力的唯一變數，並不必然造成壓力的改變，與系爭專利請求項10清洗液的供給壓力改變的控制方式並不相同，而流量與壓力分屬不同之控制參數，故未揭示系爭專利請求項10之「上述清洗液供給部按照以第1供給壓力朝基板之中心部供給清洗液且以低於上述第1供給壓力之第2供給壓力朝基板之周緣部供給清洗液之方式，於藉由上述清洗液供給移動機構所進行的移動期間，分階段地或連續地改變清洗液之供給壓力。」之技術特徵，系爭專利請求項10非為所屬技術領域中具有通常知識者依申請前之先前技術所能輕易完成，故證據2不足以證明系爭專利請求項10不具進步性。

結果而言即會提高單位時間的供給流量，因此壓力與流量應當視為等同構成要素」、「在同一管路系統與同一噴嘴不變的情況下，系爭專利沒有揭示管路系統與噴嘴的改變，故流量的變化是會受到壓力的影響。」云云。惟查，證據2並未有提高供給壓力控制之揭示，且由於流量與通過流量控制器的截面積及前後壓力差有關，在流量控制器的前後壓力差為一定，控制流量是由調節控制器的截面積而定，流量並非只是壓力的唯一變數，並不必然造成壓力的改變，原告所述壓力與流量應當視為等同構成要素並不可採。392、4之組合是否可證明系爭專利請求項10不具進步性？

2已揭示系爭專利請求項10之「一種基板處理裝置，係以與曝光裝置相鄰接之方式配置之基板處理裝置；其具備有：」、「處理部，用以對基板進行處理；」、「以及交接部，用以於上述處理部與上述曝光裝置間進行基板之交接；而上述處理部及上述交接部之至少一者包含對基板進行乾燥處理之乾燥處理單元，」、「上述乾燥處理單元包含：基板保持裝置，將基板保持成大致水平；」、「旋轉驅動裝置，使由上述基板保持裝置保持之基板圍繞垂直於該基板之軸旋轉；」、「清洗液（rinseliquid）供給部，將清洗液供給至由上述基板保持裝置保持之基板上；」、「以及清洗液供給移動機構，使上述清洗液供給部移動以將清洗液自旋轉之基板中心部連續地供給至周緣部；」之技術特徵，惟未揭示系爭專利請求項10之「上述清洗液供給部按照以第1供給壓力朝基板之中心部供給清洗液且以低於上述第1供給壓力之第2供給壓力朝基板之周緣部供給清洗液之方式，於藉由上述清洗液供給移動機構所進行的移動期間，分階段地或連續地改變清洗液之供給壓力。」之技術特徵。

4說明書第0041段（舉發卷第182頁）雖記載藉由流量控制器74a，針對晶圓W的中心部進行至周緣部，以階段性或緩慢地減少純水之供應量的方式來控制，藉此就能更為減低對晶圓W的液殘留。惟證據4並未有以壓力方式針對晶圓W的中心部進行至周緣部，以階段性或緩慢地減少純水供應控制之揭示。

上所述，證據2未揭示系爭專利請求項10之「上述清40洗液供給部按照以第1供給壓力朝基板之中心部供給清洗液且以低於上述第1供給壓力之第2供給壓力朝基板之周緣部供給清洗液之方式，於藉由上述清洗液供給移動機構所進行的移動期間，分階段地或連續地改變清洗液之供給壓力。」之技術特徵，而證據4所揭示之流量階段性或緩慢地減少之控制方式亦僅是控制流量，未提及改變供給壓力，又流量與通過流量控制器的截面積及前後壓力差有關，在前後壓力差為一定，控制流量是由調節控制器的截面積而定，流量並非只是壓力的唯一變數，並不必然造成壓力的改變，與系爭專利請求項10清洗液的供給壓力改變的控制方式並不相同，且流量與壓力分屬不同參數控制，系爭專利請求項10非為所屬技術領域中具有通常知識者依證據2、4之組合所能輕易完成，故證據2、4之組合不足以證明系爭專利請求項10不具進步性。

2、4之組合是否可證明系爭專利請求項11不具進步性？

經查，系爭專利請求項11依附請求項10，其附屬之技術特徵為「其中，於朝離基板中心部特定距離之位置供給清洗液之狀態下，上述清洗液供給移動機構使上述清洗液供給部之移動暫時停止。」，如上所述，證據2、4之組合不足以證明系爭專利請求項10不具進步性，又系爭專利請求項11係限縮系爭專利請求項10之申請專利範圍，在證據2、4之組合不足以證明系爭專利請求項10不具進步性之前提下，自亦不足以證明系爭專利請求項11不具進步性。

2、4之組合是否可證明系爭專利請求項12不具進步性？

經查，系爭專利請求項12依附請求項10，其附屬之技術特41徵為「其中，上述乾燥處理單元更包含氣體供給部，該氣體供給部於由上述清洗液供給部朝遠離基板中心之位置處供給清洗液之狀態下，朝基板之中心部噴出氣體。」，如上所述，證據2、4之組合不足以證明系爭專利請求項10不具進步性，又系爭專利請求項12係限縮系爭專利請求項10之申請專利範圍，在證據2、4之組合不足以證明系爭專利請求項10不具進步性之前提下，自亦不足以證明系爭專利請求項12不具進步性。

2、4之組合是否可證明系爭專利請求項13不具進步性？

經查，系爭專利請求項13依附請求項12，其附屬之技術特徵為「其中，上述乾燥處理單元更包含氣體供給移動機構，該氣體供給移動機構使上述氣體供給部移動，以使基板上之氣體供給位置於比上述清洗液供給部之清洗液供給位置更接近於基板中心部之位置處，自基板之中心部朝基板之周緣部移動。」，如上所述，證據2、4之組合不足以證明系爭專利請求項12不具進步性，又系爭專利請求項13係限縮系爭專利請求項12之申請專利範圍，在證據2、4之組合不足以證明系爭專利請求項12不具進步性之前提下，自亦不足以證明系爭專利請求項13不具進步性。

2至4之組合是否可證明系爭專利請求項14不具進步性？

經查，系爭專利請求項14依附請求項10，其附屬之技術特徵為「其中，上述處理部更包含：感光性膜形成單元，於曝光處理前之基板形成由感光性材料構成之感光性膜；以及顯影處理單元，對曝光處理後之基板進行顯影處理；而上述乾燥處理單元於由上述曝光裝置進行曝光處理後且由上述顯影42處理單元進行顯影處理前，對基板進行乾燥處理。」，如上所述，證據2、4之組合不足以證明系爭專利請求項10不具進步性；又證據3亦未揭示系爭專利請求項14所依附請求項10之「上述清洗液供給部按照以第1供給壓力朝基板之中心部供給清洗液且以低於上述第1供給壓力之第2供給壓力朝基板之周緣部供給清洗液之方式，於藉由上述清洗液供給移動機構所進行的移動期間，分階段地或連續地改變清洗液之供給壓力。」之技術特徵，系爭專利請求項14非為所屬技術領域中具有通常知識者依證據2至4之組合所能輕易完成，故證據2至4之組合不足以證明系爭專利請求項14不具進步性。

2是否可證明系爭專利請求項15不具進步性？

2圖11（舉發卷第28頁）及說明書第0063段至第0066段（舉發卷第36頁、本院卷第299頁背面至第300頁背面）揭示一種基板清洗方法，係以與曝光裝置(B4)相鄰接之方式配置之晶圓處理裝置(B2)；其具備有處理部(B2)，對於晶圓W進行光阻液塗佈等曝光前處理之步驟；以及界面部(B3)，用以於上述處理部(B2)與上述曝光裝置(B4)間進行晶圓之交接之步驟；藉由上述處理部對晶圓曝光後在顯影單元之顯影步驟以及處理部(B2)的顯影單元(DEV)中對晶圓進行乾燥處理之步驟，其中，證據2之曝光裝置(B4)、晶圓處理裝置(B2)及界面部(B3)分別對應系爭專利請求項15之曝光裝置、處理部及交接部，已揭示對應系爭專利請求項15之「一種基板處理方法，係於以與曝光裝置相鄰接之方式配置、且包含處理部及交接部的基板處理裝置中對基板進行處理之基板處理方法；其包含：」、「藉由上述處理部對基板進行曝光前之處理之步驟；43」、「藉由上述交接部將經上述處理部處理之基板自上述處理部交接至上述曝光裝置之步驟；」及「以及於上述處理部及上述交接部之至少一者中對基板進行乾燥處理之步驟；」之步驟特徵。

2圖1（舉發卷第30頁）揭示對晶圓進行乾燥處理之步驟包含：將晶圓保持成大致水平並使其圍繞垂直於該晶圓之旋轉軸(21)旋轉之步驟；圖7（舉發卷第29頁）揭示噴嘴桿(44)，使上述清洗液噴嘴(4)移動以將清洗液自旋轉之晶圓中心部連續地供給至周緣部之步驟以及氣體噴嘴(7)，該氣體噴嘴於藉由上述清洗液噴嘴(4)朝遠離晶圓中心之位置供給清洗液之狀態下，朝晶圓之中心部噴出氣體之步驟，其中證據2之清洗液噴嘴(4)、噴嘴桿(44)及氣體噴嘴(7)分別對應系爭專利請求項15之清洗液供給部、清洗液供給移動機構及氣體供給部，已揭示對應系爭專利請求項15之「而上述對基板進行乾燥處理之步驟包含：將基板保持成大致水平並使其圍繞垂直於基板之軸旋轉之步驟；」、「自旋轉之基板中心部朝周緣部連續供給清洗液之步驟；」及「以及於朝遠離基板中心之位置供給清洗液之狀態下，朝基板之中心噴出氣體之步驟；」之步驟特徵。

證據2說明書第0031段至第0036段（舉發卷第40頁、第41頁、本院卷294頁至第295頁背面）揭示於朝基板之中心部供給清洗液之狀態下，驅動裝置(22)以第1旋轉速度旋轉，且於朝基板之周緣部供給清洗液之狀態下，使基板以大於或等於第1旋轉速度之第2旋轉速度旋轉之方式，並未揭示系爭專利請求項15之「於上述使基板旋轉之步驟中，以於朝基板之中心部供給清洗液期間使基44板以第1旋轉速度旋轉並於朝基板之周緣部供給清洗液期間使基板以低於上述第1旋轉速度之第2旋轉速度旋轉之方式，在上述清洗液的供給位置的移動期間，分階段地或連續地改變基板之旋轉速度。」之步驟特徵。且系爭專利具有旋轉速度降低以防止朝基板W之周緣部吐出之清洗液飛散之功效，故系爭專利請求項15非為所屬技術領域中具有通常知識者依證據2所能輕易完成，證據2不足以證明系爭專利請求項15不具進步性。

2、4之組合是否可證明系爭專利請求項15不具進步性？

2並未揭示系爭專利請求項15之「於上述使基板旋轉之步驟中，以於朝基板之中心部供給清洗液期間使基板以第1旋轉速度旋轉並於朝基板之周緣部供給清洗液期間使基板以低於上述第1旋轉速度之第2旋轉速度旋轉之方式，在上述清洗液的供給位置的移動期間，分階段地或連續地改變基板之旋轉速度。」之步驟特徵，誠如前述。

4圖式第7圖（舉發卷第177頁）、說明書第0041段揭露「在緩乾步驟（步驟3-1）中，係使晶圓W之轉速由500rpm以下的較低值開始下降，成為第1轉速之際，如圖6(C)所示，一邊使液吐出噴嘴51由晶圓的中心向著周緣部掃描、一邊對晶圓W供應以純水所形成的清洗液。而且，在達到比第1轉速還低的第2轉速的時間點，停止清洗液的供應。在達到第2轉速的時間點，純水的供應位置已達到晶圓周緣部。」（舉發卷第182頁、本院卷第310頁背面），其中，證據4之第1轉速、第2轉速及液吐出噴嘴51分別對應系爭專利請求項15之第1旋轉速度、第2旋轉速度及清洗液供給移動機構，證據4已揭示45對應系爭專利請求項15之「於上述使基板旋轉之步驟中，以於朝基板之中心部供給清洗液期間使基板以第1旋轉速度旋轉並於朝基板之周緣部供給清洗液期間使基板以低於上述第1旋轉速度之第2旋轉速度旋轉之方式，在上述清洗液的供給位置的移動期間，分階段地或連續地改變基板之旋轉速度。」之步驟特徵。

2與系爭專利請求項15之差異在於未揭示系爭專利請求項15之「於上述使基板旋轉之步驟中，以於朝基板之中心部供給清洗液期間使基板以第1旋轉速度旋轉並於朝基板之周緣部供給清洗液期間使基板以低於上述第1旋轉速度之第2旋轉速度旋轉之方式，在上述清洗液的供給位置的移動期間，分階段地或連續地改變基板之旋轉速度。」之步驟特徵，而證據4已揭示該項差異之步驟特徵，且證據2與證據4有組合動機，已見前述；且系爭專利請求項15係證據2技術基礎上為避免清洗液飛散，經由證據4之第一轉速是一邊使液吐出噴嘴51由晶圓的中心向著周緣部掃描，第2轉速是純水的供應位置已到達晶圓周緣部之教示可及，故系爭專利請求項15為所屬技術領域中具有通常知識者依證據2、證據4之組合所能輕易完成，證據2、證據4之組合足以證明系爭專利請求項15不具進步性。

2不足以證明系爭專利請求項1、10、152、4之組合足以證明系爭專利請求項1、2、3、15不具進步性，不足以證明系爭專利請求項10、11、12、132至4之組合足以證明系爭專利請求項4不具進步性，不足以證明系爭專利請求項14不具進步性。從而，原處分關於「請求項1046至14舉發不成立」部分，並無違誤，訴願決定予以維持，亦無不合，原告請求撤銷該部分之處分及訴願決定，為無理由，應予駁回；至於原處分所為「請求項1至4、15舉發不成立」之部分，即有未合，訴願決定予以維持，亦非妥適，原告就此部分請求撤銷訴願決定及原處分，並命被告應就系爭專利請求項1至4、15為舉發成立應予撤銷之處分，為有理由，應予准許。

八、本件事證已明，兩造及參加人其餘主張或答辯，已與本院判決結果無涉，爰毋庸一一論列，併此敘明。

據上論結，本件原告之訴為一部有理由，一部無理由，依智慧財產案件審理法第1條、行政訴訟法第104條、民事訴訟法第79條，判決如主文。

智慧財產法院第三庭

48附圖：附圖1（系爭專利圖式）：49信股50附圖2（證據2之圖式）：51附圖3（證據3之圖式）：附圖4（證據4之圖式）：5253