智慧財產及商業法院106年度行專訴字第102號

• 裁判案由: 發明專利舉發
• 案件類型: 智財
• 審判法院: 智慧財產及商業法院
• 裁判日期: 107 年 08 月 08 日
• 法官: 汪漢卿、黃珮茹、伍偉華
• 法定代理人: 李富燮
• 原告: 東進世美肯股份有限公司法人

智慧財產法院行政判決
106年度行專訴字第102號原　　　告　東進世美肯股份有限公司（Dongjin Semichem Co., Ltd.）
代　表　人　李富燮（Boo Sup Lee ）（董事長）
訴訟代理人　林怡芳律師
複 代理 人　李貞儀律師
訴訟代理人 蘇佑倫律師
童啟哲專利師
被　　　告　經濟部智慧財產局
代　表　人　洪淑敏（局長）住同上
訴訟代理人 葉獻全
參　加　人　美商卡博特微電子公司
代　表　人　艾莉卡威爾森（Erika S .Wilson ）（智財長）
訴訟代理人　陳群顯律師
陳翠華專利師
上列當事人間因發明專利舉發事件，原告不服經濟部中華民國106 年10月25日經訴字第10606311740 號訴願決定，提起行政訴訟。經本院裁定命參加人獨立參加本件被告之訴訟，本院判決如下︰
主 文
原告之訴駁回。
訴訟費用由原告負擔。
事實及理由
壹、事實概要
參加人美商卡博特微電子公司之前手美商客寶公司前於民國（以下除註明為西元者外均同）86年11月26日以「用於金屬CMP 之組合物及淤漿」（嗣修正名稱為「化學機械磨光組合物與淤漿以及其用途」），向改制前中央標準局（88年1 月26日改制為智慧財產局）申請發明專利（申請專利範圍共48項），並以85年11月26日、86年4 月8 日、86年7 月11日向美國申請之專利案（申請案號數：08／753,482 、08／827,918 、08／891,468 ）主張優先權，經被告編為第86117775號審查，准予專利（下稱：「系爭專利」），並發給發明第116769號專利證書。另參加人於102 年5 月24日提出系爭專利申請專利範圍更正本（刪除請求項3 、18至20），並經被告於103 年6 月21日核准公告。嗣原告以系爭專利有違核准時專利法第20條第2 項與第71條第3 款之規定，對之提起舉發。案經被告審查，以106 年4 月7 日（106 ）智專三（五）01021 字第10620368960 號專利舉發審定書為「請求項1
至2 、4 至17、21至48舉發不成立」之處分（下稱：「原處分」）。原告不服原處分，提起訴願，經經濟部於106 年10月25日以經訴字第10606311740 號為「訴願駁回」之決定（下稱：「訴願決定」）。原告不服訴願決定，遂向本院提起行政訴訟。因本院認本件判決之結果，倘認原處分及訴願決定均予撤銷，將影響參加人之權利或法律上之利益，爰依職權命參加人獨立參加本件被告之訴訟。
貳、原告聲明及陳述要旨
一、舉發證據2 已揭露化學機械研磨淤漿所使用的氧化劑可為過氧化物以及例如硝酸鐵之鐵鹽的混合物。舉發證據3 教示具有多個氧化狀態的鐵離子作為觸媒加速過氧化氫的反應，以提高過氧化氫反應速率的通常知識。舉發證據4 教示過氧化氫與作為觸媒使用的鐵離子之反應機制。是以，該領域具有通常知識者，依據舉發證據2 之揭示，並結合舉發證據3 的通常知識及舉發證據4 的教示，即可輕易選用過氧化氫作為氧化劑以及可分解出鐵離子（Fe+++ ）的硝酸鐵作為觸媒，以作為能加速鎢磨光速率的化學機械磨光組合物的成分。該領域具有通常知識者均已知觸媒的作用即用於增加其所催化之成分的反應速率，因而藉由選用硝酸鐵作為過氧化氫的觸媒以增進鎢磨光速率，亦屬熟習此項技術者可輕易思及完成者。
二、依據舉發證據2 第13頁表4 之實驗數據，淤漿1 雖有最高之磨光速率（4850埃／min），但其品質不佳，反觀淤漿3 及4，磨光速率雖略低，但卻有較佳之品質。由此可知，判斷淤漿之磨光效果，除了磨光速率（埃／min ）外，品質更是重要因素。然而，系爭專利實施例中僅有提出磨光速率之數據，卻完全沒有磨光品質之分析數據，如何能判斷依系爭專利之淤漿進行磨光之金屬，具有較佳之品質。是以，由系爭專利之實驗結果顯難證明系爭專利可達成任何不可預期之功效。
三、針對原告指出系爭專利說明書中的實施例內容並無法排除磨料對鎢磨光速率之影響，無法證明「過氧基氧化劑」及「鐵觸媒」間有所謂「不可預期之協乘功效」之主張。
四、系爭專利表1 之實施例中所使用之淤漿均包含硝酸鐵、氧化劑及磨料三種成分，而舉發證據2 以及系爭專利說明書表3
及表9 之實驗結果均顯示淤漿中所使用之磨料種類及含量會顯著影響鎢磨光速率，且系爭專利亦未提供任何實驗數據證明其磨光品質，系爭專利之實驗結果顯不足證明併用「過氧基氧化劑」與「鐵觸媒」可產生不可預期之協合功效（1+1
＞2 ）。
五、舉發證據3 教科書揭露者不僅為基礎化學之通常知識，且又係關於如何利用金屬離子增強氧化劑之作用，顯見所屬技術領域具有通常知識者具有動機將該等前案予以結合。舉發證據2 第8 頁第4 行起揭示：「在另一具體實施例中，研磨淤漿中可加入氧化劑，以將金屬層氧化成氧化物。例如，在本發明中，係利用氧化劑將金屬層氧化成氧化物，如鎢變成氧化鎢。再利用機械性研磨去除層上的氧化鎢」。是以，舉發證據2 已揭示，於CMP 中加入氧化劑之目的，係為利用氧化劑進行氧化作用，以使金屬氧化，以便提高CMP 的效果，此為所屬技術領域具有通常知識者，在系爭專利申請日前即已具備之知識。此外，美國第5,244,534 號專利說明書（原證5 號，同原告專利訴願理由書之附件4 號）亦揭示：「為選擇性的移除鎢，先利用淤漿中的化學成分將鎢氧化，再利用淤漿中磨料成分機械性的去除氧化鎢」，以及「在本件新穎的淤漿中，利用H2O2將鎢的表面氧化，形成氧化鎢。接著在研磨程序中將所形成的氧化鎢去除後，所露出新的鎢表面會繼續與H2O2反應」。美國第5,244,534 號專利說明書係於82年9 月14日即已公開，早於系爭專利之最早優先權日（85年11月26日），亦可進一補充說明舉發證據2 之內容，即顯示所屬技術領域具有通常知識者，在系爭專利申請日暨優先權日前，即已充分知悉，於CMP 中加入氧化劑之目的，係為利用氧化劑進行氧化作用，以使金屬氧化，以便提高CMP 的效果。因此，所屬技術領域具有通常知識者於評估如何提升CMP 製程之功效時，理所當然會考量如何增強氧化劑之作用，加速金屬氧化，以期達到較佳之效果。再者，依據舉發證據3 教科書第9 章第2 頁之記載：「一般普遍認知，在微量催化劑離子存在時，特別是具有一個以上氧化狀態之金屬離子，例如Fe3+ , Cu2+ , Cr3+等，過氧化氫之分解效率將會顯著提高」。依據前揭內容，以微量鐵離子催化過氧化氫增加過氧化氫的分解速率實為該領域具有通常知識者可由教科書所得知的基本化學原理。是以，微量鐵離子可催化及加速過氧化氫之分解速率為習知之基本化學原理，與CMP 製程中氧化劑之作用機制實屬同一技術領域，則所屬技術領域具有通常知識者於評估如何在CMP 製程中增強氧化劑之作用時，實有充分之動機將舉發證據3 所揭露之催化氧化反應之基本化學原理，運用於促進CMP 中之氧化反應。
六、舉發證據3 係明確揭露鐵離子可做為催化劑，加速過氧化氫進行氧化作用之基本原理。一旦過氧化氫加速進行氧化作用時，過氧化氫之含量自然會減少。從而，若是以維持過氧化氫含量之角度思考，當然會儘量避免將過氧化氫與鐵離子混合。然而，如前所述，在CMP 製程中，所屬技術領域具有通常知識者所考量者，係為如何加強氧化劑之作用，促進金屬氧化，以達到較佳之磨光效果，而不是考量如何維持氧化劑之含量或是避免氧化劑發生作用。舉發證據3 既已明確揭露鐵離子可做為過氧化氫氧化反應之催化劑，本發明所屬技術領域具有通常知識者，自有動機將此催化氧化反應之基本化學原理運用於促進CMP 製程中之氧化反應，亦即本發明所屬技術領域具有通常知識者自有將舉發證據3 與舉發證據2 結合之動機。
七、舉發證據3 第17頁表1 之數據，係顯示在100 ℃的環境下，過氧化氫與不同金屬離子催化劑反應24小時之情形，結果顯示鐵離子（Fe2+）、銅離子（Cu2+）及鉻離子（Cr3+）之催化效果明顯較佳。而舉發證據3 第20頁則揭示鐵離子（Fe2+）與銅離子（Cu2+）等催化劑，在50℃的環境下與過氧化氫反應之情形。依該圖表顯示，鐵離子（Fe2+）與銅離子（Cu2+）具有相同之催化效果。是以，所屬技術領域具有通常知識者，於審閱舉發證據3 全文內容後即可知悉，在不同之溫度反應下，不同的金屬離子催化劑對過氧化氫的催化反應會有所不同；但綜合而言，以鐵離子（Fe2+）、銅離子（Cu2+）及鉻離子（Cr3+）為較佳之催化劑。因此，在考量如何增加CMP 製程中氧化反應之速率時，所屬技術領域具有通常知識者自會考量以舉發證據3 所揭示之鐵離子（Fe2+）、銅離子（Cu2+）或鉻離子（Cr3+）做為催化劑，並不會產生訴願決定及原處分所稱「會傾向於選用鉻或銅，而非鐵」之情事。此外，舉發證據2 中亦已揭示於淤漿中併用過氧化氫及硝酸鐵之組合，且舉發證據4 中更已揭示以鐵離子做為過氧化氫催化劑之反應式，更加促使所屬技術領域具有通常知識者，考量將舉發證據3 及4 所揭示之鐵離子（Fe2+）催化劑，運用於舉發證據2 所揭示之CMP 反應，以增加CMP 反應中過氧化氫之氧化作用。
八、原告於舉發理由書中主張，系爭專利說明書表9 所呈現的實驗結果，顯示以檸檬酸、酞酸氫鉀、酞酸四氟、丙二酸作為安定劑時，其磨光速率則較沒有添加安定劑的磨光速率來的高很多。此與系爭專利說明書第16頁所載：「於本發明之組合物中添加一種安定劑會降低該觸媒之效能」以及系爭專利說明書中表7 及表8 所呈現之數值不符，顯見系爭專利說明書應未明確載明實施必要之事項，或其記載了不必要之事項，使得實施檸檬酸、酞酸氫鉀、酞酸四氟、丙二酸作為安定劑實為不可能或困難的。是以，系爭專利請求項11、13及14進一步界定以「檸檬酸」、「酞酸」、「丙二酸」為安定劑，違反核准時專利法第71條第3 款之規定，應予撤銷。
九、若依原處分錯誤的邏輯，安定劑包含一「主作用」及一「副作用」，「主作用」可安定氧化劑，「副作用」為「產生一種安定劑／觸媒錯合物而抑制觸媒與氧化劑反應」（參原處分第11頁第14行以下）。而表7 及表8 之實驗即為安定劑「副作用」之表現，表9 之安定劑則只會發生「主作用」，而不會發生「副作用」。然而，系爭專利說明書完全未記載安定劑有任何「副作用」，以及應如何避免此「副作用」之方法。
十、再查，系爭專利說明書第16頁第7 行起揭示：「本發明之CMP 組合物與淤漿可包含一種安定劑。若不使用該安定劑，該觸媒與該氧化劑會以迅速降低該氧化劑活性之方式反應。於本發明之組合物中添加一種安定劑會降低該觸媒之效能」、「目前已知於本發明之組合物與淤漿中添加安定劑會產生一種安定劑／觸媒錯合物，其可抑制該觸媒與氧化劑反應」、「其可明顯降低氧化劑諸如過氧化氫之分解速率」。由此可知，安定劑之所以能發生「安定氧化劑」之效果，即是因為安定劑可以和觸媒「產生一種安定劑／觸媒錯合物而抑制觸媒與氧化劑反應」，以降低氧化劑諸如過氧化氫之分解速率。
十一、換言之，「產生一種安定劑／觸媒錯合物而抑制觸媒與氧化劑反應」，實際上為安定劑之所以能「安定氧化劑」之主要作用機制，原處分卻將該作用稱之「副作用」，顯然完全曲解安定劑之作用。再者，原處分又稱「表9 之實驗結果提供了一可避免安定劑副作用之更佳實施態樣」亦顯然不合邏輯，蓋安定劑必須要藉由和觸媒形成一安定劑／觸媒錯合物，才能抑制觸媒與氧化劑反應，達到「安定氧化劑」之功效，原處分卻稱實施例9 及表9 之安定劑，可以在「不產生安定劑／觸媒錯合物」之情況下，達到「安定氧化劑」之功效，顯然已完全違反系爭專利說明書對「安定劑」之敘述。是以，系爭專利說明書表9 之實驗結果顯示，在含有安定劑之條件下，其磨光速率反而比未添加安定劑的情況高出許多，而此結果與系爭專利說明書表7
及表8 之結果不一致，此等與經驗法則不符之邏輯錯誤又未經系爭專利說明書予以記載說明，顯見系爭專利說明書應未明確載明實施必要之事項，或其記載了不必要之事項，使得實施請求項11、13及14所請發明為不可能或困難。十二、原告舉發理由係主張依表9 所示之數據，以檸檬酸、酞酸氫鉀、酞酸四氟、丙二酸作為安定劑時，其磨光速率則較沒有添加安定劑的磨光速率來的高很多。是以系爭專利說明書應未明確載明實施必要之事項，或其記載了不必要之事項，使得實施檸檬酸、酞酸氫鉀、酞酸四氟、丙二酸作為安定劑實為不可能或困難的。故系爭專利請求項11、13及14進一步界定以「檸檬酸」、「酞酸」、「丙二酸」為安定劑，違反核准時專利法第71條第3 款之規定，應予撤銷云云，與訴願決定所稱「表9 之實驗結果足以支持系爭專利說明書第28頁所載『如表9 之淤漿2-5 所示，當氧化鋁與一種氧化劑及一種觸媒安定劑錯合物併用時，其有利於磨光一種鎢基材』之結論」，係屬兩事，互不相關。
十三、原告係主張表9 之淤漿2 至5 係有加入安定劑，但其CMP
反應速率卻高於未加入安定劑之淤漿1 ，故與系爭專利說明書第16頁所載：「於本發明之組合物中添加一種安定劑會降低該觸媒之效能」之內容不符。故原告所比較者，均為表9 中各淤漿之實驗結果，並無所謂將表9 之數據與表7 及表8 數據相比較之情形。末查，表7 、表8 與表9 之實驗數據，故可能因淤漿成分上之差異不適宜直接加以比較，但各實驗數據間仍有交互參照之實益。蓋如表7 所示，無添加安定劑之淤漿的CMP 反應速率（表7 最末一列，4300埃／ 分鐘）明顯高於其他有添加安定劑之淤漿的CMP反應速率（670~2500埃／分鐘），此亦與系爭專利說明書第16頁所載：「於本發明之組合物中添加一種安定劑會降低該觸媒之效能」之論述相符，益證表9 之實驗數據與說明書之記載不相符，顯見系爭專利說明書應未明確載明實施必要之事項，或其記載了不必要之事項，使得實施檸檬酸、酞酸氫鉀、酞酸四氟、丙二酸作為安定劑實為不可能或困難的。
十四、依原告於舉發程序提出之105 年12月23日專利舉發理由書所詳述，系爭專利請求項之技術特徵，均已完全揭露於舉發證據2 至4 中，所屬技術領域具有通常知識者可藉由組合舉發證據2 至4 而輕易完成系爭專利請求項1 、2 、4
至7 、9 至17、21至47之發明，或組合舉發證據2 、3 之教示而輕易完成系爭專利請求項8 及48之發明，因此，系爭專利不具進步性，應予撤銷。再者，系爭專利說明書表9 之實驗結果顯示，在含有安定劑之條件下，其磨光速率反而比未添加安定劑的情況高出許多，而此結果與系爭專利說明書表7 及表8 之結果不一致，顯見系爭專利說明書未明確載明實施必要之事項，或其記載了不必要之事項，使得實施請求項11、13及14所請發明為不可能或困難，違反專利法第71條第3 款之規定，亦應予以撤銷。
十五、訴之聲明：
（一）原處分及訴願決定均撤銷。
（二）被告就系爭專利舉發案應為舉發成立，撤銷專利權之審定。
參、被告聲明及陳述要旨
一、系爭專利主要技術特徵在於CMP 操作中併用「過氧基氧化劑」與「鐵觸媒」之技術手段，以在CMP 速率上提供不可預期之協乘功效（1+1> 2），進一步能提供減緩甚至避免先前技術使用金屬氧化劑以提供所欲高磨光速率所造成之金屬污染問題的附加效益。而系爭專利請求項1 、2 、4 至7 、9 至17、21至47 所請範圍均包含前述之技術特徵。
二、舉發證據2 為PCT 專利WO 96 ／11082 號專利案，與美國專利第5527423 號專利案為同族專利，即同另案之證據5 及另一案之證據3 ，係有關金屬層用的化學機械拋光淤漿（Chemical mechanical polishing slurry for metal layers ），其揭露一種用於金屬層化學機械拋光的淤漿，含有均勻分散在穩定的含水介質中的純度高、細的金屬氧化物粒子。舉發證據2 主要係揭露關於研磨顆粒的製造與選用的技術內容，僅說明書第8 頁第4 至13行（對應於同族專利美國專利第5527423 號專利案之說明書第5 欄第8 至21行）簡單提及可添加使用的氧化劑「In another embodiment , an oxidizing component may be added to the polishing slurry tooxidize the metal layer to its corresponding oxide（氧化物）. For example , in the present invention , an oxidizing component is used to oxidize a metal layer to its corresponding oxide , such as tungsten to
tungsten oxide . The layer is mechanically polished
to remove the tungsten oxide from the layer . Although a wide range of oxidizing components may be used
, preferred components include oxidizing metal salts, oxidizing metal complexes , iron salts（鐵鹽）suchas nitrates （硝酸鹽）, sulfates , EDTA , citrates ,potassium ferricyanide and the like , aluminum salts, sodium salts , potassium salts , ammonium salts ,
quaternary ammonium salts , phosphonium salts , peroxides （過氧化物）, chlorates , perchlorates , permanganates , persulfates and mixtures thereof . 」，該內容完全未述及觸媒的使用，僅提及如上所述已知可用之氧化劑而已，更未針對氧化劑之組合作進一步的探討，尤其根本未如原告所宣稱之已明示使用過氧化氫與鐵離子之組合，更未教導、建議或暗示任何氧化劑之組合可以提供如系爭專利1+1 ＞2 的相乘效益（其相乘效益可見系爭專利說明書表1-淤漿4 及5 之鎢磨光速率）【表1-淤漿4 及5 （鎢磨光速率分別為4729及6214），與淤漿3 （鎢磨光速率僅為385 ）之鎢磨光速率比較，即可明白顯示系爭專利具有1+1 ＞2 的相乘效益】。
三、尤其舉發證據2 實施例所例示之淤漿均以5%硝酸鐵作為單一氧化劑，從未組合使用多種氧化劑組合，遑論使用具有過氧基之化合物與硝酸鐵之組合。在此情況下，所屬技術領域中具有通常知識者基於舉發證據2 之教導，根本不生採用特定氧化劑組合之動機。又將系爭專利實施例與舉發證據2 實施例之結果比較可知，舉發證據2 之實施例結果實乃進一步顯示系爭專利於磨光速率的改良功效，更加凸顯系爭專利功效之不可預期。針對舉發證據2 實施例3 淤漿1 中採用高達5
重量% 硝酸鐵所提供之磨光速率（4850埃／分鐘），系爭專利透過組合「鐵觸媒」與「過氧基氧化劑」，即可於僅採用28ppm 鐵含量（大幅降低金屬汙染且可大幅提高磨光速率）之情形下提供（參系爭專利說明書表5 之淤漿4 ）。清楚地，舉發證據2 並未揭露系爭專利在CMP 操作中併用「過氧基氧化劑」與「鐵觸媒」之技術手段，舉發證據2 之實施例反而進一步凸顯系爭專利為功效顯著且不可預期而具進步性之創作。
四、舉發證據3 係有關過氧化氫的教科書，介紹過氧化氫的穩定性、過氧化氫的相關分析、過氧化氫的應用、以及過氧化氫化合物的具體態樣。然而，舉發證據3 從未探討有關過氧化氫於CMP 組合物中的應用，或說明於CMP 組合物中使用過氧化氫可提供磨光速率改良，舉發證據3 尤其未教示當使用含有過氧化氫之CMP 組合物時，僅須存在微量的特定金屬（尤其是鐵）即可顯著增加磨光速率。CMP 技術領域中具通常知識者即使無意間得知舉發證據3 之內容，亦不生在CMP 操作中將過氧化氫與鐵觸媒合併使用之動機，遑論預期可透過該技術手段為CMP 組合物之磨光速率帶來1+1> 2的相乘效益。再者，舉發證據3 清楚揭示，「藉由眾多研究者的努力，已知在不含汙染觸媒之情況下且儲存於完全乾淨之非催化性材料所製容器中時，純過氧化氫或是過氧化氫溶液是非常穩定的物質，即使是在50°C 或更高的溫度之下亦是如此（第1
頁第一段第1 至5 行：It has been well established by
the work of various investigators that pure hydrogenperoxide , or aqueous solutions thereof , in the absence of contaminating catalysts and in a thoroughly
clean container of non-catalytic material , is a very stable material , even at temperatures of 50°C .
or somewhat higher）」，「微量的特定催化性離子的存在，會使得過氧化氫的分解速率顯著提升，尤其是其離子可具有多重氧化狀態的金屬，例如Fe+++ 、Cu++、Cr+++ 等，另外，懸浮的或膠態的催化物或是含有催化性活性物質的容器壁也會使得過氧化氫的分解速率顯著提升（第2 頁第21行至第3 頁第2 行：It is common knowledge that the decomposition rate of hydrogen peroxide is markedly increased by the presence of minute concentration of certain catalytic ions , particularly of the metals the ions of which can exist in more than one oxidation state--such as Fe+++、Cu ++ 、Cr+++--or by suspended or colloidally dispersed catalytic matter , or by thewalls of the container if they contain catalytic ally active substance）」。換言之，舉發證據3 教示例如鐵等離子具有多重氧化狀態的金屬，對於過氧化氫而言係屬汙染物質，會不利地降低過氧化氫的穩定性，降低過氧化氫可提供之效益。因此，本發明所屬技術領域中具有通常知識者基於舉發證據3 之教導，為了保持過氧化氫之活性，不僅沒有將過氧化氫與鐵觸媒組合使用之動機，反而會避免於含有過氧化氫之CMP 組合物中使用鐵觸媒。又縱使依原告主張，系爭專利所屬技術領域中具有通常知識者因舉發證據3 文中記載部分離子具有多重氧化狀態的特定金屬具有提高過氧化氫之分解速率，而將之與過氧化氫組合使用（雖無此動機），亦會傾向於選用鉻（Cr）或銅（Cu），而非鐵（Fe），因為舉發證據3 之實驗結果清楚顯示，鉻與銅催化過氧化氫分解之能力遠高於鐵（參舉發證據3 第17頁表1 ）。再進一步將舉發證據3 表1 之金屬離子催化過氧化氫分解能力之結果與上述系爭專利說明書表5 之磨光速率結果相對照可知，儘管銅對於過氧化氫之分解速率的催化效果遠高於鐵，但鐵觸媒在CMP 操作中對於磨光速率之提升效果反而遠高於銅觸媒。此一事實更加顯示，系爭專利在CMP 操作之磨光速率上展現之協乘功效為不可預期之成功。
五、舉發證據4 係有關Fenton反應之期刊論文，舉發理由雖主張舉發證據4 之前言已揭露三價鐵離子可作為觸媒催化過氧化氫的分解…云云。惟舉發證據4 該期刊論文內容與CMP 技術無關，原告所持主張顯為得知系爭專利說明書內容後拼湊各證據之片段內容（包括舉發附件1 之教科書附錄所示之鐵的電化學電動勢為+0.771V 及過氧化氫的電化學電動勢為+1.776 V）所作之後見之明，實不足採。
六、由於舉發證據2 至舉發證據4 之任一者均未揭露系爭專利在CMP 操作中併用「過氧基氧化劑」與「鐵觸媒」之技術手段，且舉發證據3 及舉發證據4 與CMP 技術無關，舉發證據3
甚至排除於含有過氧基氧化劑之CMP 組合物中使用鐵觸媒之動機。在此情況下，系爭專利所屬技術領域中具通常知識者即使無意間同時得知舉發證據2 、3 及4 之內容，亦無從輕易思及可透過系爭專利之技術手段（在CMP 操作中併用「過氧基氧化劑」與「鐵觸媒」），提供相應之發明功效（在磨光速率上提供不可預期之協乘功效）。故舉發證據2 、3 及4 之組合不足以證明系爭專利請求項1 至2 、4 至7 、9 至17、21至47不具進步性。
七、舉發證據2 及3 之組合不足以證明系爭專利請求項8 、48不具進步性。系爭專利係於CMP 操作中合併使用「鐵觸媒」與「包含過氧基（-O-O- ）之化合物（過氧基氧化劑）」，可提供出乎意料的高磨光速率，實現快速且低金屬汙染的磨光。系爭專利請求項8 及48之內容均包含前述特徵，而如前揭理由，舉發證據2 、3 及4 之組合不足以證明系爭專利請求項1 、2 、4 至7 、9 至17、21至47不具進步性，故舉發證據2 及3 之組合自亦不足以證明具有相同特徵之系爭專利請求項8 、48不具進步性。
八、系爭專利請求項11、13、14未違反專利法第71條第3 款之規定。如系爭專利說明書之說明，過氧化氫於存在任何金屬離子下，若不使用安定劑係不安定的，然而，在系爭專利之組合物中使用安定劑雖可提供安定氧化劑（如過氧化氫）、降低其分解速率之效，但可能伴隨不利之副作用，亦即會產生一種安定劑／觸媒錯合物而抑制觸媒與氧化劑反應。系爭專利說明書實施例8 及表7 與表8 所記錄之實驗結果已清楚例示上述在本發明之CMP 組合物中添加安定劑將產生之結果。其中，表7 「8 天後殘留之過氧化氫% 」欄及表8 「6 天後殘留之過氧化氫% 」欄均顯示，過氧化氫在組合物中存在鐵離子之情況下，若不使用安定劑係不安定的；相對於此，表7 及表8 之「W 磨光速率（埃／分鐘）」欄則顯示系爭專利說明書所述，因安定劑抑制觸媒與氧化劑之反應所導致之磨光速率降低的副作用。除實施例8 以外，系爭專利說明書另於實施例9 例示說明一種添加安定劑之CMP 組合物態樣，其可避免添加安定劑所產生之抑制觸媒與氧化劑之反應的副作用，相關實驗結果紀錄於表9 。如表9 所示，該CMP 組合物中係以氧化鋁作為磨料，於該CMP 組合物之特定組合中，雖然使用安定劑以提供安定過氧化氫而保持其活性之效，但該組合之整體並沒有上述抑制觸媒與氧化劑反應的副作用，從而使得添加安定劑之CMP 組合物態樣可提供比未添加安定劑之CMP 組合物態樣更高的磨光速率。由上述說明可知，實施例8 與表7 及表8 之實驗結果已清楚顯示安定劑可提供安定CMP 組合物中之氧化劑的效果，實施例9 及表9 之實驗結果則進一步提供了一可避免安定劑所生之副作用的更佳實施態樣。舉發理由顯然刻意曲解系爭專利說明書之揭露內容，系爭專利說明書並無未明確載明實施必要之事項，或其記載了不必要之事項，使得實施請求項11、13及14所請發明為不可能或困難之情事，故系爭專利請求項11、13及14並未違反專利法第71條第3 款之規定。
九、至於原告訴稱系爭專利說明書表1 係為硝酸鐵、氧化劑及煙霧狀氧化矽混合產物之實驗結果，不足以證明系爭專利併用過氧基氧化劑與鐵觸媒具有相乘效益云云。惟查，依系爭專利說明書第20頁記載「根據實施例1 之方法製備五種磨光淤漿以研究添加一種硝酸鐵觸媒及／或一種過氧化氫氧化劑對於CMP 淤漿之鎢磨光速率影響。各種淤漿包括重量5%之煙霧狀氧化矽」，而實施例1 所示之磨光淤漿係「於該標準磨料淤漿中添加各種氧化劑與觸媒以評估各種CMP 淤漿組合物對於磨光速率之效果。該磨光淤漿係藉由混合適當用量之SCE
煙霧狀氧化矽為底質之分散液…與列舉用量之氧化劑、觸媒以及若情況需要使用另外之添加劑」，故可知系爭專利說明書表1 中淤漿1 至5 均含有相同比例之煙霧狀氧化矽，而該煙霧狀氧化矽非本次實驗之操作變因，其操作變因僅有過氧化氫與硝酸鐵濃度之不同，且其所得結果足以證明系爭專利併用「過氧基氧化劑」與「鐵觸媒」之技術手段以提高CMP
磨光效率之技術特徵，已如前述，故原告所訴，洵不足採。十、答辯聲明：原告之訴駁回。
肆、參加人聲明及陳述要旨
一、系爭專利發明在CMP 操作中併用「過氧基氧化劑」與「鐵觸媒」之技術手段未見於舉發證據2 至舉發證據4 之任一。系爭專利申請專利範圍請求項1 、2 、4 至17及21至48所載發明皆包含於CMP 操作中應用「鐵觸媒」之技術特徵，透過在CMP 操作中併用「過氧基氧化劑」與「鐵觸媒」之技術手段，在磨光速率上提供不可預期之協乘功效（1+1> 2）。舉發證據2 與系爭專利先前二件舉發案之主要另案證據US5,527,423 為同族專利，具相同揭露內容，該內容業經本院104 年度行專訴字第33號行政判決詳細審酌並確認，並未揭露系爭專利之發明，且依據該內容並參酌申請前既有之技術或知識，熟習該項技術者不具有足夠之教示、建議或動機以輕易完成系爭專利之發明。清楚地，舉發證據2 並未揭露系爭專利在CMP 操作中併用「過氧基氧化劑」與「鐵觸媒」之技術手段，彰彰甚明！至於舉發證據3 與舉發證據4 ，此二者皆非針對CMP 技術領域之改良的教導，當然更未提及在CMP 操作中併用「過氧基氧化劑」與「鐵觸媒」之特定技術手段，遑論系爭專利發明由此獲致之發明功效。
二、舉發證據2 著重於磨料改良，未提供併用「過氧基氧化劑」與「鐵觸媒」之動機；且舉發證據2 實施例更凸顯系爭專利發明功效之不可預期。如前述，本院業已確認與舉發證據2
屬同族專利且具相同揭露內容之US5 ,527,423「所揭露之發明所欲解決之問題、解決問題之技術手段及對照先前技術之功效，均係直接關於選擇特定表面積與粒徑之細金屬氧化物粒子，並無關同時併用過氧化物及鐵鹽作為氧化組分」，並確認基於該揭露內容「並參酌優先權日前既有之技術或知識，熟習該項技術者並無任何之教示、建議或動機，欲選擇含過氧基化合物之氧化劑及鐵觸媒之組合作為CMP 組合物之成分」。申言之，舉發證據2 係著眼於CMP 淤漿所使用之磨料的改良，尤其針對該磨料顆粒性質對金屬層之磨光結果的改善，根本與系爭專利發明所關切之CMP 中之磨光速率的增進無涉。事實上，舉發證據2 對於所揭露發明之詳細說明係提供於第4 頁第20行至第10頁第28行，其中，有高達四分之三的篇幅係關於研磨顆粒的製造與選用的記載，僅第8 頁第4
至20行簡單提及可添加使用的氧化劑。前述揭露內容之分配，益證舉發證據2 之發明技術重點在於研磨顆粒，而非研磨顆粒以外之其他成分。詳閱舉發證據2 關於氧化劑之有限篇幅的教導可知，該內容完全未述及觸媒的使用，亦未針對氧化劑之組合作進一步的探討，尤其未教示使用「過氧基氧化劑」與「鐵觸媒」之組合，或教導、建議或暗示任何氧化劑之組合可以提供1+1 ＞2 的磨光速率增進效益。關於原告所執之舉發證據2 內容「preferred components include oxidizing metal salts , oxidizing metal complexes , iron salts such as nitrates , sulfates , EDTA , citrates , potassium ferricyanide and the like , aluminum salts , sodium salts , potassium salts , ammonium salts , quaternary ammonium salts , phosphonium salts ,peroxides , chlorates , perchlorates , permanganates, persulfates and mixtures thereof」，該內容與US5 ,527,423第5 欄第8 至31行之內容完全相同，且經本院確認，基於該內容並參酌系爭專利優先權日既有之技術或知識，熟習該項技術者並無任何之教示、建議或動機，欲選擇含過氧基化合物之氧化劑及鐵觸媒之組合作為CMP 組合物之成分，無法輕易完成系爭專利之發明。事實上，於上述內容中，「and mixtures thereof」乃專利文件所慣用之馬庫西形式界定方式，於列出可使用之選項之後，在句末並列混合物的態樣。詳閱舉發證據2 全文，除上述習慣性並列混合物態樣的用語（僅僅三個英文字）以外，未見任何針對使用二種或更多種氧化劑的教導，也無併用多種氧化劑與單獨使用一種氧化劑的差異說明，遑論併用鐵觸媒與過氧基氧化劑於CMP 之磨光速率可達到顯著增進效益之相關記載。尤其舉發證據2
實施例所例示之淤漿均以5%硝酸鐵作為單一氧化劑，從未組合使用多種氧化劑組合，當然亦未使用具有過氧基之化合物與硝酸鐵之組合。在此情況下，所屬技術領域具有通常知識者基於舉發證據2 之教導，根本不生採用特定氧化劑組合之動機。再者，比較系爭專利實施例與舉發證據2 實施例之結果可知，舉發證據2 之實施例結果，實乃進一步顯示系爭專利發明於磨光速率的改良功效，凸顯系爭專利發明功效之不可預期。其中，由系爭專利說明書實施例2 表1 中之淤漿2
（0.2 重量% 硝酸鐵，291 埃／分鐘）與淤漿3 （5.0 重量% 過氧化氫，385 埃／分鐘）之結果可知，單位重量之硝酸鐵所提供的磨光速率本即遠遠優於過氧化氫。然而，針對舉發證據2 實施例3 淤漿1 中採用高達5 重量% 硝酸鐵所提供之磨光速率（4850埃／分鐘），系爭專利發明透過組合「鐵觸媒」與「過氧基氧化劑」，即可於僅採用28ppm 鐵含量之情形下提供（參系爭專利說明書表5 之淤漿4 ）。清楚地，舉發證據2 之實施例實進一步凸顯系爭專利之發明確為功效顯著且不可預期而具進步性之創作。
三、按，系爭專利發明所關注者在於CMP 之磨光速率的改良，而非針對表面磨光品質。於此，系爭專利說明書表1 結果已清楚顯示，在實驗操作變因僅為「過氧基氧化劑」與「鐵觸媒」之用量的情形下，併用「過氧基氧化劑」與「鐵觸媒」之技術手段確實可以在磨光速率上提供不可預期之協乘功效（1+1> 2）。前述實驗操作符合一般科學論證方法，充分證明系爭專利之發明於CMP 操作中併用「過氧基氧化劑」與「鐵觸媒」之技術手段所可提供之不可預期效益。
四、次按，系爭專利說明書第9 頁末段至第10頁第二段已說明，系爭專利之「過氧基氧化劑」與「鐵觸媒」組合可與磨料或磨蝕墊併用來磨光金屬，此即上述協乘功效可透過將該「過氧基氧化劑」與「鐵觸媒」之組合與包含磨料之CMP 淤漿併用的方式來提供，也可透過將該「過氧基氧化劑」與「鐵觸媒」之組合與磨蝕墊併用的方式來提供。原告以系爭專利未記載磨光品質分析數據以及實施例之淤漿均包含填料為由，質疑系爭專利實驗結果不足以證明所稱協乘功效之主張，顯無理由。
五、原告起訴狀中特別將系爭專利表9 淤漿1 與表3 淤漿7 及淤漿8 之實驗結果列表加以比較（參起訴狀第8 頁第2 行至第9 頁第2 行），前述比較，更加凸顯原告誤導意圖。蓋，依一般科學論證方法，於探討某因素是否對於所關切之結果造成影響時，通常係以該因素為操作變因而維持其他操作條件為固定，如此所得之不同結果方具有可比性，得以呈現或反映該因素對於所關切之結果是否存在影響力。關於原告所比較之系爭專利表9 淤漿1 與表3 淤漿7 及淤漿8 ，如系爭專利說明書之記載，表3 淤漿與表9 淤漿之磨料種類與用量皆不相同，彼此之間並無可比性。原告刻意並列且比較該等淤漿之結果，明顯誤導。此外，於原告列表中，所記載之系爭專利表3 淤漿7 及淤漿8 之磨料用量應為5wt%（而非原告所列0.01wt% 或0.02wt% ），高於表9 淤漿1 之磨料用量，並予指明。
六、如前文說明，系爭專利發明所關注者在於CMP 中之磨光速率之改良，且系爭專利說明書表1 之淤漿2 至淤漿4 的實驗結果已清楚顯示併用「過氧基氧化劑」與「鐵觸媒」之技術手段，可在磨光速率上提供不可預期之協乘功效（1+1> 2）。七、此外，由系爭專利說明書實施例2 表1 中之淤漿2 （0.2 重量% 硝酸鐵，291 埃／分鐘）與淤漿3 （5.0 重量% 過氧化氫，385 埃／分鐘）之結果可知，單位重量之硝酸鐵所提供的CMP 速率遠高於過氧化氫。
八、再者，由舉發證據2 實施例3 表IV結果顯示，就磨光速率而言，淤漿1 確為該實施例中之最佳態樣。其中，淤漿1 與淤漿4 之比較進一步說明，相同淤漿在較不激進的條件下使用時磨光速率會明顯變差。
九、清楚地，舉發證據2 實施例3 淤漿1 的實驗結果（使用較高含量之硝酸鐵且採用較激進的操作條件），已進一步凸顯系爭專利發明之顯著功效。蓋，如原告起訴狀第12頁比較表所列及系爭專利說明書表5 所載，系爭專利發明透過少量鐵觸媒之併用，可以在較少填料用量且較不激進的操作條件下，提供與舉發證據2 實施例3 淤漿1 相當的磨光速率（舉發證據2 實施例3 淤漿1 ：4,850 埃／分鐘；系爭專利說明書表5 之淤漿4 ：4,729 埃／分鐘）。原告指謫原處分有誤，顯無理由。
十、綜上，舉發證據2 著重於CMP 淤漿所使用之磨料的性質改良，並未提供併用「過氧基氧化劑」與「鐵觸媒」之動機。此外，舉發證據2 實施例的結果更凸顯系爭專利發明功效之不可預期。
十一、舉發證據3 並非針對CMP 領域之改良的教導，不僅未提供於CMP 操作中併用「過氧基氧化劑」與「鐵觸媒」之動機，實則提供應避免使用「鐵觸媒」之反向教示；舉發證據3 之實驗結果更凸顯系爭專利發明功效之不可預期：
（一）舉發證據3 係介紹過氧化氫之「穩定化（Stabilization
）」的教科書，其中包括介紹過氧化氫的穩定性、過氧化氫的相關分析、過氧化氫的應用、以及過氧化氫化合物的具體態樣。然而，舉發證據3 並非針對過氧化氫於CMP 領域之應用的改良或討論，舉發證據3 尤其未教示、建議或暗示，當使用含有過氧化氫之CMP 組合物時，僅須存在微量的特定金屬（尤其是鐵）即可顯著增加CMP 操作之磨光速率。CMP 技術領域具通常知識者即使無意間觀得舉發證據3 之內容，亦不生在CMP 操作中將過氧化氫與鐵觸媒合併使用之動機，遑論輕易預期可透過該技術手段為CMP 組合物之磨光速率帶來1+1> 2的相乘效益。
（二）次查，舉發證據3 清楚揭示，「藉由眾多研究者的努力，已知在不含汙染觸媒之情況下且儲存於完全乾淨之非催化性材料所製容器中時，純過氧化氫或是過氧化氫溶液是非常穩定的物質，即使是在50°C 或更高的溫度之下亦是如
此（第1 頁第一段第1 至5 行：It has been well established by the work of various investigators that pure hydrogen peroxide , or aqueous solutions thereof , in the absence of contaminating catalysts andin a thoroughly clean container of non-catalytic material , is a very stable material , even at temperatures of 50°C or somewhat higher）」，「微量的
特定催化性離子的存在，會使得過氧化氫的分解速率顯著提升，尤其是其離子可具有多重氧化狀態的金屬，例如Fe+++ 、Cu++、Cr+++ 等，另外，懸浮的或膠態的催化物或是含有催化性活性物質的容器壁也會使得過氧化氫的分解速率顯著提升（第2 頁第21行至第3 頁第2 行：It is common knowledge that the decomposition rate of hydrogen peroxide is markedly increased by the presence of minute concentration of certain catalytic ions , particularly of the metals the ions of which can exist in more than one oxidation state--such asFe+++ , Cu++ , Cr+++--or by suspended or colloidally dispersed catalytic matter , or by the walls ofthe container if they contain catalytically activesubstance ）」。換言之，舉發證據3 實乃提供導引系爭專利發明所屬技術領域具有通常知識者背離系爭專利之發明的反向教導，不同於系爭專利之發明之併用鐵觸媒與如過氧化氫之過氧基氧化物，舉發證據3 教示例如鐵等離子具有多重氧化狀態的金屬，對於過氧化氫而言係屬汙染物質，不利於過氧化氫的穩定存在，會降低過氧化氫之效益。因此，系爭專利之發明所屬技術領域具有通常知識者基於舉發證據3 之教導，為了維持過氧化氫在CMP 組合物中所提供之效益，不僅沒有將過氧化氫與鐵觸媒組合併用之動機，甚至會避免於含有過氧化氫之CMP 組合物中使用鐵觸媒。
（三）退萬步言，縱依原告主張，所屬技術領域具有通常知識者因舉發證據3 文中記載部分具有多重氧化狀態的特定金屬會提高過氧化氫之分解速率，反而會將之與過氧化氫組合使用（然而此實乃原告之後見之明，參加人仍不同意有此動機），亦會傾向於選用鉻（Cr）或銅（Cu），而非鐵（Fe），因為舉發證據3 之實驗結果清楚顯示，鉻與銅催化過氧化氫分解之能力遠高於鐵（參舉發證據3 第17頁表1
）。於此，進一步將舉發證據3 表1 之金屬離子催化過氧化氫分解能力之結果與系爭專利說明書表5 之磨光速率結果相對照可知，儘管銅對於過氧化氫之分解速率的催化效果遠高於鐵，但鐵觸媒在CMP 操作中對於磨光速率之提升效果，反而遠高於銅觸媒。此一事實更加顯示，系爭專利發明在CMP 操作之磨光速率上所展現之協乘功效為不可預期之成功。
（四）綜上，舉發證據3 並非針對CMP 領域之改良的教導，不僅未提供於CMP 操作中併用「過氧基氧化劑」與「鐵觸媒」之動機，實則導向應避免於其中使用「鐵觸媒」之操作；此外，舉發證據3 顯示銅對於過氧化氫之分解速率的催化效果遠高於鐵，此一結果更凸顯系爭專利發明功效之不可預期。
十二、舉發證據4 並非針對CMP 領域之改良的教導，未提供於CMP 操作中併用「過氧基氧化劑」與「鐵觸媒」之動機；且舉發證據4 之教示更凸顯系爭專利發明功效之不可預期：（一）舉發證據4 係有關Fenton反應之期刊論文，其中簡介Fenton反應於例如是水處理中的應用。該期刊論文內容與CMP
技術無關，系爭專利所屬技術領域具有通常知識者當面臨CMP 操作上的技術問題時，並沒有參考舉發證據4 之動機。此可證諸Fenton反應早在（西元）1894年便已公開（參舉發證據4 「I .Introduction 」），距系爭專利之最早優先權日（（西元）1996年11月26日）已超過百年，然在此超過百年之期間仍無任何先前技術明確教示將Fenton反應應用於CMP 操作中。此一事實，再次凸顯系爭專利之發明透過於CMP 操作中併用「過氧基氧化劑」與「鐵觸媒」之技術手段，在磨光速率提供1+1> 2之相乘改良功效，確實為非顯而易見之創作。
（二）綜上，舉發證據4 與CMP 技術無關，未提供於CMP 操作中併用「過氧基氧化劑」與「鐵觸媒」之動機；此外，在Fenton反應公開逾百年之期間內全無任何先前技術明確教導將Fenton反應應用於CMP 操作中的客觀事實，更加凸顯系爭專利發明功效之不可預期。
十三、系爭專利發明無法由舉發證據2 與舉發證據3 、或舉發證據2 與舉發證據3 及舉發證據4 之組合輕易完成。綜上，系爭專利發明在CMP 操作中併用「過氧基氧化劑」與「鐵觸媒」之技術手段未見於舉發證據2 至舉發證據4 之任一，且舉發證據3 及舉發證據4 與CMP 技術無關，舉發證據3 甚至打消在含有過氧基氧化劑之CMP 組合物中使用鐵觸媒之動機。在此情況下，系爭專利發明所屬技術領域具通常知識者即使無意間同時觀得舉發證據2 、舉發證據3 及舉發證據4 之內容，亦無從輕易思及可透過系爭專利發明之技術手段（即，在CMP 操作中併用「過氧基氧化劑」與「鐵觸媒」），提供相應之發明功效（即，在磨光速率上提供不可預期之協乘功效）。尤其，舉發證據2 實施例、舉發證據3 表1 之實驗結果、以及舉發證據4 之教示，均再再凸顯系爭專利發明功效之不可預期。系爭專利發明相較於舉發證據2 與舉發證據3 之組合、或舉發證據2 與舉發證據3 與舉發證據4 之組合確具進步性無疑。
十四、系爭專利說明書並無核准時專利法第71條第3 款之應撤銷事由：
（一）系爭專利請求項11、13及14係進一步界定CMP 組合物中包含安定劑。而對於安定劑之使用，系爭專利說明書不僅提供詳細描述說明（例如說明書第16頁第5 行至第17頁第13行），更提供具體實施態樣（如說明書實施例8 ）以及可顯示安定劑功效之相關實驗數據（如說明書表7 及表8 所示，顯示使用安定劑可以有效提升過氧化氫的穩定性，有助於所提供CMP 淤漿／組合物的延時使用）。基於系爭專利說明書之教導，系爭專利所屬技術領域具有通常知識者當可實施請求項11、13及14所載發明，要無疑義。
（二）此外，系爭專利說明書另於實施例9 例示說明另一種添加安定劑之CMP 組合物態樣，相關實驗結果紀錄於表9 。該實施態樣係顯示，當氧化鋁與一種氧化劑及一種觸媒安定劑錯合物併用時，有利於磨光鎢基材。表9 所列實驗結果並未與系爭專利說明書之詳細說明或表7 及表8 之實驗結果有任何矛盾，更無原告所指所使用之安定劑係無法提供所欲之安定功效之情事。原告以此主張系爭專利說明書違反核准時專利法第71條第3 款，顯無理由。
（三）綜上，系爭專利說明書並無未明確載明實施必要之事項或記載不必要之事項，使得實施請求項11、13及14所載發明為不可能或困難之情事，並無核准時專利法第71條第3 款所列之應撤銷事由。
十五、參加聲明：原告之訴駁回。
伍、本院得心證之理由
一、本件爭點：
本件原告於舉發審定前所提出之舉發理由為：舉發證據2 至4 之組合足以證明系爭專利請求項1 、2 、4 至7 、9 至17、21至47有核准時專利法第20條第2 項不具進步性之情事；舉發證據2 、3 之組合足以證明系爭專利請求項8 、48有核准時專利法第20條第2 項不具進步性之情事；系爭專利請求項11、13、14違反核准時專利法第71條第3 款之規定（見原處分000000000N03卷（下稱：「原處分卷二」）第181 頁背面、281 頁）。而訴願決定及原處分均認：舉發證據2 至4
之組合不足以證明系爭專利請求項1 、2 、4 至7 、9 至17、21至47有核准時專利法第20條第2 項不具進步性之情事；舉發證據2 、3 之組合不足以證明系爭專利請求項8 、48有核准時專利法第20條第2 項不具進步性之情事；系爭專利請求項11、13、14未違反核准時專利法第71條第3 款之規定（見原處分卷二第248 頁背面；訴願卷第69、76頁）。原告不服，提起本件行政訴訟，其起訴狀係主張：舉發證據2 至4
之組合足以證明系爭專利請求項1 、2 、4 至7 、9 至17、21至47不具進步性；舉發證據2 、3 之組合足以證明系爭專利請求項8 、48不具進步性；系爭專利請求項11、13、14違反核准時專利法第71條第3 款之規定（見本案卷一第39、40頁）。是本件爭點應為：
（一）舉發證據2 至4 之組合是否足以證明系爭專利請求項1 、2、4 至7 、9 至17、21至47不具進步性？
（二）舉發證據2 、3 之組合是否足以證明系爭專利請求項8 、48不具進步性？
（三）系爭專利請求項11、13、14是否違反核准時專利法第71條第3 款之規定？
二、本件相關法律之規定及其適用基準時：
（一）按「發明專利權得提起舉發之情事，依其核准審定時之規定」，現行專利法第71條第3 項本文定有明文。查系爭專利申請日為86年11月26日，核准審定日則為89年4 月26日，故系爭專利是否具備專利要件之判斷，自應依核准審定時有效之83年1 月21日修正公布、83年1 月23日施行之專利法為斷（下稱：「核准時專利法」）。
（二）次按凡利用自然法則之技術思想之高度創作，而可供產業上利用者，得依法申請取得發明專利，為核准時專利法第19條、第20條第1 項前段所規定。又發明如係「運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成時」，不得依法申請取得發明專利；及「說明書或圖式不載明實施必要之事項，或記載不必要之事項，使實施為不可能或困難者」，專利專責機關應依職權撤銷其發明專利權，復為核准時專利法第20條第2 項及第71條第3 款所明定。而對於獲准專利權之發明，任何人認有違反前揭專利法之規定者，依核准時專利法第72條第1 項規定，得附具證據，向專利專責機關舉發之。從而，系爭專利有無違反前揭專利法之情事而應撤銷其發明專利權，依法應由舉發人附具證據證明之，倘其證據不足以證明系爭專利有違專利法之規定，自應為舉發不成立之處分。
三、系爭專利技術分析：
（一）系爭專利技術內容：
1、發明領域：
系爭專利係有關一種化學機械磨光組合物，其包括至少一種氧化劑與一種觸媒。該化學機械磨光組合物可以單獨使用或與其他化學藥品與磨料併用，其用以磨光半導體製造中之金屬層與薄膜。系爭專利尤其有關一種化學機械磨光淤漿，其特別適用於多層金屬層與薄膜，其中該層或薄膜之一係由鎢組成，別一層或薄膜係由鈦或含鈦合金（諸如氮化鈦）組成。系爭專利亦有關化學機械磨光組合物，其包括至少一種氧化劑、至少一種觸媒與至少一種安定劑。最後，系爭專利有關一種化學機械磨光先質組合物，其隨後於使用時可與一種氧化劑混合（見原處分00000000卷（下稱：「原處分卷一」）第123 頁系爭專利說明書第4 頁第1 至11行）。
2、具體化實施例描述：
（1）系爭專利定義部分用語。「化學機械組合物」係指包括至少一種氧化劑與至少一種觸媒之組合，其可與一種磨蝕墊結合，自多層金屬化層去除一或多層金屬層。化學機械磨光淤漿一辭（下稱：「CMP 淤漿」）意指其他系爭專利適用產物，其包括系爭專利化學機械組合物與至少一種磨料。該CMP 淤漿適於磨光多層金屬化層，其包括但是不受限於半導體薄膜、積體電路薄膜，而且適於磨光任何適用CMP 法之其他薄膜、表面與基材。系爭專利觀念之一係一種化學機械組合物，其包括一種氧化劑與適於氧化磨光應用中金屬層之觸媒。該化學機械組合物。此化學機械組合物與化學機械磨光淤漿併用時適於將金屬層氧化成對應之氧化物或離子。例如，該組合可用以將鎢氧化成氧化鎢，將鋁氧化成氧化鋁以及將銅氧化成氧化銅。系爭專利揭示之氧化劑- 觸媒組合與一種CMP 淤漿併用時，或單獨與一種磨蝕墊併用時，適於磨光金屬及以金屬為底質之組份，包括鎢、鈦、氮化鈦、銅、鋁與其各種混合物與組合。系爭專利之化學機械組合物包括至少一種氧化劑，其電化學電勢大於氧化該觸媒所需之電化學電勢。例如將一種六水鐵自Fe（II）至Fe（III ）時，需要電勢大於0.771 伏特之氧化劑與一般氫電極。假如使用一種水銅錯合物，將Cu（I ）氧化成Cu（II）需要一種電勢大於0.153 伏特之氧化劑與一般電極。此等電勢僅用於特定錯合物，而且當該適用氧化劑改變時可能視系爭專利組合物中所添加之添加劑（諸如配位子（錯合劑））而改變。該氧化劑係一種無機或有機過氧化合物為佳。過氧化合物如Hawley's Condensed Chemical Dictionary所定義，其係一種包含至少一種過氧基（-O-O- ）之化合物或一種包含具有其最高氧化狀態之元素。包含至少一種過氧基之化合物實例包括但是不受限於過氧化氫與其加成物，諸如過氧化氫脲與過碳酸鹽、有機過氧化物，諸如過氧化芐基、過醋酸與過氧化二-
第三- 丁基、單過硫酸（SO5=）、過二硫酸（S2O8= ）與過氧化鈉。包含具有其最高氧化狀態元素之化合物實例包括但是不受限於過碘酸、過碘酸鹽、過溴酸、過溴酸鹽、過氯酸、過氯酸鹽、過硼酸與過硼酸鹽及過錳酸鹽。符合電化學電勢需求之非過氧化合物之實例包括但是不受限於硼酸鹽、氯酸鹽、鉻酸鹽、碘酸鹽、碘酸與鈰（IV）化合物，諸如硝酸銨鈰。最佳之氧化劑係過氧化氫與其加成物及單過硫酸鹽（見原處分卷一第116 至118 頁系爭專利說明書第9 頁第18行至第11頁第9 行）。
（2）系爭專利化學機械組合物包括一種觸媒。該觸媒之目的係自該欲氧化之金屬轉移至該氧化劑（或相似地將電化學電流自該氧化劑轉移至該金屬）。該經選擇之觸媒或多種觸媒可為金屬、非金屬或其組合，而且該觸媒必須可以有效率並迅速地替換介於該氧化劑與金屬基材表面間之電子。該觸媒係選自具有多個氧化狀態之金屬化合物為佳，諸如但是不受限於Ag、Co、Cr、Cu、Fe、Mo、Mn、Nb、Ni、Os、Pd、Ru、Sn、Ti與V 。「多個氧化狀態」一辭意指一個原子及／或化合物，其具有可增加是為電子形式之一或多個負電荷之價數。較佳之金屬觸媒係Ag、Cu與Fe及其混合物。特佳者係鐵觸媒，諸如但是不受限於鐵之無機鹽類，諸如硝酸鐵（II或III ）、硫酸鐵（II或III ）、鹵化鐵（II或III ），包括氟化物、氯化物、溴化物與碘化物，以及過氯酸鹽、過溴酸鹽與過碘酸鹽，及有機鐵（II或III ）化合物，諸如但是不受限於醋酸鹽、乙醯醋酮酸鹽、檸檬酸鹽、葡萄庚酸鹽、草酸鹽、酞酸鹽與琥珀酸鹽與其混合物。化學機械磨光組合物中該觸媒之存在量自大約0.001 至大約2.0 重量百分比。該化學機械磨光組合物中之觸媒存在量自大約0.005 至大約0.5 重量百分比為佳。該組合物中之觸媒存在量自大約0.01至大約0.05重量百分比最佳。於此等較佳觸媒負荷水準（即，0.05重量百分比或以下）而且使用一種非金屬氧化劑（諸如過氧化氫、過氧化氫脲或單過硫酸鹽）時，該化學機械磨光組合物實質上為金屬，而且與市售以硝酸鐵為底質之淤漿相較其「不含金屬離子」。系爭專利之化學機械組合物內之觸媒量可視所使用之氧化劑而定。當較佳氧化劑過氧化氫與較佳觸媒諸如硝酸鐵併用時，該觸媒於組合物中之存在量自大約0.005 至大約0.20重量百分比（溶液中具有大約7 至280ppmFe）。當該較佳氧化劑係單過硫酸鹽，而且使用較佳觸媒諸如硝酸鐵時，該觸媒於組合物中之存在量自大約0.05至大約1.0 重量百分比（於溶液中具有大約70至大約1400ppm Fe）。系爭專利化學機械磨光淤漿中觸媒之濃度通常係以整體化合物之重量百分比表示。使用含有高分子量金屬之化合物亦在系爭專利觸媒範圍內，其僅包括小重量百分比之觸媒。本文所使用之觸媒亦包括化合物，其中組合物中包含少於10重量% 金屬之催化金屬而且該CMP 淤漿中之金屬觸媒濃度佔整體淤漿重量大約2 至大約3000 ppm。系爭專利之化學機械組合物可與至少一種磨料併用以製造一種CMP 淤漿。該磨料通常為一種金屬氧化物磨料。該金屬氧化物磨料可選自氧化鋁、氧化鈦、氧化鋯、氧化鍺、氧化矽、氧化鈰與其混合物。系爭專利之CMP 淤漿包括自大約1.0 至大約20.0重量百分比或以上之磨料為佳。然而，系爭專利之CMP 淤漿包括自大約3.0 至大約7.0 重量百分比磨料更佳（見原處分卷一第114 至116 頁系爭專利說明書第11頁倒數第1 行至第13頁倒數第5 行）。
（3）適用之添加劑係存在金屬錯合物下安定該氧化劑者。已知存在任何金屬離子下若不使用安定劑該過氧化氫呈不安定。因此，CMP 組合物與淤漿可包含一種安定劑。若不使用該安定劑，該觸媒與該氧化劑會以迅速降低該氧化劑活性之方式反應。於組合物中添加一種安定劑會降低該觸媒之效能。因此添加於該組合物之安定劑種類與用量之選擇極為重要，而且明顯影響CMP 之性能。目前已知於其組合物與淤漿中添加安定劑會產生一種安定劑／觸媒錯合物，其可抑制該觸媒與氧化劑反應。本揭示之「至少一種具有多重氧化狀態之觸媒與至少一種安定劑之混合物產物」一辭目的意指不論該最終產物中該組份組成是否形成錯合物於組合物與淤漿中使用此二組份之摻和物。適用之安定劑包括磷酸、有機酸（例如，己二酸、檸檬酸、丙二酸、鄰酞酸與EDTA）、磷酸鹽化合物、腈類與其他與該金屬鍵結並降低其對過氧化氫分解之反應性的配位子，以及其混合物。該酸安定劑可以共軛形式使用，例如可以使用羧酸鹽類代替該羧酸。本申請案之「酸」一辭目的係用以描述適用之安定劑，亦意指該酸安定劑之共軛鹼。例如「己二酸」意指己二酸與其共軛鹼。可以單獨或組合使用安定劑，而且其可明顯降低氧化劑諸如過氧化氫之分解速率。較佳之安定劑包括磷酸、酞酸、檸檬酸、己二酸、草酸、丙二酸、苯甲腈及其混合物。較佳之安定劑可添加其組合物與淤漿中，其用量係自大約1 每觸媒當量至大約3.0 重量百分比或以上。本文中所使用之「每觸媒當量」意指該組合物中每個觸媒離子對一個安定劑分子。例如2 每觸媒當量意指每個觸媒離子對二個安定劑分子。最佳之安定劑包括自大約2 每觸媒當量至大約15每觸媒當量之丙二酸、自大約3 每觸媒當量至大約3.0 重量百分比酞酸與自大約0 每觸媒當量至大約3 每觸媒當量草酸與自大約0.2 至大約1.0
重量百分比己二酸之組合（原處分卷一第110 、111 頁系爭專利說明書第16頁第5 行至第17頁第13行）。
（二）系爭專利申請專利範圍分析：
原告主張系爭專利請求項1 、2 、4 至17、21至48有應撤銷專利權之情事。按「說明書、申請專利範圍及圖式經更正公告者，溯自申請日生效」，現行專利法第68條第3 項定有明文。查系爭專利核准公告之申請專利範圍原計48項（原處分卷一第84至90頁），嗣參加人於102 年5 月24日申請更正申請專利範圍（刪除請求項3 、18至20）（見原處分卷一第269 至272 頁正面、背面），經被告於103 年6 月21日核准更正公告在案（見原處分卷一第287 至291
頁）。是系爭專利請求項有關專利要件之認定，當以更正公告之申請專利範圍為據。準此，以下就更正公告之系爭專利請求項1 、2 、4 至17、21至48之內容為據（見原處分卷一第287 至290 頁正面、背面）：
1、請求項1 ：一種化學機械磨光組合物，其包含：至少一種氧化劑，其係一種包含至少一種過氧基（-O-O- ）之化合物；與至少一種具有多個氧化部位之鐵觸媒；其中該氧化劑係不同於該觸媒。
2、請求項2 ：根據申請專利範圍第1 項之化學機械磨光組合物，其中該氧化劑之電化學電勢大於氧化該觸媒所需之電化學電勢。
3、請求項4 ：根據申請專利範圍第1 項之化學機械磨光組合物，其中該氧化劑為單過硫酸鹽、過硫酸鹽、過氧化物及其混合物。
4、請求項5 ：根據申請專利範圍第4 項之化學機械磨光組合物，其中該氧化劑包括至少一種單過硫酸鹽，其具有化學式：

○
∥
X1—○—○—S—○—X2
∥
○
其中X1、X2個別為H 、Si（R'）3 、NH4 、N （R"）4 與鹼土金屬類，諸如Li、Na、K ；其中R'為具有1 至10或更多個碳原子之烷基；及其中R"係H 、烷基、芳基或其混合物。
5、請求項6 ：根據申請專利範圍第4 項之化學機械磨光組合物，其包含0.5 至20重量百分比之單過硫酸鹽。
6、請求項7 ：根據申請專利範圍第5 項之化學機械磨光組合物，其包含1 至20重量百分比之2KHSO5．KHSO4 ．K2SO4
。
7、請求項8 ：一種化學機械磨光先質組合物，其包含：至少一種具有多個氧化部位之鐵觸媒與至少一種安定劑之混合產物。
8、請求項9 ：一種化學機械磨光組合物，其包含：至少一種氧化劑，其係一種包含至少一種過氧基（-O-O- ）之化合物；與至少一種具有多個氧化部位之鐵觸媒與至少一種安定劑之混合產物；其中該氧化劑係不同於該觸媒。
9、請求項10：根據申請專利範圍第8 或9 項之組合物，其中該安定劑為有機酸、無機酸、腈及其混合物。
10、請求項11：根據申請專利範圍第10項之組合物，其中該安定劑係選自包括磷酸、酞酸、檸檬酸、丙二酸、膦酸、草酸、己二酸、苯甲腈及其混合物。
11、請求項12：根據申請專利範圍第11項之組合物，其中該安定劑為觸媒0 當量至每觸媒3 當量之草酸與0.2 至1.0 重量百分比己二酸之摻和物。
12、請求項13：根據申請專利範圍第11項之組合物，其中該安定劑為每觸媒2 當量至每觸媒15當量之丙二酸。
13、請求項14：根據申請專利範圍第11項之組合物，其中該安定劑為每觸媒3 當量至3.0 重量百分比之酞酸。
14、請求項15：根據申請專利範圍第9 項之組合物，其中該氧化劑為有機化合物、無機化合物及其混合物。
15、請求項16：根據申請專利範圍第1 、8 或9 項之組合物，其中該氧化劑為在0.1 至50重量百分比間之過氧化氫。
16、請求項17：根據申請專利範圍第16項之組合物，其中該氧化劑為在0.5 至10重量百分比間之過氧化氫。
17、請求項21：根據申請專利範圍第1 、8 或9 項之組合物，其中該觸媒為一種選自包括具有多重氧化狀態之無機鐵化合物與有機鐵化合物之鐵觸媒。
18、請求項22：根據申請專利範圍第21項之組合物，其中該鐵觸媒為硝酸鐵。
19、請求項23：根據申請專利範圍第22項之組合物，其中該鐵觸媒為在0.01至0.5 重量百分比間之硝酸鐵。
20、請求項24：根據申請專利範圍第1 、8 或9 項之組合物，其包含0.001 至2.0 重量百分比之觸媒。
21、請求項25：根據申請專利範圍第24項之組合物，其包含0.005 至0.2 重量百分比之觸媒。
22、請求項26：根據申請專利範圍第1 或9 項之組合物，其中該氧化劑為過氧化氫，且該觸媒為0.01至0.5 重量百分比之鐵觸媒。
23、請求項27：根據申請專利範圍第1 或9 項之組合物，其中該氧化劑為單過硫酸鹽，且其中該觸媒為0.05至1.0 重量百分比之觸媒。
24、請求項28：根據申請專利範圍第1 、8 或9 項之組合物，其另外包含一種磨料。
25、請求項29：根據申請專利範圍第28項之組合物，其中該磨料為至少一種金屬氧化物磨料。
26、請求項30：根據申請專利範圍第29項之組合物，其中該金屬氧化磨料係選自氧化鋁、氧化鈰、氧化鍺、氧化矽、氧化鈦、氧化鋯及其混合物。
27、請求項31：根據申請專利範圍第28項之組合物，其中該磨料為一種金屬氧化物之含水分散液。
28、請求項32：根據申請專利範圍第29項之組合物，其中該金屬氧化物磨料係由粒子大小分佈小於1.0 微米且平均聚集體直徑小於0.4 微米之金屬氧化物聚集體所組成。
29、請求項33：根據申請專利範圍第29項之組合物，其中該金屬氧化物磨料係由具有主要粒子直徑小於0.400 微米且表面積範圍為約10平方公尺／克至約250 平方公尺／克之分立、個別金屬氧化物球體所組成。
30、請求項34：根據申請專利範圍第28項之組合物，其中該磨料具有表面積範圍從5 平方公尺／克至430 平方公尺／克。
31、請求項35：根據申請專利範圍第34項之組合物，其中該磨料具有表面積範圍從30平方公尺／克至170 平方公尺／克。
32、請求項36：根據申請專利範圍第28項之組合物，其中該磨料為沉澱磨料或煙霧狀磨料。
33、請求項37：根據申請專利範圍第28項之組合物，其中該磨料為沉澱氧化矽、煙霧狀氧化矽或煙霧狀氧化鋁。
34、請求項38：根據申請專利範圍第1 項之化學機械磨光組合物，其包含：一種磨料；一種硝酸鐵之鐵觸媒；及1.0 至10.0重量百分比之氧化劑，選自包括過氧化氫與單過硫酸鹽，其中當該氧化劑為過氧化氫時，則該淤漿包含0.01至0.05重量百分比之硝酸鐵觸媒，而當該氧化劑為單過硫酸鹽時，則該淤漿包含0.1 至0.5 重量百分比之硝酸鐵觸媒。
35、請求項39：一種化學機械磨光淤漿，其包含：1.0 至15.0重量百分比之氧化矽；0.1 至0.5 重量百分比之硝酸鐵觸媒；以及1.0 至10.0重量百分比之單過硫酸鹽。
36、請求項40：一種化學機械磨光淤漿，其包含：1.0 至15.0重量百分比之氧化矽；0.01至0.05重量百分比之硝酸鐵觸媒；以及1.0 至10.0重量百分比之過氧化氫。
37、請求項41：一種化學機械磨光淤漿，其包含：3.0 至7.0
重量百分比之氧化矽；0.01至0.05重量百分比之硝酸鐵觸媒；以及0.5 至10.0重量百分比之過氧化氫與每觸媒2 當量至每觸媒15當量丙二酸之摻和產物。
38、請求項42：根據申請專利範圍第41項之淤漿，其中該氧化矽具有表面積在120 平方公尺／克至200 平方公尺／克之間。
39、請求項43：一種化學機械磨光先質組合物，其包含3.0 至7.0重量百分比氧化矽之水溶液，與0.01至0.05 重量百分比硝酸鐵觸媒及每觸媒2 當量至每觸媒15當量丙二酸之摻和產物。
40、請求項44：一種用以磨光包括至少一種金屬層之基材之方法，其包括以下步驟：（a ）摻和根據申請專利範圍第8
或43項之組合物與去離子水，製得一種化學機械磨光先質；（b ）摻和步驟（a ）之化學機械磨光先質與一種氧化劑，製得一種化學機械磨光淤漿，其中該氧化劑係不同於該觸媒，且該氧化劑係一種包含至少一種過氧基（-O-O-
）之化合物；（c ）將該化學機械磨光淤漿塗覆於該基材；以及（d ）使墊片與該基材接觸，並使該墊片相對於該基材移動，去除至少部分該基材之金屬層。
41、請求項45：一種用以磨光包括至少一種金屬層之基材之方法，其包括以下步驟：（a ）摻和去離子水與一包含至少一種氧化劑、至少一種具有多個氧化部位之鐵觸媒及一磨料之組合物、或摻和去離子水與一包含至少一種氧化劑、至少一種具有多個氧化部位之鐵觸媒與至少一種安定劑之混合產物及一磨料之組合物，製得一種化學機械磨光淤漿，其中該氧化劑係不同於該觸媒，且該氧化劑係一種包含至少一種過氧基（-O-O- ）之化合物；（b ）將該化學機械磨光淤漿塗覆於該基材；以及（c ）使墊片與該基材接觸，並使該墊片相對於該基材移動，去除至少部分該基材之金屬層。
42、請求項46：根據申請專利範圍第45項之方法，其中該基材包括一種含鎢金屬層，其中至少部分鎢層係於步驟（c ）中去除。
43、請求項47：根據申請專利範圍第45項之方法，其中該基材另外包括一種鈦及／或氮化鈦金屬層，其中至少部分該氮化鈦層係於步驟（c ）中去除。
44、請求項48：一種化學機械磨光組合物多重包裝系統，其包括：（a ）包含根據申請專利範圍第8 或43項組合物之第一容器；及（b ）包含一種氧化劑之第二容器，其中該氧化劑係不同於該觸媒，且該氧化劑係一種包含至少一種過氧基（-O-O- ）之化合物。
四、證據技術分析：
（一）舉發證據2 ：
1、舉發證據2 為85年4 月18日公開之PCT 申請案WO96／11082 A1號「金屬層用之化學機械研磨漿」（CHEMICAL MECHANICAL POLISHING SLURRY FOR METAL LAYERS ）專利（見原處分卷二第134 頁正面），其公開日期早於系爭專利最早優先權日（85年11月26日）可為系爭專利之先前技術，得為主張系爭專利不具進步性之適格證據。
2、舉發證據2 為關於金屬層用的化學機械拋光淤漿，其揭露一種用於金屬層化學機械拋光的淤漿，含有均勻分散在穩定的含水介質中的純度高、細的金屬氧化物粒子（見原處分卷二第134 頁）。舉發證據2 主要係揭露關於研磨顆粒的製造與選用的技術內容，舉發證據2 說明書第8 頁第4
至13行記載「研磨泥漿可加入氧化成分以氧化金屬層成為其對應氧化物，…例如鎢成為氧化鎢。…雖然有廣泛的氧化成分可使用，較佳成分包含氧化金屬鹽、氧化金屬複合物、鐵鹽，例如硝酸鹽、硫酸鹽、EDTA、檸檬酸鹽、鐵氰化鉀及類似者、鋁鹽、鈉鹽、鉀鹽、銨鹽、季銨鹽、鏻鹽、過氧化物、氯酸鹽、過氯酸鹽、過錳酸鹽、過硫酸鹽類及其混合物」（見原處分卷二第130 頁背面）。
（二）舉發證據3：
1、舉發證據3 為66年11月9 日公開之「Hydrogen Peroxide
, Part Four , Chapter 9-12」教科書（見原處分卷二第115 、117 頁），其公開日期早於系爭專利最早優先權日（85年11月26日）可為系爭專利之先前技術，得為主張系爭專利不具進步性之適格證據。
2、舉發證據3 係有關過氧化氫的教科書，介紹過氧化氫的穩定性、過氧化氫的相關分析、過氧化氫的應用、以及過氧化氫化合物的具體態樣（見原處分卷二第115 頁）。
（三）舉發證據4：
1、舉發證據4 為84年5 月公開之「Fenton Reaction After
a Century 」期刊論文（見原處分卷二第15頁），其公開日期早於系爭專利最早優先權日（85年11月26日）可為系爭專利之先前技術，得為主張系爭專利不具進步性之適格證據。
2、舉發證據4 係揭示二價鐵離子（ Fe++) 及三價鐵離子（
Fe+++ ）催化過氧化氫之氧化還原反應之反應機制，鐵離子可作為觸媒催化過氧化氫使其分解速率顯著增加（見原處分卷二第12頁背面）。
（四）原證13：
1、原告於107 年7 月12日最後言詞辯論中始首次提出原證13（見本案卷二第274 至278 、295 至297 頁），原告將原證13與其他舉發證據間之組合，並重新提出非屬原告於舉發審定程序、行政訴訟起訴狀及準備程序中所主張系爭專利不具進步性之爭點組合（見本案卷二第292 頁原告107
年7 月12日庭呈簡報第28頁）。
2、原證13為59年11月3 日公告之美國專利US0000000 「Chemical Brightening of Iron-containing Surfaces of Workpieces」專利案。原證13主要內容為以化學溶液增白含有鐵表面工件之方法。該專利說明書第3 欄第66-73 頁揭示「在含有鐵離子的溶液中加入安定劑以加強過氧化氫的穩定性，可使用的安定劑包括二羧基類（dicarboxylic
acid）及酞酸（phthalic acid ）等化合物」（見本案卷二第295 、296 頁）。
五、進步性之相關法律見解：
（一）按：「判斷申請專利是否為其所屬技術領域中具有通常知識者依申請前之先前技術顯能輕易完成時，應以申請專利之整體，亦即以每一請求項中專利的整體為對象，而非以請求項各元件之技術特徵為個別比對，但因專利係由各別構件組合而成，各部分構件亦有其技術內容，所以在判斷專利是否具進步性時，不得不依下列步驟判斷之：1 、確定被比對專利之專利範圍；2 、確定相關先前技術所揭露的內容；3 、確定被比對專利所屬技術領域中具有通常知識者之技術水準；4 、確認被比對專利與相關先前技術之間的差異；5 、該被比對專利所屬技術領域中具有通常知識者參酌相關先前技術所揭露之內容及申請時之通常知識，判斷是否能輕易完成被比對專利的整體」（最高行政法院105 年度判字第503 號判決意旨參照）。
（二）次按：「審查進步性時，如涉及複數引證（即先前技術）之技術內容的結合，應考量該發明所屬技術領域中具有通常知識者是否有動機能結合複數引證之技術內容，而完成申請專利之發明，尚不得以複數引證之技術內容恣意加以拼湊，即謂該發明為所屬技術領域中具有通常知識者依先前技術所能輕易完成，以免後見之明。判斷該發明所屬技術領域中具有通常知識者是否有動機能結合複數引證之技術內容時，應綜合考量複數引證間之技術領域是否具有關連性，彼此間所欲解決技術問題，抑或技術內容所產生之功能、作用是否具共通性，以及相關引證之技術內容是否已明確記載或實質隱含結合不同引證之技術內容之教示或建議等因素。如複數引證間之技術領域完全不具有關連性，通常即難以認定該發明所屬技術領域中具有通常知識者具有動機能結合複數引證之技術內容。反之，如複數引證間之技術內容的技術領域雖具有關連性，仍須進一步判斷所欲解決問題或所產生功能或作用之共通性，或有無教示及建議等事項，始得認定該發明所屬技術領域中具有通常知識者有無動機能結合複數引證之技術內容」（最高行政法院106 年度判字第651 號判決意旨參照）。
（三）復按：「先前技術之組合是否足以證明專利為所屬技術領域中具有通常知識者所能輕易完成之判斷標準，不能僅將先前技術以機械式之拼湊比對為之，因為絕大多數之發明，均係結合先前之技術而賦予全新之技術特徵，且雖判斷發明是否具有可專利要件，應以發明申請時所屬技術領域中之通常知識者為標準，但無論於行政審定或司法判斷時，均與申請時有時間上之落差，在此時間差中，技術必然會有相當之進步，時間差距越長，技術進步越多，故欲排除技術之發展造成行政審查委員或司法審判者之後見之明，絕不能僅以專利之技術特徵已為先前技術所揭露即當然認為申請時所屬技術領域中之通常知識者即可輕易思及並運用」（本院101 年度行專訴字第121 號行政確定判決意旨參照）。
六、舉發證據2 、3 及4 之組合不足以證明系爭專利請求項1 、2 、4 至7 、9 至17、21至47不具進步性：
（一）系爭專利請求項1 所請為「一種化學機械磨光組合物，其包含：至少一種氧化劑，其係一種包含至少一種過氧基（-O-O- ）之化合物；與至少一種具有多個氧化部位之鐵觸媒；其中該氧化劑係不同於該觸媒」。該請求項主要技術特徵在於CMP 操作中併用「過氧基氧化劑」與「鐵觸媒」之技術手段，以在CMP 速率上提供不可預期之協乘功效（Synergistic Effect，1+1 ＞2 ，見原處分卷一第106 頁系爭專利說明書第21頁表1 ），進一步能提供減緩甚至避免先前技術使用金屬氧化劑以提供所欲高磨光速率所造成之金屬污染問題的附加效益（見原處分卷一第120 頁系爭專利說明書第7 頁）。系爭專利請求項2 、4 、16、21、24、26至28及38為直接依附於請求項1 之附屬項，系爭專利請求項5 、6 、7 、17、22、23、25、29至37為間接依附於請求項1 之附屬項，合先敘明。
（二）舉發證據2 係有關金屬層用的化學機械拋光淤漿（即CMP
淤漿），其揭露一種用於金屬層化學機械拋光的淤漿，含有均勻分散在穩定的含水介質中的純度高、細的金屬氧化物粒子。舉發證據2 主要係揭露關於研磨顆粒的製造與選用的技術內容，著重於磨料改良。經查，舉發證據2 僅於專利說明書第8 頁第4 至20行簡單提及可添加使用的氧化成分「……，較佳成分包含氧化金屬鹽、氧化金屬複合物、鐵鹽，例如硝酸鹽、硫酸鹽、EDTA、檸檬酸鹽、鐵氰化鉀及其類似者、鋁鹽、鈉鹽……、過氧化物、…過硫酸鹽類及其混合物」（見原處分卷二第130 頁背面）。雖該舉發證據2 羅列添加使用的氧化成分包含了「硝酸鹽」及「過氧化物」，惟舉發證據2 專利說明書內容完全未述及觸媒的使用，僅提及如上所述已知可用於CMP 淤漿之氧化成分而已，並未針對氧化成分之組合作進一步的探討。此外，舉發證據2 實施例所例示，其淤漿均以5%重量硝酸鐵作為單一氧化劑添加使用（見原處分卷二第128 頁正面、背面），未見任何針對使用二種或更多種氧化劑的教示，該發明所屬技術領域中具有通常知識者基於舉發證據2 之教導，根本不生採用特定氧化劑組合之動機。且舉發證據2
更無併用多種氧化劑與單獨使用一種氧化劑的差異說明，遑論併用「鐵觸媒」與「過氧基氧化劑」於CMP 之磨光速率可達到顯著增進效益之相關記載。是舉發證據2 僅揭示單一氧化劑如實施例所例示選用硝酸鐵氧化成分於CMP 淤漿中之添加，舉發證據2 並未具體揭示所使用的CMP 組合物可包含「至少一種『過氧基之化合物』及至少一種『具有多個氧化部位之鐵觸媒（例如硝酸鐵）』，且該氧化劑係不同於該觸媒」之組合，故該發明所屬技術領域中具有通常知識者僅依舉發證據2 單一氧化劑添加之教示，實無法輕易完成系爭專利採用特定氧化劑組合之發明。且針對舉發證據2 實施例3 淤漿1 中採用高達5 重量% 硝酸鐵（氧化劑）所提供之磨光速率（4850埃／分鐘）（見原處分卷二第127 頁）；系爭專利透過組合「鐵觸媒」與「過氧基氧化劑」，即可於僅採用28ppm 鐵含量（大幅降低金屬汙染且可大幅提高磨光速率）之情形下提供（見原處分卷一第103 頁系爭專利說明書第24頁表5 之淤漿4 ），故由系爭專利實施例與舉發證據2 實施例之結果比較可知，舉發證據2 之實施例結果實乃進一步顯示系爭專利於磨光速率的改良功效，更加凸顯系爭專利功效之不可預期。基上，舉發證據2 並未揭露系爭專利在CMP 操作中併用「過氧基氧化劑」與「鐵觸媒」之技術手段，舉發證據2 之實施例反而進一步凸顯系爭專利為功效顯著且不可預期而具有進步性。
（三）次查，舉發證據3 係有關過氧化氫的教科書，其內容為介紹過氧化氫的穩定性、過氧化氫的相關分析、過氧化氫的應用、以及過氧化氫化合物的具體態樣。舉發證據3 乃針對過氧化氫研究報告匯總之教科書，非屬探討CMP 改良之技術領域，其中，完全未揭示或教示有關過氧化氫於CMP
組合物中的應用，或說明於CMP 組合物中使用過氧化氫可提供磨光速率改良，舉發證據3 更未教示當使用含有過氧化氫之CMP 組合物時，僅須存在微量的特定金屬（尤其是鐵）即可顯著增加CMP 操作之磨光速率，是該發明所屬技術領域中具有通常知識者實無動機將舉發證據2 及3 予以組合，更遑論將舉發證據2 及3 組合來輕易完成系爭專利請求項1 之發明。
（四）縱CMP 技術領域中具通常知識者無意間得知舉發證據3 有關過氧化氫之內容，亦難生於CMP 操作中將過氧化氫與鐵觸媒合併使用之動機，更遑論預期可透過該技術手段為CMP 組合物之磨光速率帶來1+1> 2之協乘功效。再者，舉發證據3 技術內容已清楚揭示「藉由眾多研究者的努力，已知在不含汙染觸媒之情況下且儲存於完全乾淨之非催化性材料所製容器中時，純化氧化氫或是過氧化氫溶液是非常穩定的物質，即使是在50℃或更高的溫度之下亦是如此（見原處分卷二第112 頁舉發證據3 第9 章第1 頁第一段第1 至5 行）」，「微量的特定催化性離子的存在，會使得過氧化氫的分解速率顯著提升，尤其是其離子可具有多重氧化狀態的金屬，例如Fe +++、Cu ++ 、Cr+++ 等，另外，懸浮的或膠態的催化物或是含有催化性活性物質的容器壁也會使得過氧化氫的分解速率顯著提升（見原處分卷二第111 頁、112 頁背面舉發證據3 第9 章第2 頁第21行至第3 頁第2 行）」。換言之，舉發證據3 教示例如鐵等離子具有多重氧化狀態的金屬，對於過氧化氫而言係屬汙染物質，會不利地降低過氧化氫的穩定性，降低過氧化氫所可提供之效益。因此，本發明所屬技術領域中具有通常知識者基於舉發證據3 之教示，為了保持過氧化氫之活性，不僅不會有將過氧化氫與鐵觸媒組合使用之動機，反而會有反向教示避免於含有過氧化氫之CMP 組合物中使用鐵觸媒。又縱使依原告主張，系爭專利所屬技術領域中具有通常知識者因舉發證據3 文中記載部分離子具有多重氧化狀態的特定金屬具有提高過氧化氫之分解速率，而將之與過氧化氫組合使用（雖無此動機），亦會傾向於選用鉻（Cr）或銅（Cu），而非鐵（Fe），因為舉發證據3 之實驗結果清楚顯示，鉻與銅催化過氧化氫分解之能力遠高於鐵（見原處分卷二第104 頁舉發證據3 第17頁表1 ）。再進一步將舉發證據3 表1 之金屬離子催化過氧化氫分解能力之結果與上述系爭專利說明書表5 之磨光速率結果相對照可知，儘管銅對於過氧化氫之分解速率的催化效果遠高於鐵，但鐵觸媒在CMP 操作中對於磨光速率之提升效果反而遠高於銅觸媒（見原處分卷一第103 頁系爭專利說明書第24頁表5 ）。此一事實更加顯示，系爭專利在CMP 操作之磨光速率上展現了協乘功效。
（五）再查，舉發證據4 係有關Fenton反應之期刊論文，其中簡介Fenton反應於例如是水處理中的應用，揭露過氧化氫被二價鐵離子（Fe++）及三價鐵離子（Fe+++ ）催化分解機制。然舉發證據4 亦非屬探討CMP 改良之技術領域，系爭專利所屬技術領域具有通常知識者當面臨CMP 操作上的技術問題時，並沒有參考舉發證據4 之動機。且舉發證據4
亦未揭示或教示有關過氧化氫於CMP 組合物中的應用，或說明於CMP 組合物中使用過氧化氫可提供磨光速率改良，舉發證據4 更未教示當使用含有過氧化氫及特定金屬（例如鐵）之CMP 組合物時，可顯著增加磨光速率，是該發明所屬技術領域中具有通常知識者亦實無動機將舉發證據2
及4 予以組合，更遑論將舉發證據2 及4 組合來輕易完成系爭專利請求項1 之發明。綜上，舉發證據2 、3 及4 之任一者均未揭露系爭專利在CMP 操作中併用「過氧基氧化劑」與「鐵觸媒」之技術手段，且舉發證據3 及舉發證據4 與CMP 技術領域無關，舉發證據3 甚將排除於含有過氧基氧化劑之CMP 組合物中合併使用鐵觸媒反向教示之動機。職是，縱該發明所屬技術領域中具有通常知識者於無意間同時得知舉發證據2 、3 及4 之內容，亦無從輕易思及可透過系爭專利之技術手段（在CMP 操作中併用「過氧基氧化劑」與「鐵觸媒」），提供相應之發明功效（在磨光速率上提供不可預期之協乘功效）。故舉發證據2 、3 及4 之組合不足以證明系爭專利請求項1 不具進步性。系爭專利請求項2 、4 至7 、16、17及21至38係直接或間接依附於請求項1 之附屬項，如上述分析理由，舉發證據2 、3 及4 之組合不足以使系爭專利請求項1 不具進步性，是舉發證據2 、3 及4 之組合亦不足以使依附於系爭專利請求項1 之附屬項2 、4 至7 、16、17及21至38不具進步性。
（六）系爭專利請求項9 所請為「一種化學機械磨光組合物，其包含：至少一種氧化劑，其係一種包含至少一種過氧基（-O-O- ）之化合物；與至少一種具有多個氧化部位之鐵觸媒與至少一種安定劑之混合產物；其中該氧化劑係不同於該觸媒」。該請求項主要技術特徵在於所請為一種化學機械磨光（CMP ）組合物，其包含：至少一種氧化劑，其係一種包含至少一種過氧基（-O-O- ）之化合物；與至少一種具有多個氧化部位之鐵觸媒與至少一種安定劑之混合產物。系爭專利請求項10至17、21至37為直接或間接依附於請求項9 之附屬項，合先敘明。經查，系爭專利請求項9
除包含系爭專利請求項1 之所有技術特徵，另包含一安定劑。惟如上述分析理由，舉發證據2 、3 及4 之任一者均未揭露系爭專利在CMP 操作中併用「過氧基氧化劑」與「鐵觸媒」之技術手段，更遑論揭露系爭專利請求項9 所請在CMP 先質組合物中另具有安定劑。雖舉發證據3 之第9
章第26、27頁揭示了磷酸鹽或較佳為焦磷酸鹽存在時，形成有效的安定劑抵抗小濃度的某些催化雜質（包括鐵化合物) 的影響（見原處分卷二第99、100 頁背面），惟如上所述，舉發證據3 並未揭示或教示將安定劑應用於CMP 先質組合物中，進而使得CMP 組合物中使用過氧化氫可提供磨光速率改良的功效。且如上述，舉發證據3 甚至將排除於含有過氧基氧化劑之CMP 組合物中使用鐵觸媒之動機。是系爭專利所屬技術領域具通常知識者縱將舉發證據2 、3 及4 之內容予以組合，亦無從輕易思及可透過系爭專利之技術手段（在CMP 操作中併用「過氧基氧化劑」、「鐵觸媒」、「安定劑」）予以完成提供相應之發明功效（在磨光速率上提供不可預期之協乘功效）。故舉發證據2 、3 及4 之組合亦不足以證明系爭專利請求項9 不具進步性。系爭專利請求項10至17、21至37係直接或間接依附於請求項9 之附屬項，如上述分析理由，舉發證據2 、3 及4
之組合不足以使系爭專利請求項9 不具進步性，是舉發證據2 、3 及4 之組合亦不足以使依附於系爭專利請求項9
之附屬項10至17、21至37不具進步性。基上，舉發證據2
、3 及4 之組合亦不足以使系爭專利請求項9 至17、21至37不具進步性。
（七）系爭專利請求項39所請為「一種化學機械磨光淤漿，其包含：1.0 至15.0重量百分比之氧化矽；0.1 至0.5 重量百分比之硝酸鐵觸媒；以及1.0 至10.0重量百分比之單過硫酸鹽」。該請求項主要技術特徵在於CMP 淤漿操作中包含主要磨料氧化矽，且併用「單過硫酸鹽」與「鐵觸媒」之技術手段，以在CMP 速率上提供不可預期之協乘功效。經查，系爭專利請求項39具體界定所使用磨料為氧化矽，過氧基氧化劑為單過硫酸鹽及具有多個氧化部位之鐵觸媒之硝酸鐵。如上述分析理由，舉發證據2 、3 及4 之任一者均未揭露系爭專利在CMP 操作中併用「過氧基氧化劑」與「鐵觸媒」之技術手段，是舉發證據2 、3 、4 任一或其組合亦均未揭露屬過氧基氧化劑之單過硫酸鹽與硝酸鐵觸媒與磨料氧化矽混合併用達到在磨光速率上不可預期之協乘功效。雖舉發證據2 揭露使用之磨料為氧化矽（silica），惟舉發證據2 專利說明書內容完全未述及觸媒的使用，舉發證據3 及舉發證據4 與CMP 技術領域無關，且舉發證據3 僅揭示過氧化氫，並未揭露單過硫酸鹽或其與鐵觸媒之使用，甚將排除於含有過氧基氧化劑之CMP 組合物中合併使用鐵觸媒反向教示之動機。基上，縱該發明所屬技術領域中具有通常知識者於無意間同時得知舉發證據2 、3 及4 之內容，亦無從輕易思及可透過系爭專利之技術手段（在CMP 操作中使用磨料氧化矽併用「過氧基氧化劑之單過硫酸鹽」與「硝酸鐵之鐵觸媒」），提供相應之發明功效（在磨光速率上提供不可預期之協乘功效）。綜上，舉發證據2 、3 及4 之組合不足以證明系爭專利請求項39不具進步性。
（八）系爭專利請求項40所請為「一種化學機械磨光淤漿，其包含：1.0 至15.0重量百分比之氧化矽；0.01至0.05重量百分比之硝酸鐵觸媒；以及1.0 至10.0重量百分比之過氧化氫」。該請求項主要技術特徵在於CMP 淤漿操作中包含主要磨料氧化矽，且併用「過氧化氫」與「鐵觸媒」之技術手段，並進一步界定CMP 淤漿中氧化矽、過氧化氫與鐵觸媒之重量百分比組成，且該組成之淤漿在CMP 速率上提供不可預期之協乘功效。經查，系爭專利請求項40具體界定所使用磨料為氧化矽，過氧基氧化劑為過氧化氫及具有多個氧化部位之鐵觸媒之硝酸鐵及其所使用之重量百分比組成。如上述分析理由，舉發證據2 、3 及4 之任一者均未揭露系爭專利在CMP 操作中併用「過氧基氧化劑」與「鐵觸媒」之技術手段，舉發證據3 及舉發證據4 與CMP 技術領域無關，舉發證據3 甚將排除於含有過氧基氧化劑（過氧化氫）之CMP 組合物中合併使用鐵觸媒反向教示之動機。職是，縱該發明所屬技術領域中具有通常知識者於無意間同時得知舉發證據2 、3 及4 之內容，亦無從輕易思及可透過系爭專利之技術手段（在CMP 操作中併用「過氧基氧化劑」與「鐵觸媒」），提供相應之發明功效（在磨光速率上提供不可預期之協乘功效）。故舉發證據2 、3 及4 之組合不足以證明系爭專利請求項40不具進步性。
（九）系爭專利請求項41所請淤漿除包含系爭專利請求項40之所有技術特徵，另包含一安定劑丙二酸及其相關使用量，惟如上述分析理由，舉發證據2 、3 及4 之任一者均未揭露系爭專利在CMP 操作中併用「過氧基氧化劑」與「鐵觸媒」之技術手段，舉發證據3 及舉發證據4 與CMP 技術領域無關，更遑論揭露系爭專利請求項41所請在CMP 先質組合物中具有安定劑。且縱系爭專利所屬技術領域具通常知識者即使無意間同時觀得舉發證據2 、3 及4 之內容，亦無從輕易思及可透過系爭專利之技術手段（在CMP 操作中併用「過氧基氧化劑」、「鐵觸媒」、「安定劑」），提供相應之發明功效（在磨光速率上提供不可預期之協乘功效）。故舉發證據2 、3 及4 之組合不足以證明系爭專利請求項41不具進步性。而系爭專利請求項42係直接依附於請求項41之附屬項，舉發證據2 、3 及4 之組合不足以使系爭專利請求項41不具進步性，是舉發證據2 、3 及4 之組合亦不足以使依附於系爭專利請求項41之附屬項42不具進步性。基上，舉發證據2 、3 及4 之組合亦不足以使系爭專利請求項40至42不具進步性。
（十）系爭專利請求項43所請為「一種化學機械磨光先質組合物，其包含3.0 至7.0 重量百分比氧化矽之水溶液，與0.01至0.05重量百分比硝酸鐵觸媒及每觸媒2 當量至每觸媒15當量丙二酸之摻和產物」。該請求項主要技術特徵在於所請為一種化學機械磨光（CMP ）先質組合物，其包含：磨料氧化矽水溶液、至少一種具有多個氧化部位之鐵觸媒與至少一種安定劑之混合產物，並進一步界定CMP 淤漿中氧化矽、鐵觸媒與安定劑丙二酸之重量百分比組成，且該組成之淤漿在CMP 速率上提供不可預期之協乘功效。經查，如上所述理由，由於舉發證據2 至4 均未同時揭示或教示系爭專利於化學機械磨光（CMP ）組合物中使用鐵觸媒之技術手段，遑論系爭專利請求項43係界定在化學機械磨光先質組合物中具有安定劑。雖然舉發證據3 之第9 章第26、27頁揭示安定劑磷酸鹽或較佳為焦磷酸鹽存在時，形成有效的安定劑抵抗小濃度的某些催化雜質（包括鐵化合物）的影響（見原處分卷二第99、100 頁背面），惟其並未揭示或教示於CMP 先質組成物中可使用如丙二酸之安定劑進而使得CMP 組合物中當使用過氧化氫可提供磨光速率改良的功效。據此，舉發證據2 、3 及4 之組合不足以證明系爭專利請求項43不具進步性。
（十一）系爭專利請求項44所請為「一種用以磨光包括至少一種金屬層之基材之方法，其包括以下步驟：（a ）摻和根據申請專利範圍第8 或43項之組合物與去離子水，製得一種化學機械磨光先質；（b ）摻和步驟（a ）之化學機械磨光先質與一種氧化劑，製得一種化學機械磨光淤漿，其中該氧化劑係不同於該觸媒，且該氧化劑係一種包含至少一種過氧基（-O-O- ）之化合物；（c ）將該化學機械磨光淤漿塗覆於該基材；以及（d ）使墊片與該基材接觸，並使該墊片相對於該基材移動，去除至少部分該基材之金屬層」。該請求項所請為一種用以磨光包括至少一種金屬層之基材之方法，其包含於CMP 操作中「氧化矽磨料」與「鐵觸媒」及「安定劑」等之組成為CMP 先質組合物，而後該先質組成物進一步與一種氧化劑製得一種化學機械磨光淤漿，其中該氧化劑係不同於該觸媒，且該氧化劑係一種包含至少一種過氧基（-O-O- ）之化合物，並將該包含有「磨料」、「鐵觸媒」、「安定劑」併用「過氧基氧化劑」之淤漿塗覆於基材上並使墊片與基材接觸之方法，是該方法主要技術特徵仍在於併用「過氧基氧化劑」與「鐵觸媒」之技術手段使提供相應之發明在磨光速率上提供不可預期之協乘功效。如上述分析理由，舉發證據2 、3 及4 之任一者均未揭露系爭專利在CMP 操作中併用「過氧基氧化劑」與「鐵觸媒」之技術手段，且舉發證據3 及舉發證據4 與CMP 技術領域無關，舉發證據3 甚將排除於含有過氧基氧化劑之CMP 組合物中合併使用鐵觸媒反向教示之動機。職是，縱該發明所屬技術領域中具有通常知識者於無意間同時得知舉發證據2 、3 及4 之內容，亦無從輕易思及可透過系爭專利請求項44在CMP 操作中併用「過氧基氧化劑」與「鐵觸媒」技術手段之方法來達到磨光速率上不可預期之協乘功效。故舉發證據2 、3 及4 之組合亦不足以證明系爭專利請求項44不具進步性。
（十二）系爭專利請求項45所請為「一種用以磨光包括至少一種金屬層之基材之方法，其包括以下步驟：（a ）摻和去離子水與一包含至少一種氧化劑、至少一種具有多個氧化部位之鐵觸媒及一磨料之組合物、或摻和去離子水與一包含至少一種氧化劑、至少一種具有多個氧化部位之鐵觸媒與至少一種安定劑之混合產物及一磨料之組合物，製得一種化學機械磨光淤漿，其中該氧化劑係不同於該觸媒，且該氧化劑係一種包含至少一種過氧基（-O-O- ）之化合物；（b ）將該化學機械磨光淤漿塗覆於該基材；以及（c ）使墊片與該基材接觸，並使該墊片相對於該基材移動，去除至少部分該基材之金屬層」。該請求項所請為一種用以磨光包括至少一種金屬層之基材之方法，其包含於CMP 操作中「磨料」、「氧化劑」、「鐵觸媒」，或「磨料」、「氧化劑」、「鐵觸媒」及「安定劑」等之組成製得一種CMP 組合物淤漿，其中該氧化劑係不同於該觸媒，且該氧化劑係一種包含至少一種過氧基（-O-O- ）之化合物，並將該CMP 組合物淤漿塗覆於基材上並使墊片與基材接觸之方法，該方法主要技術特徵仍在於併用「過氧基氧化劑」與「鐵觸媒」之技術手段使提供相應之發明在磨光速率上提供不可預期之協乘功效。如上述分析理由，舉發證據2 、3 及4 之任一者均未揭露系爭專利在CMP 操作中併用「過氧基氧化劑」與「鐵觸媒」之技術手段，且舉發證據3 及舉發證據4 與CMP 技術領域無關，舉發證據3 甚將排除於含有過氧基氧化劑之CMP 組合物中合併使用鐵觸媒反向教示之動機。職是，縱該發明所屬技術領域中具有通常知識者於無意間同時得知舉發證據2 、3 及4 之內容，亦無從輕易思及可透過系爭專利請求項45在CMP 操作中併用「過氧基氧化劑」與「鐵觸媒」技術手段之方法來達到磨光速率上不可預期之協乘功效。故舉發證據2 、3
及4 之組合亦不足以證明系爭專利請求項45不具進步性。系爭專利請求項46及47係直接依附於請求項45之附屬項，如上述分析理由，舉發證據2 、3 及4 之組合不足以使系爭專利請求項45不具進步性，是舉發證據2 、3
及4 之組合亦不足以使依附於系爭專利請求項45之附屬項46及47不具進步性。基上，舉發證據2 、3 及4 之組合亦不足以使系爭專利請求項45、46及47不具進步性。（十三）另查，原告訴稱系爭專利說明書表1 係為「硝酸鐵」、「氧化劑」及「煙霧狀氧化矽」混合產物之實驗結果，並非僅包含硝酸鐵及氧化劑之組合物，不足以證明系爭專利併用過氧基氧化劑與鐵觸媒具有相乘效益云云（見本案卷一第18頁）。惟查，依系爭專利說明書第20頁記載「根據實施例1 之方法製備五種磨光淤漿以研究添加一種硝酸鐵觸媒及／或一種過氧化氫氧化劑對於CMP 淤漿之鎢磨光速率影響。各種淤漿包括5 重量% 之煙霧狀氧化矽。各種淤漿中之過氧化氫與硝酸鐵濃度如表1 所示」（見原處分卷一第107 頁系爭專利說明書第20頁倒數第4 行起至末行），而實施例1 所示之磨光淤漿係「於該標準磨料淤漿中添加各種氧化劑與觸媒以評估各種CMP 淤漿組合物對於磨光速率之效果。該磨光淤漿係藉由混合適當用量之SCE 煙霧狀氧化矽為底質之分散液與列舉用量之氧化劑、觸媒以及若情況需要使用另外之添加劑」（見原處分卷一第107 頁系爭專利說明書第20頁第8 至13行），故可知系爭專利說明書表1 中淤漿1 至5 均含有相同比例之煙霧狀氧化矽，而該煙霧狀氧化矽非本次實驗之操作變因，其操作變因僅有過氧化氫與硝酸鐵濃度之不同，且由表1-淤漿4 及5 （鎢磨光速率分別為4729及6214），與淤漿3 （鎢磨光速率僅為385 ）及淤漿2 （鎢磨光速率僅為291 ）之鎢磨光速率比較（見原處分卷一第106 頁系爭專利說明書第21頁表1 ），實施例2 表1 所得結果除足以證明系爭專利併用「過氧基氧化劑」與「鐵觸媒」之技術手段以提高CMP 磨光效率之技術特徵，亦可顯示系爭專利確具有1+1 ＞2 的協乘功效。是原告所訴「無法證明『過氧基氧化物』及『鐵觸媒』間有所謂不可預期之『協乘功效』」，洵不足採。職是，系爭專利之實驗結果證明系爭專利以「過氧基氧化劑」與「鐵觸媒」併用可達不可預期之協乘功效，故系爭專利請求項所請確具進步性。
（十四）綜上，舉發證據2 、3 及4 之組合不足以使系爭專利請求項1 、2 、4 至7 、9 至17、21至47不具進步性。
七、舉發證據2 及3 之組合不足以證明系爭專利請求項8 、48不具進步性：
（一）系爭專利請求項8 所請為「一種化學機械磨光先質組合物，其包含：至少一種具有多個氧化部位之鐵觸媒與至少一種安定劑之混合產物」。該請求項主要技術特徵在於所請為一種化學機械磨光先質組合物，其包含：至少一種具有多個氧化部位之「鐵觸媒」與至少一種「安定劑」之混合產物。經查，舉發證據2 主要係揭露關於研磨顆粒的製造與選用的技術內容，著重於磨料改良，於專利說明書內容提及可添加使用的氧化成分包含鐵鹽及過氧化物等等，惟該舉發證據2 專利說明書內容完全未述及觸媒的使用，亦未針對氧化成分之組合作進一步的探討；舉發證據3 非屬探討CMP 改良之技術領域，係有關過氧化氫的教科書，雖舉發證據3 揭示了磷酸鹽或較佳為焦磷酸鹽存在時，形成有效的安定劑抵抗小濃度的某些催化雜質（包括鐵化合物）的影響，惟舉發證據3 並未揭示或教示將安定劑應用於CMP 先質組合物中，進而使得CMP 組合物中使用過氧化氫可提供磨光速率改良的功效。基上，舉發證據2 、3 均未同時揭示或教示系爭專利於化學機械磨光組合物中使用鐵觸媒之技術手段，遑論系爭專利請求項8 係界定在化學機械磨光先質組合物中具有安定劑。據此，舉發證據2 及3
之組合不足以證明系爭專利請求項8 不具進步性。
（二）系爭專利請求項48所請為「一種化學機械磨光組合物多重包裝系統，其包括：（a ）包含根據申請專利範圍第8 或43項組合物之第一容器；及（b ）包含一種氧化劑之第二容器，其中該氧化劑係不同於該觸媒，且該氧化劑係一種包含至少一種過氧基（-O-O- ）之化合物」之混合產物。該請求項所請系統為一種用以磨光包括至少一種金屬層之基材之方法，其包含於由「氧化矽磨料」、「鐵觸媒」及「安定劑」等組成為CMP 先質之第一容器，及包含有一種氧化劑之第二容器，其中該氧化劑係不同於該觸媒，且該氧化劑係一種包含至少一種過氧基（-O-O- ）之化合物，該項所請系統主要技術特徵仍在於併用「過氧基氧化劑」與「鐵觸媒」之技術手段使提供相應之發明在磨光速率上提供不可預期之協乘功效。經查，如上所述理由，由於舉發證據2 至3 均未同時揭示或教示系爭專利於化學機械磨光（CMP ）組合物中使用鐵觸媒之技術手段，遑論系爭專利請求項48係界定在化學機械磨光組合物多重包裝系統中具有安定劑。舉發證據3 與CMP 技術領域無關，僅係有關過氧化氫的教科書，雖舉發證據3 揭示安定劑磷酸鹽或較佳為焦磷酸鹽存在時，形成有效的安定劑抵抗小濃度的某些催化雜質（包括鐵化合物）的影響，惟其並未揭示或教示於CMP 先質組成物中可使用如丙二酸之安定劑進而使得CMP 組合物中當使用過氧化氫可提供磨光速率改良的功效。據此，舉發證據2 、3 之組合不足以證明系爭專利請求項48不具進步性。
（三）綜上，舉發證據2 及3 之組合不足以證明系爭專利請求項8 、48不具進步性。
八、由上述分析理由，舉發證據2 、舉發證據3 及舉發證據4 之組合並不足以使系爭專利請求項1 、2 、4 至7 、9 至17、21至47不具進步性；舉發證據2 及舉發證據3 之組合不足以使系爭專利請求項8 、48不具進步性。又原告於107 年7 月12日最後言詞辯論中始首次提出原證13（見本案卷二第274
至278 、295 至297 頁），原告將原證13與其他舉發證據間之組合，並重新提出非屬原告於舉發審定程序、行政訴訟起訴狀及準備程序中所主張系爭專利不具進步性之爭點組合；另原告於言詞辯論中所提簡報第28頁之爭點整理，其中新增之舉發證據2 至4 組合使系爭專利請求項3 不具進步性及舉發證據2 至4 等組合使系爭專利請求項18至20不具進步性（見本案卷二第292 頁原告107 年7 月12日庭呈簡報第28頁）。經查：
（一）就原告主張之舉發證據2 至4 組合使系爭專利請求項3 不具進步性及舉發證據2 至4 等組合使系爭專利請求項18至20不具進步性之判斷：
1、按：「『關於撤銷、廢止商標註冊或撤銷專利權之行政訴訟中，當事人於言詞辯論終結前，就同一撤銷或廢止理由提出之新證據，智慧財產法院仍應審酌之。』智慧財產案件審理法（下稱：『審理法』）第33條第1 項定有明文。是當事人於言詞辯論終結前向智慧財產法院提出之新證據，應限於『同一撤銷或廢止理由』，法院始應加以審酌。又上開規定之立法理由為『一、現行專利法（指92年專利法）第67條第3 項規定舉發人補提理由及證據，應自舉發之日起1 個月內為之，但在舉發審定前提出者，仍應審酌之。依此規定，舉發人就關於專利權應撤銷之證據，如未於舉發審定前提出，縱於行政訴訟中補提，行政法院亦不予審酌。惟依專利法第67條第4 項之規定，於行政訴訟判決確定後，舉發人仍得以前行政訴訟中未能提出之新證據，就同一專利權，再為舉發，並因之衍生另一行政爭訟程序。又關於撤銷或廢止商標註冊之行政爭訟程序，實務上亦同此處理。惟上述情形，致使同一商標或專利權之有效性爭議，得發生多次之行政爭訟，難以終局確定，甚而影響其他相關民刑事訴訟之終結，自有不宜。而於智慧財產法院成立後，審理關於舉發、評定及異議事件等行政訴訟事件之法官，其智慧財產專業知識得以強化，並有技術審查官之輔助，應有充分之能力在訴訟中就新證據為斟酌判斷。爰設本條規定，容許在行政訴訟中，仍得補提關於撤銷、廢止理由之新證據，以期減少就同一商標或專利權有效性之爭執，因循環發生行政爭訟，而拖延未決之情形。……』上開規定所稱『理由』係指系爭專利有應撤銷專利權之舉發事由，例如：違反新穎性或進步性等事由，以及請求項與證據間之關係，『同一事實』係指上開舉發理由，『同一證據』則係指實質內容相同之證據。上開92年專利法第67條第3 項及4 項規定，已於100 年12月21日修正為專利法第73條第4 項及第81條第1 款規定，是依92年及現行專利法之規定，舉發理由及證據均應於舉發審定前提出。由審理法第33條立法理由觀之，以專利行政訴訟事件為例，其係將舉發人提出舉發證據之時點，自『舉發審定前』放寬至『行政訴訟言詞辯論終結前』，明定法院應審酌未經專利專責機關於作成原處分前加以判斷之新證據，使舉發人可提出更多舉發證據以強化其撤銷專利權之請求，用以避免同一舉發人就同一專利權重為舉發，發生循環行政爭訟，致專利權之有效性爭執拖延未決之情形。惟審理法第33條第1 項仍明文限於『同一撤銷理由』始得提出新證據，而所稱『同一撤銷理由』，應係指同一舉發理由，是以於行政訴訟中仍不得提出新理由，而應受專利法有關『舉發理由』提出時點之限制。準此，當事人如原以欠缺新穎性作為專利權應撤銷之理由，仍無從引用審理法第33條第1 項規定，而於行政訴訟程序中另提出該專利權欠缺進步性作為撤銷理由，而僅得向專利專責機關另行舉發。是以，審理法第33條雖可解決同一舉發人就同一撤銷事由提出不同證據進行舉發之問題，惟無法避免同一舉發人以不同撤銷事由重行舉發，或不同舉發人就同一撤銷事由以不同證據提起舉發所生之循環行政爭訟，由此足見，除專利權經撤銷確定外，審理法第33條之設計，並無法達成專利權有效性紛爭一次性解決之目的」（最高行政法院107 年度判字第154 號、107 年度判字第391 號判決意旨參照）。
2、準此，依現行專利法第73條第4 項及第81條第1 款規定，舉發理由及證據均應於舉發審定前提出；雖依智慧財產案件審理法第33條規定，其係將舉發人提出舉發證據之時點，自「舉發審定前」放寬至「行政訴訟言詞辯論終結前」，惟智慧財產案件審理法第33條第1 項仍明文限於「同一撤銷理由」始得提出新證據，而所稱「同一撤銷理由」，應係指同一舉發理由，是以於行政訴訟中仍不得提出新理由，而應受專利法有關「舉發理由」提出時點之限制。是以，原告於言詞辯論中所提簡報第28頁之爭點整理，新增之舉發證據2 至4 組合使系爭專利請求項3 不具進步性及舉發證據2 至4 等組合使系爭專利請求項18至20不具進步性，其中，請求項3 、18至20並非於舉發審定前所提出之舉發請求項次，依前揭意旨，原告主張撤銷系爭專利請求項3 、18至20並非基於舉發審定前之同一撤銷理由，是本院不應審酌之。
3、此外，按「說明書、申請專利範圍及圖式經更正公告者，溯自申請日生效」，現行專利法第68條第3 項定有明文。查系爭專利核准公告之申請專利範圍原計48項（原處分卷一第84至90頁），嗣參加人於102 年5 月24日申請更正申請專利範圍（見原處分卷一第269 至272 頁正面、背面），其中，請求項3 、18至20已於申請更正申請專利範圍予以刪除（見原處分卷一第281 、282 頁），經被告於103
年6 月21日核准更正公告在案（見原處分卷一第287 至291 頁）。是系爭專利請求項有關專利要件之認定，當以更正公告之申請專利範圍為據。準此，「原」系爭專利請求項3 、18至20業已經參加人刪除而溯自申請日生效而自始不存在，是本件原告主張撤銷已自始不存在之「原」系爭專利請求項3 、18至20當不可採，附此敘明。
（二）就原告提出原證13與其他舉發證據組合之判斷：
1、按：「『關於撤銷、廢止商標註冊或撤銷專利權之行政訴訟中，當事人於言詞辯論終結前，就同一撤銷或廢止理由提出之新證據，智慧財產法院仍應審酌之』，智慧財產案件審理法第33條第1 項固有規定，惟法條所稱『言詞辯論終結前』係指『言詞辯論終結前之適當時期』，非指辯論終結前之任何時間均可提出新證據。因此，智慧財產案件審理細則第40條但書規定：『但當事人意圖延滯訴訟，或因重大過失，未依訴訟進行程度，於言詞辯論終結前之適當時期提出新證據，而有礙訴訟之終結者，法院得依行政訴訟法第132 條準用民事訴訟法第196 條第2 項規定駁回之』，又『未於準備程序主張之事項，除有下列情形之一者外，於準備程序後行言詞辯論時，不得主張之：一、法院應依職權調查之事項。二、該事項不甚延滯訴訟者。三、因不可歸責於當事人之事由不能於準備程序提出者。四、依其他情形顯失公平者。前項第三款事由應釋明之』。民事訴訟法第276 條亦定有明文，前揭規定，依行政訴訟法第132 條規定，於行政訴訟程序準用之」（本院99年度行專訴字第60號行政判決意旨參照，最高行政法院100 年度判字第2178號判決駁回上訴確定；本院104 年度行專訴字第4 號、103 年度行專訴字第6 號行政確定判決意旨參照）。
2、經查：原告於舉發審定前未提出前揭原證13，亦未主張原證13與其他舉發證據之組合可證明系爭專利不具進步性之新證據，嗣於107 年4 月3 日本院行準備程序時，原告仍未為上述主張，並稱無其他主張及舉證，此有本院107 年4 月3 日準備程序筆錄附卷可證：「（受命法官問：就本件訴訟關係事實上及法律上陳述。）原告訴訟代理人答：事實及理由：詳如起訴狀所載。…（受命法官問：準備程序有何補充？）原告複代理人答：均引用歷次書狀。…（受命法官問：尚有何主張及舉證？）兩造及參加人均稱無其他主張及舉證」（見本案卷一第488 、490 頁）。迨至準備程序終結後，遲至107 年7 月12日本院最後言詞辯論程序，原告始首次提出「原證13及其他舉發證據新組合使系爭專利請求項不具進步性」，致被告及參加人無法適時提出答辯及正當防禦，且本件被告、參加人亦主張原告提出準備程序未提出的原證13，依行政訴訟法應不予採用為證據，且參加人當庭表示「拒絕就原證13為辯論」（見本案卷二第276 、277 頁107 年7 月12日言詞辯論筆錄）。核原告於本件準備程序終結後始提出上開新證據，顯非屬言詞辯論終結前之適當時期提出；再者，原告自106 年12月27日起訴（見本案卷一第8 頁收狀章），至本院107 年4 月3 日準備程序終結時止，有3 個多月之期間可提出新證據，然原告卻不於準備程序終結前之期日提出，遲至本院準備程序終結後之最後言詞辯論期日始行提出，顯非屬言詞辯論終結前之適當時期，堪認其有延滯訴訟之意圖，且有礙於訴訟之終結，並不利於被告、參加人之防禦。本院對於原告於107 年7 月12日行政訴訟辯論中所提出之原證13與其他舉發證據之組合，爰依前揭規定不予審酌。
3、然退萬步言，縱將原證13與其他舉發證據組合予以考量，亦不足以證明系爭專利不具進步性。查原證13為59年公告之美國專利US3 ,537,926「Chemical Brightening of I
ron -containing Surfaces of Workpieces」專利案，主要技術內容為「以化學溶液增白含有鐵表面工件之方法」。該專利說明書第3 欄第66至73頁揭示「在含有鐵離子的溶液中加入安定劑以加強過氧化氫的穩定性，可使用的安定劑包括二羧基類（dicarboxylic acid ）及酞酸（phthalic acid ）等化合物」（見本案卷二第295 、296 頁）。原證13於約50年前公告之專利，公告當時並未有半導體晶圓或CMP 之相關產業，且原證13專利技術內容為「以過氧化氫及二氟化銨特定濃度組合之化學溶液處理含有鐵表面之工件，以增白該含鐵表面之方法」（見本案卷二第295 頁原證13專利說明書第1 欄第14至23行），原證13非屬探討CM P改良相關技術領域，所欲解決問題亦與CMP 組合物磨光速率改良無關，亦完全未揭示或教示有關過氧化氫於CMP 組合物中的應用，或說明於CMP 組合物中使用過氧化氫可提供磨光速率改良，該證據所提及之鐵元素為工件上之鐵表面，該鐵與系爭專利所使用硝酸鐵作為觸媒角色完全無關，更遑論原證13根本未教示當使用含有過氧化氫之CMP 組合物時，僅須存在微量的特定金屬鐵即可顯著增加CMP 操作之磨光速率。綜上，原證13公告美國專利US0000000 當時尚未有半導體晶圓、CMP 等產業存在時之技術內容，且其內容所欲解決問題及所欲達到目的完全與CMP
改良技術無關，該發明所屬技術領域中具有通常知識者實難有動機將原證13與舉發證據2 、3 或2 至4 予以組合，更遑論將原證13與舉發證據2 、3 或2 至4 組合來輕易完成系爭專利請求項之發明。且縱CMP 技術領域中具通常知識者無意間得知原證13有關「含有鐵離子的溶液中加入安定劑以加強過氧化氫的穩定性，可使用的安定劑包括二羧基類（dicarboxylic acid ）及酞酸（phthalic acid ）等化合物…」之內容，亦難生於CMP 操作中將過氧化氫與鐵觸媒合併使用之動機，更遑論預期可透過該技術手段為CMP 組合物之磨光速率帶來協乘功效。職是，原證13及舉發證據2 、3 之證據組合或原證13及舉發證據2 、3 、4
之組合皆不足以使系爭專利請求項不具進步性。
九、系爭專利請求項11、13、14未違反核准時專利法第71條第3
款之規定：
（一）按「說明書或圖式不載明實施必要之事項，或記載不必要之事項，使實施為不可能或困難者」，核准時專利法第71條第3 款定有明文。次按「所稱使實施為不可能或困難，包括無法達到專利創作目的或預期功效」（最高行政法院100 年度判字第1581號判決意旨參照）。又按：「專利制度之目的在鼓勵、保護、利用發明與創作，以促進產業發展，為專利法第1 條所明定。為達此一立法目的，必須要求專利說明書記載明確並揭露發明或創作之內容」（最高行政法院105 年度判字第198 號判決意旨參照）。復按：「發明說明應明確與充分揭露申請專利之發明內容，使該發明所屬技術領域中具有通常知識者，能暸解該發明之內容，並可據以實施，而專利權人能據以保護該發明。質言之，申請專利之發明應明確，應記載所欲解決之問題、解決問題之技術手段及技術手段解決問題而產生之功效，且問題、技術手段及功效間，應有相對應之關係，並以發明所屬技術領域中之技術用語記載，使用語清楚易懂，以界定其真正涵義。是發明說明形式上應敘明發明所屬之技術領域、先前技術、發明內容、實施方式及圖式簡單說明等項目。至於判斷發明說明之記載是否已明確且充分揭露，則須依據發明說明、申請專利範圍及圖式三者整體，參酌申請時之申請日或主張優先權日之通常知識予以審究，該發明說明之記載必須使該發明所屬技術領域中具有通常知識者，能暸解申請專利之發明內容，而以其是否可據以實施為判斷之標準，倘達到可據以實施之程度，即可認為發明說明明確且充分揭露申請專利之發明內容。是以，發明說明是否符合充分揭露而可據以實施之要件，係以申請專利之發明為對象，對於發明說明中有記載而申請專利範圍中未記載之發明，則無論發明說明是否明確或已充分揭露，均與申請專利之發明是否充分揭露而可據以實施無涉。原則上，就發明說明是否明確且充分揭露申請專利之發明內容，主要係著重在專利申請時所屬技術領域具有通常知識者依據專利說明書之說明是否可以無須經由多次實驗之勞費，即能再現專利之內容，以達到所請之功效（最高行政法院106 年度判字第278 號判決意旨參照）」。
（二）原告主張系爭專利請求項11、13及14違反核准審定時專利法第71條第3 款之規定，其主要理由為「系爭專利實施例表9 所呈現之實驗結果顯示，在含有安定劑之條件下，其磨光速率反而比未添加安定劑的情況高出許多，此結果與系爭專利說明書表7 及表8 之結果不一致，顯見系爭專利說明書未明確載明實施必要之事項，或其記載了不必要之事項，使得實施請求項11、13及14所請發明為不可能或困難，違反核准時專利法第71條第3 款之規定」云云（見本案卷一第32至37頁行政訴訟起訴狀第21頁倒數第1 段至第26頁第8 行以及第28頁倒數第4 行至第29頁第3 行所載）。
（三）經查，系爭專利請求項11、13、14係進一步界定CMP 組合物中包含安定劑。而對於安定劑之使用，系爭專利說明書記載「適用於本發明之添加劑係存在金屬錯合物下安定該氧化劑者。已知存在任何金屬離子下若不使用安定劑，該過氧化氫呈不安定。……然而，在系爭專利之組合物中使用安定劑雖可提供安定氧化劑（如過氧化氫）、降低其分解速率之效，但可能伴隨不利之副作用，亦即會產生一種安定劑／觸媒錯合物而抑制觸媒與氧化劑反應」（見原處分卷一第111 頁系爭專利說明書第16頁第5 至13行）。系爭專利說明書實施例8 及表7 與表8 所記錄之實驗結果清楚例示上述在本發明之CMP 組合物中添加安定劑將產生之結果，其顯示使用安定劑可以有效提升過氧化氫的穩定性，有助於所提供CMP 淤漿／組合物的延時使用，是該實施例8 揭露當併用時安定劑可安定氧化劑如過氧化氫，然因安定劑抑制觸媒與氧化劑之反應（見原處分卷一第111 頁系爭專利說明書第16頁第13至15行），故導致之磨光速率降低的副作用。而系爭專利說明書實施例9 則例示說明另一種添加安定劑之CMP 組合物態樣，相關實驗結果紀錄於表9 ，該實施態樣係顯示，當氧化鋁與一種氧化劑及一種觸媒安定劑錯合物併用時，有利於磨光鎢基材（見原處分卷一第99頁系爭專利說明書第28頁倒數第6 、7 行），即當磨料氧化鋁與一種氧化劑如過氧化氫及一種觸媒安定劑錯合物（如硝酸鐵／檸檬酸、酞酸氫鉀、酞酸四氟或丙二酸所形成錯合物）併用時，當提供特定之組合，安定劑可提供安定過氧化氫而保持其活性之效，且該組合之整體並沒有上述抑制觸媒與氧化劑反應的副作用，從而使得添加安定劑之CMP 組合物態樣可提供比未添加安定劑之CMP 組合物態樣更高的磨光速率（見原處分卷一第99頁系爭專利說明書第28頁表9 ）。基上，系爭專利說明書第16、17頁（見原處分卷一第110 、111 頁）及由實施例8 、9 實驗結果已明確載明實施必要之事項（見原處分卷一第99至101 頁系爭專利說明書第26至28頁），系爭專利請求項11、13及14並未違反核准時專利法第71條第3 款規定之情事。（四）另查，原告所稱「系爭專利實施例表9 所呈現之實驗結果顯示，在含有安定劑之條件下，其磨光速率反而比未添加安定劑的情況高出許多，此結果與系爭專利說明書表7 及表8 之W 磨光速率（埃／分鐘）欄顯示因安定劑抑制觸媒與氧化劑之反應所導致之磨光速率降低結果不一致」云云。惟如上述，系爭專利說明書第16、17頁所載「CMP 組合物中包含安定劑可穩定氧化劑，使能保持過氧化物氧化劑之活性，惟安定劑亦會與觸媒產生錯合物，而會有抑制觸媒與氧化劑反應，是添加於該CMP 組合物之安定劑種類與用量之選擇極為重要，而且明顯影響CMP 之性能」（見原處分卷一第111 頁系爭專利說明書第16頁第10、11行）。職是，添加安定劑於CMP 組合物中既會穩定氧化劑使其活性降低延緩，然另一方面，安定劑／觸媒錯合物會抑制觸媒與氧化劑之反應，是藉由鐵觸媒／氧化劑、安定劑特定選擇之組合可促進介於化學安定淤漿對高度鎢磨光速率之間的平衡。實施例8 所得表7 、8 結果揭露安定劑安定氧化劑之功效，實驗數據顯示「於8 天後有添加安定劑之過氧化氫殘留量% 遠遠大於未添加安定劑者」，相對於此，W 磨光速率（埃／分鐘）欄顯示因安定劑抑制觸媒與氧化劑之反應所導致之磨光速率降低的副作用，惟該實施例8
主要探討「安定劑安定氧化劑」目的，該實驗量測時間及參數控制則為說明及揭示安定劑對氧化劑穩定功效而設定，並得相關實驗結果，而實施例9 則是於安定劑種類及量做特定選擇，使其安定氧化劑功效及抑制觸媒與氧化劑反應達到一平衡點，並使達到添加安定劑之CMP 組合物態樣可提供比未添加安定劑之CMP 組合物態樣更高的磨光速率。進一步觀之，實施例8 及9 所使用之磨料並不相同，鐵觸媒、氧化劑及安定劑等之種類及使用量亦不相同，且如上述，該2 實施例之實驗方法及實驗目的並不相同，於科學實驗鑑定而言，以實施例8 所得表7 、表8 與實施例9
表9 所得結果來做比對並無意義，蓋必須在檢測條件、參數完全相同下以對照組來進行比對方屬有效及合理。是系爭專利說明書實施例9 表9 所列實驗結果並未如原告所主張與系爭專利說明書之詳細說明或實施例8 表7 及表8 之實驗結果有任何矛盾，更無原告所指所使用之安定劑係無法提供所欲之安定功效之情事，是原告所訴顯無理由，洵不足採。系爭專利說明書未違反核准時專利法第71條第3
款規定，是系爭專利請求項11、13及14並未違反核准時專利法第71條第3 款之規定。
（五）又查，原告稱「系爭專利表3 之淤漿7 、8 及表9 淤漿1
之數據可以得出，在H2O2氧化劑、硝酸鐵條件幾乎相同下，僅於磨料種類上之差異（煙霧狀氧化矽與氧化鋁之不同）、以及用量上之差異（重量百分比5.0 與3.0 之不同），即會造成磨光速率高達6 至8 倍以上之差異（磨光速率3374、4729與566 之差異），由此可證磨料之種類及用量對硝酸鐵及過氧化氫之反應有極大之影響」及「系爭專利說明書第18頁第7 至9 行記載『當該金屬氧化物磨料係氧化鋁時，必須於摻和該錯合物與該氧化鋁磨料之前先摻和該安定劑與該觸媒，否則該觸媒會變得無效』，益證磨料的種類會影響硝酸鐵與氧化劑之反應」云云。惟查，依一般科學論證方法，於探討某因素是否對於所關切之結果造成影響時，通常係以該因素為操作變因而維持其他操作條件為固定，如此所得之不同結果方具有可比性，得以呈現或反映該因素對於所關切之結果是否存在影響力。而原告所比較之系爭專利實施例9 之表9 淤漿1 與實施例4 之表3 淤漿7 及淤漿8 ，如系爭專利說明書之記載，表3 淤漿與表9 淤漿之磨料種類與用量皆不相同，表3 淤漿所使用者為「煙霧狀氧化矽」（見原處分卷一第105 頁系爭專利說明書第22頁），而表9 所使用者為「氧化鋁」（見原處分卷一第99頁系爭專利說明書第28頁），而表3 所欲探討者為當同一種類及重量之磨料下，不同過氧化物氧化劑（H2O2）及硝酸鐵之重量組成對於鎢磨光速率之影響；實施例9 則是於安定劑種類及用量做特定選擇，使其安定氧化劑功效及抑制觸媒與氧化劑反應達到一平衡點，並使達到添加安定劑之CMP 組合物態樣可提供比未添加安定劑之CMP 組合物態樣更高的磨光速率。故在所使用的磨料種類及重量組成不同，而所控制操作參數不同下，以實施例9 之表9 淤漿1 與實施例4 之表3 淤漿7 及淤漿8 所得結果來做比對並無意義，蓋必須在檢測條件、控制參數完全相同下以對照組來進行比對方屬有效及合理。是系爭專利說明書實施例9 表9 淤漿1 所列實驗結果並未如原告所主張與系爭專利說明書之實施例4 表3 淤漿7 及淤漿8 之實驗結果有可予以比對之理由，更無法證實原告所主張「磨料的種類會極大影響硝酸鐵與氧化劑之反應」，是原告所訴顯無理由，並不足採。系爭專利說明書未違反核准時專利法第71條第3 款之規定。
十、原告於107 年6 月29日行政訴訟補充理由狀所提新主張「被告及參加人均主張系爭專利之特徵為『鐵觸媒』與『過氧化物』之組合可達成不可預期之效果，但系爭專利說明書並未記載『鐵觸媒』實施之必要事項，顯然違反核准時專利法第71條第3 款之規定」云云（見本案卷二第42頁）。經查：
（一）原告所提上述理由並非為舉發、訴願及行政起訴狀所提之無效理由，原告以參加人107 年3 月27日呈送行政訴訟參加人答辯狀所提TW582066專利案技術內容（見本案卷二第43至50頁）及原告於本院另案105 民專訴字第66號專利侵權訴訟程序（見本案卷二第61、63頁原證7 至12）中所指摘系爭專利未明確記載所使用之「硝酸鐵」究竟是「觸媒」還是「氧化劑」；基上，原告就此問題於本案行政訴訟提出「系爭專利所涉『鐵觸媒』係作為氧化劑而非觸媒，系爭專利以觸媒為其名，惟該系爭專利並未記載『鐵觸媒』實施之必要事項，顯然違反核准時專利法第71條第3 款之規定」之系爭專利無效新理由。惟查，參加人所提TW582066專利案（其申請日及公告日皆晚於系爭專利申請日，見本案卷一第460 頁）及原證7 至12均非屬系爭專利申請前之先前技術，實難依該專利TW 582066 及原證7 至12內容而與「本案系爭專利之說明書或圖式不載明實施必要之事項，或記載不必要之事項，使實施為不可能或困難者」有所勾稽，更難以推導致系爭專利不符專利法第71條第3
款之規定，合先敘明。
（二）次查，系爭專利說明書第11頁最末行起至第13頁第7 行所述「（鐵）觸媒之目的係將電子自該欲氧化之金屬轉移至該氧化劑（或相似地將電化學電流自該氧化劑轉移至該金屬），而且該觸媒必須可以有效率並迅速地替換介於該氧化劑與金屬基材表面間之電子。該觸媒係選自具有多個氧化狀態之金屬化合物為佳，諸如但是不受限於Ag、Co、Cr、Cu、Fe、Mo、Mn、Nb、Ni、Os、Pd、Ru、Sn、Ti與V 」及「化學機械組合物內之觸媒量可視所使用之氧化劑而定。當較佳氧化劑過氧化氫與較佳觸媒諸如硝酸鐵併用時，該觸媒於組合物中之存在量自大約0.005 至大約0.20重量百分比（溶液中具有大約7 至280 ppm Fe）。當該較佳氧化劑係單過硫酸鹽，而且使用較佳觸媒諸如硝酸鐵時，該觸媒於組合物中之存在量自大約0.05至大約1.0 重量百分比（於溶液中具有大約70至大約1400ppm Fe）」（見原處分卷一第114 、115 頁）。該系爭專利說明書所載已揭示在欲被氧化之金屬（即欲拋光之金屬）及用於氧化該金屬之氧化劑之間的氧化還原反應中，鐵觸媒於其間扮演轉移電子的角色。因此，在欲拋光之金屬及氧化劑的同時存在下，如硝酸鐵之鐵化合物即係用作觸媒。蓋觸媒即為催化劑，是能透過提供另一活化能較低的反應途徑而加快化學反應速率，而本身的質量、組成和化學性質在參加化學反應前後保持不變的物質，且通常只用到少量的此種物質即能達到加快反應之速率。本案系爭專利實施例所載使用之鐵觸媒僅微量即可大幅提升拋光速率，確可提供不可預期的效益增進，且系爭專利說明書已清楚記載如何使用鐵觸媒，且於實施例具體例示鐵觸媒與過氧基氧化劑併用時可大幅提升磨光速率之效益，該發明所屬技術領域中具有通常知識者可據以實施系爭專利發明，系爭專利所稱「鐵觸媒」之表現即與該發明所屬技術領域中具有通常知識者所認知之「觸媒」一般，並無原告所稱系爭專利說明書並未記載「鐵觸媒」實施必要事項之情事，是系爭專利說明書並無違反核准時專利法第71條第3 款之規定。
（三）又原告於107 年7 月12日言詞辯論期日提出簡報第10頁稱「參加人於本院另案105 年度民專訴字第66號民事訴訟庭呈簡報第24頁「該所謂的『觸媒』，於『氧化』金屬層後，因吸收電子而被還原（即由鐵離子被還原成亞鐵離子）故其於反應前後的化學性質不同，與『觸媒』的定義不符」云云（見本案卷二第283 頁）。惟查，庭呈簡報第9 、10頁之氧化、還原作用機制圖，鐵觸媒反應機制係將電子自該欲氧化之金屬轉移至該氧化劑或相似地將電化學電流自該氧化劑轉移至該金屬，該觸媒有效並迅速地替換介於該氧化劑與金屬基材表面間之電子，即該圖式所顯示者為觸媒在替換電子過程中電子的轉移部分過程，該圖式並非顯示完整的氧化還原反應機制中所有電子的轉移過程。經查完整的氧化還原反應機制為該硝酸鐵之鐵離子Fe3+被還原成亞鐵離子Fe2+後，被還原的Fe2+亞鐵離子被具高還原電位之過氧化氫回復成Fe3+離子，故當氧化還原反應完成時，觸媒硝酸鐵的鐵離子仍為再經氧化反應回復為鐵離子Fe3+（見本案卷一第468 頁TW 582066 說明書第9 頁第8
至14行），並無原告於簡報第10頁所稱「該硝酸鐵觸媒於『氧化』金屬層後，因吸收電子而被還原（即由鐵離子被還原成亞鐵離子），故其於反應前後的化學性質不同，與『觸媒』定義不符」之情事，故由該原告庭呈簡報所示之部分氧化還原機制電子的轉移並無法證實系爭專利所使用之「硝酸鐵」於反應前後所帶電子不同與「觸媒」定義不符，並無原告所主張系爭專利並未記載「鐵觸媒」實施之必要事項，是無法證實系爭專利說明書記載不符核准時專利法第71條第3 款之規定。
陸、結論：舉發證據2 、3 及4 之組合不足以證明系爭專利請求項1 、2 、4 至7 、9 至17、21至47不具進步性；舉發證據2 、3 之組合不足以證明系爭專利請求項8 、48不具進步性；系爭專利請求項11、13、14未違反核准時專利法第71條第3 款之規定。從而，被告所為系爭專利「請求項1 至2 、4
至17、21至48舉發不成立」之原處分，自無不合，訴願決定予以維持，亦無違誤。原告仍執前詞，訴請撤銷原處分與訴願決定，並無理由，應予駁回。
柒、本件事證已明，兩造、參加人其餘主張、答辯暨所提之證據，已與本院判決結果無涉，爰毋庸一一論列，併此敘明。
捌、據上論結，本件原告之訴為無理由，爰依智慧財產案件審理法第1條，行政訴訟法第98條第1 項前段，判決如主文。
中　　華　　民　　國　　107　 年　　8　　 月　　8　　 日智慧財產法院第三庭
審判長法　官　汪漢卿
法　官　黃珮茹
法　官 伍偉華
以上正本係照原本作成。
如不服本判決，應於送達後20日內，向本院提出上訴狀並表明上訴理由，其未表明上訴理由者，應於提起上訴後20日內向本院補提上訴理由書；如於本判決宣示後送達前提起上訴者，應於判決送達後20日內補提上訴理由書（均須按他造人數附繕本）。
上訴時應委任律師為訴訟代理人，並提出委任書（行政訴訟法第241 條之1 第1 項前段），但符合下列情形者，得例外不委任律師為訴訟代理人（同條第1 項但書、第2 項）。
┌─────────┬────────────────┐│得不委任律師為訴訟│ 所 需 要 件 ││代理人之情形 │ │├─────────┼────────────────┤│㈠符合右列情形之一│1.上訴人或其法定代理人具備律師資││ 者，得不委任律師│ 格或為教育部審定合格之大學或獨││ 為訴訟代理人　 │ 立學院公法學教授、副教授者。 ││ │2.稅務行政事件，上訴人或其法定代││ │ 理人具備會計師資格者。 ││ │3.專利行政事件，上訴人或其法定代││ │ 理人具備專利師資格或依法得為專││ │ 利代理人者。 │├─────────┼────────────────┤│㈡非律師具有右列情│1.上訴人之配偶、三親等內之血親、││ 形之一，經最高行│ 二親等內之姻親具備律師資格者。││ 政法院認為適當者│2.稅務行政事件，具備會計師資格者││ ，亦得為上訴審訴│ 。 ││ 訟代理人 │3.專利行政事件，具備專利師資格或││ │ 依法得為專利代理人者。 ││ │4.上訴人為公法人、中央或地方機關││ │ 、公法上之非法人團體時，其所屬││ │ 專任人員辦理法制、法務、訴願業││ │ 務或與訴訟事件相關業務者。 │├─────────┴────────────────┤│是否符合㈠、㈡之情形，而得為強制律師代理之例外，上訴││人應於提起上訴或委任時釋明之，並提出㈡所示關係之釋明││文書影本及委任書。 │└──────────────────────────┘中　　華　　民　　國　　107　 年　　8　　 月　　14　　日書記官 劉筱淇