智慧財產及商業法院 - 100年度民專訴字第134號（侵害專利權有關財產權爭議等）

智慧財產法院民事判決 100年度民專訴字第134號原告　美商羅門哈斯研磨材料控股公司（Rohm and Haas Electronic Materials CMP Hold ings, Inc.）法定代理人　Samuel W. Shoemaker 訴訟代理人　黃麗蓉律師　（兼送達代收人）馮達發律師郭雨嵐律師呂紹凡律師輔佐人　洪珮瑜被告　美商奈平科技股份有限公司(NexPlanar Corporati法定代理人　黃衛送達代收人　林秋琴律師訴訟代理人　王仁君律師林哲誠律師徐瑞毅律師複代理人　羅秀培律師林聖剛上列當事人間侵害專利權有關財產權爭議等事件，本院於102 年3 月14日言詞辯論終結，判決如下：主文原告之訴及其假執行之聲請均駁回。訴訟費用由原告負擔。事實及理由壹、程序方面：一、本件乃涉外民事事件，本院有國際裁判管轄權：按民事事件涉及外國人或外國地者，為涉外民事事件，內國法院應先確定有國際管轄權，始得受理，次依內國法之規定或概念，就爭執之法律關係予以定性後，決定應適用之法律（即準據法），而涉外民事法律適用法並無明文規定國際管轄權，應類推適用民事訴訟法之規定（最高法院98年度台上字第2259號判決要旨參照）。查本件原告美商羅門哈斯研磨材料控股公司（下稱羅門哈斯公司）、被告美商奈平科技股份有限公司（下稱奈平公司）均係外國法人，故本件具有涉外因素，而為涉外事件。再者，原告主張被告於我國境內侵害其專利權，而應負損害賠償責任，依原告主張之事實，本件應定性為專利侵權事件，經類推民事訴訟法第15條第1 項規定，應認原告主張之侵權行為地之我國法院有國際管轄權。另依專利法所保護之智慧財產權益所生第一、二審民事訴訟事件，為本院管轄案件，智慧財產法院組織法第3 條第1 款、智慧財產案件審理法第7 條、智慧財產案件審理細則第2 條第1 項第3 款定有明文，故本院自得就本件專利侵權事件為審理。二、本件涉外事件之準據法，應依中華民國之法律：按以智慧財產為標的之權利，依該權利應受保護地之法律，民國100 年5 月26日施行之涉外民事法律適用法第42條第1 項定有明文。原告依我國專利法規定取得專利權，其主張被告有侵害其專利權之行為，本件應定性為專利侵權事件已如前述，揆諸上開規定，本件之準據法，自應依中華民國法律。三、按訴狀送達後，原告不得將原訴變更或追加他訴，但擴張或減縮應受判決事項之聲明者不在此限，民事訴訟法第255 條第1 項第3 款定有明文。查原告起訴時聲明第1 項原為「被告不得自行或委請他人製造、為販賣之要約、販賣、使用或為上述目的而進口NEXX-09V1 、NEX0-0000-00S 、S-Groove型、SXR-Groove型、E-Groove型及A-Groove型之研磨墊。」（見本院卷㈠第4 頁），嗣於101 年5 月30日變更該項聲明為「被告不得自行或委請他人製造、為販賣之要約、販賣、使用或為上述目的而進口S-Groove型、SXR-Groove型、E-Groove型及A-Groove型之研磨墊。」（見本院卷㈡第168 頁），核屬訴之聲明之減縮，揆諸上開說明應予准許。貳、實體方面：一、原告主張：㈠原告為發明第176078號「化學機械平面化之拋光襯墊」專利、發明第075224號「用於磨光工作件表面之磨光片及其製造及使用方法」專利之專利權人，專利權期間分別自92年4 月21日至110 年5 月24日止、84年12月1 日起至102 年6 月20日止（下稱第078 號專利、第224 號專利）。詎被告奈平公司未經原告同意或授權，竟製造並販售侵害系爭專利之S-Groove型、SXR-Groove型、E-Groove型及A-Groove型之研磨墊產品（下稱系爭產品），而侵害原告上開專利權。㈡系爭SXR-Groove型研磨墊落入第078 號專利申請專利範圍第1 項： 1.系爭078 號專利申請專利範圍第1 項「該層具有一在30℃到90℃時約為1 到3.6 的E'比」，應解釋為「30℃及90℃之比值」，此亦經本院98年度行專訴字第67號行政判決認定。 2.依財團法人塑膠工業技術發展中心（下稱塑膠工業中心）受法院委託鑑定所出具之鑑定報告，系爭SXR-Groove研磨墊在30℃到90℃時之E'比之平均值3.3 ，是該研磨墊確實符合第078 號專利申請專利範圍第1 項之文義，且無逆均等論之適用，自侵害系爭第078 號專利申請專利範圍第1 項。 3.鑑定報告所用之測試溫度區間「-10 ℃到150 ℃」，在DMA 測試慣常使用之區間內，並不足以改變受測樣品之物理性質，被告所用以抗辯系爭078 號專利無效之引證（被證6 、9 ）測試溫度之低溫部分更遠低於鑑定報告之-10 ℃，是被告稱低溫會改變受測樣品物理性質云云，不足採信。㈢系爭S-Groove型及SXR-Groove型研磨墊落入系爭224 號專利申請專利範圍第1 、8 、11、13、17、23項： 1.第1項： ⑴鑑定報告已明確顯示系爭研磨墊中有具撓性之「聚合微體」、「各聚合微體內部都具有中空空間」、「該聚合微體之一部分係在該操作表面上且曝露於一操作環境中，另一部分係嵌在該磨光片中而未曝露於該操作環境中」、「在該磨光片操作表面的該聚合微體會比嵌在該次表面內的聚合微體較不堅硬，而導致該操作表面比該次表面更軟」、「磨光片包含浸漬有多數個大體上為撓性之聚合微體的聚合物基質」，自落入系爭224號專利申請專利範圍第1項。⑵「撓性」指物體受力變形「可彎曲」即屬之，而鑑定報告顯示變形處理後聚合微體僅有形變、可彎曲，而無破碎，足可證明聚合微體具有撓性。另被告以鑑定機關未觀測「全部之聚合微體」置辯，惟被告所言顯與科學常識不符，蓋鑑定機關隨機抽樣之結果均顯示聚合微體內部都具有中空空間，被告所謂「全部」究竟是應以每10-1公分、每 10-2公分、每10-3公分、每10-4公分…為單位切片？未見被告提出其鑑定方法。前被告可對鑑定方法表示意見卻未為之，現空言指摘鑑定機關，實無可採。 2.第8項：鑑定報告所示50微米之比例尺，可知絕大多數聚合微體之直徑均未超過50微米，因此，聚合微體之平均直徑小於150 微米，自落入系爭專利第8項之範圍。 3.第11項：鑑定機關隨機切片之系爭產品，其電子顯子顯微鏡照片顯示聚合微體中「至少一部份之形狀大體上為球形」，自落入系爭專利第11項之範圍。 4.第13項：由鑑定報告之切面照片，即已顯示系爭產品之聚合微體具有殼層（電子顯微鏡下具有陰影，且與基質間有界面），又鑑定機關雖未以「針」穿刺聚合微體，但由於鑑定機關在進行電子顯微鏡觀察時，對於系爭產品已進行切片，因此，仍屬「打開」聚合微體，即顯示其殼層為「可穿透」者，自落入系爭專利第13項範圍。 5.第17項：鑑定報告之電子顯微鏡照片已顯示系爭產品內部之聚合微體及聚合微體所隔出的部分，鑑定機關進而測量聚合微體之間距（即代表人造點之寬度），且由照片所示50微米之比例尺，可知絕大多數聚合微體之間距均未超過50微米，因此，微型組織內含具有寬度小於1000微米之人造點，乃屬當然，自落入系爭專利第17項範圍。 6.第23項：系爭產品具有一組織化之操作表面（即系爭產品之表面溝槽紋路），且鑑定報告照片，分別顯示系爭產品之組織化操作表面與研磨墊及在操作表面之聚合微體形成一體，且包括人造點，又其餘技術特徵均同申請專利範圍第1 項，自落入系爭專利第23項範圍。㈣第078號專利具有效性： 1.被告所提被證2 、3 、5 、6 、9 、10、11業經本院98年度行專訴字第67號判決認定無法否定系爭078 號專利申請專利範圍第1項之新穎性，並經最高行政法院判決確定，依一事不再理原則，被告不得再以之作為無效抗辯。 2.第078號專利申請專利範圍第1項有新穎性： ⑴IC1000拋光墊無法否定第078 號專利申請專利範圍第1 項之新穎性：被告主張IC1000拋光墊可證第078 號專利申請專利範圍第1 項欠缺新穎性，並以被證3 、5 、6 、7 、14、15、27、28為佐證云云。惟被證7 係在西元2012年1 月10日之測試報告，被證3 公開日係西元2002年8 月，均晚於第078 號專利優先權日，而無證據能力。另被證5 、6 業經本院98年度行專訴字第67號判決認定無法證明其內容已於2000年之學術研討會上公開發表，其業經確認非適格證據而無證據能力。又被證27、28均僅是個人記憶及經驗，且內容矛盾顯與事實不合，自不足採信。另被證14之IC1000拋光墊其明載受測樣品有效日期為91年（西元2002年）3 月15日，而拋光墊有效期間為一年，故顯已逾使用期限近10年，其測試結果自不足採信。 ⑵Suba IV 拋光墊不足以否定第078 號專利申請專利範圍第1 項之新穎性：被證5 、6 均非適格證據，無證據能力，被證27、28內容不足採信，亦如前述。被證8 係被告自行試測，原告否認其真實性，且其係在西元2012年1 月之測試報告，遠晚於第078 號專利優先權日，故非適格證據，又其並非在受測樣品有效期間所為，該測試結果尤不足採信。另細觀被證29與被證4 ，兩者有相當大之差異，無法證明被證29即為被證4 之拋光墊。至依被證16研究結果，Suba IV 拋光墊係屬於易光亮化之拋光墊，足證Suba IV 拋光墊不適合用以平面化半導體元件或其先質表面。 3.第078 號專利申請專利範圍第1 項有進步性： ⑴被證2 、被證9 與通常知識之組合，無法否定第078 號專利申請專利範圍第1 項之進步性：被證2 與被證9 係分別用於不同領域之研磨墊，被證9 更未揭示該材料可應用於「用來平面化一半導體元件化或其先質表面之拋光襯墊」，故熟悉第078 號專利所屬技術領域者，實難組合被證2 與被證9 而可輕易完成第078 號專利申請專利範圍第1 項之發明。 ⑵被證10、被證11與通常知識之組合，無法否定第078 號專利申請專利範圍第1 項之進步性：被證10所揭示者係「剪力模數(G) 」，而非第078 號專利申請專利範圍第1 項之「張力模數(E) 」，被證11所揭示者僅為G=E/2(1+μ) ，其中，μ為蒲松比（Poisson's ratio ），是縱使結合被證10與被證11，亦無從得知該兩研磨墊之「張力模數(E) 」，遑論「張力模數(E) 」之比值。故被證10與被證11之結合，亦無從否定第078 號申請專利範圍第1 項之進步性。 4.第078 號專利申請專利範圍第1 項未違反審定時專利法第71條第3 款：系爭第078 號專利說明書已揭示在30℃與90℃之E ’比例範圍在1.0-4.6 ，較佳範圍為1.0-4.0 ，最佳範圍1.0-3.5 。實例3 及4 更揭示了八個本發明之拋光墊，30℃與90℃之E ’比例在1.1-4.6 ，故第078 號專利說明書實已充分支持申請專利範圍第1 項甚明。㈤第224號專利具有效性： 1.第224號專利各請求項具有新穎性： ⑴被證10、20、21皆無證據能力被證10號之論文係公開於1995年，晚於系爭專利申請日，不具證據能力。被證21（IC1000-A2）係於1995年始公開銷售，最早之產品說明書也出現在1997年，均晚於第224 號專利申請日，且其測試的產品有效期限至2004年8月5日，回推製造日期2003年8月5日，亦晚於第224號專利申請日。另被證20號「IC1000」型錄係原告前身羅戴爾（Rodel）公司於1990年因欠缺部分設備，因此與訴外人英特爾（Intel）公司簽訂共同開發合約，並交付英特爾公司研磨墊之實驗品「XHGM1128」，羅戴爾與英特爾對此均負有保密義務，不得將該產品之相關資訊對外揭露，故被證20型錄在系爭專利申請前並未公開，而被證20「IC1000拋光墊」係於1994年始開發完成並公開銷售，晚於第224號專利之申請日。 ⑵被告所謂「IC1000拋光墊」及其輔助證據內容，並未揭示第224 號專利申請專利範圍第1 項之全部技術特徵，不足以證明系爭專利不具新穎性：被證10僅揭示IC1000之材質為孔隙型PU等，被證20並未揭露「在該磨光片操作表面的該聚合微體會比嵌在該次表面內的聚合微體較不堅硬，而導致該操作表面比該次表面更軟」及「磨光片包含浸漬有多數個大體上為撓性之聚合微體的聚合物基質」之要件，被告另以不同型號之「IC1000A2」進行測試（被證21號），已無可採，況「IC1000 A2」之公開日期在第224號專利之申請日後，兩者實無從互相勾稽。 2.第224號專利各請求項具有進步性： ⑴智慧局已明確認定被證22號之標的、技術內容及技術思想全然未揭示、未論及系爭224 號專利申請專利範圍第1 項之要件，而做成舉發不成立之審定，自無證據能力。又被證22雖揭示微粒為交聯高分子材料，但並未說明其單體材料為何，更遑論其交聯聚合之條件、方法，因此，熟悉該項技術者，並無從判斷該所謂之「交聯高分子材料」與第224 號專利之聚合微體之關係，至於第224 號專利之聚合微體，更非被證22號之「無機矽」，因此，被告空言被證22號揭露系爭專利之聚合微體云云，容有錯誤。另被證22並未揭露其聚氨基甲酸酯材料之聚合方法及條件，因此無從判斷在曝露於操作環境是否會比未曝露在操作環境較不堅硬，且其係使用「硬化片料」之細微粉末作為添加物，被證22號既然要將塑膠研磨成「微粒」或「微細碎物」，則必然需先將塑膠聚合物固化及（或）硬化，才有可能研磨成「微粒」或「微細碎物」，故被證22內容確實未揭露第224 號專利之「撓性」技術特徵。 ⑵又IC1000拋光墊或其相關證據既無證據能力，則其與被證22或被證23之組合自無法證明系爭224號專利申請專利範圍第1、8、11、13、17、23項不具進步性自無理由。 3.第224號專利各請求項未違反核准時專利法第71條第3款之規定：微型組織係指拋光墊在製造後的內部微觀主體組織，小型組織及巨型組織，通常情形可以拋光墊表面之溝槽（groove）而理解（如本件系爭產品之表面溝槽紋路），微型組織（ microtexture）、小型組織（minitexture ）與巨型組織（macrotexture）均為拋光墊技術領域中之習知技術。被告所稱「人造點28具有深度比聚合微體16的平均直徑較小約2000倍」之說明，係描述小型或巨型組織，與請求項17之「微型組織」無涉。實則，依請求項17「該微型組織內含具有寬度小於1000微米之人造點」之記載，既然聚合微體之平均直徑小於150 微米（請求項8 ），則依比例觀察，微型組織中之人造點寬度小於1000微米，應為熟習該項技術者所能理解，而無「不載明實施必要之事項，或記載不必要之事項」之情事，更無產生「使實施為不可能或困難者」之結果至明。㈥被告侵害行為，所造成之損害於起訴時尚難以計算，原告暫先依民事訴訟法第244 條第4 項規定請求賠償最低金額新台幣（下同）1,000 萬元。爰依修正前專利法第84條第1 項規定，提起本件請求，並聲明：⑴被告不得自行或委請他人製造、為販賣之要約、販賣、使用或為上述目的而進口S-Groove型、SXR-Groove型、E-Groove型及A-Groove型之研磨墊。⑵被告應給付原告新臺幣1,000萬元整及自起訴狀繕本送達被告之翌日起至清償日止按年息百分之5計算之利息。⑶前二項請求，原告願供擔保，請准宣告假執行。二、被告等則以下列等語置辯：㈠被告產品並未侵害第078號專利及第224號專利： 1.鑑定結果未證明S-Groove研磨墊落入第078 號專利申請專利範圍第1 項：鑑定報告所為三次測試之結果E ’比值皆為3.8 ，不在第078 號專利申請專利範圍第1 項所請之範圍內。 2.鑑定報告所使用鑑定方法不當，無法證明受鑑定之SXR-Groove研磨墊侵害第078 號專利申請專利範圍第1 項：鑑定報告以動態機械分析方式測試受鑑定物在「30℃和90℃」之E'比值，惟第078 號專利申請專利範圍第1 項係記載拋光層應「具有一在30℃到90℃時約為1 到3.6 的E'比」，是以其測試方法不符第078 號專利申請專利範圍第1 項之文義，測試結果自不足為據。另鑑定機關係以「-10 ℃至150 ℃」為測試溫度區間，必先對樣品進行冷卻至極低溫，可能使受鑑定物樣品變乾燥，改變其物理性質而影響試驗結果。又鑑定報告就SXR-Groove型研磨墊所測得之E'比值，差異過大，不具參考價值，且其並未詳細記載鑑定方法，亦未完全依法院指示方式進行鑑定，其結果自不足採。 3.鑑定報告未證明受鑑定物侵害第224 號專利：鑑定報告並未證明受鑑定物含有「聚合微體」、「聚合物基質中微體具撓性」、「各聚合微體內部都具有中空空間」、「聚合微體之一部分係在該操作表面上且曝露於一操作環境中，該聚合微體之另一部分係嵌在該磨光片中而未曝露於該操作環境中」、受鑑定物具有第224 號專利申請專利範圍第1 項中所有與「操作環境」有關之技術特徵、「操作表面之聚合微體是否比次表面之聚合微體不堅硬」，且鑑定報告並未就該請求項全部技術特徵加以鑑定，不符全要件原則，從而不足證明受鑑定物侵害第224 號專利申請專利範圍第1 項。㈡第078號專利申請專利範圍第1項應屬無效： 1.第078 號專利申請專利範圍第1 項「該層具有一在30℃到90℃時約為1 到3.6 的E ’比。」應解釋為「在30℃到90℃之溫度範圍內，任選二溫度得出之E ’比約為1 到3.6」。 2.第078號專利申請專利範圍第1項無法實施：由於該請求項係以「30℃到90℃」表示之，此種敘述明顯屬於一「溫度區間」，並未對測量E ’之溫度加以特定，故絕無所謂「E ’比」之可言，另專利說明書實施例所測E'比差距極大、說明書未載明第078 號專利申請專利範圍第1 項之1 到3.6 的E'比，從而該請求項顯然無法為熟習該項技術者所瞭解，遑論據以實施。 3.第078號專利申請專利範圍第1項不具新穎性： ⑴由被證3、5、6、7、14、15、27、28，可知Rodel公司型號「RodelR IC1000 CMP Pad」之拋光墊（下稱「IC1000 拋光墊」）早在西元1999年之前即已公開販售，再由被證4、5、6、8、16、27、28、29，可知Rodel公司型號「Su baIV」之拋光墊（下稱「Suba IV拋光墊」）早在西元1992年之前即已公開販售，且上開二拋光墊均已揭露「在30 ℃到90℃時約為1到3.6的E’比」之技術特徵，故第078號專利申請專利範圍第1項不具新穎性。 ⑵美國第6,022,268號專利（即被證2）之公告日為西元2000年2月8日，早於第078號專利所主張之優先權日，其所揭露之拋光襯墊其中一特徵為「在30℃及60℃時的張力模數比為1. 0到2.5」，而系爭第078號專利申請專利範圍第1 項至多僅能解釋為「在30℃到90℃之溫度範圍內，任選二溫度得出之E’比約為1到3.6」，故被證2已揭露系爭專利上開技術特徵，可證第078 號專利申請專利範圍第1 項不具新穎性。 4.第078號專利申請專利範圍第1項不具進步性： ⑴被證2及被證9之組合可證其不具進步性：被證2 揭露一用以拋光半導體元件或其先質表面之拋光襯墊，其在30℃及60℃時的張力模數比為1.0 到2.5 ，此已為原告所自認。被證9 已揭露一種可供製造「研磨物件」之研磨材料，其在30℃及90℃時之張力模數比約為2.5 ，原告亦不否認。由於拋光半導體元件或其先質表面之拋光襯墊當然屬於「研磨物件」之一種，故被證2 及被證9 實屬同一技術領域，而得為熟習該項技術者所輕易相互結合及參考。熟習該項技術者自得將被證9 所揭露之「於30℃及90℃之E ’比約為2.5 」之研磨材料運用於被證2 之拋光襯墊，而輕易完成第078 號專利申請專利範圍第1 項之「具有一在30℃到90℃時約為1 到3.6 的E ’比」之拋光襯墊。 ⑵被證10及被證11之組合可證其不具進步性： Suba IV 及IC1000二種拋光襯墊於30℃及90℃之剪力模數已為被證10所揭露，該二拋光襯墊於30℃及90℃之蒲松氏比亦屬已知之通常知識。技藝人士可輕易藉由被證11所揭露之關係式計算得出Suba IV 拋光襯墊於30℃及90℃之張力模數比為1.65、IC1000拋光襯墊於30℃及90℃之張力模數比為2.27，故均已揭露第078 號專利申請專利範圍第1 項所請之「拋光層在30℃到90℃時的E ’比約為1 到3.6 」之技術特徵，可證其不具進步性。㈢第224號專利申請專利範圍第1、8、11、13、17、23項應屬無效： 1.第224號專利上開申請專利範圍違反審定時專利法第71條第3款規定：系爭224號專利之「操作表面」、「次表面」、「在該磨光片操作表面的該聚合微體會比嵌在該次表面內的聚合微體較不堅硬，而導致該操作表面比該次表面更軟」之技術特徵，無法令熟習該項技術者瞭解，故無從據以實施，且系爭224 號專利所載「聚合微體」包含撓性無機鹽類，係記載不必要之事項，另說明書及請求項均未定義何謂「組織」、「微型組織」、「人造點」，是系爭224 號專利未載明實施必要之事項及記載不必要之事項，該請求項之實施為不可能或困難，有違審定時專利法第71條第3 款規定。 2.不具新穎性： ⑴由被證10、20、21等相關證據，足證IC1000拋光墊於系爭224號專利申請前已公開。其中由被證20型錄可知IC1000 拋光墊之產品型錄係於西元1991年發行，取得型錄之人均可基於其上之樣品而得知IC1000拋光墊之材質特徵，亦證IC1000拋光墊至少於1991年即已公開販售。Intel 公司前員工Ken Cadien之聲明書足證具有IC1000實際樣品之該型錄至少於西元1992年7 月31日前已可為公眾所取得，且該取得並不具有任何保密義務，亦未被要求收回，Rodel 公司在提供產品型錄時既未表示該型錄或型錄內產品為機密資訊，且型錄上亦無任何機密之標示，可見該產品型錄係公開發送。至原告所提約翰羅伯特等人之聲明書並無證據可資證明其為真實，自不足採信。又SEMATECH聯盟在1987年成立時之創始會員即已涵蓋當時美國境內半導體產業最知名且主要的廠商，其為當時拋光墊最主要之購買者與使用者，原告既自承Rodel 公司在第224 號專利申請日前即已銷售IC1000產品予該等廠商而供該等廠商使用，縱其等簽有保密條款，實質上已與公開銷售使用無異。另Rodel 公司於1993年5 月26日（早於第224 號專利申請日期）已在其所申請的美國專利US5,391,258 中提及IC1000產品，足見IC1000產品至少於該日已被公開使用。 ⑵再者，IC1000拋光墊具有以下技術特徵：「各聚合微體內部都具有中空空間」、「該磨光片具有一操作表面及一緊貼該操作表面的次表面」、「該聚合微體之一部分係在該操作表面上且曝露於一操作環境中，該聚合微體之另一部分係嵌在該磨光片中而未曝露於該操作環境中」、「在該操作表面中之該基質與該聚合微體二者皆使該工作件完成磨光」，而「磨光片包含浸漬有多數個大體上為撓性之聚合微體的聚合物基質」已為被證21揭露，原告雖質疑此並非第224號專利申請前存在之IC1000拋光墊，惟原告既自1991年以來仍持續使用IC1000拋光墊型號，顯見該拋光墊之材質自開始販售至今並無改變，IC1000之1991年型錄上附有真實樣品，該樣品亦已揭露此技術內容。至「在該磨光片操作表面的該聚合微體會比嵌在該次表面內的聚合微體較不堅硬，而導致該操作表面比該次表面更軟」，依原告所提之鑑定方法，被證10之期刊論文已足證IC1000拋光墊已揭露此技術特徵。故由被證10、20、21等相關證據可可證明系爭224 號專利不具新穎性。 3.不具進步性： ⑴IC1000拋光墊（相關證據為被證10、20、21）組合被證22 證明系爭224號專利申請專利範圍第1、8、11、13項不具進步性： ①被證22已揭露下述技術特徵：「該磨光片包含浸漬有多數個大體上為撓性之聚合微體的聚合物基質」、「該磨光片具有一操作表面及一緊貼該操作表面的次表面」、「該聚合微體之一部分係在該操作表面上且曝露於一操作環境中，該聚合微體之另一部分係嵌在該磨光片中而未曝露於該操作環境中」、「在該操作表面中之該基質與該聚合微體二者皆使該工作件完成磨光」等，又被證2已揭露微粒可由聚合物構成之，亦已揭露該微粒得為中空球狀，自已揭露系爭專利「聚合微體內部具有中空空間」之技術特徵，且被證22例示之環氧樹脂、不飽和聚酯樹脂、三聚氰胺樹脂、矽樹脂等交聯高分子材料可具有撓性之事實於被證22公開日前早已屬於通常知識，是以熟習該項技藝者根據被證22之揭露及該等通常知識，自可毫無困難地瞭解被證22已揭露構成「微粒」之該等聚合物材料皆可具有撓性，且由該等具撓性之交聯高分子材料所構成之該「微粒」亦可具有撓性。另IC1000拋光墊具有「當該磨光片與該操作環境接觸時，由於在該操作表面上之該聚合微體的該部分之曝露於該操作環境中，在該磨光片操作表面的該聚合微體會比嵌在該次表面內的聚合微體較不堅硬，而導致該操作表面比該次表面更軟」之技術特徵，故其組合可證明系爭224 號專利申請專利範圍第1 項不具進步性。 ②依被證21，IC1000拋光墊所包含之聚合微體之平均直徑小於150微米，又被證22已揭露該微粒之粒徑為300微米以下，故二者均已揭露系爭專利第8項「該聚合微體各具有小於150微米的平均直徑」之技術特徵。 ③被證21顯示IC1000拋光墊所包含之聚合微體多為球形，被證22亦已揭露拋光墊之微粒得為中空球狀，故兩者均已揭露系爭專利第11項之技術特徵。 ④IC1000拋光墊與被證22已揭露拋光墊之微粒得由聚合物構成具有中空空間之微粒，倘依原告之解釋，由於拋光墊表面之該等中空聚合物材料之微粒會因磨蝕等作用而被破壞，從而該殼層因被穿透而使得其中空空間開放於操作環境中，故兩者均已揭露系爭專利第13項之技術特徵。 ⑵IC1000拋光墊（相關證據為被證10、20、21）組合被證22 、23證明系爭224號專利申請專利範圍第17、23項不具進步性： ①被證23揭示一種用於半導體製程之拋光墊，該拋光墊上之溝槽寬度約為1毫米（即1000微米），是「該操作表面更包含一與該磨光片成一體的微型組織，該微型組織內含具有寬度小於1000微米之人造點」之技術特徵已為被證23所揭露，另系爭224 號專利申請專利範圍第17項之其餘技術內容亦已分別為先前技術IC1000拋光墊、被證 22、被證23所揭露，故不具進步性。 ②被證23已揭露具有「組織化之操作表面」之用以平面化半導體元件之拋光墊及「該組織化之操作表面與該磨光片及在該操作表面上之該聚合微體之該部分成一體且包括一人造點」，另第224號專利申請專利範圍第23項之其餘技術內容亦已分別為先前技術IC1000拋光墊、被證22 、被證23所揭露，故不具進步性。㈣並聲明：⑴原告之訴及假執行聲請均駁回。⑵訴訟費用由原告負擔。⑶如受不利判決，請准供擔保宣告免為假執行。三、兩造不爭執事項：㈠訴外人羅德爾控股公司於90年5 月25日向智慧局申請「化學機械平面化之拋光襯墊」發明專利，經該局審查核准後，發給第176078號專利證書，專利權期間自92年4 月21日起至 110 年5 月24日止，優先權日為89年5 月27日及89年7 月28日，嗣93年6 月1 日變更專利權人名稱為原告。㈡訴外人羅德爾控股公司於82年6 月21日申請「用於磨光工作件表面之磨光片及其製造及使用方法」發明專利，經智慧局審查核准後，發給第075224號專利證書，專利權期間自84年12月1 日起至102 年6 月20日止，嗣93年6 月1 日變更專利權人名稱為原告。四、本院之判斷：按「當事人主張或抗辯智慧財產權有應撤銷、廢止之原因者，法院應就其主張或抗辯有無理由自為判斷，不適用民事訴訟法、行政訴訟法、商標法、專利法、植物品種及種苗法或其他法律有關停止訴訟程序之規定」，智慧財產案件審理法第16條第1 項定有明文。被告抗辯系爭078 號專利、224 號專利有應撤銷原因存在，本院就此抗辯應自為判斷。㈠系爭078號專利部分： 1.本件系爭專利申請專利範圍共計10項，其中第1 、8 項為獨立項，其餘為附屬項。原告主張系爭產品侵害系爭078 號專利申請專利範圍第1 項，是本件僅就第1 項為論述。又系爭078 號專利係於90年5 月25日申請，經審定核准專利後，於92年4 月21日公告等情，有系爭078 號專利專利證書及專利說明書附卷可參（見本院卷㈠第14、15頁），因此，系爭078 號專利有無撤銷之原因，應以核准審定時即90年10月24日修正公布之專利法為斷（下稱90年專利法）。 2.系爭078號專利之技術內容： ⑴系爭078 號專利係一種用來拋光半導體元件或其先質之表面，以及平面化半導體晶圓上之金屬波紋結構的襯墊和方法，該襯墊之拋光層具有一在30℃到90℃為約1 到3.6 的E'比。大致係關於在半導體元件製造期間用來拋光和/ 或平面化基板，特別是金屬或含金屬基板的拋光襯墊（見本院卷㈠第16至17頁之發明摘要及發明說明）。 ⑵系爭078 號專利申請專利範圍第1 項為「一種用來平面化一半導體元件或其先質表面之拋光襯墊，該襯墊之特徵為：一用來平面化該表面之拋光層，該層具有一在30℃到90℃時約為1到3.6的E'比」。 3.申請專利範圍用語之解釋： ⑴按用於解釋申請專利範圍之證據包括內部證據與外部證據，內部證據包括請求項之文字、發明說明、圖式及申請歷史檔案。發明說明包括發明所屬之技術領域、先前技術、發明內容、實施方式及圖式簡單說明。申請歷史檔案係指自申請專利至維護專利權過程中，申請時原說明書以外之文件檔案，如申請、舉發或行政救濟階段之補充、修正文件、更正文件、申復書、答辯書、理由書或其他相關文件等。 ⑵兩造對於系爭078 號專利申請專利範圍第1 項「該層具有一在30℃到90℃時約為1 到3.6 的E'比」之用語應如何解釋有爭執，查系爭078 號專利之專利說明書第6 頁最後一行記載「…在30℃和90℃時為從約1.0 到約5.0 的E' 比 …」、第7 頁第9至10 行記載「…在30℃和90℃時為從約1.0 到約3.5 的E'比。」、第14頁表之參數項目記載「在30℃和90℃時之E'比」、第14頁倒數第4 行記載「…在30℃和90℃時下所測得之模數比…」、第17頁表1 之參數項目記載「在30℃和90℃時之E'比」、第18頁表2 之參數項目記載「在30℃和90℃時之E'比」、第19頁表3 之參數項目記載「在30℃和90℃時之E'比」、第21頁表5 之參數項目記載「在30℃和90℃時之E'比」、第22頁下面之表之參數項目記載「在30℃和90℃時之E'比」、第23頁表之參數項目記載「在30℃和90℃時之E'比」（依序見本院卷㈠第17頁背面、第18頁、第21頁背面、第23至24頁、第25至25頁背面），均明確指出系爭078 號的主要技術特徵在於界定「在30℃和90℃時所測得之模數E'比」，故系爭078 號專利申請專利範圍第1 項之「該層具有一在30℃到90℃時約為1 到3.6 的E'比」應解釋為「該層具有一在30℃和90℃時所測得之E'比約為1 到3.6 」，被告主張應解釋為「在30℃到90℃之溫度範圍內，任選二溫度得出之E'比約為1 到3.6 」云云，洵屬無據。 4.本件引證案之說明：本件被告以「IC1000拋光墊」（相關證據為被證3、5、6、7、14、15、27、28）、「Suba IV拋光墊」（相關證據為被證4、5、6、8、16、27、28、29）、被證2證明系爭078號專利申請專利範圍第1 項不具新穎性，以被證2 、9 或被證10、11之組合證明系爭078 號專利申請專利範圍第1 項不具進步性（見本院卷㈡第210 頁），本院認被證2 、9 之組合已可證明系爭078 號專利申請專利範圍第1 項不具進步性（詳後述），故僅就上開引證為說明，茲將上開引證之技術內容說明如下： ⑴被證2 之技術內容（見本院卷㈠第241至244頁）：被證2 為美國US0000000 號「Polishing pads and method s relating thereto」專利，其公告日為89(2000)年2 月8 日，早於系爭078 號專利申請日90年5 月25日（優先權日89年5 月27日、89年7 月28日），可為系爭078 號專利之先前技術。被證2 揭示可用於製造半導體元件或類似物之經改良之拋光墊（This invention describes improv ed polishing pads useful in the manufacture of semiconductor devices or the like.) 、具一親水性拋光層（ahydrophilic polishing layer) 、30℃張力模數對60℃張力模數之比值為1.0 至2.5 （aratio of tensile modulus at 30 ℃to tensile modulus at 60 ℃ of 1.0 to 2.5) 。 ⑵被證9 之技術內容（見本院卷㈠第278至283頁）：被證9 為美國US0000000 號「Abrasive article comprising polymeric compositions and abrasive grain」專利，其公告日為86(1997)年4 月22日，早於系爭078 號專利申請日90年5 月25日（優先權日89年5 月27日、89年7 月28日），可為系爭078 號專利之先前技術。被證9 揭示特別適合應用在製造彈性磁性紀錄媒材與研磨工具上（ The compositions are especially useful in the fabrication of flexible magnetic recording media and abrasive articles.）；第1 圖顯示實施例2 （玻璃狀樹脂GLASSY RESIN) 之E'(30 ℃) 約為2500Mpa ，E'(90 ℃) 約為925Mpa，E'(30 ℃)/E'(90 ℃) 之比值為2.70；第3 圖中顯示使用甲苯(TOL：toluene)為溶劑所製造之實施例3 ，E'(30 ℃) 約為3100Mpa ，E'(90 ℃) 約為1225Mpa ，E'(30 ℃)/E'(90 ℃) 之比值約為2.53；第3 圖中使用甲基異丁基酮(MIBK ：methyl isobutyl ketone) 為溶劑所製造之實施例3 ，E'(30 ℃) 約為2800Mpa ， E'(90 ℃) 約為975Mpa，E'(30 ℃)/E'(90 ℃) 之比值約為2.87。 5.系爭078 號專利申請專利範圍第1 項並未違反90年專利法第71條第3款規定： ⑴按說明書或圖式不載明實施必要之事項，或記載不必要之事項，使實施為不可能或困難者，專利專責機關應依職權撤銷其發明專利權，90年專利法第71條第3款定有明文。 ⑵查系爭078 號專利申請專利範圍第1 項之「該層具有一在30℃到90℃時約為1 到3.6 的E'比」應解釋為「該層具有一在30℃和90℃時所測得之E'比約為1 到3.6 」，且其30℃和90℃之E'模數可測得，已如前所述，又系爭078 號說明書第9 頁第5 段記載「…較佳方法為使用動態機械性分析技術（參見J.D. Ferry所著，紐約市Wiley 公司1961年出版之「聚合物的黏彈性性質」…）」（見本院卷㈠第19頁），均足見E'比可測得而能具體實施，並無被告所指無法測得比值或未指明其實施方法一事。至被告另稱系爭078 號專利說明書實施例所測E'比差距極大、說明書未載明申請專利範圍第1 項之1 到3.6 的E'比云云，惟查系爭078 號專利說明書第23頁表格已載明在30℃到90℃時的E'比範圍為1.0- 4.6、較佳範圍為1.0-4.0 、最佳範圍為1.0-3.5 （見本院卷㈠第26頁），是系爭078 號專利發明說明中所記載之實施例，已記載具體數值，熟習該項技術者能據以實施該發明者，是被告上開所辯委無足採，系爭078 號專利申請專利範圍第1 項並未違反90年專利法第71條第3 款規定。 6.被證2 、9 之組合足以證明系爭078 號專利申請專利範圍第1 項不具進步性： ⑴按利用自然法則之技術思想之創作，且可供產業上利用之發明，得依90年專利法第19條、第20條規定申請取得發明專利。又發明係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成時，不得依同法申請取得發明專利，同法第20條第2 項定有明文。 ⑵再按關於智慧財產權有無應撤銷、廢止原因之同一事實及證據，業經行政爭訟程序認定舉發或評定不成立確定，或已逾申請評定之法定期限，或其他依法已不得於行政爭訟程序中主張之事由，於智慧財產民事訴訟程序中，不得再行主張，智慧財產案審理細則第28條第2 項定有明文。查系爭078 號專利曾遭訴外人提起舉發，經智慧局審定舉發成立，並經訴願決定維持，惟本院以98年度行專訴字第67號判決撤銷原處分及訴願決定，經最高行政法院以100 年度判字第2223號判決駁回確定等情，有上開判決書附卷可參（見本院卷㈡第12至86頁），該舉發案中舉發人雖提出被證2 （即舉發證據之引證8 ）、被證9 （即舉發證據之引證3 ）為證，惟該案中舉發人係以被證9 證明系爭078 號專利申請專利範圍第1 項不具新穎性、以被證2 結合其他引證證明系爭078 號專利申請專利範圍第7 、9 項不具進步性，與本件被告係以被證2 、9 之組合證明系爭078 號專利申請專利範圍第1 項不具進步性不同，自非同一事實及證據，原告據此主張被告於本案中不得以被證2 、9 之組合作為系爭078 號專利無效抗辯云云，顯不足採。 ⑶經比對系爭078 號專利申請專利範圍第1 項與被證2 ，其中系爭078 號專利之「一種用來平面化一半導體元件或其先質表面之拋光襯墊」、「一用來平面化該表面之拋光層」，已揭露於被證2 之「可用於製造半導體元件或類似物之經改良之拋光墊」、「具一親水性拋光層」，所餘差異在於系爭078 號專利「該層具有一在30℃到90℃時約為1 到3.6 的E'比」技術特徵與被證2 之「30℃張力模數對60℃張力模數之比值為1.0 至2.5 」的技術內容不同而未為被證2 所揭露。然被證9 之實施例E'(30 ℃)/E'(90 ℃) 比值約為2.73、2.53、2.87，均已揭露前揭差異技術特徵，是被證2 與被證9 之組合已揭露系爭078 號專利申請專利範圍第1 項之所有技術特徵；又被證9 應用於製造彈性磁性紀錄媒材與研磨工具，與系爭078 號專利、被證2 之半導體平面化研磨雖略有不同，惟三者均為應用於電子產業的研磨加工技術，其具有共通之技術特徵如E'比等，組合被證2 、被證9 之技術對熟習電子產業研磨加工技術業者而言並無明顯困難，故具熟習電子產業研磨加工技術之通常知識業者依被證2 可用於製造半導體元件或類似物之經改良之拋光墊、被證9 「應用於製造彈性磁性紀錄媒材與研磨工具」E'(30 ℃)/E'(90 ℃) 比值約為2.73、2.53、2.87的教示，即有動機將系爭078 號專利申請專利範圍第1 項實現為「該層具有一在30℃到90℃時約為1 到3. 6的E'比」之所有技術特徵；再者，觀之系爭078 號專利說明書第6 頁第4 行記載「在理想狀況下，於拋光後導電性插頭和線路為完全平坦且在所有情況下均為相等截面厚度，但實際上，橫跨金屬結構寬度各處的厚度會發生明顯的差異，且表面中央通常較邊緣具有較小厚度，此種效應，普通稱之為『凹化作用』」（見本院卷㈠第17頁背面），足見拋光襯墊之模數儘可能地小幅且隨溫度增加作線性改變係為熟習電子產業研磨加工技術業者所知之必要性質，而被證9 之實施例所揭露之E'(30 ℃)/E'(90 ℃) 比值約為2.73、2.53、2.87，其所揭露之E'比值自具有低彈性回復力而為其固有性質，是系爭078 號專利僅係運用被證9 所揭露之固有性質，其所產生之低彈性回復力之功效自非無法預期。準此，被證2 與被證9 之組合自可證明系爭078 號專利申請專利範圍第1 項不具進步性。 ⑷至原告雖主張被證2 、9 分別用於不同領域之研磨墊，系爭078 號專利所屬技術領域難以組合被證2 、9 來完成系爭078 號專利申請專利範圍第1 項之發明云云。惟被證9 應用於製造彈性磁性紀錄媒材與研磨工具，與系爭078 號專利及被證2 應用於半導體平面化研磨，均為應用於電子產業的研磨加工技術，組合被證2 、9 之技術對熟習電子產業研磨加工技術業者而言並無明顯困難，且系爭078 號專利申請專利範圍第1 項僅用「一種用來平面化一半導體元件或其先質表面之拋光襯墊」作為用途限定，並以物理性質「彈性模數E'在兩溫度之比值」來界定申請專利範圍的技術特徵，完全無揭露研磨墊的材料組成結構，在非用「材質」結構來界定下，適足以促使熟習電子產業研磨加工技術業者，以物理性質「彈性模數E'在兩溫度之比值」相關技術來應用於半導體元件研磨技術，將使被證2 「應用於半導體平面化研磨」、被證9 「應用於製造彈性磁性紀錄媒材與研磨工具」在組合上並無困難，故原告主張所屬技術領域者難以組合被證2 與被證9 來完成系爭078 號專利申請專利範圍第1 項之發明云云，尚無足取。㈡系爭224號專利部分： 1.系爭224 號專利申請專利範圍共計35項，其中第1 、23、24、25、27、28、35項為獨立項，其餘為附屬項。原告主張系爭產品侵害系爭224 號專利申請專利範圍第1 、8 、11、13、17、23項，是本件僅就上開請求項為論述。又系爭224 號專利係於82年6 月21日申請，經審定核准專利後，於84年12月1 日公告等情，有系爭224 號專利專利證書及專利說明書附卷可參（見本院卷㈠第125 、127 頁），因此，系爭224 號專利有無撤銷之原因，應以核准審定時即83年1 月21日修正公布之專利法為斷（下稱83年專利法）。次按利用自然法則之技術思想之創作，且可供產業上利用之發明，得依83年專利法第19條、第20條規定申請取得發明專利。又發明係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成時，不得依同法申請取得發明專利，同法第20條第2 項定有明文。 2.系爭224號專利之技術內容： ⑴系爭224 號專利係有關一種製造物件或磨光片以變更操作件表面者，例如將半導體裝置磨光或平面化者。該物件包括一浸注著眾多聚合微體的聚合物基質，每個聚合微體內部具有空洞。該物件具有一操作表面及緊貼該操作表面的次表面。當該物件與操作環境接觸時，在該物件操作表面的聚合微體會變得比包埋在次表面內部的聚合微體更不堅硬。當物件的操作表面在使用中被磨蝕掉時，該磨片的操作表面可連續地再生。於另一較佳實施例中，該操作表面可更包含一小型組織及/ 或巨型組織。較佳者，該小型組織係將至少一部份操作表面予以斷片圖案化而形成者。其發明也包括減少物件操作表面處的聚合微體之有效堅硬度，將物件操作表面予以再生以及用該物件將半導體裝置的表面予以平面化等諸方法（見系爭224 號專利發明摘要，本院卷㈠第127 頁背面）。其主要示意圖如附圖1 所示。⑵系爭224 號專利申請專利範圍第1 、8 、11、13、17、23項如下： ①第1 項：一種用以磨光一工作件之表面的磨光片，該磨光片包含浸潰有多數個大體上為撓性之聚合微體的聚合物基質，各聚合微體內部都具有中空空間，該磨光片具有一操作表面及一緊貼該操作表面的次表面，該聚合微體之一部分係在該操作表面上且曝露於一操作環境中，該聚合微體之另一部分係嵌在該磨光片中而未曝露於該操作環境中，其中當該磨光片與該操作環境接觸時，由於在該操作表面上之該聚合微體的該部分之曝露於該操作環境中，在該磨光片操作表面的該聚合微體會比嵌在該次表面內的聚合微體較不堅硬，而導致該操作表面比該次表面更軟，且在該操作表面中之該基質與該聚合微體二者皆使該工作件完成磨光。 ②第8 項：如申請專利範圍第1 項所述之磨光片，其中該聚合微體各具有小於150 微米的平均直徑。 ③第11項：如申請專利範圍第1 項所述之磨光片，其中該聚合微體之至少一部份之形狀大體上為球形。 ④第13項：如申請專利範圍第1 項所述之磨光片，其中該聚合微體之至少一部份具有可穿透的殼層使得該中空空間可開放於該操作環境。 ⑤第17項：如申請專利範圍第1 項所述之磨光片，其中該操作表面更包含一與該磨光片成一體的微型組織，該微型組織內含具有寬度小於1000微米之人造點。 ⑥第23項：一種用以磨光工作件表面的磨光片，包含一聚合物基質，其浸漬有多個大體上為撓性之聚合微體，各聚合物基質內部都具有中空空間，該物件具有一組織化之操作表面及緊貼該操作表面的次表面，該聚合微體之一部分係在該操作表面上且曝露於一操作環境中，該聚合微體之另一部分嵌在該磨光片中而未曝露於該操作環境中，該組織化之操作表面與該磨光片及在該操作表面上之該聚合微體之該部分成一體且包括一人造點，其中當該磨光片與該操作環境接觸時，由於在該操作表面上之該聚合微體的該部分之曝露於該操作環境中，在該磨光片操作表的該聚合微體會比包埋在該次表面內的聚合微體較不堅硬，而導致該操作表面比該次表面更軟，且在該操作表面中之該基質與該聚合微體二者皆使該工作件完成磨光。 3.本件引證案之說明：本件被告以「IC1000拋光墊」（相關證據為被證10、20、21）證明系爭224號專利上開申請專利範圍不具新穎性，以「IC1000拋光墊」（相關證據同上）組合被證22證明系爭224號專利申請專利範圍第1、8、11、13項不具進步性，以「IC1000拋光墊」（相關證據同上）組合被證22、23證明系爭224 號專利申請專利範圍第17、23項不具進步性（見本院卷㈢第496 至497 頁），茲將上開引證之技術內容說明如下： ⑴被證10之技術內容（見本院卷㈠第254 至286 頁）：被證10為學術文章「The effect of the polishing pad treatments on the chemical-mechanical polishing ofSiO2 films」，刊載於1995年出版之學術期刊「Thin Solid Films 」第270 期第601 至606 頁，該文章之公開日期晚於系爭224 號專利之申請日(1993 年6 月21日)，不足為系爭224 號專利之先前技術。 ⑵被證20 之技術內容（見本院卷㈢第8頁）： ①被證20為Rodel 公司型錄，其左下角記載「c 1991 Rodel 」及Rodel 公司之地址，右下角記載「12/91 」及Rodel 公司之電話及傳真號碼，足見被證20係Rodel 公司於1991年12月發行之型錄，又依一般商業習慣，廠商於型錄印製完成後即會將之提供予相關領域之交易相對人參考，該型錄上既有「12/91 」之日期記載，應可認被證20型錄於1991年12月已公開，其公開日早於系爭224 號專利申請日（1993年6 月21日），可為系爭224 號專利相關之先前技術。被證20揭示型號「IC」之產品，其材質為具有微孔之聚胺基甲酸酯，並揭示各IC型號產品的厚度、蕭式硬度(Shores hardness) 及比重。 ②原告雖不否認被證20所載之日期，惟主張此因Rodel 公司於1990年欠缺部分設備而交付實驗品「XHGM1128研磨墊」予英特爾公司，雙方約定應保密，在系爭224 號專利申請前被證20型錄並無公開於不特定人之狀態等語，並提出約翰‧羅伯特、喬治‧麥克連及羅戴爾公司職員李‧庫克之聲明書為證（見本院卷㈢第423 至459 頁）。惟按經兩造同意者，證人亦得於法院外以書狀為陳述；另證人以書狀為陳述者，仍應具結，並將結文附於書狀，經公證人認證後提出，民事訴訟法第305 條第3 、6 項定有明文。查被告並未同意約翰‧羅伯特、喬治‧麥克連、李‧庫克於法院外以書狀為陳述，並否認其聲明內容之真實，而原告所提上開聲明書雖經德拉瓦州公證人公證，惟該等證人所為聲明書係審判外之陳述，未經法院訊問，並命其具結，揆諸上開說明，自不能等同證人到庭之證詞，而作為被證20型錄於系爭224 號專利申請前是否公開之證據，要無庸疑。退步言，縱認聲明書可為證據，然觀之喬治‧麥克連、李‧庫克之聲明書內容，其等僅提及Rodel 公司曾交付予英特爾公司實驗階段之研磨墊，雙方簽立保密協議僅得對SEMATECH聯盟成員進行銷售等語，並未提及被證20型錄是否於系爭224 號專利申請前已公開，而約翰‧羅伯特之聲明書記載「13. 唐諾‧布汀諾於1991年知悉實驗階段之XHGM1128研磨墊，並於其製作之1991年12月份產品型錄中提及IC1000研磨墊」、「15. 威廉‧布汀諾在獲知該型錄出錯後感到相當沮喪，因為XHGM產品尚在實驗階段、還未準備好推出，特別是威廉‧布汀諾不想推出一個羅戴爾公司還無法可靠製造出的產品」、「16. 威廉‧布汀諾指示羅戴爾公司，在製造過程的問題解決前，不要散發IC1000之型錄或宣傳尚在實驗階段之XHGM產品」，再參酌被告所提前英特爾員工Ken Cadien之聲明書記載「4.約於1992年6 月，但不晚於1992年7 月31日，我自Rodel.Inc 收到一份產品型錄，影本如附件B 。」、「5. Rodel.Inc提供給我之產品型錄係不具機密性之行銷型錄，我並無任何義務須對於該產品型錄中之資訊或其所附之產品樣本以任何方式保持其機密性」（見本院卷㈣第 185 頁），足見威廉‧布汀諾對於被證20之型錄出錯感到沮喪，雖曾指示Rodel 公司不要散發此型錄，然此型錄確實已流通出Rodel 公司，且收到型錄者並未予以保密，是縱使Rodel 公司與英特爾公司簽有保密協議，然仍無礙無該型錄已公開之事實。綜上，原告主張被證20未於系爭224 號專利申請前公開云云，洵不足採，被證20自可作為系爭224 號之相關先前技術。 ⑶被證21之技術內容（見本院卷㈢第10至11頁）：被證21為Rodel 公司於2012年7 月6 日簡報資料，簡報日期晚於系爭224 號專利之申請日（1993年6 月21日），不足為系爭224號專利之先前技術。 ⑷被證22之技術內容（見本院卷㈢12至14頁）：被證22為79年（1990年）9 月14日公開之日本平0-000000「研磨パツド」專利，其公開日早於系爭224 號專利之申請日（1993年6 月21日) ，可為系爭224 號專利之相關先前技術。被證22揭示拋光用之研磨墊，其製法包含：將發泡聚胺基甲酸酯材料中填充微粒、經混練機或分散機使該微粒均勻分散、將含有微粒之發泡聚胺基甲酸酯樹脂塊體加工切成片狀而形成厚度0.3~2 毫米之片料，而製成研磨墊，該研磨墊之微粒，可選自中空球狀氧化矽等粒子（見被證22第453 左上欄第10行至右上欄第14行）。 ⑸被證23之技術內容（見本院卷㈢第15至21頁）：被證23為82年（1993年）5 月25日公開之美國第5,212, 910 號「Composite polishing pad for semiconductor process 」專利，其公開日早於系爭224 號專利之申請日（82年6 月21日），可為系爭224 號專利之相關先前技術。被證23揭示利用鉅刀或化學蝕刻等方法於拋光墊(polishing pad)上形成一人造點組織(tiles pattern) ，包含相距1 厘米寬之通道(channel)26 及被通道26所區隔之人造點(tiles)25 （見被證23第4 欄第52至59行、第5 欄第42至47行）。其主要示意圖如附圖2所示。 4.系爭224 號專利申請專利範圍第1 項並未違反83年專利法第71條第3 款規定： ⑴按說明書或圖式不載明實施必要之事項，或記載不必要之事項，使實施為不可能或困難者，專利專責機關應依職權撤銷其發明專利權，83年專利法第71條第3 款定有明文。被告辯稱系爭224 號專利之「操作表面」、「次表面」、「在該磨光片操作表面的該聚合微體會比嵌在該次表面內的聚合微體較不堅硬，而導致該操作表面比該次表面更軟」之技術特徵，無法令熟習該項技術者瞭解，故無從據以實施，且系爭224 號專利所載「聚合微體」包含撓性無機鹽類，係記載不必要之事項，另說明書及請求項均未定義何謂「組織」、「微型組織」、「人造點」，有違審定時專利法第71條第3 款規定。 ⑵經查，有關「操作表面」、「次表面」部分，系爭224 號專利說明書第9 頁末段記載「本發明物件10等本身即可用為磨光片或在使用磨光漿的磨光操作中為基質以對半導體裝置，矽裝置，晶體，玻璃，陶瓷，聚合塑膠材料，金屬，石頭或其他表面等產生所需的表面整理」、第10頁第二段記載「物件10等係用以經由磨光操作，例如，研光，平面化，研磨或成形等將操作件( 未繪出) 的表面（亦未繪出）變更」、第13頁第3 至5 行記載「於本發明一較佳實施例中，至少有一部份位於操作面18的聚合微體16' 會在接觸操作環境（未繪出）或磨光漿液時變軟」等語（依序見本院卷㈠第131 頁、131 頁背面、第133 頁），可見系爭224 號專利之磨光片（或物件10）係應用於工作件（如半導體裝置、矽裝置、晶體、玻璃、陶瓷、聚合塑膠材料、金屬、石頭等）之表面磨光處理，熟習系爭224 號專利技術者依上揭說明書內容，自可瞭解該磨光片之操作環境為磨光操作進行之環境，「操作表面」即為磨光片與操作環境接觸之部分。再觀之系爭224 號專利說明書第4 頁第4 段載有「傳統的磨光片通常是由多層層合物或層疊基材等所形成，其物理性質會沿磨片的厚度而呈不均勻分佈。... 於典型磨光操作中，這種層疊片的頂層會迅速磨耗掉。當頂層磨耗掉時，後接層即暴露出，使得磨片的磨光性質發生變異，導致不一致的磨光率而在操作件表面上造成不一致的磨光特性。」、第6 頁第2 、3 段載有「有需要提出一種供磨光和其他操作用之基質，其中，添加劑粒子分佈可在分子規模上達到最適化。此外，也需要有一種聚合物基質，其中，該基質的表面可自己再生且不會在該表面與操作件接觸時有明顯地變異。......本發明的一部份為一種用以變更操作件表面的製造物件。該物件係由浸注眾多聚合微體的聚合物基質所構成。每一聚合微體內都具有空洞。該物件具有一操作表面及緊貼該操作表面的次表面」（見本院卷㈠第128 頁背面、129 頁背面），可見系系爭224 號專利發明目的之一在於解決傳統（習知）層疊式之磨光片各層磨光率不一之缺點，而提出非層疊結構之磨光片，因此，系爭224 號專利所謂「磨光片具有一操作表面及一緊貼該操作表面的次表面」，係指操作表面與次表面呈連續且結構相似，非如傳統磨光片各層間有明顯之界分。再者，系爭224 號專利說明書第21頁第2 段載有「當磨片12的操作面18透過與半導體裝置表面的滑動接觸而被磨蝕時，部份的次表面24會暴露出來並將次表面24內的微體16予以磨蝕或化學變更或軟化而形成具有類似前面被磨蝕掉的操作面所具物理性質之新的操作表面18。因此之故，與半導體裝置表面接觸的操作面18基本上會連續地再生而在半導體裝置的表面上產生一致的平面化或磨光作用」（見本院卷㈠第137 頁），足見當「操作表面」磨蝕後，「次表面」隨即曝露而成為新的「操作表面」，職是，依二者之關聯及上揭發明目的，熟習該項技術者應可明瞭「次表面」係指磨光片操作表面以外的部分，即磨光片中未與操作環境接觸之部分。又系爭224 號專利圖式第1、3圖亦例示有「操作面18」與「次表面24」之關係，且其於說明書實施例亦例示磨光片之製法：包含將聚合微體均勻分布於聚合物基質中，使「操作表面」、「次表面」均包埋有聚合微體，是由上揭說明書內容應足使熟習系爭224 號專利技術者瞭解「操作表面」與「次表面」之技術內容，並得據以實施，並無被告所稱違反審定時專利法第71條第3 項之情事。至被告另辯稱系爭224 號專利說明書載有「物件10具有一操作表面18和緊貼該操作面18的次表面24，... 較佳者，該操作表面18的厚度約為5 μm 到約60μm 」，有違通常知識者對「表面」之定義云云，惟磨光操作進行時，待磨光之工作件（如半導體裝置）與磨光片之接觸並不限於「平面」，蓋工作件表面不平整之突起物亦有可能造成磨光操作之環境延伸至磨光片內，是系爭224 號專利說明書定義「操作表面」具有厚度並無明顯悖於原理，況上揭說明書對厚度之定義尚不致使熟習該項技術者誤解其內容而無法據以實施，是被告上開主張要不足採。⑶次查，有關「在該磨光片操作表面的該聚合微體會比嵌在該次表面內的聚合微體較不堅硬，而導致該操作表面比該次表面更軟」部分，系爭224 號專利說明書第7 頁末段載有「本發明的另一部份為一種將接觸操作環境的物件所含一部份操作表面內的聚合微體之有效堅硬度予以減低之方法。該方法包括下列步驟：提出一種由聚合物基質構成的物件；將該聚合物基質浸注眾多聚合微體，每一聚合微體內部皆有一空洞，其中該物件具有一操作表面及緊貼操作表面的次表面；及將包含該聚合微體的部份操作表面組織化」（見本院卷㈠第130 頁）、第12頁第4 、5 段載有「如第1 圖所示者，每一聚合微體16內部具有一空洞22。較佳者，至少有一些聚合微體16內部具有眾多空洞22，如第3 圖中所示者。最好但不是必要時，每一空洞22概括地含有氣體，其壓力大於大氣壓以幫助維持住分別位於聚合物基質14的操作面18與次表面24內的微體16' ，16之構造完整性。該聚合微體可具有可穿透或可穿刺的殼層20，如第11圖中所示者，使得微體16' 內的空洞22能開放到操作環境」（見本院卷㈠第132 頁背面），第13頁第2 段「如第1 圖所示者，於本發明一較佳實施例中，至少有一部份位於操作面18的聚合微體16' 會在接觸操作環境（未繪出）或磨光漿液時變軟。例如，水溶性纖維素醚類，如甲基纖維素在與磨光水漿液中的水接觸時會溶解掉」、第3 段載有「如第1 圖所示者，於本發明另一較佳實施例中，至少有一部份位於操作表面18的聚合微體16' 在接觸操作環境之下會膨脹。例如，較長鏈的纖維素醚在與磨光水漿液中的水接觸時會膨脹」、第5 段載有「本發明的一項優點為在物件10與操作環境接觸時，位於物件10操作表面18的聚合微體16' 會比包埋在次表面24內的聚合微體16較不堅硬。此外，較不堅硬的聚合微體16' 對於聚合物基質14中包圍較不緊固的微體之部份15提供較少支撐，因而減低包圍住該聚合物基質部份15的基質之有效堅硬度。因此之故，在物件10中創造出至少兩種硬度水平，操作表面18通常比次表面24較為軟」（見本院卷㈠第133 頁），第20頁第3 段載有「該方法更包括將物件10或110 的至少一部份操作面18接觸操作環境之步驟，使得物件10或110 的操作面18上之聚合微體16' 比在緊接的次表面24中之聚合微體16較不堅硬。例如，緊貼操作面18的至少一部份聚合微體16之一部份殼層20可能經由削片，磨蝕，切割和穿刺一部份的殼層20或將一部份殼層20經由化學變更或軟化等而使得操作面18上的一部份聚合微體比次表面24中的微體16較不堅硬」（見本院卷㈠第136 頁背面）等語，熟習該項技術者由上揭說明書內容應可明瞭，系爭224 號專利係以機械方式（以削片、磨蝕、切割或穿刺方法破壞聚合微體之殼層之完整性）或以化學改質、軟化之方式，使聚合微體殼層結構產生改變（如使聚合微體接觸操作環境時發生溶解或膨脹），又因於操作表面之聚合微體較不堅硬，故其對於周圍之聚合物基質的支撐自會減低，以致磨光片操作表面通常比次表面較為軟，易言之，系爭224 號專利係藉由改變操作表面上聚合微體之硬度，達成磨光片中至少兩種硬度水平（即操作表面比次表面較為軟）之目的及功效。據上，系爭224 號專利申請專利範圍中「在該磨光片操作表面的該聚合微體會比嵌在該次表面內的聚合微體較不堅硬，而導致該操作表面比該次表面更軟」之技術特徵，即是藉由機械方式、化學改質或軟化使操作表面之聚合微體硬度不同於位於次表面者，進而造成磨光片之操作表面與次表面之硬度差異，說明書既已詳細說明上述技術內容，並輔以實施例說明達成目的之技術手段，應足使熟習該項技術者瞭解其內容並得據以實施，自無違反審定時專利法第71條第3 項之情事。 ⑷再查，有關「撓性」部分，依被告所提GRANT&HACKH 氏化學辭典第238 頁所示（見本院卷㈤第229 頁），flexibility(撓性) 」係指「一物體在不斷裂的情況下彎曲之能力」，是以「撓性」乙詞係描述物體受力時彎曲程度之性質，該性質為任何物體均具有之，差異僅在於不同物體撓性「程度」不同而已。準此，系爭224 號專利說明書第11頁第三段例示聚合微體「包括無機鹽類，糖類和水溶性膠與樹脂」，該「以無機鹽類所製之聚合微體」尚不致於與其申請專利範圍第1 項界定「大體上為撓性之聚合微體」之技術特徵產生矛盾，被告辯稱此部分為記載不必要之事項，使實施為不可能或困難云云，委無足採。 ⑸末查，有關「組織」、「微型組織」、「人造點」部分，查系爭224 號專利說明書載有「傳統的磨光片通常具有結構化表面。磨片的“微型組織”為磨片在製造後的內稟微觀主體組織。」、「“小型組織化”磨片在片上具有中間尺寸的組織化人造點，可能是由於使用雷射所產生，或因為空氣或氣體摻到片材內而產生。」及「“巨型組織”，或較大尺寸的組織化人造點，可經由例如壓紋，削片，穿孔及/ 或機削等而施加在磨片的操作面上」（見系爭224 號專利說明書第5 頁第2 至4 段、本院卷㈠第129 頁），足見「組織」或「人造點」係用於描述磨光片製造後表面之形貌，至「微型組織」、「小型組織」及「巨型組織」三者之字義上，僅有相對尺度大小之關係，並未侷限於特定尺度範圍。據上，系爭224 號專利申請專利範圍第17項所界定「微型組織內具有寬度小於1000微米之人造點」之技術特徵，係指磨光片製造後之形貌（微型組織）中「人造點」之距離小於1000微米，熟習該項技術者自能理解該內容並得據以實施，是無被告所稱實施為不可能或困難之情事。另系爭224 號專利說明書實施例5 雖載有「操作面18可包括一小型組織，其所具人造點具有約100 μm 到 5mm ，之間的寬度。」（見系爭224 號專利說明書第17頁末段、本院卷㈠第135 頁），僅是例示「小型組織」與「人造點」二者之尺度關係，並非限制二者之尺度範圍，被告以此主張系爭224 號專利申請專利範圍第17項所請發明實施為不可能云云，自不足採。 5.被證20、22之組合足以證明系爭224 號專利申請專利範圍第1 、8 、11、13項不具進步性： ⑴第1項部分： ①依系爭224 號專利申請專利範圍第1 項所示，其所請磨光片係由「聚合微體」、「聚合物基質」、「操作表面」及「次表面」共構之結構所構成，其中，該聚合微體為「大體上為撓性」、「內部都具有中空空間」且「一部分在操作表面上且曝露於操作環境中，另一部分嵌在該磨光片中而未曝露於操作環境中」，因而在操作表面的聚合微體會比嵌在次表面內的聚合微體較不堅硬，而致使磨光片之操作表面比次表面更軟。 ②查被證20揭示型號為「IC」之研磨墊產品，被證22揭示之研磨墊係用於半導體等之拋光用途（參見被證22第453 左欄末段、本院卷㈢第12頁），均與系爭224 號專利之磨光片均屬相同技術領域。被證20載有型號「IC」產品為具有微孔之聚胺基甲酸酯研磨墊，而系爭專利說明書載有磨光片之聚合基質可用聚胺基甲酸酯樹脂、聚酯等（見系爭專利說明書第10頁第3 段、本院卷㈠第131 頁背面），是被證20之聚胺基甲酸酯研磨墊相當於系爭專利申請專利範圍第1 項之「聚合基質」。再者，被證22研磨墊製法中載有「將發泡聚胺基甲酸酯材料中填充微粒... 藉由混練機或分散機使該微粒均勻分散，最後將製得之含有微粒之發泡聚胺基甲酸酯樹脂塊體加工切成片狀，形成厚度0.3~ 2毫米之片料，作成研磨墊」（見被證22第455 頁左上欄第10行至右上欄第14行、本院卷㈢第13頁），是被證22填充有「微粒」之「發泡聚胺基甲酸酯」所構成之研磨墊可對應於系爭224 號專利之浸漬有「聚合微體」之「聚合物基質」所構成之磨光片，且被證22之研磨墊係由含有微粒之發泡聚胺基甲酸酯樹脂塊體加工切成片狀後所製得，是該片狀體之表面即相當於系爭224 號專利之「操作表面」，片狀體表面以下的部分（以下稱「次表面」）即相當於系爭224 號專利之「緊貼操作表面之次表面」，是而具有同於系爭 224 號專利「在該操作表面中之該基質與該聚合微體二者皆使該工作件完成磨光」之技術特徵。又系爭224 號專利說明書第20頁第18至22行載有「緊貼操作面18的至少一部份聚合微體16之一部份殼層20可能經由削片，磨蝕，切割和穿刺一部份的殼層20或將一部份殼層20經由化學變更或軟化等而使得操作面18上的一部份聚合微體比次表面24中的微體16較不堅硬」（見本院卷㈠第136 頁背面），足見系爭224 號專利界定之「其中當該磨光片與該操作環境接觸時，由於在該操作表面上之該聚合微體的該部分之曝露於該操作環境中，在該磨光片操作表面的該聚合微體會比嵌在該次表面內的聚合微體較不堅硬，而導致該操作表面比該次表面更軟」，係可經由磨光片被削片後，使位於操作表面上、內部具有中空空間之聚合微體的球狀殼層結構被破壞，造成在操作表面的聚合微體（破開狀）會比嵌在次表面者（完整狀）較不堅硬而達成，又因於操作表面之聚合微體較不堅硬，故其對於周圍之聚合物基質的支撐自會減低，以致磨光片操作表面通常比次表面較為軟，換言之，系爭224 號專利之「該磨光片操作表面的該聚合微體會比嵌在該次表面內的聚合微體較不堅硬，而導致該操作表面比該次表面更軟」，係包含「因中空結構之聚合微體殼層完整性不同而造成該聚合微體及磨光片硬度差異」之態樣，此亦為原告於本院102 年3 月14日言詞辯論程序中所是認（見本院卷㈥第70頁），而被證22研磨墊之微粒，其可選自中空球狀氧化矽，於發泡聚胺基甲酸酯樹脂塊體加工切片過程中，位於片狀體表面之中空球狀氧化矽微粒之殼層結構自會受破壞，是相較於次表面之氧化矽微粒（完整狀），位於表面者（破開狀）自然較不堅硬，是熟習該項技術者由被證22研磨墊之製法自可直接無歧異得知，被證22之研磨墊具有同於系爭224 號專利所界定之「在該操作表面上之該聚合微體的該部分之曝露於該操作環境中，在該磨光片操作表面的該聚合微體會比嵌在該次表面內的聚合微體較不堅硬，而導致該操作表面比該次表面更軟」之技術特徵。據上，系爭224 號專利申請專利範圍第1 項所界定之「聚合微體」、「聚合物基質」、「操作表面」及「次表面」共構之磨光片結構實已見於被證22之研磨墊中。 ③被證22與系爭224 號專利申請專利範圍第1 項之差異，僅在於被證22未明確揭示其中空球狀氧化矽具有撓性，惟系爭224號專利未明確界定「撓性」之範圍，說明書亦未說明或以實施例佐證「撓性」對所請磨光片產生任何功效，因此，尚難因系爭224 號專利界定聚合微體大體上具撓性之性質而認其具進步性。況「flexibility(撓性) 」係指「一物體在不斷裂的情況下彎曲之能力。」，有GRANT&HACKH 氏化學辭典第238 頁附卷可參（見本院卷㈤第229 頁），原告亦認「撓性」指可受力變形而彎曲（見本院卷㈥第85頁、原告102 年3 月14日簡報檔第28頁），足徵「撓性」係描述物體受力時彎曲程度之性質，既系爭224 號專利僅界定聚合微體具有「撓性」而未具體界定撓性範圍，是該「撓性」自應不限大小，而被雖證22雖未明確揭示有關「撓性」之技術特徵，然此僅無法得知該氧化矽微粒之撓性範圍，尚不得據以認定該氧化性微粒不具撓性而致機械性質不同於系爭224 號專利之聚合微體，故系爭224 號專利雖界定聚合微體具有「撓性」之技術特徵，惟於功效上，仍無法具體區隔與被證22氧化矽微粒之差異。 ④至原告雖引系爭224 號專利舉發審定書所載：「舉發證據一日本專利特開平0-000000號（即本件被證22）... 內容係關於研磨墊，其構造是含有軟硬微粒之發泡體，但標的、技術內容及技術思想全然未揭示、未論及『在該磨光片操作表面的該聚合微體會比嵌在該次表面內的聚合微體較不堅硬，而導致該操作表面比該次表面更軟』之技術特徵，因此與系爭專利不同」（見本院卷㈢第421 至422 頁），而主張被證22不足證明系爭224 號專利不具進步性等語。惟查，系爭224 號專利申請專利範圍第1項界定之「在該磨光片操作表面的該聚合微體會比嵌在該次表面內的聚合微體較不堅硬，而導致該操作表面比該次表面更軟」，係緣於位於操作表面及次表面之聚合微體殼層結構完整性之差異所致，業如前述，既然被證22研磨墊於發泡聚胺基甲酸酯樹脂塊體加工切片過程中，位於片狀體表面之中空球狀氧化矽微粒之殼層結構自會受破壞，而使片狀體表面與表面下之微粒殼層結構完整性不同，即會造成於片狀體表面之微粒比嵌在片狀體次表面者較不堅硬之結果，故被證22之研磨墊實具有同於系爭專利上開所界定之技術特徵，前揭舉發審定理由未以聚合微體殼層結構完整性之差異做為判斷基礎，自有未洽，尚難以此認定被證22未揭露系爭224 號專利之上開技術特徵。 ⑤綜上，系爭224 號專利申請專利範圍第1 項以「聚合基質」為研磨墊之技術特徵已見於被證20，另「聚合微體」、「聚合物基質」、「操作表面」及「次表面」共構之磨光片結構亦已見於被證22之研磨墊，雖系爭224 號專利申請專利範圍第1 項進一步界定其聚合微體「大體上為撓性」，惟該差異並未產生無法預期之功效且無法具體區隔與先前技術（被證22）之差異，難謂系爭224 號專利非係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成者，故被證20與被證22之組合足證系爭224 號專利申請專利範圍第1 項不具進步性。 ⑵第8 項部分：第8 項係直接依附於第1 項，除所依附請求項之技術特徵外，進一步界定聚合微體各具有小於150 微米的平均直徑。查被證22之中空球狀氧化矽微粒相當於系爭224 號專利之聚合微體已如前述，雖被證22揭示之微粒直徑為300 微米以下，直徑範圍大於系爭專利界定之小於150 微米，惟二者所界定之直徑範圍實有重疊，而在同屬數百微米級範圍內改變微粒直徑大小對熟習該項技術者而言並無困難，況系爭224 號專利並未說明或以實施例佐證聚合微體直徑對磨光片之功效及影響，自應認系爭專利所進一步界定之上開技術特徵已見於被證22，又被證20與被證22之組合可證明系爭224 號專利申請專利範圍第1 項不具進步性業如前述，則其組合亦可證明系爭224 號專利申請專利範圍第8 項不具進步性。 ⑶第11項部分：第11項係直接依附於第1 項，除所依附請求項之技術特徵外，進一步界定聚合微體至少一部份之形狀大體上為球形。查被證22之中空球狀氧化矽微粒相當於系爭224 號專利之聚合微體已如前述，該微粒既為中空球狀，則其大體上應呈球形，是系爭專利所進一步界定之上開技術特徵亦已見於被證22，又被證20與被證22之組合可證明系爭224 號專利申請專利範圍第1 項不具進步性業如前述，則其組合亦可證明系爭224 號專利申請專利範圍第11項不具進步性。 ⑷第13項部分：第13項係直接依附於第1 項，除所依附請求項之技術特徵外，進一步界定聚合微體至少一部份具有可穿透的殼層使得該中空空間可開放於該操作環境。查被證22研磨墊於發泡聚胺基甲酸酯樹脂塊體加工切片過程中，位於片狀體表面之中空球狀氧化矽微粒之殼層結構自會受破壞而開放於該操作環境，是系爭專利所進一步界定之上開技術特徵已見於被證22，又被證20與被證22之組合可證明系爭224 號專利申請專利範圍第1 項不具進步性業如前述，則其組合亦可證明系爭224 號專利申請專利範圍第13項不具進步性。 6.被證20、22、23之組合足以證明系爭224 號專利申請專利範圍第17、23項不具進步性： ⑴第17項部分：第17項係直接依附於第1 項，除所依附請求項之技術特徵外，進一步界定其中該操作表面更包含一與該磨光片成一體的微型組織，該微型組織內含具有寬度小於1000微米之人造點。查系爭224 號專利說明書第5 頁第5 至18行已自承磨光片設置有「微型組織」、「人造點」系屬系爭224 號專利申請前之先前技術（見本院卷㈠第129 頁），況被證23之拋光墊(polishing pad) 亦已揭示利用鉅刀或化學蝕刻等方法於拋光墊上形成一人造點組織(tiles pattern) ，包含相距1 厘米寬之通道(channel)26 及被通道26所區隔之人造點(tiles)25 （見被證23第4 欄第52至59行，第5 欄第42至47行、本院卷㈢第19頁、19頁背面），足見系爭專利所進一步界定之上開技術特徵已為習知且被證23所揭露，又被證20與被證22之組合可證明系爭224 號專利申請專利範圍第1 項不具進步性業如前述，則被證20、22、23之組合亦可證明系爭224 號專利申請專利範圍第17項不具進步性。 ⑵第23項部分：依系爭224 號專利申請專利範圍第23項所示，其所請磨光片係由「聚合微體」、「聚合物基質」、「組織化之操作表面」及「次表面」共構之結構所構成，其中，該「聚合基質」具有中空空間；該「組織化之操作表面」包括一人造點；該「聚合微體」係「一部分在操作表面上且曝露於操作環境中，另一部分嵌在該磨光片中而未曝露於操作環境中」，且「在操作表面的聚合微體會比嵌在次表面內的聚合微體較不堅硬，而致使磨光片之操作表面比次表面更軟」。惟查，系爭224 號專利「內部具有中空空間之聚合基質」之技術特徵已見於被證20之具有微孔之聚胺基甲酸酯及被證22之發泡聚胺基甲酸酯材料；由「聚合微體」、「聚合物基質」、「操作表面」及「次表面」共構之磨光片結構亦已見於被證22之研磨墊；且被證22研磨墊之中空球狀氧化矽微粒實具有同於系爭224 號專利所界定之「在該操作表面上之該聚合微體的該部分之曝露於該操作環境中，在該磨光片操作表面的該聚合微體會比嵌在該次表面內的聚合微體較不堅硬」之技術特徵，至「組織化操作表面」、「人造點」亦為習知研磨墊之構造且已見於被證23中，業如前述，是就熟習該項技術者而言，組合上述相同技術領域之先前技術而完成系爭224 號專利申請專利範圍第23項之發明應無困難，是系爭224 號專利申請專利範圍第23項應為運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成者，故被證20、22及被證23之組合足證系爭224 號專利申請專利範圍第23項不具進步性。五、綜上所述，被證2 、9 之組合足證系爭078 號專利申請專利範圍第1 項不具進步性；被證20、22之組合足證系爭224 號專利申請專利範圍第1 、8 、11、13項不具進步性，被證20、22、23之組合足證系爭224 號專利申請專利範圍第17、23項不具進步性，故被告主張系爭078 號、224 號專利有應撤銷原因等語，於法有據，依智慧財產案件審理法第16條第2 項規定，原告於本件民事訴訟中不得對被告主張權利。從而，原告依修正前專利法第84條第1 項規定，請求被告賠償1,000 萬元及法定遲延利息，並請求命被告不得自行或委請他人製造、為販賣之要約、販賣、使用或為上述目的而進口S-Groove型、SXR-Groove型、E-Groove型及A-Groove型之研磨墊等，均無理由，應予駁回。原告之訴既經駁回，其假執行之聲請亦失所附麗，應併予駁回。六、本件事證已臻明確，兩造其餘攻擊防禦方法（即系爭專利是否不具新穎性、被告是否侵害系爭專利權、本件損害賠償金額為何等）及所提之證據，經本院斟酌後，認與判決結果不生影響，自無逐一詳予論駁之必要。另原告聲請命被告提出迄今輸入、販賣S- Groove 型、SXR-Groove型研磨墊之商業帳冊，請本院函詢財政部關稅總局及被告台灣代理商華立企業股份有限公司有關上開兩款研磨墊之輸入數量與金額等，此與侵權行為損害賠償金額之計算有關，然本件原告既不得對被告主張權利，則上開事項即無調查之必要，併此敘明。七、據上論結，本件原告之訴為無理由，依智慧財產案件審理法第1 條、民事訴訟法第78條規定，判決如主文。中　　華　　民　　國　　102　年　　4　　月　　18　　日智慧財產法院第一庭法官蔡如琪以上正本係照原本作成。如對本判決上訴，須於判決送達後20日之不變期間內，向本院提出上訴狀。如委任律師提起上訴者，應一併繳納上訴審裁判費。中　　華　　民　　國　　102　年　　4　　月　　19　　日書記官王英傑

智慧財產及商業法院100年度民專訴字第134號

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