資料來源：司法院裁判書系統
1智慧財產法院民事判決
2107年度民專訴字第20號
3原告ALMECOGMBH（艾爾美科公司）
4
5
6法定代理人GiorgioGabrieleLocci
7
8訴訟代理人張哲倫律師
9莊郁沁律師
10吳俐瑩律師
11李協書
12古乃任
13被告安森科技材料股份有限公司
14
15
16兼法定
17代理人OliverStorbeck
18
19共同
20訴訟代理人桂齊恒律師
21何娜瑩律師
22林景郁
239樓
24複代理人任政宏
25江郁仁律師
26被告富鹿貿易股份有限公司
27
11
2兼法定
3代理人楊國夫
4
5
6共同
7訴訟代理人楊智峰
8
9林曉龍
10上列當事人間侵害專利權有關財產權爭議等事件，本院於中華民
11國108年2月15日言詞辯論終結，判決如下：
12主文
13原告之訴及假執行之聲請均駁回。
14訴訟費用由原告負擔。
15事實及理由
16壹、程序方面：
17按不變更訴訟標的，而補充或更正事實上或法律上之陳述者，
18非為訴之變更追加，民事訴訟法第463條準用第256條定有明
19文。原告於民國106年12月20日具狀，將原起訴聲明第1至
203項均有記載之「如其中一被告已履行給付，在其給付範圍內
21，他被告免給付義務」部分刪除，並新增第4項聲明為「就前
22三項之聲明，如其中一被告已履行給付，在其給付範圍內，他
23被告免給付義務。」，而更正如後開訴之聲明所載（參本院卷
24一第3至4、109至110頁）。核其所為係更正其法律上之陳述
25，非訴之變更追加，揆諸上開說明，應予准許。
26貳、實體方面：
27一、原告主張：
21（一）原告係世界領先之照明（包括LED科技）、太陽能應用等
2高科技產品所使用之關鍵產品之製造商暨供應商。原告發明
3名稱為「溫度及腐蝕穩定的表面反射器」之專利（中華民國
4專利公告號第I589448號，下稱系爭專利），專利保護期間
5自106年7月1日起至124年10月26日止，此有系爭專利
6之智慧財產局專利資料查詢系統查詢資料（原證1號）可稽
7。
8（二）被告安森科技材料股份有限公司（下稱安森公司）製造、
9販賣，被告富鹿貿易股份有限公司（下稱富鹿公司）販賣
10之MIROR98AX17（M98AX17）型號產品（下稱系爭產品），
11均侵害原告系爭專利權，至少侵害系爭專利申請專利範圍
12第1至3、8至16及30項。為釐清系爭產品是否侵害系爭
13專利，原告乃委由其台灣經銷商台灣津聖企業有限公司於
14市場上透過第三人間接取得系爭產品（原證3號：系爭產
15品照片）及系爭產品規格書（原證4號）（另台灣津聖企
16業有限公司之員工之聲明書如原證5號），並由專業分析
17鑑定機構（FraunhoferIMWS）加以實驗、分析（原證6號
18：FraunhoferIMWS分析報告），合理認定被告安森公司所
19產製之系爭產品具有系爭專利申請專利範圍第1至3、8至
2016及30項之技術特徵，落入系爭專利之文義範圍。亦即，
21系爭產品已文義讀取系爭專利申請專利範圍第1至3、8至
2216及30項之技術特徵。準此，原告自市場上間接取得之系
23爭產品侵害系爭專利乙節，已臻明確。
24（三）本件前經本院以106年度民聲字第39號民事裁定准予就被
25告安森公司所製造之系爭產品予以取樣保存並拍照，系爭產
26品上載有「M98AX17」之文字，且被告安森公司之製造經理
27蔡鴻麟先生亦於本院執行保全證據時表示系爭產品確為被告
31安森公司生產、製造之產品。
2（四）被告安森公司是由德國安鋁（AlanodGmbH；下稱德國安
3鋁）及台灣森鉅科技材料股份有限公司（下稱台灣森鉅）
4合資成立之公司（參原證13號），其與德國安鋁及台灣森
5鉅同為LED、照明、太陽能應用等材料製造專業領域之業
6者，與原告間為競爭同業。而系爭專利已於105年9月1
7日公開，並於106年7月1日公告在案，被告安森公司絕
8無可能不知系爭專利及系爭產品業已侵害系爭專利等情。
9（五）查被告富鹿公司既具多年貿易實務經驗，且德國安鋁之產
10品為其主要營業項目，自應熟稔、掌握相關產品之市場實
11務消息，包括相關專利之公開、公告等。基於上述，被告
12安森公司及富鹿公司即便明知系爭專利之公開、公告及系
13爭產品業已侵害系爭專利等情，其等仍續為製造、經銷、
14販售侵害系爭專利之系爭產品等行為，顯見被告等均具有
15侵害系爭專利權之故意。
16（六）被告OliverStorbeck、楊國夫分別擔任被告安森公司、富
17鹿公司之法定代理人（參原證12、16號），自應依公司法
18第23條第2項規定，就其擔任法定代理人期間，為被告安
19森公司、富鹿公司之侵權行為對原告負連帶賠償責任。爰依
20專利法第96條第1、2項規定請求排除侵害、同條第3項
21規定請求回收並銷毀侵權產品，依專利法第41條規定請求
22補償金，並依民法第184條第1項前段、第185條規定，請
23求被告應連帶負損害賠償之責，依民法第179條規定請求被
24告等返還其等所受利益，依民法第177條第2項規定請求被
25告等因該不法無因管理所獲得之所有利益。
26（七）聲明：
27１、被告安森公司、富鹿公司應連帶給付原告新臺幣（下同）
412千萬元整，暨自起訴狀繕本送達翌日起至清償日止，按
2年息5%計算之利息。
3２、被告安森公司、OliverStorbeck應連帶給付原告2千萬元
4整，暨自起訴狀繕本送達翌日起至清償日止，按年息5%計
5算之利息。
6３、被告富鹿公司、楊國夫應連帶給付原告2千萬元整，暨自
7起訴狀繕本送達翌日起至清償日止，按年息5%計算之利息
8。
9４、就前3項聲明，如其中一被告已履行給付，在其給付範圍
10內，他被告免給付義務。
11５、被告等不得直接或間接、自行或委託他人製造、為販賣之
12要約、販賣、使用或進口系爭產品及其他侵害原告所有之
13系爭專利產品。
14６、就前4項聲明，原告願以現金或同額之可轉讓定期存單供
15擔保，請准宣告假執行。
16７、前項聲明之侵權產品，被告安森公司、富鹿公司應予回收
17並銷毀。
18二、被告安森公司、OliverStorbeck則抗辯如下：
19（一）系爭專利說明書不符專利法第26條第1項規定：
20１、通常知識者依據系爭專利說明書揭示，無法確定系爭專利
21所宣稱之光密特徵為何，並據以實現製造及使用，不符專
22利法第26條第1項規定：
231所請層系統包括「由高純度金屬構成的
24光密反射層（6）」，原告於107年7月24日言詞辯論庭之
25簡報第15頁（參本院卷二第219頁背面）引用系爭專利說
26明書第【0005】段落主張所謂「光密」性質為「為提供反
27射性並抑制有害的干擾，首先為氧化鋁層塗層一層由金屬
51構成之所謂鏡面層或反射層，其必須具有使得該層達到『
2光密』的厚度，亦即，此種厚度阻止入射之輻射穿透該層
3到達下方之其他層，而造成氧化鋁層中的干擾效果，此類
4干擾效果會降低鏡面之效率並引致有害的干擾」，並繪製
5光密與非光密之差異比較圖於簡報第16頁中云云。
6經查，系爭專利說明書【先前技術】欄中段落【0006】記
7載：「WO2007/095876A1（即被證五）提及一種黏接層，
8係在鍍層厚度＜90nm的第一功能性反射層之前，先鍍覆在
9陽極氧化層上，而第一功能性反射層並非光密」，顯然系爭
10專利將某個最小厚度視為光密的標準，但系爭專利在【發明
11內容】段落【0032】中揭示系爭專利所請層系統中，光密反
12射層6的厚度以50至200nm乃至300nm為較佳，並將厚
13度特徵界定在附屬項第7及28項中。因此，若系爭專利說
14明書對WO2007/095876A1的闡述成立，則系爭專利已自承
15層6的厚度在50至90nm的範圍內是無法據以實現光密的
16特徵。
170021】所自承之另一
18先前技術DZ000000000000A1（即被證九）揭露該反射層可
19由Ag、Al、Au或Pt構成且為光密，應至少以100nm的厚
20度沈積而成（請見被證九說明書段落【0013】），再次可證
21，系爭專利所請層系統中，層6在50至90nm的厚度範圍
22內是無法達到光密特徵，至少100nm以上才可能顯現光密特
23徵，不論是被證5或是被證9，均為引用在系爭專利說明書
24中之先前技術，乃是專利權人所自承先前技術，顯見系爭專
25利說明書揭示內容有自相矛盾之處，通常知識者在參酌系爭
26專利說明書後，根本無法確定系爭專利所宣稱之光密特徵為
27何，並據以實現製造及使用，系爭專利說明書顯然不符合專
61利法第26條第1項規定。
25a作為反射層6之晶種層，依據系
3爭專利說明書第14頁第1段記載：「由NiV合金、Cu或優
4質鋼構成更佳，厚度以2-40nm為佳，5-30nm更佳」，當晶
5種層5a（例如Cu層）之厚度為40nm、反射層6（例如Ag
6層）之厚度為50nm時，因為反射層6厚度僅為50nm時，
7無法顯現光密效果，已如前述，故入射輻射仍會穿透反射層
86，此時層5a勢必與層6併作反射層貢獻反射能力，此部分
9顯然與系爭專利說明書揭示牴觸、不一致，亦與原告前次言
10詞辯論庭中所主張系爭專利層6光密性質相互矛盾；再依系
11爭專利說明書第13頁第3段可知，層4厚度以5至50nm為
12佳，因此，依據說明書教示及請求項7界定之層4、5a及6
13厚度範圍，倘若反射層6（例如Ag層）之厚度為50nm、層5
14a（例如Cu層）厚度為2nm，層6併同層5a厚度僅為52nm
15，顯難以達到阻止入射輻射穿透到氧化鋁層之目的，此時層4
16（例如Cr層）厚度倘若採取50nm上限值時，層4（例如Cr
17層）在此主要功能作為反射層，與層6（例如Ag層）、層5a
18（例如Cu層）併同一起貢獻反射，才能一起協力阻止入射輻
19射穿透到氧化鋁層，倘若採取下限值5nm，層4（例如Cr層
20）、層5a（例如Cu層）及層6（例如Ag層）之厚度總和也
21才57nm，甚至60nm都不到，依據系爭專利【先前技術】章
22節教示，顯難以阻止入射輻射穿透到氧化鋁層，以上例子顯
23然再次與系爭專利所主張反射層6光密特徵相矛盾，亦與系
24爭專利說明書揭示內容牴觸、不一致，通常知識者依據系爭
25專利說明書揭示，無法瞭解其內容，並據以實現及製造，不
26符專利法第26條第1項規定，至為明確，請明察。
27２、通常知識者依據系爭專利實施例的教示，也無法據以實現
71系爭專利所請發明：
2項
31中的層4、層5a、層6、層7、層9、層10）材料的選擇
4組合多達數百萬種，惟系爭專利實施例僅例示其中的幾種，
5甚至有些材料種類亦無任何實施例說明，例如層4僅例示「T
6iOX」或「TiNXOy」，所請材料選擇範圍包括「選自某種材
7料的層（4），該材料選自鈦及鋯之亞化學計量的氧化物及
8氮氧化物，或者選自鈦、鋯、鉬、鉑及鉻的金屬，或者使用
9上述金屬中的一個合金，或者選自上述金屬中的至少兩個。
10」、層7僅例示「CrOx」、「TiOX」，所請材料選擇範圍「
11層（7），其選自鈦、鋯、鉿、釩、鉭、鈮或鉻之亞化學計
12量的氧化物，以及鉻、鈦、鋯、鉿、釩、鈮、鉭、鎢、鉬、
13銠及鉑等金屬及使用上述金屬中的一個的合金，或者選自上
14述金屬中的至少兩個」，不僅選擇組合性多樣，且皆未有合
15金的實施例，難以合理推及所主張的範圍。更甚者，系爭專
16利實施例針對層5a僅例示NiV及優質鋼，與所請範圍「層
17（5a），其由一鎳合金構成，其合金組分為鉻、鋁、釩、鉬、
18鈷、鐵、鈦及/或銅，或者由選自銅、鋁、鉻、鉬、鎢、鉭、
19鈦、鉑、釕、銠的金屬及使用上述金屬中的一個的合金，或
20上述金屬中的至少兩個所構成，或者由鐵、鋼或優質鋼構成
21」相去甚遠，通常知識者在面對高達上百萬種組合下，勢必
22要經歷嘗試大量錯誤試驗才能確認所有組合均能實現系爭專
23利，參酌專利審查基準，實難謂發明所屬技術領域中具有通
24常知識者能瞭解其內容並據以實現，不符合專利法第26條第
251項規定。
26層
27材料的厚度多以範圍例示記載，而非確切的數值，甚至在單
81一實施例中出現材料選用情形，例如實施例3a出現層4可為
2「TiOx」或「TiNxOy」的不特定情形，惟實施例應是揭露教
3示通常知識者如何實現專利之實例，理論上應是特定產品結
4構，例如化合物發明，實施例所例示產物應是特定單一化學
5結構式之化合物，若為裝置結構發明，實施例所例示應是特
6定單一結構之裝置，但系爭專利實施例記載的層厚度卻是以
7範圍記載，且某些層之厚度範圍差異變化可超過100%，例如
8扮演反射功能之層6，在每個實施例中厚度為90到200nm，
9差異變化高達100%以上，以實際生產角度觀之，殊難想像生
10產者會在生產過程中變動厚度差異超過100%，且在單一產品
11中，層厚度變化超過100%，層的平坦性若不足，也會對產品
12性質產生影響，故系爭專利說明書實施例以範圍及材料選用
13方式記載一特定產品中的層結構厚度及材料，通常知識者勢
14必要經歷嘗試大量錯誤試驗才能實現系爭專利，參酌專利審
15查基準，系爭專利不符合專利法第26條第1項規定。
16(6)之厚度範圍為
17「90-200nm」，根本不包括90nm以下之範例，通常知識者
18依據說明書實施例的例示，根本不知如何實現層(6)光密特徵
19，且依系爭專利【先前技術】章節教示，反射層(6)需至少10
2000nm厚度才可能顯現光密效果，但系爭專利實施例所例示
21層(6)厚度範圍下限值90nm，仍然會有入射輻射穿透層(6)到
22達層(6)以下的層結構，惟參酌系爭專利各實施例，層(6)下方
23均是緊接層(5b)，當入射輻射穿透層(6)到達層(5b)時，層(5b)
24勢必與層(6)一起貢獻反射，才能協力防免入射輻射繼續向下
25穿透，再細繹系爭專利各實施例竟發現，層(6)成分與層(5b)
26成分相同，除實施例3e外，均例示層(6)及層(5b)均為銀材料
27，通常知識者知悉「銀」材料之反射性質最佳，因此，通常
91知識者依據說明書實施例教示，並無法瞭解其它層順序組合
2以及反射率較「銀」材料弱之材料是否同樣具有系爭專利實
3施例所宣稱之功效，可見通常知識者仍需要嘗試大量錯誤或
4複雜實驗，故系爭專利顯然不符合專利法第26條第1項規定
5。
6（二）系爭專利請求項1至3、8至16及30項不符合專利法第26
7條第2項之規定：
8１、關於請求項1至3、8至16及30項：
91之層6僅記載為「高純度金屬構成的光
10密反射層」，但未明確界定高純度金屬的純度及成分，更未
11定義何謂光密以及達成光密的條件（如厚度），通常知識
12者無法瞭解光密的意義以及何種厚度才是可達成光密性質
13的範圍，所請並不明確。
14
15少100nm厚度才可能顯現光密效果，在參酌系爭專利請求
16項1附屬項7或28後可知，系爭專利請求項7、28所界定
17反射層(6)明顯與系爭專利【先前技術】章節教示矛盾，故
18由系爭專利所自承先前技術揭示至少100nm反射層厚度才
19能顯現光密效果時，系爭專利請求項1僅記載「光密」二
20字並不能令通常知識者明瞭其意義及範圍，且理論上附屬
21項界定特徵應更為明確，倘若通常知識者參酌請求項1之
22附屬項7後，只會感到更為混亂與困惑，而無所適從，不
23知如何判斷「光密」技術特徵，可見通常知識者在基於說
24明書揭示下並不能理解系爭專利請求項1及其附屬項之範
25圍，所請範疇並不明確。
261所請層系統，包括金屬基板，在金屬
27基板第一面(A)鍍覆以下層：層(4)、層(5a)、高純度金屬構
101成之光密反射層(6)、層7、LI層(9)及HI(10)。經查，請求
2項1所載各層材料範圍過廣，涉及金屬、合金、金屬氧化物
3及氮氧化物等性質截然不同之材料，各層材料的選擇組合多
4達數百萬種（尚不計上述的LI層及HI層），而實施例僅例
5示其中的幾種，有些種類甚至無任何實施例說明（例如層4
6及層7皆未有合金的範例，層5則僅例示NiV及優質鋼）
7，所屬技術領域中具有通常知識者由說明書揭露的內容無法
8合理預測或延伸至請求項之範圍，是為不受說明書的支持。
91使用開放式連接詞「包括」，並
10不排除可包含其他層，且其連接關係（層序）亦不一定是
11相疊的，此可從系爭專利請求項17所載之層3、層5b、層
128看出。且系爭專利說明書所有實施例皆例示包含層5b的
13層系統，其材料皆與反射層6之材料相同。所屬技術領域中
14具有通常知識者無法從說明書及實施例所載合理延伸至請求
15項1所載僅包含層1、層4、層5a、層6、層7、層9及層1
160的層系統，亦無法確定其效果是否來自額外包含的層（如
17層5b），所請不受說明書的支持。
181所載層系統中之各層僅以「層」
19字界定，範疇廣泛且不明確，例如層5a，系爭專利主張層
205a作為反射層6之晶種層，依據系爭專利說明書（第14頁
21第1段）所載，晶種層5a之厚度範圍為2-40nm為佳，故
22當晶種層5a之厚度為40nm、反射層6之厚度為50nm時，
23層5a主要功能反而是作為反射層，與層6併作反射層實際
24貢獻反射能力，此部分顯然與系爭專利請求項1所主張層6
25光密特徵相矛盾，亦與系爭專利說明書揭示牴觸、不一致，
26足見系爭專利請求項並未敘明必要技術特徵；再者，以層4
27為例亦有相同情形，系爭專利主張層4作為黏接與障壁層
111，依系爭專利說明書第13頁第3段可知，層4厚度以5至
250nm為佳，依據說明書教示及請求項7界定之層4、5a及
36厚度範圍，倘若層6厚度為50nm、層5a厚度為2nm，層
46併同層5a厚度僅為52nm，顯難以達到阻止入射輻射穿透
5到氧化鋁層之目的，此時層4厚度倘若採取50nm上限值時
6，層4在此主要功能作為反射層，與層6、層5a併同一起
7貢獻反射，才能一起協力阻止入射輻射穿透到氧化鋁層，倘
8若採取下限值5nm，層4、5a及6之厚度總和也才57nm，
9甚至60nm都不到，顯難以阻止入射輻射穿透到氧化鋁層，
10以上例子顯然再次與系爭專利請求項1所主張層6光密特徵
11相矛盾，亦與系爭專利說明書揭示內容牴觸，在在可證，系
12爭專利請求項並未敘明解決問題之必要技術特徵，通常知識
13者由說明書揭露之內容並無法合理預期或延伸至請求項範疇
14，系爭專利請求項1至3、8至16以及引用請求項1之請求
15項30所請範疇並不明確，也不受說明書支持。
16LI層』及『HI層』」僅以相對的折射率界
17定，並未說明其所包括的化合物種類範圍及厚度範圍，無
18法確定是否任何材料（金屬、非金屬、聚合物…）及厚度
19都適合用於『LI層』及『HI層』，且細繹附屬項第13及第
2015項，LI層(9)折射率上限值為1.8，HI層(10)折射率下限值
21為1.8，兩者相等並無差異，明顯與請求項1矛盾，可見所
22屬技術領域中具有通常知識者，單獨由系爭專利請求項之記
23載內容，無法明確瞭解其意義及範圍，是為不明確。
24２、關於請求項8、14、16：
25請求項8所載「TiOx及TiNxOy」，並未明確界定x及y，
26請求項14所載「SiOx」、及請求項16所載「TiOx」，均未
27載明x值範圍，上述x、y等為化合物之化學計量比，依系
121爭專利說明書例如第【0032】段落揭示可知，上述化合物之
2化學計量比並非包含所有態樣，因此，系爭專利請求項8、
314、16未記載化學計量比之限制條件，通常知識者單獨由
4請求項之記載內容，無法明確瞭解其意義，是為不明確。
5３、關於請求項16、30：
6請求項30所載「前述任一項」、「更佳」、「特別是」為
7不明確用語，且「更佳」、「特別是」會造成同一請求項
8界定不同範圍，是為不明確。此外，請求項16所載「尤佳
9」亦有同一請求項界定出不同範圍之問題。因此，請求項
1016、30不符專利法第26條第2項之規定。
11（三）系爭產品於系爭專利優先權日前已完成實施系爭專利之準
12備工作，符合專利法第59條第1項第3款規定：
13１、被證4、13、21至24、33、34及42可證明被告安森公司在
14系爭專利優先權日前已占有TiO2/SiO2/CrOx/Ag/Cu/TiOx/
15anodizedaluminum之層堆疊發明概念，已完成必要之準備
16：
174實際上揭露產品鍍層順序：
18被證4簡報第15~36頁標題為「Processtrends（製程趨勢）
19」記錄試機過程中反應流程及各個反應的操作條件：捲料先
20經由GLO（被證4簡報第15~17頁，plasmacleaning即以電
21漿清潔捲料表面）→第一個鍍層TiOx（被證4簡報第18~20
22頁，濺鍍TiOx）→第二個鍍層Cu（被證4簡報第21~24頁
23，濺鍍Cu）→第三個鍍層Ag（被證4簡報第25~27頁，蒸
24鍍Ag）→第四個鍍層CrOx（被證4簡報第28~30頁，濺鍍
25CrOx)→第五個鍍層SiO2（被證4簡報第31~33頁，SiO2蒸
26鍍)→第六個鍍層TiO2（被證4簡報第34~36頁，TiO2蒸鍍
27），因此，所形成鍍層結構當然是TiO2/SiO2/CrOx/Ag/Cu/
131TiOx/anodizedaluminum，此為任何有製程概念人士都可了解
2知悉。
3TiO2/SiO2/CrOx
4/Ag/Cu/TiOx/anodizedaluminum層系統結構之能力，此能力包
5括調整銀/銅使用量的能力：
6原告一再援引被證4簡報第22頁圖式聲稱被告不得主張先
7使用權云云，然而，由本技術領域中光密技術手段演進可
8知，在銀/銅雙層結構基礎上，調整銀/銅使用量，乃是系爭
9專利申請前通常知識，倘若銀/銅雙層結構為光密，則為被
10證8技術手段，倘若在銀/銅雙層結構基礎上，以銀反射層
11作為主要反射層貢獻反射達成光密效果，乃是被證8申請日
12以前，被證9時期所採用技術手段，也是系爭專利前的通常
13知識，此等在銀/銅雙層結構基礎上，調整銀/銅使用量，實際
14上在被證7圖7中已有相當明確揭露，由此可知，被告在系
15爭專利優先權日前已占有TiO2/SiO2/CrOx/Ag/Cu/TiOx/anodize
16daluminum之層堆疊發明概念，此發明概念當然包括在銀/銅
17雙層結構基礎上，調整銀/銅使用量的通常知識，詳言之，被
18告在系爭專利優先權日前已具備生產、製造TiO2/SiO2/CrOx/A
19g/Cu/TiOx/anodizedaluminum層系統結構之能力，此能力當然
20包括調整銀/銅使用量的能力，故原告一再援引被證4簡報第
2122頁圖式聲稱被告不得主張先使用權云云，無非是在混淆視
22聽，殊無足取之處。
2342及被證43可證明被告在系爭專利優先權日前已具備
24生產、製造TiO2/SiO2/CrOx/Ag/Cu/TiOx/anodizedaluminum層
25系統結構之能力：
26被證42為德國VonArdenne員工FrankWeber出具聲明書，
27FrankWeber在98年到101年間代表VonArdenne來臺灣，
141執行VonArdenne與森鉅公司所簽訂編號AP291739「Sales
2AgreementrelatingtoMetalStripCoatingSystem,agreement
3No.AP291739」之合約，內容包括參與設備組裝、量產及驗
4收等程序，同時提供台灣森鉅公司人員教育訓練，並也參與
5101年5月4日鋁鏡驗收，及101年5月18日第八次銀鏡生
6產會議（參被證43），此時在101年5月17日已經完成銀
7鏡驗收，FrankWeber確認在臺灣見證銀鏡驗收程序，並參與
8標題為「SummaryofAgMirrorFATatXxentria」簡報的製作
9，FrankWeber確認該簡報討論的層結構為「TiO2/SiO2/CrOx/
10Ag/Cu/TiOx/anodizedaluminum」。
11２、依「發明思想說」，被告安森公司在系爭專利優先權日前已
12占有TiO2/SiO2/CrOx/Ag/Cu/TiOx/anodizedaluminum之層堆疊
13發明思想及能力，此能力自然涵蓋系爭專利所請範圍，故被
14告安森公司確實在系爭專利優先權日前已完成實施系爭專利
15之準備工作。
16（四）系爭專利請求項1至3、8至16及30項相較於被證12或
17被證12與被證9之組合不具進步性：
18被證12之層系統組合可完全對應系爭專利之層系統，且被
19證12已揭示各層之材料，被證12擴散阻擋層BS（相對應
20於系爭專利層(7)）揭示氧化物材料為經摻雜的氧化鋅，說
21明書亦說明該層實際上功能與黏附促進及擴散阻擋的HS層
22相當，應可選自ZnOx、SiOx、SnOx、TiOx或ZrOx，其中
23x≦2，因此，基於被證12之揭示內容，系爭專利請求項1
24至3、8至16及30不具進步性，詳如附表二所示。
25（五）系爭專利請求項1至3、8至16及30項相較於被證12及
26被證9之組合不具進步性：
27被證9揭露一種在基板1上形成黏附促進和擴散阻擋層2/
151功能反射層3/黏附促進和擴散阻擋層4/低折射率層51A/高
2折射率層51B/低折射率層52A/高折射率層52B之層結構，
3其中被證9之層2及層4相當於系爭專利層4及7，依據
4被證9揭示，合適的黏附促進和擴散阻擋層(2、4)材料為
5TiOx、ZnOx、SiOx、SnOx、ZrOx，其中x≦2，故被證9
6已揭示系爭專利層4及7可為亞化學計量之氧化物等技術
7特徵，由於被證12及被證9均為相同技術領域且為同一申
8請人之案件，對於黏附促進和擴散阻擋層之用語亦相同，
9通常知識者在參酌被證12及9之下會有合理動機組合兩者
10，是以，系爭專利請求項1至3、8至16及30項相較於被
11證12及被證9之組合不具進步性，詳如附表三所示。
12（六）系爭專利請求項2至3、8至16及30項相較於被證8與系
13爭專利自承先前技術之組合、被證8與被證9與系爭專利
14自承先前技術之組合、被證8與被證10與系爭專利自承先
15前技術之組合、被證12與系爭專利自承先前技術之組合，
16或被證12與被證9與系爭專利自承先前技術之組合不具進
17步性：
18１、基板材質為通常知識，依系爭專利說明書第【0002】節記
19載：「表面反射器及相當之物體通常係鋁製品。為達到較
20高的反射，原鋁應儘可能純淨，如具有99.8%之純度。純
21鋁非常軟，故傾向使用所謂"滾壓包覆"材料。該工藝係將
22純鋁單面或雙面地滾壓至具有符合機械性能之鋁合金。採
23用高純度之原因在於，所含雜質會在加工過程中，例如在
24脫脂槽中或在電化學拋光時造成穿孔腐蝕，從而增大漫反
25射分量，此點不利於相關應用領域」、第【0003】節記載
26：「通常對經過前述處理之鋁實施陽極氧化。在此過程中
27，含有羥基之層自外朝內增長，即朝基板芯部增長，而產
161生多孔氧化鋁層」等語可知，系爭專利請求項2、3為系爭
2專利申請前通常知識。
3２、在被證8、9、10、12及系爭專利均為相同技術領域下，
4通常知識者自有動機將被證8與系爭專利自承先前技術、
5被證8與被證9及系爭專利自承先前技術、被證8與被證
610及系爭專利自承先前技術、被證12與系爭專利自承先前
7技術，或被證12與被證9及系爭專利自承先前技術予以組
8合，故系爭專利請求項2至3、8至16及30項不具進步性
9。
10（七）系爭專利請求項1至3、8至16及30項依被證40、41，
11或被證40、41與被證7之組合，或被證40、41與被證9
12之組合，不具進步性：
13１、原告並未爭執在系爭專利申請日前已公開銷售Vega98系列
14產品、Vega98110層系統是基於被證8等事實。而由被證
1540及41可證，Vega98110層結構（TiOx/SiOx/CrOx/Ag/Cu
16/TiOx/anodizedaluminum之層堆疊）及技術特徵已成為先
17前技術，不具新穎性。亦即，Vega98110可對應系爭專利
18請求項1各層，也揭示請求項2至3、8至16，且Vega98
19110可用於LED。原告唯一爭執僅在於層6為光密，但此
20光密為通常知識者可輕易調整。故系爭專利請求項1至3
21、8至16及30項依據被證40、41之組合，不具進步性。
22２、由被證7圖7、被證9及原告異議答辯理由書（被證39）
23可知，在銀/銅雙層結構基礎上，為增加反射率，僅會想到
24增加銀之使用量，而以銀反射層作為主要反射層貢獻反射
25達成光密效果乃是被證9時期所採用技術手段，因此在銀/
26銅雙層結構上增加銀之使用量，以反射率最佳之銀反射層
27作為主要反射層貢獻反射達成光密效果，乃屬系爭專利前
171通常知識，與被證9時期所採用技術手段並無差異。故系
2爭專利請求項1至3、8至16及30項依據被證40、41與
3被證7之組合，或是被證40、41與被證9之組合，不具
4進步性。
5（八）聲明：
6１、原告之訴駁回。
7２、如受不利判決，被告願以現金或同額之可轉讓定期存單供
8擔保，請准免於假執行。
9三、被告富鹿貿易公司、楊國夫除援引被告安森公司、Oliver
10Storbec前揭抗辯外，並補充如下：
11（一）被告富鹿貿易公司、楊國夫並無故意或過失侵害系爭專利
12之事實：
13１、被告富鹿公司為銷售商，登記營業項目主要為電信器材買
14賣及進出口業務，僅係專營買賣及進出口，與製造生產無
15任何相關，此觀被告富鹿公司之登記資料即可知(被證1)。
16縱然被告富鹿公司先前銷售德國安鋁公司之電信材料，亦
17係其他類型材料，與系爭產品及專利無涉。又因與德國安
18鋁公司有合作，基於業務關係經由德國安鋁轉介同案被告
19安森公司，交由被告富鹿公司來經銷系爭產品，被告富鹿
20公司作為銷售商，自然遵從其要求，然被告富鹿公司從不
21涉及製造系爭產品，其亦非專業智財人員，對於產品相關
22專利技術不具備與專業製造業者相同之認識及判斷能力，
23無從得知是否有侵害專利權之情事，被告富鹿公司並無侵
24害原告專利權之任何故意或過失。
25２、原告雖主張被告富鹿公司有委託SGS公司針對系爭產品進
26行檢驗分析報告（原證15號），故被告富鹿公司有投資進
27行鑑定之行為云云。惟查，該報告主要係檢測有害物質含
181量是否超標，係客戶端主動要求提供，並無法由該報告看
2出產品結構、成分，更遑論系爭專利內容，故亦不能由此
3推論被告等因此知悉系爭專利之技術。
4３、又原告雖有於106年8月寄發律師函通知，惟寄發對象僅
5為被告安森公司，被告富鹿公司完全不知情，被告等是案
6發後方為知悉有此信函，故原告無從主張被告富鹿公司經
7通知後仍有故意或過失販賣系爭產品之意圖。
8（二）因被告富鹿公司僅作為銷售商，苟被告安森公司並無侵害
9系爭專利權，被告富鹿公司自亦不構成任何侵害，其理甚
10明。
11（三）損害賠償額：
12１、被告等既無侵害系爭專利權之故意或過失，則原告請求被
13告等連帶負損害賠償責任，即無理由。
14２、原告並未舉證其所受之損害為何，以及被告等販售系爭產
15品與原告所受損害之關聯性，即空口泛稱所受損害之金額
16高達2,000萬元，顯無理由。
17（四）聲明：
18１、原告之訴駁回。
19２、如受不利判決，被告願以現金或同額之可轉讓定期存單供
20擔保，請准免於假執行。
21四、兩造不爭執之事實（參本院卷二第59頁）：
22（一）原告係系爭專利之專利權人，專利期間自106年7月1日
23至124年10月26日。
24（二）被告安森公司製造、販賣系爭產品；被告富鹿公司販賣被
25告安森公司製造之上開系爭產品。
26（三）系爭產品實施系爭專利請求項1至3、8至16、30。
27（四）被告OliverStorbeck為被告安森公司之法定代理人，被告
191楊國夫為被告富鹿公司之法定代理人。
2（五）均不爭執原證3至7之形式真正。
3（六）均不爭執原證6「FraunhoferIMWS分析報告」所採用之
4分析方法。
5五、本件爭點如下（參本院卷五第146頁）：
6（一）系爭產品是否於系爭專利優先權日前即已開始製造，或已
7完成必要之準備工作，適用專利法第59條第1項第3款之
8規定？
92至5頁表格所示各請求項之
10證據組合，「及被證40（40-1至40-5）、41之組合、被證
1140（40-1至40-5）、41、7之組合、被證40（40-1至40-5
12）、41、9之組合」，是否足以證明系爭專利請求項1至
133、8至16、30不具進步性？（各「系爭專利自承先前技
146至14頁表格所示）。
15（三）系爭專利說明書是否違反專利法第26條第1項，無法據以
16實施？
17（四）系爭專利請求項1至3、8至16、30，是否違反專利法第
1826條第2項明確性及可支持性的要求？
19（五）原告得否依專利法第96條第2項、民法第184條第1項前
20段及同法第185條、第179條、第177條第2項，公司法
21第23條第2項之規定，向被告等請求連帶負損害賠償責任
22？如有理由，被告等侵害系爭專利之損害賠償額應如何計
23算？
24（六）原告是否得依專利法第41條之規定對被告等請求補償金？
25（七）原告對被告等主張之排除侵害及回收銷毀請求權，是否有
26理由？
27六、得心證之理由：
201（一）本件應適用之法律：
2按當事人主張或抗辯智慧財產權有應撤銷、廢止之原因者
3，法院應就其主張或抗辯有無理由自為判斷，不適用民事
4訴訟法、行政訴訟法、專利法或其他法律有關停止訴訟程
5序之規定。前項情形，法院認有撤銷、廢止之原因時，智
6慧財產權人於該民事訴訟中不得對於他造主張權利，智慧
7財產案件審理法第16條定有明文。本件被告既否認系爭專
8利具有可專利性，並以前揭情詞置辯，依前開規定，本院
9就被告之抗辯有無理由，應自為判斷。又系爭專利係於10
104年10月27日申請，並經經濟部智慧財產局106年5月
119日審定核准，故系爭專利有無撤銷之原因，應以核准審
12定時之106年1月18日修正公布、106年5月1日施行之
13專利法定之。
14（二）系爭專利技術分析：
15１、系爭專利技術內容：
16本發明關於一種層系統，包括金屬基板，在其面上依序自
17內向外鍍覆有以下層：(4)選自某種材料的一層，該材料選
18自鈦及鋯之亞化學計量的氧化物及氮氧化物或者選自鈦、
19鋯、鉬、鉑及鉻的金屬或者使用上述金屬中的一個的合金
20或者選自上述金屬中的至少兩個，(5a)一層，其由一鎳合
21金構成，其合金組分為鉻、鋁、釩、鉬、鈷、鐵、鈦及/
22或銅，或者由選自銅、鋁、鉻、鉬、鎢、鉭、鈦、鉑、釕
23、銠的金屬及使用上述金屬中的一個的合金或上述金屬中
24的至少兩個構成，或者由鐵、鋼或優質鋼構成，其條件在
25於：該層唯有在反射層6由鋁構成的情況下方能由鋁構成
26，以及，在此情況下，層5a的鋁係濺鍍而成，(6)由高純度
27金屬構成的光密反射層，(7)一層，其選自鈦、鋯、鉿、釩
211、鉭、鈮或鉻之亞化學計量的氧化物，以及鉻、鈦、鋯、
2鉿、釩、鈮、鉭、鎢、鉬、銠及鉑等金屬及使用上述金屬
3中的一個的合金或者選自上述金屬中的至少兩個，(9)與緊
4鄰之層10(HI層)相比具有低折射率的層(LI層)，及(10)
5緊鄰層9且與層9(LI層)相比具有高折射率的層(HI層)
6。該層系統例如可用作較佳與LED一起使用之表面反射器
7，特別是用於LED之MC-COB、用作太陽反射器或者用作
8雷射鏡，特別是用於DLP雷射投影儀中之色輪。(摘錄自
9系爭專利之摘要)
10２、系爭專利主要圖式：如附圖一所示。
11３、系爭專利申請專利範圍分析：
12系爭專利之申請專利範圍共30項，其中請求項1、30為獨
13立項，其餘均為附屬項。原告主張受侵害之系爭專利請求
14項為請求項1至3、8至16及30，其內容如下：
151：
16一種層系統，包括
17一金屬基板(1)，具有一第一面(A)，在該第一面(A)上依序
18自內向外鍍覆有以下層：
19選自某種材料的層(4)，該材料選自鈦及鋯之亞化學計量的
20氧化物及氮氧化物，或者選自鈦、鋯、鉬、鉑及鉻的金屬，
21或者使用上述金屬中的一個的合金，或者選自上述金屬中的
22至少兩個，
23層(5a)，其由一鎳合金構成，其合金組分為鉻、鋁、釩、
24鉬、鈷、鐵、鈦及/或銅，或者由選自銅、鋁、鉻、鉬、鎢
25、鉭、鈦、鉑、釕、銠的金屬及使用上述金屬中的一個的合
26金，或上述金屬中的至少兩個所構成，或者由鐵、鋼或優質
27鋼構成，
221由高純度金屬構成的光密反射層(6)，
2層(7)，其選自鈦、鋯、鉿、釩、鉭、鈮或鉻之亞化學計
3量的氧化物，以及鉻、鈦、鋯、鉿、釩、鈮、鉭、鎢、鉬
4、銠及鉑等金屬及使用上述金屬中的一個的合金，或者選
5自上述金屬中的至少兩個，
6LI層(9)，與緊鄰之HI層(10)相比具有低折射率，及該
7HI層(10)，緊鄰該LI層(9)且與該LI層(9)相比具有高
8折射率。
9《註：以上段落之記載係按申請專利範圍原文排列方式》
102：
11如申請專利範圍第1項所述之層系統，其中該基板(1)含
12有鋁、銅或優質鋼或者由以上材料構成的一芯部(1a)。
133：
14如申請專利範圍第1項所述之層系統，其中該基板(1)由
15以下構件構成：一芯部(1a)，其由鋁、鋁合金、銅、鉬
16、鈦、鉭、優質鋼、鋼、鐵、鍍錫板，或者由使用上述材
17料中的至少一個的合金，或者由上述材料中的至少兩個構
18成，位於該芯部(1a)的一面上的氧化鋁層(2a)，或者位於
19該芯部(1a)的該面上的氧化鋁層(2a)以及位於該芯部(1a)
20的另一面上的氧化鋁層(2b)。
218：
22如申請專利範圍第1至6項任一項所述之層系統，其中該
23層(4)之材料選自TiOx及TiNxOy。
249：
25如申請專利範圍第1至6項任一項所述之層系統，其中該
26層(5a)之材料選自非鐵磁鎳合金，特別是NiV、優質鋼及
27銅。
23110：
2如申請專利範圍第1至6項任一項所述之層系統，其中該
3反射層(6)之高純度金屬選自純度至少為99.9%之金屬，且
4選自銀、鋁、金、鉑、銠、鉬及鉻，或者使用上述金屬中的
5一個的合金，或者選自上述金屬中的至少兩個。
611：
7如申請專利範圍第10項所述之層系統，其中該反射層(6)
8之高純度金屬選自銀及鋁。
912：
10如申請專利範圍第1至6項任一項所述之層系統，其中該
11層(7)由亞化學計量之氧化鉻或氧化鈦構成。
1213：
13如申請專利範圍第1至6項任一項所述之層系統，其中該
14LI層(9)之折射率n為1.3至1.8，且該LI層(9)之材料選
15自金屬氧化物、金屬氟化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物
16及金屬碳氮氧化物。
1714：
18如申請專利範圍第13項所述之層系統，其中該LI層(9)之
19材料選自SiOx、Al2O3、MgF2、AlF3、CeF3、YF3、BaF2La
20F3、SiAlOx、TiAlOx及硼矽玻璃。
2115：
22如申請專利範圍第1至6項任一項所述之層系統，其中該
23HI層(10)之折射率n為1.8至3.2，且該HI層(10)之材料
24選自金屬氧化物、金屬氟化物、金屬氮化物、金屬氮氧化
25物及金屬碳氮氧化物。
2616：
27如申請專利範圍第15項所述之層系統，其中該HI層(10)
241之材料選自TiOx、TiAlOx、ZrOx、HfOx、La2O3、Y2O3、
2Bi2O3、ZnO、SnO2、具有8%原子比之Al的ZAO、Nb2O5
3及Si3N4尤佳。
430：
5一種如申請專利範圍第1至29項中任一項所述之層系統
6之應用，作為表面反射器、作為太陽反射器、或者作為雷
7射鏡。
8（三）系爭產品技術內容：
9原告稱被告安森公司所製造及販售之系爭產品侵害其專利
10權，原告提供系爭產品照片（參原證3號）並加以分析(
11參原證6號：FraunhoferIMWS分析報告)。又本件兩造
12對於原證6之形式真正並不爭執，故系爭產品之技術內容
13詳如附圖二所示，即以原告提供之原證6號之圖2及表1
14表示之。
15（四）專利有效性證據技術分析：
16１、被證7：
177為95年公開之「銀基超-反射器之大面積EB-PVD」
18，SocietyofVacuumCoaters期刊，該公開日早於系爭專利優
19先權日（103年10月27日，下同），故被證7可為系爭專
20利之先前技術。
217技術內容：
22被證7記載反射增強層堆疊之結構，其包括利用EB-PVD代
23替銀濺鍍，相較於濺鍍解決方案，EB-PVD製程之塗層材料
24成本高達85%。此外，藉由銅界面層之延伸，部分地替換下
25部銀層部分，高達約25%之銀層可經替換。銅材料的價格約
26為銀價之3-4%。(參被證7號第205頁左欄末段、第207頁
27右欄及圖1)
251２、被證8：
28為98年3月4日公開之CZ000000000A，該公開日
3早於系爭專利優先權日，故被證8可為系爭專利之先前技
4術。
58技術內容：
6被證8涉及一種高反射層系統，用於以提高反射的層塗覆基
7底，一種用於製造該層系統的方法以及一種用於實施該方法
8的設備。在基底(S0)的表面上塗敷第一功能反射層(S3)。該
9第一功能反射層(S3)可以為反射的或者部分反射的且由金屬
10或者金屬合金組成，該金屬或者金屬合金含有來自銅、鎳、
11鋁、鈦、鉬、錫的組中的一種或多種成分。在該第一功能反
12射層(S3)上設有第二功能反射層(S5)。該第二功能反射層(S
135)可以由金屬或者金屬合金組成，例如銀或者銀合金。在該
14第二功能反射層(S5)上跟著的是第一透明介電層(S7)。該第
15一透明介電層(S7)例如可以由氧化矽組成。在該第一透明介
16層(S7)上設置有第二透明介電層(S8)。該第二透明介電層(
17S8)例如可以由氧化鈦組成。(參被證8之摘要)
18３、被證9：
199為95年7月20日公開之DZ000000000000A1，該公
20開日早於系爭專利優先權日，故被證9可為系爭專利之先前
21技術。
22被證9技術內容：
23被證9係關於一種在可見光譜範圍內具有高反射率的環境穩
24定鏡面層系統，用於沉積在介電基板上的技術。(參被證9
25之摘要)
26４、被證10：
2710為86年1月1日公告之TW294630，該公告日早於
261系爭專利優先權日，故被證10可為系爭專利之先前技術。
2被證10技術內容：
3被證10揭示一個具有改良之塑料負載金屬黏附性之塑料負載
4金屬材料，它包含一個具有一個表面的塑料載體，一個在載
5體表面上、3至200CC的厚的黏附提升第一層，它包含有選
6自鉿、鋯、鉭、鈦、鈮、鎢、釩、鉬、鉻、鎳及其合金中的
7金屬，且是以金屬本身或低於計量關係的氧化物式呈現，以
8及一個在第一層之上的第二層，它包含有100-10,000。(參被
9證10之摘要)
10５、被證12：
1112為101年8月23日公開之DZ000000000000A1，該公
12開日早於系爭專利優先權日，故被證12可為系爭專利之先前
13技術。
1412技術內容：
15被證12揭示一種反射層系統，用於太陽光譜層中具有高反
16射的太陽光電應用中，其包含至少具有HI介電層及LI介電
17層順序的層，並且其具有用於製造基板S的預處理表面O的
18黏附促進及擴散阻擋層HS，以及具有Cu的第一反射層及Ag
19的第二反射層。(參被證12說明書第0001段、第0034段、
20第0038段)
21６、被證40：
22被證40為系爭專利相對應歐洲專利案EP0000000的相關資料
23，其內容如下：
24被證40-1：為107年5月30日異議人所提呈之異議理由。
25被證40-2：為被證40-1之異議理由的中譯本
26被證40-3：為被證40-1中的異議證據D29ALMECO樣品目錄
27照片影本。
271被證40-4：為被證40-1中之異議證據D29a，其為取自異議
2證據D29截取之樣本vega98110(樣品2010)原樣
3的2張相片影本。
4被證40-5：為被證40-1中之異議證據D29b的Fraunhorf研究
5所分析報告。
6７、被證41：
7被證41為102年有關VEGA98產品型錄，該公開日早於系爭
8專利優先權日，故被證41可為系爭專利之先前技術。
9（五）技術爭點分析：
10１、系爭產品是否於系爭專利優先權日前即已開始製造系爭產
11品，或已完成必要之準備工作，適用專利法第59條第1項
12第3款之規定？
131至3、8至
1416及30內容相同部分，並不爭執。
15(第2頁第貳-一點)抗辯其為專
16利權效力所不及，系爭產品是否落入系爭專利請求項1至3
17、8至16、30的專利權範圍列示如附表一所示。
182頁，被告安森
19公司形式上不爭執原證3、4、5、6、7，其中原證6號
20為原告所提之夫朗和裴材料及系統微結構研究所(Fraunhof
21erIMWS；德國之研究機構)之XPS與ToF-SIMS儀器分
22析報告。
23一所示系爭產品落入
24系爭專利之請求項1至3、8至16、30的專利權文義範圍
25。
2659條第1項第3款規定之「申請前已在國內
27實施，或已完成必須之準備者」為專利權效力所不及：
28159條第1項第3款係規定：申請前已在國內實
2施，或已完成必須之準備者，係屬於發明專利權之效力所不
3及之情事。按103年9月版專利法逐條釋義之說明，有關「
4申請前已在國內實施，或已完成必須之準備者」，本款為學
5說上所稱先使用權或先用權之規定，其為專利侵權抗辯事由
6之一。依第31條規定，本法對於專利申請係採先申請原則
7，申請並取得專利權之人不一定是先發明之人，亦不一定是
8先實施發明之人。在專利權人提出專利申請之前，他人有可
9能已實施或準備實施專利權所保護之發明，於此情況下，如
10在授予專利權後對在先實施之人主張專利權，禁止其繼續實
11施該發明，顯然不公平，且造成先實施人投資浪費。因此，
12各國大都有先用權之規定，主張先用權者可排除專利權之效
13力。先用權名之為權，其實是一種抗辯、前提條件。
14或
15使用相同之方法，包括販賣、使用或進口相同之物品或是依
16據相同方法直接製成之物品，且不以自己實施為限，委託他
17人實施者，亦適用本規定，例如該受委託之人之製造亦屬先
18使用權之範圍。所謂已完成必須之準備，是指為了製造相同
19之物品或使用相同之方法，已經在國內做了必要之準備。必
20要之準備行為須為客觀上可被認定的事實，例如已經進行相
21當投資、已完成發明之設計圖或已經製造或購買實施發明所
22需的設備或模具等。若僅是主觀上有實施發明之準備，或為
23購買實施所必要之機器而有向銀行借款等準備行為，則不得
24謂已完成必須之準備。
254、13、21至24、33及34是否可證明被告安森公司在
26系爭專利優先權日前已實施或完成與系爭專利相同之物：
27施或
291完成與系爭專利相同之物的相關技術內容，主要為被證4、
2被證33及被證34，其中被證4為系爭產品於101年5月的
3試機報告書，依被證4所記載內容，其報告日期應為101年
45月17日，且被證4簡報第15~36頁標題為「Processtrends
5（製程趨勢）」記錄試機過程中反應流程及各個反應的操作
6條件：捲料先經由GLO（被證4簡報第15~17頁，plasma
7cleaning即以電漿清潔捲料表面）→第一個鍍層TiOx（被證
84簡報第18~20頁，濺鍍TiOx）→第二個鍍層Cu（被證4
9簡報第21~24頁，濺鍍Cu）→第三個鍍層Ag（被證4簡報
10第25~27頁，蒸鍍Ag）→第四個鍍層CrOx（被證4簡報第2
118~30頁，濺鍍CrOx)→第五個鍍層SiO2（被證4簡報第31~
1233頁，SiO2蒸鍍)→第六個鍍層TiO2（被證4簡報第34~36
13頁，TiO2蒸鍍）。因此，被證4揭露了TiO2/SiO2/CrOx/Ag/Cu
14/TiOx/anodizedaluminum的層狀結構。
154簡報第22頁圖式，使用銅是為了要節省銀
16的材料，由此可知，該技術特徵係為銀/銅作為雙反射層的概
17念，其已與以銀作為單反射層的概念不同。因此，即使被證
184揭露了TiO2/SiO2/CrOx/Ag/Cu/TiOx/anodizedaluminum的層
19狀結構，但被證4仍無法說明該等層狀結構是屬於以銀作為
20單反射層的概念。
21/銅雙層結構基礎上，調整銀/銅使用量，乃是
22系爭專利申請前通常知識，例如被證7至9的技術內容，因
23而，被告認為在系爭專利優先權日前已占有TiO2/SiO2/CrOx/A
24g/Cu/TiOx/anodizedaluminum之層堆疊發明概念，此發明概
25念當然包括在銀/銅雙層結構基礎上，調整銀/銅使用量的通
26常知識(15頁第(二)點)。然而，參酌被
27證7至9係僅能作為參考文件，被告仍應以是否有實際製作
301以銀作為單反射層的概念的相關證據，始能證明系爭產品為
2「申請前已在國內實施，或已完成必須之準備者」為專利權
3效力所不及的事實。
4WO2007/095876號專利，即被證8
5(CZ000000000)的對應案(8頁第(四)點)而製
6作的技術，而該技術特徵係為銀/銅作為雙反射層的概念。然
7而，被告一方面認為系爭產品乃是依照WO2007/095876號專
8利(即被證8的對應案)所製作的技術，即銀/銅作為雙反射層
9的技術；另一方又自承系爭產品與系爭專利請求項1至3、8
10至16及30內容相同(1頁或107年4月24
11日準備程序筆錄整理之不爭執事項)，惟系爭專利所請係為一
12層銀的光密反射層，而非雙反射層的技術。因此，被告之主
13張係有所矛盾，併此指明。
14２、系爭專利說明書並未違反專利法第26條第1項之規定：
15光密」的特徵：
1626條第1項規定「使該發明所屬技術領域中具
17有通常知識者，能瞭解其內容，並可據以實現」，指說明書
18應明確且充分記載申請專利之發明，記載之用語亦應明確，
19使該發明所屬技術領域中具有通常知識者，在說明書、申請
20專利範圍及圖式三者整體之基礎上，參酌申請時之通常知識
21，無須過度實驗，即能瞭解其內容，據以製造及使用申請專
22利之發明，解決問題，並且產生預期的功效。
230005段記載「為提高反射性並抑制有害
24的干擾，首先為氧化鋁層塗層一層由金屬構成之所謂鏡面層
25或反射層，其必須具有使得該層達到光密的厚度，亦即，此
26種厚度阻止入射之輻射穿透該層到達下方之其他層，而造成
27氧化鋁層中的干擾效果。此類干擾效果會降低鏡面之效率並
311引致有害的干擾」。另依有關光密的敘述，系爭專利說明書
2第14頁第2段記載「不會或者基本上不會(小於1%為佳)有
3任何介於000-0000nm(特別是可見光)之電磁輻射能夠穿過位
4於其下方之層」。因此，所屬技術領域中具有通常知識者參
5酌系爭專利說明書時，係可理解「光密」一詞的意義，該敘
6述不會致使所屬技術領域中具有通常知識者無法據以實現。
7(即被證5及被證9)所
8記載內容，光密反射層須具有一定厚度始能達到其特性，而
9系爭專利說明書所記載的層6的厚度為50至90nm是無法達
10到光密特徵，因此，該特徵無法據以實現云云(參被告於民事
113至4頁第(二)-2至3點)。經查，該發明所屬
12技術領域中具有通常知識者係可理解不同反射材料可能會有
13不同的反射性質，其所達成光密之厚度會有所差異，例如系
14爭專利說明書第14頁第2段記載「一層反射層，其由高純度
15金屬構成，該金屬之純度至少99.9%為佳，選自銀、鋁、金
16、鉑、銠、鉬及鉻，或者由使用上述金屬中的一個合金構成
17，或者由上述金屬中的至少兩個構成更佳……」。由於不同
18材料所達成光密之厚度會有所不同，該發明所屬技術領域中
19具有通常知識者，基於系爭專利之教示以及其所具有之通常
20知識，自能針對所欲作為反射層之材料決定其厚度。被告所
21稱系爭專利說明書之先前技術所指的被證5只能說明該被證
225在＜90nm的第一功能性反射層並非光密，仍無法說明系爭
23專利所界定的層6的厚度在50至90nm是無法據以實現的。
24又有關被告所指的被證9說明書第0013段揭露「該反射層可
25由Ag、Al、Au或Pt構成且應光學密封地，至少以100nm的
26厚度沉積而成」，惟該段內容所述的材料與系爭專利說明書
27所述之材料仍不完全相同，且被證9至多只能說明反射層可
321由Ag、Al、Au或Pt構成且利用100nm的厚度沉積可以達
2到光學密封，但仍不能證明在低於100nm時，是否可以達到
3光學密封的效果或是使用其他材料時，其可以達到光學密封
4的厚度為多少。是以，系爭專利說明書係已記載有關光密的
5材料、純度及厚度，而被告所指的被證5及被證9所使用的
6材料與系爭專利也不盡相同，故不能單以厚度作為達到該層
7是否屬於光密的一層，系爭專利說明書所載之內容並無矛盾
8。因此被告所稱之理由並不可採。
96與作為晶種層的層5a的厚度關係，顯
10示反射層6與層5a會併同一起貢獻反射，其會與系爭專利
11主張反射層6光密特徵矛盾云云(參被告所提之民事答辯狀
124至5頁第3點)，經查被告舉反射層6的材料為銀，
13且其厚度為50nm作為例子，欲說明反射層6光密特徵的矛
14盾，惟如前所述，光學密封的效果會因不同的材料、純度及
15厚度均會產生不同結果，被告所舉之例係為以假設銀的厚度
16為50nm且無法顯現光密效果為前提，但系爭專利說明書並
17未指示銀作為光密反射層時，其厚度僅須在50nm，反而依
18系爭專利的實施例，例如實施例1a，則指示使用銀作為高純
19度金屬構成之光學活性反射層時，其厚度應為90nm至200n
20m。所屬技術領域中具有通常知識者，參酌系爭專利說明書
21的整體內容後，自可輕易瞭解使用銀作為光密反射層時，不
22會僅將其厚度製作在50nm。至於系爭專利說明書第14頁第
232段所指的反射層厚度可在50至200nm，其50nm的厚度
24未必即指的是使用的材料是銀的情況，而系爭專利說明書中
25同時也具體指出了可以使用其他材料作為反射層，該50nm
26的厚度亦可以是使用其他材料作為反射層的情況。此外，系
27爭專利說明書亦說明了「厚度以50至200nm乃至300nm較
331佳，通常為90至300nm，80至180nm，或者100至200nm
2」，系爭專利說明書已具體指明了可以達到反射層有光密效
3果的材料與厚度範圍，則所屬技術領域中具有通常知識者參
4酌系爭專利說明書的內容後，經由該指示即能瞭解其內容，
5並據以製造及使用系爭專利之發明，解決問題，並且產生預
6期的功效。因此，被告所稱之理由不可採。
731(以具有陽極氧化鋁(0.8μm)於其上之
8鋁基材作為層堆疊之基板，模擬當波長從300nm至2700nm
9時，層堆疊之反射率)欲說明系爭專利說明書所記載的內容
10無法為通常知識者據以實現云云。惟經查被證31的層系統
11模擬試驗僅為被告所自行製作的結果，其理論模型所假設之
12前提與適用條件以及各層材料的純度等的參數為何，均仍有
13疑義。此外，被告認為依據被證31的結果判斷反射層是否
14符合「光密」的標準是觀察其「干涉」現象(參民事答辯狀
153頁)，然而如上所述，依據系爭專利說明書對於「光
16密」的意思是指「不會或者基本上不會(小於1%為佳)有任
17何介於000-0000nm(特別是可見光)之電磁輻射能夠穿過位
18於其下方之層」，被告判斷「光密」的方式仍與系爭專利說
19明書的意思有所不同。是以，被告所提之被證31的證據不
20可採。
21題
22：
23目主
24要是取決於申請專利範圍中所載之技術特徵的總括程度，如
25並列元件的總括程度或數據的取值範圍；而實施例的數目是
26否適當，亦應考量發明的性質、所屬技術領域及先前技術的
27情況，原則上應以是否符合可據以實現要件及是否足以支持
341申請專利範圍，予以判斷。當一個實施例足以支持申請專利
2範圍所涵蓋的技術手段時，說明書得僅記載單一實施例。若
3申請專利範圍涵蓋的範圍過廣，僅記載單一實施例並不符合
4可據以實現要件時，應記載一個以上不同之實施例，或記載
5性質類似之擇一形式（alternative）實施方式，以支持申請
6專利範圍所涵蓋的範圍。
74、層5a、層6、
8層7、層9、層10等，其說明書中雖列舉數種材料，而實
9施例雖僅列舉部份的材料，惟系爭專利說明書所載之各層的
10材料係以擇一形式總括的方式記載，而以擇一形式總括時，
11並列的各選項應具有類似的本質(nature)，據此，雖然系爭
12專利之實施例僅列舉部份的材料，但其他材料應具有類似的
13本質，是以所屬技術領域中具有通常知識者基於具有類似本
14質的材料，自可根據說明書所記載的內容而可據以實現，其
15尚未有過度實驗的問題。
16問題
17(6至7頁第2至3點)。經查按專利審
18查基準第一篇第一章「1.2.6實施方式」相關規範，實施方式
19(embodiments)係申請專利之發明的詳細說明，為說明書的
20重要部分，對於明確且充分揭露、能瞭解及實現發明，以及
21對於支持及解釋請求項，均極為重要。因此，說明書應記載
22一個以上發明之實施方式，必要時得以實施例(examples)說
23明。據此，系爭專利說明書已記載了相關的「實施方式」，
24而「實施例」係僅屬於例示性質，就系爭案而言，尚難要求
25專利申請人對每一個組合分別提出實施例，且依據系爭專利
26說明書第28頁第0085及第0086段記載，該等實施例是列
27出特別有利的厚度範圍，再加上實施例已具體列出各層所使
351用的材料，例如可選擇Ag作為反射層材料，其厚度可利用
290或200nm進行試驗。因此，該發明所屬技術領域中具有
3通常知識者基於說明書所揭露的內容，利用例行之試驗或分
4析方法即可延伸，或對於說明書所揭露之內容僅作明顯之修
5飾即能獲致，本案尚難否認說明書所揭露的內容不能為所屬
6技術領域中具有通常知識者可據以實現。
726條第1項之
8規定。
9３、系爭專利請求項1至3、8至16、30未違反專利法第26條
10第2項之規定：
11相
12關規範：
13求項
14整體之記載亦應明確，使該發明所屬技術領域中具有通常知
15識者，單獨由請求項之記載內容，即可明確瞭解其意義，而
16對其範圍不會產生疑義。具體而言，即每一請求項中記載之
17範疇及必要技術特徵應明確，且每一請求項之間的依附關係
18亦應明確。解釋請求項時得參酌說明書、圖式及申請時之通
19常知識。
20申請
21標的必須根據說明書揭露之內容為基礎，且請求項之範圍不
22得超出說明書揭露之內容。該發明所屬技術領域中具有通常
23知識者，參酌申請時之通常知識，利用例行之實驗或分析方
24法，即可由說明書揭露的內容合理預測或延伸至請求項之範
25圍時，應認定請求項為說明書所支持。應注意者，請求項不
26僅在形式上應為說明書所支持，並且在實質上應為說明書所
27支持，使該發明所屬技術領域中具有通常知識者，能就說明
361書所揭露的內容，直接得到或總括得到申請專利之發明。審
2查時，應參酌申請時之通常知識，包括相關的先前技術，判
3斷請求項總括的範圍是否恰當，而使請求項之範圍未超出說
4明書揭露之內容，亦未減損申請人理當獲得之權益。若無相
5關的先前技術，開創性發明相較先前技術的改良發明，通常
6可獲得較廣之總括範圍。
7(6)
8之「金屬純度」、「成分」及「厚度」與LI層(9)及HI層(1
90)之「材料」及「厚度」等參數/條件的問題：
10按專利法施行細則第18條第2項之規定「獨立項應敘明申
11請專利之標的名稱及申請人所認定之發明之必要技術特徵」
12，有關「必要技術特徵」係指申請專利之發明為解決問題所
13不可或缺的技術特徵，其整體構成發明的技術手段，而發明
14之必要技術特徵係為申請專利之發明與先前技術比對之基礎
15，至於非必要技術特徵於請求項中得不予記載。經查，本案
16光密反射層之「金屬純度」、「成分」及「厚度」或是LI層
17、HI層之「材料」及「厚度」等參數條件，係屬於習知，非
18屬系爭專利之發明的必要條件，系爭專利請求項的必要技術
19特徵應在於申請人所認定之必要技術特徵，即能夠達到高純
20度金屬構成的光密反射層以及具有低折射率的LI層與高折射
21率的HI層，以及該等層的組合。另參考被證8、9及12之
22請求項所界定的內容，其同樣未界定功能反射層或反射層的
23「金屬純度」、「成分」及「厚度」或是高折射率層與低折
24射率層的「材料」與「厚度」等條件，顯然該等參數條件並
25非為必要的技術特徵，即使未界定該等參數條件，所屬技術
26領域中具有通常知識者仍可輕易理解系爭專利請求項所界定
27的內容，不會對該範圍產生疑義。
371
2徵已
3為所屬技術領域中具有通常知識者可據以實現，並據以定義
4，則所屬技術領域中具有通常知識者對於系爭專利請求項所
5載的「光密」之特徵的內容及範圍自亦不會產生疑義。
6100nm厚度才可能顯現光密效
7果」，並認為參酌系爭專利請求項1、7及28顯與系爭專利
8【先前技術】章節教示矛盾(8頁第(二)-2
9點)。惟經查，如前述所示，「反射層至少100nm厚度才可
10能顯現光密效果」係屬於先前技術(即被證9)的內容，並不能
11代表系爭專利請求項所請之發明的結果，而系爭專利說明書
12第14頁第2段已經隱含了反射層的選擇可以有不同的材料搭
13配不同的厚度，更何況系爭專利請求項7及28所界定的反射
14層厚度(50至200nm或是80至180nm)，並未說明是使用何種
15材料，而由於不同反射層材料達成光密的厚度會有不同，例
16如50nm之厚度的鋁反射層就可能達到光密效果(參原證33)
17。因此，系爭專利請求項1與請求項7及28所界定的範圍並
18無矛盾。是以，被告所主張之理由不可採。
191對各層界定的敘述方式：
20認為
21系爭專利請求項1未界定層5b的技術特徵(
22第9至10頁第4及5點)，惟經查系爭專利請求項1已針對
23層系統的各層進行界定與敘述且已為明確，而各層所達到的
24技術效果，係由各層之堆疊次序以及各層所選用之材料所賦
25予，自當無需特別界定於請求項中。此外，參照系爭專利說
26明書第0033段的內容「(5b)位於反射層6下方而以非光密為
27佳的層，其以在層(5a)所提供之縮核上增長為佳，並且會有
381助於反射層金屬之特別緊密的增長("晶種層2")，而此層以由
2與反射層相同之金屬構成為佳」，另外，系爭專利說明書第
30059段及第0060段亦分別記載了「在反射層6由鋁構成之
4特殊情形下，可將濺鍍之鋁作為"晶種層1"。蒸鍍之鋁反射
5層6極佳地附著在此種晶種層上，如此便毋需設置第二"晶種
6層"」、「而當反射層6完全透過濺鍍而被沈積時，則可棄用
7層5b」。系爭專利說明書亦已建議了不一定須使用層5b的
8技術特徵。因此，被告認為系爭專利請求項1所界定範圍不
9為說明書所支持的理由不可採。
101各層僅以「層」字界定，範圍
11廣泛且不明確，例如系爭專利說明書所記載之層(4)、層(5a)
12及層(6)之間厚度的關係，將會致使系爭專利之申請專利範圍
13不明確且無法為說明書所支持。惟如上所述，系爭專利請求
14項1已明確界定層(6)係為「由高純度金屬構成的光密反射層
15」，其已隱含了該層系統係為屬於一種單一層的反射層的技
16術特徵，而被告所認定的不明確之情況係在於所刻意假設之
17入射輻射會穿透「光密反射層」至氧化鋁層之情況，其已與
18請求項1之文義相違，且不同的材料可以使用不同的厚度，
19再按專利法第58條第4項之規定：「發明專利權範圍，以申
20請專利範圍為準，於解釋申請專利範圍時，併得審酌說明書
21及圖式」，參照系爭專利說明書第0032段所記載的內容，層
22(4)係為用來增強用於反射層金屬的附著度且作為擴散障蔽的
23一層，而層(5a)係為用來作為讓反射層較佳增長的縮合核的
24一層(及晶種層)為前提，則所屬技術領域中具有通常知識者
25參酌系爭專利說明書的內容後，係可理解系爭專利請求項1
26所請之發明的含意。因此，被告所稱之理由不足採。
2713界定LI層之折射率與請求項15界定
391HI層之折射率的問題：
2被告認為系爭專利請求項13界定LI層之折射率n上限值為
31.8，而請求項15界定HI層之折射率下限值n亦為1.8之問
4題，其有矛盾之情況(10第6點)，惟經查
5，系爭專利請求項1已明確界定LI層與緊鄰之HI層相比具
6有低折射率，而請求項13及15又分別依附於請求項1，是
7以，所屬技術領域中具有通常知識者係可理解，LI層與HI
8層的折射率必不相同。更何況請求項13及15均分別依附於
9請求項1至6項中任一項，請求項15與請求項13之間並無
10依附關係，亦即請求項13界定LI層之折射率n上限值為1.8
11，與請求項15界定HI層之折射率下限值n亦為1.8，兩者並
12無關聯性。當所屬技術領域中具有通常知識者解讀請求項13
13時，係應解釋為LI層的折射率n為1.3至1.8，而HI層的折
14射率理當高於LI層的折射率。當解讀請求項15時，係應解釋
15為HI層的折射率n為1.8至3.2，而LI層的折射率理當低於
16HI層的折射率。在解釋請求項13或15時，並不會將其解釋
17為LI層的折射率n為1.3至1.8且HI層的折射率n為1.8至
183.2的情況。被告欲以兩個無依附關係的請求項來說明系爭專
19利請求項1的界定矛盾並不合理。
20
218所界定之「TiOx」、「TiNxOy」，其
22係為界定層(4)之材料，經查請求項8係為請求項1的附屬項
23，由於請求項1已界定層(4)的材料為「可選自鈦及鋯之亞化
24學計量的氧化物」，故通常知識者當能瞭解系爭專利請求項8
25所記載之「TiOx」及「TiNxOy」係指化學式上不完全飽和之
26鈦之亞化學計量的氧化物或氮氧化物。
27系爭專利請求項14所界定之「SiOx」，其係為界定LI
401層(9)之材料，經查請求項14為請求項13的附屬項，而請求
2項13係已界定LI層(9)之材料可為選自金屬氧化物，而金屬
3氧化物可包含化學計量的化合物或亞化學計量之化合物，是
4以，請求項14所界定的「SiOx」即已意指化學計量之氧化矽
5或亞化學計量之氧化矽。此外，參酌系爭專利說明書第0032
6段(第15頁第1段)，記載「可以某種方式選擇該等氧化物中
7之指數x，使得不是出現化學劑量之化合物，就是氧化物之
8陽離子在化學式上不完全飽和(即出現亞化學計量之化合物)
9」亦得以佐證。
10系爭專利請求項16所界定之「TiOx」，其係為界定HI
11層(10)之材料，經查請求項16為請求項15的附屬項，而請求
12項15係已界定HI層(10)之材料可為選自金屬氧化物，而金
13屬氧化物可包含化學計量的化合物或亞化學計量之化合物，
14是以，請求項15所界定的「TiOx」即已意指化學計量之氧化
15鈦或亞化學計量之氧化鈦。此外，參酌系爭專利說明書第003
162段(第15頁第2段)，亦記載「可以某種方式選擇該等氧化
17物中之指數x，使得不是出現化學劑量之化合物，就是氧化物
18之陽離子在化學式上不完全飽和(即出現亞化學計量之化合物)
19」亦得以佐證。
20系爭專利請求項記載內容，無法明瞭請求項8
21、14及16的意義(11頁第(三)點)，惟如上
22所述，系爭專利請求項8、14及16係為附屬項，於解讀時仍
23應參照其所依附之請求項的內容予以解讀，並非僅解釋該等
24請求項所進一步界定的技術特徵而已，且按專利法第58條第
254項之規定：「發明專利權範圍，以申請專利範圍為準，於解
26釋申請專利範圍時，併得審酌說明書及圖式」。是以，所屬
27技術領域中經解讀系爭專利請求項8、14及16並參酌相關說
411明書內容後，理應可瞭解系爭專利請求項8所界定之「TiOx
2」、「TiNxOy」、請求項14所界定之「SiOx」，及請求項
316所界定之「TiOx」的含意。因此，被告之主張不可採。
41至3、8至16、30未違反專利
5法第26條第2項之規定。
6４、被證8、被證8及9之組合、被證8及10之組合、被證12
7、或被證12及被證9之組合不足以證明系爭專利請求項1至
83、8至16、30不具進步性：
98與系爭專利請求項1至3、8至16、30之比對：
10系爭專利請求項1：
118揭示一種高反射的層系統，被證8說明書第8
12頁第11至13行揭示關於塗覆的基底(S0)的材料，並且層系
13統特別有利地被應用到金屬基底(S0)，該金屬基底(S0)應獲
14得高反射表面，其可對應於系爭專利請求項1所界定之金屬
15基板(1)的技術特徵。
168說明書第2頁第4至8行及系爭專利請求項12至14
17揭示在基底(S0)與第一功能反射層(S3)之間形成增附劑層(S
182)，該增附劑層(S2)的材料可為鉻、鉬、鈦，其可對應於系
19爭專利請求項1所界定之層(4)的技術特徵。
208說明書第1頁摘要及系爭專利請求項1至3揭示在基
21底(S0)上形成可以為反射或部分反射的第一功能反射層(S3)
22，其材料可為銅、鋁、鈦、鉬等的金屬或金屬合金。此外，
23被證8說明書第1頁第19至20行及請求項4及5揭示在第
24一功能反射層(S3)上設置有第二功能反射層(S5)，該第二功
25能反射層(S5)可為銀或銀合金。然而，系爭專利請求項1所
26界定之形成在層(5a)上的結構係為由高純度金屬構成的光密
27反射層(6)。在此，被證8說明書第3頁第1至3行記載「第
421一功能反射層(S3)和第二功能反射層(S5)一同被構成為光密
2性的。顯見第二功能反射層(S5)仍未達到光密效果，須加上
3第一功能反射層，才能真正達光密效果。反觀系爭專利所界
4定的由高純度金屬構成的光密反射層(6)即是作為能夠具有光
5密特性的一層反射層。據此，系爭專利請求項1所界定之由
6高純度金屬構成的光密反射層(6)與被證8所揭示的第二功能
7反射層(S5)的技術特徵有所不同。
88說明書第2頁第17至21行及請求項19至21揭示增
9附劑層(S6)被設置在第二功能反射層(S5)與第一透明介電層(
10S7)之間，該增附劑層(S6)的材料可以為金屬或氧化鈦等物
11質。然而，系爭專利請求項1所界定之形成在由高純度金屬
12構成的光密反射層(6)上的層(7)，該層(7)的材料係為選自鈦
13等物質的亞化學計量的氧化物，其與被證8所揭示的增附劑
14層(S6)的技術特徵有所不同。
158說明書第1頁摘要及系爭專利請求項1、6、7揭示在
16第二功能反射層(S5)上跟著的是第一透明介電層(S7)，該第
17一透明介電層(S7)例如可以由氧化矽組成。在第一透明介電
18層(S7)上設置有第二透明介電層(S8)，該第二透明介電層(S8)
19例如可以由氧化鈦組成。據此，被證8所揭示的第一透明介
20電層(S7)及第二透明介電層(S8)係可分別對應於系爭專利請
21求項1所界定之LI層(9)及HI層(10)的技術特徵。
228與系爭專利請求項1最主要的差異在於
23，系爭專利請求項1所界定之由高純度金屬構成的光密反射
24層(6)以及層(7)與被證8所揭示的第二功能反射層(S5)以及增
25附劑層(S6)的技術特徵有所不同。此外，系爭專利請求項1
26所界定之層系統係可解決應用於LED、太陽反射器、或雷射
27鏡時於高溫操作下所面臨之穩定性問題，而被證8亦未教示
431其效果。據此，被證8尚不足以證明系爭專利請求項1不具
2進步性。
3系爭專利請求項2至3、8至16、30：
4經查，系爭專利請求項2至3、8至16係為直接或間接依附
5於請求項1的附屬項，而請求項30則為引用記載請求項1的
6獨立項，於解釋該等請求項之專利權範圍時應包含請求項1
7之所有技術特徵。據此，如前所述，被證8已不足以證明系
8爭專利請求項1不具進步性，而系爭專利請求項2至3、8
9至16既依附於請求項1、請求項30引用記載請求項1之內
10容，則被證8仍不足以證明系爭專利請求項2至3、8至16
11、30不具進步性。
128不足以證明系爭專利請求項1至3、8至16、
1330不具進步性。
148及9之組合與系爭專利請求項1至3、8至16、30之
15比對：
161：
179說明書第0001段及第0016段揭示一種在可見
18光譜範圍內具有高反射率的環境穩定鏡面層系統，而該層系
19統係可沉積在玻璃基板或塑膠基板。被證9說明書第0029段
20揭示在基板上沉積一介電氧化層2，以用作助黏劑及擴散障壁
21層，其適合材料可為TiOx、ZrOx等採用亞化學計量製化學劑
22量建構方案。此外，被證9說明書第0013段及第0030段揭
23示在黏附促進和擴散阻擋層上沉積Ag等的反射層，且該反射
24層具有光學密封的特徵。再者，被證9說明書第0031段揭示
25在金屬層上施覆另一介電氧化層4，以用做擴散障壁及保護
26層，該層材料可使用等同於助黏劑及擴散障壁層2的材料。
27又，被證9說明書第0015段及第0034段揭示該層系統沉積
441SiO2或MgF2的低折射率層和TiO2或Nb2O5的高折射率層。
29說明書第0016段及第0024段，其層系統
3所使用的基板主要為玻璃基板或塑膠基板，並且其沉積介電氧
4化層2(用作助黏劑及擴散障壁層)的目的也是在於增加玻璃或
5塑膠基板與反射層之間的黏著度問題。反觀被證8所揭示的層
6系統，其基板的材質則是為金屬。而被證9並未教示其層系統
7可以使用金屬基板。另外，被證9所揭示的反射層係為經由單
8一反射層而形成光學密封，但被證8所揭示的層系統係為利用
9兩層的複合反射層以形成光學密封。據此，所屬技術領域中具
10有通常知識者當參酌被證9時，尚無動機將其與被證8組合而
11完成系爭專利請求項1的技術特徵。因此，被證8及9之組合
12尚不足以證明系爭專利請求項1不具進步性。
13系爭專利請求項2至3、8至16、30：
14被證8及9之組合已不足以證明系爭專利請求項1不具進步性
15，則被證8及9之組合仍不足以證明系爭專利請求項2至3、
168至16、30不具進步性《論述理由詳如【貳、五、（五）４
17
188及9之組合不足以證明系爭專利請求項1至3、
198至16、30不具進步性。
208及10之組合與系爭專利請求項1至3、8至16、30之
21比對：
22系爭專利請求項1：
2310說明書第5頁末段至第6頁第1行揭示其係提
24供一個具有改良之金屬對塑料黏附性的塑料負載金屬材料，其
25通常為一個二維的平面的塑料載體。此外，被證10請求項1
26揭示在載體表面上具有3至200A(埃)的厚度的黏附提升第一
27層，其含有選自鋯、鈦、鉬、鉻等金屬或是低於計量關係的氧
451化物式呈現。再者，被證10說明書第11頁第20至22行揭示
2可以使用銀作為具有光學反射性的一層結構。
310說明書第3頁第2至5行揭示其有關塑料
4負載金屬型表面的改良，其特徵為在金屬成份物和塑料薄膜間
5有顯著增強的黏附力。反觀被證8所揭示的層系統，其基板的
6材質則是為金屬，其與被證10所欲解決的問題不同，且被證1
70並未教示其層系統可以使用金屬基板。另外，被證10所揭
8示的反射層係為經由單一層的光反射層，但被證8所揭示的層
9系統係為利用兩層的複合反射層以形成光學密封。據此，所屬
10技術領域中具有通常知識者當參酌被證10時，尚無動機將其
11與被證8組合而完成系爭專利請求項1的技術特徵。因此，被
12證8及10之組合尚不足以證明系爭專利請求項1不具進步性
13。
142至3、8至16、30：
15被證8及10之組合已不足以證明系爭專利請求項1不具進步
16性，則被證8及10之組合仍不足以證明系爭專利請求項2至3
17、8至16、30不具進步性《論述理由詳如【貳、五、（五）４
18
198及10之組合不足以證明系爭專利請求項1至3
20、8至16、30不具進步性。
2112與系爭專利請求項1至3、8至16、30之比對：
22系爭專利請求項1：
2312說明書第0032段揭示一種反射層系統，其包含
24基板S，且可將所有常見材料，如玻璃、塑膠或金屬，以及撓
25性材料用作基板S，其係可對應於系爭專利請求項1所界定之
26金屬基板(1)的技術特徵。
2712說明書第0034段、第0042段及請求項8揭示基板S
461的表面在實例中藉由沉積黏附促進及擴散阻擋層HS形成經預
2處理的表面，並可使用TiOx或ZrOx(其中x≦2)等材料，其係
3可對應於系爭專利請求項1所界定之層(4)的技術特徵。
412說明書第0038段、請求項4及8教示了可在黏附促進
5及擴散阻擋層HS上形成一第一反射金屬層(R1)，而該第一反
6射金屬層的材料可為銅。此外，被證12說明書第0038段揭示
7反射層系統可以使用一第二反射層，其材料可為銀。然而，對
8應於系爭專利請求項1所界定之形成在層(5a)上的結構係為由
9高純度金屬構成的光密反射層(6)，系爭專利請求項1所界定的
10層系統係為使用一層光密的反射層，而被證12則是使用兩層的
11反射層，被證12所揭示的第二反射層並非屬於一種光密反射層
12。因此，被證12所揭示的第二反射層與系爭專利請求項1所界
13定之由高純度金屬構成的光密反射層(6)有所不同。
1412說明書第0038段揭示在反射層上可形成一擴散障壁層
15BS，由鋁摻雜氧化鋅(ZAO)構成。然而，對應系爭專利請求項
161所界定之層(7)，其在層(7)的成分並非如被證12所揭示的ZA
17O的材料。因此，被證12所揭示的擴散障壁層BS與系爭專利
18請求項1所界定之層(7)的技術特徵有所不同。
1912說明書第0038段及請求項10揭示該反射層系統可形
20成由氧化矽(SiO2)構成的低折射率介電層，以及由TiO2所構成
21的高折射率介電層，其依序可對應於系爭專利請求項1所界定
22之LI層(9)及HI層(10)的技術特徵。
2312與系爭專利請求項1最主要的差異在於
24，對應系爭專利請求項1所界定之由高純度金屬構成的光密反
25射層(6)及層(7)，與被證12所揭示的技術內容不同。此外，系
26爭專利請求項1所界定之層系統係可解決應用於LED、太陽反
27射器、或雷射鏡時於高溫操作下所面臨之穩定性問題，而被證
47112亦未有教示其效果。據此，被證12尚不足以證明系爭專利
2請求項1不具進步性。
3系爭專利請求項2至3、8至16、30：
4被證12已不足以證明系爭專利請求項1不具進步性，則被證
512仍不足以證明系爭專利請求項2至3、8至16、30不具進
6步性《論述理由
7。
812不足以證明系爭專利請求項1至3、8至16、30
9不具進步性。
1012及9之組合與系爭專利請求項1至3、8至16、30之
11比對：
12系爭專利請求項1：
13經查，有關系爭專利請求項1與被證12的差異主要在於，對
14應系爭專利請求項1所界定之由高純度金屬構成的光密反射層
15(6)及層(7)，與被證12所揭示的技術內容不同。在此，被證9
16揭示了一種可見光譜範圍內具有高反射率的環境穩定鏡面層系
17統，雖然被證9說明書第0031段揭示在金屬層(即使用如Ag
18等材料的功能性反射層3上施覆另一介電氧化層4，以用做擴
19散障壁及保護層，該層材料可使用等同於助黏劑及擴散障壁層
202的材料，即TiOx、ZrOx等採用亞化學計量製化學劑量建構
21方案，其可相當於系爭專利請求項1之層(7)。且被證9說明書
22第0013段及第0030段揭示使用Ag等的一層具有光學密封的
23反射層。然而，被證9僅揭示該一層反射層是形成在黏附促進
24和擴散阻擋層上，而非形成於如系爭專利請求項1所界定之層
25(5a)上，亦即被證9並未揭示系爭專利請求項1之層(5a)的技
26術特徵。此外，被證12說明書第0011段、第0022段與請求
27項1及3雖然亦揭示該反射層系統可以僅使用一層的反射層，
481惟被證12仍然未教示當僅使用一層的反射層時，其亦須使用
2如系爭專利請求項1所界定之層(5a)的技術特徵，被證12說
3明書第0038段雖然揭示一層由Cu構成的第一反射層，惟該
4情況係指該反射層系統是在具有兩層反射層的情況下，而非單
5一反射層的情況。據此，被證12及9的組合仍未教示系爭專
6利請求項1的技術特徵，被證12及9之組合尚不足以證明系
7爭專利請求項1不具進步性。
8系爭專利請求項2至3、8至16、30：
9被證12及9之組合已不足以證明系爭專利請求項1不具進步
10性，則被證12及9之組合仍不足以證明系爭專利請求項2至3
11、8至16、30不具進步性《論述理由詳如【貳、五、（五）
12
1312及9之組合不足以證明系爭專利請求項1至3、
148至16、30不具進步性。
15５、被證8及系爭專利自承先前技術之組合、被證8及9及系爭
16專利自承先前技術之組合、被證8及10及系爭專利自承先前
17技術之組合、被證12及系爭專利自承先前技術之組合、或被
18證12及9及系爭專利自承先前技術之組合不足以證明系爭專
19利請求項2至3、8至16、30不具進步性：
202及3：
212及3為請求項1之附屬項，於解釋
22上應包括請求項1的所有技術特徵，而請求項2及3並進一步
23界定基板(1)的材料與構成，先予敘明。
248及系爭專利自承先前技術之組合與系爭專利請求項2及
253之比對：
261的技術特徵，如上所述，請求項1與被
27證8的主要差異在於系爭專利請求項1所界定之由高純度金
491屬構成的光密反射層(6)以及層(7)與被證8所揭示的第二功能
2反射層(S5)以及增附劑層(S6)的技術特徵有所不同。被證8
3尚不足以證明系爭專利請求項1不具進步性。
4
5利說明書第0002段及第0003段所載有關基板的材料，即對鋁
6實施陽極氧化，並在其兩側形成有氧化鋁層的技術特徵，該
7等技術特徵係為與系爭專利請求項2及3所進一步界定的技
8術特徵有關，其與由高純度金屬構成的光密反射層(6)以及層(
97)的技術特徵無關。是以，被證8與系爭專利自承先前技術
10之組合仍不足以證明系爭專利請求項2及3不具進步性。
118及9及系爭專利自承先前技術之組合與系爭專利請求
12項2及3之比對：
13系爭專利請求項1的技術特徵，如上所述，被證8所揭
14示的層系統，其基板的材質則是為金屬。而被證9並未教示
15其層系統可以使用金屬基板。另外，被證9所揭示的反射層
16係為經由單一反射層而形成光學密封，但被證8所揭示的層
17系統係為利用兩層的複合反射層以形成光學密封。據此，所
18屬技術領域中具有通常知識者當參酌被證9時，尚無動機將
19其與被證8組合而完成系爭專利請求項1的技術特徵。因此
20，被證8及9之組合尚不足以證明系爭專利請求項1不具進
21步性。
228及9之組合已不足以證明系爭專利請求項1不具進步
23性，則該系爭專利自承之先前技術與被證8及9之組合亦仍
24不足以證明系爭專利請求項2及3不具進步性。
258及10及系爭專利自承先前技術之組合與系爭專利請求
26項2及3之比對：
27系爭專利請求項1的技術特徵，被證10的特徵為在金屬
501成份物和塑料薄膜間有顯著增強的黏附力。而被證8所揭示
2的層系統，其基板的材質則是為金屬，其與被證10所欲解決
3的問題不同。另外，被證10所揭示的反射層係為經由單一層
4的光反射層，但被證8所揭示的層系統係為利用兩層的複合
5反射層以形成光學密封。據此，所屬技術領域中具有通常知
6識者當參酌被證10時，尚無動機將其與被證8組合而完成系
7爭專利請求項1的技術特徵。因此，被證8及10之組合尚不
8足以證明系爭專利請求項1不具進步性。
98及10之組合已不足以證明系爭專利請求項1不具進步
10性，則該系爭專利自承之先前技術與被證8及10之組合亦仍
11不足以證明系爭專利請求項2及3不具進步性。
1212及系爭專利自承先前技術之組合與系爭專利請求
13項2及3之比對：
14系爭專利請求項1的技術特徵，被證12與系爭專利請
15求項1主要的差異在於，對應系爭專利請求項1所界定之
16由高純度金屬構成的光密反射層(6)及層(7)，與被證12所揭
17示的技術內容不同。因此，被證12尚不足以證明系爭專利
18請求項1不具進步性。
19
20項2及3所進一步界定的技術特徵有關，已如前述，惟其與
21由高純度金屬構成的光密反射層(6)以及層(7)的技術特徵無關
22。是以，被證12與系爭專利自承先前技術之組合仍不足以
23證明系爭專利請求項2及3不具進步性。
2412及9及系爭專利自承先前技術之組合與系爭專利
25請求項2及3之比對：
26系爭專利請求項1之技術特徵，如上所述，被證9揭示
27使用Ag等的一層反射層，且該反射層具有光學密封的特
511徵，然而，被證9並未揭示系爭專利請求項1之層(5a)的技
2術特徵。此外，被證12係揭示使用兩層反射層，而被證12
3雖亦揭示該反射層系統可以僅使用一層的反射層，惟被證12
4仍然未教示當僅使用一層的反射層時，其亦須使用如系爭專
5利請求項1所界定之層(5a)的技術特徵。據此，被證12及9
6之組合尚不足以證明系爭專利請求項1不具進步性。
712及9之組合已不足以證明系爭專利請求項1不具進
8步性，則該系爭專利自承之先前技術與被證12及9之組合
9亦仍不足以證明系爭專利請求項2及3不具進步性。
108至16、30：
118至16為直接或間接依附於請求項
122或3的附屬項，而請求項30則為引用記載請求項2或3的
13獨立項，於解釋該等請求項之專利權範圍時應包含請求項2
14或3之所有技術特徵。另外，被告亦提出系爭專利說明書第
150005段及第0013段有關反射層的技術特徵，而欲說明系爭
16專利請求項10及11不具進步性，先予敘明。
178及系爭專利自承先前技術之組合、被證
188及9及系爭專利自承先前技術之組合、被證8及10及系爭
19專利自承先前技術之組合、被證12及系爭專利自承先前技
20術之組合、或被證12及9及系爭專利自承先前技術之組合
21已不足以證明系爭專利請求項2及3不具進步性，而系爭專
22利請求項8至16既依附於請求項2或3、請求項30引用記
23載請求項2或3之內容，且系爭專利說明書第0005段及第0
24013段僅在於說明單一反射層的技術特徵，則該等之組合仍
25不足以證明系爭專利請求項8至16、30不具進步性。
268及系爭專利自承先前技術之組合、被證8
27及9及系爭專利自承先前技術之組合、被證8及10及系爭
521專利自承先前技術之組合、被證12及系爭專利自承先前技
2術之組合、或被證12及9及系爭專利自承先前技術之組合
3不足以證明系爭專利請求項2至3、8至16、30不具進步性
4。
5６、被證40及41之組合，或是被證40、41及9之組合不足以
6證明系爭專利請求項1至3、8至16及30不具進步性；但
7被證40、41及7之組合足以證明系爭專利請求項1至3、8
8至16及30不具進步性：
940，其係屬於系爭專利相應歐洲專利案的異議理由
10(被證40-1及40-2)及證據(被證40-3至被證40-5)，由於各
11國專利審查制度及基準未盡相同，原則上不宜直接採用他國
12對應案之申請歷史檔案(即被證40-1及40-2)。然而，被告
13
14關係，並另於本案中附上該等證據，即被證40-3至被證40-
155，而該等證據係為原告有關Vega98110產品的相關資料。
16被告亦提出被證41(其為102年有關Vega產品的目錄)，被
17證40-3至被證40-5係可用於佐證被證41所指之Vega98110
18產品的層系統結構。因此，本案尚可依據被證40-3至被證4
190-5與被告於本案陳述之理由予以比對。
2040及41之組合不足以證明系爭專利請求項1至3、8
21至16及30不具進步性：
22系爭專利請求項1：
2340之相關文件為被證40-1至40-5，均詳如【貳
24、五、（四）６、證據40】段所載。
2540之文件主要是要比較Vega98110與系爭專
26利之層堆疊結構(詳參被證40-2第22至24頁)，被告引用被
27證40-1之D29的證據(即被證40-3)，其中D29a為樣本Veg
531a98110(樣品2010)原樣的2張相片影本(即被證40-4)，而D2
29b則為Fraunhorf研究所分析報告(即被證40-5)。據此，雖
3然被告所提之被證40-2(即被證40-1的中譯文)第23頁末行
4第24頁第7行記載Vega98110的層堆疊結構由上而下依序
5為TiOx/SiOx/CrOx/Ag/Cu/TiOx/Al2O3(Eloxal)/鋁載體，惟參
6照被證40-5(即有關Vega98110的分析報告)，該分析報告指
7出Vega98110的層堆疊結構應為TiO2/SiO2/CrOx/Ag/Cu/TiO2/
8Al2O3(Eloxal)。按此，應參照被證40-5之分析報告所記載
9的層堆疊結構與系爭專利請求項1予以比對。另外，參照被
10證41第3頁的Vega98110產品的規格，其係記載具有99.99
11%的銀以及反射率≧98。
1240及被證41之組合與系爭專利請求項1主要的
13差異在於：(a)系爭專利請求項1所界定的層(4)材料鈦的亞
14化學計量的氧化物，而被證40-5所揭示之在Cu與Al2O3之
15間的TiO2係為化學計量的氧化物；(b)被證40-5及被證41雖
16然揭示具有一層99.99%的Ag層，惟尚無法說明該層係為系
17爭專利請求項1所界定的高純度金屬構成的「光密反射層」
18。
19其係指
20該反射層具有光密性質。在此，被證40及41均尚無法證明
21該等組合具有光密反射層，且系爭專利請求項1所界定之層(
224)的材料與被證40所測定出的結果亦有所不同。再者，被
23證40及被證41亦未教示經由系爭專利請求項1所界定的特
24定組合的層系統所能達到的效果，即被證40及被證41並未
25教示可以達到具有溫度穩定性佳及耐腐蝕性等效果。據此，
26被證40及41之組合尚不足以證明系爭專利請求項1不具進
27步性。
541系爭專利請求項2至3、8至16、30：
2被證40及41之組合已不足以證明系爭專利請求項1不具進
3步性，則被證40及41之組合仍不足以證明系爭專利請求項
42至3、8至16、30不具進步性《論述理由詳如【貳、五、
5
68及被證
79均已記載使用單層金屬反射層的技術，因此，高純度銀形
8成光密反射層係屬通常知識(6至8頁)，
9惟被告所持理由並不可採，說明如下：
108的部分
11有關被證8說明書第8頁所述「第一功能反射層(S3)允許降
12低第二功能反射層(S5)的厚度，而不產生該層系統的反射率
13顯著喪失。…所以，如截至目前通常通過磁控濺射鍍覆第二
14功能反射層(S5)不再必要」，而系爭專利說明書第4頁所述
15「若無第一功能反射層，只能藉由濺鍍法方能濺鍍光密反射
16層」，經查該等段落的意思雖指在層系統中可以具有一層單
17層的金屬反射層，但該等內容均未教示當僅具有一層的「光
18密反射層」時，同時仍然應存在具有如系爭專利請求項1所
19界定的層(4)的結構。該等內容反而教示了銅與銀不能同時存
20在於層系統中。據此，被告所稱之理由不可採。
219的部分
22有關系爭專利說明書第10頁所自承先前技術即被證9說明
23書第0013段、第0022段、第0035段揭示可以使用Ag作為
24光密反射層，然而，如前所述，被證9雖然揭示在該層系統
25尚可以形成一層具有光學密封特徵的Ag反射層，惟被證9
26並未教示除了具有光密性質之反射層外，仍須具有如系爭專
27利請求項1所界定之層(4)的結構。再者，若申請專利之發明
551對照相關先前技術具有無法預期之功效，則於判斷是否具有
2肯定進步性之因素時，得視為有利之情事。因此，即使申請
3時之通常知識或先前技術會促使該發明所屬技術領域中具有
4通常知識者完成申請專利之發明，只要該發明具有無法預期
5之功效，則於判斷是否具有肯定進步性之因素時，得視為有
6利之情事。而經由系爭專利請求項1所界定之特殊層結構的
7組合係可達到具有溫度穩定性及耐腐蝕性等的功效，而被證
840及41與參考系爭專利自承之前技術被證9均仍未教示該
9等功效。是以，被告所稱之理由不可採。
1040及41之組合仍不足以證明系爭專利請求項
111至3、8至16、30不具進步性。
1240、41及7之組合足以證明系爭專利請求項1至3、
138至16及30不具進步性：
14系爭專利請求項1：
1540及41之組合與系爭專利請求項1之差異在於：
16(a)系爭專利請求項1所界定的層(4)材料鈦的亞化學計量的
17氧化物，而被證40-5所揭示之在Cu與Al2O3之間的TiO2係
18為化學計量的氧化物；(b)被證40-5及被證41雖然揭示具
19有一層99.99%的Ag層，惟尚無法說明該層係為系爭專利請
20求項1所界定的高純度金屬構成的「光密反射層」。
217的技術內容說明如下：
22ａ.經查被證7第208頁左欄末段至右欄末段及圖7揭示以
23大約110nm厚度之銀為光密反射層作為基準，並以銅取
24代銀而形成銀/銅雙層的技術內容。銅與銀之間有極佳的
25附著力以及銀層有良好的化學穩定性，且為了使銀/銅層
26與陽極氧化基板表面有有良好的附著力，因此在陽極氧
27化基板表面形成一層鈦界面層(此亦可由被證7第208頁
561表2得知)。最後可以成功的在陽極氧化基板上形成鈦、
2銅及銀的組合。此外，還可在該堆疊結構中形成有氧化
3鈦及氧化矽。而被證7說明書第208頁左欄第2段揭示
4該陽極氧化基板係為陽極氧化鋁。再者，被證7第209
5頁左欄第1段揭示該等的堆疊結構中的每一層均可具有
6良好的附著力，甚至銀層可具有良好的耐腐蝕性的效果
7。
8ｂ.由上述可知，被證7已經教示了銀與銅之間具有良好的
9附著力，且由被證7圖7亦可得知該實驗可分為4個點
10，分別為Ag的取代率為0%、15%、30%及45%，亦即
11Ag的厚度分別為110nm、93.5nm、77nm以及60.5nm進
12行測試。被證7教示了可以執行之Ag層的厚度。是以，
13所屬技術領域中具有通常知識者係可以輕易完成在具有
14銀/銅雙層結構的基礎上，為增加反射率，係可增加銀的
15使用量，例如具有厚度為93.5nm的Ag層並且可於其一
16側形成一銅層，同時，銀層與銅層之間具有良好的附著
17力之技術。
1840與被證41的組合係揭示了一種TiO2/SiO2/Cr
19Ox/99.99%之Ag/Cu/TiO2/Al2O3(Eloxal)的層系統結構，而被
20證41第2頁的「Keycharacteristic」又揭示了該層系統的組
21合具有極佳黏著力，而被證7又教示了可以輕易完成具有9
223.5nm的銀層並於一側形成具有良好附著力的銅層。是以，
23所屬技術領域中具有通常知識者係可將被證40、被證41與
24被證7組合而形成一TiO2/SiO2/CrOx/99.99%之Ag/Cu/TiO2/A
25l2O3(Eloxal)的層系統結構，且該Ag層的厚度係為93.5nm
26。在此，參酌系爭專利說明書第14頁第2段，其反射層係
27可以具有99.9%之高純度金屬以及具有一定厚度的一層，而
571可使得其具有光密的效果。據此，99.99%之Ag層且厚度為
293.5nm的技術特徵係可對應於系爭專利請求項1所界定之
3「高純度金屬構成的光密反射層」。在此，參酌系爭專利說
4明書第0032段(第14頁第2段)，有關系爭專利之發明所界
5定的光密反射層係指具有高純度金屬以及一定厚度及特定材
6料所組成，而被證40、41及被證7所教示的內容係已相當
7於系爭專利請求項1所界定的範圍。
841與被證40的組合與系爭專利請求項1仍有差異
9，即系爭專利請求項1所界定的層(4)材料鈦的亞化學計量的
10氧化物，惟該差異仍為所屬技術領域中具有通常知識者可輕
11易完成者，說明如下：
12ａ.被證40-5所揭示之在Cu與Al2O3之間的TiO2係為化學
13計量的氧化物，二者雖有所不同。然而，如上所述，被
14證7教示了在陽極氧化鋁基板上可形成一鈦層，再形成
15銅層及銀層，該等結構的組合具有良好的附著力。據此
16，所屬技術領域中具有通常知識者再參照被證40、41及
17被證7後，仍有動機將被證40-5所揭示之在Cu與Al2O3
18之間的TiO2置換成鈦層。亦即經由被證40、41及被證7
19之組合，所屬技術領域中具有通常知識者係可輕易完成
20一種TiO2/SiO2/CrOx/99.99%之Ag(93.5nm)/Cu/Ti/Al2O3(
21Eloxal)的層系統結構，而該層系統係可對應系爭專利請
22求項1所界定之HI層(10)/LI層(9)/層(7)/高純度金屬構
23成的光密反射層(6)/層(5a)/層(4)/金屬基板(1)的層系統。
24b.此外，被證41第2頁「TheBernburgPVDline」揭示該
25層系統係使用PVD的製程處理，而被證7同樣也是利用
26PVD製程以完成該層系統，且被證7第209頁圖10教示
27在陽極氧化鋁板上形成Ti時是利用濺鍍的方式進行。在
581此，對應被證40-5及被證41，其係在陽極氧化鋁板上形
2成TiO2，所屬技術領域中具有通常知識者在參照該等證
3據時，係可利用反應性濺鍍透過添加氧來鍍覆進而輕易
4達到完成TiOx(即亞化學計量之氧化鈦)的技術。據此，
5經由被證40、41被證7之組合而完成TiO2/SiO2/CrOx/99.
699%之Ag(93.5nm)/Cu/TiOx/Al2O3(Eloxal)的層系統結構
7，而該層系統結構亦可對應系爭專利請求項1所界定之
8層系統。
940、被證41及被證7之組合可達成系爭專利請求項1
10所產生的功效，說明如下：
11ａ.首先，有關系爭專利請求項1所達成的功效，經參酌系
12爭專利說明書第1頁末行至第2頁第2行，其係為達到
13具有溫度穩定性及耐腐蝕性的功效，且該層系統的各層
14採用的設計方案係為使其良好地彼此附著或附著在基板
15上，以及使表面反射器具有良好的耐磨性及耐腐蝕性。
16此外，系爭專利說明書第11頁第0027段亦記載該層系
17統需要有溫度穩定性是因為要避免受溫度引發之衰減機
18制等問題。
19ｂ.經查，被證41第2頁「Productstructure」揭示該層系
20統可以最小化磨損傷害，而被證41第2頁「Applications
21」揭示該層系統可以應用在LED反射器，且同頁「
22Productstructure」末行揭示該等層系統結構增加了反射
23率以及增加防止損壞與衰減的保護，其亦已教示了可適
24用在高溫的環境中所引發的衰減機制。再者，被證7第
25209頁左欄第1段揭示該等的堆疊結構中的每一層均可
26具有良好的附著力，甚至該等的銀層可具有良好的耐腐
27蝕性。又，被證7第208頁左欄表2亦揭示當在陽極氧
591化鋁基板上形成有鈦層、銅層及銀層時，其會具有良好
2的化學穩定性。據此，所屬技術領域中具有通常知識者
3當結合被證40、41及被證7時，自可預期在該等結構
4中可以達到溫度穩定性及耐腐蝕性的功效。
5Veg
6a98110產品之動機，亦無將Vega98110產品之Ag層修改為
7光密反射層的動機，故仍無法輕易獲致系爭專利之層系統(
8參原告於108年2月143至5頁
9第參、一、(一)至(四)點及第6至8頁第二、(一)至(二)點)
10，惟原告所稱之理由不可採，說明如下：
11ａ.經查，被證41第2頁的「Productstructure」及第5頁(
12即倒數第2頁)的最下圖「Coatingsystemvega98(R)」
13已記載該產品的概念在於要在陽極氧化鋁基板上形成99
14.99%的銀層，而該兩層之間需要有黏接層(Bondinglayer
15)。據此，所屬技術領域中具有通常知識者參酌被證41
16的內容時，可以理解在反射層的系統中，可以使用99.99
17%的銀作為反射層，而在該反射層與陽極氧化鋁基板之間
18需要有黏接層。此外，被證7第205頁的圖1及第206
19頁圖5揭示在該等的層系統中具有一「Basicreflection
20layer」，而反射層的材料可以嘗試著使用銀，以取代鋁
21材料，但由於銀與陽極氧化鋁基板之間並無黏著性(參被
22證7第208頁「Adhsionandchemicalstabilityofthebasic
23reflectionstack」第1段)。因此，被證7第208行左欄
24末二行及右欄第1段第1至2行、圖7揭示了該層系統
25可以同時使用銀/銅的堆疊結構，而銅與銀之間具有極佳
26的黏著性，且被證7第209頁左欄第1段揭示該等的堆
27疊結構可以具有良好的黏著性，亦即其已教示了若要將
601銀反射層形成於陽極氧化鋁板的層系統上，使用含有銅
2的堆疊結構是有其需要的，而非如原告所稱「倘若通常
3知識者果真將非光密銀層修飾微光密反射層(原告仍否認
4之)，其勢必會認為Vega98110產品之銅層因無法實現其
5反射功能而無存在之必要」(5頁第(4)
6點)。而如系爭專利說明書第0032段，即第13頁末段亦
7記載層5a(即使用銅)是用來增強反射層的附著度。
8ｂ.另外，原告認為所屬技術領域中具有通常知識者不會有
9動機修改Vega98110產品的理由在於，該產品以滿足客
10戶之相關需求，而使用較厚的銀會導致生產成本增加，
11因此技藝人士或生產工廠根本不會想增加銀之厚度，惟
12Vega98110是否滿足客戶需求或是使用較厚的銀是否會增
13加成本的問題，均非為考量系爭專利是否具有進步性的
14因素。一發明是否具有進步性，係指該發明是不是可以
15為所屬技術領域中具有通常知識者以申請時之相關先前
16技術為基礎，利用申請時之通常知識，即能預期得到該
17發明者，若能預期得到該發明者，則該發明之整體對於
18該發明所屬技術領域中具有通常知識者係顯而易知者，
19即能被輕易完成。是以，原告所稱之理由不可採。
201所請反射層系統在「高操作溫度」
21下之溫度穩定性及腐蝕穩定性之功效並非Vega98110產品及
22被證41之公開所得以預期(參原告於108年2月14日所提之
235至6頁第(五)點)，惟經查系爭專利請求
24項1並未界定其層系統是應用在「LED之MC-COB」上，且
25參照系爭專利說明書第0001段所揭示的內容，系爭專利所
26請之層系統係應用在作為溫度及腐蝕穩定之表面反射器，其
27並未記載原告所稱反射層系統要在「高操作溫度下」之溫度
611穩定性及腐蝕穩定性的效果。顯然系爭專利請求項1所請之
2層系統的功效並非單只是應用在「LED之MC-COB」等之「
3高操作溫度」下進行。系爭專利所請之發明其功效是包含了
4只要是達到可以使得應用在表面反射器時，具有溫度及腐蝕
5穩定的功效，即為系爭專利請求項1所欲達到的功效。因此
6，如前述所示，被證40、41及被證7的組合均已教示了系
7爭專利請求項1所欲達到的功效，故原告所稱並無理由。
864之EPO的初步意見肯認系爭專利請求項1之
9層系統相較於Vega98110產品具備可專利性(參原告於108
10年3月415頁的表格)，惟由於各
11國的法令不盡相同，蓋不能以其他國家的審查意見而認定其
12在本國亦應一併適用，且經查該EPO的初步意見是認為相
13較於Vega98110產品，系爭專利請求項1之層系統具備新穎
14性，其與本案被告所主張的理由不同，本案是有關系爭專利
15是否具有進步性，而非是否具有新穎性。是以，本案系爭專
16利是否有效仍應以當事人之主張以及是否符合我國專利法之
17規定予以判斷，併此說明。
1840、41及被證7
19予以組合，並且可預期該等組合所形成之層系統係可以達到
20溫度穩定性及耐腐蝕性的。是以，被證40、被證41及被證
217之組合足以證明系爭專利請求項1不具進步性。
22系爭專利請求項2及3：
23系爭專利請求項2及3係為系爭專利請求項1之附屬項，於
24解釋上應包含系爭專利請求項1的所有技術特徵，而請求項
252及3則分別進一步界定基板(1)的材料與構成。經查，有關
26請求項2及3依附請求項1的部分，如上所述，已為被證40
27、41及被證7之組合所教示，而被證40-5揭示了該層系統
621具有Al2O3(Eloxal)，被證41第2頁「productstructure」亦揭
2示了使用陽極氧化鋁基材的技術特徵，而被證7說明書第20
38頁第2段同樣揭示了陽極氧化鋁的技術特徵，其均可對應
4於系爭專利請求項2及3所進一步界定的技術特徵。因此，
5被證40、被證41及被證7之組合仍足以證明系爭專利請求
6項2及3不具進步性。
7系爭專利請求項8：
8系爭專利請求項8係為系爭專利請求項1至6中任一項之附
9屬項，於解釋上應包含系爭專利請求項1至6中任一項的所
10有技術，而請求項8進一步界定層(4)的材料為TiOx及TiNx
11Oy。在此，有關請求項4至6係非屬原告所主張系爭專利受
12侵害之權利範圍，故有關請求項4至6的部分則不予論述。
13有關請求項1至3的部分，則如上所述，已為被證40、被證
1441及被證7之組合所教示。此外，有關TiOx的技術特徵已
15如前述，為被證40、被證41及被證7之組合所教示。因此
16，被證40、被證41及被證7之組合足以證明系爭專利請求
17項8不具進步性。
18系爭專利請求項9：
19系爭專利請求項9係為系爭專利請求項1至6中任一項之附
20屬項，於解釋上應包含系爭專利請求項1至6中任一項的所
21有技術，而請求項9進一步界定層(5a)的材料為選自非鐵磁
22鎳合金，特別是NiV、優質鋼及銅。在此，有關請求項4至
236係非屬原告所主張系爭專利受侵害之權利範圍，故有關請
24求項4至6的部分則不予論述。有關請求項1至3的部分，
25則如上所述，已為被證40、被證41及被證7之組合所教示
26。此外，被證40-5及被證7均已揭示該層系統係使用Cu。
27因此，被證40、被證41及被證7之組合足以證明系爭專利
631請求項9不具進步性。
2系爭專利請求項10及11：
3系爭專利請求項10係為系爭專利請求項1至6中任一項之
4附屬項，於解釋上應包含系爭專利請求項1至6中任一項的
5所有技術，而請求項11則為請求項10之附屬項。請求項10
6及11分別進一步界定反射層(6)的材料為選自純度至少為99.
79%之銀等金屬。在此，有關請求項4至6係非屬原告所主
8張系爭專利受侵害之權利範圍，故有關請求項4至6的部分
9則不予論述。有關請求項1至3的部分，則如上所述，已為
10被證40、被證41及被證7之組合所教示。此外，被證41已
11揭示該層系統係使用99.99%的銀。因此，被證40、被證41
12及被證7之組合足以證明系爭專利請求項10及11不具進步
13性。
14系爭專利請求項12：
15系爭專利請求項12係為系爭專利請求項1至6中任一項之
16附屬項，於解釋上應包含系爭專利請求項1至6中任一項的
17所有技術，而請求項12進一步界定層(7)的材料為由亞化學
18計量之氧化鉻或氧化鈦構成。在此，有關請求項4至6係非
19屬原告所主張系爭專利受侵害之權利範圍，故有關請求項4
20至6的部分則不予論述。有關請求項1至3的部分，則如上
21所述，已為被證40、被證41及被證7之組合所教示。此外
22，被證40-5已揭示該層系統係使用CrOx。因此，被證40、
23被證41及被證7之組合足以證明系爭專利請求項12不具進
24步性。
25系爭專利請求項13及14：
26系爭專利請求項13係為系爭專利請求項1至6中任一項之
27附屬項，於解釋上應包含系爭專利請求項1至6中任一項的
641所有技術，而請求項14則為請求項13之附屬項。請求項13
2及14分別進一步界定LI層(9)的折射率n為1.3至1.8，且
3材料可為SiOx等的金屬氧化物等。在此，有關請求項4至6
4係非屬原告所主張系爭專利受侵害之權利範圍，故有關請求
5項4至6的部分則不予論述。有關請求項1至3的部分，則
6如上所述，已為被證40、被證41及被證7之組合所教示。
7此外，被證40-5已揭示該層系統係使用SiO2，而被證40-5
8雖未揭示SiO2的折射率，惟SiO2的折射率會落於n為1.3至
91.8係屬其固有性質。因此，被證40、被證41及被證7之組
10合足以證明系爭專利請求項13及14不具進步性。
11系爭專利請求項15及16：
12系爭專利請求項15係為系爭專利請求項1至6中任一項之
13附屬項，於解釋上應包含系爭專利請求項1至6中任一項的
14所有技術，而請求項16則為請求項15之附屬項。請求項15
15及16分別進一步界定HI層(10)的折射率n為1.8至3.2，
16且材料可為TiOx等的金屬氧化物等。在此，有關請求項4
17至6係非屬原告所主張系爭專利受侵害之權利範圍，故有關
18請求項4至6的部分則不予論述。有關請求項1至3的部分
19，則如上所述，已為被證40、被證41及被證7之組合所教
20示。此外，被證40-5已揭示該層系統係使用TiO2，而被證4
210-5雖未揭示TiO2的折射率，惟TiO2的折射率會落於n為1.
228至3.2係屬其固有性質。因此，被證40、被證41及被證7
23之組合足以證明系爭專利請求項15及16不具進步性。
24系爭專利請求項30：
25系爭專利請求項30引用記載請求項1至29中任一項之獨立
26項，於解釋上應包含系爭專利請求項1至29中任一項的所
27有技術，而請求項30界定該層系統可應用表面反射器等用
651途。在此，有關請求項4至7、17至29係非屬原告所主張
2系爭專利受侵害之權利範圍，故有關該等請求項的部分則不
3予論述。有關請求項1至3、8至16的部分，則如上所述，
4已為被證40、被證41及被證7之組合所教示。此外，被證
541已揭示該層系統可應用於LED反射器，其係可對應於系爭
6專利請求項30所界定之表面反射器。因此，被證40、被證
741及被證7之組合足以證明系爭專利請求項30不具進步性
8。
940、41及7之組合足以證明系爭專利請求項
101至3、8至16、30不具進步性。
1140、41及9之組合不足以證明系爭專利請求項1至3
12、8至16及30不具進步性：
13系爭專利請求項1：
1440及41之組合係如前述所示，該等組合與系爭專
15利請求項1之差異在於：(a)系爭專利請求項1所界定的層(4)
16材料鈦的亞化學計量的氧化物，而被證40-5所揭示之在Cu與
17Al2O3之間的TiO2係為化學計量的氧化物；(b)被證40-5及被
18證41雖然揭示具有一層99.99%的Ag層，惟該層尚無法說明
19係為系爭專利請求項1所界定的高純度金屬構成的「光密反
20射層」。
219的部分，已如前述，被證9雖然揭示在該層系統
22尚可以形成一層具有光學密封特徵的Ag反射層，惟被證9並
23未教示除了具有光密性質之反射層外，仍須具有如系爭專利
24請求項1所界定之層(4)的結構。而被證40、41及9亦未教示
25可達到具有溫度穩定性及耐腐蝕性等的功效。因此，被證40
26、41及9之組合尚不足以證明系爭專利請求項1不具進步性
27。
661系爭專利請求項2至3、8至16、30：
2被證40、41及9之組合已不足以證明系爭專利請求項1不具
3進步性，則被證40、41及9之組合仍不足以證明系爭專利請
4求項2至3、8至16、30不具進步性《論述理由詳如【貳、
5
640、41及9之組合仍不足以證明系爭專利請求項
71至3、8至16、30不具進步性。
840及41之組合，或是被證40、41及9之組
9合不足以證明系爭專利請求項1至3、8至16及30不具進步
10性；但被證40、41及7之組合足以證明系爭專利請求項1至
113、8至16及30不具進步性。
12七、綜上所述，系爭產品於系爭專利優先權日前並未開始製造系
13爭產品或已完成必要之準備工作。因此，不適用專利法第59
14條第1項第3款之規定。又系爭專利說明書雖未違反專利法
15第26條第1項之規定，且系爭專利請求項1至3、8至16、
1630未違反專利法第26條第2項之規定，以及被證8、被證8
17及9之組合、被證8及10之組合、被證12、或被證12及被
18證9之組合；被證40及41之組合，或是被證40、41及9之
19組合，均不足以證明系爭專利請求項1至3、8至16及30不
20具進步性，且被證8及系爭專利自承先前技術之組合、被證8
21及9及系爭專利自承先前技術之組合、被證8及10及系爭專
22利自承先前技術之組合、被證12及系爭專利自承先前技術之
23組合、或被證12及9及系爭專利自承先前技術之組合不足以
24證明系爭專利請求項2至3、8至16、30不具進步性。然而
25，被證40、41及7之組合足以證明系爭專利請求項1至3、
268至16及30不具進步性，而有應撤銷之原因。準此，因系
27爭專利請求項1至3、8至16及30不具進步性，而有應撤銷
671之原因，揆諸智慧財產案件審理法第16條第2項「前項情形
2，法院認有撤銷、廢止之原因時，智慧財產權人於該民事訴
3訟中不得對於他造主張權利」規定，原告於本件民事訴訟自
4不得對被告主張系爭專利之權利。是原告主張系爭產品侵害
5系爭專利，依前揭規定提起本件訴訟，訴請判命如聲明所示
6，即無理由，應予駁回。又原告之訴既經駁回，其假執行之
7聲請即失其依據，應併予駁回。
8八、本件事證已臻明確，兩造其餘攻擊防禦方法及證據，核與判
9決之結果不生影響，爰不一一論列，併此敘明。
10九、訴訟費用負擔之依據：智慧財產案件審理法第1條，民事訴
11訟法第78條。
12中華民國108年3月26日
13智慧財產法院第三庭
14法官蕭文學
15以上正本係照原本作成。
16如對本判決上訴，須於判決送達後20日內向本院提出上訴狀。
17如委任律師提起上訴者，應一併繳納上訴審裁判費。
18中華民國108年4月8日
19書記官蔣淑君
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