智慧財產及商業法院110年度民專訴字第32號
關鍵資訊
- 裁判案由排除侵害專利權等
- 案件類型智財
- 審判法院智慧財產及商業法院
- 裁判日期111 年 02 月 15 日
- 法官林怡伸
- 當事人液態空氣喬治斯克勞帝方法研究開發股份有限公司、L、ET L、E、台灣日酸股份有限公司
智慧財產及商業法院民事判決 110年度民專訴字第32號 原 告 液態空氣喬治斯克勞帝方法研究開發股份有限公司L'AIR LIQUIDE-SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE 法定代理人 Martin RZANIAK 訴訟代理人 馮達發律師 施汝憬律師 鍾京洲律師 輔 佐 人 黃慧軒 被 告 台灣日酸股份有限公司 法定代理人 梅津公洋 訴訟代理人 汪家倩律師 王惟佳律師 輔 佐 人 侯春岑 徐哲謙 上列當事人間請求排除侵害專利權等事件,本院於中華民國111 年1月18日言詞辯論終結,判決如下: 主 文 原告之訴及假執行之聲請均駁回。 訴訟費用由原告負擔。 事實及理由 一、原告主張: ㈠原告為中華民國發明專利第I525210號「形成介電膜之方法、 新穎前驅物及其在半導體製造上的用途」(下稱系爭專利)之專利權人,專利期間自民國105年3月11日至116年5月31日止,現仍在專利權期間內。被告主要供應半導體、薄膜電晶體液晶顯示器(TFT-LCD)、發光二極體(LED)、太陽能電池、微波通訊等各種電子工業用的特殊氣體及設備,為原告之競爭廠商之一。依行政院環境保護署(下稱環保署)化學物質登錄資訊公開查詢平台之資訊,被告曾以更名前之「台灣大陽日酸股份有限公司」名稱,於109年2月5日經環保署 准予登錄化合物「鋯,三(N-甲基甲胺基)[(1,2,3,4,5-η)-1-丙基-2,4-環戊二烯-1-基)]-」(下稱系爭產品1),登錄碼為「EPNA0A00000000」,CAS編號為「0000000-00-0 」,登錄級距為「少量登錄年製造或輸入量未滿0.1噸」, 顯見被告至遲於109年2月間已進口系爭產品1,並已於我國 販賣系爭產品1及為販賣之要約,且依臺灣新竹地方法院現 場保全之資料,可知被告已進口68瓶系爭產品1。嗣原告於110年9月15日第三次向我國經濟部智慧財產局(下稱智慧局 )申請更正系爭專利請求項29、30之申請專利範圍(下稱更正後請求項29、30),經比對系爭產品1之上開CAS編號,可知其化學名稱(Chemical Name, CN)為Zirconium,tris(N-methylmethanaminato)[(l,2,3,4,5-η)-l-propyl-2,4- cyclopentadien-l-yl]-,業已落入系爭專利更正後請求項29及30之文義範圍。 ㈡原告曾於109年8月10日寄發警告函,告知被告不得擅自販賣、為販賣之要約或進口系爭產品1,以免侵害原告系爭專利 ,被告於109年10月8日回函表示:針對系爭產品1,被告為 其客戶之臺灣經銷商,惟於收到原告前開函文後,決定中止相關業務。詎被告僅是表面聲請撤銷系爭產品1於環保署之 登錄(該原登錄碼「EPNA0A00000000」,狀態為「失效」),隨即於同年8月27日經環保署准予登錄另一化學名稱「鋯,三(N-烷基烷胺基)[(1,2,3,4,5-η)-1-烷基-2,4-環戊二 烯-1-基)]-」(下稱系爭產品2),登錄碼為「EPNA0A00000000」,登錄級距為「簡易登錄年製造或輸入量0.1噸以上 未滿1噸」,惟「甲基」本即為「甲烷基」之簡稱,屬於一 種烷基,而「甲胺基」本即為「甲烷胺基」之簡稱,屬於一種烷胺基。是以,被告在收受原告警告函之後,隨即變更系爭產品1之登錄名稱改為系爭產品2,顯明知系爭產品1確實 侵害系爭專利,惟為規避、隱匿相關公開資訊,不僅撤銷原登錄名稱而改以新登錄名稱作為掩護,並對原告佯稱「中止相關業務」,實際上卻將原「少量登錄」擴充為「簡易登錄」,持續擴大於我國系爭產品1之販賣或為販賣之要約,足 見被告主觀上具有侵害系爭專利之故意。鑑於計算損害金額所需之系爭產品1進口資料及銷售資料均係由被告持有,雖 透過保全證據保全部分前揭資料,惟於原告得實際閱覽完整相關證據資料前,尚難核算損害金額。為此,原告謹依民事訴訟法第244條第4項規定,先請求以新臺幣(下同)1,000 萬元為最低賠償金額。 ㈢為此,爰依專利法第96條第1項至第3項、第97條之規定,提起本件訴訟,並聲明: ⒈被告不得自行或使他人製造、為販賣之要約、販賣、使用或為上述目的而進口系爭產品1與含有前開化合物之物品,以 及從事其他侵害系爭專利之行為。 ⒉被告應銷毀前項所述化合物及物品、以及從事侵權行為之原料或器具。 ⒊被告應給付原告1,000萬元整及自起訴狀繕本送達被告之翌日 起至清償日止按年息百分之5計算之利息。 ⒋前三項請求,原告願供擔保,請准宣告假執行。 二、被告答辯: 系爭產品1固有落入系爭專利更正後請求項29、30之文義範 圍,惟系爭專利申請更正有不應准許及得撤銷之事由,原告自不得主張專利權,詳述如下: ㈠更正後請求項29係以通式(II1)(R2tCp)M1[N(R39)(R40)]3表示多種化合物,若要限縮該通式所包含的化合物種類,得簡單使用正面表現方式,直接限縮R2、M1、R39、R40基團/取代基的範圍即可,無「不能」經由正面表現方式界定 範圍之情形,然原告刻意同時採用限縮基團,取代基及排除化合物等兩種方式進行更正,顯然不符合基準所述「明確、簡潔的界定」;據此,更正後請求項29排除化合物「MeCp(NMe2)3」及「Me5CpZr(NMe2)3」之記載不得例外視 為未引進新事項,而屬於引進新事項;又更正後請求項29新增特徵「R39及R40至多一個是乙基」顯與更正前請求項30所揭露之內容不符,已超出申請時說明書、申請專利範圍所揭露之內容,且該更正導入之新事項將實質變更更正前請求項29之解釋,顯然違反專利法第67條第2項、第4項之規定,應不准更正。 ㈡更正後請求項29所述式(II1)之化合物係以概括之通式(R2tCp )M1[N(R39)(R40)]3表示,該通式中之基團R2、t、M1、R39、R40皆有多種選擇,該當式(II1)之化合物包括超過10 億種可能,其中「具有1至4個碳原子之直鏈或支鏈烷基」包括「甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、2-丁基、異丁基、第三丁基」共8種選擇;「烷基矽烷基」具有兩個烷 基,則包括82共64種選擇;二烷基矽烷基具三個烷基,包括83共512種選擇;三烷基矽烷基具有四個烷基,包括84 共4,096種選擇。系爭專利說明書僅提供Zr(EtCp)(NMe2)3作為氣相金屬源之單一實施例延伸至更正後請求項29所涵蓋之其他超過十億種化合物,顯然無法合理支持如此廣泛籠統之範圍。 ㈢乙證2最早優先權日(西元2005年12月6日)早於系爭專利最早優先權日(西元2006年6月2日),但公開日(西元2007年8月1日)晚於系爭專利之最早優先權日,屬專利法第23條所定「申請在先而在其申請後始公開」之適格證據。又乙證2實施例3、4、10、11所揭露之化合物,與系爭專利 更正後請求項29、30所述式(II1)化合物之唯一差別僅在 乙證2包含之金屬為鉿(Hf),而系爭專利包含之金屬為鋯(Zr),其餘結構完全相同,而鉿(Hf)與鋯(Zr)同為元素週 期表上下列的第IV族元素,原子大小相同,化學性質近似,對所屬領域通常知識者而言,為可以直接置換之金屬,且系爭專利【先前技術】段落已介紹所屬領域通常知識者時常交替使用鈦(Ti)、鋯(Zr)、鉿(Hf)作為MOCVD之前驅 物,更正前請求項29亦係以馬庫西型式之擇一記載形式界定申請專利範圍,其敘述:「……其中M1表示選自鉿(Hf)及 鋯(Zr)之金屬」,故所有選擇項目可被認定屬於該發明所屬技術領域中具有通常知識者「所公認之化合物群」,可互相替代而可預期達到相同的結果。因此系爭專利更正後請求項29、30之內容已被乙證2揭露,擬制喪失新穎性。 ㈣乙證3至7及12之公開日均早於系爭專利之優先權日(西元200 5年12月6日),為適格之證據。又系爭專利更正後請求項29、30為「物」之發明,保護式(II1)化合物本身,乙證3至7及12已揭示類似或相同的化合物通式及特定化合物。 依乙證18至20之教科書及期刊文獻所揭示,不管是兩個環戊二烯基,或單一環戊二烯基有機金屬化合物,皆屬茂金屬化合物(Metallocenes)此大項中的一種,且單環製備方法也早已為通常知識者所習知。乙證3至7所揭露之通式(CpR1aH5-a)p(CpR2bH5-b)qMR3r及特定之單環化合物MeCpZr(NMe2)3皆屬茂金屬化合物(Metallocenes),其製造/分離方法可由乙證3至7揭露內容依通常知識得知。乙證20表1已清楚揭露至少3種單一環戊二烯基化合物,以及其他雙環戊二烯基化合物的製備方法,且據乙證20反應式(4) 、(5)的製備方法,配合不同的起始物,便可以製備出單一環戊二烯基以及雙環戊二烯基化合物;而乙證20為西元1968年之期刊文獻,足見早在系爭專利申請日近40年前,單、雙環戊二烯基化合物的製備方法已為本領域通常知識者所習知。因此,乙證3至7及12任一者所揭露之通式結構及取代基已完全揭露系爭專利更正後請求項29、30之式(II1)之化合物,自不具新穎性。 ㈤乙證3至7及12皆關於烯烴聚合催化劑,此催化劑為「茂金屬型(metallocene-type )過渡金屬化合物」,系爭專利更正後請求項29、30之發明「有機金屬前驅物」亦為茂金屬化合物,自屬於相同技術領域。而乙證3至7已揭露與系爭專利請求項式(II1)完全符合之通式及與說明書中式(II1)完全符合的化合物MeCpZr(NMe2)3,乙證3第3至4頁已明確揭示通式(CpR1aH5-a)p(CpR2bH5-b)qMR3r,其中q=0,R1、R2、R3、M基團中,R1及R2較佳為C1-4烷基,通常知 識者可從乙證3至7之上開通式輕易選擇R1、M及R3等基團 ,獲得系爭專利更正後請求項29及30式(II1)的化合物。 雖MeCpZr(NMe2)3此化合物被更正後系爭專利請求項29、30排除,然通常知識者經由乙證3至7之教示,可輕易將MeCpZr(NMe2)3中環戊二烯基Cp上的Me更改為乙基(Et)(皆屬C1-4烷基,為乙證3通式所揭露之較佳取代基範圍),而獲得系爭專利實施例揭露的唯一式(II1)具體化合物EtCpZr(NMe2)3,且符合更正後請求項29、30之範圍。因此,系爭專利更正後請求項29及30所述之式(II1)化合物,可 由乙證3至7任一者所揭示之通式、化合物經通常知識者例行性調整輕易完成,此例行性調整已於乙證3至7任一者中揭示,且調整獲得之化合物相較於原化合物並無特別功效,是系爭專利更正後請求項29及30相較乙證3至7任一者均不具進步性。又乙證12揭露與系爭專利更正後請求項29、30式(II1)完全符合的通式,以及相似的化合物(Me5C5)Ti(NEt2)3,乙證12說明書中已明確揭示M1包括Zr ,R2包括甲基、乙基等烷基,並揭露金屬可選自鈦原子、鋯原子、鉿原子等,系爭專利【先前技術】段落亦已介紹所屬領域通常知識者時常交替使用鈦(Ti)、鋯(Zr)、鉿(Hf)作為MOCVD的前驅物,而鈦原子(Ti)、鋯原子(Zr)、鉿原子(Hf)為元素週期表同族的元素,具有類似之化學性質。因此 ,通常知識者可從乙證12的通式「Cp1M1(NR2)3」中輕 易選擇Cp1、M1及R2等基團,並調整乙證12揭示之化合物 「(Me5C5)Ti(NEt2)3」而輕易獲得符合系爭專利更正後請求項29、30之式(II1)化合物,且調整獲得之化合物相較 於原化合物並無特別功效,是系爭專利更正後請求項29及30相較乙證12並不具進步性。 ㈥聲明: ⒈原告之訴及其假執行之聲請均駁回。 ⒉如受不利判決,被告願供擔保,請准宣告免於假執行。 三、兩造不爭執事項:(本院卷㈢第102至103頁) ㈠原告為系爭專利之專利權人,系爭專利優先權日為95年6月2日,其權利期間為自105年3月11日起至116年5月31日止。嗣原告於110年1月22日向智慧局申請更正系爭專利之申請專利範圍,再於同年4月30日申請更正系爭專利之申請專利範圍 ,復於同年9月15日申請更正系爭專利之申請專利範圍(下 稱系爭專利申請更正案),現仍由智慧局審理中,本件系爭專利之侵權及有效性係以110年9月15日更正後請求項29、30為判斷。 ㈡被告於109年12月16日由原「台灣大陽日酸股份有限公司」更 名為「台灣日酸股份有限公司(NIPPON SANSO TAIWAN,INC.)」,其曾於109年2月5日經環保署准予登錄化合物「鋯,三 (N-甲基甲胺基)[(1,2,3,4,5-η)-1-丙基-2,4-環戊二烯 -1-基)]-」即系爭產品1,登錄級距為「少量登錄年製造或 輸入量未滿0.1噸」,登錄碼為「EPNA0A00000000」,化學 文摘社登記號碼(CASNo.)為「0000000-00-0」,並於同年8月27日經環保署准予登錄另一化學名稱「鋯,三(N-烷基烷胺基)[(1,2,3,4,5-η)-烷基-2,4-環戊二烯-1-基)]-」即 系爭產品2,登錄級距為「簡易登錄年製造或輸入量0.1噸以上未滿1噸」,登錄碼為「EPNA0A00000000」。 ㈢原告於109年8月10日發函被告就系爭產品1與系爭專利相關, 請被告確認等語,被告則於同年10月8日回函向原告表示: 針對系爭產品1,被告為其客戶之臺灣經銷商,於收到原告109年8月10日警告函後,決定中止相關業務等語。 ㈣系爭產品1落入系爭專利更正後請求項29、30之權利範圍。 四、系爭專利及系爭產品1技術內容、被告等所提專利有效性之 證據技術內容 ㈠系爭專利技術分析 ⒈系爭專利技術內容 ⑴隨著未來產生之半導體裝置的臨界尺寸減小,需要引入新材料,尤其是具有高介電常數k之介電體以替換達到其物理極 限的SiO2,該等介電體薄膜通常具有約1nm之SiO2等效厚度 ,而能夠沈積具有合理產量及可接受純度之該等薄膜的主要工業製程為氣相沈積技術,諸如MOCVD(金屬-有機化學氣相 沈積)或ALD(原子層沈積),該等沈積技術需要必須使用滿足適當工業用途之極端需求的金屬前驅物,因此,目前極需要提供液體或低熔點(<50℃)第IV族前驅物化合物(如Hf及Zr化合物),且應同時允許適當分布(在分布溫度下之物理狀態、熱穩定性)、寬的自我限制型ALD窗口及藉由ALD或MOCVD來沈積純薄膜(系爭專利說明書【先前技術】,本院卷㈡第27至31 頁)。 ⑵系爭專利之發明係揭露關於將一含金屬之介電膜沈積於一基板上之方法,該介電膜包含式(I)化合物:(M11-aM2a)ObNc…(I)其中0≦a<1,0

用完 AI 分析後回來繼續 — 法律人 LawPlayer 有判決書全文與相關法規連結,AI 摘要無法取代原文閱讀
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