智慧財產法院民事判決

原告

美商茂力科技股份有限公司（即Monolithic Power

原告

Systems, Inc.）

法定代理人

王素雯

訴訟代理人

黃章典律師

訴訟代理人

呂光律師

訴訟代理人

樓穎智專利師

複代理人

黃紫旻律師

複代理人

湯舒涵律師

複代理人

吳佩珊律師

被告

天鈺科技股份有限公司(即宣鈦科技股份有限公司

被告

承受訴訟人)

法定代理人

林永杰

訴訟代理人

徐履冰律師

訴訟代理人

范嘉倩律師

訴訟代理人

陳威霖律師

被告

高金榮

訴訟代理人

林良財律師

上列當事人間侵害專利權有關財產權爭議等事件，本院於103 年2月13日言詞辯論終結，判決如下：

主文

事實及理由

壹、程序方面：

一、本件被告原為宣鈦股份有限公司（下稱宣鈦公司），業於民國99年5 月1 日與被告天鈺股份有限公司（下稱天鈺公司）合併，以被告天鈺公司為存續公司，有公司變更事項登記表為證（見本院卷㈠第68至71頁），則被告天鈺公司聲明承受訴訟（見本院卷㈠第252 頁），合於民事訴訟法第169 條第1 項、第175 條第1 項規定，應予准許。

二、再按言詞辯論期日，當事人之一造不到場者，倘無民事訴訟法第386 條規定之不得一造辯論判決之事由，得依到場當事人之聲請，由其一造辯論而為判決，民事訴訟法第385 條第1 項前段定有明文。本件被告高金榮受合法通知，無正當理由未於言詞辯論期日到場，核無民事訴訟法第386 條各款所列情形，爰依原告之聲請，由其一造辯論而為判決。

貳、實體方面：

一、原告主張：

（一）原告為發明第I301686 號「DC/DC 交換模式電壓調節器上的實施方法及短電路電流棘輪效應裝置」專利之專利權人，專利權期間自民國97年10月1 日起至114 年8 月29日止（下稱系爭專利），原告並於99年4 月19日更正系爭專利，經經濟部智慧財產局（下稱智慧局）於101 年1 月19日准予更正並公告在案。詎宣鈦公司未經原告同意或授權，竟製造並販售侵害系爭專利之型號為「TA2190」、或實質設計功效相同之其他型號之積體電路（IC）產品（下稱「TA2190」產品、「系爭產品」），經原告送鑑定後認落入系爭專利更正後申請專利範圍第14項而屬侵權。被告高金榮為宣鈦公司法定代理人，依民法第28條、公司法第23條第2 項規定，自應與宣鈦公司負連帶賠償責任，又宣鈦公司業與被告天鈺公司合併，天鈺公司為存續公司，爰依專利法第84條第1 項、第85條第1 、3 項、公司法第23條、民事訴訟法第222 條第2 項規定，提起本件請求。

（二）宣鈦公司就「TA2190」產品已為製造及販賣之要約：１、訴外人臺灣倍仕達有限公司（下稱倍仕達公司）、茂達電子股份有限公司（下稱茂達公司）均於網站上載明為宣鈦公司代理銷售「TA2190」產品，訴外人沛城電子科技有限公司（下稱沛城公司）之公司網頁上亦表明宣鈦公司為其「合作伙伴」，足見上開三家公司確實為宣鈦公司之代理商，且宣鈦公司確實已就「TA2190」產品完成測試並開始對外為販賣之要約。

２、原告所委託之調查公司調查員Peter Balagat 於99年4 月19日與倍仕達公司吳祚元聯繫，吳祚元除表示倍仕達公司係宣鈦公司之代理商（經銷商）外，並於同日以電子郵件提供宣鈦公司「TA2190」產品之產品規格書、報價及被告公司DC/DC Converter IC產品清單，且於99年4 月20日聯繫Peter Balagat 要求雙方針對購買宣鈦公司產品乙事於新店進行會議。準此，宣鈦公司已對外為販賣之要約，事證明確。

３、原告發現系爭產品侵權，即透過業務同仁自一國內公司客戶端取得「TA2190」產品樣品，經本院送工業技術研究院（下稱工研院）鑑定後可知，該產品之外觀及封裝內部皆標示有「TA2190」字樣，任何第三人絕無必要耗費高額成本，將積體電路(IC)產品封裝內部微小且肉眼難以辨識之他人之積體電路(IC)型號置於晶片上之可能，被告既已自承宣鈦公司之產品型號有「TA2190」，則本件送鑑定之「TA2190」產品確實為宣鈦公司之產品無誤，是宣鈦公司確有自行或委由他人製造、為販賣之要約、販賣、使用系爭「TA2190」產品之事實，至為顯然，不容被告任意否認。

（三）系爭專利更正後申請專利範圍第14項之解釋：系爭專利更正後申請專利範圍第14項係以手段功能用語表示，其解釋應包含系爭專利說明書所有實施例對應之揭示及其均等範圍，其應解釋如下：

１、一用於偵測超過該高側通裝置的一高電流限制的一過電流情況之裝置：

⑴高電流限制：指高於習知之第一電流限制，其文義均等範圍包括「高電流限制」或「高電壓限制」。觀之系爭專利第4 圖及第6圖之實施例及其對應之說明書內容（例如說明書第14 頁第15至20行）描述可知，系爭專利說明書及圖式明確界定「高電流限制」(Ilimit + X)高於習知之「第一電流限制」(Ilimit)。又系爭專利第5 圖之實施例及其對應之說明書內容（第14頁第4 至5 行及第13至14行）描述：「當流經感測電阻器505 之電流產生超過電晶體550 偏壓之一電壓時，比較器540 可設定（或重設）正反器520 」、「通常，Vilimit+ X（其係對應於高電流限制之電壓）為高於Vilimit （其係對應於第一電流限制之電壓）之值，且可提供較高電流限制作為可被用來關閉系統及避免電流過載之限制」，是申請當時該發明所屬技術領域中具有通常知識者對於「電流限制及電壓限制可互相轉用替代」為不會產生疑義之範圍。

⑵過電流情況：指電流超過或達到該高側通裝置之高電流限制（該高電流限制可藉由設定電壓限制之方式提供，且高於習知第一電流限制）的某一種特定情況；但反之電流超過（或達到）該高側通裝置的一高電流限制則並不必然為過電流情況（其可能為電路不穩定或雜訊等因素）。又「超過」高電流限制之「文義均等範圍」必然同時包含電流「超過」或「達到」（大於或等於）高電流限制之情況，即便認定「超過」與「達到」在字義上有所不同，然系爭專利說明書第14頁第15至20行及第6 圖（其說明第4 圖之實施例中之電流棘輪效應）明確說明：「電流上升至Ilimit，接著被棘輪下來。若裝置以過高頻率操作，則電流可增加至Ilimit+X（即等同於達到高電流限制）」，則申請當時該領域具有通常知識者可無疑義地瞭解系爭專利說明書所載內容至少可包括「超過」或「達到」高電流限制之情形。

⑶依據專利審查基準及專利侵害鑑定要點關於「手段功能用語」之相關規定，「一用於偵測超過該高側通裝置的一高電流限制的一過電流情況之裝置」的文義範圍，至少包括第5 圖之實施例、說明書之相關揭示、以及其均等範圍，亦即包括：用於偵測流經高側通裝置電流之電路結構為電阻器及比較器所構成。

２、若偵測到該過電流情況，則鎖定該高側通裝置並開啟該低側通裝置，直到達到該低側通裝置上之一第二電流限制為止之裝置：

⑴第二電流限制：指經設定以在過電流狀況發生時，用以判定低側通裝置上之電流是否已被充分下降之一可接受位準（包含電流限制或電壓限制）。由系爭專利說明書第14頁之描述及第5圖之實施例可知，申請當時該發明所屬技術領域中具有通常知識者對於「以電壓限制方式提供第二電流限制」為不會產生疑義之範圍，故「第二電流限制」之文義範圍包含「第二電流限制或第二電壓限制」。

⑵「達到」第二電流限制之均等範圍應包含「達到」或「低於」第二電流限制。又「直到達到該低側通裝置上之一第二電流限制為止」之文義均等範圍尚包含各種可能的後續處理方式。而此裝置則係由電阻器、比較器、及被耦合至負載之輸出節點（此節點位於高側通裝置及低側通裝置之間，且與低側通裝置耦合，如第5 圖所示）所構成。

３、因此，系爭專利更正後申請專利範圍第14項之文義範圍為：一種具有一高側通裝置及一低側通裝置之DC/DC 交換模式電壓調節器，偵測超過或達到高側通裝置的一高電流限制（該高電流限制可藉由設定電壓限制之方式提供，且高於習知第一電流限制）的某一種特定情況，若偵測到超過或達到該高電流限制（該高電流限制可藉由設定電壓限制之方式提供，且高於習知第一電流限制）的該某一種特定情況（該某一種特定情況之偵測包括預設電流超過高電流限制達到一定的次數後才判定確實為該特定情況等避免誤判之手段），則使高側通裝置持續保持關閉之狀態且開啟低側通裝置，直到低側通裝置上之電流已被充分下降至達到或低於一第二電流限制（包含可藉「電壓限制」方式提供之電流限制）為止（涵括「為止」之後的各種習知後續處理方式）。

（四）系爭TA2190產品落入系爭專利更正後申請專利範圍第14項：系爭專利更正後申請專利範圍第14項可拆解為3 個要件，要件A ：「一種具有一高側通裝置及一低側通裝置之DC/DC 交換模式電壓調節器」；要件B ：「一用於偵測超過該高側通裝置的一高電流限制的一過電流情況之裝置」；要件C 「若偵測到該過電流情況，則鎖定該高側通裝置並開啟低側通裝置，直到達到該低側通裝置上之一第二電流限制為止之裝置」。

１、文義讀取之侵權比對：

⑴要件A ：系爭產品為「一種具有一高側通裝置及一低側通裝置之DC/DC 交換模式電壓調節器」，與系爭專利要件A 完全相符。

⑵要件B：系爭產品利用感測電阻及比較器進行電流之偵測，並利用比較器判定是否超過高電流限制。由系爭產品規格書第6頁「Control Loop」、「Compensation 」、「OverCurrent Protection」等段落，可知系爭產品「由COMP電壓所設定之值」即對應於系爭專利之「第一電流限制」，系爭產品之該「電流限制臨界值」即對應於系爭專利之「高電流限制」，另系爭產品規格書關於「過電流保護」清楚描述：「當電感電流峰值達到電流限制臨界值時，輸出電壓開始下降直到FB電壓低於參考值之30% 為止」，其清楚界定在發生當電感電流峰值（亦即流經高側通裝置之電流峰值）達到電流限制臨界值（對應於系爭專利之高電流限制）之過電流情況時，開始進行過電流保護之動作。再依工研院之鑑定報告量測圖，前面穩定規則震盪的峰點連起來的線即為第一電流限制，而短路時電感電流的峰點就是高電流限制，系爭產品在長線短路或短線短路之情形下，其電感電流IL1 振盪上升而發生過電流之情況，並在達到某一電流值（即高電流限制）之後以直接而無振盪的方式下降，已證明系爭產品具有如系爭專利之「高電流限制」，因此系爭產品落入系爭專利要件B之文義範圍。

⑶要件C ：系爭產品規格書關於「過電流保護」清楚描述「當電感電流峰值達到電流限制臨界值時，輸出電壓開始下降直到FB電壓低於參考值之30% 為止」，並且，由系爭產品規格書第4 頁上方之「接腳功能描述(Pin FunctionDescription) 」之敘述及第4 頁下方之「典型應用電路圖」（見以下Figure 2）可知：FB端點之電壓Vfb 為輸出電壓Vout之分壓，而Vout亦可由流過電感L1之電流IL而計算得知。由此可知，FB端點之電壓Vfb 與輸出電壓Vout及負載電流IL之間均存有一對一之比例關係，而當高側通裝置關閉且低側通裝置開啟時，負載電流IL即為流經低側通裝置之電流，故系爭產品提供FB端點電壓之限制，等同於提供流經低側通裝置之一第二電流限制，與系爭專利相同。又由工研院鑑定報告之測試波形圖中可看出系爭產品在發生過電流情況後，電感電流IL1 以直接而無振盪的方式下降至某一數值（亦即系爭專利所定義之第二電流限制），因此系爭產品落入系爭專利要件C 之文義範圍。

⑷縱被告所稱系爭產品係偵測過電流「次數」之主張為真實，然系爭產品充其量係根據系爭專利更正後申請專利範圍第14項之技術特徵，再另外附加一技術特徵，仍落入系爭專利之文義範圍，且此種避免誤判之方式亦涵括在系爭專利之文義均等範圍中，仍屬侵權。

２、均等論之比對：

⑴要件B ：假設認定系爭產品為「偵測電流『達到』該高側通裝置的一高電流限制」而不符合文義讀取，然就微觀而言，電流「超過」高電流限制與電流「達到」高電流限制並無實質之差異，縱有差異，然該微小差異不僅無技術上之實質意義、且為侵權當時該發明所屬技術領域中具有通常知識者所能輕易瞭解且完成者，其仍應認定為「實質相同」。又系爭產品與系爭專利兩者之技術手段均為「設定一高電流限制值並加以比較判斷」，功能均為「當達到或超過該限制值時，進行後續之電路保護動作」，而結果均為「達成過電流之保護效果」，是系爭產品與系爭專利之技術手段、功能及結果均屬「實質相同」，已構成「均等論」下之侵權。

⑵要件C ：

①縱使假設系爭產品以電壓方式偵測之偵測位置及偵測方法與系爭專利有些許差異，然由於FB端點之電壓Vfb 與輸出電壓Vout及負載電流IL之間均存有一對一之比例關係，而當高側通裝置關閉且低側通裝置開啟時，負載電流IL即為流經低側通裝置之電流。因此，其與系爭專利有實質相同之技術手段（均為利用電流或與電流有直接對應關係之電壓進行偵測）、有實質相同之功能（其功能均為判斷電感電流或對應之電壓是否下降至夠低的位準）、達成實質相同之效果（其效果均為判定何時終止過電流保護之機制），實為侵權當時系爭專利所屬技術領域中具有通常知識者所能輕易完成者。

②系爭專利要件C 之均等範圍涵括判定「過電流情況」的各種習知方式，包括「超過高電流限制達到連續且不間斷的預設次數」，因系爭專利之「偵測到該『過電流情況』」並未限制採用何種方式來確認所偵測到者為「過電流情況」，申請當時或侵權當時該發明所屬技術領域中具有通常知識者，可採用任何確認方式來確認所偵測到者為「過電流情況」，故不論系爭產品偵測電流超過高電流限制是否有預設之次數或其次數為何，均落入系爭專利要件B 之均等範圍。

③系爭專利要件C 之均等範圍涵括「達到第二電流限制為止」後的各種可能的處理方式。退萬步言，即便假設「達到第二電流限制為止」之文義均等範圍並不包含例如「關閉高側通裝置且關閉低側通裝置」之後續處理方式，然該方式亦屬使電路逐漸恢復正常運作之方式之一，與侵權當時系爭專利所屬技術領域中具有通常知識者可選用之其他方式之手段、功能、效果均實質相同，故亦至少落入系爭專利要件B 之均等範圍。

（五）系爭專利無得撤銷之原因：

１、引證2 無法證明系爭專利更正後申請專利範圍第14項不具新穎性與進步性：

⑴引證2 之國際分類號為「H02M」，其技術領域為「交流與交流之間，交流與直流之間，或直流與直流之間以及用於電源或類似的電力系統之變換設備；直流或交流輸入功率轉變為浪湧功率輸出；此等之控制或調節」；而系爭專利之國際分類號為「H02H」，其技術領域為「緊急保護電路裝置」，兩者之國際分類號及其技術領域並不相同。

⑵引證2 僅涉及「輕負載(light load)」及「正常負載(normal load) 」情況，完全無關於「過電流」情況；引證2通篇均未提及「過電流保護」或「過電流」；且引證2 所揭示之「第一電流限制」及「逆電流限制」，完全不同於系爭專利之「高電流限制」及「第二電流限制」，故引證2 並未揭示系爭專利更正後申請專利範圍第14項之技術特徵，自無法證明系爭專利更正後申請專利範圍第14項不具新穎性及進步性。

２、引證5 無法證明系爭專利更正後申請專利範圍第14項不具新穎性與進步性：

⑴引證5之國際分類號為「G05F」及「H05K」，其技術領域分別為「調節電變量或磁變量之系統」及「印刷電路；電器設備之外殼或結構零部件；電器元件組件之製造」；而系爭專利之國際分類號為「H02H」，其技術領域為「緊急保護電路裝置」，兩者之國際分類號及其技術領域並不相同。

⑵引證5 之ILIM1 是引證5 所要傳遞之「最大電流」且為合理之程度，而系爭專利之高電流限制係為了偵測及處理所不要之「過電流情況」，引證5 所設置之ILIM1 與系爭專利之高電流限制之功能與效果均完全不同。再者，引證5中高側通裝置Q1周期性地不斷開啟關閉，並非如同系爭專利更正後申請專利範圍第14項所界定之「鎖定該高側通裝置並開啟該低側通裝置，直到達到該低側通裝置上之一第二電流限制為止」。另引證5 之電流限制ILIM2 係為防止逆電流所設置之電流限制，而非系爭專利為了處理過電流情況所界定之「第二電流限制」。綜上，引證5 之技術方案及其目的均與系爭專利不同，其並未揭示系爭專利更正後申請專利範圍第14項之技術特徵，亦無法達成系爭專利之發明之效果。

⑶被告雖主張：「引證5 第10欄第15至18行已經明白顯示，引證5 第12圖之ILIM1 電流限制係為了保護高側通開關Q1，就是要處理『過電流』情況」，然而引證5 關於第12圖全未提及處理「過電流」情況。被告又稱：「引證5 第12圖之ILIM2 電流限制對低側通開關Q2提供『防止逆電流』之保護，與系爭專利之『第二電流限制』功能相同」，然引證5 第12圖之ILIM2 電流限制，其顯示ILIM2 電流限制為正向電流限制時不論大小如何設定都無意義，與系爭專利處理正向電流之「過電流情況」之「第二電流限制」完全不同。被告又主張：「原告對於引證5 第12圖運作情形之解釋，充其量不過是引證5 的某一種實施例而已」，然而，引證5 僅揭示了一個實施例，原告之解釋即為對於引證5 全部揭示之解釋。被告上開所述均不足採。

３、引證1 前案部分與引證4 組合無法證明系爭專利更正後申請專利範圍第14項不具進步性：

⑴專利文獻中所提出之「先前技術」並不等同於「公知技術」，亦即該「先前技術」並不一定被公開過，故引證1 中之「先前技術」並無證據能力，無法作為系爭專利申請前之公知技術。

⑵引證1 之先前技術內容所述係藉由誤差比較器22比較電壓差與預設之參考電壓值，以決定電感電流是否超過電流限制（參見引證1 第1 欄第52至57行及圖1 ）。引證1 所載之先前技術內容僅係與系爭專利中所述之「第一電流限制」相關，並未揭示系爭專利所界定之「高電流限制」、「過電流情況」之偵測保護及「第二電流限制」，且引證1具有習知「第一電流限制」下運作之缺點，與引證4 組合亦無法證明系爭專利更正後申請專利範圍第14項不具進步性。

４、引證2 、3 、4 之組合無法證明系爭專利申請專利範圍第14 項 不具進步性：

⑴引證2 、引證3 、引證4 及系爭專利的國際分類號皆不相同，且其實質技術內容亦分屬不同之技術領域，故其技術內容的組合並非明顯。

⑵引證2 係揭示防止「逆電流」（全未提及「過電流」），且強調不偵測電流，與系爭專利藉由偵測電流來處理「過電流」情況，技術領域顯然不同。

⑶引證3 係關於交流電流(AC/AC) 之電路，而系爭專利係關於利用感測電阻之直流電流(DC/DC) 之電路，熟習電學領域者均知交流電與直流電於電學上具有極大之差異，被告辯稱引證3 可應用於直流電源轉換領域，然無提出任何解釋或說明。被告又主張「引證3 係利用PWM 方式之切換電路…」而認引證3 與系爭專利相關，然系爭專利第13頁第15至16行已說明系爭專利調節電路之一替代實施例「不需參考環繞脈衝寬度調變( 即PWM)電路即可被說明」，足見被告之主張無理由。再者，引證3 圖1 及圖2 所示為正常運作之電路及其電流、電壓情況，其並未有任何「過電流情況」發生，亦並未設置任何「電流限制」以供過電流情況之處理，被告將引證3 之圖1 及圖2 及其說明書相關敘述認為有「過電流保護電路」、「過電流情形」、「第二電流限制」云云，實不足採。

⑷引證4 係提出一種用以感測電感器電流而不使用與電感器串聯之電阻之技術，且僅在放電循環期間感測電感電流，與系爭專利利用感測電阻在充電期間偵測流過高側通裝置的電流以偵測「過電流」之情況完全不同。

（六）原告是否未附加專利標示，並不影響原告依專利法第79條主張損害賠償：

１、本件涉及之積體電路體積極小，且基於散裝出售等特殊性質，原不適宜於專利物品本身或其包裝為標示，如要求原告在專利物品或其包裝上標示所涉專利證書號數，實有困難。現行專利法第97條刪除「未附加標示者，不得請求損害賠償」之規定，依此，專利標示本非提起專利侵權損害賠償之前提要件或特別要件，原告是否就系爭專利於專利物品進行標示，無礙於原告基於系爭專利向被告請求損害賠償之權利。

２、又原告系爭專利之相關技術內容既已清楚揭示於中華民國專利公報，被告身為與原告同一業界之積體電路產品製造商，必定明知原告就前揭技術已獲有專利，而已符合行為時專利法第79條但書「侵權人明知或有事實足證其可得而知為專利物品者」之規定。

（七）由被告天鈺公司提供予其代理商安齊電子股份有限公司（下稱安齊公司）之對照表可知，被告天鈺公司之「FR9806產品」可對應至宣鈦公司之「TA2190」產品，顯見「FR9806產品」亦已侵害原告系爭專利權。又產品之料號、型號乃由被告自行決定，故被告就相同之產品，自得任意變更其料號、型號後再予製造銷售。因此，有關本件訴請之標的與範圍，除已確定之產品料號（型號）「TA2190」、「FR9806」外，其他替代之實質設計功效相同，而僅料號（型號）不同之侵害系爭專利權產品，自應一同包括在本件訴訟內。

（八）並聲明：⑴被告等應連帶給付原告新台幣180 萬元整及自起訴狀繕本送達之翌日起至清償日止按年息5%計算之利息。⑵被告等就其型號為「TA2190」之積體電路產品或其他一切侵害原告中華民國第I301686 號發明專利之產品，不得自行或使第三人直接或間接為製造、為販賣之要約、販賣、使用或為上述目的而進口或其他一切相關之侵權行為。⑶前一項聲明原告願以現金、等值之國泰銀行建國分行可轉讓定期存單供擔保，請准宣告假執行。⑷訴訟費用由被告等連帶負擔。

二、被告天鈺公司則以下列等語置辯：

（一）宣鈦公司就系爭TA2190產品僅為研發，並未為製造、為販賣之要約或為其他修正前專利法第56條之侵權行為：１、原告所提出、嗣後送交工研院鑑定之2 顆IC，經工研院鑑定後，發現其型號為「TA2190T1」。再向前宣鈦公司人員查證得知，因TA2190尚在研發階段，故曾試作「TA2190T0」、「TA2190T1」、「TA2190T2」等不同之工程試製品；其後因公司合併，該編號產品已由同功能之其他產品取代。是故，被告從未製造「TA2190」產品，更不可能將研發時、未定型之工程試製品提供給任何商業對象，況被告早已否認原告所稱之代理商，是被告自本件訴訟初始即說明「僅有研發」完全屬實。

２、又縱認為倍士達公司是宣鈦公司代理商，然由PeterBalagat 到庭之證述可知，被告未曾提供系爭TA2190產品，且在公司合併後，倍士達人員亦表示因專利爭議而無法取得產品，顯見被告未為任何侵權行為。

（二）系爭專利更正後申請專利範圍第14項之解釋：

１、一用於偵測超過該高側通裝置的一高電流限制的一過電流情況之裝置：

⑴高電流限制：系爭專利說明書及系爭專利更正後申請專利範圍第14項並未對「高電流限制」之數值有任何限制，故「高電流限制」應為一電流門檻，預設為固定值，且可被設定為各種電流位準。原告將系爭專利說明書實施例之「高電流限制高於第一電流限制」之限定條件，讀入系爭專利更正後第14項之申請專利範圍，並不可採。

⑵過電流情況：依系爭專利第4 、5 圖之電路結構，超過高側通裝置120的高電流限制一次，比較器540 便確認成立過電流情況，並立即控制正反器520 以關閉高側通裝置120 並開啟低側通裝置140 ，故「過電流情況」應解釋為電流一超過高側通裝置的高電流限制一次，隨即成立「過電流」情況。

⑶參考系爭專利第5 圖，「用於偵測超過該高側通裝置的一高電流限制的一過電流情況之裝置」，其結構係由下列兩者組合而成，並包含該組合結構之均等部分：①與高側通裝置120 直接串聯之電阻505 與比較器515 （此兩者用以偵測流經高測通裝置之電流）與②Schmitt 觸發比較器540 與提供偏壓之電晶體550 （此兩者用以判斷流經高側通裝置的電流是否超過高電流限制一次）。本裝置之功能為：當Schmitt 觸發比較器540 判斷流經感測電阻器505之電流超過電晶體550 設定之電壓時，即電流一但超過高側通裝置的高電流限制數值一次，立即產生過電流情況。

２、鎖定該高側通裝置並開啟低側通裝置，達到該低側通裝置上之一第二電流限制為止之裝置：

⑴第二電流限制：為一電流門檻，預設為固定值，且可被設定為各種正，負或零之電流位準。

⑵參考第5 圖，「鎖定該高側通裝置並開啟低側通裝置，達到該低側通裝置上之一第二電流限制為止之裝置」，其結構係由下列兩者組合而成，並包含該組合結構之均等部分：①與低側通裝置120 直接串聯之電阻510 、比較器530（此兩者用以偵測流經低測通裝置之電流）、②正反器520 及反向閘525 之組合（此兩者用以控制高測通裝置與低測通裝置之關閉或開啟）。本裝置之功能為：當前述Schmitt 觸發比較器540 判斷電流超過高側通裝置的高電流限制數值一次時，亦即偵測到過電流情形，正反器520 及反向閘525 之組合隨即關閉該高側通裝置並開啟低側通裝置；上述關閉該高側通裝置並開啟低側通裝置之狀態繼續維持，直到與低側通裝置120 直接串聯之電阻510 與比較器530 之組合偵測到流經低側通裝置之電流到達第二電流限制時，正反器520 及反向閘525 之組合隨即解除關閉該高側通裝置並開啟低側通裝置之狀態。另外，參考圖4 ，本裝置之結構係由下列兩者組合而成，並包含該組合結構之均等部分：①與低側通裝置140 直接串聯之電阻440 、比較器430 （此兩者用以偵測流經低測通裝置之電流）。②正反器445 及邏輯閘420 與425 之組合（此兩者用以控制高測通裝置與低測通裝置之關閉或開啟）。本裝置之功能為：當偵測到低側通裝置140 過電流情形，使比較器435設定(Set) 正反器445 之輸出Q 值為1 ，使得【邏輯閘420 與425 】之組合關閉該高側通裝置並開啟低側通裝置；當【與低側通裝置140 直接串聯之電阻440 與比較器430】之組合偵測到流經低側通裝置之電流到達第二電流限制時，則重設(Re set)正反器445 之輸出Q 值為0 ，使得【邏輯閘420 與425 】之組合解除「關閉該高側通裝置並開啟低側通裝置」之狀態。

（三）系爭TA2190產品並未落入系爭專利更正後申請專利範圍第14 項之文義或均等範圍：

１、原告有關等同侵害之主張，違反智慧局專利侵害鑑定要點之規定：

⑴宣鈦公司之TA2190產品為採取一偵測高測通裝置的過電流情況之裝置，亦預先設定一電流值，於積體電路開始運作後，便監測高側通裝置之電流變化情形。若高側通裝置之電流未超過該預設值，只須持續進行監測作業，保持正常操作電路。故系爭產品只有一個預設電流值，並無相當系爭專利之第一電流限制、高電流限制之分，且其係偵測「該高側通裝置的電流超過一高電流限制之總次數」（即比較次數），而非如同系爭專利更正後申請專利範圍第14項之偵測「該高側通裝置的電流有無超過一高電流限制」（即比較大小）。因此，系爭TA2190產品並未符合「用於偵測超過該高側通裝置的一高電流限制的一個過電流情況之裝置」之要件、且未符合「若偵測到該過電流情況，則鎖定該高側通裝置並開啟低側通裝置，達到該低側通裝置上之一第二電流限制為止之裝置」之要件。

⑵於「鎖定該高側通裝置並開啟低側通裝置」之狀態下，TA2190產品FB端點的電壓Vfb 值約低於0.4 伏特後，則關閉低側通裝置（亦即高側通裝置與低側通裝置均為關閉狀態），亦即其在尚未到達原告宣稱之第二電流限制時即關閉低側通裝置，即解除「鎖定該高側通裝置並開啟低側通裝置」之狀態。然而系爭專利必須「鎖定該高側通裝置並開啟低側通裝置」之狀態持續維持，直到「達到該低側通裝置上之一第二電流限制為止」。而FB端點的電壓是回饋電壓，與流經低側通裝置之第二電流限制乃是完全不同的物理量，因此系爭TA2190產品並未符合「若偵測到該過電流情況，則鎖定該高側通裝置並開啟低側通裝置，達到該低側通裝置上之一第二電流限制為止之裝置」之要件。

２、由系爭專利說明書第4 圖、第5 圖暨相關說明，可知fb端點的電壓是回饋電壓，係截取自輸出電壓Vout而非SW點電壓，且與流經低側通裝置的第二電流限制為不同之物理量，因此原告稱TA2190產品FB端點的電壓Vfb 值是截取自SW點電壓云云，並不可採。

３、原告雖主張系爭TA2190產品偵測超過高電流限制總次數的技術特徵仍落入系爭專利更正後申請專利範圍第14項之均等範圍，但原告又同時肯認系爭TA2190產品偵測「高側通裝置的電流超過一高電流限制的總次數」為一種習知技術，則依原告所述，系爭TA2190產品自可適用先前技術組卻而不會等同侵害系爭專利。

４、工研院鑑定結果可證系爭TA2190產品未落入系爭專利更正後申請專利範圍第14項之範圍：

⑴依TA2190產品規格書第6 頁記載，TA2190產品之輸入電壓Vin 之正常工作範圍是在4.75V-21V 之間，因此當輸入電壓Vin 低於4.75V 時，已經屬於非正常工作範圍，而會進入輸入低壓鎖定狀態（Input Under Voltage Lockout,簡稱UVLO），並關閉TA2190產品運作以避免異常之輸入電壓Vin 。依工研院鑑定報告顯示，於短線短路時，電感電流IL開始逐漸下降至0 ，實係肇因於輸入電壓Vin 太低，而讓TA2190產品進入前述輸入低壓鎖定狀態(UVLO)，與流經TA2190產品高側通電晶體之電流是否發生過電流情形完全無關。況且，TA2190產品在輸入低壓鎖定狀態(UVLO)時，其中之高側通電晶體與低側通電晶體均關閉，並非關閉高側通電晶體且導通低側通電晶體。是以，於短線短路時，TA2190產品之運作根本不會產生系爭專利所指之「偵測超過該高側通裝置的一高電流限制的一個過電流情況」、「鎖定該高側通裝置並開啟低側通裝置」。

⑵於長線短路時，TA2190產品之SW點電壓Vsw 開始下降（即代表輸入電壓Vin 開始下降），而電感電流開始上升，當TA2190產品監測到高側通裝置之電流超過該預設值之過電流次數「連續」且「不間斷」地達到所設定之累計總次數後，才會關閉高側通裝置使電感電流充分下降，且直到TA2190產品FB端點的電壓Vfb 值低於0.4 伏特後，才關閉低側通裝置，該結果與被告所辯一致。至於為何鑑定報告6個波型圖超過之過電流次數均不同，是因為產品規格書記載須在4.75V 下產品才是正常運作，而鑑定操作時輸入電壓是3.2V及3.7V所致，另工研院鑑定之產品為工程試樣品，並非完美產品，才會導致次數不同。

（四）系爭專利有得撤銷之原因：

１、引證2 可證系爭專利更正後申請專利範圍第14項不具新穎性與進步性：引證2 係一種同步整流降壓型DC - DC 轉換器暨其控制電路，其具有高側通裝置1 、低側通裝置2 、電感3 及一電流偵測計算裝置204 。當高側通裝置1 開啟而低側通裝置2 關閉時，流經高側通裝置1 之電流會流經電感3 ，進而由電流偵測計算裝置204 感應出流經高側通裝置1 之電流量大小。反之，當高側通裝置1 關閉而低側通裝置2 開啟時，流經低側通裝置2 之電流會流經電感3 ，進而由電流偵測計算裝置204 感應出流經低側通裝置2 之電流量大小。而電流比較器203 則將電流偵測計算裝置204 偵測到的電流信號S204與一過電流信號S202兩者進行比較。另外信號S208係控制驅動器211 用以開啟或關閉高側通裝置1 ，而信號S210係控制驅動器212 用以開啟或關閉低側通裝置2 。當電流比較器203 將電流偵測計算裝置204 偵測到的電流信號S204與過電流信號S202兩者進行比較，而偵測到流經高側通裝置1 之電流發生過電流情形時（即電流信號S204大於或等於過電流信號S202），信號S208由高電位變成低電位進而關閉高側通裝置1 ，另外信號S210由低電位變成高電位進而開啟低側通裝置2 ，之後當電流信號S204低於一第二電流限制時，意謂流經低側通裝置2 之電流下降至低於第二電流限制，信號S210由高電位變成低電位進而關閉低側通裝置2 。由上可知，系爭專利更正後申請專利範圍第14項所載之整體發明已經引證2 所揭露而喪失新穎性。縱認其全部技術特徵未為引證2 所揭露，然亦為熟知技藝之人利用引證2 相關說明或圖示所得輕易完成，故亦喪失進步性。

２、引證5 可證系爭專利更正後申請專利範圍第14項喪失新穎性與進步性：參考引證5 第12圖，其揭露一種同步Buck型DC/DC 交換模式電壓調節器，其包含一高側通裝置Q1及一低側通裝置Q2（詳引證5 說明書中第9 欄第38行至第10欄第26行）。其中第12圖內比較器300 用以偵測高側通裝置Q1之電流是否超過電流限制302(即Ilim1)，而當高側通裝置Q1之電流超過電流限制302(即Ilim1)時，第12圖之控制單元（包含元件292 、294 、與正反器304 ）將使高側通裝置Q1關閉及低側通裝置Q2導通，直到該低側通裝置Q2之電流到達一第二電流限制298(即Ilim2)為止（詳引證5 說明書中第9 欄第38行至第10欄第26行）。另依據系爭專利所對應之美國專利第7,714,558 號之申請過程資料，亦足以證明引證5第12圖暨相關說明已揭露系爭專利更正後申請專利範圍第14項之整體發明而喪失新穎性。縱認其全部技術特徵未為引證5 所揭露，然亦為熟知技藝之人利用引證5 相關說明或圖示所得輕易完成，故亦喪失進步性。

３、引證1 前案部分與引證4 組合可證系爭專利更正後申請專利範圍第14項不具進步性：

⑴引證1 所揭露先前技術第1 圖，是習知的降壓電源轉換器，並具有一高側通裝置14 (PMOS) 及一低側通裝置16(NMOS)，而兩者係以同步技術進行開啟或關閉，即高側通裝置14關閉時，會開啟低側通裝置16（第1 欄第32至35行）。第1 圖裝置是用以確認流經高側通裝置14之電感電流是否超過電流限制值以及是否開始作用以保護電感34（第1 欄第37至39行），當流經高側通裝置14之電感電流超過電流限制值時，便將高側通裝置14關閉（第1 欄第60至62行），並依據同步技術進而開啟低側通裝置16。再參考第1 圖對應之電流限制狀態圖第2 圖，最初，電流限制保護電路重置於步驟202 ，在步驟204 處開啟高側通裝置14，之後確認流經高側通裝置14的電流是否超過限制值，若偵測到超過限制值，步驟208 指示關閉高側通裝置14，且依據同步技術，同時開啟低側通裝置16。

⑵引證4 第2 圖係一種同步DC-DC 電源轉換器裝置，其中高側通裝置與低側通裝置是交錯開啟之模式，藉由DRVH信號控制的高側通裝置M1開啟時，以DRVL信號控制的低側通裝置M2便關閉；而當藉由DRVH信號控制的高側通裝置M1關閉時，以DRVL信號控制的低側通裝置M2則開啟（參引證4說明書第2 圖以及第3 欄第13至18行）。再參引證4 說明書第3 圖中之C 、D 以及第4 欄第38至43行之說明，當高側通裝置M1關閉而低側通裝置M2開啟時，此為discharge 階段使DRVH信號為低電位而控制高側通裝置M1關閉（即低側通裝置M2開啟），一直到低側通裝置M2之ISENSE電流值到達一第二電流限制ILIMIT2 為止，此時DRVH信號則為高電位而控制高側通裝置M1開啟（即低側通裝置M2關閉）。

⑶系爭專利更正後申請專利範圍第14項之所有技術特徵已為引證1 所揭示之先前技術及引證4 之組合所揭露，自喪失進步性。

４、引證2 、3 、4 組合可證系爭專利更正後申請專利範圍第14項不具進步性：引證3 揭示一種電流偵測電路，其具有一高側通裝置P1及一低側通裝置N1。其第1 圖顯示的是使用電流偵測電路而設計的過電流保護電路之配置，第2 圖則顯示流經電感之電流IL與A 點電壓之信號圖。當高側通裝置P1開啟而低側通裝置N1關閉時，流經高側通裝置P1之電流（即電流IL）會流經電感L1，此時A 點電壓為+Vdd。反之，當高側通裝置P1關閉而低側通裝置N1開啟時，流經低側通裝置N1之電流（即電流IL）會流經電感L1，此時A 點電壓則為-Vdd。參考第2 圖可知，當流經高側通裝置P1之電流（即電流IL）高過一限制值，高側通裝置P1關閉而低側通裝置N1開啟；反之，當電流IL到達第二電流限制時，進而使高側通裝置P1開啟，低側通裝置N1關閉。而引證2 、4 所揭露之技術特徵業如前述，是引證2 、3 、4 之組合可證明系爭專利更正後申請專利範圍第14項不具進步性。

（五）並聲明：⑴原告之訴及其假執行之聲請均駁回。⑵訴訟費用由原告負擔。⑶如受不利益判決，被告願供擔保，請准宣告免假執行。

三、被告高金榮部分：其未陳述任何答辯理由，僅聲明：⑴原告之訴及其假執行之聲請均駁回。⑵訴訟費用由原告負擔。⑶如受不利益判決，被告願供擔保，請准宣告免假執行。

四、原告主張被告侵害其系爭專利權，惟為被告所否認，並以前詞置辯，是以本件爭點厥為：⑴系爭TA2190產品是否為宣鈦公司所製造？宣鈦公司就上開產品是否有販賣、為販賣之要約之行為？⑵系爭專利更正後申請專利範圍第14項應如何解釋？⑶系爭TA2190產品是否落入系爭專利更正後申請專利範圍第14項之範圍？⑷被告所提引證是否足以證明系爭專利更正後申請專利範圍第14項不具新穎性、進步性？⑸本件損害賠償金額應如何計算？⑹原告請求命被告排除、防止侵害，是否有據？

五、本院之判斷：

（一）原告曾於99年4 月19日更正系爭專利申請專利範圍，經智慧局於101 年1 月19日准予更正並依法公告在案等情，有101 年1 月19日（101 ）智專三（二）04099 字第10120064560 號函附卷可參（見本院卷㈡第434 至436 頁、卷㈣第284 頁），而本件系爭專利更正後申請專利範圍共計18項，其中第1 、4 、14項為獨立項，其餘為直接或間接依附於獨立項之附屬項。原告主張系爭產品侵害系爭專利更正後申請專利範圍第14項，是本件僅就該項為論述，合先敘明。

（二）系爭專利之技術內容：

１、一實施例中，提供一裝置。該裝置包含一高側通裝置。該裝置亦包含一低側通裝置，該低側通裝置與該高側通裝置串聯耦合。該裝置另外包含耦合至該高側通裝置及該低側通裝置之一控制模組。該控制模組係耦合至該高側通裝置及該低側通裝置以控制該高側通裝置及該低側通裝置。另外，該裝置包含與該高側通裝置及該低側通裝置串連耦合之一第一電阻器。再者，該裝置包含與該第一電阻器並聯耦合之一第一比較器。該第一比較器具有對應一第一電流限制之一門檻電壓輸入差分，該第一比較器之一輸出係耦合至該控制模組。再者，該裝置包含耦合至該高側通裝置電流感測作為電壓之一第二比較器。該第二比較器具有對應第二電流限制之一門檻電壓輸入差分。該第二比較器之一輸出係耦合至該控制模組。該第二電流限制高於該第一電流限制。同時，該控制模組可回應該第一比較器輸出來操作鎖定該高側通裝置，直到重設信號被接收為止，且回應該第二比較器來操作鎖定該高側通裝置, 直到低電流信號被接收為止（見本院卷㈠第32頁系爭專利說明書中文發明摘要）。其主要示意圖如附圖一所示。

２、系爭專利更正後申請專利範圍第14項為「一種具有一高側通裝置及一低側通裝置之DC/DC 交換模式電壓調節器，包含:一用於偵測超過該高側通裝置的一高電流限制的一過電流情況之裝置；及若偵測到該過電流情況，則鎖定高側通裝置並開啟低側通裝置，直到達到該低側通裝置上之一第二電流限制為止之裝置」。

（三）系爭產品之技術內容：原告所提之系爭TA2190產品，係一種500kHz同步降壓DC／DC直流- 直流轉換器，提供輸入電壓範圍從4.75V 到21V，以及額定輸出電流為3A。產品照片如附圖二所示。

（四）申請專利範圍用語之解釋：

１、兩造對於系爭專利更正後申請專利範圍第14項係以手段功能用語撰寫乙節，並不爭執（見本院卷㈣第325 頁），惟對於該申請專利範圍應如何解釋有爭議，因申請專利範圍解釋為法律問題，並無辯論主義之適用，是本院應依職權為判斷，不受兩造主張之拘束，合先敘明。

２、按申請專利範圍中物之技術特徵以手段功能用語，或方法之技術特徵以步驟功能用語表示時，其必須為複數技術特徵組合之發明。於解釋申請專利範圍時，應包含發明說明中所敘述對應於該功能之結構、材料或動作及其均等範圍，而其均等範圍應以該發明所屬技術領域中具有通常知識者不會產生疑義之範圍為限。系爭專利申請專利範圍第14項中以手段功能用語表示之物之技術特徵為「一用於偵測超過該高側通裝置的一高電流限制的一過電流情況之裝置」及「若偵測到該過電流情況，則鎖定高側通裝置並開啟低側通裝置，直到達到該低側通裝置上之一第二電流限制為止之裝置」，故上述技術特徵之解釋應包含發明說明中所敘述對應於該功能之結構、材料及其均等範圍，而非以其所載之功能為申請專利範圍。經查：

⑴系爭專利第5 圖及說明書第13至14頁記載「流經電晶體120 之電流可使用感測電阻器505(與電晶體120 串聯) ，比較器515 ，及Schmitt 觸發比較器540 來測量。比較器540 亦接收為輸入電晶體550 之輸出，其被電壓Vilimit+ X偏壓。電流源545 完成此元件之偏壓電路。因此，當流經感測電阻器505 之電流產生超過電晶體550 偏壓之一電壓時，比較器540 可設定( 或重設) 正反器520 。此促使關閉對負載110 之電流供應」（見本院卷㈠第37、43頁），第5 圖之實施例係由電阻器505 及比較器515 所組成之電路結構偵測流經該高側通裝置（電晶體120 ）之電流，並由Schmitt 觸發比較器540 、電流源545 及電晶體550 所組成之電路結構判斷是否為超過該高側通裝置的一高電流限制的一過電流情況，因此系爭專利更正後申請專利範圍第14項所載「偵測超過該高側通裝置的一高電流限制的一過電流情況」之功能應對應由電阻器505 、比較器515 、Schmitt 觸發比較器540 、電流源545 及電晶體550 所組成之電路結構。

⑵系爭專利說明書第14頁記載「當流經感測電阻器505 之電流產生超過電晶體550 偏壓之一電壓時，比較器540 可設定（或重設）正反器520 。此促使關閉對負載110 之電流供應。同樣地，當電流被充分下降時，此可經由比較器530 ，例如使用感測電阻器510 及被耦合至負載110 之輸出節點來感測。因此，比較器530可被重設（或設定） 正反器520 ，使一般操作得以繼續」（見本院卷㈠第37頁背面），足見由電阻器510 、比較器530 及被耦合至負載110之輸出節點所組成之電路結構用以判斷是否達到該低側通裝置上之一第二電流限制，而正反器520 用以鎖定高側通裝置（電晶體120 ）並開啟低側通裝置（電晶體140 ），因此系爭專利更正後申請專利範圍第14項所載「若偵測到該過電流情況，則鎖定高側通裝置並開啟低側通裝置，直到達到該低側通裝置上之一第二電流限制為止」之功能應對應由電阻器510 、比較器530 、被耦合至負載110 之輸出節點及正反器520 所組成之電路結構。

⑶綜上所陳，系爭專利更正後申請專利範圍第14項之發明對應第5 圖之實施例，其中「偵測超過該高側通裝置的一高電流限制的一過電流情況之裝置」對應由電阻器505 、比較器515 、Schmitt 觸發比較器540 、電流源545 及電晶體550 所組成之電路結構及其均等範圍，其中「若偵測到該過電流情況，則鎖定高側通裝置並開啟低側通裝置，直到達到該低側通裝置上之一第二電流限制為止之裝置」對應由電阻器510 、比較器530 、被耦合至負載110 之輸出節點及正反器520 所組成之電路結構及其均等範圍。

⑷至系爭專利說明書及圖式中雖包含有第4 、7 、8 圖所示與結構相關之實施例，然系爭專利上開申請專利範圍已限定該裝置須用於偵測「高側通裝置」之電流，故：

①系爭專利第4 圖及說明書第13頁記載「比較器435 可感測來自被與功率電晶體140 串聯之電阻器440 之電流，及提供對正反器445 之一組輸入……當過電流情況被偵測到時，正反器445 之輸出係使140 開啟而使電晶體120 關閉」（見本院卷㈠第37、42頁背面），第4 圖之實施例係由電阻器440 及比較器435 所構成之結構偵測是否為超過一高電流限制的一過電流情況，但由電阻器440 及比較器435 所構成之結構係偵測低側通裝置（電晶體140 ）之電流，故系爭專利更正後申請專利範圍第14項所載「偵測超過該高側通裝置的一高電流限制的一過電流情況」之功能並無法對應系爭專利說明書第4 圖及相關發明說明中所敘述之結構、材料。

②系爭專利第7 圖及說明書第14至15頁記載「第7 圖描繪用於第1 圖DC/DC 電壓調節器輸出之電流過載保護裝置之另一替代實施例。系統700 包含一電源供應，控制邏輯及一電流監視器。電源供應模組710 係於控制邏輯730 控制下供應電源至負載720 。電流監視器740 監視對負載720 之電流供應，並於過電流情況存在時岔斷控制邏輯730 以關閉電源供應710 」（見本院卷㈠第37頁背面至38頁、第44頁），第7 圖之實施例係由電流監視器740 監視對負載720 之電流供應，但對負載720 之電流供應並不等同於流經高側通裝置之電流，亦即該電流監視器740 並非監視高側通裝置之電流；且「電流監視器740 」僅為功能敘述，發明說明中並無「電流監視器740 」的細部結構，所屬技術領域中具有通常知識者依發明說明之內容無法瞭解對應系爭專利更正後申請專利範圍第14項中所載之功能的結構、材料。故系爭專利更正後申請專利範圍第14項所載「偵測超過該高側通裝置的一高電流限制的一過電流情況」之功能並無法對應系爭專利第7 圖及相關發明說明中所敘述之結構、材料。

③系爭專利第8 圖及說明書第15頁記載「處理800 係以操作模組810 處之電路作為開始。電路之電流負載係被監視於模組820 處。若電流尚未超過第一限制，則該電路繼續操作於模組810 處。若電流超過第一限制，則該電流被棘輪下降於模組840 處。該電路接著繼續操作於模組850 處。於模組860 處決定高電流限制是否已被超過。若否，則該電路繼續操作於模組810 處。若該高電流限制被超過，則模組870 處之暫時關閉發生直到電流負載下降至可接受位準為止」（見本院卷㈠第38、44頁），第8 圖之實施例係由模組860 監視電流負載，但電流負載並不等同於流經高側通裝置之電流，亦即該模組860 並非監視高側通裝置之電流；且「模組860 」僅為功能敘述，發明說明中並無「模組860 」的細部結構，所屬技術領域中具有通常知識者依發明說明之內容無法瞭解對應系爭專利更正後申請專利範圍第14項中所載之功能的結構、材料。故系爭專利更正後申請專利範圍第14項所載「偵測超過該高側通裝置的一高電流限制的一過電流情況」之功能並無法對應系爭專利第8 圖及相關發明說明中所敘述之結構、材料。

３、再按，發明說明書及申請專利範圍中之同一用語理應具有相同意涵，故解釋申請專利範圍時，以說明書所載各實施例對同一用語之解釋理應一致，因此解釋「高電流限制」、「過電流情況」及「第二電流限制」之用語時，說明書中所載實施例均可作為解釋申請專利範圍之依據。經查：

⑴「高電流限制」應解釋為「高於習知第一電流限制之高電流限制」：

①參照系爭專利說明書圖2 、圖6 及說明書第14頁第15至20 行 記載「第6 圖描繪第4 圖實施例中之電流棘輪效應。電流上升至Ilimit，接著被棘輪下來。若裝置被以過高頻率操作，則電流可增加至Ilimit+X。在此，裝置可被關閉（藉由關閉高通電晶體120 及開啟低通電晶體140 ）直到電流下降至可接受位準為止（可藉由低電流值定義）」（見本院卷㈠第37頁背面、第41頁背面、第43頁背面），另說明書第15頁第21至24行記載「一實施例中，此係藉由使用1.7A之第一電流限制及2.2A之高電流限制來達成。因此，若電流超過1.7A，則系統被正常關閉。若電流超過2.2A，則系統被關閉直到電流下降至低值為止」（見本院卷㈠第38頁），可知高電流限制(Ilimit+X )高於第一電流限制(Ilim it) ，因此「高電流限制」應解釋為「高於習知第一電流限制之高電流限制」。

②被告雖稱「高電流限制」可被設定為各種電流位準云云，然按「對於申請專利範圍之用語，若專利權人在發明說明中創造新的用語（如科技術語）或賦予既有用語新的意義，而該用語的文義明確時，應以該文義解釋申請專利範圍」（參專利侵害鑑定要點第35頁），因「高電流限制」於系爭專利中為一特定用語，故解釋「高電流限制」時應當審酌系爭專利發明說明及圖式，而由系爭專利圖2 、圖6 及說明書內容可知高電流限制係高於第一電流限制，是被告上開解釋並不足採。

⑵「過電流情況」應解釋為「電流超過該高側通裝置的一高電流限制（高於習知第一電流限制）的某一種特定情況」：

①按專利權範圍主要取決於申請專利範圍中之文字，若申請專利範圍中之記載內容明確時，應以其所載之文字意義及該發明所屬技術領域中具有通常知識者所認知或瞭解該文字在相關技術中通常所總括的範圍予以解釋。系爭專利更正後申請專利範圍第14項記載「... 超過該高側通裝置的一高電流限制的一過電流情況」，其文義已明確表示流過高側通裝置的電流須「超過」一高電流限制才為一過電流情況，且為該發明所屬技術領域中具有通常知識者所得認知或暸解之範圍，自無解釋為包涵「達到」高電流限制在內，原告主張過電流之解釋應包含「達到」高電流限制云云，並不足採。

②再者，被告雖以系爭專利第4 、5 圖相關內容主張系爭專利係以比較器435 、比較器540 進行過電流之比較，只要電流超過一高電流限制一次即成立過電流情況云云，惟系爭專利說明書尚包含第7 圖之實施例，其係以電流監視器740 監視負載之電流供應，並於過電流情況存在時岔斷控制邏輯730 以關閉電源供應710 ，系爭專利第7 圖並未限定判斷過電流情況之方式，而系爭專利僅以上位用語「過電流情況」界定流經高側通裝置之電流超過一高電流限制的情形，故「過電流情況」當然包含超過高電流限制多次的情況，被告上開主張並不足取。

⑶「第二電流限制」應解釋為「經設定以在過電流情況發生時，用以判定低側通裝置上之電流是否已被充分下降之一種電流限制」：參照系爭專利圖6 及說明書第14頁第15至20行所載「第6圖描繪第4 圖實施例中之電流棘輪效應。電流上升至Ilimit，接著被棘輪下來。若裝置被以過高頻率操作，則電流可增加至Ilimit+X。在此，裝置可被關閉（藉由關閉高通電晶體120 及開啟低通電晶體140 ）直到電流下降至可接受位準為止（可藉由低電流值定義）」（見本院卷㈠第43頁背面、第37頁背面）。由此可知，當高側通裝置鎖定，低側通裝置開啟時，電流值持續下降至一低電流值（參照第6 圖所示），且此低電流值顯然必須是低於第一電流限制值。據此，「第二電流限制」即是在過電流情況發生時，用以判定低側通裝置上之電流是否已被充分下降之一種電流限制，且第二電流限制之電流值須小於第一電流限制之電流值，故「第二電流限制」應解釋為「經設定以在過電流情況發生時，用以判定低側通裝置上之電流是否已被充分下降之一種電流限制」。

（五）解析系爭專利與系爭產品之技術特徵：系爭專利更正後申請專利範圍第14項可解析為3 個要件，分別為要件A「一種具有一高側通裝置及一低側通裝置之DC/DC 交換模式電壓調節器，包含: 」、要件B 「一用於偵測超過該高側通裝置的一高電流限制的一過電流情況之裝置; 」、要件C 「及若偵測到該過電流情況，則鎖定高側通裝置並開啟低側通裝置，直到達到該低側通裝置上之一第二電流限制為止之裝置」；經對應系爭專利上開要件解析系爭產品技術特徵，亦可解析為3 個要件，分別為要件a 「一種具有一高側電晶體及一低側電晶體之DC/DC 交換模式電壓調節器，包括；」、要件b 「一用於偵測超過該高側電晶體的一第一電流限制的一過電流情況裝置；」、要件c 「及若偵測到該過電流情況，則鎖定該高側電晶體並開啟該低側電晶體，直到達到該過電流的情況解除之裝置」。以上詳如附表所示。

（六）系爭TA2190產品未落入系爭專利更正後申請專利範圍第14項之文義範圍：

１、要件A：系爭TA2190產品為一DC/DC 交換模式電壓調節器，且依該產品規格書第3 頁之圖1 繪示該DC/DC 交換模式電壓調節器具有一高側電晶體(High-Side MOSFET)及一低側電晶體(L ow-Side MOSFET) ，其中該高側電晶體及低側電晶體係為導通裝置，故從系爭TA2190產品可以讀取系爭專利要件A「 一種具有一高側通裝置及一低側通裝置之DC/DC 交換模式電壓調節器」之文義，被告對此亦不爭執。

２、要件B：

⑴查系爭產品TA2190產品規格書第6 頁右欄「過電流保護」( Over Current Protection) 記載「當電感電流峰值達到電流限制臨界值時，輸出電壓開始下降直到FB電壓低於參考值之30% 為止」（見本院卷㈠第298 頁背面），再參諸工研院之鑑定報告，其中圖16、圖17、圖19、圖20、圖22 及 圖23為系爭產品於輸出端短路前後之量測波形圖（見本院卷㈣外置之工研院鑑定報告第21至26頁），圖中之粉紅色線表示系爭產品之電感電流IL1 之量測波形，系爭產品於輸出端短路後，該電感電流IL1 振盪上升，並在超過一電流值之後以直接而無振盪的方式下降，由上可知，系爭產品確實有一過電流保護機制，在電感電流達到一電流限制臨界值之過電流情況下啟動過電流保護機制。惟系爭專利第6 圖描繪「電流上升至Ilimit（對應習知第一電流限制），接著棘輪下來。若裝置被以過高頻率操作，則電流可增加至Ilimit+X（對應高電流限制）」，故系爭專利除了習知第一電流限制外，尚有一高於習知第一電流限制之高電流限制，然觀之工研院鑑定報告上開6 個量測圖所示，電感電流IL1 上升至一電流限制臨界值後，關閉高側電晶體以使電感電流下降，但該電感電流未再上升超過該電流限制臨界值，足見系爭產品僅有1 個電流限制，且該電流限制臨界值即為系爭專利中所稱之第一電流限制，因此系爭產品並未如同系爭專利具有一高電流限制，系爭產品所謂「過電流保護」乃是在電感電流達到「第一電流限制之過電流情況」下啟動的過電流保護機制，準此，系爭產品自無「偵測超過該高側電晶體的『一高電流限制的一過電流情況』」之功能之裝置，而無法讀取系爭專利要件B「 一用於偵測超過該高側通裝置的一高電流限制的一過電流情況之裝置」之文義。

⑵至原告稱：由系爭產品規格書可知系爭產品「由COMP電壓所設定之值」即對應於系爭專利之「第一電流限制」，系爭產品之該「電流限制臨界值」即對應於系爭專利之「高電流限制」，其有關「Over Current Protection 」之記載即可認系爭產品確實有系爭專利之過電流保護裝置云云，惟查，系爭產品規格書第6 頁左欄「Control Loop」所載「在正常操作下，內部時脈啟動PWM 循環，高側通裝置開啟且保持開啟，直到其電流達到由COMP電壓所設定之值為止，當高側通裝置關閉時，其保持關閉直到下一個時脈循環開始」（見本院卷㈠第298 頁背面），該段落乃描述「在正常操作下」之情況，說明系爭產品是判斷高側通裝置的電流是否達到COMP電壓所設定之電流值以控制PWM （脈衝寬度調變）訊號的工作週期（duty cycle），高側通裝置保持開啟的時間即對應PWM 訊號的工作週期，因此系爭產品「由COMP電壓所設定之值」並非對應於系爭專利之「第一電流限制」；再者，依系爭產品規格書第6 頁右欄有關「Over Current Protection 」之記載，雖可認系爭產品確實有一過電流保護機制，但由系爭產品規格書所載內容僅能得知系爭產品有一個電流限制用於過電流保護，並無記載有另一電流限制，應認系爭產品之該「電流限制臨界值」實為對應於系爭專利之「第一電流限制」，原告上開所稱並不足採。

⑶再者，本院開庭時闡明原告應說明鑑定報告量測圖中系爭產品之第一電流限制與高電流限制位於何處，原告稱：每一張圖前面穩定規則震盪的峰點連起來的那條線就是第一電流限制，每一張圖在短路時電感電流的峰點就是高電流限制云云（見本院卷㈣第428 頁）。惟查，鑑定報告第17頁第1 至2 段記載「正常操作時，SW點電壓為VIN 時，代表高側通MOSFET導通且低側通MOSFET關閉；SW為0V時，代表高側通MOSFET關閉且低側通MOSFET導通……在短路保護機制開始後……」，已說明6 個量測圖中之前面穩定期間為「正常操作時」，短路保護機制尚未開始，所以應非如原告所述在前面穩定規則震盪期間電感電流IL1 即達到第一電流限制而進入過電流保護機制。次查，依鑑定報告6個量測圖中SW電壓( 紅色線) 及電感電流IL1(粉紅色線)之量測波形所示，於前面穩定期間，當SW電壓為高位準(高側電晶體導通且低側電晶體關閉) 時電感電流IL1 上升，當SW電壓為低位準（高側電晶體關閉且低側電晶體導通）時電感電流IL1 下降，再由系爭產品規格書圖1 及第6頁左欄「Control Loop」段落可知，系爭產品在正常操作下，係以PWM 訊號控制高側電晶體及低側電晶體之導通與關閉，因此在前開量測圖之前面穩定期間，系爭產品之高側電晶體及低側電晶體是依PWM 訊號正常切換，並非電感電流IL1 達到第一電流限制而進入過電流保護機制使電感電流IL1 下降。次查，鑑定報告之圖16、圖19及圖22分別代表負載電流為0A、1A及2A之量測波形圖，於前面穩定期間，可見電感電流IL1 分別於0A、1A及2A附近振盪，若如原告所述「前面穩定規則震盪的峰點連起來的那條線就是第一電流限制」，豈非系爭產品在負載電流為0A、1A及2A時，第一電流限制分別位於0A、1A及2A附近，亦即第一電流限制將隨著負載電流增加而跟著增加，如此第一電流限制將無法限制電流，過電流保護機制也將無任何保護作用可言；尤有甚者，若依原告所述，則鑑定報告之圖16顯示系爭產品在負載電流為0A時，電感電流IL1 已達原告所稱之第一電流限制，如此一來，系爭產品將在任何負載情況都處在過電流保護機制下，實有違經驗法則。綜上所述，原告所述實非可採。

３、要件C ：如前所述，系爭產品之過電流情況乃是指電感電流達到「第一電流限制」，系爭產品並未如同系爭專利偵測超過該高側通裝置的一「高電流限制」的一過電流情況，因此系爭產品並無「若偵測到該過電流情況，則鎖定高側通裝置並開啟低側通裝置」功能之裝置。又系爭產品規格書圖2及第6 頁右欄「Over Current Protection 」所載「當電感電流峰值達到電流限制臨界值時，輸出電壓開始下降直到FB電壓低於參考值之30% 為止」（見本院卷㈠第297 頁背面、第298 頁背面），系爭產品是判斷輸出電壓VOUT經電阻R1及R2分壓後之FB電壓是否低於參考值之30% ，但系爭專利是以電阻器510 、比較器530 及被耦合至負載110之輸出節點所組成之電路結構（發明說明中對應於系爭專利更正後申請專利範圍第14項「直到達到該低側通裝置上之一第二電流限制為止」功能之結構）判斷是否達到該低側通裝置上之一第二電流限制，兩者解除過電流保護所採用的電子元件及其連接方式並不相同。準此，系爭產品無法讀取系爭專利要件C 「若偵測到該過電流情況，則鎖定高側通裝置並開啟低側通裝置，直到達到該低側通裝置上之一第二電流限制為止之裝置」之文義。

（七）系爭TA2190產品未落入系爭專利更正後申請專利範圍第14項之均等範圍：

１、要件B 之均等比對：就功能而言，系爭產品係在電感電流達到一電流限制臨界值（習知第一電流限制）之過電流情況下啟動過電流保護機制，並未如同系爭專利具有一高於習知第一電流限制之高電流限制，故系爭產品不具偵測超過該高側電晶體的「一高電流限制的一過電流情況」之功能；就技術手段而言，因系爭產品並無對應系爭專利要件B 之功能，當然不具與系爭專利實質相同的技術手段；就結果而言。因系爭產品並無對應系爭專利要件B 之功能、不具實質相同的技術手段，當然無法產生與系爭專利實質相同的結果。據上，系爭產品並無對應系爭專利要件B 之功能、不具實質相同的技術手段、無法產生實質相同的結果，故應判斷系爭產品未落入系爭專利要件B 之均等範圍。

２、要件C之均等比對：

⑴兩造均不否認系爭專利C 要件之第二電流必須流經低側通裝置，且包含相對應的第二電壓限制（見本院卷㈣第328頁）。蓋第二電壓限制與第二電流限制相對應，則必第二電壓值與第二電流值成一對一對應關係，如此以第二電壓值即能得知流經低側通裝置的第二電流值進而判斷低側通裝置上之電流是否已被充分下降，因此要件C 之均等範圍自包含「若偵測到該過電流情況，則鎖定高側通裝置並開啟低側通裝置，直到達到該低側通裝置上之一第二電壓限制為止之裝置」，其中第二電壓限制須與第二電流限制相對應，合先敘明。

⑵就功能而言，系爭產品之過電流情況乃是指電感電流達到「第一電流限制」，並無如系爭專利偵測超過該高側通裝置的一「高電流限制」的一過電流情況，故系爭產品並無「若偵測到『該過電流情況』，則鎖定高側通裝置並開啟低側通裝置」之功能。再者，系爭產品規格書第6 頁右欄「Over Current Protection 」記載「當電感電流峰值達到電流限制臨界值時，輸出電壓開始下降直到FB電壓低於參考值之30% 為止」，故系爭產品是以FB電壓值判斷是否解除過電流保護，復參諸鑑定報告之圖16、圖17、圖19、圖20、圖22及圖23所示，於前面穩定期間，在不同的負載電流情況下，FB電壓( 綠色線) 均約為0.8V，而電感電流IL1 分別於0A、1A及2A附近振盪；當過電流保護機制啟動後，FB電壓下降至參考值之30% （0.2424V ）時，在不同的負載電流、短線或長線短路情況下，電感電流IL1 分別約為5A、2.35A 、6.05A 、1.6A、6.4A及2.15A ，可見同一FB電壓對應不同的電感電流IL1(當高側電晶體關閉及低側電晶體導通時，電感電流IL1 即等於流經低側電晶體之電流) ，故FB電壓與流經低側電晶體之電流不是一對一的對應關係，由FB電壓並無法得知流經低側電晶體之電流，亦即FB電壓並非一對應第二電流之第二電壓，因此FB電壓低於參考值之30% 之限制並不對應於提供流經低側電晶體之一第二電流限制，據此，系爭產品對應於系爭專利「直到達到該低側通裝置上之一第二電流限制為止」之功能不同，原告稱系爭產品FB端點電壓之限制等同於系爭專利第二電流限制云云，並不足採。

⑶就技術手段而言，因系爭產品並無「若偵測到該過電流情況，則鎖定高側通裝置並開啟低側通裝置」功能之裝置，因此系爭產品並無相關技術手段，且系爭產品與系爭專利解除過電流保護所採用的電子元件及其連接方式並不相同，FB電壓低於參考值之30% 之限制亦非對應於提供流經低側電晶體之一第二電流限制，因此系爭產品與系爭專利解除過電流保護所採用技術手段不同。

⑷就結果而言，因系爭產品並無對應系爭專利「若偵測到該過電流情況，則鎖定高側通裝置並開啟低側通裝置」之功能及技術手段，當然無法產生與系爭專利相同的結果。

３、系爭產品與系爭專利要件B 、C 兩者技術手段、功能及結果均不相同，基於全要件原則，系爭產品自不落入系爭專利更正後申請專利範圍第14項之均等範圍。

六、綜上所述，系爭TA2190產品未落入系爭專利更正後申請專利範圍第14項，是被告並未侵害原告系爭專利權，從而原告依專利法第84條第1 項及第85條第1 、3項、公司法第23條第2項、民事訴訟法第222 條第2 項規定，請求如其訴之聲明第1 、2 項所述，為無理由，應予駁回。原告之訴既經駁回，其假執行之聲請亦失所附麗，應併予駁回。

七、本件事證已臻明確，本件其餘爭點、兩造其餘主張陳述及所提之證據，經本院斟酌後，認與判決結果不生影響，均毋庸再予論述，附此敘明。

八、據上論結，本件原告之訴為無理由，依智慧財產案件審理法第1 條、民事訴訟法第78條、第385 條第1 項前段規定，判決如主文。

智慧財產法院第一庭