智慧財產及商業法院99年度民專訴字第137號
關鍵資訊
- 裁判案由侵害專利權有關財產權爭議等
- 案件類型智財
- 審判法院智慧財產及商業法院
- 裁判日期99 年 10 月 26 日
智慧財產法院民事判決 99年度民專訴字第137號原 告 華德光電材料科技股份有限公司 法定代理人 甲○○ 訴訟代理人 江孟貞律師 陳佩貞律師 高瑞德律師 被 告 新和光學股份有限公司 兼 上 一人 法定代理人 丙○○ 被 告 Shinwha Intertek Co., Ltd. 法定代理人 乙○○○○○○ ○ 共 同 訴訟代理人 劉法正律師 賴蘇民律師 邱毓嫺律師 上列當事人間侵害專利權有關財產權爭議等事件,本院於民國99年10月12日言詞辯論終結,判決如下: 主 文 原告之訴駁回。 訴訟費用由原告負擔。 事實及理由 壹、程序方面: 一、按有關侵權行為而生之債,依侵權行為地法,但中華民國法律不認為侵權行為者,不適用之。侵權行為之損害賠償及其他處分之請求,以中華民國法律認許者為限。因侵權行為涉訟者,得由行為地之法院管轄。涉外民事法律適用法第9 條、民事訴訟法第15條第1 項分別定有明文。所謂行為地,凡為一部實行行為或其一部行為結果發生之地均屬之,最高法院56年台抗字第369 號著有判例。因涉外民事法律適用法並未就法院之管轄予以規定,倘原告主張侵權行為地在我國,自應類推適用我國民事訴訟法第15條第1 項規定,由我國法院管轄。原告主張被告Shinwha Intertek Co., Ltd.(下稱Shinwha Intertek公司)侵害其專利權應負擔損害賠償責任。因本件被告Shinwha Intertek公司係外國法人,具有涉外因素,自應適用涉外民事法律適用法以定本件之管轄法院及準據法。故關於涉外侵權行為之準據法,應適用侵權行為地及法庭地法。原告主張被告Shinwha Intertek公司之侵權行為係發生在我國境內,依前揭說明,本件涉外事件之準據法,自應依中華民國之法律。 二、依智慧財產案件審理法第7 條規定,智慧財產法院組織法第3 條第1 款、第4 款所定之民事事件,由智慧財產法院管轄。本件屬因專利法所保護之發明專利所生之第一審民事事件,符合智慧財產法院組織法第3 條第1 款規定,本院依法自有管轄權。 貳、實體方面: 一、原告主張: ㈠原告為中華民國第I315018 號「光學薄板及其液晶顯示器之背光組」發明專利之專利共有人之一,專利有效期間自民國98年9 月21日至114 年12月29日(下稱系爭專利)。系爭專利係藉由控制光學薄板表面上不同尺寸之複數凸部、分佈及數量,以加強導光效率,其主要特徵在於光學薄板上每300 μm ×300 μm (即0.3mm ×0.3mm )之面積中,凸部之平 均長度介於45μm 與70μm 之間,且凸部數目大於18。 ㈡被告新和光學股份有限公司(下稱新和光學公司)為被告Sh-inwha Intertek 公司在台灣設立之子公司,其業務為自被告Shinwha Intertek公司進口光學薄板、進行裁切製造後,再銷售予國內之面板製造商。因原告發現被告Shinwha Inte-rtek 公司產製之光學薄板,至少包括型號為PTR733、PTR763、PTR863及PTR873等四款光學薄板(以下稱系爭產品),係以原告系爭專利之技術所製造。原告為求慎重,特提供系爭產品之樣本,委由財團法人臺灣經濟科技發展研究院(下稱臺經院)為專利侵害之鑑定。鑑定結果,確認系爭產品均落入系爭專利之專利範圍第1 項,並成立文義及均等侵權(下稱系爭鑑定報告)。被告新和光學公司為進口系爭產品,在台灣裁切再製造後,行銷予國內之面板製造商;被告Shin-wha Intertek 公司係直接進口及銷售予國內之面板製造商,故被告未得原告及專利共有人同意,即擅自進口、製造及銷售系爭產品,侵害原告之專利權。 ㈢原告為系爭專利之共有人之一,並經另一共有人韓商未來奈米科技股份有限公司(Mirae Nano Tech Co., Ltd. ,下稱Mirae 公司)同意,依民法第831 條準用第821 條之規定,原告自得本於系爭專利權,請求排除侵害,及請求賠償。爰依專利法第56條第1 項、第84條第1 項之規定,請求被告停止製造、為販賣之要約、販賣、使用或為上述目的而進口系爭產品之侵害行為。並依專利法第85條第1 項第2 款之規定,請求以被告因侵害行為所得之利益,為損害賠償數額之計算基礎。並請求本院依民事訴訟法第344 條規定,命被告提出98年9 月至今有關生產、銷售相關文書及商業帳簿,俾原告據以計算損害之數額。而在損害賠償額確定之前,依民事訴訟法第244 條第4 項之規定,暫表明原告及專利共有人全部財產上損害賠償請求之最低金額為新台幣(下同)2,400 萬元。因系爭專利為原告與訴外人Mirae 公司所共有,未約定應有部分之比例,依民法第831 條準用同法第817 條第2 項之規定,應推定原告擁有1/2 之應有部分。爰依原告就系爭專利1/2 之比例之應有部分,主張被告應給付之賠償額至少應為1,200 萬元。 ㈣原告發現被告侵害系爭專利後,固於98年12月17日委由律師發函要求被告立即停止進口、銷售系爭產品。惟被告Shinwh-a Intertek 公司對原告之發函置之不理,而被告新和光學公司則回覆其產品並無侵權云云。兩公司仍繼續進口、製造及販賣系爭產品,被告顯屬故意侵權。據此請求本院依專利法第85條第3 項之規定,酌定適當之懲罰性賠償金。因被告Shinwha Intertek公司、新和光學公司共同違反前揭專利法之相關規定,侵害系爭專利並使原告受有損害,依民法第185 條第1 項、公司法第23條第2 項之規定,被告Shinwha In-tertek 公司、新和光學公司及其負責人丙○○,就原告之損害應負連帶賠償之責。並聲明求為判決:1.被告新和光學公司及Shinwha Intertek公司不得繼續於中華民國境內製造、為販賣之要約、販賣、使用或為上述目的而進口侵害系爭專利之光學薄板,包括型號為PTR733、PTR763、PTR863及PTR873之產品。2.被告應連帶賠償原告1,200 萬元,暨自起訴狀繕本送達翌日起至清償日止,依年息5%計算之利息。 二、被告新和光學公司、Shinwha Intertek公司則辯稱: ㈠系爭專利申請日為94年12月30日,而其申請專利範圍第1 項之技術特徵均前已為93年5 月20日公開之日本特開0000-000000 「光學薄板及使用該薄板的背光單元」專利案(即被證2 ,下稱引證1 )所揭示,故系爭專利不具備新穎性。茲說明如後: 1.比對分析系爭專利與引證1 如後:①系爭專利之「一基板」,即引證1 號之「光學薄板(1) 」。②系爭專利之「多數個凸部以一預定決定的厚度自該基板伸出,每一該凸部的一厚度從該凸部的邊緣增加至該凸部的一中心」,即引證1 之「微透鏡(4) ,係為多數個凸部以一預定決定的厚度自該基板伸出,每一該凸部的一厚度從該凸部的邊緣增加至該凸部的一中心」。③系爭專利之「該等凸部形成一圓或一橢圓的形狀」,即引證1 之「該等微透鏡(4) 形成一圓的形狀」。④系爭專利之「該等凸部在該基板上形成有不同的尺寸」,即引證1 之「圖9(b)所示,該等形成微透鏡(4) 模型之粒子(29)在基材層(26)上形成有不同的尺寸」。⑤系爭專利之「其中該等凸部係不均勻地以複數形態被排列於該基板上」,即引證1 之「微透鏡的配設圖案以隨意不規則圖案為宜」。⑥系爭專利之「d 為凸部的平均長度,且45μm <d <70 μm」,即引證1 之「微透鏡(4) 之直徑(D) 的下限為10μm ,上限為100 μm 」。 2.引證1 雖無特別論及就系爭專利申請專利範圍第1 項所界定之半徑與凸部數目間之相關性,惟依引證1 之表3 所示微透鏡(即系爭專利之凸部)充填率得為63% 、75% 、89% ,且其微透鏡之直徑(D) 可為60μm 。準此,可推知在300 μm ×300 μm 之面積範圍下,充填率為63% 、73% 、89% 時, 直徑是60μm 之微透鏡,其數目>18。則系爭專利申請專利範圍第1 項中「凸部數目(n)=1502/r2 >18,其中n 為每300 μm ×300 μm 的凸部數目,r=d/2 ,d 為凸部之平均長 度,且45μm <d <70μm 」之界定內容,已為引證1 所揭露。 3.系爭專利之「增廣視角」顯屬「功效」而非「技術手段」之敘述,且該功效本可為技術特徵相同於系爭專利之引證1 所達成。退步言,縱使「增廣視角」為技術特徵,惟該特徵並未記載於系爭專利申請專利範圍第1 項中,非系爭專利權範圍之技術特徵,故「增廣視角」之特徵不影響引證1 ,或分別為引證2 至引證4 之組合,均已教示系爭專利申請專利範圍第1 項所揭示技術特徵之事實。而系爭專利新穎性之欠缺,經國立中央大學機械工程學系暨光機電工程研究所陳奇夆副教授所肯認,並有出具專家書面意見書(下稱系爭專家書面意見書)為憑。職是,引證1 可證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具備新穎性。 ㈡引證1 及日本特開0000-000000 「微構造體及其製作方法」專利案(即被證3 ,下稱引證2 )之組合所揭露之技術特徵,足以證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具進步性。詳言之:①系爭專利之「光學薄板」,已為引證1 之「光學薄板(1) 」及引證2 之「透鏡材料及基板」所揭露。②系爭專利之「基板」,已為引證1 之「基材層(2) 」及引證2 之「基板(8) 、(30)、(33)」所揭露。③系爭專利之「多數個凸部以一預定決定的厚度自該基板伸出,每一該凸部的一厚度從該凸部的邊緣增加至該凸部的一中心」,已為引證1 之「微透鏡(4) ,係為多數個凸部以一預定決定的厚度自該基板伸出,每一該凸部的一厚度從該凸部的邊緣增加至該凸部的一中心」及引證2 之「圖1(d)所示透鏡材料(7) 係為多數個凸部以一預定決定的厚度自該基板伸出,每一該凸部的一厚度從該凸部的邊緣增加至該凸部的一中心」所揭露。④系爭專利之「該等凸部形成一圓或一橢圓的形狀」,已為引證1 之「微透鏡(4) 形成一圓的形狀」及引證2 之「微細突起(4) 係形成橢圓形狀者」所揭露。⑤系爭專利之「該等凸部在該基板上形成有不同的尺寸」,為引證1 之「形成微透鏡(4) 模型之粒子(29) 在 基材層(26)上形成有不同的尺寸」及引證2 之「透鏡材料(7) 形成有不同的尺寸;紫外線硬化樹脂(31)形成有不同尺寸」所揭露。⑥系爭專利之「該等凸部係不均勻地以複數形態被排列於該基板上」,為引證1 之微透鏡的配設圖案以隨意不規則圖案為宜」及引證2 之「該微細突起(4) 也可以是具有不規則性的大小與位置加以配置者」所揭露。⑦系爭專利之「d 為凸部的平均長度,且45μm <d <70μm 」,為引證1 之「微透鏡(4) 之直徑(D) 的下限為10μm ,上限為100 μm ,且實施例1 則例示為60μm 」所揭露。⑧系爭專利之「凸部數目(n)=1502/r2 >18,其中n 為:每300 μm ×300 μm 的凸部數目,r=d/2 」,引證 1 雖未特別明示凸部數目,然由其揭示內容可推知其數目符合上述之關係。 ㈢引證1 及美國第6,846,098B2 號「LIGHT DIFFUSER WITH VA-RIABLE DIFFUSION 」專利案(即被證4 ,下稱引證3 )之組合所揭露之技術特徵,足以證明系爭專利不具進步性。因系爭專利申請專利範圍第1 項之技術特徵均已揭示於引證1 。再者,引證3 之說明書第6 欄第33至36行已經揭露:不同尺寸與形狀的多數透鏡形成在彼此之上方以產生類似花椰菜之複合式透鏡特徵(The plurality oflenses of all diff-erent sizes and shapes are formed on top of one ano-ther to create a complexlens feature resembling a c-auliflower.)。此不同尺寸與形狀之多數透鏡恰係對應至系爭專利申請專利範圍第1 項中所載之技術特徵即「該等凸部在該基板上形成有不同的尺寸」。準此,系爭專利申請專利範圍第1 項中所載之「該等凸部在該基板上形成有不同的尺寸」特徵已揭露於引證3 。由於引證1 與引證3 均係有關利用凸部達成光擴散之作用,而屬相同技術領域,故對系爭專利之技術具有通常知識者,自會輕易地將引證3 之不同尺寸應用到引證1 ,而獲致系爭專利所請求之發明。 ㈣引證1 及日本特開0000-00000「光擴散體及其製造方法」專利案(即被證5 ,下稱引證4 )之組合所揭露之技術特徵,足以證明系爭專利不具進步性。因系爭專利申請專利範圍第1 項之技術特徵均已揭示於引證1 。引證4 係關於光擴散體及其製造方法,且如引證4 之圖1 、2 所示,該等微小透鏡陣列(10)係屬不同尺寸者。由於引證1 與引證4 均係有關利用凸部達成光擴散的作用,而屬相同技術領域,因此,對系爭專利之技術具有通常知識者自會輕易地將引證4 之不同尺寸應用至引證1 ,並致系爭專利所請求之發明。 ㈤系爭專利曾在日本申請專利(特願0000-000000 ),在申請之過程中,日本專利局係以具有與引證1 相類似之前案(特開0000-000000 號)而發給「拒絕理由通知書」。雖在日本審查過程中,進一步修正成與系爭台灣專利相同之界定,即有關凸部數目與凸部直徑方面的限定,其與系爭專利現行核准範圍實質相同,然日本專利局發給「拒絕查定」,其中同時指出該對應申請案所界定之凸部數目與直徑之關係實質上就是個數密度之限制,而前案(特開0000-000000 號)所揭示之透鏡填充率多半一定會符合該界定內容,故不具特徵。進而以不具進步性,核駁該日本對應申請案。綜上所述,系爭專利申請專利範圍第1 項所有技術特徵已為引證1 至4 所揭露,而系爭專利進步性之欠缺,亦經系爭專家書面意見書肯認,依專利法第22條第4 項之規定,不具進步性。 ㈥被告Shinwha Interteke 公司僅出口,從未曾在台灣有任何販賣、要約、製造、使用及進口之行為。臺經院所為之鑑定報告中所鑑定之產品,係原告間接透過廠商所取得,並未能具體指明產品來源,加以鑑定報告通篇僅有利用掃描式電子顯微鏡所拍攝光學薄板之檢測照片,沒有任何顯示產品外觀及據以識別產品來源之證據。故原證6 至9 號之待鑑定物是否為被告新和光學公司所有,尚非無疑。退步言,縱使原證6 至9 號之待鑑定證物屬被告新和光學公司所有,系爭鑑定報告亦不可採,茲說明如後: 1.臺經院將系爭專利申請專利範圍所要求凸部數目之「應>18」之重要限制條件,誤解為「可>18」,進一步演繹出下列完全悖於申請專利範圍的錯誤結論:(1) 平均值計算結果下可容納之個數;(2) 套入公式後可得在300 μm ×300 μm 之面積下,如果每個凸部長度相同之情況下可包含之凸部數量;(3) 在預設的凸部長度範圍中,單位面積(300 μm × 300 μm )所可包含之凸部數量;(4) 所謂個數亦無需以計算所得的個數作為對應之限制條件。顯然與系爭專利申請專利範圍、說明書及申請檔案歷史之內容相左,委無足取。 2.系爭專利之凸部平均長度d 雖為平均值,然凸部數目n >18則為申請專利範圍明定之限制要件,故所謂每300 μm ×30 0 μm 之凸部數目即指任何單位面積中均需容納超過18個凸部,而非凸部數目只需平均值>18即足。臺經院竟以:「由於公式計算之結果係以平均值(即凸部平均長度d )計算所得,故該數值(凸部數目n )僅為一預估值」為由,導出實際上在待鑑定之證物上所觀察到的數值(凸部數目n )不必等於計算所得數值(凸部數目n )之謬誤結論,並以該錯誤的解釋為基礎,進行與待鑑定證物之比對,比對單位面積中所含凸部「平均」數目,該鑑定結論殊不足為憑。 3.就凸部在基板上分佈不均勻所致之測量問題,臺經院雖認為,在待鑑定物的點算上,如凸部被一單邊切割成兩半,則以1/2 計算,倘凸部被相鄰兩邊切割,包含凸部恰好位於一頂點附近而被至少三個頂點相鄰區域切割,則以1/4 計算云云。惟該計算方法並無依據,亦未獲系爭專利說明書所支持,臺經院在鑑定報告體系上將前述推估方法置於解釋申請專利範圍一節,已有錯誤,且其單純以切割凸部的邊數推估凸部個數,未免失之粗略、臆斷,鑑定方法更毫無精確可言。臺經院雖稱就待鑑定物所取得之10個樣本乃隨機觀測而得,惟臺經院終究是原告單方委託之鑑定機構,實際上是否隨機觀測,抑或特別針對有可能落入系爭專利申請專利範圍之區域進行切割、取樣,被告全然無從監督,故臺經院之公正性有待質疑。綜上所陳,原告所提之系爭鑑定報告,其取證立場及方法容有偏頗,鑑定方法更與「專利侵害鑑定要點」之要求不合,該鑑定結果自不足為憑。 ㈦原告雖以律師函證明被告故意或過失侵害系爭專利,惟就被告之產品如何侵害系爭專利、侵害系爭專利第幾項,函文內容均未具體指明,亦未隨函檢附鑑定報告,實難令被告據以判斷原告主張可能受侵害之權利及受有損害之事實究屬如何,且經被告立即查證後發現,系爭專利有效性有很大問題,故被告並無任何侵權之故意或過失。原告起訴主張被告連帶給付原告損害賠償至少1,200 萬元,並無依據,因系爭專利既屬無效,且被告亦未侵害系爭專利,實無進一步計算損害賠償或提出相關證據之必要。本院99年度民聲字第9 號於99年5 月10日在被告新和光學公司廠址實施證據保全時,原告所保全者係被告新和光學公司廠址當場推疊之產品,來源最爭議,縱認原告可以證明該保全之樣品侵害系爭專利,亦應以99年5 月10日起算至今,始為合理。並聲明請求駁回原告之訴。 三、兩造不爭執之事實(見本院卷二第22至23頁): 1.原告為系爭專利之專利共有人之一,專用期限自98年9 月21日起至114 年12月29日止(見本院卷一第12頁)。 2.原告於99年5 月10日在新和光學公司之廠址實施證據保全,取得系爭產品各5 件,現由本院保管中(見本院99年度民聲字第9 號第240 頁)。 3.系爭專利在日本、美國及韓國均有相對應之專利申請案,其中在日本之申請案已被核駁。 四、兩造主要爭點有(見本院卷二第266頁): 1.系爭專利申請專利範圍第1項之解釋? 2.系爭專利申請專利範圍第1項是否具有新穎性、進步性? 3.被告之產品是否落入系爭專利申請專利範圍第1 項內? 4.被告是否有侵害原告系爭專利之故意或過失? 5.原告之聲明請求是否准許?損害額如何認定? 參、得心證之理由: 一、系爭專利為共有: 按發明專利權為共有時,除共有人自己實施外,非得共有人全體之同意,不得讓與或授權他人實施。但契約另有約定者,從其約定,專利法第61條定有明文。職是,專利權為共有者,關於專利權之行使,應得全體同意(參照最高法院72年度台上字第4764號、行政法院74年度判字第1276號判決)。原告主張系爭專利為其與Mirae 公司所共有,原告提起本件訴訟經共有人Mirae 公司同意之事實,業具其提出專利證書與聲明書等件為證(見本院卷一第12頁、卷二第272 頁)。復為被告所不爭執,原告上開主張堪信為真實。職是,原告得基於系爭專利共有人身分提起本件訴訟,原告於本件當事人適格,合先敘明。 二、被告抗辯系爭專利申請專利範圍第1 項不具新穎性、進步性,本院應自為判斷: 按當事人主張或抗辯智慧財產權有應撤銷、廢止之原因者,法院應就其主張或抗辯有無理由自為判斷,不適用民事訴訟法、行政訴訟法、商標法、專利法、植物品種及種苗法或其他法律有關停止訴訟程序之規定。前項情形,法院認有撤銷、廢止之原因時,智慧財產權人於該民事訴訟中不得對於他造主張權利,智慧財產案件審理法第16條定有明文。被告於本件抗辯系爭專利不具新穎性、進步性,本院就此抗辯應自為判斷。查系爭專利係於94年12月30日申請,經審定准予專利後,並於98年9 月21日公告,是系爭專利有無撤銷之原因,應以核准審定時有效之92年2 月6 日修正公布之專利法為斷。參諸兩造主要爭點可知,因系爭專利是否符合專利要件,為原告請求被告負侵害系爭專利損害賠償之前提要件,本院自應探究系爭專利是否合法有效,兩造亦同意本件先審理系爭專利申請專利範圍第1 項之解釋,暨系爭專利申請專利範圍第1 項是否有新穎性、進步性等2 個爭點(見本院卷二第267 頁之99年10月12日言詞辯論筆錄第2 頁)。本院先解釋系爭專利之申請專利範圍,並據此解析系爭專利申請專利範圍第1 項之技術內容,繼而說明專利無效之引證技術特徵,作為比對、分析系爭專利申請專利範圍第1 項有無具備新穎性、進步性之基準。 三、解析系爭專利申請專利範圍第1項之技術特徵: ㈠系爭專利申請專利範圍共計5 項,其中第1 項、第5 項為獨立項,第2 至4 項為直接依附於第1 項之附屬項。因原告僅主張被告侵害系爭專利申請專利範圍第1 項,故本院論述系爭專利申請專利範圍第1 項即可,自庸探究其餘之請求項。系爭專利申請專利範圍第1 項為一種光學薄板,包含一基板,暨多數個凸部以一預定決定的厚度自該基板伸出,每一該凸部的一厚度從該凸部之邊緣增加至該凸部的一中心,該等凸部形成一圓或一橢圓之形狀,該等凸部在該基板上形成有不同的尺寸,其中該等凸部係不均勻地以複數形態被排列於該基板上,其中該等凸部的數目可由下列等式求出:凸部數目(n)=1502/r2 >18,其中n 為:每300 μm ×300 μm 之 凸部數目,r=d/2 ,d 為凸部之平均長度,且45μm <d <70μm 。 ㈡系爭專利申請專利範圍第1 項之技術內容:系爭專利為一種光學薄板(optical sheet ),其包括一光線入射於其上之基板(substrate ),暨自該基板伸出一預定決定的厚度之一凸部(convex part ),該凸部厚度自該凸部之邊緣增加至該凸部之一中心,其剖面圖如附圖5 所示。系爭專利申請專利範圍第1 項之技術內容為「一基板」與「多數個凸部」,凸度有「凸度厚度」、「形狀」、「排列」及「數目」等技術特徵。 四、解析被告抗辯系爭專利申請專利範圍第1 項不具新穎性、進步性之引證案之技術特徵: 被告提出證明系爭專利無效相關引證有四:1.引證1 為西元2004年05月20日公開之日本特開0000-000000 號「光學薄板及使用該薄板的背光單元」專利案;2.引證2 為2002年04月23日公開之日本特開0000-000000 號「微構造體及其製作方法」專利案;引證3 為2005年01月25日公告之美國第6,846,098 號「LIGHT DIFFUSER WITH VARIABLE DIFFUSION」專利案;引證4 為2001年03月23日公開之日本特開0000-00000號「光擴散體及其製造方法」專利案。引證1 至4 之公開日均早於系爭專利之優先權日即2005年04月21日,各得為系爭專利之先前技術,茲依序分析各引證之技術特徵如後(見本院卷一第214 至266 頁、卷二第139 至152 頁): ㈠引證1 係一種光學薄板,如附圖1 所示,光學薄板係在表面上具有微透鏡陣列(3) ,構成該微透鏡陣列(3) 之微透鏡(4) 之直徑(D) 為10μm 以上100 μm 以下,表面粗度(Ra)為2 μm 以下。微透鏡(4) 之透鏡充填率為40% 以上。構成微透鏡陣列(3) 之材料的折射率係以1.3 以上1.8 以下為佳。微透鏡(4) 之配設圖案係以正三角形格子圖案或不規則圖案為佳。系爭專利申請專利範圍第1 項之基板等同於引證1 之基材層,凸部等同於引證1 之微透鏡(見本院卷一第214 頁)。 ㈡引證2 係一種微構造體及其製作方法,如附圖2 所示,在相同之基板上,以柔韌方式製成透鏡之類的微構造體。微構造體,係使滴物(3) 滴附在基板(1) 上,並形成微細突起(4) ,且在微細突起(4) 和基板(1) 之至少一部分上形成連續膜(4) 而製作成(見本院卷一第228 頁)。 ㈢引證3 係一種光擴散板,如附圖3 所示,不同尺寸與形狀之多數透鏡形成,在彼此上方以產生類似花椰菜之複合式透鏡特徵(見本院卷一第243 頁)。 ㈣引證4 係一種光擴散體及其製造方法,提供一種可防止周圍光之反射以實現高對比性的螢幕。如附圖4 所示,1-100 μm 之微小透鏡(10)呈不規則或週期性地配設在基體(12)上,且在與配設有微小透鏡(10)表面呈相反側之表面上,形成膜狀之感光材料,並製作從透鏡表面曝光加以顯像,使未曝光之部分具有遮光領域性,而曝光部分具有透光性領域(16)之微小透鏡陣列黑膜(14)(見本院卷一第262 頁)。 五、系爭專利申請專利範圍第1 項具有新穎性: 茲分析、比對系爭專利申請專利範圍第1 項與引證1 間構成要件之技術特徵,作為認定系爭專利申請專利範圍第1 項是否具有新穎性之基準。新穎性係採單一文件或單獨對比之認定方式,茲分別說明引證1 已揭露與未揭露部分如後: ㈠引證1 為一種光學薄板,故系爭專利申請專利範圍第1 項之標的「一種光學薄板」為引證1 所揭露。引證1 如附圖1 揭露之光學薄板(1) 包含一基材層(2) ,故系爭專利申請專利範圍第1 項之「一基板」技術特徵為引證1 所揭露。引證1 如附圖1 揭露之光學薄板(1) 包含多數個微透鏡(4) ,每一微透鏡(4) 以一透鏡高度H 自該基材層(2) 伸出,且每一微透鏡(4) 之透鏡高度H 自該微透鏡(4) 之邊緣增加至該微透鏡(4) 之中心,故系爭專利申請專利範圍第1 項之「多數個凸部以一預定決定的厚度自該基板伸出,每一該凸部的一厚度從該凸部的邊緣增加至該凸部的一中心」技術特徵為引證1 所揭露。引證1 如附圖1 揭露之微透鏡(4) 形成一圓之形狀,故系爭專利申請專利範圍第1 項之「該等凸部形成一橢圓的形狀」技術特徵為引證1 所揭露(見本院卷一第214 頁、卷二第139 頁)。 ㈡引證1 說明書第4 頁第14段第1 行記載:該微透鏡之配設圖案以不規則圖案為佳;第9 頁第54段第1 至2 行記載:微透鏡之配設圖案,並不限於可濃密充填之正三角形格子圖案,亦可為正方形格子圖案或不規則圖案。準此當引證1 之微透鏡配設圖案為不規則圖案時,微透鏡係不均勻地以複數型態被排列在基材層上,故系爭專利申請專利範圍第1 項之「其中該等凸部係不均勻地以複數形態被排列於該基板上」技術特徵為引證1 所揭露。引證1 說明書第5頁 第26段第1 至3 行記載:「微透鏡(4) 之直徑(D) 之下限係10μm ,特別以20μm 為佳。微透鏡(4) 之直徑(D) 之上限係100 μm ,特別以70μm 為佳」。表3 及說明書第9 頁第51段第2 至4 行記載:透鏡充填率在40% 以上時,正面亮度相對值是高的,透鏡充填率在60% 以上時更高,而透鏡充填率在75% 以上時,則特別高。引證1 並雖未揭露微透鏡之數目,然由系爭專利申請專利範圍第1 項之各凸部平均長度(d) 計算其對應之凸部數目(n) ,詳如表1 。引證1 之微透鏡直徑(D) 與充填率計算其微透鏡數目,詳如表2 可知,系爭專利申請專利範圍第1 項界定之各凸部平均長度(d) 與其對應的凸部數目(n) 已完全為引證1 所揭露,且系爭專利申請專利範圍第1 項界定之凸部平均長度(d) 範圍(45μm <d <70μm )完全為引證1 (10μm <微透鏡直徑(D) <100 μm )所揭露,故系爭專利申請專利範圍第1 項之「其中該等凸部之數目可由下列等式求出:凸部數目(n)=1502/r2 >18,其中n 係每300 μm ×300 μm 之凸部數目,r=d/2 ,d 為凸部之平均 長度,且45μm <d <70μm 。該技術特徵為引證1 所揭露(見本院卷一第217 至222 頁、卷二141 至145 頁)。 ㈢引證1 揭露之微透鏡(4) 係以相同之尺寸形成於基材層(2) 上,故系爭專利申請專利範圍第1 項之「該等凸部在該基板上形成有不同的尺寸」技術特徵非為引證1 所揭露。綜上所陳,系爭專利申請專利範圍第1 項之「基板」、「凸部厚度」、「凸部形狀」、「凸部排列」及「凸部數目」等技術特徵雖為引證1 所揭露,然系爭專利申請專利範圍第1 項之「凸部形成不同尺寸」技術特徵非為引證1 所揭露。職是,引證1 不足以證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具新穎性。㈣被告雖抗辯稱引證1 圖9(b)所示,該等形成微透鏡(4) 模型之粒子(29)在基材層(26)上形成有不同之尺寸。況依引證1 所揭示之習知技術而言,粒子(29)理論上無法作出相同之直徑,故已揭露系爭專利申請專利範圍第1 項之「該等凸部在該基板上形成有不同的尺寸」技術特徵云云。然查引證1 圖9(29) 係引證1 揭露之先前技術內容,並非引證1 之發明的技術內容,而新穎性之判斷原則應就每一請求項中所載之發明與單一先前技術進行比對,即一發明與單一先前技術單獨比對,不得就該發明與多份引證文件中之全部或部分技術內容的組合,或一份引證文件中之部分技術內容的組合,或引證文件中之技術內容與其他形式已公開之先前技術內容的組合進行比對。準此,被告將引證1 揭露之先前技術與引證1 組合進行新穎性比對,並不可採。 六、系爭專利申請專利範圍第1 項不具進步性: 判斷是否符合進步性要件,並非就專利申請案之發明或創作之各個構成要件,逐一與先前技術加以比較,而係就申請專利範圍之每項請求項所載發明或創作整體判斷,審視其所屬技術領域中具有通常知識之人或熟習該項技術者,是否對先前技術顯而易知或依據申請前之先前技術所能輕易完成者。從而,判斷是否具備進步性,得以一份或多份引證文件組合判斷,茲分別以引證1 與2 、引證1 與3 、引證1 與4 比對系爭專利申請專利範圍第1 項,判斷是否具有進步性: ㈠引證1與引證2: 1.揭露基板上形成有不同尺寸: 系爭專利申請專利範圍第1 項之「凸部形成不同尺寸」技術特徵非為引證1 所揭露,已如前述。引證2 及如附圖2 揭露一種微構造體及其製作方法,在相同的基板上,以柔韌的方式製成透鏡之類的微構造體。微構造體,係使滴物(3) 滴附在基板(1) 上,並形成微細突起(1) ,且在微細突起(4) 與基板(1) 至少一部分上形成連續膜(5) ,而製作成。系爭專利申請專利範圍第1 項之基板等同於引證2 之基板,凸部等同於引證2 之微細突起。而引證2 說明書第6 頁第41段第4 至5 行記載:亦可週期性地包含有具不同形狀或大小的微細突起4 ,暨第6 頁第42段第1 至2 行記載:該微細突起(4) 亦可為以具不規則性之大小與位置加以配置者。引證2 之微細突起(4) 係可在基板上形成不同之尺寸,故系爭專利申請專利範圍第1 項之「該等凸部在該基板上形成有不同的尺寸」技術特徵為引證2 所揭露(見本院卷一第233頁)。 2.揭示提升光學薄板之亮度與視角特效: ⑴系爭專利申請專利範圍第1 項之光學薄板具有提升亮度與視角特性的功效。引證1 之光學薄板可藉由調整微透鏡充填率而提升亮度值,引證1 說明書第9 頁第51段揭露透鏡充填率在75% 以上時,則亮度值特別高(見本院卷一第222 頁)。而由系爭專利申請專利範圍第1 項界定之凸部平均長度(d) 與其對應之凸部數目(n) ,如表1 所示,並以相同的凸部長度與數目計算引證1 之光學薄板每300 μm ×300 μm 之微 透鏡充填率,如附表2 所示,可知引證1 之微透鏡直徑(D) 與數目相同於系爭專利申請專利範圍第1 項之凸部平均長度(d) 與數目時,引證1 之光學薄板每300 μm ×300 μm 之 微透鏡充填率在75% 至79% ,對照引證1 之表3 ,引證1 之光學薄板具有提升亮度值的功效,引證1 雖未揭露微透鏡參數變化時對應的視角變化,然由系爭專利說明書第13頁倒數第7 至4 行記載:自凸部在基板表面上之部分,凸部(511) 之形狀為圓或橢圓形。因凸部(511) 之關係,入射於基板(510) 之光線可根據其入射角,在高效率的情況下被均勻地擴散或聚集(見本院卷一第296 頁)。暨第14頁第9 至11行記載:當凸部(511) 以一預定厚度伸出基板(510) 之表面時,自光學薄板(500) 底下入射進來之光線會被折射至不同的方向,可得到廣範圍的均勻光學特性與廣視角的特性(見本院卷一第297 頁)。可知系爭專利係利用凸部為圓或橢圓形,暨凸部以一預定厚度伸出基板之表面等技術特徵,產生提升視角特性之功效。而引證1 揭露之微透鏡係呈圓形,且每一微透鏡以一透鏡高度伸出基材層之表面,因引證1 之微透鏡與系爭專利之凸部為相同技術特徵,故引證1 之光學薄板具有提升視角特性。 ⑵系爭專利申請專利範圍第1 項界定之凸部數目(n) 之範圍,其對應的可視角度數約為40度至50度(見本院卷一第375 頁),其與引證1 圖8 相較,引證1 圖8 之實施例1 與2 的可視角度數約為50度(見本院卷一第225 頁)。可知系爭專利申請專利範圍第1 項與引證1 均有相同之廣視角特性。引證2 揭露之微細突起為圓形或橢圓形,暨微細突起以一預定厚度伸出基板的表面等技術特徵,具有與系爭專利申請專利範圍第1 項之凸部相同之技術特徵,故引證2 之微構造體具有提升視角之特性。職是,系爭專利申請專利範圍第1 項所界定之凸部平均長度(d) 及其對應之凸部數目(n) ,係在引證1 所界定之微透鏡直徑及充填率範圍內,選擇具體之凸部平均長度及數目,而該選擇為系爭專利之發明所屬技術領域中具有通常知識者經由例行之普通手段即能得知者。而系爭專利申請專利範圍第1 項界定之凸部平均長度(d) 範圍及其對應之凸部數目(n) ,並未產生更為顯著亮度或可視角度數之功效或無法預期的不同性質之功效。故系爭專利申請專利範圍第1 項的功效相同於引證1 與2 ,並未產生不可預期之功效,為其所屬技術領域中具有通常知識者依申請前之先前技術所能輕易完成,故引證1 與2 可證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具進步性。 ㈡引證1與引證3: 1.揭露基板上形成有不同尺寸: 引證3 係一種光擴散板,其說明書第6 欄第33至36行揭露:不同尺寸與形狀的多數透鏡形成在彼此之上方以產生類似花椰菜之複合式透鏡特徵(見本院卷一第248 頁)。引證3 之光擴散板係形成有不同尺寸之透鏡,故系爭專利申請專利範圍第1 項之「該等凸部在該基板上形成有不同的尺寸」技術特徵為引證3 所揭露。 2.揭示提升光學薄板之亮度與視角特效: 系爭專利申請專利範圍第1 項之光學薄板具有提升亮度與視角特性的功效。而引證1 之光學薄板具有提升亮度與視角特性之效已如前述。引證3 之透鏡係以一預定厚度伸出基材的表面,引證3 之透鏡雖為類似花椰菜之形狀,然透鏡之表面呈弧形狀,可使入射於基材的光線可向各個方向擴散,故引證3 之光擴散板具有提升視角之特性。職是,系爭專利申請專利範圍第1 項之「基板」、「凸部厚度」、「凸部形狀」、「凸部排列」及「凸部數目」等技術特徵為引證1 所揭露,而「凸部形成不同尺寸」技術特徵為引證3 所揭露,且系爭專利申請專利範圍第1 項之功效相同於引證1 與3 ,並無新功效產生。故系爭專利申請專利範圍第1 項並未產生不可預期之功效,為其所屬技術領域中具有通常知識者依申請前之先前技術所能輕易完成,故引證1 與3 可證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具進步性。 ㈢引證1與引證4: 1.揭露基板上形成有不同尺寸: 引證4 及如附圖4 揭露一種光擴散體及其製造方法,提供一種可防止周圍光之反射以實現高對比性的螢幕。1-100 μm 之微小透鏡10呈不規則或週期性地配設在基體12上,且在與配設有微小透鏡10之表面呈相反側的表面上,形成膜狀之感光材料,並製作從透鏡表面曝光加以顯像,以使未曝光之部分具有遮光領域性,曝光部分具有透光性領域(16)之微小透鏡陣列之黑膜(14)。系爭專利申請專利範圍第1 項之基板等同於引證4 之基體,凸部等同於引證4 之微小透鏡。而引證4 圖1 及2 揭露之微小透鏡係以不同尺寸配設在基體上(見本院卷一第266 頁),故系爭專利申請專利範圍第1 項之「該等凸部在該基板上形成有不同的尺寸」技術特徵為引證4 所揭露。 2.揭示提升光學薄板之亮度與視角特效: 系爭專利申請專利範圍第1 項之光學薄板具有提升亮度與視角特性之功效。引證1 之光學薄板具有提升亮度與視角特性之功效。而引證4 揭露之微小透鏡為圓形,暨微小透鏡以一預定厚度伸出基體之表面等技術特徵,具有與系爭專利申請專利範圍第1 項之凸部相同之技術特徵,故引證4 之光擴散體具有提升視角的特性。準此,系爭專利申請專利範圍第1 項之「基板」、「凸部厚度」、「凸部形狀」、「凸部排列」及「凸部數目」等技術特徵為引證1 所揭露,而「凸部形成不同尺寸」技術特徵為引證4 所揭露,且系爭專利申請專利範圍第1 項的功效相同於引證1 與4 ,並未產生不可預期之功效,為其所屬技術領域中具有通常知識者依申請前之先前技術所能輕易完成,故引證1 與4 可證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具進步性。 七、綜上所述,被告抗辯系爭專利申請專利範圍第1 項不具新穎性、進步性,其提出之引證1 雖無法證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具新穎性,然引證1 與引證2 、引證1 與引證3 、引證1 與引證4 之組合,均可證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具備進步性。既然系爭專利不具進步性而具有得撤銷專利權之原因,依智慧財產案件審理法第16條第2 項規定,原告即不得對被告主張專利權利,原告依據專利法第56條第1 項、第84條第1 項,請求被告停止製造、為販賣之要約、販賣、使用或為上述目的而進口系爭產品之侵害行為;並依專利法第85條第1 項第2 款、民法第185 條第1 項及公司法第23條第2 項之規定,請求被告給付如訴之聲明所示之損害賠償,均為無理由,應予駁回。 八、本件為判決之基礎已臻明確,兩造其餘爭點、陳述及所提其他證據,經本院斟酌後,認為均於判決之結果無影響,自無庸逐一論述。又本院已於99年9 月14日言詞辯論時先行諭知兩造將於下一次(即99年10月12日)言詞辯論時調查系爭專利申請專利範圍第1 項之解釋及被告抗辯系爭專利無效(即第一、二爭點)部分,請兩造預作準備(見本院卷二第125 頁筆錄),嗣被告亦於99年9 月21日具狀請求就系爭專利申請專利範圍第1 項之解釋及系爭專利有效性部分,先為攻防,倘確認系爭專利無效,即無委外鑑定是否侵權之必要等情(見本院卷二第195 頁陳報狀)。本院於99年10月12日言詞辯論時詢以被告99年9 月21日陳報狀要求就第一、二爭點先行審理有何意見?原告答稱同意(見本院卷二第267 頁筆錄),即由兩造進行各以powerpoint詳為陳述意見攻防言詞辯論後,本院因得上開心證,乃為辯論終結定期宣判之諭知,原告於辯論終結後復具狀稱令原告十分錯愕,請求再開辯論云云,乃屬無稽,亦無再開辯論之必要。均併予敘明。 據上論結,本件原告之訴為無理由,依智慧財產案件審理法第1 條,民事訴訟法第78條,判決如主文。 中 華 民 國 99 年 10 月 26 日智慧財產法院第二庭 法 官 陳忠行 以上正本係照原本作成。 如不服本判決,應於收受送達後20日內向本院提出上訴書狀,其未表明上訴理由者,應於提出上訴後20日內向本院補提理由書狀(均須按他造當事人之人數附繕本),如委任律師提起上訴者,應一併繳納上訴審裁判費。 中 華 民 國 99 年 10 月 26 日書記官 陳士軒