臺灣新北地方法院99年度易字第1787號

• 裁判案由: 詐欺
• 案件類型: 刑事
• 審判法院: 臺灣新北地方法院
• 裁判日期: 100 年 04 月 29 日

臺灣板橋地方法院刑事判決　　　　　　　99年度易字第1787號公　訴　人　臺灣板橋地方法院檢察署檢察官
被　　　告　郭義偉
上列被告因詐欺案件，經檢察官提起公訴（98年度偵緝字第2540號），本院判決如下：
主 文
郭義偉犯侵占罪，累犯，處有期徒刑陸月，如易科罰金以新臺幣壹仟元折算壹日。
事 實
一、郭義偉前曾於民國97年間因詐欺案件，經臺灣臺北地方法院以97年度易字第939 號（起訴書誤載為「第2879號」）判決，判處有期徒刑四月，復經其上訴由臺灣高等法院以97年度上易字第1983號判決，認其上訴不合法定程式，駁回其上訴確定，其後於97年10月7 日易科罰金執行完畢。張廷彰則係設於高雄市三民區○○○路67號4 樓之1 「九仕科技有限公司」（下簡稱「九仕公司」）之實際負責人（登記負責人為張富忠，係張廷彰之父），與郭義偉係從事半導體產品生意往來伙伴。緣張廷彰於民國98年3 月10日委託郭義偉，將九仕公司向回收商收購所有如附表一所示之半導體晶圓貨品總計淨重399.21公斤，載運委交設於臺北縣三重市（現改制為「新北市三重區○○○○○路193 巷21弄35號「嵩億工業股份有限公司」（下簡稱「嵩億公司」，負責人為郭禮祥）代工噴砂清洗，經嵩億公司分批清洗完畢後，扣除耗損後剩餘總淨重386.6 公斤，嵩億公司即於98年3 月12日，先通知郭義偉前來領取第一批如附表二所示已清洗完畢之半導體晶圓貨品共計淨重104.16公斤，由郭義偉領取後，復載運送交給張廷彰指定之客戶，並將收取之貨款約新臺幣（下同）10多萬元交付張廷彰。其後嵩億公司再於98年3 月17日，通知郭義偉前來領取剩餘第二批如附表三所示已清洗完畢之半導體晶圓貨品共計淨重282.44公斤（價值約83萬元，起訴書誤載為「282 公斤」），詎郭義偉明知如附表所示之半導體晶圓282.44 公 斤，係九仕公司之實際負責人張廷彰委由其保管持有之貨品，非其所有之物，竟因積欠賭債，無力償還，萌生貪念，而意圖為自己不法之所有，即於同日至上址嵩億公司領取上開九仕公司所有之半導體晶圓282.44公斤貨品後，基於侵占之犯意，將該批貨品侵吞入己，而以50多萬元之價格，變賣予桃園縣龜山鄉某科技公司，扣除支付嵩億公司之清洗加工費用6 萬9008元後，其得款約40多萬元，供己償還賭債及花費殆盡。嗣因郭義偉領貨後即避不見面，不知去向，張廷彰始查悉上情。
二、案經九仕公司實際負責人張廷彰訴由臺北縣政府警察局（現改制為「新北市政府警察局」）三重分局移送臺灣板橋地方法院檢察署檢察官偵查起訴。
理 由
一、訊據被告郭義偉固不否認有於上揭時地領取上開九仕公司委其送請嵩億公司清洗如附表三所示之半導體晶圓等貨品後，將之變賣予桃園縣龜山鄉某科技公司等事實，惟矢口否認有詐欺或侵占等犯行，辯稱：伊與張廷彰係事業上之朋友，本件上開系爭半導體晶圓貨品，係張廷彰所有委託伊將之送至嵩億公司清洗，並與伊有協議，約定誰先找得買家，價格較好，即可先將該貨品出售，二人再均分賺取之差價利潤，因其已找得買家，所以在向嵩億公司取貨後，直接交付賣予買家，伊並無詐欺或侵占之犯意云云。經查：
㈠本件上揭被告侵占系爭九仕公司所有之半導體晶圓貨品變賣得款獲取不法利益之犯罪事實，業據被告於偵查、審理均供認確有上開領取系爭半導體晶圓貨品後變賣得款，未交付貨款予九仕公司或該公司之實際負責人張廷彰，而擅自取為償還賭債及個人花用等客觀事實屬實，並經九仕公司實際負責人張廷彰於偵查中指訴系爭半導體晶圓貨品遭被告領取後侵占擅自變賣等被害情節綦詳（見98年度偵字第1554 5號偵查卷23頁、98年度偵緝字第2540號偵查卷21頁、33、34頁，張廷彰於偵查中之陳述，雖均未經具結，惟被告於審理時並未爭執其證據能力，依刑事訴訟法第159 條之5 規定，得為證據），復經證人嵩億公司主任郭傳永於偵查、審理時證述被告於上開時地送洗領取系爭半導體晶圓貨品等事實明確（見98年度偵緝字第2540號偵查卷37、38頁、本院99年11月17日審判筆錄），並有被告與九仕公司簽立之98年3 月10日委託送洗系爭貨品之協議書、嵩億公司出具之98年3 月12日、98年3 月17日出貨明細表、噴砂狀況表、98年3 月10日收貨單、98年3 月12日、98年3 月17日送貨單、加工費統一發票等影本在卷可資佐證。
㈡被告雖辯稱上開意旨云云，經查本件九仕公司確實有委由被告代為將系爭半導體晶圓貨品送請嵩億公司代工實施清洗噴砂作業，有上開協議書可稽，亦為張廷彰所不否認，固係屬實，然依其間上開協議，被告亦僅係受託代為保管持有系爭半導體晶圓貨品，將之送請嵩億公司清洗，該系爭貨品仍係屬九仕公司所有，被告如未經授權，即無權對系爭貨品為其他處分行為，被告上開雖辯稱其與九仕公司之實際負責人張廷彰間有代為洽售處分之協議云云，然此為張廷彰於偵查中所否認，被告復無其他具體事證可資佐證，況徵諸被告於變賣上開系爭貨品後，即將所得貨款據為己用，清償其個人賭債及供其個人花用，復對張廷彰避不見面等情，均與一般有權處分之常情有違，足見張廷彰指述被告對系爭貨品無權處分之侵占行為，應非虛詞，堪以採信，而被告所辯其間有授權代為洽售之協議云云，則應係被告卸責之詞，不足採信。
㈢又公訴意旨係謂被告係於上開時地（起訴書犯罪日期誤載為「98年3 月10日」）佯以九仕公司名義，向嵩億公司詐取系爭半導體晶圓貨品後出售獲利，因認被告所為係涉犯有詐欺取財罪嫌云云，然依上述，本件九仕公司確實有委由被告代為將系爭半導體晶圓貨品送請嵩億公司代工實施清洗噴砂作業，有上開協議書可稽，並經張廷彰、證人郭傳永分別於偵查、審理時證述屬實，顯見被告並非佯以九仕公司名義詐領系爭貨品，是公訴意旨上開所認，容有未洽，要與事實不符，併此敘明。
是綜上所述，被告上開所辯，要屬事後卸責之詞，顯不足採，參互印證本件事證，被告上揭侵占犯行應堪認定，爰予依法論科。
二、核被告上揭所為，係犯刑法第335 條第1 項之侵占罪。公訴意旨雖認被告上開所為，係涉犯刑法第339 條第1 項之詐欺取財罪嫌云云，惟依上述理由，容有未洽，按刑法上之侵占與詐欺，俱以不法手段占有領得財物，其客觀構成要件之主要事實雷同，二罪復同以為自己或第三人不法之所有意圖為主觀要件，同以他人之財物為客體，同為侵害財產法益之犯罪，犯罪構成要件亦具共通性（即共同概念），應認為具有同一性，從而本件堪認其起訴社會基本事實相同，逕予變更起訴法條論究（參見最高法院97年度台非字第375 號判決意旨）。又被告前曾於97年間因詐欺案件，經臺灣臺北地方法院以97年度易字第939 號判決，判處有期徒刑四月，復經其上訴由臺灣高等法院以97年度上易字第1983號判決，認其上訴不合法定程式，駁回其上訴確定，其後於97年10月7 日易科罰金執行完畢，有臺灣高等法院被告前案紀錄表在卷可稽，被告前受有期徒刑執行完畢後，於五年以內故意再犯本件有期徒刑以上之罪，為累犯，應依刑法第47條第1 項規定，加重其刑。爰審酌被告不思正途，竟為償還賭債，萌生貪念，以侵占不法手段，侵害友人財產利益，供己私用，獲取不法利益，其惡意應予非難，另兼衡其犯罪之手段、對被害人所生危害、所獲不法利益及犯後態度等一切情狀，量處如主文所示之刑，並諭知易科罰金之折算標準，以資懲儆。
據上論斷，應依刑事訴訟法第299 條第1 項前段、第300 條，刑法第335 條第1 項、第47條第1 項、第41條第1 項前段，刑法施行法第1 條之1 第1 項、第2 項前段，判決如主文。
本案經檢察官王筱寧到庭執行職務。
中 華 民 國 100 年 4 月 29 日刑事第七庭 審判長法 官 彭 全 曄
法 官 林 鈺 琅
法 官 張 兆 光
以上正本證明與原本無異。
如不服本判決應於收受送達後十日內向本院提出上訴書狀，並應敘述具體理由；其未敘述上訴理由者，應於上訴期間屆滿後二十日內向本院補提理由書（均須按他造當事人之人數附繕本）「切勿逕送上級法院」。
書記官 蘇 宥 維
中 華 民 國 100 年 4 月 29 日附錄本案論罪科刑法條全文：
中華民國刑法第335條
意圖為自己或第三人不法之所有，而侵占自己持有他人之物者，處五年以下有期徒刑、拘役或科或併科一千元以下罰金。
前項之未遂犯罰之。
--------------------------------------------------------附表一：嵩億公司噴砂狀況表
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│編│料 號│ 貨物品名 │進貨淨重│完成淨重│破片淨重│備 註│
│號│ │ │（公斤）│（公斤）│（公斤）│ │
├─┼────┼─────┼────┼────┼────┼─────┤
│01│KI0017W │半導體晶圓│ 36.57│ 34.94│ 0.68│N-type │
│ │ │12吋圓片 │ │ │ │ │
├─┼────┼─────┼────┼────┼────┼─────┤
│02│KI0048W │半導體晶圓│ 29.64│ 28.18│ 0.58│P-type │
│ │ │12吋圓片 │ │ │ │ │
├─┼────┼─────┼────┼────┼────┼─────┤
│03│KI0131W │半導體晶圓│ 131.92│ 121.12│ 7.76│低阻 │
│ │ │12吋圓片 │ │ │ │ │
├─┼────┼─────┼────┼────┼────┼─────┤
│04│KI0137W │半導體晶圓│ 137.26│ 117.18│ 13.16│鍍膜 │
│ │ │12吋圓片 │ │ │ │ │
├─┼────┼─────┼────┼────┼────┼─────┤
│05│KI0063W │半導體晶圓│ 63.82│ 62.24│ 0.76│低阻 │
│ │ │8 吋圓片 │ │ │ │ │
├─┴────┼─────┼────┼────┼────┼─────┤
│小 計│ │ │ 363.66│ 22.94│ │
├──────┼─────┼────┼────┴────┼─────┤
│合 計│ │ 399.21│ 386.60│ │
└──────┴─────┴────┴─────────┴─────┘
附表二：嵩億公司98.03.12出貨明細
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│編│料 號│ 貨物品名 │數量│淨 重│備 註│
│號│ │ │ │（公斤）│ │
├─┼────┼─────┼──┼────┼─────────┤
│ │KI0017W │半導體晶圓│4箱 │ 35.62│N-type │
│ │ │12吋圓片 │ │ │含破片淨重0.68公斤│
├─┼────┼─────┼──┼────┼─────────┤
│ │KI0048W │半導體晶圓│3箱 │ 28.76│P-type │
│ │ │12吋圓片 │ │ │含破片淨重0.58公斤│
├─┼────┼─────┼──┼────┼─────────┤
│ │KI0131W │半導體晶圓│1盒 │ 8.00│低阻 │
│ │ │12吋圓片 │ │ │ │
├─┼────┼─────┼──┼────┼─────────┤
│ │KI0131W │半導體晶圓│1盒 │ 7.80│低阻 │
│ │ │12吋圓片 │ │ │ │
├─┼────┼─────┼──┼────┼─────────┤
│ │KI0131W │半導體晶圓│1盒 │ 7.72│低阻 │
│ │ │12吋圓片 │ │ │ │
├─┼────┼─────┼──┼────┼─────────┤
│ │KI0131W │半導體晶圓│1盒 │ 8.24│低阻 │
│ │ │12吋圓片 │ │ │ │
├─┼────┼─────┼──┼────┼─────────┤
│ │KI0131W │半導體晶圓│1盒 │ 8.02│低阻 │
│ │ │12吋圓片 │ │ │ │
├─┴────┼─────┼──┼────┼─────────┤
│合 計│ │ │ 104.16│ │
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附表三：嵩億公司98.03.17出貨明細
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│編│料 號│ 貨物品名 │數量│淨 重│備 註│
│號│ │ │ │（公斤）│ │
├─┼────┼─────┼──┼────┼─────────┤
│ │KI0131W │半導體晶圓│1盒 │ 8.04│低阻 │
│ │ │12吋圓片 │ │ │ │
├─┼────┼─────┼──┼────┼─────────┤
│ │KI0131W │半導體晶圓│1盒 │ 7.80│低阻 │
│ │ │12吋圓片 │ │ │ │
├─┼────┼─────┼──┼────┼─────────┤
│ │KI0131W │半導體晶圓│1盒 │ 8.56│低阻 │
│ │ │12吋圓片 │ │ │ │
├─┼────┼─────┼──┼────┼─────────┤
│ │KI0131W │半導體晶圓│1盒 │ 8.34│低阻 │
│ │ │12吋圓片 │ │ │ │
├─┼────┼─────┼──┼────┼─────────┤
│ │KI0131W │半導體晶圓│1盒 │ 7.42│低阻 │
│ │ │12吋圓片 │ │ │ │
├─┼────┼─────┼──┼────┼─────────┤
│ │KI0131W │半導體晶圓│1盒 │ 8.58│低阻 │
│ │ │12吋圓片 │ │ │ │
├─┼────┼─────┼──┼────┼─────────┤
│ │KI0131W │半導體晶圓│1盒 │ 7.22│低阻 │
│ │ │12吋圓片 │ │ │ │
├─┼────┼─────┼──┼────┼─────────┤
│ │KI0131W │半導體晶圓│1盒 │ 7.88│低阻 │
│ │ │12吋圓片 │ │ │ │
├─┼────┼─────┼──┼────┼─────────┤
│ │KI0131W │半導體晶圓│1盒 │ 7.84│低阻 │
│ │ │12吋圓片 │ │ │ │
├─┼────┼─────┼──┼────┼─────────┤
│ │KI0131W │半導體晶圓│1盒 │ 7.26│低阻 │
│ │ │12吋圓片 │ │ │ │
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│ │KI0131W │半導體晶圓│1箱 │ 2.40│低阻 │
│ │ │12吋圓片 │ │ │含1片表面黏破片 │
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│ │KI0131W │半導體晶圓│1箱 │ 7.76│低阻 │
│ │ │12吋圓片 │ │ │破片 │
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│ │KI0137W │半導體晶圓│1箱 │ 20.76│鍍膜 │
│ │ │12吋圓片 │ │ │ │
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│ │KI0137W │半導體晶圓│1箱 │ 21.76│鍍膜 │
│ │ │12吋圓片 │ │ │ │
├─┼────┼─────┼──┼────┼─────────┤
│ │KI0137W │半導體晶圓│1箱 │ 21.92│鍍膜 │
│ │ │12吋圓片 │ │ │ │
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│ │KI0137W │半導體晶圓│1箱 │ 22.28│鍍膜 │
│ │ │12吋圓片 │ │ │ │
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│ │KI0137W │半導體晶圓│1箱 │ 22.18│鍍膜 │
│ │ │12吋圓片 │ │ │ │
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│ │KI0137W │半導體晶圓│1箱 │ 8.28│鍍膜 │
│ │ │12吋圓片 │ │ │ │
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│ │KI0137W │半導體晶圓│1箱 │ 8.24│鍍膜 │
│ │ │12吋圓片 │ │ │破片 │
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│ │KI0137W │半導體晶圓│1箱 │ 4.92│鍍膜 │
│ │ │12吋圓片 │ │ │破片 │
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│ │KI0063W │半導體晶圓│1箱 │ 36.12│低阻 │
│ │ │8 吋圓片 │ │ │ │
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│ │KI0063W │半導體晶圓│1箱 │ 26.88│低阻 │
│ │ │8 吋圓片 │ │ │含破片0.76公斤 │
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│合 計│ │ │ 282.44│ │
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