年度重訴字第77、79號（損害賠償） - 臺灣新竹地方法院｜2026 司法院判決書查詢系統

臺灣新竹地方法院民事判決　　　　100 年度重訴字第77、79號原　　　告　漢磊科技股份有限公司即　被　告法定代理人　黃民奇訴訟代理人　馮博生律師複代理人　楊東晏律師被　　　告　飛虹高科股份有限公司即　原　告法定代理人　蕭芳城訴訟代理人　陳世杰律師複代理人　洪舒萍律師原告漢磊科技股份有限公司與被告飛虹高科股份有限公司間給付買賣價金事件（100 年度重訴字第77號）；原告飛虹高科股份有限公司與被告漢磊科技股份有限公司間損害賠償事件（100 年度重訴字第79號），經本院行合併辯論程序，於中華民國103 年1 月20日辯論終結，合併判決如下：主文一、被告飛虹高科股份有限公司於原告漢磊科技股份有限公司交付二０八七片代號EM985002號之晶圓及二十四片代號EM95139 號之晶圓之同時，應給付原告漢磊科技股份有限公司美金肆拾叁萬肆仟伍佰伍拾伍元，及自民國九十九年九月三十日起至清償日止按週年利率百分之五計算之利息。二、訴訟費用由被告飛虹高科股份有限公司負擔。三、本判決於原告漢磊科技股份有限公司以美金壹拾肆萬肆仟捌佰伍拾元為被告飛虹高科股份有限公司預供擔保後，得為假執行。但被告飛虹高科股份有限公司如於假執行程序實施前，以美金肆拾叁萬肆仟伍佰伍拾伍元為原告漢磊科技股份有限公司預供擔保，得免為假執行。四、原告飛虹高科股份有限公司之訴及假執行之聲請均駁回。五、訴訟費用由飛虹高科股份有限公司負擔。事實及理由甲、原告漢磊科技股份有限公司起訴請求被告飛虹高科股份有限公司間給付買賣價金部分（100 年度重訴字第77號）一、原告漢磊起訴主張：緣原告漢磊科技股份有限公司（下稱原告漢磊）為一專業晶圓製造公司，被告飛虹高科股份有限公司（下稱被告飛虹，原名飛虹積體電路股份有限公司）為一積體電路設計公司。被告飛虹於97年間向原告漢磊下單購買晶圓，詳細下單日期：97年4 月17日（採購單號：0000000000）、同年5 月14日（採購單號：0000000000）及同年8 月22日（採購單號： 0000 000000 ），合計訂購晶圓片數6,360 片，而該晶圓原訂應於97年10月底前，由被告飛虹領取完畢。嗣原告漢磊依約分批交付部分晶圓予被告飛虹後，因遭逢金融海嘯，被告飛虹乃於97年11月12日情商原告漢磊遞延取貨日期，並允諾最遲於98年年底前取貨完畢。惟被告飛虹迄今仍有2,111 片晶圓未依約領取，價金總計美金434,555 元，經原告漢磊再三催請，被告飛虹仍未獲置理，並明示拒絕原告漢磊之給付，原告漢磊不得已乃於99年7 月26日以寶山大崎郵局第61號存證信函，再度催告被告飛虹依約領取系爭晶圓，惟被告飛虹仍拒不領取。為此，原告漢磊依買賣法律關係，提起本件訴訟，請求被告飛虹給付系爭晶圓價金計美金434,555 元及法定遲延利息。 (一)兩造間就系爭晶圓所成立之法律關係為何？是否為原告漢磊所主張之單純分次買賣關係？被告飛虹所為兩造間為代工之買賣兼承攬關係之繼續性供給契約之抗辯是否可採？１被告飛虹主張將光罩交予原告漢磊，兩造間即成立繼續性供給契約關係云云，實在無稽： ⑴被告飛虹既主張其將光罩交予原告漢磊，兩造間即成立契約關係云云，自應由被告飛虹就契約關係成立之事實，負舉證之責。查無論兩造間為買賣契約，抑或被告飛虹主張之買賣、承攬混合契約而應適用或類推適用承攬之規定，甚至係繼續性供給契約云云，關於契約之必要之點，根本未達成意思表示一致，就買賣關係而言，在不知數量及價金之情況下，如何能謂就買賣必要之點，已達共識；就承攬關係而言，工作之內容、範圍、工作完成期限及報酬等要素，雙方均未為意思表示時，如何能謂承攬之必要之點，已達共識？被告飛虹謂交付光罩即成立契約關係，實屬無理。 ⑵況被告飛虹提出之光罩資產狀況表（見審重訴57號卷一第151-152頁原證6）及原告漢磊對被告飛虹出貨情況整理表（見審重訴57號卷一第309-320 頁原證16），乃被告飛虹所自行製作，原告漢磊否認其真正外，其上亦無被告飛虹所謂之議定價格；再者，兩造簽訂之協議書（見審重訴57號卷一第153-154 頁原證7 ）乃約明「2 、本協議書訂定之同時甲方應開立本票乙張，作為甲方向乙方進貨之貨款保證」，是被告飛虹所簽發予原告漢磊之本票，係作為原告漢磊出貨予被告飛虹貨物之貨款擔保，此與上述契約之必要之點無涉，被告飛虹謂此可證明兩造間成立契約關係云云，誠屬無稽。 ⑶果如被告飛虹之主張，僅交付光罩，即成立契約關係，原告漢磊即有負責為被告飛虹製造晶圓之義務云云，則倘若被告飛虹遲不下單購貨，原告漢磊豈非只能每日憑空等待下單，亦權利無法安排不同客戶之排程交期？被告飛虹以此主張兩造有此種僅晶圓製造廠負有義務之契約關係云云，殊不可採。實則，被告飛虹為IC設計公司，光罩乃被告飛虹所設計之IC規格。經被告飛虹將光罩提供與原告漢磊，並由被告飛虹向原告漢磊提出訂單後，原告漢磊始得利用該光罩，製造符合原告漢磊IC規格之晶圓產品，出售予被告飛虹。亦即，被告飛虹交付之光罩，充其量僅得認屬原告漢磊製造晶圓時應遵循之IC規格而已。非謂被告飛虹提供此IC規格（按即光罩）與原告漢磊，雙方即因此成立契約關係。２兩造間並無繼續性供給契約關係，而係依被告飛虹個別採購單中不同序號之交易，分別成立多個各別相互獨立之買賣契約： ⑴查被告飛虹諸多判決有關繼續性供給契約之判定，均係以雙方存在單一契約為前提。然被告飛虹亦不否認雙方並不存在「單一之契約」，而係被告飛虹視其需要向原告漢磊下各別之採購單採購晶圓，是其立論基礎已全然錯誤，被告飛虹任意比附援引，主張雙方成立單一繼續性供給契約云云，自無可採。 ⑵實則，雙方並不存在單一之契約，且原告漢磊亦只有在同意接受被告飛虹之採購單後，方有出貨之義務，而無必然接受原告漢磊採購單之義務，被告飛虹之採購單論其性質僅為要約，須俟原告漢磊考量其數量、價格是否可行後才同意供貨晶圓給被告飛虹。且觀諸審重訴97號卷一第141-152 頁原證6 ）及被證6 號所載被告飛虹採購之數量、價格、Wafer （晶圓）品名（EM985002B 、EM985002C 、EM95128Q、EM985004A 、EM985013A 、EM985021A 、EM985016B 等不同品名晶圓）均不相同，雙方自係就個別採購單之中不同序號之交易，分別成立多個買賣契約。被告飛虹泛稱雙方成立單一之繼續性供給契約而得解除契約云云，殊屬無據。 ⑶又，被告飛虹辯稱原告漢磊為被告飛虹唯一之大宗IC晶圓代工廠，而有長期合作關係，可認有繼續性供給契約關係云云。然被告飛虹訴訟代理人於本案99年9 月20日言詞辯論期日亦表示：「確實我們所賣給環隆電器及臺灣表面公司的部分的晶圓，並非是原告漢磊所製作的沒錯」。則被告飛虹尚有向其他晶圓廠下單採購晶圓，而不一定要向原告漢磊下單；原告漢磊亦無須一定要接受被告飛虹之採購單（例如：產能滿載時），雙方復無「單一之契約」，雙方間自無繼續性供給契約可言。 (二)原告漢磊依據買賣關係請求被告飛虹給付2,087片系爭代號EM985002 晶圓價金有無理由？原告漢磊已交付之23片系爭代號EM985002晶圓是否具有可靠度之瑕疵？是否未具通常效用之瑕疵？或有無不完全給付情事？被告飛虹以此為由拒絕受領系爭代號EM985002晶圓，並拒絕給付系爭2,087 片晶圓之價金有無理由？又被告飛虹據此主張解除兩造間契約並抗辯已無給付價金義務，是否可採？１被告飛虹未舉證系爭IC均有Idd 過電流異常之瑕疵；縱認系爭晶片均有Idd 過電流異常瑕疵，被告飛虹亦無法證明該等瑕疵係可歸責於原告漢磊；另，依兩造間商業模式，原告漢磊已依雙方契約本旨為給付而不構成不完全給付；且雙方並無可靠度之保證： ⑴查被告飛虹為一IC晶片設計公司，其並無晶圓製造設備，故需仰賴如原告漢磊之晶圓製造廠商，依被告飛虹之晶圓設計圖進行製造。兩造間商業模式流程如後： ①被告飛虹進行IC設計及佈局，並委由原告漢磊進行晶圓製造。 ②兩造約定晶圓之驗收方式及驗收參數設定。雙方同意之驗收方式，係就製成之晶圓，由原告漢磊以雙方同意之參數進行晶圓允收測試（Wafer Acceptance Test ；簡稱「WAT 測試」），以確定該晶圓之晶粒電性功能合格。檢測方式為抽樣檢驗（亦即，一片晶圓上雖包含數千顆晶粒，惟如需逐一檢驗各晶粒之電性，則各顆晶粒之成本及售價將大幅提高，故兩造約定每片晶圓隨機抽檢5 點），如該片晶圓上隨機抽檢之晶粒，經WAT 測試結果符合約定之驗收參數，被告飛虹即應允收該片晶圓。③被告飛虹允收晶圓後，由被告飛虹自行進行逐顆晶粒針測（Chip Probing以下簡稱「CP針測」），以查明各晶粒電性是否合格。其目的在於先行篩除電性不良之晶粒，以避免後續封裝費用之浪費。 ④被告飛虹經CP針測後，將晶圓送交切割成個別晶粒及請IC封裝公司封裝成IC（晶粒於封裝後，始稱為IC）。而IC封裝後，該封裝公司通常亦需進行檢驗後送交被告飛虹，被告飛虹再自行（或委託第三人）進行最後測試（Final Test；以下簡稱「FT測試」），以確定各IC是否電性功能正常及符合規格需求之功能。 ⑤按被告飛虹不爭執系爭IC均已通過上開WAT測試、CP針測、FT測試。 ⑥被告飛虹將封裝完成並通過FT測試之IC，銷售與訴外人公司環隆電氣或台灣表面公司等進行電路板之加工，將IC裝置於電路板上。並由該等訴外人公司進一步將裝置完成之電路板銷售予友達光電公司或其他下游業者進行應用。 ⑵承上述，原告漢磊之晶圓出廠交付予被告飛虹後，其間歷經被告飛虹及訴外人環隆電氣、台灣表面及友達光電公司切割、測試、封裝、組裝等工序，並歷經各公司間轉售、運送、倉儲、運送等多道過程，則本件縱有所謂可靠度不良問題（原告漢磊否認之），其原因究係發生於上開何者環節？其瑕疵是否可單獨歸責於原告漢磊？已有重大疑義。徵諸工研院102 年4 月3 日函覆（被證45號）指明：「二、2.IDD 電流異常與良率或可靠度有關係，但是造成因素眾多」，經濟部工業局半導體學院呂宗興所著「從IC封裝的角度看系統產品組裝製程及使用期間所產生之IC元件失效問題」一文（原證50，卷宗側標誤為被證50）；傅寬裕先生著「半導體IC產品可靠度統計、物理與工程」一書（原證16號），可知IC產品歷經各家公司之多道加工工序、以及各公司間轉售、運送過程及倉儲環境等因素，均會影響系爭IC之品質狀況。被告飛虹指訴之系爭晶片瑕疵成因，無法排除係因上開各公司所為加工或運輸等前揭任一環節所致。被告飛虹既不爭執系爭IC已通過FT測試，則系爭IC縱令有瑕疵，亦極可能係因被告飛虹出貨予環隆電氣、台灣表面及友達光電公司進行組裝電路板、電路板應用等工序及其間運輸、儲存不當等因素所致。被告飛虹既不能證明系爭晶片之瑕疵係可歸責於原告漢磊，則原告漢磊無需就系爭晶片負損害賠償責任。 ⑶氧化引起的疊差（OISF）現象與被告飛虹指稱之Idd過電流異常之產品瑕疵，並無因果關係；故肇因系爭IC電性不良之原因，尚屬未明，不能因此歸咎屬原告漢磊之責： ①查被告飛虹雖執被證4之客訴報告及被證5之電子郵件，泛稱可靠度瑕疵之成因係因雙氧水未加或加量不足所致云云，惟被告飛虹所陳乃斷章取義：Ａ被告飛虹所一再指稱substrate defect即為系爭IC瑕疵之原因，然依被證4號之分析報告第5頁第4.1.2.4 結論（Conclusions 1 ）所示：（1 ）系爭晶圓不論晶粒為良品晶粒（good die）或劣品晶粒（bad die ），皆可以看到stacking fault defect 異常；（2 ）此異常係因substrate defect所導致，substrate defect為Oxidation induced stacking fault（OISF；氧化引起的疊差）所造成。準此，良品晶粒雖可能有OISF現象（按即substrate defect），但無Idd 過電流異常情形（按即被告飛虹指稱之可靠度瑕疵之現象），足見OISF現象與原告漢磊IC產品之Idd 過電流異常情形，並無因果關係。Ｂ次查，被證4 之分析報告，係將被告飛虹將退還之24顆IC經假設性實驗後，推論雙氧水添加不足，可能導致產生OISF現象（原證3 號第4.1.2.4Conclusi ons2參照）。惟該報告中並未表示雙氧水添加不足會造成Idd 過電流異常（按如前述，良品晶粒（good die）雖可能有OISF現象，但無Idd 過電流異常）；而被證5 之電子郵件，亦僅重申該退還之24顆晶粒之OISF現象，可能為雙氧水添加不足所致，並未表示雙氧水添加不足會造成Idd 過電流異常，此觀被證5 電子郵件之前後文即明。Ｃ承上述，因系爭晶圓上，不論良品晶粒或劣品晶粒均有OISF現象，故所謂OISF現象與Idd 過電流異常，並無因果關係，且雙氧水添加不足與Idd 過電流異常（按即被告飛虹指稱之可靠度瑕疵之現象），更無因果關係可言。倘被告飛虹主張雙氧水添加不足（所致OISF現象）將造成Idd 過電流異常（即被告飛虹所稱晶粒之瑕疵），自應由被告飛虹舉證證明。 ②按晶圓製造實務，「隨機性故障」係指不良晶片之瑕疵隨機分佈，理論上無消除此類型之故障之方法（被證7 ）。蓋晶圓製造中發生之瑕疵屬隨機性故障或系統性故障，或係包含隨機性及系統性故障之混合性故障，可依晶圓地圖（Wafer Map ）所呈現之瑕疵分佈與以判定（被證20）。而晶圓地圖係被告飛虹自行施行CP針測時，針對一片晶圓上之每顆晶粒與以測試，並就瑕疵晶粒與以標明，而可呈現一晶圓地圖，藉以了解可能瑕疵晶粒所在位置。此類故障一旦出現，被告飛虹應易於CP針測中檢測出來，並進行篩除。詎被告飛虹竟稱本案Idd 過電流異常乃「系統性故障」，為原告漢磊製程之問題云云。如果係如此，被告飛虹於CP針測時應可輕易檢測出來，且可立即向原告漢磊表示系爭晶圓CP針測結果顯示有瑕疵疑義，然被告飛虹竟表示系爭晶圓CP針測合格，則被告飛虹之上開主張顯自相矛盾。 ③綜上，系爭IC發生電性不良之原因，尚屬未明，難以確認實際發生原因為何，遑論係可歸責原告漢磊之事由所致。 ⑷原告漢磊已依雙方契約本旨為給付，不構成不完全給付：①因晶圓製造幾無可能達到百分之百良率，故依一般晶圓製造流程，晶圓製造中所產生任何不良晶粒，需藉由層層測試予以汰除（被證1 號，半導體製造技術；積體電路測試實務）。上開原告漢磊進行之WAT 測試、及被告飛虹自行進行之CP針測及FT測試均屬之，甚或訴外人環隆電氣、台灣表面或友達光電公司亦需進行各種數量、範圍不一之測試後始會出貨。又，測試成本牽涉IC售價甚鉅，隨機抽檢一片晶圓上之數顆晶粒，亦或逐一檢驗一片晶圓上每顆晶粒，其測試成本固以倍計，自不待言；就測試參數設定上，其要求測試之參數數量（例如，測試30餘種參數或更多參數）及測試何種參數（各種參數之檢驗成本不一）之方式，亦影響測試成本甚鉅。因該等測試成本均反映於被告飛虹之IC售價，故原告漢磊所進行之WAT 測試之方式及範圍，均須由被告飛虹所同意，就「未」進行測試之晶粒上有瑕疵之風險，均應由被告飛虹負擔。申言之，被告飛虹亦可要求原告漢磊進行對每顆晶粒逐一進行各種參數之全面測試，惟如此為之，各晶粒測試成本及售價將大幅增加。本案被告飛虹既同意原告漢磊就單片晶圓上隨機抽檢5 點作WAT 測試，又就應測試參數規範於「0.8um HVCMOS 5V/18V2P2MPsub-Design Rule 」（原證12）約定之WAT 測試之參數種類及數量，則雙方自應就約定之WAT 測試方式所拘束。 ②承上，關於原告漢磊實施之WAT測試，參工研院102年4 月3 日函（被證45號）表示：「二、本案契約約定之標準在業界應屬於嚴格標準」；被告飛虹訴訟代理人於99年6 月29日言詞辯論程序亦表示：「確實不爭執我們同意原告漢磊就WAT 的測試僅就單片晶圓隨機抽檢5 顆晶粒，因為這是業界的慣例」；另，依原告漢磊人員賴甘棠2010年2 月9 日電子郵件所表明：「原告漢磊與所有客戶出貨標準都是以WAT 規格為依據…客戶在使用原告漢磊的製程時在Design rule （設計規則）文件裡即明確載明WAT 規格，這也是雙方的驗收規格。…」、被告飛虹人員羅振華亦同意：「出貨標準按之前WAT 的規格」等語（原證10），被告飛虹既不爭執系爭晶圓已通過雙方約定之WAT 測試，原告漢磊實已依兩造契約本旨為給付，自不構成不完全給付。 ⑸被告飛虹稱系爭晶圓應有10年故障率0.1％之可靠度通常效用云云，乃空言主張： ①查，被告飛虹本案所主張之產品瑕疵，係指原告漢磊2008年8 月27日交付之系爭晶圓未達持續使用10年故障率0.1 ％之IC產品可靠度云云，惟雙方並無任何實際書面或口頭之可靠度約定，乃被告飛虹所不爭。 ②甚且，被告飛虹訴訟代理人於鈞院79號99年10月28日期日亦表示：「事實上應該是我們（按即被告飛虹）將被告（按即原告漢磊）交付其中23片晶圓，切割成將近42000 顆的晶粒，經過我們的CP、FT測試，篩檢剩餘的34259 顆符合良率的晶粒，我們才製成IC，然後才出貨」（即被告飛虹之晶圓產品中，實際通過被告飛虹測試出貨者約81.57 ％；34259 ÷42000 ＝81.57 ％；即18 .43 ％之晶粒遭被告飛虹淘汰）。則姑不論本案雙方爭執之良品晶粒合格率究係指可靠度或良率，根本無待乎使用10年，原告漢磊所交付與被告飛虹之晶圓產品已有約18.43 ％之晶粒遭被告飛虹進行CP針測、FT測試後淘汰，僅餘81.57 ％之晶粒由被告飛虹製成IC產品後銷售與被告飛虹之下游客戶，則雙方豈可能有所謂10年故障率0.1 ％之約定？被告飛虹主張其出貨與訴外人環隆電氣、台灣表面或友達光電公司之34259 顆IC產品應有使用10年後故障率0.1 ％之可靠度，縱令有之，僅屬被告飛虹與該等訴外人間之約定，與原告漢磊無涉。被告飛虹無端指稱原告漢磊之23片晶圓產品應有使用10年故障率0.1 ％可靠度，顯係將被告飛虹對訴外人環隆電氣、台灣表面公司及友達光電之IC產品可靠度義務轉嫁至原告漢磊，殊無契約或法律上之依據。 ③實則，被告飛虹亦同意原告漢磊僅需對晶圓實施WAT 測試，且WAT 測試僅須抽檢系爭晶圓上超過42000 顆晶粒中之120 點（按即24片晶圓中，每片抽檢5 點，其中如3 點合格（按即60％合格率），被告飛虹即允收整片晶圓），足見被告飛虹亦承認該批晶圓上，亦得存在相當數量之瑕疵晶粒，該等瑕疵晶粒可能根本毫無使用壽命或可靠度可言。且被告飛虹只要求60％之合格率，則原告漢磊豈可能對被告飛虹為10年後故障率0.1 ％之保證？其理甚明。甚且，系爭晶圓可能存在不具可靠度或不具使用壽命之瑕疵晶粒而被告飛虹仍同意允收，足證雙方間不存在任何IC產品可靠度或使用壽命之保證，且雙方係有意排除任何有關IC產品可靠度或使用壽命之保證。雙方既無任何可靠度之保證，被告飛虹於本案所稱系爭晶圓有可靠度瑕疵云云，自屬無據。 ⑹再者，本案縱有不良晶粒，亦屬被告飛虹以CP針測或FT測試而得預先汰除。被告飛虹自行實施之CP針測及FT測試未發現系爭IC有Idd 過電流過大情形，被告飛虹亦未就系爭晶圓實施可靠度測試，可徵系爭IC之Idd 過電流過大與原告漢磊無涉，而顯可能是訴外人環隆公司等後續之電路板組裝製程所致；又，被告飛虹亦未就系爭IC實施可靠度測試，即逕行出貨與友達光電公司，被告飛虹自應就其過失所致友達光電公司之損失，自行負責，而與原告漢磊無涉： ①按WAT測試只是一個基本的製程參數檢測，用以監測晶圓製程的品質並提供必要之資訊作為晶圓製程改善用。特別一提的是由於WAT 並不對晶圓產品之功能正常與否做驗證，所以並不能作為取代其後之晶圓針測（即CP）甚或最終產品功能測試等步驟（被證16「類神經網路於預測晶圓測試良率之應用」）。 ②按於半導體業界，可靠度測試（burn in ）係於FT測試階段由被告飛虹自行實施，有下列產業文獻可參：Ａ機械工業雜誌出版之「半導體後段廠之現場生產流程與作業管制條件分析方法探討」（原證20）：「封裝後測試（或稱最終測試）（按此即「FT測試」）」： IC封裝完成後尚須經過成品測試…，成品測試又分可為FT1（Final Test 1）、FT2（Final Test 2）與FT3（Final Test 3）…FT1與FT2之間尚有預燒（Burn In），根據溫控爐中的溫度與時間長短等數據，使IC元件提早進入產品穩定之生命期」。Ｂ經濟部技術處產業技術知識服務計畫所出版之「測試業前景分析」（原證21）：「二、成品測試（final Test）（按此即「FT測試」）」：在封裝製程後所進行的測試，一般稱之為成品測試…，成品測試的主要目的在確保經過封裝製程後的完成品之電性功能，並保證出場IC功能上的完整性；此外在成品測試製程中，尚需依照測試結果及其電性功能進行分類，以作為不同等級產品的評價依據。…，在記憶體產品之成品測試流程中，需在一次測試（FT 1）後，將待測品送上預燒爐（Burn In Oven）進行預燒（Burn In ）製程。預燒的目的在提供待測品一個高溫、高電壓、高電流的測試環境，使不良品在預燒的過程中，提早劣化以確保品質」。Ｃ傅寬裕先生所著之「半導體IC產品可靠度統計、物理與工程」第13、21頁所載（原證16）：「綜觀半導體IC 產品的製造流程，基本上可分為五個主要階段：1. 電路設計（circuit design）；2.晶圓製程（wafer process）；3.晶圓探測（wafer probe）；4.晶粒封裝（chip assembly ）；5.Burn-in 及最後測試：封裝後的成品經過封裝中高溫及高壓的程序，可能「惡化」其原有存在於晶粒或封裝體中的缺陷，也可能造成新添的傷害。因此，對於品質／『可靠度』要求嚴格的客戶，以封裝後的成品直接出貨是不可能被接受的。基本上，為了除去這些可能在晶圓探測時，沒有被發現的新增異常品，封裝後的成品通常至少還要經過burn-in 及最後測試兩道手續。Burn-in：burn-in 的主要目的就是對封裝後的成品作短時間的加速加壓（通常借高溫度高電壓達成），使原具有缺陷，且已經「惡化」，或可能有新添傷害的零件，成為異常品，可經後續的最後測試出，而不致出貨到客戶手上。 Burn-in 所用的條件通常比在客戶應用時的操作條件更苛刻，才能達到加速加壓的目的」。Ｄ綜上開學術論文，足徵IC產品可靠度測試（burn in）係於FT測試階段實施，且可靠度測試（burn in ）乃飛虹確保其IC產品質所必要進行之測試。然被告飛虹訴訟代理人於100 年7 月26日言詞辯論期日自承：「我們的確在系爭產品收貨及出貨給下游廠商之過程中沒有另外作產品可靠度的測試」，迺被告飛虹對友達光電公司負有可靠性保證義務，卻怠未實施可靠度測試，被告飛虹自應就其未實施可靠度測試，對訴外人友達光電公司等自負相關責任。Ｅ按買受人應按物之性質，依通常程序從速檢查其所受領之物，民法第356條第1項前段明定，依前開學術論文所示，被告飛虹於FT測試時應進行可靠度測試，然被告飛虹自承就系爭晶圓並未進行可靠度測試，顯然未依通常程序檢查系爭晶圓，依法應視為被告飛虹承認其受領之系爭晶圓，自不能主張系爭晶圓有瑕疵。Ｆ另查，被告飛虹曾就系爭IC問題進行調查，而於2009 年6月25日出具「EC5575 Idd aging fail分析報告」（原證24）與友達光電公司。依該「EC5575Idd agingfail分析報告」，系爭晶圓之瑕疵狀況為：約1 ％有Idd（即操作電流）電流過大問題（被證24號）。同頁二、A之表格則記載，被告飛虹實施之CP針測時，測試項目實已包含Idd 電流，測試規格為5mA

臺灣新竹地方法院年度重訴字第77、79號

關鍵資訊