最高行政法院(含改制前行政法院) - 99年度判字第1377號（發明專利舉發）

最　高　行　政　法　院　判　決 99年度判字第1377號上訴人　美商．茂力科技股份有限公司代　表　人　麥克辛訴訟代理人　蔡清福　律師洪順玉　律師林靜歆　律師被上訴人　經濟部智慧財產局代　表　人　王美花參加人　凹凸科技國際股份有限公司代　表　人　張立業上列當事人間發明專利舉發事件，上訴人對於中華民國97年11月5日臺北高等行政法院97年度訴字第1652號判決，提起上訴，本院判決如下：主文原判決廢棄，發交智慧財產法院。理由一、上訴人前於民國（下同）92年5月16日以「具有穩定之自啟式供應電源的積體電路驅動裝置」向被上訴人經濟部智慧財產局申請發明專利，並以西元2002年10月11日在美國申請第10／269617號專利案主張優先權，經被上訴人編為第92113397號審查，於93年8月21日准予專利，並於公告期滿後，發給發明第I220573號專利證書（下稱系爭專利）。其申請專利範圍依93年5月28日修正本共12項，第1、8、12項為獨立項，餘為附屬項。依其申請專利範圍第1項所載係界定一種積體電路驅動裝置，包括一高部位電閘電晶體；一低部位電閘電晶體，其係串接於該高部位電閘電晶體，該高部位電閘電晶體的源極係連接於該低部位電閘電晶體的汲極，而該高部位電閘電晶體的源極及該低部位電閘電晶體的汲極係形成一輸出端；一自啟導電部，其係連接於該輸出端；一自啟電容，其第一端係連接於該自啟導電部；一高部位電閘驅動電路，其係控制該高部位電閘電晶體的開啟及關閉，而該高部位電閘驅動電路係連接於該自啟電容的第二端，以從該自啟電容取得一輸入訊號；一低部位電閘驅動電路，其係控制該低部位電閘電晶體的開啟及關閉；及一輸出導電部，其係連接於該輸出端，且該輸出導電部係提供一輸出訊號給一負載電路。第8項係界定一種封裝之積體電路裝置，包括：一積體電路晶片，該晶片包括：一高部位電閘電晶體；一低部位電閘電晶體，其係串接於該高部位電閘電晶體，該高部位電閘電晶體的源極係連接於該低部位電閘電晶體的汲極，而該高部位電閘電晶體的源極及該低部位電閘電晶體的汲極係形成一輸出端；一自啟導電部，其係連接於該輸出端；一高部位電閘驅動電路，其係控制該高部位電閘電晶體的開啟及關閉；一低部位電閘驅動電路，其係控制該低部位電閘電晶體的開啟及關閉；一輸出導電部，其係連接於該輸出端，且該輸出導電部係提供一輸出訊號給一負載電路；一積體電路封套，其係具有複數個封裝接腳，最少包括一自啟封裝接腳及一輸出封裝接腳，該積體電路封套係用來封裝該積體電路晶片；一輸出連接線，其係用來連接該輸出導電部及該輸出封裝接腳；及一自啟連接線，其係用來連接該自啟導電部及該自啟封裝接腳。第12項係界定一種使用一高部位電閘串聯一低部位電閘以驅動一負載電路的方法，該高部位電閘的源極係連接於該低部位電閘的汲極，而該高部位電閘及該低部位電閘的連接部係形成一輸出端，該方法包括：設置一自啟導電部以連接該輸出端；設置一輸出導電部以連接該輸出端；連接一自啟電容與該自啟導電部，該自啟電容係用來提供一自啟供應電源，以供給高部位電閘的一高部位電閘驅動電路；及連接該輸出導電部及該負載電路者。嗣參加人英屬蓋曼群島商凹凸科技國際股份有限公司於93年12月28日以舉發證據2為西元1994年11月15日公告之美國第5365118號「Circuit for driving two power MOSFET in a half-bridge configuration」專利案（下稱引證1）；舉發證據3為西元2002 年8月15日公開之專利合作條約（PCT）國際註冊（WO）第02/063765A2號「Integrated FET and driver」專利案（下稱引證2）認系爭專利違反專利法第22條第1項第1款及第4項、第26條第2、3項之規定，對之提起舉發。案經被上訴人審查，於96年10月3日以（96）智專三（二）04074字第09620547770號專利舉發審定書為「舉發成立，應撤銷專利權」之處分（下稱原處分）。上訴人不服，提起訴願，經經濟部97年4月23日經訴字第09706105690號訴願決定駁回，上訴人仍不服，遂提起行政訴訟。二、上訴人起訴主張：被上訴人除重申系爭專利請求項第11項具有引證1、2所未揭露之技術特徵外，並認為系爭專利案之技術特徵「於實際線路佈局及封裝上增設另一自啟導電部、自啟封裝接腳」並未於引證1或2有相關之揭露或隱含。而被上訴人之所以要求上訴人僅能保留請求項第11項之理由，應即係認為系爭專利請求項第11項即為「於實際線路佈局及封裝上增設另一自啟導電部、自啟封裝接腳」之技術特徵。惟經實際比對系爭專利請求項後可知，系爭專利請求項第11項所包含者係「自啟電容」與「高部位電閘驅動電路」之設置與連接以及「自啟電容」與「自啟封裝接腳」的設置與連接等兩部分。而誠如前述，該「自啟電容」與「高部位電閘驅動電路」之設置與連接實已記載於請求項第1項或第12項，故此兩請求項應已明白具有未被引證1或2所揭露或隱含之技術特徵。縱被上訴人認為系爭專利據以和舉發證據作出區別的特徵係在於「自啟導電部及自啟封裝接腳」之設置。惟根據系爭專利核准公告時之專利申請範圍觀之，「自啟導電部」與「自啟封裝接腳」的設置與連接雖未全部記載於獨立請求項第1項內，但早已限定於系爭專利原請求項第5項與第7項中。據此，被上訴人一方面肯定請求項第11項所包含的技術特徵，另一方面卻又否定具有的相同技術特徵之請求項第5 或7項所具有的可專利性，顯然已構成「認定事實與其所憑之證據資料不相適合」之矛盾情況。訴願或訴訟權乃我憲法第16條所明文保障，訴願或訴訟之提出，不應予人民某種威嚇，而致人民不敢為之。詳言之，如法律制度之設計，乃為威嚇人民但尋訴願或訴訟救濟，則其必屬違憲之條文或制度。目前我國專利制度中之專利部分核准實務即屬此種違憲制度，蓋申請人但敢不依命合併附屬項而竟尋求訴願或訴訟救濟，則將冒失去全部專利權之危險，致不敢提出訴願或訴訟。國際審查一致化早已被世界各先進國家認屬當然之舉，而莫不積極實踐。法院如本諸前述訴求，撤銷原處分及訴願決定，而發回被上訴人重行審理，當可實現憲法對於人民訴願及訴訟權利之保護，以補救目前專利法制度之缺失等語，求為判決撤銷訴願決定及原處分。三、被上訴人則以：系爭專利之主要技術特徵為增設導電部303 ，積體電路驅動裝置301亦增設了一第二封裝接腳305，該導電部303及第二封裝接腳305連接於該自啟電容103，因此透過該第一封裝接腳117流到負載電路105之電流所引起的壓降就不會影響該自啟電容103，大部分高部位電閘107及低部位電閘109所提供的電流都會透過該第一封裝接腳117流到負載電路105，只有極小部分會流過第二封裝接腳305，因此由該導電部303及第二封裝接腳305間之連接線的電阻321及電感 322所造成的壓降就沒有或小至可被忽略，因此，由自啟電容103所提供之自啟電壓就可維持固定，而不會有太多的雜訊；此部分之技術特徵，即相對應於系爭專利附屬請求項11（依附獨立請求項8）所述「該自啟封裝接腳係連接於一自啟電容的第一端，而該自啟電容的第二端係連接於該高部位電閘驅動電路的一輸入端」之積體電路裝置內容，系爭專利欲改良因習知（參照系爭專利圖式第2圖）導電部115與第一封裝接腳117間之連接線所造成的壓降會直接並立即的使自啟式供應電源電壓下降的問題，而於實際線路佈局及封裝上增設另一自啟導電部、自啟封裝接腳，此種改良設計，並未於引證1或3有相關之揭露及隱含，引證1或3均不足證明系爭專利請求項11為其所屬技術領域中具有通常知識者依申請前之先前技術所能輕易完成。而系爭專利其餘之請求項，與舉發證據比對後不具進步性，相關意見已於原審定書詳述。是以，被上訴人已函請上訴人刪除系爭專利不具專利要件之請求項，惟上訴人並未刪除，本件舉發案爰審定為舉發成立，應撤銷專利權，並無違誤，亦未違反行政程序法之規定等語，資為抗辯，求為判決駁回上訴人之訴。四、原審駁回上訴人在第一審之訴，係以：查引證1專利說明書第2欄第58行至第3欄第24行及其圖1係揭露一驅動電路，包括一高部位電晶體MOSFET21；一低部位電晶體，其係串接於該高部位電晶體MOSFET21，該高部位電晶體MOSFET21的源極係連接於該低部位電晶體MOSFET22的汲極，而該高部位電晶體MOSFET21的源極及該低部位電晶體MOSFET22的汲極係形成一輸出端；一導電部，其係連接於該輸出端；一自啟電容，其第一端係連接於該導電部；一高部位電閘驅動電路，其係控制該高部位電晶體MOSFET21的開啟及關閉，而該高部位電閘驅動器係連接於該自啟電容的第二端，以從該自啟電容取得一輸入訊號；一低部位電閘驅動器，其係控制該低部位電晶體MOSFET22的開啟及關閉；及一輸出導電部，其係連接於該輸出端，且該輸出導電部係提供一輸出訊號給一負載電路。關於引證2部分：引證2專利說明書第8頁第30行至第9頁第26行及其圖6內容觀之，係揭露一驅動電路結構，包括一高部位場效電晶體；一低部位場效電晶體，其係串接於該高部位場效電晶體，該高部位場效電晶體的源極係連接於該低部位場效電晶體的汲極，而該高部位場效電晶體的源極及該低部位場效電晶體的汲極係形成一輸出端；一導電部，其係連接於該輸出端；一自啟電容，其第一端係連接於該導電部；一場效電晶體驅動電路，其係控制該高部位場效電晶體的開啟及關閉，而該場效電晶體驅動電路係連接於該自啟電容的第二端，以從該自啟電容取得一輸入訊號；一場效電晶體驅動電路，其係控制該低部位場效電晶體的開啟及關閉；及一交換節點，其係連接於該輸出端，且該交換節點係提供一輸出訊號給一輸出終端者。比較系爭專利申請專利範圍第1項、第8項及第12項與引證1圖式第1圖、引證2圖式第6圖及其說明書所揭露之技術內容，系爭專利申請專利範圍第1項配合圖式第3圖係界定一種積體電路驅動裝置，所述高部位電閘電晶體、低部位電閘電晶體、自啟電容、高部位電閘驅動電路、低部位電閘驅動電路、負載電路及其電路連接作動關係，已揭露於引證1所揭示之高部位電晶體、低部位電晶體、自啟電容、高部位電閘驅動電路、低部位電閘驅動器、負載電路之電路連接圖中，亦揭露於引證2所揭示之高部位場效電晶體、低部位場效電晶體、自啟電容、場效電晶體驅動電路、負載輸出終端之電路連接圖中，雖系爭專利多界定自啟導電部、輸出導電部、連接於電晶體的源極及電晶體的汲極所形成之輸出端等構成而自啟電容其第一端係連接於該自啟導電部之裝置，然該等裝置僅為連接電路之輸出端點，並已揭露於引證1所揭示之自啟電容一端連接於輸出導電部中，且已揭露於引證2所揭示自啟電容一端電性連接於交換節點中，亦已揭露於系爭專利說明書所揭示之輸出端點導電部先前習知技術中，引證1、3可證明系爭專利申請專利範圍第1項為其所屬技術領域中具有通常知識者依申請前之先前技術所能輕易完成者。故系爭專利申請專利範圍第1項不具進步性。再系爭專利申請專利範圍第8項所界定係一種封裝之積體電路裝置，其所述高部位電閘電晶體、低部位電閘電晶體、高部位電閘驅動電路、低部位電閘驅動電路、負載電路及其電路連接關係，已揭露於引證1所揭示之高部位電晶體、低部位電晶體、高部位電閘驅動電路、低部位電閘驅動器、負載電路之電路連接圖中，亦揭露於引證2所揭示之高部位場效電晶體、低部位場效電晶體、場效電晶體驅動電路、負載輸出終端之電路連接圖中，雖系爭專利多界定自啟導電部、輸出導電部，連接於電晶體的源極及電晶體的汲極所形成之輸出端等構成裝置，然該等裝置僅係連接電路之輸出端點（電性上為等電位點），為運用輸出端點導電部之習知技術而已；系爭專利之積體電路封套等所揭示之自啟封裝接腳、輸出封裝接腳及輸出連接、自啟連接線等連接導電部及封裝接腳技術內容，亦已揭露於系爭專利說明書所揭示先前習知技術中。引證1、3可證明系爭專利申請專利範圍第8項為其所屬技術領域中具有通常知識者依申請前之先前技術所能輕易完成者。故系爭專利申請專利範圍第8項不具進步性。又系爭專利申請專利範圍第2項至第7項及第9、10項附屬項僅分別為就第1項及第8項獨立項進一步所界定之細部裝置再加以限定，包含：高部位電閘電晶體及該低部位電閘電晶體係為n型場效電晶體、自啟導電部與該輸出導電部係為同一元件、一輸出封裝接腳，該輸出封裝接腳係藉由一輸出連接線連接該輸出導電部、一自啟封裝接腳，其係藉由一自啟連接線連接該自啟導電部等技術內容，均係所屬技術領域中具有通常知識者得依申請前引證1、3之先前技術所能輕易完成者，亦不具進步性。再者，系爭專利申請專利範圍第12項所界定之高部位電閘、低部位電閘、自啟電容、高部位電閘驅動電路、負載電路所組成電路連接關係，已揭露於引證1圖式第1圖所揭示之高部位電晶體、低部位電晶體、自啟電容、高部位電閘驅動電路、負載電路之電路連接圖中，亦揭露於引證2所揭示之高部位場效電晶體、低部位場效電晶體、自啟電容、場效電晶體驅動電路、負載輸出終端之電路連接圖中，雖系爭專利多界定自啟導電部、輸出導電部，連接於高部位電閘及低部位電閘所形成之輸出端、自啟電容連接於自啟導電部等裝置，然該等裝置僅係連接電路之輸出端點（電性上為等電位點），並已揭露於引證1所揭示自啟電容一端連接於輸出導電部及引證2圖所揭示自啟電容一端電性連接於交換節點，亦已揭露於系爭專利說明書所揭示之前述先前習知技術中，是以，引證1或3可證明系爭專利申請專利範圍第12項為其所屬技術領域中具有通常知識者依申請前之先前技術所能輕易完成者。故系爭專利申請專利範圍第12項亦不具進步性。依上所述，引證1及引證2僅能證明系爭專利第1項至第10項及第12項不具進步性，而不能證明系爭專利第 11項不具進步性。為此，被上訴人於審查中曾以96年3月21 日（96）智專三（二）04074字第09620163760號函略謂系爭專利主要技術特徵已揭露引證1、2之先前技術，應將系爭專利申請專利範圍第11項保留，其餘各項刪除，並依專利法第71條第1項第3款等規定通知上訴人提出系爭專利申請專利範圍更正本等語。惟上訴人並未刪除系爭專利其餘各項申請專利範圍，依專利審查基準第2篇發明專利實體審查第6章第2-6-63頁規定可知，專利權人在取得專利權後，雖任何時間可主動申請更正，然若有專利舉發案之進行，則僅能於舉發答辯同時申請更正或被上訴人通知專利權人限期更正，當被上訴人作成審定後，於行政救濟中即不得受理申請更正。是上訴人稱其於行政救濟階段仍得更正云云，要不可採。系爭專利第1項至第10項及第12項既不具進步性，雖第11項部分具進步性，然基於專利之完整性，上訴人既未於審定前提出更正，將不具進步性之申請專利範圍請求項刪除，則被上訴人為求一專利案之完整性，而為本案全部舉發成立之處分，洵無不合。綜上，上訴人所述為不可採。從而，被上訴人以系爭專利違反專利法第22條第4項之規定所為「舉發成立，應撤銷專利權」之處分，並無不法，訴願決定予以維持，亦無不合因將原決定及原處分均予維持，駁回上訴人之訴等詞，為其判斷之基礎。五、本院按：㈠凡利用自然法則之技術思想之創作，而可供產業上利用者，固得依專利法第21條暨第22條第1項前段之規定申請取得發明專利。惟如發明「為其所屬技術領域中具有通常知識者依申請前之先前技術所能輕易完成時」，仍不得依法申請取得發明專利，復為同法第22條第4項所明定。㈡經查，原判決以參加人所提引證1及引證2得以證明系爭專利第1項至第10項及第12項不具進步性，但不能證明系爭專利第11 項不具進步性，雖第11項部分具進步性，然基於專利之完整性，上訴人既未於審定前提出更正，將不具進步性之申請專利範圍請求項刪除，則被上訴人為求一專利案之完整性，而為本案全部舉發成立之處分，洵無不合等情，固非無見，惟查： 1、被上訴人認系爭案第11項具進步性係以：「系爭專利之主要技術特徵（參照說明書第8頁第3段至第9頁第1段）為增設導電部303，積體電路驅動裝置301亦增設了第二封裝接腳305，該導電部303及第二封裝接腳305連接於自啟電容103，且透過該第一封裝接腳117流到負載電路105之電流所引起的電壓就不會影響該自啟電容，大部分高部位電閘107及低部位電閘109所提供的電流都會透過該第一封裝接腳117流到負載電路105，只有極小部分會流過第二封裝接腳305，故由該導電部303 及第二封裝接腳305之連接線的電阻321及電感322所造成的電壓下降，就沒有或小至可忽略。因此，由自啟電容103所提供之自啟電壓就可以維持固定，而不會有太多的雜訊；此部分之技術特徵即相對應於系爭專利請求項11（依附獨立請求項第8項）所述『該自啟封裝接腳係連接於一自啟電容的第一端，而該自啟電容第二端係連接於該高部位電閘驅動電路的一輸入端』之積體電路裝置內容，系爭專利欲改良習知（參照系爭專利圖式第3圖）導電部115與第一封裝接腳117間之連接線所造成的壓降會直接並立即的使自啟式供應電源電壓下降的問題，而於實際線路佈局及封裝上增設另一自啟導電部、自啟封裝接腳，此種改良設計，並未於證據2或3有相關之揭露或隱含，證據2或3均不足以證明系爭專利請求項第11項為其所屬技術領域中具有通常知識者依申請前之先前技術所能輕易完成。」（原處分第7頁倒數第4點記載內容），則依上開內容，顯係認系爭案申請專利範圍第11項之技術特徵「於實際線路佈局及封裝上增設另一自啟導電部、自啟封裝接腳」並未於舉發證據2或3有相關之揭露或隱含，亦即，被上訴人要求上訴人僅能保留請求項第11項之理由，在於系爭專利請求項第11項具有「於實際線路佈局及封裝上增設另一自啟導電部、自啟封裝接腳」之技術特徵，此有被上訴人96年3月21日（96）智專三（二）04074字第09620163760通知更正函可稽。惟查，上訴人於原審提出附表1（原審卷第17、18頁）主張：系爭專利請求項第11項所包含者係「自啟電容」與「高部位電閘驅動電路」之設置與連接以及「自啟電容」與「自啟封裝接腳」的設置與連接等兩部分，由附表1加以比對，該「自啟電容」與「高部位電閘驅動電路」之設置與連接，實已記載於請求項第1項或第12項，故此兩請求項應已明白具有未被引證1、2所揭露或隱含之技術特徵等語，其主張是否可採，自與本件引證1、2是否足以證明獨立項不具進步性有重要關係，原判決未加以論述，容有可議。 2、再者，引證1、2僅有單一導電部部分，此依審定書第4頁（四所載，引證1有(c)一導電部，連接於輸出端，一端連結自啟電容25；以及引證2有(c)一導電部連接於輸出端可知，亦為兩造所不爭。而依系爭案第3圖所示，系爭案確具有輸出導電部115及自啟導電部303，玆因引證1、2僅單一導電部，若被上訴人將引證1、2單一導電部解為系爭案之自啟導電部303或輸出導電部115，則引證1、2顯然缺少如系爭案之另一輸出導電部115或自啟導電部303二者之一，則系爭案之另一輸出導電部115或自啟導電部303技術特徵，是否所屬技術領域中具有通常知識者，由引證1、2等之先前技術所能輕易思及，殊待研求。 3、另若依審定書第5頁（五）2被上訴人進步性比對，將自啟導電部303比對引證1之輸出導電部26及引證2之交換節點10，則系爭案之輸出導電部115並無相對應之元件可比對，被上訴人之審定書就進步性比對是否有違，原判決並未論及，亦嫌疏漏。㈢從而，原判決有上開重要事項未予詳究，即遽爾駁回上訴人在原審之訴，其法令之適用，容有未洽，上訴意旨指摘原判決違背法令，為有理由。原判決既有上揭可議之處，為查明事實，自應由本院將原判決廢棄發交智慧財產法院，另為適法之裁判。六、據上論結，本件上訴為有理由，依行政訴訟法第256條第1項、第260條第1項，智慧財產案件審理法施行細則第5條第1項，判決如主文。中　　華　　民　　國　　99　　年　　12　　月　　30　　日最高行政法院第二庭審判長法官　高　啟　燦法官　林金本法官　黃　合　文法官　劉　介　中法官　陳　鴻　斌以上正本證明與原本無異中　　華　　民　　國　　99　　年　　12　　月　　30　　日書記官　張　雅　琴

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