臺北高等行政法院判決

原告

甲○○

被告

教育部

代表人

乙○○部長）住同

訴訟代理人

丙○○

上列當事人間因教師升等事件，原告不服行政院中華民國97年12月11日院臺訴字第0970086942號訴願決定，提起行政訴訟。本院判決如下：

主文

事實及理由

一、事實概要：原告係北台灣科學技術學院（下稱北台灣科技學院）專任助理教授，以專門著作送審副教授資格，經該校教師評審委員會評審通過，該校於民國（下同）96年4 月19日以北人字第0960000392號函檢送相關資料，報送被告複審。被告將原告送審著作送請3 位學者專家審查後，分別評給66、58、60分（65分為及格底線分數），因2 位審查人未給予及格，乃以96 年10 月26日台學審字第0960164518號函（下稱原處分）請北台灣科技學院轉知原告未獲通過副教授資格。原告不服，向被告中央教師申訴評議委員會（下稱申評會）提出申訴，經評議決定駁回申訴，原告猶仍不服，提起訴願，亦遭決定駁回，遂提起本件行政訴訟。

二、本件原告主張略以：

㈠原告對於審查意見有疑義及不服的對象為外審委員，原告所提的質疑應由申評會或訴願會敦請原告送審著作有關領域之學術專業專家仲裁才為適法，不應由申評會或訴願會逕自代為施行專業上之回應。

㈡依司法院釋字第462 號解釋，仍得審究審查意見之判斷、評量是否以錯誤之事實為基礎，是否有違反一般事理之考量等違法或顯然不當之情事。而本件被告所送審查委員審查意見有如下之錯誤：

⒈乙審查委員部分：

⑴乙審查者審查意見摘要為：「代表著作其SCI 表現不錯，代表作在閘極介電層(gate dielectric) 有實作上的貢獻，唯其實作偏向，使得整體論文缺乏學術深度，實驗結果探討不夠深入，使得全篇論文份量無法彰顯1 個代表作應有的質量，其餘參考著作份量更弱，原告於任教7 年多時間所發表會議論文以及其它著作（含專利）之總量相對稀少，對1 位從事製程研究之學者而言，研究產量較為不足。」

⑵以上意見只是形式上的審查，並未深入了解原告的著作，乙審查人強調論文的數量以及7 年的時間，然依教育部審議委員會（下稱學審會）規定，送審者是5年內的所有著作，5 年以外一概不承認，原告因此有1 篇會議論文以及專利超過期限而未列表，乙審查者所謂7 年違反審查標準。

⑶學審會只要求副教授的資格是1 篇代表著作和1 篇參考著作即可有資格升等，乙審查者有什麼依據來評論原告送審（1 篇代表著作和4 篇參考著作、1 個專利）的數量不足。

⑷就論文的學術深度實驗結果探討不夠深入的論述，乙審查者沒有指出哪些部份學術深度不夠，哪些實驗結果探討不夠深入，並沒有針對著作內容論述優缺點，只是含糊說這2 點缺點，不能稱得上是學術專業之審查。

⑸被告於技職體系任教，當然首重是實作以及研究項目的產業利用性，這是技職司的核心價值，但是，具有實作以及產業利用性表示其學術深度不夠的論點，令人無法接受。二氧化矽(SiO2)閘極介電層的研究發展至今已有3 、40年的歷史，期間至少有數千篇以上的論文在討論如何得到好的二氧化矽閘極介電層，原告因為在既有的材料中鑽研甚深，才開創新局想出1 個實用的製程（完全不用特殊氣體以及高昂價格的設備），這樣的貢獻不是學術深不深入這句話可以論斷的，原告多年來執著於閘極氧化層的研究，專注且深入，更在參考著作中有提出1 個一氧化二氮在快速升降溫爐中的反應機制，解釋其成長不均勻的原因，在1個研究了多年的材料上，原告能提出1 個模型來解釋，這研究已很深入。

⑹綜上，乙審查人對原告的評論，一則違反學審會的規定，二者其評語籠統含糊－只是做形式上的審查（只看論文數量以及期刊出處），這樣的審查一點都稱不上是專業的審查。

⒉丙審查委員部分：

⑴丙審查者審查意見論到：申請人代表作「Robust ultrathin Oxynitride with High Diffusion Barriernear its Surface Formed by NH3 Nitridation ofChemical Oxide and Reoxidation with O2　」，首先在矽基板上形成化學氧化層Chemical Oxide，當化學氧化層完成後，送入另一製程完成氮化矽層，再送入高溫爐管中以純氧來進行氧化，以電流與電壓，電壓與電容分析該層之特性，雖有分析探討但不夠深入，更重要的代表作，相關論文只有1 篇，眾多作者參與，獨立性尚需加強，創新性不足，成長薄膜時間較長，未來應用到產業進入量產價值不高。

⑵丙審查者前面抄著代表著作的著作名稱，但後面所寫原告的oxynitride的製作程序顯然錯誤，錯誤在於不是送入另一製程製作氮化矽層，而是送入一熱氮化爐管進行氮化以形成氮氧化矽。此外，審查意見於原告代表著作名稱之後所載，係引用參考著作之內容（即審查履歷表參考著作3 ─矽氧氮非揮發性記憶體儲存單元製程），足見其係以參考著作內容來評斷送審代表著作。再丙審查者說生長薄膜時間較長，其後於申訴期間進一步說明：「研發成果書面中一般方式製程只要2-5 分鐘，而林師提出之成長製程時間約30分鐘，需要時間為6 倍之多」；訴願期間更改說明代表作為235 秒，而傳統則為87.5秒，單一製程不計算升溫及降溫時間就比傳統要長，益徵丙審查員在評分當時並非針對代表著作評分，可合理推論丙審查人以參考著作評分，違反升等規定。況且，整個製程時間需要3 個多小時，原告只增加1 、2 分鐘，而增加這1 、2 分鐘對製作極薄介電層是有好處的─製程的視窗（process window）比較寬，也就是製程的可控性比較好，3 個小時內只差2 分鐘，何來的不能量產之說。

⑶另被告於97年6 月20日回函引述丙審查人指出……當化學氧化層完成後，送入另一製程完成氮氧化層代表作英文之關鍵字Oxynitride就知道是氮氧化膜，故知說的是氮氧化膜，而非氮化矽之膜，基本事實本來就正確，此係筆誤。針對實用價值不高乙節，丙審查人亦指出著作之Fig3所示，傳統與本製程方法相比，以厚度3.0nm 為例，訴願人著作所示為235 秒，而傳統則為87.5秒，單一製程不計算升溫及降溫時間就比傳統要長；另著作中Fig8及Fig9之無磁滯現象比較並不客觀，蓋傳統厚度為3.0nm ，而原告係以1.8nm ，故未於同一厚度的基準下比較……。此更彰顯丙審查人的不專業與未盡責，企圖矇騙交代混淆視聽。蓋丙審查人的錯誤在於把氮化矽的製程套上原告的氮氧化矽的製程，故對原告的製程給予諸多錯誤的批評，丙審查人卻說成原告把其錯誤認為是氮化矽膜與氮氧化矽膜的名詞錯誤，之後再把這種不專業的錯誤轉成是單純的筆誤，實屬矇騙。況且Fig 9 不是磁滯曲線，而是單純的C-V 曲線，用來看原告的製程抗硼穿透的能力，所以裡面有傳統製程成長（3.0nm ）以及原告所提出製程成長的(1.8nm) ，如果被硼穿透越多, 則C-V 曲線偏移的越嚴重，丙審查員胡亂批評。再者，Fig 8 與Fig 9 根本就不互相比較，Fig 9 的功能在前已詳述，而Fig 8 是用來看原告所提出的製程有無磁滯，其所展現的是無磁滯，代表原告提出的製程所製做出的閘極介電層沒有陷位(trap)的存在，代表是高品質的氮氧化介電層(oxynitride) 。

㈢綜上所述，乙審查人及丙審查人之審查意見有錯誤、疏漏及不符事實之處，且其2 人不具半導體製程方面的專業知識，其審查結果顯然不當，為此聲明求為判決：

⒈訴願決定、申訴評議決定、原處分均撤銷。

⒉被告對於原告96年4 月19日的申請，應作成副教授審定合格的行政處分。

三、被告則辯以：

㈠依專科以上學校教師資格審定辦法（下稱審定辦法）第25條規定，被告複審作業，以專門著作送審者，依所屬學術領域歸類後，由被告聘請各該領域之顧問推薦學者專家審查。被告依原告教師資格審查履歷表所載其送審代表著作所屬學術領域為工─半導體材料與元件，爰請工科簽審顧問就其學術領域考量推薦3 位審查人評審。本案簽審顧問所推薦的3 位審查人均為國立大學資深教授，且符合半導體材料與元件之學術領域，本案審查人之遴選於程序及專長上並無不當。

㈡按審定辦法第27條規定，以專門著作或技術報告送審者，由被告1 次送3 位學者專家審查；第28條規定：「本部辦理複審時，其專門著作、作品、成就證明或技術報告審查分數以70分為及格，未達70分者為不及格。任教學校採計教學、服務與輔導成績者，前項審查及格分數以70分及學校所報教學、服務與輔導成績及比率，換算送審人及格底線分數。但經換算後及格底線分數低於65分者，以65分為及格底線分數。前項及格底線分數之換算方式，以評分總分100 分為滿分計算，學校教學、服務與輔導成績占總成績之比率於百分之20至百分之30範圍內，於學校章則定之。」；第29條規定略以，被告辦理複審時，以專門著作或技術報告送審者，其審查結果2 位審查人給予及格者為通過。被告辦理有關專科以上學校教師升等之資格審查，悉依上揭規定程序辦理，並尊重學術專業之審查決定。

㈢本件被告送審之乙審查人與丙審查人2 位未予通過之評審意見，均分別針對原告之代表作提出專業見解，其中乙審查人之審查意見略以：「代表作內容整體而言，有其實作上的貢獻，唯其實作的偏向，使得整體論文缺乏學術深度，實驗結果之探討亦不夠深入，兩項因素加乘的結果，使得全篇論文的份量無法張顯一個代表作應有的質量。扣除原告自行放棄「氮氧化矽絕緣層其光致發光與拉曼光譜之研究」該項參考著作後，其所發表會議論文以及其他著作（含專利） 的總量相對稀少，對1 位從事製程研究的學者而言，這樣的研究產出量是較為不足。」另丙審查人亦於評審意見中說明「原告代表作雖有分析探討但不夠深入，更重要的代表作，相關論文只有1 篇，眾多作者參與，獨立性尚需加強，創新性不足。發表論文的質與量，稍嫌不足且缺乏連續性，對產業價值貢獻不高」。

㈣綜觀本案審查人均十分用心，具體條列陳述其見解，同時皆涉及對原告著作本身之專業學術判斷，自應予以尊重；且無論就形式或實體上之審查意見，兩位未予通過之審查人之意見除多屬負面外，且於缺點欄多勾選：無特殊創見、學術或實用價值不高、無獨立研究能力、5 年內研究成績差、析論欠深入等缺點。又教師資格審查制度旨在維持學術研究與教學品質，評審作業係由審查人獨立進行，審查人之見解雖有仁智之見，惟審查人均係依其學術專業，就原告所提著作是否達到副教授水準作一綜合評斷，其對學術審查之獨立與專業性，不因原告認知標準之不同，而否定審查委員之評審結果。

㈤被告辦理大專院校教師之資格審查，皆遵循明定之法令規章及作業程序辦理，對於教師資格之學術專業審查意見予以充分尊重並作為審定結果之依據，以維持為學術研究與教學品質所定之教師資格審查制度。依大法官釋字第462號解釋文之意旨：對於研究成果之評審，原則上應尊重外審之專業認定，除能提出具有專業學術依據之具體理由，動搖專業審查之可信度與正確性，否則即應尊重其判斷。本件原告之主張均不足採，為此聲明求為判決：駁回原告之訴。

四、本院得心證之理由：

㈠按教師法第9 條第1 項規定：「專科以上學校教師資格之審定分初審及複審二階段，分別由學校及教育部行之。教師經初審合格，由學校報請教育部複審，複審合格者發給教師證書。」、第10條規定：「專科以上學校教師資格審定辦法由教育部訂之。」；教育人員任用條例第14條規定：「（第1 項）大學、獨立學院及專科學校教師分為教授、副教授、助理教授、講師。……（第4 項）大學、獨立學院及專科學校教師之聘任、升等均應辦理資格審查；其審查辦法由教育部定之。」、第17條第2 款規定：「副教授應具有下列資格之一：……㈡曾任助理教授3 年以上，成績優良，並有專門著作者。」被告依前揭法律授權訂有「專科以上學校教師資格審定辦法」（下稱教師資格審定辦法），其第23條規定：「教師資格審定，由學校辦理初審及本部辦理複審。」、第25條第2 款規定：「本部複審作業，規定如下：……以專門著作送審者，依所屬學術領域歸類後，由本部聘請各該領域之顧問推薦學者專家審查。」、第26條規定：「本部辦理複審時，專門著作（含學位論文）、作品、成就證明及技術報告之評審項目、基準，由本部公告之。」、第27條前段規定：「以專門著作或技術報告送審者，本部1 次送3 位學者專家審查……。」、第28條規定：「（第1 項）本部辦理複審時，其專門著作、作品、成就證明或技術報告審查分數以70分為及格，未達70分者為不及格。（第2 項）任教學校採計教學、服務與輔導成績者，前項審查及格分數以70分及學校所報教學、服務與輔導成績及比率，換算送審人及格底線分數。但經換算及格底線分數低於65分者，以65分為及格底線分數。」、第29條前段規定：「本部辦理複審時，以專門著作或技術報告送審者，其審查結果，2 位審查人給予及格者為通過……。」又被告依上開教師資格審定辦法第26條規定，就專門著作審查頒有「專科以上學校教師著作審查意見表」（下稱審查意見表），業以95年12月28日台學審字第0950193523號公告之，其中關於理工醫農等類科之副教授升等，代表著作評分項目及標準分別為「研究主題10% 」、「研究方法及能力20% 」、「學術及實務貢獻30% 」，另「5 年內且前1 等級至本次申請等級時個人學術與專業之整體成就」則為40% 。

㈡查原告係北台灣科技學院專任助理教授，以其曾任助理教授3 年以上，以專門著作送審副教授資格，經該校教師評審委員會評審通過後，於96年4 月19日以北人字第0960000392號函檢送相關資料，報送被告複審。被告將原告送審著作送請代號為甲、乙、丙之3 位學者專家審查，分別評給66分、58分及60分，因原告任教之北台灣科技學院採計教學服務成績，換算後其研究成績及格底線分數為65分，審查結果為1 位給予及格，2 位給予不及格，被告乃審定不予通過，並以96年10月26日台學審字第0960164518號函請北台灣科技學院轉知原告未獲通過副教授資格等情，有北台灣科技學院前開函、95學年度第2 學期第2 次校教師評審委員會會議紀錄、教師教學服務成績考核評分基準表、原告教師資格審查履歷表、審查意見表附於原處分卷可稽，並為兩造所不爭執，堪認為真實。故被告以原告送審專門著作申請升等副教授資格，依複審程序送請所聘該領域簽審委員推薦之3 位學者專家審查結果，1 位給予及格，2 位給予不及格，審定不予通過，而以原處分通知原告未通過副教授資格審查，揆諸前揭規定，於法並無不合。

㈢雖原告主張乙審查人及丙審查人之審查意見有其如前揭所指之錯誤、疏漏及不符事實之處，且其2 人不具半導體製程方面專業知識，審查結果顯然不當云云。惟查：

⒈原告係以專門著作申請升等副教授資格，並於教師資格審查履歷表自行填載送審著作所屬學術領域為「工─半導體材料與元件」（學術專長代碼0000000 ），審查類科為「理工醫農」。而被告送請審查之審查人甲、乙、丙3 人，乃係被告所聘工科簽審顧問依據原告於教師資格審查履歷表填載之學術專長、送審著作所屬學術領域、原告學經歷與任教科目等綜合評估推薦，且3 位審查人均為國立大學電機工程系所教授，其中甲審查人之學術專長及研究領域為微電腦、半導體元件物理與模擬分析、矽鍺分子束磊晶成長、量子元件設計與研製；乙審查人之學術專長及研究領域為超大型積體電路之電腦輔助設計、超大型積體電路設計、測試及容錯系統；丙審查人之學術專長及研究領域為半導體元件、類比積體電路設計、射頻積體電路設計、半導體元件、矽感測器和生物感測器及其讀出電路之設計，有升等申請審查委員推薦名單、審查委員背景資料一覽表、審查委員任職之學校系所資料在卷可參（見被告所提附件7 ），足見3位審查人之學術專長領域與原告送審所屬學術領域相符，3 位審查人之遴選於程序及專長上亦無不當。原告主張乙、丙2 位審查人不具半導體製程方面專業知識，應另請其他學者重新評審云云，要非可採。

⒉又依卷附審查意見表所載，乙審查人之審查意見為「代表作出自……，其SCI 的表現不錯。代表作的內容為……整體而言，有其實作上的貢獻，唯其實作的偏向，使得整體論文缺乏學術深度，實驗結果之探討亦不夠深入，兩項因素加乘的結果，使得全篇論文的份量無法張顯1 個代表作應有的質量……。扣除原告自行放棄『氮氧化矽絕緣層其光致發光與拉曼光譜之研究』1 文，申請人在7 年多的時間中所發表會議論文以及其他著作（含專利）的總量相對稀少，對1 位從事製程研究的學者而言，這樣的研究產出量是較為不足。」，並以原告送審之著作具有無特殊創見、學術性不高、5 年內研究成績差之缺點，就「研究主題」、「研究方法及能力」、「學術及實務貢獻　」及「5 年內且前1 等級至本次申請等級時個人學術與專業之整體成就」分別給予6分、12分、2O分、2O分，總分共58分。丙審查人之審查意見為「申請人Robust ultrathin Oxynitride withHigh Diffusion Barriernear its Surface Formed by……，首先在矽基板上形成化學氧化層Chemical Oxide，當化學氧化層完成後，送入另一製程完成氮化矽層（嗣補提意見更正為氮氧化膜），再送入高溫爐管中以純氧來進行氧化，以電流與電壓，電壓與電容分析該層之特性，雖有分析探討但不夠深入，更重要的代表作，相關論文只有1 篇，眾多作者參與，獨立性尚需加強，創新性不足，成長薄膜時間較長，未來應用到產業進入量產價值不高。近5 年之參考著作及代表著作，發表的雜誌也較為普通的雜誌，均集中在（西元）2005及2006年…綜上所述，申請人發表論文的質與量，稍嫌不足且缺乏連續性，對產業價值貢獻不高，尚需積極努力，才能符合升等副教授資格。」，並以原告送審之著作具有實用價值不高、無獨立研究能力、5 年內研究成績差、析論欠深入之缺點，就「研究主題」、「研究方法及能力」、「學術及實務貢獻　」及「5 年內且前1 等級至本次申請等級時個人學術與專業之整體成就」分別給予6分、12分、18分、24分，總分共60分。經核乙、丙審查人上述意見均為專業之評審意見，且係就原告送審著作之研究主題、研究方法及能力、學術及實務貢獻、5 年內且前1 等級至本次申請等級時個人學術與專業之整體成就，為全面性之綜合判斷，其評分與評語復具有一致性，並未違反前揭教師資格審定辦法之規定，其判斷、評量亦無違法之處，況此部分涉及對送審著作本身之專業學術判斷，依司法院釋字第462 號解釋意旨，自應予以尊重，尚不因原告認知標準之不同，而否定該等評審結果。

⒊再丙審查人係因原告向申評會提出申訴時就「生長薄膜時間較長，未來應用到產業進入量產價值不高」乙節予以反駁，應被告要求協助提供意見，乃引用參考著作即原告專利發明：矽氧氮非揮發性記憶體儲存單元製程之書面報告，並針對該報告之主題內容、學理基礎、成果貢獻等資料提出專業評論（詳如附件9 ）；其後又因原告提起訴願時就丙審查人於審查意見表所載之評論提出質疑與反駁，被告乃再委請丙審查人提供專業意見，丙審查人因而再補具如附件11之意見，並表示「代表作英文之關鍵字Oxynitride就知道是氮氧化膜，故知道審查人說的是氮氧化膜，而非氮化矽之膜，基礎事實本來就正確，此為筆誤。」由上可知丙審查人事後所提附件9、附件11之補充意見，係就原告於申訴及訴願時所提質疑而為之回應，其引用參考著作資料僅係作為回應意見之佐證，無從據以認定丙審查人係以參考著作為代表著評審。此外，從給予及格之甲審查人之評審意見，與丙審查人審查意見有關製程之描述，相互參照比對，甲、丙2 位審查人對原告代表著作製程方式及結果之論述有其相同之處，益徵丙審查人之審查並無原告指摘將參考著作當成代表著作評審及其認定之基礎事實有誤之情事。

⒋乙審查人之審查意見已詳列如前，其審查意見業已具體指出送審著作「其實作的偏向，使得整體論文缺乏學術深度，實驗結果之探討亦不夠深入，兩項因素加乘的結果，使得全篇論文的份量無法張顯1 個代表作應有的質量。」、「申請人……所發表會議論文以及其他著作（含專利）的總量相對稀少，對1 位從事製程研究的學者而言，這樣的研究產出量是較為不足。」，原告指摘乙審查人僅為形式審查云云，顯不足採。另乙審查人雖以原告擔任助理教授7 年時間為評審原告所發表之會議論文及其他著作之基準，惟原告於此7 年時間之研究產量猶有不足，若按審查基準之5 年時間評審，原告之研究總出產量恐將更顯薄弱與不足，因此乙審查人以7 年時間之研究成績為評分基準，尚屬有利於原告，況原告5年內研究成績差，為甲、乙、丙3 位審查人共同認定之缺點，由此益徵乙審查人此部分評審之事實基礎並無錯誤，其判斷、評量亦無顯然不當之情事。

五、綜上所述，原告主張各節均無可採，原處分以原告經審查未通過升等副教授資格，揆諸前開規定及說明，並無違誤，申訴評議及訴願決定予以維持，亦無不合，原告徒執前詞，訴請如聲明所示，為無理由，應予駁回。

據上論結，本件原告之訴為無理由，爰依行政訴訟法第98條第1項前段，判決如主文。

臺北高等行政法院第五庭