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聯穎光電股份有限公司
生成關係人圖
公司資訊
| 公司名稱 | 聯穎光電股份有限公司 | ||
|---|---|---|---|
| 統一編號 | 53170263 | ||
| 代表人姓名 | 賴明哲 | ||
| 地址 | 新竹科學園區新竹縣創新一路10號3樓 | ||
資本額
| 資本總額(元) | 2,400,000,000 | ||
|---|---|---|---|
| 實收資本額(元) | 1,886,970,030 | ||
| 每股金額(元) | 10 | ||
| 已發行股份總數(股) | 188,697,003 | ||
變更日期
| 核准設立日期 | 2010/10/18 | ||
|---|---|---|---|
| 最後核准變更日期 | 2025/11/12 | ||
代表法人
無資料
分公司
無資料
稅籍資料
| 營業地址 | 新竹縣寶山鄉雙溪村新竹科學工業園區創新一路１０號３樓 | ||
|---|---|---|---|
| 營業人名稱 | 聯穎光電股份有限公司 | ||
| 營業地址 | 新竹縣寶山鄉雙溪村新竹科學工業園區創新一路１０號３樓 | ||
| 資本額 | 1886970030 | ||
| 設立日期 | 2010/10/18 | ||
| 組織別名稱 | 股份有限公司 | ||
| 使用統一發票 | 是 | ||
| 財稅營業項目 |
| ||
所營事業資料
共19項
- 電子零組件製造業
- 國際貿易業
- 有線通信機械器材製造業
- 無線通信機械器材製造業
- 研究、設計、開發、製造及銷售下列產品：
- (1)砷化鎵系異質接面雙極性電晶體射頻功率放大器元件與擬晶性高電子遷移率
- 電晶體射頻開關元件(GaAs-based HBT RF Power A
- mplifier & pHEMT RF Switch Device)
- (2)砷化鎵異質接面雙載子電晶體磊晶片(GaAs based
- Hetero-junction Bipolar Transistor Epiwafer)
- (3)砷化銦鎵假晶式高速電子移動電晶體磊晶片(InGaAs
- Pseudo-morphic High Electron Mobility Transistor Epiwafer)
- (4)低導通電壓銻砷化鎵異質接面雙載子電晶體磊晶片（Low Turn-on Voltage GaAsSb HBT Epiwafer）
- (5)超高電壓砷化鎵異質接面雙載子電晶體磊晶片（High Voltage GaAs HBT Epiwafer）
- (6)砷化鎵異質接面雙載子電晶體暨假晶高速電子移動電晶體磊晶片(BiHE
- MT Epiwafer)
- (7)積體電路
- (8)各種半導體零組件
- (9)積體電路測試與包裝
公司歷程
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人員任職
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