資料來源：司法院法令判解系統
一、「半導體製造業空氣污染管制及排放標準」第二條及第三條規定該標準適用對象為：半導體製造事業從事積體電路晶圓製造及封裝、磊晶、光罩製造及導線架製造等作業，且揮發性有機物、三氯乙烯、硝酸、鹽酸、磷酸及氫氟酸等各項物質支援物料使用量，高於規定之數量者
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全文內容：一、「半導體製造業空氣污染管制及排放標準」第二條及第三條規定該標準適用對象為：半導體製造事業從事積體電路晶圓製造及封裝、磊晶、光罩製造及導線架製造等作業，且揮發性有機物、三氯乙烯、硝酸、鹽酸、磷酸及氫氟酸等各項物質支援物料使用量，高於規定之數量者。其中典型晶圓製造為矽多晶棒經切片（晶圓）、氧化、光罩、曝光、顯像、蝕刻、擴散、金屬濺鍍、清洗及測試等作業程序。
二、「半導體製造業空氣污染管制及排放標準」係為管制該行業揮發性有機物。
三、氯乙烯、硝酸、鹽酸、磷酸及氫氟酸等各項物質之排放，本案污染源之「廢晶圓再生製造」係以廢晶圓為原掉，經由蝕刻、磨光、清洗、測試及包裝等作業，仍具典型晶圓製造程序中部分作業單元，且製造最終產品為晶圓，倘其上述化學物質使用量達到半導體製造業空氣污染管制及排放標準規定者，仍應依該標準管制之。
