資料來源：司法院法令判解系統
一、「半導體製造業空氣污染管制及排放標準」第二條及第三條規定該標準適用對象為：半導體製造業從事積體電路晶圓製造及封裝、磊晶、光罩製造及導線架製造等作業，且揮發性有機物、三氯乙烯、硝酸、鹽酸、磷酸及氫氟酸等各項物質之原物料使用量，高於規定之數量者
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全文內容：一、「半導體製造業空氣污染管制及排放標準」第二條及第三條規定該標準適用對象為：半導體製造業從事積體電路晶圓製造及封裝、磊晶、光罩製造及導線架製造等作業，且揮發性有機物、三氯乙烯、硝酸、鹽酸、磷酸及氫氟酸等各項物質之原物料使用量，高於規定之數量者。其中典型晶圓製造為矽多晶棒經切片（晶圓）、氧化、光罩、曝光、顯像、蝕刻、擴散、金屬濺鍍、清洗及測試等作業程序。
二、「半導體製造業空氣污染管制及排放標準」係為管制該行業揮發性有機物、三氯乙烯、硝酸、硫酸、鹽酸、磷酸及氫氟酸等各項物質之排放，本案污染源之「廢晶圓再生製造」係以廢晶圓為原料，經由蝕刻、磨光、清洗、測試及包裝等作業，仍具典型晶圓製造程序中部分作業單元，且製程最終產品為晶圓，倘其上述化學物質使用量達到「半導體製造業空氣污染管制及排放標準」規定者，仍應依該標準管制之。
