資料來源：司法院法令判解系統

一、依本署八十九年十一月二日（八九）環署空字第○○六四七八號公告修正第一批至第七批部分公私場所應申請設置、變更及操作許可之固定污染源，其中第二批及第三批之半導體製造程序，係指從事晶片製造、晶圓製造、晶圓封（包）裝、積體電路或其他半導體之生產者

會議日期 90 年 04 月 10 日

內文

全文內容：一、依本署八十九年十一月二日（八九）環署空字第○○六四七八號公告修正第一批至第七批部分公私場所應申請設置、變更及操作許可之固定污染源，其中第二批及第三批之半導體製造程序，係指從事晶片製造、晶圓製造、晶圓封（包）裝、積體電路或其他半導體之生產者。

上述積體電路晶片封（包）作業中若未涉及導線電鍍、浸錫、有機溶劑清洗或酸洗等步驟者不在此限。

二、半導體封裝製程已領有固定污染源操作許可證，該製程經移除部分污染源後倘未涉及導線電鍍浸錫、有機溶劑清洗或酸係等步驟條件，則可免申請固定污染源操作許可證，得辦理許可證註銷。