資料來源：司法院法令判解系統
一、本署公告第2批及第3批應申請固定污染源設置、變更及操作許可之半導體製造程序，係從事晶片製造、晶圓製造、晶圓封（包）裝、積體電路或其他半導體之生產者
內文
全文內容：一、本署公告第 2 批及第 3 批應申請固定污染源設置、變更及操作許可之半導體製造程序，係從事晶片製造、晶圓製造、晶圓封（包）裝、積體電路或其他半導體之生產者。另查電池製造程序，係指從事各種電池製造程序，具有粉碎、研磨或熱融加熱、裁切、組立等作業程序者，僅從事光能電池或行動電話專用電池製造者，不在此限。
二、據本案○○股份有限公司來函資料，顯示其從事太陽能發電模組製造程序，以玻璃為基板，並以化學沉積方式，將矽薄膜沉積於玻璃基板上，再經黏貼高分子樹脂薄膜、覆蓋下玻璃、加熱、膠體封裝等程序，非屬前揭公告應申請設置、變更及操作許可之固定污染源。請貴局查明後，逕復該公司。
