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資料來源:司法院法令判解系統

有關貴轄○○股份有限公司函詢該公司從事太陽能矽晶片製程是否屬於半導體製造業空氣污染管制及排放標準所定義之半導體製程一案

會議日期 103 年 03 月 17 日

要旨

有關貴轄○○股份有限公司函詢該公司從事太陽能矽晶片製程是否屬於半 導體製造業空氣污染管制及排放標準所定義之半導體製程一案,詳如說明 ,請查照。

內文

主 旨:有關貴轄○○股份有限公司函詢該公司從事太陽能矽晶片製程是否屬於半導體製造業空氣污染管制及排放標準所定義之半導體製程一案,詳如說明,請查照。

說 明:一、依據半導體製造業空氣污染管制及排放標準(以下簡稱排放標準)規定,其適用對象,係指從事積體電路晶圓製造、晶圓封裝、磊晶、光罩製造、導線架製造等作業者。其中積體電路晶圓製造作業係以不同規格之晶圓生產各種用途晶圓之作業,包括經由物理氣相沈積、化學氣相沈積、光阻、微影、蝕刻、擴散、離子植入、氧化與熱處理等製程。前揭排放標準主要針對製程中可能產生之揮發性有機物、酸性氣體等空氣污染物加以管制,應妥善做好空氣污染防制工作,以維護及改善空氣品質。

二、本案貴轄○○股份有限公司從事太陽能電池上游晶片之製造,製造流程包括矽原料(矽砂礦)經高溫鎔鑄精煉(長晶)成高純度矽晶錠,冷卻後切塊(開方)成矽晶磚並貼合線鋸載板(加工),再經線鋸切成薄晶片等。倘該製程其揮發性有機物、三氯乙烯、硝酸、硫酸、鹽酸、磷酸及氫氟酸原物料用量達排放標準第 3 條規定之年用量者,則該項物質應符合排放標準規定,本署前已於 95 年 5 月 11 日環署空字第 0950034681 號函釋在案。本案有關該公司太陽能矽晶片製程是否屬於前揭排放標準所定義之半導體製程,仍請貴局依實際個案情形查明後,本權責辦理逕復該公司。

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