資料來源：司法院法令判解系統
函詢貴轄○○股份有限公司是否屬半導體製造業空氣污染管制及排 放標準定義之蝕刻製程疑義一案
要旨
函詢貴轄○○股份有限公司是否屬半導體製造業空氣污染管制及排放標準 定義之蝕刻製程疑義一案，請查照。
內文
主 旨：函詢貴轄○○股份有限公司是否屬半導體製造業空氣污染管制及排放標準定義之蝕刻製程疑義一案，請查照。
說 明：一、復貴局 103 年 11 月 25 日環空字第 1030049989 號函。
二、依半導體製造業空氣污染管制及排放標準（以下簡稱排放標準）規定，其適用對象，係指從事積體電路晶圓製造、晶圓封裝、磊晶、光罩製造、導線架製造等作業者。其中積體電路晶圓製造作業係以不同規格之晶圓生產各種用途晶圓之作業，包括經由物理氣相沈積、化學氣相沈積、光阻、微影、蝕刻、擴散、離子植入、氧化與熱處理等製程。前述所稱之蝕刻製程，係指利用氫氟酸、硫酸、鹽酸、硝酸及氣體離子等原物料，經化學反應或物理撞擊方式使晶圓、晶片表面氧化層去除或粗糙化之程序。
三、本案貴轄○○股份有限公司（以下簡稱○○公司）從事太陽能晶片製造，倘其製程涉及前揭說明物理氣相沈積、化學氣相沈積、光阻、微影、蝕刻、擴散、離子植入、氧化與熱處理等製程，則屬排放標準管制對象；另來函提及○○公司向貴局申請更正操作許可證之蝕刻槽（區）為矽料清洗區一節，查該公司現行領有經貴局核定之操作許可證，已登載蝕刻槽（區）有 3 台蝕刻機，是以，本案仍請貴局應查明○○公司設置之蝕刻機，其是否從事蝕刻作業，或僅從事矽料清洗，俾依排放標準規定據以辦理。本署已於 103 年 11 月 14 日環署空字第 1030090174 號函釋在案（諒達），請貴局依個案實際情形查明後，本權責辦理。
