Điều 4. Hiệu lực thi hành
1. Thông tư này có hiệu lực thi hành kể từ ngày 06 tháng 6 năm 2026.
2. Ủy ban nhân dân cấp tỉnh, Cục An toàn bức xạ và hạt nhân có trách nhiệm
gửi giấy phép đã cấp cho thương nhân theo quy định tại khoản 1 Điều 3 Thông tư
này về Bộ Khoa học và Công nghệ thông qua Hệ thống thông tin quốc gia về công
nghiệp công nghệ số; và gửi Bộ Công Thương, cơ quan hải quan qua các hệ thống
báo cáo trực tuyến chuyên ngành để phối hợp quản lý.
3. Cục Công nghiệp công nghệ thông tin có trách nhiệm xây dựng, duy trì,
nâng cấp, quản lý Hệ thống thông tin quốc gia về công nghiệp công nghệ số phục
vụ công tác theo dõi, truy xuất thông tin về kiểm soát thương mại chiến lược thuộc
quản lý nhà nước của Bộ Khoa học và Công nghệ.
4. Trong quá trình thực hiện Thông tư này, nếu phát sinh vướng mắc,
thương nhân, các cơ quan, tổ chức có liên quan phản ánh bằng văn bản về Bộ
Khoa học và Công nghệ (Cục Công nghiệp công nghệ thông tin) để xử lý./.
BỘ TRƯỞNG
Vũ Hải Quân
PHỤ LỤC
Danh mục hàng hóa lưỡng dụng thuộc quản lý nhà nước
của Bộ Khoa học và Công nghệ
(Ban hành kèm theo Thông tư số 30/2026/TT-BKHCN ngày 06 tháng 6 năm 2026
của Bộ Khoa học và Công nghệ)
STT
Mã HS
Mô tả hàng hóa
Đặc điểm kỹ thuật,
công nghệ
I
Vật liệu phóng xạ và thiết bị hạt nhân
1.
Vật liệu phóng xạ
1.1
Quặng Urani hoặc quặng thori và tinh quặng Urani hoặc tinh quặng thori
Mã ECCN
tham chiếu
2612.10.00
Urani tự nhiên, Urani nghèo hoặc thori dưới dạng kim loại, hợp
Quặng Urani và tinh
kim, hợp chất hóa học hoặc tinh quặng và bất kỳ vật liệu nào
quặng Urani
khác có chứa một hoặc nhiều chất nêu trên
0C001
1.1.2
2612.20.00
Urani tự nhiên, Urani nghèo hoặc thori dưới dạng kim loại, hợp
Quặng Thori và tinh
kim, hợp chất hóa học hoặc tinh quặng và bất kỳ vật liệu nào
quặng Thori
khác có chứa một hoặc nhiều chất nêu trên
0C001
1.2
Các nguyên tố hóa học phóng xạ và các đồng vị phóng xạ (kể cả các nguyên tố hóa học và các đồng vị có khả năng
phân hạch hoặc làm giàu) và các hợp chất của chúng; hỗn hợp và các phế liệu có chứa các sản phẩm trên
1.2.1
Urani tự nhiên và các hợp chất của nó; hợp kim, các chất phân tán (kể cả gốm kim loại), sản phẩm gốm và hỗn hợp có chứa
Urani tự nhiên hoặc các hợp chất Urani tự nhiên:
1.2.1.1
2844.10.10
1.1.1
Urani tự nhiên, Urani nghèo hoặc thori dưới dạng kim loại, hợp
Urani tự nhiên và các
kim, hợp chất hóa học hoặc tinh quặng và bất kỳ vật liệu nào
hợp chất của nó
khác có chứa một hoặc nhiều chất nêu trên
0C001
Mô tả hàng hóa
Đặc điểm kỹ thuật,
công nghệ
Mã ECCN
tham chiếu
Urani tự nhiên, Urani nghèo hoặc thori dưới dạng kim loại, hợp
kim, hợp chất hóa học hoặc tinh quặng và bất kỳ vật liệu nào
khác có chứa một hoặc nhiều chất nêu trên
0C001
STT
Mã HS
1.2.1.2
2844.10.90
1.2.2
Urani đã làm giàu thành phần U-235 và hợp chất của nó; plutoni và hợp chất của nó; hợp kim, các chất phân tán (kể cả gốm
kim loại), các sản phẩm gốm và các hỗn hợp có chứa Urani đã được làm giàu thành phần U-235, plutoni hoặc hợp chất của
các sản phẩm này:
Loại khác
1.2.2.1
2844.20.10
Urani đã làm giàu thành
phần U-235 và hợp chất Vật liệu phân hạch đặc biệt
của nó; plutoni và hợp
chất của nó
1.2.2.2
2844.20.90
Loại khác
1.2.3
Urani đã được làm nghèo thành phần U-235 và các hợp chất của nó; thori và các hợp chất của nó; hợp kim, các chất phân
tán (kể cả gốm kim loại), sản phẩm gốm kim loại và các hỗn hợp chứa Urani đã được làm nghèo thành phần U-235, thori
hoặc các hợp chất của các sản phẩm trên:
1.2.3.1
2844.30.10
Urani đã làm nghèo Urani tự nhiên, Urani nghèo hoặc thori dưới dạng kim loại, hợp
thành phần U-235 và kim, hợp chất hóa học hoặc tinh quặng và bất kỳ vật liệu nào
hợp chất của nó; thori khác có chứa một hoặc nhiều chất nêu trên
và hợp chất của nó
0C001
2844.30.90
Urani tự nhiên, Urani nghèo hoặc thori dưới dạng kim loại, hợp
kim, hợp chất hóa học hoặc tinh quặng và bất kỳ vật liệu nào
khác có chứa một hoặc nhiều chất nêu trên
0C001
1.2.3.2
Loại khác
Vật liệu phân hạch đặc biệt
0C002
0C002
STT
1.2.4
1.2.4.1
1.2.4.2
Mã HS
Đặc điểm kỹ thuật,
công nghệ
Mô tả hàng hóa
Mã ECCN
tham chiếu
Nguyên tố phóng xạ và đồng vị phóng xạ và các hợp chất trừ loại thuộc phân nhóm 2844.10, 2844.20 hoặc 2844.30; hợp
kim, các chất phân tán (kể cả gốm kim loại), các sản phẩm gốm và các hỗn hợp có chứa các nguyên tố, đồng vị hoặc các
hợp chất trên; chất thải phóng xạ:
2844.41.00
2844.42.00
Triti và các hợp chất
của nó; hợp kim, chất
phân tán (kể cả gốm
kim loại), các sản phẩm
gốm và các hỗn hợp
chứa triti hoặc các hợp
chất của nó
Tritium, các hợp chất tritium, hỗn hợp chứa tritium trong đó tỷ
lệ nguyên tử tritium so với nguyên tử hydro vượt quá 1 phần
trên 1000, và các sản phẩm hoặc thiết bị chứa bất kỳ chất nào
nêu trên.
Actini-225, actini-227,
californi-253, curi-240,
curi-241,
curi-242,
curi-243,
curi-244,
einsteini-253, einsteini254,
gadolini-148,
poloni-208, poloni-209,
poloni-210, radi-223,
Urani-230 hoặc Urani232, và các hợp chất
của chúng; hợp kim,
chất phân tán (kể cả
gốm kim loại), các sản
phẩm gốm và các hỗn
hợp chứa các nguyên tố
hoặc các hợp chất này
Các đồng vị phóng xạ thích hợp để chế tạo nguồn neutron dựa
trên phản ứng alpha-n, ở các dạng sau:
1C235
Ghi chú:
Kiểm soát nếu hoạt độ vượt quá 1.48 x 103 GBq (40 Ci)
a. Nguyên tố;
b. Hợp chất có tổng hoạt độ từ 37 GBq/kg (1 Ci/kg) trở lên;
c. Hỗn hợp có tổng hoạt độ từ 37 GBq/kg (1 Ci/kg) trở lên;
d. Sản phẩm hoặc thiết bị chứa bất kỳ thành phần nào nêu trên.
Ghi chú:
Không kiểm soát sản phẩm hoặc thiết bị có hoạt độ nhỏ hơn 3,7 GBq
(100 mCi).
1C236
STT
1.2.4.3
1.2.4.4
Mã HS
Mô tả hàng hóa
Đặc điểm kỹ thuật,
công nghệ
Mã ECCN
tham chiếu
Các nguyên tố, đồng vị và hợp chất phóng xạ khác; hợp kim
khác, chất phân tán khác (kể cả gốm kim loại), các sản phẩm
gốm và các hỗn hợp khác chứa các nguyên tố, đồng vị hoặc hợp
chất này
1C237
2844.43.00
Các nguyên tố, đồng vị
và hợp chất phóng xạ
khác; hợp kim khác,
chất phân tán khác (kể
cả gốm kim loại), các
sản phẩm gốm và các
hỗn hợp khác chứa các
nguyên tố, đồng vị hoặc
hợp chất này
1C012.b
2844.50.00
Hộp (cartridges) nhiên
liệu đã qua sử dụng (đã Hộp (cartridges) nhiên liệu đã qua sử dụng (đã chiếu xạ) của lò
chiếu xạ) của lò phản phản ứng hạt nhân
ứng hạt nhân
0A001.c
Thiết bị hạt nhân
2.1
Lò phản ứng hạt nhân và thiết bị kèm theo
2.1.1
8401.10.00
Lò phản ứng hạt nhân
8401.40.00
Bao gồm: Thùng lò, thanh điều khiển, máy nạp và tháo dỡ nhiên
Các bộ phận của lò
liệu trong lò phản ứng, ống chịu áp lực lò phản ứng, ống zirconi,
phản ứng hạt nhân
bơm chất làm mát sơ cấp
2.1.2
Lò phản ứng hạt nhân
0A001.a
0A001.b
0A001.d
0A001.c
STT
Mã HS
Mô tả hàng hóa
Đặc điểm kỹ thuật,
công nghệ
Mã ECCN
tham chiếu
0A001.e
0A001.f
0A001.g
Bộ phận chứa nhiên liệu
(cartridges) hạt nhân Bộ phận chứa nhiên liệu (cartridges) hạt nhân chưa chiếu xạ
chưa chiếu xạ
2.1.3
8401.30.00
2.2
Thiết bị chuyển hóa, làm giàu Urani
0C002
0B001.a.1
0B001.b.1
0B001.a.3
0B001.a.4
2.2.1
8401.20.00
Máy và thiết bị để tách
chất đồng vị, và bộ
phận của chúng
Bao gồm: Máy ly tâm khí; các bộ phận được thiết kế hoặc chế
tạo đặc biệt cho máy ly tâm khí; các thiết bị và bộ phận chính
sử dụng để làm giàu; Hệ thống, thiết bị và các bộ phận được
thiết kế hoặc chế tạo đặc biệt để sử dụng trong nhà máy làm giàu
bằng trao đổi hoá học hoặc trao đổi ion, theo công nghệ laser,
phân tách plasma, sử dụng điện từ trường
0B001.a.5
0B001.a.6
0B001.a.7
0B001.a.8
0B001.a.9
0B001.b.1
0B001.b.10
0B001.b.11
0B001.b.12
STT
Mã HS
Mô tả hàng hóa
Đặc điểm kỹ thuật,
công nghệ
Mã ECCN
tham chiếu
0B001.b.13
8414.80
2.2.2
8417.10
8419.40
8414.80
2.2.3
8417.10
8419.40
2.2.4
8414.80
8417.10
8419.40
8414.80
2.2.5
8417.10
8419.40
8414.80
2.2.6
2.2.7
8417.10
8419.40
8414.80
8417.10
8419.40
Hệ thống được thiết kế
hoặc chế tạo đặc biệt
để chuyển hóa tinh
quặng Urani thành
UO3
Thiết bị chuyển hóa Urani và thiết bị được thiết kế hoặc chế tạo
đặc biệt cho mục đích chuyển hóa tinh quặng Urani thành UO3
Hệ thống được thiết kế
hoặc chế tạo đặc biệt
để chuyển UO3 thành
UF6
Thiết bị chuyển hóa Urani và thiết bị được thiết kế hoặc chế tạo
đặc biệt cho mục đích chuyển hóa UO3 thành UF6
Hệ thống được thiết kế
hoặc chế tạo đặc biệt
để chuyển UO3 thành
UO2
Thiết bị chuyển hóa Urani và thiết bị được thiết kế hoặc chế tạo
đặc biệt cho mục đích chuyển hóa UO3 thành UO2
Hệ thống được thiết kế
hoặc chế tạo đặc biệt
để chuyển hóa
UO2 thành UF4
Thiết bị chuyển hóa Urani và thiết bị được thiết kế hoặc chế tạo
đặc biệt cho mục đích chuyển hóa UO2 thành UF4
Hệ thống được thiết kế
hoặc chế tạo đặc biệt
để chuyển hóa
UF4 thành UF6
Thiết bị chuyển hóa Urani và thiết bị được thiết kế hoặc chế tạo
đặc biệt cho mục đích chuyển hóa UF4 thành UF6
Hệ thống được thiết kế
hoặc chế tạo đặc biệt
Thiết bị chuyển hóa Urani và thiết bị được thiết kế hoặc chế tạo
đặc biệt cho mục đích chuyển hóa UF4 thành Urani kim loại;
0B003.a
0B003.b
0B003.c
0B003.d
0B003.e
0B003.f
STT
Mã HS
Đặc điểm kỹ thuật,
công nghệ
Mô tả hàng hóa
Mã ECCN
tham chiếu
để chuyển UF4 thành
Urani kim loại.
8414.80
2.2.8
8417.10
8419.40
8414.80
2.2.9
8417.10
8419.40
2.3
2.3.1
2.4
Hệ thống được thiết kế
hoặc chế tạo đặc biệt
để chuyển UF6 thành
UO2
Thiết bị chuyển hóa Urani và thiết bị được thiết kế hoặc chế tạo
đặc biệt cho mục đích chuyển hóa UF6 thành UO2
Hệ thống được thiết kế
hoặc chế tạo đặc biệt
để chuyển UF6 thành
UF4
Thiết bị chuyển hóa Urani và thiết bị được thiết kế hoặc chế tạo
đặc biệt cho mục đích chuyển hóa UF6 thành UF4
0B003.g
0B003.h
Thiết bị xử lý nhiên liệu hạt nhân đã qua sử dụng
7310.29
8421.29
8465.91
8465.96
8479.89
Thiết bị xử lý nhiên
liệu hạt nhân đã chiếu
xạ
Thiết bị dùng để tái chế các thanh nhiên liệu đã chiếu xạ, và các
thiết bị và linh kiện được thiết kế hoặc chế tạo đặc biệt cho mục
đích đó.
0B006
Thiết bị chế tạo nhiên liệu hạt nhân
8207.30
8479.89
2.4.1
8514.40
8515.31
9027.89
Thiết bị chế tạo nhiên
liệu hạt nhân
Thiết bị tiếp xúc trực tiếp hoặc xử lý trực tiếp hay kiểm soát trực
tiếp dòng vật liệu hạt nhân trong sản xuất
0B005
STT
II
Mã HS
Mô tả hàng hóa
Đặc điểm kỹ thuật,
công nghệ
Mã ECCN
tham chiếu
Điện tử
Vi mạch tích hợp chứa một hoặc nhiều đơn vị xử lý điện tử có
“Tổng khả năng xử lý (TPP)” vượt trên 6000.
8542.31.00
8542.39.00
Các vi mạch xử lý (vi
mạch vi xử lý, vi mạch
máy vi tính và vi mạch
điều khiển) có tốc độ xử
lý từ 5 GFLOPS trở lên
và có đơn vị logic số
học (ALU) với độ rộng
truy cập từ 32 bit trở
lên.
Ghi chú:
1. “Tổng khả năng xử lý (TPP)” là tổng của mọi đơn vị xử lý điện tử
trong mạch điện tử tích hợp, bằng 2 x MacTOPS x độ dài của phép
tính (tính bằng bit).
a. “MacTOPS” là số Tera (1012) phép tính nhân - tổng (D=A×B+C)
tối đa trên lý thuyết mà thiết bị có thể thực hiện được mỗi giây.
b. Số 2 trong công thức dựa trên quy ước của ngành về việc coi 1
phép tính nhân tổng D=A×B+C là 2 phép tính riêng biệt cho việc
báo cáo trên datasheet. Do đó 2 x MacTOPS có thể tương đương với
TOPS hoặc FLOPS trên bảng thông số kỹ thuật.
Độ dài phép tính (theo bit) là độ dài tính theo bit lớn nhất của hạng
tử trong phép tính nhân.
Tính tổng ‘TPP’ cho từng đơn vị xử lý trên mạch tích hợp để đạt được
tổng số. ‘TPP’ = TPP1 + TPP2 + .... + TPPn (trong đó n là số lượng
đơn vị xử lý trên mạch tích hợp).
Tỷ lệ 'MacTOPS' sẽ được tính ở giá trị tối đa có thể về mặt lý thuyết.
Tỷ lệ của 'MacTOPS' được coi là giá trị cao nhất mà nhà sản xuất
tuyên bố trong sách hướng dẫn hoặc tài liệu quảng cáo dành cho
mạch tích hợp. Ví dụ: ngưỡng 6 000 'TPP' có thể được đáp ứng với
các phép toán số nguyên 750 tera FLOPS (hoặc 2 × 375 ‘MacTOPS’)
ở 8 bit hoặc 300 tera FLOPS (hoặc 2 × 150 ‘MacTOPS’) ở 16 bit.
Nếu đơn vị xử lý điện tử được thiết kế để tính toán MAC với nhiều độ
dài bit đạt được các giá trị 'TPP' khác nhau thì sử dụng giá trị TPP
lớn nhất.
3A501.a.16
STT
Mã HS
Mô tả hàng hóa
Đặc điểm kỹ thuật,
công nghệ
Mã ECCN
tham chiếu
Các mạch tích hợp được thiết kế hoặc đánh giá là có khả năng
chịu bức xạ cao để chịu được bất kỳ điều nào sau đây:
a. Tổng lượng bức xạ tích lũy theo thời gian làm hỏng mạch tích
hợp (Total Ionizing Dose - TID) 5 x 103 Gy (silicon) trở lên;
8542.31.00
8542.39.00
Các mạch tích hợp được
thiết kế hoặc đánh giá là b. Khả năng chịu đựng luồng bức 6xạ cực mạnh trong thời gian
có khả năng chịu bức xạ rất ngắn (Dose rate upset) là 5 x 10 Gy (silicon)/s hoặc cao hơn;
hoặc
cao.
c. Mật độ dòng hạt neutron bắn phá bề mặt mạch tích hợp (tương
đương 1 MeV) từ 5 x 1013 n/cm2 trở lên trên silicon, hoặc tương
đương đối với các vật liệu khác.
3A001.a.1
Ghi chú: 3A001.a.1.c không kiểm soát Chất bán dẫn cách điện kim
loại (Metal Insulator Semiconductors - MIS).
2849.20.00
2850.00.00
3818.00.00
3818.00.00
8541.90.00
Vật liệu có điện trở suất cao như: Chất nền bán dẫn silicon
carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminum nitride (AlN),
Chất nền bán dẫn hoặc
aluminum gallium nitride (AlGaN), gallium oxide (Ga2O3)
các dạng tiền chế khác
hoặc kim cương, hoặc các dạng tiền chế khác của các vật liệu
đó, có điện trở suất lớn hơn 10.000 ohm-cm tại 20°C.
3C005.a
Vật liệu có điện trở suất cao như: Chất nền đa tinh thể hoặc chất
nền gốm đa tinh thể, có điện trở suất lớn hơn 10.000 ohm-cm
tại 20°C và có ít nhất một lớp tinh thể đơn không epitaxy của
Chất nền đa tinh thể silicon (Si), silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN),
hoặc chất nền gốm đa aluminum nitride (AlN), aluminum gallium nitride (AlGaN),
tinh thể
gallium oxide (Ga2O3) hoặc kim cương trên bề mặt của chất
nền.
3C005.b
STT
III
Mã HS
3707.10.00
3904.90
Chất chống ăn mòn dương (positive resist) thiết kế cho in quang
Chất chống ăn mòn học bán dẫn, được điều chỉnh (tối ưu hóa) đặc biệt để sử dụng ở
dương (positive resist) các bước sóng từ 193 đến 15 nm
Mã ECCN
tham chiếu
3C002.a.1
Máy vi tính
8471.30
8471.41
Đặc điểm kỹ thuật,
công nghệ
Mô tả hàng hóa
8471.49
8471.50
8471.90
Máy tính điện tử có khả năng làm việc ở môi trường nhiệt độ
Máy tính điện tử có thấp (dưới -45°C) hoặc nhiệt độ cao (trên 85°C).
phạm vi nhiệt độ hoạt Ghi chú:
động mở rộng
Mục 4A001.a.1 không kiểm soát các máy tính được thiết kế chuyên
biệt cho các ứng dụng ô tô dân dụng, đường sắt, hàng không dân
dụng.
4A001.a.1
Máy tính điện tử được thiết kế đặc biệt, chống bức xạ vượt qua
bất kỳ thông số kỹ thuật nào sau đây:
8471.30
8471.41
8471.49
8471.50
8471.90
a. Tổng lượng bức xạ tích lũy theo thời gian làm hỏng mạch tích
hợp (Total Ionizing Dose - TID) 5 x 103 Gy (silicon) trở lên;
b. Khả năng chịu đựng luồng bức xạ cực mạnh trong thời gian
Máy tính điện tử được
rất ngắn (Dose rate upset) là 5 x 106 Gy (silicon)/s hoặc cao hơn;
thiết kế để chịu được
hoặc
mức bức xạ cao
c. Lỗi do sự kiện đơn lẻ (Single Event Upset): 1×10-8
lỗi/bit/ngày;
Ghi chú:
Mục 4A001.a.2. không kiểm soát các máy tính được thiết kế đặc biệt
cho các ứng dụng “máy bay dân dụng”.
4A001.a.2
STT
Mã HS
8471.30
8471.41
8471.49
8471.50
Mô tả hàng hóa
Đặc điểm kỹ thuật,
công nghệ
Máy tính được thiết kế đặc biệt để mô hình hóa, mô phỏng hoặc
Máy tính được thiết kế tích hợp thiết kế các phương tiện phóng vũ trụ được chỉ định
để mô hình hóa, mô trong 9A004 hoặc tên lửa âm thanh được chỉ định trong 9A104.
phỏng hoặc tích hợp Ghi chú: Mục này chỉ áp dụng khi máy tính được cung cấp cùng với
“phần mềm” nêu trong 7D103 hoặc 9D103.
thiết kế tên lửa.
Mã ECCN
tham chiếu
4A102
8471.90
IV
Viễn thông, cảm biến và laser
Hệ thống, thiết bị viễn thông được thiết kế đặc biệt để chịu được
bất kỳ đặc điểm nào sau đây:
8517.61.00
8517.62
8517.69.00
8517.61.00
8517.62
8517.69.00
8517.71.00
8517.79
Thiết bị viễn thông
- Các hiệu ứng xung điện tử;
- Chịu được tia gamma, bức xạ neutron hoặc ion;
5A001.a
- Hoạt động ở nhiệt độ thấp (dưới -55°C) hoặc nhiệt độ cao (trên
124°C).
Thiết bị chặn hoặc gây nhiễu viễn thông di động, thiết bị giám
sát tương ứng, và các linh kiện được thiết kế đặc biệt với các
đặc tính như sau:
- Thiết bị chặn được thiết kế để trích xuất giọng nói hoặc dữ liệu
Thiết bị chặn hoặc gây
được truyền qua giao diện vô tuyến (air interface);
nhiễu viễn thông di
- Thiết bị chặn, không được quy định tại mục 5A001.f.1., được
động
thiết kế để trích xuất các thông tin định danh thiết bị đầu cuối
hoặc định danh thuê bao (ví dụ: IMSI, TIMSI hoặc IMEI), thông
tin báo hiệu hoặc các dữ liệu đặc tả (metadata) khác được truyền
qua giao diện vô tuyến;
5A001.f
STT
Mã HS
Đặc điểm kỹ thuật,
công nghệ
Mô tả hàng hóa
Mã ECCN
tham chiếu
- Thiết bị gây nhiễu được thiết kế đặc biệt hoặc được sửa đổi để
can thiệp, từ chối, ngăn chặn, làm suy giảm hoặc đánh lừa các
dịch vụ thông tin di động một cách có chủ đích và có chọn lọc,
đồng thời thực hiện bất kỳ chức năng nào sau đây:
a. Mô phỏng các chức năng của thiết bị mạng truy cập vô tuyến
(RAN);
b. Phát hiện và khai thác các đặc tính cụ thể của giao thức thông
tin di động được sử dụng (ví dụ: GSM); hoặc
c. Khai thác các đặc tính cụ thể của giao thức thông tin di động
được sử dụng (ví dụ: GSM);
- Thiết bị giám sát vô tuyến (RF) được thiết kế hoặc sửa đổi để
nhận diện hoạt động của các thiết bị được quy định tại các mục
5A001.f.1., 5A001.f.2. hoặc 5A001.f.3.
8517.71.00
Thiết bị đo từ xa và điều khiển từ xa, bao gồm thiết bị mặt đất,
được thiết kế hoặc chuyển đổi cho phương tiện bay không người
lái (UAVs).
8517.79
Ghi chú:
8526.10
8526.91
8526.92.00
8529.10
8529.90
(1) Mục 5A101 quy định tên lửa có nghĩa là các hệ thống tên lửa hoàn
Thiết bị đo từ xa và điều chỉnh và các hệ thống thiết bị bay không người lái có tầm bắn trên
300 km.
khiển từ xa
(2) Mục 5A101 không kiểm soát:
(a) Các thiết bị được thiết kế hoặc sửa đổi cho máy bay có người lái
hoặc vệ tinh;
(b) Thiết bị mặt đất được thiết kế hoặc sửa đổi cho các ứng dụng trên
đất liền hoặc trên biển;
5A101
STT
Mã HS
Mô tả hàng hóa
Đặc điểm kỹ thuật,
công nghệ
Mã ECCN
tham chiếu
(c) Thiết bị được thiết kế cho các dịch vụ GNSS phục vụ thương mại,
dân sự hoặc an toàn tính mạng (ví dụ: toàn vẹn dữ liệu, an toàn bay).
Từ kế, thiết bị đo biến thiên từ trường, cảm biến điện trường dưới nước, thiết bị thu sóng điện từ dưới nước có tích hợp cảm
biến từ trường
Ghi chú: Mục 6A006 không kiểm soát các thiết bị được thiết kế đặc biệt cho ứng dụng ngư nghiệp hoặc đo từ sinh học trong chẩn
đoán y tế.
a) Từ kế sử dụng công nghệ siêu dẫn (Superconducting
Quantum Interference Device - SQUID) với một trong các đặc
điểm kỹ thuật sau:
- Hệ thống SQUID được thiết kế để vận hành cố định, không có
các hệ thống phụ được thiết kế đặc biệt để giảm nhiễu khi
chuyển động và có độ nhạy bằng hoặc thấp hơn 50 fT (rms) trên
căn bậc hai của Hz tại tần số 1 Hz; hoặc
4.1
9015.80
Từ kế
- Hệ thống SQUID có độ nhạy máy đo từ trường khi chuyển
động thấp hơn (tốt hơn) 20 pT (rms) trên căn bậc hai của Hz tại
tần số 1 Hz và được thiết kế đặc biệt để giảm nhiễu khi chuyển
động;
b) Từ kế sử dụng công nghệ bơm quang học hoặc tiền động hạt
nhân (proton/Overhauser) có độ nhạy thấp hơn 20 pT (rms) trên
căn bậc hai của Hz tại tần số 1 Hz;
c) Từ kế sử dụng "công nghệ" cổng từ (fluxgate) có độ nhạy
bằng hoặc thấp hơn 10 pT (rms) trên căn bậc hai của Hz tại tần
số 1 Hz;
d) Từ kế kiểu cuộn cảm ứng có độ nhạy thấp hơn bất kỳ mức
nào sau đây:
6A006.a
STT
Mã HS
Mô tả hàng hóa
Đặc điểm kỹ thuật,
công nghệ
Mã ECCN
tham chiếu
- 0,05 nT (rms) trên căn bậc hai của Hz tại các tần số thấp hơn
1 Hz;
- 1×10-3 nT (rms) trên căn bậc hai của Hz tại các tần số từ 1 Hz
trở lên nhưng không quá 10 Hz; hoặc
- 1×10-4 nT (rms) trên căn bậc hai của Hz tại các tần số trên
10 Hz;
- Từ kế sợi quang có độ nhạy thấp hơn 1 nT (rms) trên căn bậc
hai của Hz;
4.2
9015.80
Cảm biến điện trường Cảm biến điện trường dưới nước có độ nhạy thấp hơn 8 nanovolt
trên mét trên căn bậc hai của Hz khi đo tại tần số 1 Hz.
dưới nước
6A006.b
- Thiết bị đo biến thiên từ trường sử dụng nhiều từ kế đã được
quy định tại mục 6A006.a.;
4.3
9015.80
- Thiết bị đo biến thiên từ trường bằng sợi quang có độ nhạy
Thiết bị đo biến thiên từ biến thiên từ trường thấp hơn 0,3 nT/m (rms) trên căn bậc hai
của Hz;
trường
6A006.c
- Thiết bị đo biến thiên từ trường sử dụng các loại công nghệ
khác ngoài công nghệ sợi quang, có độ nhạy biến thiên từ trường
thấp hơn 0,015 nT/m (rms) trên căn bậc hai của Hz.
9015.80
4.4
9015.90.00
9030.89
Hệ thống bù
Các hệ thống bù (compensation systems) dùng cho cảm biến từ
trường hoặc cảm biến điện trường dưới nước, giúp thiết bị đạt
được hoặc vượt quá các chỉ số hiệu suất quy định tại các mục
6A006.a., 6A006.b. hoặc 6A006.c.
6A006.d
STT
Mã HS
9015.80
4.5
9015.90.00
9030.89
Đặc điểm kỹ thuật,
công nghệ
Mô tả hàng hóa
Thiết bị thu sóng điện Thiết bị thu sóng điện từ dưới nước có tích hợp các cảm biến từ
từ dưới nước có tích trường đã quy định tại mục 6A006.a. hoặc các cảm biến điện
hợp cảm biến từ trường trường dưới nước đã quy định tại mục 6A006.b.
Mã ECCN
tham chiếu
6A006.e
Trọng lực kế có độ chính xác cao, thiết bị đo biến thiên trọng lực
a) Trọng lực kế được thiết kế hoặc sửa đổi để sử dụng trên mặt
đất và có độ chính xác tĩnh nhỏ hơn (tốt hơn) 10μGal;
Ghi chú:
Mục 6A007.a. không kiểm soát các trọng lực kế mặt đất loại phần tử
thạch anh (loại Worden).
5.1
9015.80
9015.90.00
b. Trọng lực kế được thiết kế cho các phương tiện di động
Trọng lực kế có độ (mobile platforms) với tất cả các đặc điểm sau:
chính xác cao, thiết bị
đo biến thiên trọng lực - Độ chính xác tĩnh nhỏ hơn (tốt hơn) 0,7 mGal; và
- Độ chính xác khi vận hành (in-service/operational) thấp hơn
0,7 mGal và có thời gian đạt trạng thái đăng ký ổn định (timeto-steady-state registration) ít hơn 2 phút dưới bất kỳ sự kết hợp
nào của các phép bù hiệu chỉnh đi kèm và các ảnh hưởng của
chuyển động.
6A007
c. Thiết bị đo biến thiên trọng lực.
5.2
9015.80
Trường hợp khác
Trọng lực kế khác với các loại đã được quy định tại mục
6A007.b, được thiết kế hoặc sửa đổi để sử dụng trên không
(airborne) hoặc dưới nước (marine); có độ chính xác tĩnh hoặc
độ chính xác vận hành bằng hoặc nhỏ hơn (tốt hơn)
6A107.a
STT
Mã HS
Mô tả hàng hóa
Đặc điểm kỹ thuật,
công nghệ
Mã ECCN
tham chiếu
0,7 milligal (mGal); và có thời gian đạt trạng thái đăng ký ổn
định từ hai phút trở xuống.
6.1
Máy ảnh tốc độ cao
8525.81
Máy ảnh quét điện tử
Máy ảnh quét điện tử có độ phân giải thời gian thấp hơn 50 ns
6A003.a.3
Máy ảnh quét
Máy ảnh quét có tốc độ ghi lớn hơn 0,5 mm/μs
6A203.a.1
Máy ảnh quét điện tử
Máy ảnh quét điện tử có khả năng đạt độ phân giải thời gian từ
50 ns trở xuống
6A203.a.2
Máy ảnh phân khung Máy ảnh phân khung điện tử có tốc độ vượt quá 1.000.000
khung hình/giây
điện tử
6A003.a.4
Máy ảnh phân khung
Máy ảnh phân khung có tốc độ ghi lớn hơn 225.000 khung hình/
giây
6A203.b.1
Máy ảnh phân khung
Máy ảnh phân khung có khả năng đạt thời gian phơi sáng khung
hình từ 50 ns trở xuống
6A203.b.2
8525.81
6.2
8525.89
9006.30.00
8525.81
6.3
8525.89
9006.30.00
9006.59
6.4
8525.81
8525.81
6.5
8525.89
9006.30.00
8525.81
6.6
8525.89
9006.30.00
STT
Mã HS
Mô tả hàng hóa
Đặc điểm kỹ thuật,
công nghệ
Mã ECCN
tham chiếu
9006.59
Máy ảnh điện tử có tất cả các đặc điểm sau:
6.7
8525.81
Máy ảnh điện tử
a. Tốc độ cửa trập điện tử (khả năng đóng cổng - gating
capability) ít hơn 1μs trên mỗi khung hình đầy đủ; và
6A003.a.5
b. Thời gian đọc dữ liệu (read out time) cho phép tốc độ phân
khung (framing rate) lớn hơn 125 khung hình đầy đủ trên giây.
8525.81
6.8
8525.89
9006.30.00
Máy ảnh bán dẫn hoặc máy ảnh ống điện tử có thời gian đóng
Máy ảnh bán dẫn hoặc
cổng hình ảnh nhanh (thời gian cửa trập - shutter time) từ 50 ns
máy ảnh ống điện tử
trở xuống.
6A203.c.1
Các thiết bị tạo ảnh thể rắn và ống tăng cường hình ảnh có thời
Bộ phận của máy ảnh
gian đóng/mở cổng hình ảnh (màn trập) nhanh từ 50 ns trở
bán dẫn hoặc máy ảnh
xuống, được thiết kế đặc biệt cho các loại camera quy định tại
ống điện tử đặc biệt
mục 6A203.c.1.
6A203.c.2
Máy quay truyền hình chịu bức xạ hoặc các ống kính cho máy
quay truyền hình được thiết kế đặc biệt hoặc được định mức
Máy quay truyền hình
chống bức xạ để chịu được tổng liều bức xạ lớn hơn 50×103 Gy
chịu bức xạ
(silicon) (5×106 rad (silicon)) mà không bị suy giảm khả năng
vận hành.
6A203.d
Máy đo giao thoa vận Máy đo giao thoa vận tốc để đo các vận tốc vượt quá 1 km/s
tốc để đo vận tốc vượt trong các khoảng thời gian ít hơn 10 micro giây (μs).
quá 1 km/giây trong Ghi chú:
6A225
9006.59
8529.90
6.9
8540.20.00
9006.91
8525.82
9002.90
9006.30.00
8541.51.00
8541.59.00
9029.20
STT
Mã HS
9031.49
Đặc điểm kỹ thuật,
công nghệ
Mô tả hàng hóa
Mã ECCN
tham chiếu
khoảng thời gian dưới Mục 6A225 bao gồm các máy đo giao thoa vận tốc như:
10 micro giây.
- VISARs (Hệ thống máy đo giao thoa vận tốc cho mọi vật phản xạ);
- DLIs (Máy đo giao thoa laser Doppler);
- PDV (Máy đo vận tốc Doppler quang học), còn được gọi là Het-V
(Máy đo vận tốc dị hồi - Heterodyne Velocimeters);
- Máy đo giao thoa vận tốc vi sóng, bao gồm cả các máy đo vận tốc
trộn quang - vi sóng.
8541.60.00
9026.20
9026.90.00
Đồng hồ đo áp suất có
Bộ biến đổi áp suất thạch anh cho các mức áp suất lớn hơn
khả năng đo áp suất lớn
10 GPa
hơn 10 GPa
6A226.b
Thiết bị âm thanh trên biển hoặc trên cạn, có khả năng phát hiện hoặc định vị các vật thể hoặc đặc điểm dưới nước hoặc
định vị tàu nổi hoặc phương tiện dưới nước
Ghi chú:
(i) Mục 6A001.a.1. không kiểm soát các thiết bị sau đây:
a. Máy đo độ sâu hoạt động theo phương thẳng đứng bên dưới thiết bị, không bao gồm chức năng quét vượt quá ± 20𝑜 , và giới hạn
ở việc đo độ sâu của nước, khoảng cách của các vật thể chìm hoặc bị vùi lấp, hoặc máy dò cá (fish finding);
b. Phao vô tuyến âm thanh (Acoustic beacons), bao gồm:
- Phao âm thanh khẩn cấp (Acoustic emergency beacons);
- Máy phát tín hiệu (Pingers) được thiết kế chuyên dụng để định vị lại hoặc quay trở lại một vị trí dưới nước.
(ii) Ghi chú kỹ thuật:
Cho mục đích của mục 6A001.a.1.a., tăng cường (enhancement) bao gồm khả năng bù đắp (sai số) bằng các phương tiện bên ngoài.
STT
10.1
Mã HS
8543.70
9015.80
9030.39.00
Đặc điểm kỹ thuật,
công nghệ
Mô tả hàng hóa
1. Thiết bị khảo sát trên tàu mặt nước được thiết kế để lập bản
đồ địa hình đáy biển và có tất cả các đặc điểm sau:
a. Được thiết kế để đo đạc ở một góc vượt quá 20𝑜 so với
phương thẳng đứng;
b. Được thiết kế để đo địa hình đáy biển ở độ sâu trên 600 m;
c. Độ phân giải đo sâu (Sounding resolution) nhỏ hơn 2;
d. Tăng cường (Enhancement) độ chính xác về độ sâu thông qua
Thiết bị khảo sát đáy việc bù trừ cho tất cả các yếu tố sau:
biển bằng âm thanh
- Chuyển động của cảm biến âm thanh;
- Sự lan truyền trong nước từ cảm biến đến đáy biển và ngược
lại;
- Tốc độ âm thanh tại vị trí cảm biến.
Mã ECCN
tham chiếu
6A001.a.1.a.1
Ghi chú:
Mục đích của mục 6A001.a.1.a.1.c., độ phân giải đo sâu (sounding
resolution) được tính bằng chiều rộng dải quét (tính bằng độ) chia
cho số lượng phép đo sâu tối đa trên mỗi dải quét.
2. Thiết bị khảo sát dưới nước được thiết kế để lập bản đồ địa
hình đáy biển và có bất kỳ đặc điểm nào sau đây:
8543.70
10.2
9015.80
9030.39.00
Ghi chú:
Thiết bị khảo sát đáy Cho mục đích của mục 6A001.a.1.a.2., định mức áp suất của cảm
biến âm thanh sẽ quyết định định mức về độ sâu.
biển bằng âm thanh
a. Có tất cả các đặc điểm sau:
1. Được thiết kế hoặc sửa đổi để hoạt động ở độ sâu vượt quá
300 m;
6A001.a.1.a.2
STT
Mã HS
Đặc điểm kỹ thuật,
công nghệ
Mô tả hàng hóa
2. Tốc độ đo sâu (Sounding rate) lớn hơn 3.800 m/s.
Ghi chú:
Cho mục đích của mục 6A001.a.1.a.2.a.2., tốc độ đo sâu là tích số
của tốc độ vận hành tối đa (m/s) của cảm biến và số lượng phép đo
sâu tối đa trên mỗi dải quét (giả định độ che phủ 100%). Đối với các
hệ thống tạo ra phép đo sâu theo hai hướng (sonars 3D), sẽ sử dụng
giá trị tốc độ đo sâu tối đa của một trong hai hướng đó.
b. Thiết bị khảo sát không được quy định tại mục
6A001.a.1.a.2.a., có tất cả các đặc điểm sau:
1. Được thiết kế hoặc sửa đổi để hoạt động ở độ sâu vượt quá
100 m;
2. Được thiết kế để thực hiện các phép đo ở góc vượt quá 20°
so với phương thẳng đứng;
3. Có bất kỳ đặc điểm nào sau đây:
a. Tần số hoạt động dưới 350 kHz; hoặc
b. Được thiết kế để đo địa hình đáy biển ở khoảng cách vượt
quá 200 m tính từ cảm biến âm học; và
4. Có khả năng Tăng cường (Enhancement) độ chính xác về độ
sâu thông qua việc bù trừ cho tất cả các yếu tố sau:
a. Chuyển động của cảm biến âm thanh;
b. Sự lan truyền trong nước từ cảm biến đến đáy biển và ngược
lại;
c. Tốc độ âm thanh tại vị trí cảm biến.
Mã ECCN
tham chiếu
STT
Mã HS
Đặc điểm kỹ thuật,
công nghệ
Mô tả hàng hóa
Mã ECCN
tham chiếu
3. Sonar quét sườn (SSS) hoặc Sonar khẩu độ tổng hợp (SAS),
được thiết kế để tạo ảnh đáy biển và có tất cả các đặc điểm sau,
cùng với các mảng âm học thu - phát được thiết kế chuyên dụng
cho các loại Sonar trên:
a. Được thiết kế hoặc sửa đổi để hoạt động ở độ sâu trên 500 m;
8543.70
10.3
9015.80
9030.39.00
b. Có tốc độ che phủ diện tích (area coverage rate) trên 570 m2/s
khi vận hành ở tầm xa tối đa mà nó có thể hoạt động với độ phân
giải dọc hành trình (along track resolution) nhỏ hơn 15 cm;
c. Có độ phân giải ngang hành trình (across track resolution)
Thiết bị khảo sát đáy
nhỏ hơn 15 cm.
biển bằng âm thanh
6A001.a.1.a.3
Ghi chú:
Cho mục đích của mục 6A001.a.1.a.3.:
1. Tốc độ che phủ diện tích (m2/s) bằng hai lần tích số của tầm xa
sonar (m) và tốc độ vận hành tối đa (m/s) của cảm biến tại tầm xa đó.
2. Độ phân giải dọc hành trình (cm), chỉ dành cho SSS, là tích số của
độ rộng chùm tia phương vị (ngang) (tính bằng độ), tầm xa sonar (m)
và hệ số 0,873.
3. Độ phân giải ngang hành trình (cm) bằng 75 chia cho băng thông
tín hiệu (kHz).
8543.70
10.4
9015.80
9030.39.00
b. Các hệ thống hoặc mảng thu-phát âm thanh, được thiết kế để
Thiết bị khảo sát đáy phát hiện hoặc xác định vị trí vật thể, có bất kỳ đặc điểm nào
sau đây:
biển bằng âm thanh
1. Có tần số phát dưới 10 kHz;
6A001.a.1.b
STT
Mã HS
Mô tả hàng hóa
Đặc điểm kỹ thuật,
công nghệ
Mã ECCN
tham chiếu
2. Mức áp suất âm thanh vượt quá 224 dB (quy chiếu 1 μPa tại
1 m) đối với thiết bị có tần số hoạt động trong dải từ 10 kHz đến
24 kHz (bao gồm cả hai giá trị này);
3. Mức áp suất âm thanh vượt quá 235 dB (quy chiếu 1 μPa tại
1 m) đối với thiết bị có tần số hoạt động trong dải từ 24 kHz đến
30 kHz;
4. Tạo chùm tia nhỏ hơn 1° trên bất kỳ trục nào và có tần số hoạt
động thấp hơn 100 kHz;
5. Được thiết kế để hoạt động với tầm hiển thị không gây nhầm
lẫn (unambiguous display range) vượt quá 5.120 m;
6. Được thiết kế để chịu được áp suất trong quá trình vận hành
bình thường ở độ sâu vượt quá 1.000 m và có các bộ biến năng
(transducers) sở hữu bất kỳ đặc điểm nào sau đây:
a. Có khả năng bù động theo áp suất (Dynamic compensation
for pressure);
b. Sử dụng vật liệu biến năng khác ngoài chì zirconate titanate
(PZT).
8543.70
10.5
9015.80
9030.39.00
d. Các hệ thống và thiết bị âm thanh, được thiết kế để xác định
vị trí của các tàu mặt nước hoặc các phương tiện chìm dưới nước
và có tất cả các đặc điểm sau, cùng với các thành phần được
Thiết bị khảo sát đáy thiết kế chuyên dụng cho chúng:
biển bằng âm thanh
1. Tầm phát hiện vượt quá 1.000 m;
2. Sai số xác định vị trí nhỏ hơn 10 m rms (sai số trung bình
bình phương) khi đo ở khoảng cách 1.000 m;
6A001.a.1.d
STT
Mã HS
Đặc điểm kỹ thuật,
công nghệ
Mô tả hàng hóa
Mã ECCN
tham chiếu
Ghi chú:
Mục 6A001.a.1.d. bao gồm:
a. Thiết bị sử dụng phương pháp xử lý tín hiệu liên kết (coherent
signal processing) giữa hai hoặc nhiều phao vô tuyến (beacons) và
bộ ống nghe dưới nước (hydrophone) đặt trên tàu mặt nước hoặc
phương tiện chìm;
b. Thiết bị có khả năng tự động hiệu chỉnh sai số do sự lan truyền tốc
độ âm thanh để tính toán tọa độ điểm.
e. Các hệ thống sonar chủ động riêng lẻ, được thiết kế chuyên
dụng hoặc được sửa đổi để phát hiện, xác định vị trí và tự động
phân loại người bơi hoặc người lặn, có tất cả các đặc điểm sau,
cùng với các mảng âm học thu-phát được thiết kế chuyên dụng
cho chúng:
8543.70
10.6
9015.80
9030.39.00
1. Tầm phát hiện vượt quá 530 m;
Thiết bị khảo sát đáy
2. Sai số xác định vị trí nhỏ hơn 15 m rms (sai số trung bình
biển bằng âm thanh
bình phương) khi đo ở khoảng cách 530 m;
6A001.a.1.e
3. Băng thông tín hiệu xung phát vượt quá 3 kHz;
Ghi chú:
Đối với mục 6A001.a.1.e., trường hợp có nhiều tầm phát hiện được
quy định cho các môi trường khác nhau, giá trị tầm phát hiện lớn
nhất sẽ được sử dụng làm căn cứ.
*Ghi chú:
- Mã ECCN sử dụng trong Danh mục được trích từ EU list of dual use item C(2025) 5947 final của Liên minh châu Âu.
