
資料來源:司法院裁判書系統
智慧財產法院民事裁定
104年度民暫抗字第7號
- 抗告人
- 新世紀光電股份有限公司
- 法定代理人
- 鍾寬仁
- 代理人
- 邵瓊慧律師
- 代理人
- 鍾薰嫺律師
- 代理人
- 金益先律師
- 代理人
- 陳○○
- 相對人
- 李允立
- 代理人
- 黃慧萍律師
上列當事人間聲請定暫時狀態之處分事件,抗告人對於本院中華民國104 年5 月7 日103 年度民暫字第21號第一審裁定提起抗告,本院裁定如下:
主文
原裁定廢棄。
相對人於兩造間侵害營業秘密爭議之本案訴訟判決確定前,不得利用、發表或洩漏相對人任職新世紀光電股份有限公司期間所知悉該公司所有關於如附表A 所示之「氮化物磊晶」、「覆晶晶片、元件及光引擎模組」、「UV LED元件及光引擎模組」技術之製程、參數及配方、設計、「專利布局」及客戶明細、銷售資料等「業務及生產資訊」營業秘密及機密資訊。
相對人不得為自己或第三人之利益,唆使或利誘新世紀光電股份有限公司磊晶開發處、晶粒開發處、元件開發處、基板晶圓工程部、晶粒工程處、磊晶製造處、晶粒業務處及元件模組業務處之員工離職。
聲請及抗告費用由相對人負擔。
理由
一、按「抗告,除本編別有規定外,準用第三編(上訴審程序)第一章(第二審程序)之規定。」、「上訴人於終局判決前,得將上訴撤回。但被上訴人已為附帶上訴者,應得其同意。」,為民事訴訟法第495 條之1 第1 項、第459 條第1 項所明定。是抗告人於終局判決前,得將抗告之一部撤回,且因抗告程序無附帶抗告規定,毋庸取得相對人同意(最高法院72年台聲字第243 號裁定參照)。本件抗告人於請求裁定事項之第二項聲明原為:「禁止相對人於104 年12月31日前任職英屬開曼群島商○○科技股份有限公司(P○○ TRIDEINC.)或替英屬開曼群島商○○科技股份有限公司提供服務。」,因原裁定駁回抗告人原聲請,抗告人不服對原裁定之全部提起抗告,惟於本件抗告程序具狀聲請撤回上開聲明(見本院卷第119 頁),為抗告之一部撤回,依前揭規定,應予准許。
二、抗告人於原審聲請意旨略以:
㈠聲請人專注於發光二極體(LED )磊晶圓(EPI Wafer ,或稱「外延片」)及晶粒(Chip,或稱「蕊片」)之研發製造,近3 年更積極布局高功率(High Power)、覆晶(Flip Chip )封裝技術。相對人自民國97年8 月1 日起即任職聲請人,並與聲請人簽訂有「新世紀光電股份有限公司服務契約書」(下稱服務契約書),先後擔任聲請人技術開發處副處長、技術開發處處長、研發中心副總經理、執行副總經理暨技術長等重要研發及行政職務。聲請人與相對人更於99年6月17日簽署「獎金特別發放契約」(下稱獎金契約書)。
㈡相對人於102 年12月11日離職,離職前即不斷主導抗告人與第三人合併事宜,並擬將聲請人之研發團隊切割成為新設公司,後因合併破局,遂離職而於103 年6 月9 日成立英屬開曼群島商○○科技股份有限公司(下稱○○公司),隨即唆使抗告人公司之關鍵研發團隊重要成員9 位離職,自103 年2 月至8 月間,抗告人又有17位各部門重要員工先後離職至○○公司任職。○○公司現有經營方式為無廠半導體公司(Fabless )、專門販售研發發光二極體磊晶圓及晶粒技術與產品規劃,更透過租賃機台之方式製造相關產品,與抗告人業務相同;自○○公司成立後,抗告人在中國大陸手機市場即開始失去訂單。相對人創設○○公司,並擔任負責人,勢將不可避免地使用抗告人機密資訊及營業秘密,造成抗告人之重大損失,為避免聲請人發生重大難以回復之損害,依營業秘密法第11條第1 項、服務契約書、民事訴訟法第538 條第1 項、智慧財產案件審理法第22條第2 項規定,聲請原審為如下之裁定:⒈在兩造間侵害營業秘密爭議之本案訴訟判決確定前:⑴禁止相對人利用、發表或洩漏抗告人所有或持有之與LED 產品及製程相關之營業秘密及機密資訊,包括:非一般涉及該類資訊所知之一切製程、程式、專門技術、技術資料、經營資料、材料、設計、參數及配方、客戶明細、銷售資料等;⑵禁止相對人於104 年12月31日前任職○○公司或提供服務;⑶相對人不得為自己或第三人之利益,唆使或利誘聲請人員工離職;⒉並願提供現金或等值無記名可轉讓定期存單為擔保。
㈢原審裁定駁回抗告人之請求,抗告人不服提起抗告,並減縮上述禁止相對人於104 年12月31日前為○○公司提供服務等情。
三、抗告意旨略以:
㈠因相對人若干不誠信行為,致抗告人營業秘密有遭侵害之高度危險性,而營業秘密一旦遭侵害即無可回復,現行實務營業秘密所有人多先提起定暫時狀態處分之聲請,待裁准後始提起本案訴訟,以免對於抗告人營業秘密之保護緩不濟急。且抗告人依營業秘密法第11條及相對人所簽署服務契約書第3.6 條及第3.7 條之規定,請求禁止相對人利用、發表或洩漏相對人任職抗告人期間所知悉之抗告人所有關於「氮化物磊晶」、「覆晶晶片、元件及光引擎模組」、「UV LED元件及光引擎模組」技術之製程、參數及配方、設計、「專利佈局」及客戶明細、銷售資料等「業務及生產資訊」等營業秘密及機密資訊(如附表A 例示)。
㈡相對人離職後透過挖角抗告人員工之手段,以窺探抗告人之營業秘密及最新發展之技術,而上述LED 等營業秘密為抗告人在市場上維持領先地位之重要資產,公司內之研發、業務及其他相關資訊人員,知悉公司之營業秘密甚詳,為免第三人透過挖角手段,不正當取得抗告人公司之營業秘密,抗告人依據營業秘密法第11條及兩造簽署之服務契約書第1.8 條規定,請求裁定禁止相對人唆使或利誘抗告人之員工離職。
㈢抗告人係專注於發光二極體(LED )之研發製造公司,營業項目包含上游之「藍寶石晶圓/ 晶片」、磊晶、晶粒製程及下游之「封裝/ 模組」與照明光源等。所營業範圍包含上游之「藍寶石晶圓/ 晶片」及下游之「封裝/ 模組」,即包括模組(Level 3 )及照明光源(Level 4 ),又相對人於原審提出之「工研院技術授權協議書」內容,顯示○○公司早於103 年5 月間(即相對人競業期間之內),與財團法人工業研究院(下稱工研院)簽署合作開發契約,取得工研院專利與技術授權,非有關模組及照明光源等技術,而相對人主要對抗告人公司接觸及挖角之對象皆為專精磊晶及晶片之專業人員,顯見相對人設立○○公司確係以磊晶及晶片研發為主,相對人辯稱○○公司為經營LED產業鏈中之模組(Level3 )及照明光源(Level4)云云,並不可採。因之,雙方間為競爭關係,而相對人任職於抗告人公司時,係擔任抗告人位階最高之技術及研發管理人員,對抗告人之「氮化物磊晶」、「覆晶晶片、元件及光引擎模組」、「UV LED元件及光引擎模組」技術之製程、參數及配方、設計、「專利佈局」及客戶明細、銷售資料等「業務及生產資訊」等營業秘密及機密資訊瞭若指掌,在抗告人公司之地位僅次於董事長及總經理,具有特殊性,其瞭解抗告人公司之生產經營及管理資訊。
㈣相對人創設○○公司目的,意在複製抗告人公司之組織結構並取得抗告人公司之營業秘密,並不斷要求抗告人應提出鉅額資金慰留其所指定之關鍵研發團隊之相關人員,以攏絡關鍵研發團隊;相對人於離職後之1 至3 個月期間,相對人之前所提出之關鍵研發團隊之多數一級主管即陸續離職,並隨即至相對人之新設公司任職,與抗告人進行不公平競爭,且自○○公司成立後,中國大陸○○光電股份有限公司(下稱○○公司)之產品結構即趨近於抗告人之產品,顯見相對人業已對外使用、販售抗告人營業秘密;另由抗告人於原審提出之「相對人公司產品與中國○○產品之分析報告及說明」比對分析(聲證30),可知○○公司之光電發光二極體(LED) 藍寶石基板晶圓產品,必然在製程步驟上,作成參數調整。該製程參數調整已經跳脫自行開發的脈絡與範疇,顯然由其他管道取得參數設計,進而導入其產品。在如此短的時間內,○○公司之發光二極體(LED) 藍寶石基板晶圓在結構設計上能與抗告人產品有如此高度相似性,可以客觀與合理判斷,○○公司係參考並複製抗告人的製程參數與結構設計,來改善其發光二極體之製程與結構。其次,除了較無產業特殊性之一般管理部門外,相對人幾乎將抗告人研發、製造及業務部門之人才一網打盡,納入其利誘或唆使抗告人員工離職之範圍。顯見相對人創立○○公司之目的,乃係為有計畫性地複製抗告人之組織架構,而利誘或唆使相對應之抗告人員工離職,侵害抗告人之營業秘密。
㈤相對人現為○○公司負責人,負責該公司研發內容及方向,其職務內容與任職於抗告人公司時之職務內容相當,為其於本件庭訊時所自承;相對人雖辯稱○○公司與抗告人公司間無競爭關係云云,惟相對人○○公司大量挖角抗告人公司關於磊晶、晶粒製程等研發人員,使其主要研發團隊與抗告人有密切關係,更足證○○公司確實已從事或擬從事與抗告人公司技術或業務之不公平競爭。
㈥抗告人之抗告聲明如主文所示。
四、相對人答辯意旨略以:
㈠抗告人於原審迄本件提起抗告時止,僅一再以概括且抽象方式空言陳述為保護其營業秘密資訊,惟其始終無法具體指明或呈現抗告人所稱此等獨有之營業秘密資訊內容或範圍為何,未提起本案訴訟以具體表明其請求或爭執事實,其並無具體事證足以提起本案訴訟,或無意透過本案訴訟解決所謂爭執法律關係,而僅係欲藉本件定暫時狀態處分為手段以遂其打擊相對人聲譽之目的。抗告人於原審聲明囊括晶片生產與研發、製程、程式、專門技術、成本策略、客戶明細、商業策略、設計、材料、經營資料、技術資料、參數及配方、銷售資料等各種不確定抽象空洞之名詞搪塞,究竟係何項營業秘密及營業秘密之具體內容,抗告人始終未能正面說明其所主張請求保護之營業秘密具體內容,原審已給予抗告人釋明機會,於原裁定理由中已逐一具體說明抗告人所舉事證,於形式上觀之,未對相對人持有抗告人所有之營業秘密之具體範圍加以特定,亦均無從使原審形成薄弱心證認相對人知悉抗告人特定之營業秘密為何及有侵害其營業秘密之虞之依據。
㈡抗告人於原審及抗告狀強調該公司對於營業秘密採取保密措施,然此充其量僅係說明抗告人對於營業秘密之保護措施,就本件請求保護營業秘密具體內容為何?是否符合營業秘密要件?等均未提出具體證明。又縱認相對人曾參與開發該公司磊晶、晶粒等技術、負責MLED封裝技術發展計畫、研發中心會議或經營管理會議等情屬實,此乃屬相對人因職務上關係合理接觸資訊,此等資訊亦非概屬營業秘密或為相對人於離職後繼續知悉、持有。另抗告人未提出可供即時調查之證據釋明相對人有何洩露或行使所謂抗告人營業秘密之異常行為,事實上相對人乃光明正大任職○○公司,實無從執此即逕推論相對人於離職後仍持有抗告人之營業秘密,且已洩漏或將有洩露之虞,原審裁定駁回抗告人之請求,於法有據。
㈢抗告人於抗告程序中亦未提出適當證據釋明營業秘密為何及具體特定其內容:
⒈抗告人抗告聲明所請求保護之營業秘密項目「氮化物磊晶」、「覆晶晶片、元件及光引擎模組」、「UVLED 元件及光引擎模組」等,均係LED 產業或學界普遍使用或知悉之技術名稱及技術類型而已,從形式上以觀,根本無從知悉抗告人所指營業秘密之內容究為何,遑論抗告人亦未提出可供即時調查之證據釋明之。
⒉況依下列事證及說明,抗告人所請求保護之營業秘密之類型及內容之說明,從客觀形式上以觀,或屬相對人原有之固有知識,或屬LED 業界已開發且普遍知悉之技術資訊,抗告人並未提出適當之證據釋明其營業秘密為何及具體特定其內容:
⑴抗告人附表A 所列「A-1 高電流密度磊晶技術」、「A-2 高發光效率磊晶技術」,相對人早於87年在美國攻讀碩博士學位時起,即專研「高電流密度磊晶技術」、「高發光效率磊晶技術」等技術,及至相對人回國任教於台灣大學,仍持續研究並發表研究成果,相對人在加入抗告人公司前不僅原即擁有上開技術之相關知識,並於任職抗告人公司期間以相對人所具專業知識及技術挹注抗告人公司,則抗告人未就其所主張相對人任職該公司期間所知悉之上開技術內容及相對人任職前即有之知識有何區別等事實,盡其釋明責任。
⑵抗告人附表A 所列「A-3 ALN 種子層與VEECO 平台之磊晶開發技術」:
①抗告人既稱所謂「ALN 種子層與VEECO 平台之磊晶開發技術」為抗告人於西元(下同)2011年與日本夏普簽署技術合作開發協議,合作四年始開發成功並共有之特有磊晶技術云云,抗告人未提出任何可供即時調查之證據釋明;況依抗告人所稱之技術開發時程來看,該技術應係於104 年始開發成功,其竟誇稱「該技術於過去三年領先業界量產磊晶圓於高電流密度時之發光效率」,殊難理解抗告人所稱2015年始開發成功之技術,於相對人102 年離職時即知悉或持有抗告人所稱開發成功之技術。
②依相對人所知,「ALN 種子層」,原文為:ALN SeedLayer 或稱Buffer Layer,乃Professor Amano 早於1988年即已公開發表之技術,抗告人所稱「VEECO 平台之磊晶開發技術」,相對人根本不知,據相對人瞭解VEECO 係一家LED 設備製造商,該公司所生產銷售之有機金屬化學氣相沉積(MOCVD )設備已公開銷售之規格型號即已多達7 種,且依VEECO 公司網頁介紹:「借助我們業界領先的有機金屬化學氣相沉積(MOCVD )系統,將您的LED 製造業提升至最高產量及最高資本效益。VEECO 已經投產證實的有機金屬化學氣相沉積(MOCVD )技術將促使LED 成本下降,有助將LED 技術推廣至背光及普通照明等應用中」,然對照抗告人前陳稱:「目前聲請人公司的磊晶製程採有機金屬化學氣相沉積法(MOCVD )」,卻將MOCVD 技術納入該公司營業秘密範圍,顯誤導事實。
③縱抗告人所稱「ALN 種子層與VEECO 平台之磊晶開發技術」係指該公司使用VEECO 公司所販售之MOCVD 製程設備,所輸入影響晶片產品之產率及成本之參數、配方等技術資訊等語為真實,然VEECO 公司所販售之MOCVD 製程設備本有不同新舊規格及機型,且推出更新MOCVD 製程設備,而不同規格及機型之VEECO 設備,使用者會因應其所使用之特定VEECO 設備,發展出所使用之VEECO 設備相對應可以提高產率及降低成本之參數、配方,換言之,使用者所開發之參數、配方必不可能一成不變地適用不同規格及機型之VEECO 設備。因此,抗告人所謂「ALN 種子層與VEECO 平台之磊晶開發技術」,自有必要由抗告人先行釋明此等特有磊晶開發技術究係使用VEECO 公司何機型及規格之MOCVD 製程設備?否則仍欠缺具體特定其所主張之營業秘密內容。
⑶抗告人附表A 所列「B-1 覆晶晶片技術」、「B-2 覆晶晶片級封裝」:
①所謂「覆晶技術」乃晶片封裝技術的一種,此技術起源於1960年代,是IBM 開發出之技術,目前覆晶技術已經被普遍應用在微處理器封裝,而且也成為繪圖、特種應用、和電腦晶片組等的主流封裝技術,此有維基百科搜尋之說明,可資參考,由此可知,所謂「覆晶技術」係一種晶片封裝技術之統稱,抗告人執此作為定暫時狀態處分之營業秘密標的,顯然未具體特定其範圍。
②相對人早於2006年即已與簡○○、溫○○等二人共同發表並申請「覆晶式發光二極體封裝結構與發光二極體晶片」之專利技術,相對人對覆晶技術所擁有之知識及實務應用經驗,於相對人任職抗告人前即已擁有,相對人既在加入抗告人前原即擁有覆晶技術之知識,則抗告人至少應就其所主張相對人任職該公司期間所知悉之上開技術內容究為何?又如何區別?等事實,負釋明責任。
⑷抗告人附表A 所列「C-1 NUV 固化元件與模組設計」、「C-2 UV磊晶、覆晶、垂直LED 元件與模組技術」:
①抗告人所稱「NUV 固化元件與模組設計」,相對人不知其所云為何?但為免抗告人以看似專業技術之話術,誤導事實,相對人嘗試解讀抗告人附表A 之說明,應係指將NUV 技術應用於各種設備之領域,例如抗告人所提及應用於智能燈具、指甲燈等設備,但抗告人根本未釋明該公司所開發之所謂「NUV 固化元件與模組設計」之技術,究係為了開發應用於何種用途之設備?關此事實,攸關此等所謂「NUV 固化元件與模組設計」技術之如何特定及具體範圍,應由抗告人負釋明責任。
②另抗告人一改之前所使用「UVA 」技術,於其所提出之附表A 改使用「NUV 」,實則,「UVA 」即「NUV」,而所謂UVA ,乃指紫外光發光二極體依發光波長之不○區○○○○○段,即UVA (發光波長介於320-400 奈米)、UVB (發光波長介於280-320 奈米)、UVC (發光波長在280 奈米以下),而依工研院電光所朱○○組長之聲明內容(相證9 號),UVA 技術乃屬於業界熟知且已發展成熟之技術,此等技術實際應用之產品領域及用途甚廣,早期初階係應用於驗鈔機、工業螢光染料洩漏偵查、望遠鏡、指甲燈等,此乃屬業界普遍使用之技術。
③抗告人所稱「UV磊晶、覆晶、垂直LED 元件與模組技術」,依抗告人之說明內容,係指發光波長介於270至405 奈米之磊晶結構技術開發資料云云等語(見抗告人附表A ,C-2 「營業秘密內容」),然如前述紫外光發光二極體三種波段之說明,倘如抗告人所稱,此項技術內容涵蓋擴及UVA (發光波長介於320-400奈米)、UVB (發光波長介於280-320 奈米)、UVC(發光波長在280 奈米以下)等各波段之技術,則範圍甚廣,顯未將該內容特定。又徵諸工研院電光所朱○○組長之聲明內容(見相證9 號),該所原欲進行之UVC 開發專案,係因抗告人放棄申請參與上開專案,事實上根本未進行開發;另對照抗告人總經理陳oo於抗告程序中提出之簡報第11頁,即工研院電光所推廣經理張○○103 年7 月28日電子郵件內容所載:「UVC LED 計畫簽約後我會安排雙方討論及業科計畫申請內容,盡快重新申請。」等語,清楚可證在相對人任職期間擬啟動之上開專案開發計畫,抗告人在申請階段即已中斷計畫,根本無開發之事實,否則何需有103 年重新申請等情。縱抗告人有與工研院共同開發UVC LED 之計畫,從上開電子郵件時間來看,係相對人於102 年12月11日離職一年後之事,UVC LED 開發計畫於相對人任職抗告人公司期間根本未進行,不可能有抗告人所稱相對人為該專案之申請人因此知悉抗告人技術之情形,抗告人故意誤導事實。
⑸抗告人附表A所列「D-1 專利佈局」:相對人自抗告人公司離職迄今已逾二年,對於抗告人之專利佈局內容究為何,並不清楚,亦未見抗告人提出可供即時調查之證據釋明抗告人所謂技術量能、專利技術之優劣勢及佈局為何?或至少亦應釋明相對人在任職抗告人公司曾接觸或知悉該公司所謂技術量能、專利技術之優劣勢及佈局為何?否則非認抗告人在未提出任何證據釋明之下,僅憑抗告人片面之詞,即可透過法院取得定暫時狀態處分,宣示內容不明之權利,顯不合理。
⑹抗告人附表A 所列「E-1 客戶資料、人事資料與公司財務成本資料」:相對人自抗告人公司離職迄今已逾二年,抗告人所主張之客戶資料、人事資料與公司財務成本資料,歷經二年究有何營業秘密價值?亦未見抗告人提出可供即時調查之證據釋明抗告人所謂客戶資料、人事資料與公司財務成本資料具體內容為何?或至少亦應釋明相對人在任職抗告人公司曾接觸或知悉該公司所謂客戶資料、人事資料與公司財務成本資料之具體內容。
⒊抗告人所自稱磊晶技術之實施涉及不同溫度、流量、轉速、壓力等複雜之程式設計、製程、參數、配方等複雜數據,衡諸常理,縱使相對人於任職期間曾接觸,相對人亦難憑記憶維持知悉狀態,且相對人離職已逾二年,如何單憑相對人曾任職抗告人公司或曾接觸或曾有接觸之機會,即認相對人離職後有繼續持有或知悉抗告人所稱此等複雜之配方或參數之事實。
㈣抗告人就本件保全必要性未提出證據釋明:
⒈抗告人主張相對人已將抗告人營業秘密洩漏予其競爭對手中國大陸○○公司,無非執相對人創立○○公司後,○○公司光電產品轉向並使用其特有結構技術,且抗告人於大陸手機市場即開始掉單云云等情為基礎,惟抗告人未提出證據釋明,說明如下:
⑴抗告人雖委請第三人○○科技股份有限公司之檢測報告,並非可供即時調查之證據,且其真實性及正確性涉及所進行檢測之產品項目、檢測方法、檢測標準等專業檢測技術及檢測方法,且檢測結果之判讀,法院現實上亦難進行即時調查,故此項證據顯未該當判斷本件定暫時狀態處分否准之證據資格。
⑵抗告人所稱「自○○公司成立以降,中國○○之產品結構即趨近於抗告人之產品」云云,其主張除了○○公司成立時間有客觀設立資料可資證明外,其餘事實主張根本未提出任何證據,○○公司產品結構是否趨近於抗告人產品、是否於103 年9 月開始改變?○○公司產品結構改變是否因使用抗告人特有之結構技術?等事實,抗告人始終未提出可供即時調查之證據。
⑶抗告人稱相對人成立○○公司,係引進投資者○○公司之股東○○公司,以洩漏抗告人營業秘密云云,然此違背常理及經驗法則,因如果相對人有洩露抗告人技術之想法,相對人大可私下接受高報酬將所謂抗告人營業秘密提供於○○公司,又何需捨此,大費心力成立○○公司。抗告人又稱自○○公司成立後,於大陸手機市場即開始掉單云云,此係建立在抗告人不實臆測,縱認抗告人有訂單流失之情事,與○○公司之成立有何關聯性,抗告人未提出證據釋明。自相對人離職後迄今,依抗告人所提出之102 年度年報所揭露之營收獲利資料(聲證3 )及該公司對外公開102 年度及103 年度營收資料所示(相證9 號),抗告人獲利呈逐月增加、產能滿載,無抗告人所稱訂單每月流失之問題,甚至103 年度稅後盈餘呈現虧轉盈之狀況,益證抗告人所稱自○○公司成立後,抗告人於大陸手機市場即開始失去訂單、抗告人代理商以相對人透過○○公司提供○○公司技術為由,使抗告人受有降價出售商品損失每月達新台幣5 千萬至6 千萬元間云云,係惡意杜撰之不實指控,將責任歸咎於相對人。
⒉抗告人主張相對人將不可避免地洩漏營業秘密,亦未提出證據釋明:
⑴抗告人自己對外公開之102 年度年報資訊,已詳實記載抗告人主要營業及產品為磊晶片及磊晶粒(相證1 號),抗告人未來發展策略以「致力於高亮度氮化錮鎵之藍綠光發光磊晶圓與二極體晶粒之技術開發」(相證2 號),抗告人此類LED 磊晶廠之廠商,主要仰賴應用領域即電視背光產品及照明產品之終端需求,客戶為生產電視面板之廠商(例如三星公司)或生產照明產品之廠商(例如飛利浦公司);而○○公司致力於開發UV LED終端需求之應用,包括抗告人在內之磊晶廠所生產之磊晶片產品,係○○公司開發UV LED新的終端需求應用所需採購之零組件,有○○公司採購文件(相證11號)可證。抗告人屬○○公司之上游供應商之一,兩公司間不具競爭關係,此由抗告人自承「故其在離開抗告人後,仍可於台灣或其他區域LED 產業鏈之上下游產業中覓得理想之職務」等語可證,而抗告人承認相對人所負競業禁止義務之範圍不及於抗告人在LED 產業鏈之上下游產業。因此,抗告人稱相對人為○○公司所需,將不可避免地洩漏其營業秘密云云,毫無根據。
⑵抗告人自己對外公開之102 年度年報資訊,揭示抗告人主要營業及產品為磊晶片及磊晶粒,且「發光二極體晶粒」及「LED WAFER 」二項屬於LED 產業供應鍊Level0 「磊晶與晶片之製程」之業務,佔抗告人營收比重合計達96.46%,封裝或模組非屬抗告人實際營業項目,抗告人稱其營業範圍包含下游之封裝及模組,與○○公司重疊云云,並非事實。
⑶第三人○○光電股份有限公司(下稱○○公司)與○○公司素來為競爭對立關係,雙方嚴重交惡,為業界所熟知,此由抗告人於原審提出聲證28及29媒體報導可證,○○公司因併購訴外人○○光電股份有限公司(下稱OO公司)而成為○○公司股東及董事,其不可能任由三安公司取得○○公司研發技術,衡諸常理,不可能發生抗告人所臆測相對人透過○○公司將抗告人所稱之技術洩漏於○○公司,抗告人推論顯為無稽。
⒊訴外人○○公司為○○公司股東之事實,不能釋明相對人洩漏抗告人所稱之營業秘密:訴外人○○公司原為○○公司股東,與抗告人在LED 產業供應鏈上,兩者同屬Level 0 之LED 磊晶廠之競爭關係,但在LED 技術發展上,○○公司早於2012年晶粒封裝後發光效率即已達230 lm/W(相證3 號),較之於抗告人公司之技術僅140-150 lm/W(相證4 號),嗣○○公司與○○公司合併,而○○光電公司為全世界第一大磊晶廠,所擁有之LED 磊晶及晶粒專業技術優於抗告人,居於業界領導地位,衡諸常理,原市場占有率位居一、二之○○光電公司及○○公司,不可能為取得落於其等之後之抗告人技術而投資○○公司。相對人在抗告人任職時使用或利用為業界習知或已開發技術,嗣設立○○公司之技術如仍使用在抗告人處所得知之資訊,不會吸引投資人投資,而當前LED 產業界大者恆大,相對人不可能笨到投入資金發展與抗告人等磊晶廠相同之產業。
㈤抗告人請求禁止誘引抗告人員工部分亦無理由:
⒈相對人於原審已明確表明離職後未違反服務契約書之禁止挖角義務,且主張抗告人離職員工於離職後任職○○公司之事實,不能作為相對人違反禁止挖角義務之釋明,抗告人故意曲解,主張相對人自承挖角抗告人公司員工云云,係片面故陷相對人於罪之空言指摘。抗告人難僅憑其前員工任職○○公司之事實,即謂抗告人有何急迫危險或重大損害發生之虞,而有定暫時狀態處分予以防止或避免之必要。
⒉抗告人於原審忽然當庭提出該公司人資處處長王○○之聲明書主張相對人於離職後,仍不斷接洽並試圖挖角抗告人員工,繼續探知抗告人營業秘密云云,係建立在不實傳聞及臆測虛構不實之基礎上,相對人坦然以對,抗告人於抗告程序中,意圖誤導鈞院,為不實之指述。
⒊王○○為抗告人公司人資處長,與抗告人立於利害相同之關係,其不免迎合抗告人主觀期待之誘導,顯難期其為客觀之陳述,所為書面聲明,欠缺憑信性。另觀諸聲明書全文,係以電腦繕打文件,用字遣詞敘述方式係出自法律專業人員,此聲明書稿係事先撰擬備妥後,始交由王○○簽名,全文均以王○○聽聞自第三人之詞為基礎,通篇以誣陷指摘相對人為目的,不足採信。
⒋抗告人禁止挖角之請求,係單純將兩造簽署之服務契約書有關相對人離職後禁止挖角之約定內容,重複作為其所欲保全之內容,如此,只是重申服務契約書所為相對人所負禁止挖角義務之約定,如准許抗告人請求,豈非認可合約之一方得透過定暫時狀態處分為手段,達到單純確認或重申系爭服務契約書離職後禁止挖角之約定而已,不僅有違定暫時狀態處分之要件,使得日後法院將陷於合約一方藉保全程序確認或重申合約條款之謬誤。
㈥本件如准許抗告人請求,將造成相對人服務之○○公司難以回復之損害:
⒈抗告人公司自相對人離職迄今,依該公司所提出之102 年度年報所揭露之營收獲利資料(聲證3 )及該公司對外所揭露102 年度及103 年度之營收資料所示(相證9 ),抗告人之獲利逐月增加、產能滿載,何來抗告人所稱訂單每月流失之問題,甚至103 年度稅後盈餘呈現虧轉盈之狀況,由此益證抗告人所稱自○○公司成立後,抗告人大陸手機市場即開始失去訂單、抗告人代理商以相對人透過○○公司提供中國○○公司技術為由,使抗告人受有降價出售商品損失每月達新台幣5 千萬元至6 千萬元間云云,根本係惡意杜撰不實、將該公司自己降價求售商品之營業決定,恣意藉不實之指控歸責於相對人。
⒉抗告人延聘相對人是藉相對人在LED 產業界之專業技術及聲譽,提升改良抗告人技術,相對人當年係因抗告人董事長極力展現誠意之邀約,並承諾給予發揮主導空間,亦認有機會發揮所學而捨其他高薪機會,不計酬勞選擇加入抗告人公司,相對人加入後,亦投注全部精力貢獻予抗告人,帶領技術團隊,大幅提升抗告人技術層次,相對人自認對於抗告人之付出與貢獻有目共睹,此所以相對人提出口頭辭職後,抗告人董事長鍾寬仁為不影響抗告人募資計畫,因要求相對人延展離職日期不成,如今竟遭抗告人挾怨報復,相對人實屬無辜。
⒊相對人所以自抗告人公司離職,係因無意中發現抗告人董事長及總經理恐涉嫌不法交易,對渠等是否能正當經營抗告人已無法信賴,然相對人離職後,亦從未對外論及上開離職原因,雖經各方邀約其中不乏中國大陸LED 業者之重金邀約,雖相對人大可等待競業禁止期間過後,轉戰中國大陸坐享高薪,但相對人希望將自身專業技術留在台灣並將台灣產業之自主技術提升為職志,秉此原則及理念,說服投資人共同投資成立○○公司,吸引有志一同之士,詎抗告人卻編撰不實惡意攻擊相對人,意圖誤導鈞院形塑相對人欠缺誠信、傷害台灣產業之人,實則抗告人純係挾怨打擊相對人及阻礙新創事業之發展,實屬違反誠信,亦有失大企業風度,其係不正當手段打擊新創事業發展機會。
⒋倘鈞院准許抗告人本件各項請求,在產業現實面上,無疑向相對人所屬LED 產業宣告相對人有洩露營業秘密或違約之不誠實行為,將對於相對人人格及長久累積信譽,造成立即嚴重且無可回復之傷害,於鈞院核准抗告人之請求之時刻,潛在投資人必然卻步,甚至導致目前投資人撤資之嚴重後果,相對人及所服務之○○公司,勢必將毀於一旦,要無立足生存之空間,亦將累及○○公司全部員工及其家庭生計,縱日後訴訟還相對人清白,亦造成上開損害顯難以回復,要非事理之平。
五、按有爭執之法律關係,為防止發生重大之損害或避免急迫之危險或有其他相類之情形而有必要時,得聲請為定暫時狀態之處分。該處分以其本案訴訟能確定該爭執之法律關係者為限。法院為該裁定前,應使兩造當事人有陳述之機會。聲請定暫時狀態之處分時,聲請人就其爭執之法律關係,為防止發生重大之損害或避免急迫之危險或有其他相類之情形而有必要之事實,應釋明之;其釋明有不足者,法院應駁回聲請。民事訴訟法第538 條第1 項、第2 項、第4 項本文及智慧財產案件審理法第22條第2 項分別定有明文。準此,當事人向法院聲請定暫時狀態處分時,法院必須先審查有無具備定暫時狀態處分之要件,其要件有二:㈠爭執之法律關係,其事涉保全之對象是否適格。㈡保全之必要性者。所謂定暫時狀態處分之保全必要性,係指防止發生重大之損害或避免急迫之危險或有其他相類之情形,而有必要者而言,即就爭執之法律關係定暫時狀態之處分,苟合於前開條件,經債權人主張及釋明有定暫時狀態之利益,符合定暫時狀態處分之要件後,繼而依據具體個案,依職權酌量其認為最妥適之處分方法。至債權人起訴主張之實體上理由是否正當,則非屬保全程序裁定所能審究。職是,本院自應審究本件兩造間是否有爭執之法律關係?抗告人有無保全之必要性?抗告人應就其請求事項釋明之。
六、又按釋明事實上之主張者,得用可使法院信其主張為真實之一切證據。但依證據之性質不能即時調查者,不在此限,民事訴訟法第184 條定有明文。所謂釋明者,僅係法院就某項事實之存否,得到大致為正當之心證,即為已足。此與證明須就當事人所提證據資料,足使法院產生堅強心證,可確信其主張為真實者,容有不同。兩者非性質上之區別,乃分量上之不同(參照最高法院95年度臺抗字第386 號、98年度臺抗字第807 號民事裁定)。準此,抗告人應釋明當事人爭執之法律關係與保全之必要性,並提出能即時調查之證據,供本院進行調查與審酌本件是否符合定暫時狀態處分之要件。
七、本院得心證之理由:
㈠爭執之法律關係:
⒈按關於假處分之規定,於爭執之法律關係,有定暫時狀態之必要者,準用之,民事訴訟法第538 條定有明文。所謂爭執之法律關係,應不以法律關係已經訴訟繫屬為限,凡金錢請求以外,有繼續性且適於為民事訴訟之標的者,於當事人間發生爭執或被侵害等情形,均屬之。故所爭執之法律關係雖尚未有訴訟之繫屬,只要債權人因避免重大之損害或因其他情事,而有定暫時狀態之必要者,即得依據首揭法條聲請定暫時狀態之假處分。
⒉本件抗告人係以相對人於97年8 月1 日任職抗告人公司,簽立服務契約書,該契約書第1 條1.8 約定相對人於離職後不得為自己或他人之利益,唆使或利誘抗告人公司員工離職,第3 條3.6 約定相對人於離職後不得為自己或他人之利益使用抗告人公司營業秘密且於離職後負有保密義務等情(見聲證4 ,原審卷第36頁反面)。抗告人主張相對人於離職後另成立○○公司,相對人知悉抗告人公司生產LED 等之管理資訊且該等資訊為營業秘密,並有抗告人公司研發員工相繼離職至相對人之○○公司任職,提出為證(見聲證12,原審卷第53至69頁),是抗告人就相對人離職後涉及有無違反上述服務契約書約定之保密義務與誘使抗告人員工離職爭議,要為雙方所爭執之法律關係。
㈡保全必要性:
⒈抗告人於原審就其生產磊晶、晶粒、封裝等,以磊晶製程為例,就該製程方法以選擇特定材料,透過專門技術控制特殊載體氣流溫度及速率,將上開材料以高溫吹送至基板上,使材料產生化學反應,由其投入研發而就該材料比例、順序、載體氣流溫度、速率等變因之各類「參數」(合稱配方)後,須以特定「程式」輸入至有機化學氣相沉積法(MOCVD )機台始得操作上開製程等情(見原審卷第311 頁),相對人則以其在原審所主張之營業秘事項抽象空泛,欠缺具體特定,其未聲明營業秘密範圍,亦未釋明,附表A 所示內容為業界習知技術等語(見原審卷第217 頁以下、本院卷第269 頁以下)。
⒉經查,兩造簽訂之服務契約書第1 條1.1.3 所稱「營業秘密指具有財產利益或經濟價值的任何口頭及書面機密資訊(料),包括但不限於圖樣、規格、原型、製程..專門技術、客戶明細、晶片、及其他銷售資料..」、第3 條3.6約定「甲方(即相對人)應以善良管理人之注意義務採取所有合理的措施維護乙方(即抗告人)營業秘密,且未經乙方事前書面同意不得將該營業秘密以任何方式洩露或交付任何第三人。」及第3 條3.7 約定「甲方於服務期間或離職後均不得為自己或他人之利益使用乙方營業秘密,且於離職後就乙方營業秘密仍負前述保密義務。」,是依此約定,相對人負有保守抗告人之營業秘密義務。
⒊抗告人於本件提出附表A 將其主張之營業秘密內容具體化,查附表A 共可分成5 個部份:⑴氮化物磊晶、⑵覆晶晶片、元件及光擎模組、⑶UV LED元件及光擎模組、⑷專利佈局、⑸業務與生產資訊。針對抗告人主張內容是否為習知技術,分別說明如下:
⑴氮化物磊晶部分:所謂磊晶係指在製作發光二極體(Light-Emitting Diode ,LED)時在原有的晶片上長出新的結晶,所選擇的主動層材料不同,擇期所產生的波長亦不相同,在主動層兩側的為提供電子、電洞的披覆層,由於主動層與披覆層間必須滿足一定的晶格匹配,選用的基板、緩衝層、n 型披覆層、主動層、p 型披覆層等之材料也不盡相同(見抗告人投影片,本院卷第217 頁以下),可知其基板為GaN ,種子層為AlN ,以VEECO的製成設備以及使用MOCVD 製程方式開發磊晶,比較V5及HC中的參數不同時,其光功率(Po)以及正向電壓(Vf)的變化,提供提昇H/C 時GaN 的建議(見本院卷第260頁左邊),再者,由附表A 之A.氮化物磊晶表格中第1、2 頁說明可知,氮化物磊晶之緩衝層材料為Al以及Ga,p 型披覆層之參雜設計以及Al(抗告人以Aa應為Al之誤)、Mg、C 元素之結構設計,選擇合適的材料以提供較佳的晶格匹配,進而達成較佳的發光效率,如果可以掌握磊晶結構設計以及製程方式等資訊時,利用該等之資訊以提高發光效率,將可減少不必要錯誤實驗(tryerror ),進而一步加速產品完成的時間。抗告人並以其於99年8 月11日公司研發中心例行月會報告(見原審卷聲證13,密封於卷外)、抗告人100 年3 月研發中心每月例會簡報檔(見原審卷聲證17,密封卷外)及抗告人2013MLED封裝技術發展計畫簡報檔(見原審卷聲證19,密封卷外)為證。
⑵覆晶晶片、元件及光擎模組部分:所謂覆晶係指將LED倒裝使電極直接與基板接觸,比起一般封裝方式的其優點在於具有較佳的散熱系統,由抗告人投影片(見本院卷第261 、262 頁)可知玻璃與矽的切割將會使刀片磨損很大,並提出在切割後要解UV的建議,並規劃未來調整色溫、調整側邊不同螢光粉的厚度、封裝尺寸以決定未來的製作產品的方向,如果可以掌握覆晶的結構、製作參數等資訊時,將可盡早規劃減少不必的錯誤實驗,進而一步加速產品完成的時間。抗告人並以如上之聲證13、17、19報告及簡報檔為證。
⑶UV LED元件及光擎模組部分:UV LED元件是指發光波長在紫外區域之LED ,由抗告人投影片(見本院卷第263、264 頁)僅知抗告人正在進行UV LED的研發,以及旭明光電(Semileds)以及日亞化(Nichia)UVLED 的光功率、正向電壓以及電流等規格資訊,但並無關於抗告人完整的UV LED所使用的材料、製作參數或其封裝尺寸等資訊。抗告人並以如上之聲證13、17、19報告及簡報檔為證。
⑷專利佈局部分:由抗告人投影片(見本院卷第265 頁)僅知在磊晶相關技術在當時其它廠商(如錸德、傳感器電子技術、松下電器等)的專利佈局,以提供抗告人針對UV LED整體的專利佈局的規劃,並無關於抗告人之UVLED 所使用的材料、製作參數或其封裝尺寸等資訊。然抗告人說明相對人參與抗告人改善LED 產品成本結構之改善、專案導入管理,以檔案例示相對人曾在經濟部科技研發發展專案代表抗告人公司提出報告(見本院卷第235 、265 頁)
⑸業務與生產資訊部分:由抗告人投影片(見本院卷第266 至268 頁)可知抗告人之銷貨成本、銷貨毛利、人事資料以及研發專案等資訊,他人獲得該等資訊可得知抗告人之銷售狀況。抗告人並提出由抗告人公司人員陳銘章寄予相對人成本分析表為證(見本院卷第266頁)。
⒋又抗告人亦於原審提出其公司「文件與資料管制辦法」(見聲證20,原審卷第207 至212 頁)及「門禁管理辦法」(見聲證21,原審卷第213 至214 頁),上開文件與資料管制辦法文件制訂、修訂、廢止、生效、申請作業,文件機密等級予以區分等設立相關規定,上開門禁管理辦法就員工出入門禁措施設有規定,而前開聲證13、17及19列為抗告人之機密管制等級之文件,是抗告人對其生產、營運資訊有採取保密措施。
⒌依上述事證,抗告人對於其所主張如附表A 所示之氯化物磊晶等生產、銷售及經營資訊,如他人獲得該等資訊可減少生產製造上之錯誤,亦可瞭解抗告人之專利布局、客戶資料與成本控制,其提出之事證已使法院大致相信其主張此五項資訊為其所欲保護之營業秘密事實之存在,而得到大致為正當之心證。又相對人於102 年12月11日離職,依前揭服務契約書第3 條3.7 約定就其離職後對上開資訊負有離職後保密義務,然相對人於離職後另設立○○公司,雖相對人稱○○公司與抗告人公司為LED 產品不同生產階段產品,兩公司非競爭關係等語,惟相對人為○○公司負責人,相對人亦自承其股東及董事為訴外人○○公司,該公司與抗告人公司間為競爭公司關係(見聲證2 關於○○公司與抗告人公司晶片生產報導,原審卷第33頁),則相對人就其在抗告人公司任職期間所知悉的上開資訊,其仍有可能揭露予他人,而此為抗告人所欲防止之危險,而認其有保全之必要性,故抗告人此部分主張,應屬有據。
㈢唆使或利誘抗告人員工部分:
⒈抗告人主張因相對人離職後,其所屬研發單位重要成員於103 年1 月至3 月已有9 位人員相繼離職,103 年2 月至8 月間陸續又有17人離職,並發現部分人員進出○○公司在台南市營業處所等情,並提出離職人員名單、離職員工進出○○公司營業處所外部照片及抗告人之人資處長王OO聲明書為證(見原審卷第17、19及53至69、391 頁)。相對人則以○○公司於103 年6 月9 日創立,抗告人提出之照片早於○○公司成立之時,其未挖角上述離職人員,彼等離職非其唆使或利誘等語(見本院卷第105 頁)。
⒉查兩造簽訂之服務契約書第1 條1.8 約定「甲方(即相對人)於服務期間或離職後不得為自己或他人之利益,唆使或利誘乙方公司(即抗告人)員工離職或違背職務,或對於職務行為或違背職務之行為期約或收受不當利益(包括既遂或未遂);甲方若違反本條項規定,在職者,乙方除得依法解僱外,並得請求損害賠償;已離職者,乙方有權請求損害賠償。」(見聲證4 ,原審卷第36頁反面)。是相對人有不得從事唆使或利誘抗告人公司員工義務。次查抗告人於原審即提出聲請人離職員工至相對人負責之○○公司任職照片與抗告人人資處處長王○○出具之聲明書為證(見聲證12,本院卷第53至69、391 頁)。又抗告人總經理陳○○於本院調查時指述:相對人於任職抗告人公司時擔任技術長及研發中心執行副總經理,隸屬其下尚有晶元產品開發處副處長王○○及賴○○、賴○○、林○○等皆離職後至○○公司,另抗告人之兩位專利主管史○○、陳○○與吳○○、洪○○、孫○○等加入○○公司,抗告人磊晶部門之主管李○○、吳○○、林○○亦在○○公司任職等語,相對人對此並未爭執(見本院卷第245 至24 8頁)。雖該等人員離職係個人選擇,惟其等於相對人離職後相繼離職,半年之內即有多人加入○○公司,而相對人為○○公司創始負責人,進用人員係其職務上重要工作,如能引進具有光電產業經驗之人員,更可減少員工在職訓練成本,是可推認上開人員離職與相對人有關,可認抗告人對此爭議已為釋明,其為防止嗣後其他員工繼續離職加入○○公司,而依兩造服務契約書第1 條1.8 請求相對人不得唆使或利誘其公司其他人員離職,亦屬有據。
㈣相對人雖稱抗告人所請求之事項係重申兩造所簽服務契約書之約定條款,不具意義,且因法院宣示對相對人不得洩漏任職抗告人期間之營業秘密與不得挖角處分內容,會引起外界誤解,反致相對人受有損害等情;惟兩造所簽署服務契約既已約定相對人於離職不得洩漏任職期間所知悉營業秘密,及不得於離職後唆使或利誘抗告人員工,相對人依約自負有上開義務;而相對人因涉違反該等義務,經抗告人向本院起訴,請求相對人與○○公司連帶賠償損害,亦經抗告人陳明在卷(見本院卷第133 號),並經本院分案處理,本件因抗告人已對相對人可能涉及違約義務提出上開之釋明,使法院相信其主張大致可採,故本件抗告人減縮後聲明雖與服務契約約定內容相同,然因抗告人係為防止其損害繼續擴大,而為與服務契約內容相同之本件聲明,並提起本案訴訟,故本件之處分並非無意義,雖會影響相對人,然任何訴訟均會有此情形,尚不能因本件之處分即認必造成相對人損害。相對人上述主張,並不可採。
㈤按「除別有規定外,關於假處分之規定,於定暫時狀態之處分準用之,同法第538 條之4 亦有明定。具見定暫時狀態之處分,雖非以保全執行為主要目的,惟仍屬保全權利之方法,原係法院為防止發生重大損害或避免急迫危險或有其他相類之情形認有必要時,為平衡兩造間之權利義務或利益而為之裁定,兩造當事人之權益固因此而受有影響,惟若定暫時狀態處分之保全權利方法,對債務人可能造成重大之損害,或債權人所受之損害非不能以金錢補償時,即不能謂債務人不能供擔保免為假處分或撤銷假處分。」(最高法院94年度台抗字第743 號民事裁定參照),依此,如債務人可能造成之損害不能以金錢補償,即非必須諭知供擔保之處分。又「債權人就爭執之法律關係,聲請為定暫時狀態之處分,不論係單純不作為處分,或容忍不作為處分,法院為裁定時,對於當事人雙方因准否處分所受利益及可能發生之損害,應依利益權衡原則予以審酌而為准駁」(最高法院94年度台抗字第380 號民事裁定參照)。是對於不作為之定暫時狀態處分應衡酌兩造可能發生之損害,而為供擔保與否之准駁。本件抗告人聲明係請求相對人於本案訴訟判決確定前,不得利用、發表或洩漏相對人任職抗告人公司期間所知悉如附表A所示之營業秘密及機密資訊,並不得為自己或第三人利益,唆使或利誘抗告人員工離職,是其聲明目的係請相對人依契約遵守不作為義務,衡酌相對人之利益不致因本件准許處分而受損害,爰不對抗告人為命供擔保之諭知,附此敘明。
八、綜上所述,本件係抗告人就其與相對人所訂服務契約書約定相對人不得揭露或洩漏其任職抗告人期間所知悉之營業秘密或機密資訊,相對人亦不得於離職後對抗告人員工挖角,是相對人依約負有離職後之保密義務,因抗告人所提證明可認其已釋明關於附表A 所示之生產、銷售與管理資訊,相對人有可能將其揭露予他人,而相對人亦有可能再誘使抗告人公司員工離職,致抗告人有發生損害之可能,是抗告人為本件定暫時狀態處分之聲請,為有理由,應予准許。原裁定駁回其聲請,尚有未合;抗告意旨指摘原裁定不當,求予廢棄,為有理由,爰由本院予以廢棄,並自為裁定如主文第二、三項所示。
九、據上論結,本件抗告為有理由,爰裁定如主文。
智慧財產法院第二庭