智慧財產法院民事判決

原告

楊光能

訴訟代理人

桂齊恒律師

複代理人

江郁仁律師

訴訟代理人

林景郁

被告

晶元光電股份有限公司

法定代理人

李秉傑

訴訟代理人

劉偉立律師

複代理人

吳信璋律師

訴訟代理人

王安妮

　盧貝諭

　 郭孟君

上列當事人間因專利權報酬爭議事件，本院於中華民國108 年5月21日言詞辯論終結，判決如下：

主文

事實及理由

壹、兩造聲明及陳述要旨：

一、原告方面：

（一）原告於民國（下同）89年至92年時任職於國聯光電科技股份有限公司（下稱：「國聯光電」），擔任研發工程師。94年12月31日，被告併購國聯光電，以被告為存續公司，並承受國聯光電之一切權利義務。原告為中華民國註冊第I283031 號「利用低熔點金屬結合化合物半導體與高熱導係數基板的方法」發明專利（對應之美國專利為US6 ,812,067，下稱：「系爭專利1 」）之共同發明人之一；原告並為中華民國註冊第573373號「發光二極體層疊式製造方法及其構造」發明專利（對應之美國專利為US6 ,786,390，下稱：「系爭專利2 」）之共同發明人之一；原告亦為中華民國註冊第550834號「發光二極體及其製造方法」發明專利（對應之美國專利為US8 ,791,467、US7 ,129,527、US7 ,951,633、US7 ,615,392，下稱：「系爭專利3 」）（合稱：「系爭專利」）之唯一發明人。

（二）被告所生產「UHB-PN」系列LED 產品（下稱：「系爭產品1 」）、「UHB-PX」系列LED 產品（下稱：「系爭產品2」）、「UHB-AX」系列LED 產品（下稱：「系爭產品3 」），分別為實施系爭專利1 請求項1 、系爭專利2 請求項1 及20、系爭專利3 請求項8 及22文義之專利產品（合稱：「系爭產品」），且皆銷售全球，為被告貢獻巨大獲利。根據被告於97年1 月參加臺灣證券交易所與澳商麥格里證券公司舉辦之「（西元）2008年海外臺灣投資說明會」及被告98年度年報之記載，堪認被告對於系爭專利占有舉足輕重的地位，並獲取巨大的營收及交叉授權利益，更成為後續產品規劃設計的基礎，迄今仍用以實施生產系爭產品；又被告95年度至106 年度歷年年報所揭露營業毛利之總額約有新臺幣（下同）382 億元，被告公司總經理曾於106 年對外表示「目前四元LED 產品營收占比約25 %至30% 左右」，而原告既為系爭專利主要研發人員，故對於系爭專利之貢獻度至少有50% ，或暫以1%計算本件職務上發明合理報酬。

（三）被告所提「國聯光電獎勵創作發明辦法」（下稱：「系爭獎勵辦法」）第5.10條約定「本法所訂之獎金，適用於核發獎金時仍在職之員工。若數發明人其一於核發獎金時已離職，其他發明人不因此增加其可得之獎金」，係增加原告獲取職務發明適當報酬之資格限制，違反專利法第7 條第1 項立法意旨及司法院大法官會議釋字第726 條解釋意旨，依民法第71條規定，上開規定因違反法律強制規定而無效。依系爭獎勵辦法第5.2 條規定「獎勵金額如下：專利申請獎金：每案八千元。取得專利權獎金：一發明案獲臺灣或大陸之專利核准者，頒給獎金一萬五千元。一發明案獲美國、日本、德國、英國或其他國家之專利核准者，頒給獎金二萬五千元。前兩項之獎金，以各發放一次為限。一發明案之獎金以四萬元為上限」，原告任職於國聯光電時，僅領取系爭專利於申請時之「專利申請獎金」，並於系爭專利獲准前已因故離職，未能領取「取得專利權獎金」，惟被告依法就系爭專利權亦負有給付原告適當報酬之義務，且考量到專利必須在獲准後被告方能利用系爭專利進行商業交互授權或提起專利訴訟，進而享有系爭專利所帶來的龐大利益，故原告主張本件職務發明報酬請求權應以專利核准公告日為起算時點，且該請求報酬係「研究發明獎金」，並非工資且亦無民法第126 條其他短期時效特別規定適用，自應回歸同法第125 條規定，其請求權時效為15年。

（四）原告任職於國聯光電，於89、90年分別取得分配股票2 張、14張，此並非針對系爭專利發明之研究發明獎金；另被告所稱91年間以優惠價格給予原告100 張股票認購權乙節，原告完全沒印象，亦未認股，且該100 張股票之認購權是獎勵員工之年度分紅，非研究發明獎金。是以，原告僅領取過「專利申請發明獎金」，但原告離職後，系爭專利始獲得註冊，而原告卻未領取「取得專利權獎金」，難認被告已支付適當報酬。

（五）被告指稱原告所製作之系爭專利比對，並非以被告公司生產銷售之產品進行比對，而係以被告官網之產品簡述與相關論文加以拼湊，且對多項對其有利之事實未提出任何證據加以證明，並未完成其應盡之舉證云云，惟被告的系爭產品不會賣給個人，遑論取得系爭產品及發票進行系爭專利比對分析作為證據，只能嘗試以專家證人及文獻分析著手；又對於被告公司營收或獲益等節，原告亦不可能知悉被告公司財務狀況，只能以被告公司年報等公開資料進行推算。按民事訴訟法第277 條本文固規定舉證責任分配，惟但書亦有規定「但法律別有規定，或依其情形顯失公平者，不在此限」，原告以一介小蝦米對抗如鯨魚龐大之被告，尚要求原告對無法取得之證據負舉證責任，是否屬顯失公平之情形，即有可論之處。為此，依專利法第7 條第1 項，民事訴訟法第244 條第4 項、第245 條規定提起本件訴訟，並聲明：被告應給付原告1,000 萬元及自起訴狀繕本送達之翌日起至清償日止按週年利率百分之5 計算之利息。原告願供擔保請准宣告假執行。

二、被告方面：

（一）專利法第7 條受雇人職務上發明之報酬，其請求權時效並未明文規定於專利法，究其性質既為研究發明雇主給予之報酬，則屬勞動基準法施行細則第10條第2 款之研究發明獎金，而研究發明獎金於該款與紅利同列，其性質與紅利相似，自應與紅利同樣適用民法第126 條規定，其請求權時效為5 年。依系爭獎勵辦法第5.2 條、第5.7 條、第5.4 條、第5.10條規定，專利獎金可分為專利申請獎金與取得專利權獎金，專利申請獎金之請求權可請求之時間為取得專利申請時，取得專利權獎金可請求之時間為專利核准公告時，惟依系爭獎勵辦法第5.10條規定，若獎金核發時員工已離職，則員工並無請求該獎金之權利。故原告於系爭專利核准公告時，原告已不再被告公司任職，原告自無請求取得專利獎金之權利。

（二）又本件原告可行使其報酬請求權之時點起算，應為系爭專利之申請日，因原告僅得就系爭專利請求「申請獎金」，所以原告就本件系爭專利1 至3 之報酬請求權時效分別自91年8 月5 日、同年11月21日、同年2 月15日起算，至原告起訴請求之107 年8 月30日時，皆已罹於5 年之請求權時效。退而言之，縱使以原告起訴狀聲稱與被告協商職務上發明專利報酬之同年4 月20日作為原告請求之時間，亦皆罹於5 年之請求權時效。退而言之，縱認專利報酬之請求時效適用民法第125 條15年一般時效之可能，則原告之請求日無論是起訴日或上開協商日，亦皆罹於15年之請求權時效。

（三）縱認原告之專利報酬請求權未罹於時效，因被告給付原告工資、約定之專利獎金外，更根據原告之研發成果，在89、90年間給予原告2 張以及14張之股票配股，91年間再以優惠價格給予原告100 張股票之認購權，上述措施既以股票配股、認購權讓原告得以公司股東之身分，參與各該專利研發成果帶給公司獲利成長之利益，並以專利獎金、工資，讓原告無須負擔經營風險，既可因專利研發成果獲得相關收益，被告實已考量原告之工作成果給予其適當報酬。

（四）原告雖稱被告系爭產品仍實施系爭專利等語，惟原告並非以被告生產銷售之系爭產品進行比對，而係以被告官網之系爭產品簡述與相關論文加以拼湊，即遽下被告系爭產品實施系爭專利之結論，對於原告主張「被告公司之系爭產品仍實施系爭專利」之有利事實，並未舉證其確能成立；原告另主張「被告公司因實施系爭專利獲得巨大營收」、「獲取交叉授權利益」、「被告95年度至106 年度歷年年報所揭露營業毛利之總額約有382 億元」、「原告對於系爭專利之貢獻度至少有50% ，或暫以1%計算」等多項對其有利之事實，亦未提出任何證據加以證明，實令被告無從答辯，故如原告未提出相關證明以盡其舉證責任，依民事訴訟法關於舉證責任之規定，自應駁回原告之訴，並禁止原告「摸索證明」，且本件亦無舉證責任轉換被告之情形。為此聲明：原告之訴駁回；如受不利判決，被告願供擔保請准宣告免於假執行。

貳、原告與國聯光電間，具專利法第7 條第1 項但書所稱之「另有約定」：

一、原告主張：本件訴訟標的為專利法第7 條第1 項規定等語（見本案卷二第239 頁）。按：「受雇人於職務上所完成之發明、新型或設計，其專利申請權及專利權屬於雇用人，雇用人應支付受雇人適當之報酬。但契約另有約定者，從其約定」，專利法第7 條第1 項定有明文，其但書即為本文所定「適當」報酬之例外。

二、原告自承：其任職於國聯光電時，都擔任研發工程師，有系爭獎勵辦法之「約定」等語（見本案卷一第438 頁、本案卷三第523 頁），則該約定即為專利法第7 條第1 項但書所稱之「另有約定」，原告自難依同條第1 項本文提起本件訴訟。

三、原告自承：其任職於國聯光電時，都擔任研發工程師，已領取系爭專利之「專利申請獎金」，並於系爭專利獲准前已因故離職，未能領取「取得專利權獎金」等語（見本案卷一第441 頁、本案卷三第523 頁），係符合原告所列系爭獎勵辦法第5.10條「本法所訂之獎金，適用於核發獎金時仍在職之員工。若數發明人其一於核發獎金時已離職，其他發明人不因此增加其可得之獎金」之規定（見本案卷一第438 、439頁），則依原告與國聯光電間之「另有約定」，原告業已領取應得之獎金，自難再向被告提出本件請求。

四、至司法院釋字第726 號解釋，係就工作時間等事項所為解釋，而與本件無關。又該號解釋所稱「本法乃以保障勞工權益，加強勞雇關係，促進社會與經濟發展為目的，規定關於工資、工作時間、休息、休假、退休、職業災害補償等勞工勞動條件之最低標準。雇主固得依事業性質及勞動態樣與勞工另行約定勞動條件，但仍不得低於本法所定之最低標準」，其中所謂「工資之最低標準」乃指基本工資，而與本案職務發明報酬有別，故系爭獎勵辦法非但並無原告所稱違反強制規定之情形，反而符合原告所引用上開解釋理由之「雇主得依事業性質及勞動態樣與勞工另行約定勞動條件」。

五、又原告援引之本院100 年度民專訴字第89民事判決，已為本院100 年度民專上字第51號民事判決廢棄，附此敘明。

參、系爭產品1 未落入系爭專利1 請求項1 之文義範圍，系爭產品2 未落入系爭專利2 請求項1 及20之文義範圍，系爭產品3 未落入系爭專利3 請求項8 及22之文義範圍：

一、系爭產品1並未落入系爭專利1請求項1之文義範圍：

（一）系爭專利1 （註冊公告第I283031 號「利用低熔點金屬結合化合物半導體與高熱導係數基板的方法」專利）技術內容：傳統化合物半導體元件的基板之熱導係數較低，導致元件壽命低等缺點（見本案卷一第193 、194 頁發明背景、發明概述欄）。系爭專利1 乃揭露一種利用低熔點金屬結合化合物半導體與高熱導係數基板的方法，其係先提供一化合物半導體結構（10），且該化學合半導體結構（10）具有化合物半導體基板（12）及第一導接層（16）。之後，選擇一高熱導係數基板（20），並在該基板（20）上形成第二導接層（26）；接著，將第一導接層（16）與第二導接層（26）面對面並加壓以形成一合金導接層（30）。最後，再去除化合物半導體結構（10）中之基板（12），以完成將化合物半導體形成於高熱導係數基板（20）之製程（見本案卷一第190 、194 頁發明摘要、發明概述）。

（二）系爭專利1主要圖式（見本案卷一第211、212頁）：

1、圖1 係化合物半導體結構（10）示意圖。

2、圖2係高熱導係數基板及第二導接層示意圖。

3、圖3 係化合物半導體與高熱導係數基板相互結合示意圖。

4、圖4 係第一導接層與第二導接層形成合金導接層，以及去除化合物半導體基板後示意圖。

（三）系爭專利1 申請專利範圍分析：系爭專利1 申請專利範圍共38項，其中第1 、17、30項為獨立項，餘為附屬項。原告主張系爭產品1 實施系爭專利1 請求項1 等語（見本案卷一第28至30頁），故以下僅列出請求項1 內容（見本案卷一第17頁）：一種結合一半導體結構與一基板之方法，包含：提供該半導體結構，包含一第一基板及一磊晶層於該第一基板上；形成一第一導接層於該磊晶層上；形成一第二導接層於該基板上；以及連結該第一導接層及該第二導接層，以形成一合金導接層。

（四）系爭產品1 技術內容：據原證11（被告公司員工之論文）圖5 （a ）（見本案卷一第138 頁圖）所載之Phoenix （PN）產品製作步驟（見本案卷一第134 頁第2 段原證11第3 頁第2 段），係在基板（GaAs）上的磊晶層（AlGaInP ）形成透明導電薄膜（ITO ），接著在透明導電薄膜上設置反射層（Ag layer）；之後將上述晶片導接到矽基板上，並將GaAs基板予以移除、形成N 側的歐姆電極、將穿透層（transmitting surface）形成於N 型覆蓋層（N-cladding layer）上，最後在矽基板的背面形成P 側歐姆電極。

（五）將系爭專利1 請求項1 拆解為下列要件1A至1E，與系爭產品1進行比對：

1、要件1D「形成一第二導接層於該基板上」及要件1E「連結該第一導接層及該第二導接層，以形成一合金導接層」：查原證11第3 頁第3 至5 行說明前述系爭產品1 將半導體結構（GaAs基板-AlGaInP磊晶層-ITO層-Ag 層，其中Ag層對應於系爭專利1 之第一導接層）結合於矽基板上。但並未提及在矽基板上形成（第二）導接層之步驟，自然也沒有將第一導接層及第二導接層相連接以形成合金導接層之步驟，因此系爭產品1 之製程欠缺系爭專利1 請求項1 之要件1D及1E。

2、原告雖另舉原證4 所載內容，主張系爭產品1 之製程具有前述要件1D及1E云云（見本案卷一第25至27頁、見本案卷二第111 至113 頁）。惟查，前述原證4 第3-32及3-33頁載明「國聯公司之P .H .Wang等人將AlGaInP LED 放在Si基板上稱之為金屬連接（Metal Bonding ，MB）LED ，其製程程序如圖3.30所繪，先將LED 面上鍍金屬電接觸及高反射金屬層，在Si基板上放置錫焊材料（圖3.30（a ）），在低溫時將LED 與Si結合（圖3.30（b ））…」（見本案卷一第77頁）。姑先不論原證4 並未提及其係Phoenix（PN）LED 產品（即系爭產品1 ）之製程；依原證4 所述之製程，在與Si基板結合前，LED 半導體結構上係鍍有「金屬電接觸及高反射金屬層」，而原證11則是在LED 半導體結構上形成「『ITO 透明薄膜』及高反射金屬層」，二者顯不相同，是以原證4 所述是否確為系爭產品1 之製程，及原證4 與原證11之製程間是否可直接相互組合，仍有疑問。再者，即便將原證4 所述之Si基板上的錫銲材料，對比於1D要件之基板上的第二導接層，原證4 中仍未明確見有任何關於兩個導接層相互結合形成「合金導接層」之步驟或結果，故縱將原證4 與原證11強加組合，仍欠缺系爭專利1 請求項1 之要件1E。

3、原告另主張原證12第14、15頁之內容，提及系爭產品1 之製程係以金屬合金層為貼合材料，先將LED 晶片貼合到矽基板後，再移除吸光成長基板（GaAs），最後形成P 、N電極。要形成此種結合矽基板之LED 產品結構（由上而下依序為：N 型電極、LED 薄膜發光磊晶層、金屬導接層、永久（矽）基板、P 型電極）必然是依據系爭專利1 之製程得以完成，並無其他製程可以形成此產品云云（見本案卷二第116 、117 頁，以及原告108 年5 月21日言詞辯論庭提影片檔3 分42秒至5 分24秒處）。惟查，原證12第14頁右欄第3 段（見本案卷一第143 頁）雖提及P 系列LED晶片（即系爭產品1 ）之製法係在GaAs基板上形成AlGaInP 磊晶薄膜發光層，並在移除GaAs基板前，先貼合至矽基板上，最後再於晶片上下形成N 電極與P 電極，但並未提及在GaAs基板或矽基板上形成（第一、第二）導接層之步驟。縱使由原證12第15頁圖2 （a ）之P 系列LED 晶片結構圖，可見矽基板與薄膜發光磊晶層之間具有一金屬導接層（soldering layer ），但原證12並未說明該金屬導接層之相關製程及其材料，自然無法斷定該金屬導接層是否如系爭專利1 請求項1 所示，先分別形成二個導接層後，再將二者連結形成一合金導接層，是以依原證12所示之LED 製程，仍欠缺系爭專利1 請求項1 要件1D及1E。至於原告以LED 結構推論必然是依據系爭專利1 之製程方能完成，並無客觀證據可資證明，且系爭專利1 請求項1 既為方法發明，自應以系爭產品1 之製程步驟相比對，始足論斷是否使用系爭專利1 請求項1 之方法發明。況依原告所提之原證42所示（見本案卷三第385 、417 至422 頁），在系爭專利1 申請前，已有論文揭露LED 結構由上而下包含N 型電極、LED 薄膜發光磊晶層、金屬導接層（Au／AuBe）及矽基板，其採用了與系爭專利1 不同之製程步驟，同樣能將矽基板與LED 薄膜發光磊晶層相互貼合，當不能以相同或類似結構即反推製程步驟亦相同。

4、原告復主張原證28第18、19頁提及圖2.5 所示之LED 結構，即原證11圖5 （a ）所示之系爭產品1 ，再依據前述之原證4 內容，可證明系爭產品1 係採用系爭專利1 請求項1 之方法云云（見本案卷二第118 至128 頁，另見108 年5 月21日言詞辯論庭呈影片檔5 分24秒至6 分17秒處）。惟查，原證28並未提及圖2.5 所示之LED 結構係型號為「UH B-PN 」或「PN」之LED 產品（系爭產品1 ）（見本案卷二第148 、149 頁）；而將原證11圖5 （a ）之系爭產品1 結構與原證28圖2.5 相比對，亦明顯可見原證28圖2.5 之LED 結構中尚有原證11圖5 （a ）所無之ITO 層及SiO2層，因此原證28圖2.5 之LED 結構是否即為系爭產品1，仍有疑問。再者，原證11第3 頁第3 至5 行揭露以Ag層作為導接層，但原證28第19頁（見本案卷二第149 頁）第13至15行則揭露以二層導接金屬層（Ti／Pt／Au／In、Ti／Pt／Au）形成於Si基板上，而由原證28於該兩行內容後方所註明之引用參考文獻（即原證42），亦可明確得知原證28之製程方法係先在矽基板上形成二層的導接金屬層（Au／AuBe），進而與LED 磊晶層相接合，與原證11以單一Ag層作為導接金屬層顯不相同。原證11、28均非如系爭專利1 在矽基板及磊晶層上分別形成一導接層後，再將二者連結形成一合金導接層，是以原證11、28之製程步驟明顯與系爭專利1 不同。至於原告進一步將原證4 與原證28、11結合之主張，如前所述，原證4 、28均未提及其係PN產品（系爭產品1 ），且原證4 、11、28所述之LED 結構、製程各不相同，其製程間是否能直接相互組合仍有疑義，遑論將之組合認定為系爭產品1 之製程，故由原證28、原證11及原證4 之內容，仍不足以認定系爭產品1 使用系爭專利1 請求項1 之方法發明。

5、原告又主張由「百度文庫」網站（https : ／／wenku .baidu .com）下載之原證29，其揭露之LED 結構與被告公司官網產品特徵完全符合，原證29所提及之PN LED製造流程亦與原證28之製程流程完全符合，故原證29可證明系爭產品1 符合系爭專利1 請求項1 之文義讀取云云（見本案卷二第129 、130 及134 頁）。惟查，原證29係被告公司關於「四元AlGaInP LED 介紹」簡報資料，首頁記載為機密（confidential）資料（見本案卷二第173 頁），而原證29第17頁（本案卷二第189 頁）顯示之PN LED製程，係分別在Si基板及LED 磊晶層上形成一金屬導接層（SolderBonding layer ），再將二金屬導接層相互貼合，其製程雖大致上與系爭專利1 請求項1 相符，但原證29並未說明該二金屬導接層相互貼合後，是否會形成「合金」導接層，是以原證29之內容仍不符系爭專利1 請求項1 之要件1E，原證29並不能證明系爭產品1 有使用系爭專利1 請求項1 之方法發明。再者，原證28之製程係先在矽基板上形成二層的導接金屬層，再與LED 磊晶層相接合，與原證29在矽基板與LED 磊晶層上各別形成一層導接金屬層，再予以相互接合之製程，明顯不同，二者並非相同之製程。

6、綜上，依原告所提之原證4 、原證11、原證12、原證28及原證29，系爭產品11至少欠缺要件1D或1E，且前述各證據或未提及系爭產品1 之型號，或所提及之LED 製程方法不盡相同，難以相互組合或逕予認定為系爭產品1 之製程方法，故無法認定系爭產品1 落入系爭專利1 請求項1 之文義範圍或有何使用系爭專利1 請求項1 方法發明之情形。

二、系爭產品2 未落入系爭專利2 請求項1 、20之文義範圍：

（一）系爭專利2 （註冊公告第573373號「發光二極體層疊式製造方法及其構造」專利）技術內容：系爭專利2 主要揭露一種發光二極體層疊式製造方法及其構造，其係以層疊方式分二次導接製程以結合磊晶層（11）與高熱導係數基板（50）。第一次導接製程係透過暫時導接基板（30）及第一導接層（20）轉接磊晶層（11），之後去除磊晶成長基板（10）；第二次導接製程則是再以磊晶層（11）上形成之第二導接層（40）與高熱導係數基板（50）上之第三導接層（60）接合形成一永久固接關係之合金層，再將暫時導接基板（30）移除，如是製作完成一將磊晶層（11）與高熱導係數基板（50）結合之發光二極體結構（見本案卷一第216頁發明摘要）。

（二）系爭專利2主要圖式（見本案卷一第233至236頁）：

1、第3 圖係磊晶成長基板透過第一導接層與暫時導接基板相接合之示意圖。

2、第4圖係去除磊晶成長基板之示意圖。

3、第5圖係形成第二導接層之示意圖。

4、第7 圖係第二導接層與第三導接層相互接合形成合金層之示意圖。

5、第8圖係移除暫時導接基板之示意圖。

（三）系爭專利2 申請專利範圍分析：系爭專利2 申請專利範圍共22項，其中第1 、20項為獨立項，餘為附屬項。原告主張系爭產品2 實施系爭專利2 請求項1 、20等語（見本案卷一第30至38頁），故以下僅列出請求項1 、20內容（見本案卷一第228 至231 頁）：1、請求項1 ：一種發光二極體層疊式製造方法，係透過層疊方式分別將磊晶成長基板上之磊晶層與高熱導係數基板進行二次導接製作發光二極體，其製作步驟包括有：a ）提供一磊晶成長基板，其上形成出一磊晶層，並定義該磊晶層上下表層分別為歐姆接觸層及蝕刻終止層；b ）於上述磊晶層之歐姆接觸層上以第一導接層接合一暫時導接基板，並於暫時導接基板完成接合後移除磊晶成長基板；c ）於磊晶成長基板移除後之蝕刻終止層上形成出一第二導接層；d ）提供一高熱導係數基板，其上形成出一第三導接層；e ）將第c 、d 步驟之第二導接層及第三導接層相接合形成一合金層，再將暫時導接基板移除，如是製作完成一將磊晶層與高熱導係數基板結合並令歐姆接觸層向上而提供更佳穩定性及光輸出效率之發光二極體。

2、請求項20：一種發光二極體層疊式構造，係透過層疊方式將磊晶層與高熱導係數基板進行二次導接形成發光二極體，其構造主要具有一高熱導係數基板，於其上以一形成永久固接關係之合金層接合磊晶層，並定義此磊晶層下表層接合高熱導係數基板為蝕刻終止層，另一上表層之歐姆接觸層則向上，如是構成一可提供更佳穩定性及光輸出效率之發光二極體。

（四）系爭產品2 技術內容：依被告公司網站所示之UHB-PX系列LED 產品（即系爭產品2 ）說明及其規格書所示，產品特徵為垂直結構，表面為P 電極，屬於表面薄膜發光結構，並具有高導電及高導熱底材（整體結構之俯視圖及側視圖見本案卷一第32頁）。

（五）將系爭專利2 請求項1 拆解為下列要件1a至1e，與系爭產品2進行比對：

1、要件1e「e ）將第c 、d 步驟之第二導接層及第三導接層相接合形成一合金層，再將暫時導接基板移除，如是製作完成一將磊晶層與高熱導係數基板結合並令歐姆接觸層向上而提供更佳穩定性及光輸出效率之發光二極體」：原證20圖1 （d ）及第A1864 頁第9 至12行載明藉由將Cr／Au／In層與Ag相接合，再利用氫氟酸溶液將暫時性的玻璃基板予以移除，前述製程可使得LED 磊晶結構與矽基板結合，惟原證20並未提及Cr／Au／In層與Ag層相接合後是否會形成「合金層」，無法認定原證20圖1 所示之LED 製程符合系爭專利2 請求項1 要件1e，因此，原證20圖1 所示之LED 製程，至少不符要件1e。

2、再者，前述原證20圖1 所示之LED 製程，雖係指P 側電極向上之AlGaInP LED ，但並無任何關於「UHB-PX」型號或其他資料可供勾稽為被告公司所生產之系爭產品2 ；復依原告所提出之系爭產品2 規格書（見本案卷一第32頁），其側視圖與電極俯視圖明顯與原證20圖1 不同（見本案卷一第267 頁），因此原證20圖1 之製程是否即為系爭產品2之製程，實有疑義。

3、基於上述理由，無法認定系爭產品2 落入系爭專利2 請求項1 之文義範圍或有何使用系爭專利2 請求項1 方法發明之情形。

（六）將系爭專利2 請求項20與系爭產品2 進行比對：

1、要件20b 「其構造主要具有一高熱導係數基板，於其上以一形成永久固接關係之合金層接合磊晶層」：查原證20圖1 （e ）所示之LED 結構具有一矽基板，其係藉由Cr／Au／In層與Ag層相互接合來接合磊晶層。但原證20並未提及Cr／Au／In層與Ag層相互接合是否形成「合金層」，故不符系爭專利2 請求項20要件20b 。

2、綜上，原證20圖1 （e ）所示之LED 結構至少不符要件20b ，且如前述，原證20並無任何關於「UHB-PX」型號或其他資料可供勾稽為被告公司所生產之系爭產品2 ；復依原告所提出之系爭產品2 規格書，其結構顯與原證20圖1 （e ）不同，是以無法認定系爭產品2 落入系爭專利2 請求項20之文義範圍或有何使用系爭專利2 請求項20方法發明之情形。

三、系爭產品3 未落入系爭專利3 請求項8 、22之文義範圍：

（一）系爭專利3 （註冊公告第550834號「發光二極體及其製造方法」專利）技術內容：系爭專利3 揭露一種發光二極體結構及其製造方法，其係藉由一介電黏接層（10）以結合發光二極體磊晶層與高熱導係數基板（8 ）（見本案卷一第241 、242 頁發明目的及概述），並把N 型砷化鎵基板（26）等層移除至蝕刻終止層（24），並再分別形成P 型歐姆接觸金屬電極層（28）及N 型歐姆接觸金屬電極層（30）（見本案卷一第251頁）。

（二）系爭專利3主要圖式（見本案卷一第260、261頁）：

1、第2圖係發光二極體磊晶片之結構示意圖。

2、第4 圖係高熱導係數基板與發光二極體磊晶片透過介電黏接層接合後形成的發光二極體結構示意圖。

（三）系爭專利3 申請專利範圍分析：系爭專利3 申請專利範圍共28項，其中第1 、15項為獨立項，餘為附屬項。原告主張系爭產品3 實施系爭專利3 請求項8 、22等語（見本案卷一第38至48 頁）。因請求項8、22係分別為請求項1 、15之附屬項，故以下列出請求項1 、8 、15、22內容（見本案卷一第253 至257頁）：1、請求項1 ：一種發光二極體（light emitting diode ;LED ），至少包括：一發光二極體磊晶片，該發光二極體磊晶片上具有一堆疊磊晶層形成的一發光二極體結構成長在一吸光基板上；一高熱導係數基板；以及一軟質之介電黏接層，其中該高熱導係數基板與該發光二極體磊晶片之表面係利用該軟質之介電黏接層接合在一起。

2、請求項8 ：如申請專利範圍第1 項所述之發光二極體，其中更包括在該高熱導係數基板與該發光二極體磊晶片接合後將該吸光基板除去。

3、請求項15：一種發光二極體之製造方法，至少包括：提供一發光二極體磊晶片，該發光二極體磊晶片上具有一堆疊磊晶層形成的一發光二極體結構成長在一吸光基板上；提供一高熱導係數基板；以及利用一軟質之介電黏接層將該高熱導係數基板與該發光二極體磊晶片之表面接合在一起。

4、請求項22：如申請專利範圍第15項所述之發光二極體之製造方法，其中更包括在該高熱導係數基板與該發光二極體磊晶片接合後將該吸光基板除去。

（四）系爭產品3 技術內容：依被告公司網站所示之UHB-AX系列LED 產品（即系爭產品3 ）說明及其規格書所示，產品特徵為水平結構，P 與N電極均位於表面，並具有絕緣、透明底材（整體結構之俯視圖及側視圖見本案卷一第40頁）。

（五）將系爭專利3 請求項8 拆解為下列要件8A至8D，與系爭產品3進行比對：

1、要件8B「一高熱導係數基板」及要件8C「一軟質之介電黏接層，其中該高熱導係數基板與該發光二極體磊晶片之表面係利用該軟質之介電黏接層接合在一起」：查原證2 圖1 之AlGaInP-sapphire LED具有藍寶石基板（即支持基板（support substrate ）），且該藍寶石基板係藉由軟質之介電黏接層（adhesive或glue layer）與發光二極體磊晶片（AlGaInP MQW LED stuctures ）之表面接合在一起；系爭專利3 請求項8 未定義何為「高熱導係數基板」，經參酌系爭專利3 說明書第10至12頁內容（見本案卷一第247 至249 頁），可知系爭專利3 係以矽、銅、鋁等高熱導係數材料之基板來取代吸光基板（GaAs）（另可參考系爭專利3 請求項1 、2 、8 、9 內容），是以「高熱導係數基板」至少需為熱導係數高於GaAs之基板，始符合系爭專利3 之發明目的。而原證2 之LED 結構係採用藍寶石基板，其熱導係數較吸光基板（GaAs）為差，非屬系爭專利3 所稱之高熱導係數基板，故原證2 圖1 之LED 結構，至少不符合8B要件之「高熱導係數基板」。

2、再者，原證2 圖1 及其內文並未提及該AlGaInP-sapphireLED 是否係被告公司所生產之「UHB-AX」系列LED 產品（即系爭產品3 ）。

3、原告主張原證2 與原證12作者之一係同一位被告公司員工，又原證2 圖1 之LED 屬GB（glue-bonded ）產品，而原證12圖2b所示之被告公司「A 系列」產品結構與原證2 之GB產品結構，或與系爭產品3 之規格書所示產品結構可相對應，乃主張原證12圖2b所示即係系爭產品3 云云（見本案卷一第40至45頁）。惟查，依系爭產品3 之規格書所示結構（見本案卷一笫40頁），並未明確見有如原證2 或原證12之黏著層，亦無法確認系爭產品3 之磊晶層結構是否與原證2 或原證12相同，況且如前述之比對，原證2 之LED 結構及製法並未符合系爭專利3 請求項8 之所有要件，自難認系爭產品3 之結構落入系爭專利3 請求項8 文義範圍。

4、原告另主張原證11圖5 （b ）所示之LED 結構、原證12圖2 （b ）之LED 結構，甚而被告之系爭產品3 規格書均有相同結構，原證11、12可證系爭產品3 係採用系爭專利3之製程云云（108 年5 月21日言詞辯論庭呈影片檔7 分25秒至8 分50秒處）。惟查，原證11、12所揭露之LED 型號或名稱為「Aquarius（AQ）」，與系爭產品3 之「AX」並不相同。又原證11及原證12之LED 結構均以藍寶石為基板，非屬高熱導係數基板，不符系爭專利3 請求項8 之8B要件。況依系爭產品3 之規格書所示結構，並未明確見有如原證11或原證12之黏著層，亦無法確認系爭產品3 之磊晶層結構是否與原證11或原證12相同，自難認系爭產品3 之結構落入系爭專利3 請求項8 之文義範圍。

（六）系爭專利3 請求項22與系爭產品3 之文義比對分析：系爭專利3 請項22係依附於請求項15，包含有請求項15之技術特徵。查系爭專利3 請求項22內容係對應於前述請求項8 ，僅是將請求項8 之發光二極體結構以相對應之製造方法加以界定，原告亦以原證2 圖1 之製造方法，主張系爭產品3 採用與系爭專利3 請求項22之製造方法云云（見本案卷一第47、48頁）。惟查，原證2 圖1 所示之發光二極體製造方法，如同前述與系爭專利3 請求項8 之比對，原證2 係採用藍寶石基板，不符系爭專利3 請求項22之「高熱導係數基板」要件。再者，原告所提之原證2 圖1 、原證12圖2 （b ）與系爭產品3 規格書所示結構具有差異，原證2 及原證12亦未提及其係「UHB-AX」系列產品，是以就現有證據資料，亦難認系爭產品3 係採用原證2 或原證12之製造方法，故無法認定系爭產品3 落入系爭專利3請求項22之文義範圍或有何使用系爭專利3 請求項22方法發明之情形。

四、綜上所述，系爭產品1 未落入系爭專利1 請求項1 之文義範圍，系爭產品2 未落入系爭專利2 請求項1 及20之文義範圍，系爭產品3 未落入系爭專利3 請求項8 及22之文義範圍，故系爭產品並無原告所稱落入系爭專利之情形，尚難認確係原告之發明，從而原告要求調查系爭產品之相關資料及被告之報關、商業資料等，自無必要，且縱無專利法第7 條第1項但書之「另有約定」，原告主張依系爭產品獲利情形給付原告「適當」之「發明」報酬，亦無理由。

肆、退而言之，縱無專利法第7 條第1 項但書之「另有約定」，原告並未證明其就系爭專利有何適當報酬請求權

一、按：「主張法律關係存在之當事人，僅須就該法律關係發生所須具備之特別要件，負舉證之責任，至於他造主張有利於己之事實，應由他造舉證證明」，最高法院著有48年臺上字第887 號民事判例，可茲參照。原告既主張對被告之報酬請求權存在，依上開判例，自應就其要件負舉證責任。

二、系爭專利1 、2 均為共同發明，而原告就該專利發明之過程，知之最詳，故原告就系爭專利1 、2 有何貢獻度之證據，係偏在於原告，況原告自承：伊任職國聯光電前，係在大學擔任研究助理兩年，之後再擔任輔具研發人員，沒有任何光電背景，沒有任何相關工作經歷等語（見本案卷三第525 頁），故原告更應就其對於系爭專利1 、2 之貢獻度為何，提出證據說明。然原告並未就其貢獻度，舉證以實其說，因此退而言之，即使系爭產品1 、2 確與系爭專利1 、2 有關且原告與國聯光電間之系爭獎勵辦法確為無效，原告亦無法舉證證明其就系爭專利1 、2 請求之數額確為專利法第7 條第1 項本文所稱之「適當」。

三、原告自承：原告收到89年分配股兩張，90年分配股是14張；原告於89年3 月20日報到入職時，職稱是研發工程師，於92年5 月2 日離開，離職前幾個月，升職為研發部研發課課長，而原告任職於國聯光電，從頭到尾，都是研發部門之研發工程師，期間並無轉換任何其他單位，亦無轉換任何職務，伊因開發系爭專利有功，所以被升職、調薪等語（見本案卷三第521 至525 頁），原告另自承：配股分紅係依「表現」來配置等語（見本案卷三第525 頁），故原告任職於國聯光電前，即已知悉其職務為研發工程師，並因此即已知悉該職務內容，即係為國聯光電研發技術，並應將所研發之技術、專利歸屬於國聯光電，且該研發之貢獻，已包括評價於所約定之報酬內，仍願前赴任職，應自認所受報酬為相當，否則不至接受該職及其薪資，況原告除薪資外，另受有前述獎金、配股及升職、調薪等利益，原告之「表現」業已受到約定之評價，堪認原告已受國聯光電依專利法第7 條第1 項本文規定支付「適當之報酬」。因此退而言之，即使系爭產品確與系爭專利有關且原告與國聯光電間之系爭獎勵辦法確為無效，原告亦無法舉證證明其於已受之約定報酬外，另有何專利法第7 條第1 項本文之適當報酬請求權。

四、原告以被告95年度至106 年度營業毛利總額382 億，其中百分之25至30為四元LED 產品，為其計算基準，進而主張：該四元LED 產品營收至少百分之50均為其貢獻度等語（見本案卷一第51頁）。原告無異主張：被告而非國聯光電必然有何依系爭專利實施之產品，且該產品必然穩賺不賠。然姑且先無論原告此一計算方式，係就與其無關之產品營收進行計算，且未扣除營運管理及產銷、人事等各式成本，專利成功不代表產品必然成功，專利成功但產品失敗之例，比比皆是，且優質產品亦不無可能有價無市，此為眾所皆知之事。原告利用國聯光電之環境、場所、各式軟硬體資源、設施，以及在先前無相關工作經歷之情形下，接受國聯光電之職業訓練而累積技術經驗（此等職業訓練與累積之技術經驗，係由原告終身取得，並得攜帶至下一任職公司利用以獲取報酬者），而發明或共同發明系爭專利，並受有無論系爭專利是否實施、即使實施後是否虧損，均不受影響之職務、報酬及獎勵保障，亦即系爭專利即使不實施、實施成果不佳或實施後銷售虧損，國聯光電均仍有義務給付原告所約定之報酬及獎勵，並由國聯光電或被告公司承擔該產品之製造風險與市場風險，而該等風險以及系爭專利開發後之未來產品不確定性、未來市場不確定性，往往可能涉及國際或兩岸經濟、法規、貿易、政治情勢、國內外景氣升降消長、市場競爭對手之研發進度及行銷能力、市場上買家或消費者之喜好變化或接受度等因素，尚非必然能以財務報表或報關、商業文書等，客觀量化為數字予以計算，故原告主張系爭產品之毛利營收過半均屬其貢獻等語，難謂妥適。

伍、結論：原告依專利法第7 條第1 項提起本件訴訟並為上開訴之聲明，並無理由，應予駁回，其假執行之聲請失所附麗，應併予駁回。

陸、本件為判決之基礎已臻明確，兩造其餘爭點、陳述、聲請調查證據及所提其他證據，經本院斟酌後，認均於判決之結果不生影響，自無庸逐一論述，併予敘明。

柒、據上論結，本件原告之訴為無理由，依智慧財產案件審理法第1 條，民事訴訟法第78條，判決如主文。

智慧財產法院第三庭