臺北高等行政法院判決

原告

日月光半導體製造股份有限公司

代表人

甲○○

訴訟代理人

陳森豐 律師

訴訟代理人

丁○○

訴訟代理人

乙○○

複代理人

庚○○

被告

經濟部智慧財產局

代表人

蔡練生（局長）

訴訟代理人

己○○

參加人

丙○○

訴訟代理人

戊○○

上列當事人間因新型專利舉發事件，原告不服經濟部中華民國95年12月18日經訴字第09506184470 號訴願決定，提起行政訴訟，並經本院依職權命第三人丙○○參加訴訟，本院判決如下：

主文

事實

一、事實概要：原告前於民國（下同）89年9 月28日以「半導體晶片封裝構造及其導線架結構」向被告智慧財產局申請新型專利，經被告編為第00000000號審查，准予專利，並於公告期滿後，發給新型第180904號專利證書（下稱系爭專利）。嗣參加人丙○○以其有違核准時專利法第98條第1 項第1 、2 款及第2項之規定，對之提起舉發。案經被告審查，於95年6 月28日以（95）智專三（二）04060 字第09520505520 號專利舉發審定書為「舉發成立，應撤銷專利權」之處分（下稱原處分）。原告不服，提起訴願，經經濟部95年12月18日經訴字第09506184470 號訴願決定駁回，原告仍不服，遂向本院提起行政訴訟。本院依職權命參加人參加訴訟。

二、兩造聲明：

㈠原告聲明：訴願決定及原處分均撤銷。

㈡被告聲明：原告之訴駁回。

三、兩造之爭點：證據1 、2 、3 、4 可否證明系爭專利不具新穎性及進步性？

㈠原告主張：

⒈被告並未依照專利審查基準之「擬制新穎性」、「新穎性判斷之概念及基本原則」與「進步性之判斷方式」之規定審查系爭專利，顯然未依法行政而其處分確實違法不當。因而被告無法論斷系爭專利是否違反專利法第98條第1 項第1 、2 款及第2 項之規定，其詳細理由如下：被告於原處分中論結「系爭專利違反核准審定時應適用之專利法第98條第1 項第1 、2 款及第2 項之規定，而審定舉發成立，應撤銷專利權」。又，經濟部於訴願決定中認為「原處分機關所為本件『舉發成立，應撤銷專利權』之處分，洵無違誤，應予維持」。然而，原告認為被告無法論斷「系爭專利是否違反專利法第98條第1 項第1 、2 款及第2 項之規定」，其原因在於被告並未依照核准審定時之專利審查基準，亦即83年11月25日所完成公告之各篇前3 章有關何謂發明、新型、新式樣（第1 章）、專利要件（第2 章）、說明書（圖說）之記載（第3 章第1 節）等專利審查基準之規定，以審查系爭專利。

⑴被告違反前揭專利審查基準之「擬制新穎性」規定：根據專利審查基準第1 篇發明專利審查基準之第2 章專利要件之第3 節新穎性之3 發明不具新穎性之情事載明「由於『申請在先並經核准專利』之發明，在後申請案申請當日之前，尚未公告於專利公報，因此後申請案之發明並無申請前已見於刊物之情事，依理於申請當日應無不具有新穎性的道理，惟法律為顧及專利權之專有排他性及一發明一專利原則，乃將此等先申請案所記載之發明以法律擬制（legal fiction ）為既有技術，而使後申請案之發明不具新穎性，故此項規定，僅能適用於考量新穎性之用，不得作為考量進步性之用」。換言之，根據上述專利審查基準之規定，此等先申請案（即89年6 月21日申請，90年9 月11日公告之第00000000號「半導體晶片封裝構造及其導線架結構」新型專利案，下稱證據1 ）僅能考量作為核駁系爭專利擬制新穎性之用，而不得組合其他舉發證據（西元1998年1 月16日公開之日本特開平00-00000號專利案，下稱證據2 ；89年7月11日公告之第00000000號「晶片座具彎折部之半導體裝置」發明專利案，下稱證據3 ；西元1994年5 月13日公開之日本特開平0-000000號專利案，下稱證據4 ）以作為核駁系爭專利進步性之用。因此，證據1 不得與其他舉發證據（證據2 、3 及4 ）以組合方式對系爭專利申請專利範圍第2-7 及9-11項進行比對，因此訴願駁回理由之組合比對方式違反專利審查基準之「擬制新穎性」規定。然而，原處分、訴願答辯書與訴願決定皆未解釋該爭點「舉發證據1 僅能考量作為核駁系爭專利擬制新穎性之用，而不得組合其他舉發證據2 、3 及4 以作為核駁系爭專利進步性之用」。因此，被告與訴願機關顯然違反專利審查基準之「擬制新穎性」規定，故未依法行政而確實違法不當。

⑵被告違反前揭專利審查基準之「新穎性判斷之概念及基本原則」規定：根據專利審查基準第1 篇發明專利審查基準之第2 章專利要件之第3 節新穎性之2 新穎性判斷之概念及基本原則載明「…⑸下位概念（註）發明之公開，使上位概念發明不具新穎性。上位概念發明之公開，原則上不影響下位概念發明之新穎性，但藉參酌當時之技術知識，而可由上位概念導出下位概念表現的發明時，則不在此限」。換言之，根據上述專利審查基準之規定，上位概念發明（亦即證據1 或2 ）的公開，原則上不影響下位概念發明（即系爭專利）的新穎性，且藉參酌當時之技術知識，無法由上位概念（即證據1 或2 ）直接且無歧異導出下位概念（即系爭專利）之表現的發明。

⑶被告違反前揭專利審查基準之「進步性之判斷方式」規定：根據專利審查基準第1 篇發明專利審查基準之第2 章專利要件之第4 節進步性之3 判斷方式載明「判斷發明是否能輕易完成時，准予將2 件或2 件以上不同文獻之全部內容或其各該文獻之部分內容、或同一文獻之各不同部分內容相互組合，准予將先前技術（prior art ）之各片斷部分相互組合，以判斷申請專利之發明是否具有突出的技術特徵或顯然的進步。惟其組合，以熟習該項技術者於申請當時（若有主張優先權者，則指有效優先權日），所能輕易完成者為限。」。換言之，根據上述專利審查基準之規定，准予將2 件或2 件以上不同文獻（亦即證據3 或4 ）相互組合，以判斷申請專利之發明（即系爭專利）是否具有突出的技術特徵或顯然的進步。惟其組合，以熟習該項技術者於申請當時，所能輕易完成者為限。如前所述，被告並未主動地依照專利審查基準之所應為的原則審查系爭專利。換言之，被告完全忽略專利審查基準之「擬制新穎性」、「新穎性判斷之概念及基本原則」與「進步性之判斷方式」規定，而在專利舉發審定書中所不為者，就是明顯不當的疏失。再者，被告在「專利審查基準研訂之始末--代序言」提及「專利法業於92年2 月6 日總統令修正，…，專利審查基準為專利法及其施行細則具體的細部規範，屬於本局內部的行政規則，係審查人員客觀公正審查專利案件之裁量基準，亦得供申請人為有關專利之申請共同遵守之原則」。因此，被告完全忽略專利審查基準之「擬制新穎性」、「新穎性判斷之概念及基本原則」與「進步性之判斷方式」之所應為的原則，就是沒有客觀公正地裁量，亦即這樣的行政處分就是沒有依據專利審查基準來判斷系爭專利有無專利所規定「擬制新穎性」、「新穎性判斷之概念及基本原則」與「進步性之判斷方式」的情事，如此就是最強烈明顯的違法失當理由。據此，被告顯然違反專利審查基準之「擬制新穎性」、「新穎性判斷之概念及基本原則」與「進步性之判斷方式」規定，因而被告無法論斷系爭專利是否違反專利法第98條第1 項第1 、2 款及第2 項之規定。如前所述，被告並未依法行政而確實違法不當。根據核准審定時之專利法，亦即83年1 月21日修正公佈之專利法第98條第1 項第1、2 款及第2 項之規定「凡可供產業上利用之新型，無下列情事之一者，得依本法申請取得新型專利：一、申請前已見於刊物或已公開使用者。但因研究、實驗而發表或使用，於發表或使用之日起6 個月內申請新型專利者，不在此限。二、有相同之發明或新型申請在先並經核准專利者。新型係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成且未能增進功效時，雖無前項所列情事，仍不得依本法申請取得新型專利。」。又，根據專利法第104 條第1 項第1 款之規定「有下列情事之一者，專利專責機關應依職權撤銷其新型專利權，並限期追繳證書，無法追回者，應公告證書作廢：

一、違反第105 條準用第27條或第97條至第99條規定者。」。依據該法條之意旨，應以公告中創作實有違反前揭法條第98條第1 項第1 、2 款及第2 項所規定之情事，始有其適用而為舉發成立之處分，以撤銷該創作之暫准專利權；倘舉發理由及證據無法證明該創作確實違反前揭法條所規定之情事，自應為舉發不成立之處分，准予該創作專利權。

⒉其次，茲針對前揭經濟部訴願決定書之訴願駁回理由及專利舉發審定書之核駁理由申述不服理由如后：

⑴根據訴願決定書第5 頁第2 至7 行及14至16行之訴願駁回理由，原告認為訴願決定並未依照專利審查基準之「新穎性判斷之概念及基本原則」規定審查系爭專利，其理由如下：就證據1 而言，證據1 之「半導體晶片封裝構造及其導線架結構」與系爭專利之申請人皆為「日月光半導體股份有限公司」，申請人清楚的瞭解系爭專利與證據1 間存在有不同的技術特徵，因此申請人進一步對系爭專利所欲保護之技術內容提出申請，亦即證據1 之技術特徵係為上位概念的發明「該導線架之晶片承座的邊緣上（或支撐肋條與晶片承座四角落連接處）具有複數個向下的突起，該突起實質屬於該晶片承座之一部份且低於該晶片承座」，而系爭專利之技術特徵係為下位概念的發明「該導線架之該支撐肋條上具有一個向下的彎折部，該彎折部實質屬於該支撐肋條之一部份且低於該晶片承座」。依照專利審查基準之「新穎性判斷之概念及基本原則」之規定，證據1 之上位概念發明的公開，原則上不影響系爭專利之下位概念發明的新穎性，且藉參酌當時之技術知識，無法由證據1 之上位概念直接且無歧異導出系爭專利之下位概念表現的發明。因此，證據1 完全未揭示系爭專利之技術特徵，故證據1 並非為相同之發明或新型申請在先並經核准專利者。更詳細而言，證據1 之申請專利範圍第1 項揭示「晶片承座之邊緣上具有向下延伸之翼片」，其晶片承座之翼片形態不等於系爭專利支撐肋條之彎折部（僅以一彎折點接觸模具內表面或裸露於封裝膠體之外，且易於加工成形），且該翼片實質屬於該晶片承座之一部份；證據1 之申請專利範圍第6 項揭示「晶片承座低置於導線內端，並具有向下之突起」，其意指晶片承座比導線最低之內端還低，亦即導線內端上沒有任一點比晶片承座還低，且該突起實質屬於該晶片承座之一部份，故其晶片承座之突起形態不等於系爭專利支撐肋條之彎折部；證據1 之申請專利範圍第11項揭示「支撐肋條於與晶片承座四角落連接處具有向下之突起」，其晶片承座之各角落連接處之突起形態（其係一凹陷部，以一凹陷底平面接觸模具內表面或裸露於封裝膠體之外）並不等於系爭專利支撐肋條之彎折部，且該突起實質屬於該晶片承座之一角隅部份，故該晶片承座之突起形態不等於系爭專利支撐肋條之彎折部；證據1 之申請專利範圍第14項揭示「晶片承座低置於導線內端，且晶片承座之邊緣上具有向下延伸之翼片」，其意指晶片承座比導線最低之內端還低，亦即導線上沒有任一點比晶片承座還低，且該翼片實質屬於該晶片承座之一部份，故其晶片承座之翼片形態不等於系爭專利支撐肋條之彎折部。簡言之，證據1 之翼片及其位置不同於系爭專利之彎折部及其位置，證據1 之突起實質位於晶片承座上，亦不同於系爭專利之彎折部及其位置，證據1 與系爭專利之間確實存在差異，若僅以擬制新穎性而言，證據1 並非完全相同於系爭專利，因而系爭專利申請專利範圍第1 及8 項確實具有擬制新穎性。

⑵根據訴願決定書第5 頁第8 至16行之訴願駁回理由，原告認為訴願決定並未依照專利審查基準之「新穎性判斷之概念及基本原則」之規定審查系爭專利：證據2 之第1b、6 、8 及12圖及說明書首頁，只揭示「於支撐肋條3 靠近晶片承座的側端部分，設有凹狀突起部（concave projecting part ）4 」。然而，證據2之技術特徵亦屬於上位概念的發明「該支撐肋條上具有複數個凹狀突起部」，而系爭專利之技術特徵係為下位概念的發明「該導線架之該支撐肋條上具有一個向下的彎折部，低於該晶片承座」。依照專利審查基準之「新穎性判斷之概念及基本原則」之規定，證據2 之上位概念發明的公開，原則上不影響系爭專利之下位概念發明的新穎性，且藉參酌當時之技術知識，無法由證據2 之上位概念直接且無歧異導出系爭專利之下位概念表現的發明。因此，證據2 完全未揭示系爭專利之技術特徵，系爭專利應具有新穎性。更詳細而言，證據2 之第1b、6 、8 圖所揭示之凹狀突起部4 ，其係以一凹陷底部（一平面）接觸模具內表面或裸露於封裝膠體之外，該證據2 之凹狀突起部4 形態並未完全相同於系爭專利支撐肋條之彎折部（僅以一彎折點接觸模具內表面或裸露於封裝膠體之外，且易於加工成形），若僅以新穎性而言，證據2 並非完全相同於系爭專利，因而系爭專利申請專利範圍第1 及8 項確實具有新穎性。

⑶根據訴願決定書第5 頁第16至23行之訴願駁回理由，原告認為訴願決定並未依照專利審查基準之「進步性之判斷方式」之規定審查系爭專利：證據3 之專利申請範圍之第1 項揭示「一種晶片座具彎折部之半導體裝置，包括：晶片；表面附著有該晶片，且另一表面上形成有至少一個彎折部之晶片座；複數個內端與該晶片表面以可導電之方式相連之導腳；以及包覆有該晶片、晶片座、以及該等導腳之內端部份之封裝膠體。」。顯而易見，證據3 所揭示出彎折部係位於該晶片承座之表面上，此與系爭專利之技術特徵「該導線架之該支撐肋條上具有一個向下的彎折部，低於該晶片承座，使該導線架具有更佳之機械強度，於注膠過程不致影響該晶片承座定位」完全不同。就系爭專利而言，證據3 之技術特徵「彎折部係位於該晶片承座之表面上」完全不同系爭專利之技術特徵「該導線架之該支撐肋條上具有一個向下的彎折部，低於該晶片承座，使該導線架具有更佳之機械強度，於注膠過程不致影響該晶片承座定位」。然而，訴願駁回理由完全未依照專利審查基準之「進步性之判斷方式」之規定，將2 件或2 件以上不同證據相互組合，以核駁系爭專利申請專利範圍第1 及8 項之進步性。惟其組合，以熟習該項技術者於申請當時，所能輕易完成者為限。換言之，訴願駁回理由並未說明如何組合證據3 與其他舉發證據，且未說明其舉發證據之組合是否為熟習該項技術者於申請當時，所能輕易完成者。更詳細而言，由證據3 各圖揭示「由晶片承座之至少一部位形成向下延伸之彎折部P 」，其彎折部P 雖稱為彎折部但其形態係下彎後不再向上連接至晶片承座，且並非形成在支撐肋條上，故不等於系爭專利支撐肋條之彎折部（由支撐肋條下彎後再向上連接至晶片承座），且系爭專利係在向下彎折加工支撐助條時同時形成彎折部，不需再另外加工晶片承座，故證據3無法輕易思及完成系爭專利概念及功效（定位晶片承座並簡化構造），因而系爭專利申請專利範圍第1 及8 項確實具有進步性。

⑷根據訴願決定書第5 頁第23至28行之訴願駁回理由，原告認為訴願決定並未依照專利審查基準之「進步性之判斷方式」之規定審查系爭專利：證據4 之第1 及6 圖揭示該晶片承座4 具有突起13（露出部15）係位於其下方。證據4 之技術特徵係類似於證據3 ，而非類似於系爭專利。亦即，證據4 之技術特徵「該晶片承座具有突起（露出部）係位於其下方」完全不同系爭專利之技術特徵「該導線架之該支撐肋條上具有一個向下的彎折部，低於該晶片承座，使該導線架具有更佳之機械強度，於注膠過程不致影響該晶片承座定位」。然而，訴願駁回理由完全未依照專利審查基準之「進步性之判斷方式」之規定，將2 件或2 件以上不同證據相互組合，以核駁系爭專利申請專利範圍第1 及8項之進步性。惟其組合，以熟習該項技術者於申請當時，所能輕易完成者為限。換言之，訴願駁回理由並未說明如何組合證據4 與其他舉發證據，且未說明其舉發證據之組合是否為熟習該項技術者於申請當時，所能輕易完成者。更詳細而言，由證據4 揭示「由晶片承座4 之至少一部位形成向下延伸之突起13」，其並非形成在支撐肋條上，且該突起13係一凹陷部，其係以一凹陷底部（一平面）接觸模具內表面或裸露於封裝膠體之外，故不等於系爭專利支撐肋條之彎折部，且系爭專利係在向下彎折加工支撐助條時同時形成彎折部，不需再另外加工晶片承座，故證據4 無法輕易思及完成系爭專利概念及功效（定位晶片承座並簡化構造），系爭專利申請專利範圍第1 及8 項確實具有進步性。

⑸根據訴願決定書第5 頁第23行至第6 頁第25行之訴願駁回理由，原告認為訴願決定並未依照專利審查基準之「擬制新穎性」之規定審查系爭專利：根據專利審查基準之「擬制新穎性」之規定，證據1 僅能考量作為核駁系爭專利擬制新穎性之用，而不得組合其他舉發證據或作為核駁系爭專利進步性之用，因此證據1 不得與其他舉發證據（證據2 、3 、4 ）以組合方式對系爭專利申請專利範圍第2-7 及9-11項進行比對，因此訴願駁回理由之組合比對方式違反專利審查基準之「擬制新穎性」規定。更重要是，原告於訴願理由第5項特別指明此一爭點「證據1 僅能考量作為核駁系爭專利擬制新穎性之用，而不得組合其他舉發證據以作為核駁系爭專利進步性之用」。然而，通篇訴願決定書皆未解釋該爭點「證據1 僅能考量作為核駁系爭專利擬制新穎性之用，而不得組合其他舉發證據以作為核駁系爭專利進步性之用」。因此，訴願決定顯然違反專利審查基準之「擬制新穎性」規定，未依法行政而確實違法不當。再者，根據專利審查基準第1 篇發明專利審查基準之第2 章專利要件之第4 節進步性之5 審查上應注意事項載明「…2.獨立項之發明具有進步性者，其附屬項當然具有進步性。且不得因獨立項之發明不具有進步性，而對其附屬項與逕予核駁，因其附屬項仍須依進步性之審查基準，作進一步客觀的研判」。就系爭專利而言，若系爭專利之獨立項（申請專利範圍第1 、8 項）具有進步性，則其之直接或間接附屬項（申請專利範圍第2-7及9-11項）亦具有進步性。

⑹根據原處分之審定內容第㈣項核駁理由，原告認為被告並未依照專利審查基準之「新穎性判斷之概念及基本原則」之規定審查系爭專利，其理由如前述理由㈠。

⑺根據原處分之審定內容第㈤項核駁理由，原告認為被告並未依照專利審查基準之「新穎性判斷之概念及基本原則」之規定審查系爭專利，其理由如前述理由㈡。

⑻根據原處分之審定內容第㈥項核駁理由，原告認為被告並未依照專利審查基準之「進步性之判斷方式」之規定審查系爭專利，其理由如前述理由㈢。

⑼根據原處分之審定內容第㈦項核駁理由，原告認為被告並未依照專利審查基準之「進步性之判斷方式」之規定審查系爭專利，其理由如前述理由㈣。

⑽根據原處分之審定內容第㈧項核駁理由，原告認為被告並未依照專利審查基準之「擬制新穎性」規定審查系爭專利，其理由如前述理由㈤。更重要是，原處分及訴願答辯書皆未說明該爭點「證據1僅能考量作為核駁系爭專利擬制新穎性之用，而不得組合其他舉發證據或作為核駁系爭專利進步性之用」。因此，被告顯然違反專利審查基準之「擬制新穎性」規定，確實違法不當。

⒊綜合上述理由與事實，訴願決定機關及被告並未依照專利審查基準之「擬制新穎性」、「新穎性判斷之概念及基本原則」與「進步性之判斷方式」規定，以審查系爭專利，因而訴願決定機關及被告無法論斷系爭專利是否違反專利法第98條第1 項第1 、2 款及第2 項之規定，當無庸置疑。再者，證據1 至4 皆未能揭示系爭專利申請專利範圍第1 至11項所界定之技術特徵「該導線架之該支撐肋條上具有一個向下的彎折部，低於該晶片承座，使該導線架具有更佳之機械強度，於注膠過程不致影響該晶片承座定位」。職是，系爭專利非為申請前已見於刊物或已公開使用者或有相同之發明或新型申請在先並經核准專利者，即屬具有新穎性，而無違反專利法第98條第1 項第1 、2 款之規定。系爭專利非熟習該項技術者所能輕易完成且未能增進功效，即屬具有進步性，而無違反專利法第98條第2 項之規定。

㈡被告主張：

⒈原告主張證據1 至4 皆未能揭示系爭專利申請專利範圍第1 至11項所界定之技術特徵「該導線架之該支撐肋條上具有一個向下彎折部，低於該晶片承座，使該導線架具有更佳之機械強度，於注膠過程不致影響該晶片承座定位」，系爭專利符合新穎性及進步性規定。

⒉證據1 （第3 、4 圖參照）其說明書第8 頁第1 至7 行，已揭示導線架包含複數條導線（120 ）以及一晶片承座（111 ），該複數條導線（120 ）之內端定義一中央區域，該晶片承座（111 ）係位於該中央區域並藉由複數個支撐肋條（119 ）與該導線架（200 ）相連接。該導線架（200 ）之特徵在於該晶片承座（111 ）四角落之下表面，或於與晶片承座（111 ）四角落連接之支撐肋條（119 ）上具有複數個向下之突起（150 ）。第18至22行已揭示導線架（200 ），於該晶片之封裝過程中，該晶片承座（111）上之突起（150 ）係與該模具之模穴底面相抵靠接觸，以確保該晶片承座（111） 具較佳之穩固性，使該封膠體（116 ）於注膠過程不致影響該晶片承座（111 ）與該晶片110 之定位；證據1 申請專利範圍第11項（獨立項）亦揭示「該晶片承座（111 ）係低置於該複數條導線之內端，且該複數個支撐肋條（119 ）於與晶片承座四角落連接處具有複數個向下之突起（150 ）等特徵。與系爭專利相較，系爭專利導線架之技術特徵則在於「該導線架之該支撐肋條上具有一個向下彎折部，低於該晶片承座」，而證據1 已揭示「該晶片承座係低置於該複數條導線之內端，且該晶片承座之邊緣上（或該複數個支撐肋條於與晶片承座四角落連接處）具有至少一個（或複數個）向下之突起（或向下延伸之翼片）」等特徵，故證據1 已具有與系爭專利申請專利範圍第1 、8 項實質上相同之整體技術特徵，故系爭專利係有相同之發明或新型申請在先並經核准專利者。

⒊證據2 （圖1b、圖6 、圖8 及圖12參照）亦已揭示在導線架之複數條導線（5 ）之內端界定一低置之晶片承座（2），並且每一支撐肋條（3 ）在靠近晶片承座處具有一向下之突起部（4 ），該突起部之底部亦低於該晶片承座（2 ）之下表面，並且裸露於封裝體（8 ），而於封裝過程中，該突起部（4 ）之底部亦靠接於其下模具（24）提供之模穴底面上，或模穴之頂面及底面上；與系爭專利相較，系爭專利第1 、8 項實質上所界定之整體技術特徵已見於證據2 。

⒋系爭專利之功效在於使該導線架具有更佳之機械強度，於注膠過程不致影響該晶片承座定位，然證據3 說明書第5頁末行至第6 頁9 行揭示「在低置於導線架平面之晶片座（30）底面外側緣上設置至少一彎折部（P ），利用彎折部（P ）頂住模穴內表面（42），故不會使晶片（10）暨晶片座（30）產生局部位移而有任何晶片座（30）外露之情形產生」，與系爭專利相較，證據3 利用於導線架形成向下彎折部（P ）之技術手段，增加該導線架在封膠過程中的定位效果。故系爭專利第1 、8 項其所運用之相關技術與知識及對應產生之功效為熟習證據3 該項技術者所能輕易完成且未能增進功效。

⒌證據4 已揭示「在低置於導線架平面之晶片座（4 ）形成突出於其底面之一種構形之突起(13)，突起之底面可抵靠模穴之底面以形成支撐及定位，因而亦裸露於封裝體」；與系爭專利相較，系爭專利第1 、8 項僅將證據4 突起（13）由晶片座移至支撐肋條上，其所運用之相關技術與知識及對應產生之功效為熟習證據4 該項技術者所能輕易完成且未能增進功效。

⒍於系爭專利申請專利範圍第1 及第8 項不具新穎性或進步性下，其申請專利範圍附屬項第2 項「至少一彎折部係裸露於該封膠體」已見於證據1 第7 頁第4 至5 行、證據2請求項第2 項、證據4 第1 圖露出部（15）；第3 項「複數條導線之部分係延伸於該封膠體外」已見於證據1 第4圖之外接腳（106 ）及證據4 第1 圖導線（3 ）；第4 項「晶片承座係低置於該複數條導線所界定之該第一水平平面，並界定一第二水平平面」已見於證據1 第9 頁第14至16行、證據4 第1 圖之晶片座（15）；第5 項「於半導體晶片之封裝過程中該封膠體係藉由一模具所模造，且該支撐肋條之彎折部係與模具之模穴底面相抵靠接觸，以確保該晶片承座具較佳之穩固性」已見於證據1 第8 頁第19至21行、證據2 第6 圖、證據4 第6 圖；第6 項「該複數個支撐肋條上包含至少三個共平面之彎折部，該三個共平面之彎折部係裸露於該封膠體」已見於證據1 第9 頁第10至15行及三點共平面之習知常識；第7 項「彎折部之位置係接近該晶片承座」已見於證據1 第8 頁第5 至9 行、證據2 第6 圖；第9 項「導線架包含四個支撐肋條用以連接該晶片承座，且每個該支撐肋條具有一個向下之彎折部」已見於證據1 第9 頁第10至11行；第10項「該複數個支撐肋條具有至少三個共平面的彎折部，並藉以界定第三水平平面，低於該第二水平平面」已見於證據1 第9 頁第14至16行；第11項「該彎折部之位置係接近該晶片承座」已見於證據1 第8 頁第5 至9 行。故證據1 至4 亦已足以證明系爭專利申請專利範圍第2 項至7 項及第9 項至11項等附屬項不具新穎性或進步性。

㈢參加人主張：

⒈被告及訴願決定機關據以作為舉發成立及訴願不成立之認事用法核無不合之處。

⑴按系爭專利審定公告當時所適用之專利法第98條第1 項第2 款之規定：「有相同之發明或新型申請在先並經核准專利者」依法不得取得專利；復依被告所頒行之專利審查基準第2-2-11至2-2-12頁關於相同新型明敘有：「在新型新穎性判斷之領域中，所謂『相同之新型』，係指兩新型之技術內容相同而言。『有相同之新型』，指申請新型專利時，已有相同之他件新型申請案存在，至於究為何人所請則非所問。…在認定先申請案之新型是否為本條款所規定之『相同之新型』時，除考量其申請專利範圍外，凡在新型說明或圖式有記載之新型，亦包涵在內」。換言之，一新型專利提出申請前，已有相同技術內容之他件新型申請案申請在先並於其後始公告，則不論申請人為何，顧及專利權之專有排他性及一發明一專利之原則，乃將先申請案所載之技術內容以法律擬制為既有技術，而使後申請案之新型不具新穎性。經查，原告於行政訴訟起訴狀理由一、六（第4 、17頁）中指稱：「舉發證據1 不得與其他舉發證據以組合方式對系爭專利申請專利範圍第2-7 及9-11項進行比對，因此舉發審定書及訴願駁回理由之組合比對方式違反專利審查基準之『擬制新穎性』規定…」云云。然而，事實上原處分理由八（第4 頁），及訴願駁回理由（第6 頁）所述：「於系爭專利申請專利範圍諸獨立項（第1,8 項）不具新穎性及進步性下，其附屬項第2 項至少一彎折部係裸露於該封膠體，其內容可見於證據1 第7 頁第4至5 行、證據2 請求項第2 項及證據4 第1 圖露出部（15）」，係指系爭專利申請專利範圍第2 所揭示之技術特徵早已「分別」見於證據1 第7 頁第4 至5 行、證據2 請求項第2 項及證據4 第1 圖露出部（15），斷非原告所謬稱之必須結合證據1 、證據2 及證據4 方可論究系爭專利申請專利範圍第2 不具專利要件。同樣地，系爭專利申請專利範圍第3-7 及9-11項之技術特徵亦可分別對應見於證據1 至4 ，而令系爭專利申請專利範圍第2-7 及9-11項之技術特徵不具專利要件。因此，原處分及訴願決定之駁回理由中，用以論究系爭案專利申請專利範圍之技術特徵不具新穎性或進步性之理由並無違反專利法及專利審查基準之規定。

⑵再者，專利審查基準第1-2-6 頁指出：「下位概念（註）發明之公開，使上位概念發明不具新穎性。上位概念發明之公開，原則上不影響下位概念發明之新穎性，但藉參酌當時之技術知識，而可由上位概念導出下位概念表現的發明時，則不在此限。（註）：1.「上位概念」，係指匯集同族或同類事項而總括的概念，或基於某種共同性質之總括複數事項之概念…2.「下位概念」，係指非匯集同族或同類事項，亦非基於某種共同性質之總括複數事項，而相對應於「上位概念」呈現為下位之具體概念…」。經查，原告於行政訴訟起訴狀中謬稱：「舉發證據1 之技術特徵係為上位概念的發明『該導線架之晶片承座的邊緣上（或支撐助條與晶片承座四角落連接處之支撐助條上）具有複數個向下的突起』…而系爭專利之技術特徵係為下位概念的發明『該導線架之該支撐助條上具有一個向下的彎折部』…有違專利審查基準之『新穎性判斷之概念及基本原則』」云云。然而，事實上，依前述專利審查基準中指出，所謂「上位概念」，係指匯集同族或同類事項而「總括」的概念，或基於某種共同性質之「總括」複數事項之概念，例如「金屬」，而所謂「下位概念」，係相對應於「上位概念」呈現為下位之具體概念，例如為「銅、銀或金等」。證據1 所揭示之「該導線架之晶片承座的邊緣上（或支撐助條與晶片承座四角落連接處之支撐助條上）具有複數個向下的突起」技術內容，實為完全揭示系爭案之「該導線架之該支撐助條上具有一個向下的彎折部」技術特徵，斷非原告所謬稱之證據1 所揭示者為上位概念，而系爭案所揭示者為下位概念。因此，證據1 即已明確揭示出系爭案之「該導線架之該支撐助條上具有一個向下的彎折部」之技術特徵，是以，原處分及訴願決定之駁回理由中，用以論究系專利不具新穎性之理由並無違反專利法及專利審查基準之規定。同樣地，證據2 所揭示之「於支撐肋條3 靠近晶片座的側端部分，設有凹狀之突起部4 」之技術內容，亦已充分明確揭示系爭專利之技術特徵所在，斷非原告所謬稱僅為系爭專利之上位概念。

⑶按專利法第98條第2 項規定：「新型係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成且未能增進功效，雖無前項所列情事，仍不得依本法申請取得新型專利」。復參考專利審查基準第2-2-17頁指出：「『既有之技術或知識』，係指申請日之前，已見於國內外刊物或已公開使用之技術、知識。『熟習該項技術者』，係指虛擬成於申請專利當時具有該新型所屬技術領域之技術常識，能運用研究、開發等一般技術性手段（指依據既有之技術或知識之基礎，經由邏輯分析、推理或試驗而得之技術手段），以發揮一般創作能力，例如選擇材料或變更設計等，並將當時該新型所屬技術領域之技術水準，化為其本身之知識者而言。『輕易完成且未能增進功效』，係指並沒有運用優於熟習該項技術者所能預期之一般性技術發展，卻輕易由先行技術可推論出並完成者。亦即，申請專利之新型具有能產生某一新功效、或增進新型之某種功效時，即認為熟習該項技術者所非能輕易完成」，相對地，亦即如系爭新型未能產生某一新功效、或增進新型之某種功效時，即認為熟習該項技術者所能輕易完成。經查，原處分（第3-4 頁）及訴願決定之駁回理由（第5-6 頁）中，確已具體指出：證據3 已揭示在低置於導線架平面之晶片座底面外側緣上設置至少一彎折部，利用彎折部頂住模穴內表面，故不會使晶片暨晶片座產生局部位移而有任何晶片座外露之情形產生，證據3 利用於導線架形成向下彎折部之技術手段，增加該導線架在封膠過程中的定位效果。相較之下，系爭專利所運用之技術與知識以及對應產生之功效為熟習該項技術者所能輕易完成且未能增進功效。證據4 是在低置於導線架平面之晶片座形成突出於其底面之一種構形之突起，突起之底面可抵靠模穴之底面以形成支撐及定位，因而亦裸露於封裝體；相較之下，系爭專利第1 、8 項僅將證據4 突起由晶片座移至支撐肋條上，其所運用之相關技術與知識及對應產生之功效為熟習該項技術者所能輕易完成且未能增進功效。因此，原處分及訴願決定之駁回理由中，用以論究系專利不具進步性之理由並無違反專利法及專利審查基準之規定。

⒉系爭專利之技術內容確已為證據1 至4 所揭示，實不具新穎性及進步性：

⑴經查，系爭專利之主要技術內容包括：①申請專利範圍第1 項所界定之「半導體晶片封裝構造」；以及②申請專利範圍第8 項所界定之「導線架結構」。首先，茲就系爭專利「半導體晶片封裝構造」之各個構成要件已為證據1 所揭示的事實，比較說明如下：

①系爭專利（申請專利範圍第1項）：一導線架，該導線架包含複數條導線以及一晶片承座，該複數條導線之內端定義一第一水平平面以及一中央區域，該晶片承座係位於該中央區域，該導線架包含複數個支撐肋條用以連接該晶片承座並且該每一支撐肋條具有一個向下彎折部低於該晶片承座；一半導體晶片，設於該晶片承座上，該半導體晶片具有複數個晶片銲墊設於其正面；複數條連接線，其分別連接該複數條導線之內端以及該半導體晶片之複數個晶片銲墊；一封膠體，包覆該導線架、半導體晶片以及複數條連接線

②證據1 ：該導線架包含複數條導線120 （lead）以及一晶片承座（die pad ）111 ，該複數條導線120 之內端定義一中央區域，該晶片承座111 係位於該中央區域並藉由複數個支撐肋條（tie bar ）119 條與該導線架200 相連接。該導線架200 之特徵係在於該晶片承座111 四角落之下表面，或於與晶片承座111 四角落連接之支撐肋條119 上具有複數個向下之突起150 （說明書第8 頁第1 至7 行）；一半導體晶片，設於該晶片承座上，該半導體晶片具有複數個晶片銲墊設於其正面（說明書第6 頁第23至24行）；複數條連接線，其分別連接該複數條導線之內端以及該半導體晶片之複數個晶片銲墊（說明書第7 頁第1 至2 行）；一封膠體，包覆該導線架、半導體晶片以及複數條連接線（說明書第7 頁第3 至4 行）。又，就目的而言，系爭專利之說明書第4 頁第18至第5頁第24行以及證據1 之說明書第4 頁18行至第5 頁第24行已有完全相同之文字敘述明確指出，系爭專利與證據1 均係針對習知技術中：①晶片承座111 的低置量過小，或連接線115 高度過高，使連接線115 暴露於封膠體116 之外，造成該晶片電氣連接的問題，影響晶片封裝的效能；②晶片承座111 過度低置，使晶片承座111 暴露於封膠體116 之外，導致封膠體116 無法有效隔絕及防止水氣進入，而於後續製程中產生水汽爆破以及封膠體龜裂，影響晶片封裝的效能；以及③注膠封裝過程中，由於該晶片承座111 與該晶片100 的拖曳阻力，或該支撐肋條119 之應力強度不足，使該晶片承座111 以及其上之晶片100 發生傾斜等的問題，藉由在導線架封裝構造中提供適當的裝置，輔助該低置（down set）導線架的定位，以增加該晶片承座的定位準確度，俾減少晶片承座定位誤差而降低封裝晶片之效能。換言之，系爭專利與證據1 均係以增加晶片承座之定位效果同時避免連接線與晶片承座暴露出封膠體為目的。再就功效而言，系爭專利之說明書第7 頁第7 至11行明敘有：「根據本創作之晶片封裝構造，可藉由該導線架之彎折部定位該導線架，以及該導線架上之該半導體晶片。因此，該導線架所形成之半導體封裝結構能夠確保該晶片、該連接線及該導線架之配置，而更加確保所製造之該半導體結構之品質」。同樣地，證據1 之說明書第7 頁第6 至10行亦明確指出：「根據本創作之晶片封裝構造，可藉由該晶片承座之突起定位該導線架，以及該導線架上之該半導體晶片。因此，該導線架所形成之半導體封裝結構能夠確保該晶片、該連接線及該導線架之配置，而更加確保所製造之該半導體結構之品質」。換言之，系爭專利係針對該種低置導線架形態之封裝構造，藉由「在支撐肋條形成複數個向下彎折部（相當於證據1 之向下之突起）」之技術手段，俾增加晶片承座之定位效果。亦如上述，系爭專利之「彎折部」以及證據1 之「突起」均係用以增加晶片承座之定位效果，「彎折部」與「突起」僅為文字敘述之變更並無實質上的差異。同樣地，系爭專利申請專利範圍第2-11項之內容亦已為證據1所充分揭示，詳細內容係可參閱舉發理由書，於此不再贅述。綜上所述，系爭專利之彎折部150 相較於證據1之突起150 ，均係用以增加該晶片承座之定位效果，其並無實質上的差異；而該突起150 （即系爭專利之彎折部150 ）係形成於晶片承座亦或是形成於支撐肋條，均已為證據1 所充分揭示，係屬法律擬制之既有技術，而使系爭專利不具專利要件之新穎性，殆無疑異。

⑵再者，證據2 「半導體裝置及其製造方法以及導線架及其製造方法」之說明書首頁已敘明，其係藉由「於支撐肋條3 靠近晶片座的側端部分，設有凹狀突起部4 」之技術手段，俾克服習知的封膠製程中，晶片與晶片座偏移彎曲的問題，同時預防銲線以及晶片座暴露出封裝膠體。另證據2 之說明書第6 欄第6 至13行亦指出，該支撐肋條設有突起部之結構形態，有助於降低水氣浸入該半導體封裝結構，且不需增加製造成本，即可確保該支撐肋條之機械信賴性；換言之，系爭專利欲克服之困難點、所使用之技術手段、以及所達之功效，均已為證據2 所揭示。且，系爭專利之「半導體晶片封裝構造」以及「導線架結構」，如下所示，亦無異於證據2 之申請專利範圍所界定者。系爭專利之技術內容係屬申請前已公開之習知技術而不具可專利性的事實，應無疑異。

①系爭專利「半導體晶片封裝構造」（申請專利範圍第1 項）：一導線架，該導線架包含複數條導線以及一晶片承座，該複數條導線之內端定義一第一水平平面以及一中央區域，該晶片承座係位於該中央區域，該導線架包含複數個支撐肋條用以連接該晶片承座並且該每一支撐肋條具有一個向下彎折部低於該晶片承座；一半導體晶片，設於該晶片承座上，該半導體晶片具有複數個晶片銲墊設於其正面；複數條連接線，其分別連接該複數條導線之內端以及該半導體晶片之複數個晶片銲墊；及一封膠體，包覆該導線架、半導體晶片以及複數條連接線。證據2 「半導體裝置」（申請專利範圍第1 項及圖式）：導線架1 （第6 圖）；內部導腳5 （第1 圖(c) ）；晶片座2 ；連接該晶片座2 之支撐肋條3 ，該支撐肋條3 延伸方向之中央處的晶片座2 側邊，設有凹狀突起部4 ；設置於該晶片座2 之半導體晶片6；銲線10（第1 圖(c) ）；封膠樹脂8 ，包覆該半導體晶片6 、晶片座2 、以及支撐肋條3 。

②系爭專利「導線架結構」（申請專利範圍第8 項）：複數條導線，該複數條導線之內端界定一第一水平平面以及一中央區域；一晶片承座，位於該複數條導線之中央區域；複數個支撐肋條連接該晶片承座至該導線架；其特徵在於該晶片承座係低置（downset ）於該複數條導線所界定之該第一水平平面，並界定一第二水平平面，且該每一複數個支撐肋條具有一個向下之彎折部，低於該第二水平平面。證據2 「導線架」（申請專利範圍第7 項及圖式）：內部導腳5 （第1 圖(c) ）；晶片座2 ；連接該晶片座2 之支撐肋條3 ；該支撐肋條3 延伸方向之中央處的晶片座2 側邊，設有凹狀突起部4 ；圖式中亦可看出，晶片座2 相較於導腳5 係位於較低之水平平面。

⑶再者，證據3 說明書第3 頁第21至23行已明敘：「本發明之主要目的即在提供一種可避免模壓時上、下模流不平衡而產生晶片座、晶片或金線外露等情形之半導體裝置」；又說明書第4 頁第4 至12行亦明確揭示：「依據上述各目的所完成之半導體裝置，係包括晶片；表面附著有該晶片之晶片座；複數個內端與該晶片表面以例如銲線之可導電方式相連接之導腳；以及包覆有該晶片、晶片座、以及該等導腳之內端部份之封裝膠體；其中，該晶片座未附著有該晶片之另一表面上設置有至少一個彎折部，…，使該晶片暨晶片座得承受一將該彎折部下壓之作用力，再藉由該彎折部頂住封裝模具之模穴內表面之作用而得以避免晶片座之外露」。換言之，證據3已明確揭示利用「於導線架形成向下折彎折部」之技術手段，增加該導線架在封膠過程中的定位效果。又，根據系爭專利申請當時之既有技術與知識，該彎折部係形成於晶片座（即系爭專利之晶片承座）或是與該晶片座相連接之支撐肋條，係屬相同創作精神而為熟習該項技術者所能輕易完成，且該等差異並未能改變系爭專利之技術內容的創作精神已為證據3 所揭示之事實。此外，證據4 之圖1-4 、6-12亦揭示在晶片座4 形成有彎折部13，該彎折部13具有一足以令其露出部15露出封膠體1之高度，且該晶片座4 相較於導線架3 之內部導線12，係位於較低之水平面，同時該證據4 之第6 圖已明確繪示，該露出部15於合模進行模壓作業（molding ）時，該露出部15得抵接至下模具35之底面上，而使晶片座4獲致良好之定位效果，俾避免晶片座4 或金線6 於模壓後外露於封膠體1 。因此，系爭專利之技術內容實與申請在先之證據1 相同，且早於系爭專利提出申請前，其技術內容已為申請並經核准公告在先之證據2 、3 、4所揭示，且僅為運用申請前既有之技術而為熟習該項技術者所能輕易完成，實已違反專利法第98條第1 項第1款及第2 款及第2 項之規定。

理由

一、按凡對物品之形狀、構造或裝置之創作或改良，而可供產業上利用者，得依法申請取得新型專利，固為系爭專利核准時專利法第97條暨第98條第1 項所明定。惟如「申請前已見於刊物或已公開使用者」、「有相同之發明或新型申請在先並經核准專利者」或其「新型係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成且未能增進功效時」，仍不得依法申請取得新型專利，復為同法第98條第1 項第1、2 款及第2 項所明定。

二、本件系爭「半導體晶片封裝構造及其導線架結構」新型專利案，其申請專利範圍共11項，除第1 、8 項為獨立項外，其餘為附屬項。其封裝構造包含：一導線架（200 ），該導線架包含複數條導線以及一晶片承座，該複數條導線之內端定義一第一水平平面以及一中央區域，該晶片承座（111 ）係位於該中央區域，該導線架包含複數個支撐肋條（119 ）用以連接該晶片承座並且該每一支撐肋條具有一個向下彎折部（150 ）低於該晶片承座；一半導體晶片（100 ），設於該晶片承座上，該半導體晶片具有複數個晶片銲墊設於其正面；複數條連接線（115 ），其分別連接該複數條導線之內端以及該半導體晶片之複數個晶片銲墊；及一封膠體（116 ），包覆該導線架、半導體晶片以及複數條連接線。另其導線架結構包含：複數條導線，該複數條導線之內端界定一第一水平平面以及一中央區域；一晶片承座，位於該複數條導線之中央區域；複數個支撐肋條連接該晶片承座至該導線架；其特徵在於該晶片承座係低置（downset ）於該複數條導線所界定之該第一水平平面，並界定一第二水平平面，且該每一複數個支撐肋條具有一個向下之彎折部，低於該第二水平平面者。而參加人所舉之舉發證據計有：附件1 為系爭專利審定公告本，附件2 為89年6 月21日申請，90年9 月11日公告之第00000000號「半導體晶片封裝構造及其導線架結構」新型專利案（即證據1 ），附件3 為西元1998年1 月16日公開之日本特開平00-00000號專利案（即證據2 ），附件4 為89年7 月11日公告之第00000000號「晶片座具彎折部之半導體裝置」發明專利案（即證據3 ），附件5 為西元1994年5月13日公開之日本特開平0-000000號專利案（即證據4 ），附件6 、7 為專利審查基準影本3 紙。本件被告係認，證據1 已具有與系爭專利申請專利範圍第1 、8 項實質上相同之整體技術特徵，故系爭專利係有相同之發明或新型申請在先並經核准專利者。證據2 之圖1b、圖8 、圖6 、圖12可證明系爭專利申請專利範圍第1 、8 項不具新穎性，證據3 利用於導線架形成向下彎折部（P ）之技術手段，增加該導線架在封膠過程中的定位效果，因此系爭專利申請專利範圍第1、8 項所運用之技術與知識以及對應產生之功效為熟習該項技術者所能輕易完成且未能增進功效。系爭專利申請專利範圍第1 、8 項僅將證據四突起（13）由晶片座移至支撐肋條上，其所運用之相關技術與知識及對應產生之功效為熟習該項技術者所能輕易完成且未能增進功效。又於系爭專利申請專利範圍第1 、8 項不具新穎性及進步性下，其附屬項第2項至少一彎折部係裸露於該封膠體，可見於證據1第7 頁第4至5 行、證據2 請求項第2 項及證據四第1 圖露出部（15）；附屬項第3 項複數條導線之部分係延伸於該封膠體外，可見於證據1 第4 圖之外接腳（106 ）、證據4 第1 圖導線（3 ）；附屬項第4 項晶片承座係低置於該複數條導線所界定之該第一水平平面，並界定一第二水平平面，可見於證據1第9 頁第14至16行、證據4 第1 圖之晶片座（15）；附屬項第5 項於半導體晶片之封裝過程中該封膠體係藉由一模具所模造，且該支撐肋條之彎折部係與模具之模穴底面相抵靠接觸，以確保該晶片承座具較佳之穩固性，可見於證據1 第8頁第19至21行及證據2 第6 圖及證據4 第6 圖；附屬項第6項該複數個支撐肋條上包含至少三個共平面之彎折部，該三個共平面之彎折部係裸露於該封膠體，可見於證據1 第9 頁第10至15行及三點共平面之習知常識；附屬項第7 項彎折部之位置係接近該晶片承座，可見於證據1 第8 頁第5 至9 行、證據2 第6 圖；附屬項第9 項導線架包含四個支撐肋條用以連接該晶片承座，且每個該支撐肋條具有一個向下之彎折部，可見於證據1 第9 頁第10至11行；附屬項第10項該複數個支撐肋條具有至少三個共平面的彎折部，並藉以界定第三水平平面，低於該第二水平平面，可見於證據1 第9 頁第14至16行；附屬項第11項該彎折部之位置係接近該晶片承座，可見於證據1 第8 頁第5 至9 行。綜上所述，證據1 至4 已足以證明系爭專利諸附屬項不具新穎性或進步性，乃為舉發成立，應撤銷專利權之處分。原告不服，循序提起行政訴訟，並為事實欄所載各節之主張，是本件應審酌者厥為：證據1 、2 、3 、4 可否證明系爭專利不具新穎性及進步性？

三、經查：

㈠就證據1 而言：

⒈系爭專利之主要技術內容包括：①申請專利範圍第1 項所界定之「半導體晶片封裝構造」；以及②申請專利範圍第8 項所界定之「導線架結構」。茲就系爭專利「半導體晶片封裝構造」之各個構成要件已為證據1 所揭示的事實，比較說明如下：

⑴系爭專利（申請專利範圍第1 項）：一導線架，該導線架包含複數條導線以及一晶片承座，該複數條導線之內端定義一第一水平平面以及一中央區域，該晶片承座係位於該中央區域，該導線架包含複數個支撐肋條用以連接該晶片承座並且該每一支撐肋條具有一個向下彎折部低於該晶片承座；一半導體晶片，設於該晶片承座上，該半導體晶片具有複數個晶片銲墊設於其正面；複數條連接線，其分別連接該複數條導線之內端以及該半導體晶片之複數個晶片銲墊；一封膠體，包覆該導線架、半導體晶片以及複數條連接線。

⑵證據1 ：該導線架包含複數條導線120 （lead）以及一晶片承座（die pad ）111 ，該複數條導線120 之內端定義一中央區域，該晶片承座111 係位於該中央區域並藉由複數個支撐肋條（tie bar ）119 條與該導線架200 相連接。該導線架200 之特徵係在於該晶片承座11 1四角落之下表面，或於與晶片承座111 四角落連接之支撐肋條119 上具有複數個向下之突起150 （說明書第8 頁第1 至7 行）；一半導體晶片，設於該晶片承座上，該半導體晶片具有複數個晶片銲墊設於其正面（說明書第6 頁第23 至24 行）；複數條連接線，其分別連接該複數條導線之內端以及該半導體晶片之複數個晶片銲墊（說明書第7頁 第1 至2 行）；一封膠體，包覆該導線架、半導體晶片以及複數條連接線（說明書第7 頁第3 至4 行）。

⒉就目的而言，系爭專利之說明書第4 頁第18至第5 頁第24行以及證據1 之說明書第4 頁18行至第5 頁第24行已有完全相同之文字敘述明確指出，系爭專利與證據1 均係針對習知技術中：①晶片承座111 的低置量過小，或連接線115 高度過高，使連接線115 暴露於封膠體116 之外，造成該晶片電氣連接的問題，影響晶片封裝的效能；②晶片承座111 過度低置，使晶片承座111 暴露於封膠體116 之外，導致封膠體116 無法有效隔絕及防止水氣進入，而於後續製程中產生水汽爆破以及封膠體龜裂，影響晶片封裝的效能；以及③注膠封裝過程中，由於該晶片承座111 與該晶片100 的拖曳阻力，或該支撐肋條119 之應力強度不足，使該晶片承座111 以及其上之晶片100 發生傾斜等的問題，藉由在導線架封裝構造中提供適當的裝置，輔助該低置（down set）導線架的定位，以增加該晶片承座的定位準確度，俾減少晶片承座定位誤差而降低封裝晶片之效能。換言之，系爭專利與證據1 均係以增加晶片承座之定位效果同時避免連接線與晶片承座暴露出封膠體為目的。

⒊再就功效而言，系爭專利之說明書第7 頁第7 至11行明敘有：「根據本創作之晶片封裝構造，可藉由該導線架之彎折部定位該導線架，以及該導線架上之該半導體晶片。因此，該導線架所形成之半導體封裝結構能夠確保該晶片、該連接線及該導線架之配置，而更加確保所製造之該半導體結構之品質」。同樣地，證據1 之說明書第7 頁第6 至10行亦明確指出：「根據本創作之晶片封裝構造，可藉由該晶片承座之突起定位該導線架，以及該導線架上之該半導體晶片。因此，該導線架所形成之半導體封裝結構能夠確保該晶片、該連接線及該導線架之配置，而更加確保所製造之該半導體結構之品質」。換言之，系爭專利係針對該種低置導線架形態之封裝構造，藉由「在支撐肋條形成複數個向下彎折部（相當於證據1 之向下之突起）」之技術手段，俾增加晶片承座之定位效果。系爭專利之「彎折部」以及證據1 之「突起」均係用以增加晶片承座之定位效果，「彎折部」與「突起」僅為文字敘述之變更並無實質上的差異。同樣地，系爭專利申請專利範圍第2-11項之內容亦已為證據1 所充分揭示，系爭專利之彎折部150 相較於證據1 之突起150 ，均係用以增加該晶片承座之定位效果，其並無實質上的差異；而該突起150 （即系爭專利之彎折部150 ）係形成於晶片承座亦或是形成於支撐肋條，均已為證據1 所充分揭示，係屬法律擬制之既有技術，而使系爭專利不具專利要件之新穎性。

㈡就證據2 而言：

⒈證據2 「半導體裝置及其製造方法以及導線架及其製造方法」之說明書首頁已敘明，其係藉由「於支撐肋條3 靠近晶片座的側端部分，設有凹狀突起部4 」之技術手段，俾克服習知的封膠製程中，晶片與晶片座偏移彎曲的問題，同時預防銲線以及晶片座暴露出封裝膠體。另證據2 之說明書第6 欄第6 至13行亦指出，該支撐肋條設有突起部之結構形態，有助於降低水氣浸入該半導體封裝結構，且不需增加製造成本，即可確保該支撐肋條之機械信賴性；換言之，系爭專利欲克服之困難點、所使用之技術手段、以及所達之功效，均已為證據2 所揭示。

⒉系爭專利之「半導體晶片封裝構造」以及「導線架結構」，亦無異於證據2 之申請專利範圍所界定者。茲就系爭專利與證據2 比較說明如下：

⑴關於半導體晶片封裝構造部分：

①系爭專利「半導體晶片封裝構造」（申請專利範圍第1 項）：一導線架，該導線架包含複數條導線以及一晶片承座，該複數條導線之內端定義一第一水平平面以及一中央區域，該晶片承座係位於該中央區域，該導線架包含複數個支撐肋條用以連接該晶片承座並且該每一支撐肋條具有一個向下彎折部低於該晶片承座；一半導體晶片，設於該晶片承座上，該半導體晶片具有複數個晶片銲墊設於其正面；複數條連接線，其分別連接該複數條導線之內端以及該半導體晶片之複數個晶片銲墊；及一封膠體，包覆該導線架、半導體晶片以及複數條連接線。

②證據2 「半導體裝置」（申請專利範圍第1 項及圖式）：導線架1 （第6 圖）；內部導腳5 （第1 圖(c) ）；晶片座2 ；連接該晶片座2 之支撐肋條3 ，該支撐肋條3 延伸方向之中央處的晶片座2 側邊，設有凹狀突起部4 ；設置於該晶片座2 之半導體晶片6； 銲線10（第1 圖(c) ）；封膠樹脂8 ，包覆該半導體晶片6、晶片座2 、以及支撐肋條3 。

⑵關於導線架結構部分：

①系爭專利「導線架結構」（申請專利範圍第8 項）：複數條導線，該複數條導線之內端界定一第一水平平面以及一中央區域；一晶片承座，位於該複數條導線之中央區域；複數個支撐肋條連接該晶片承座至該導線架；其特徵在於該晶片承座係低置（down set）於該複數條導線所界定之該第一水平平面，並界定一第二水平平面，且該每一複數個支撐肋條具有一個向下之彎折部，低於該第二水平平面。

②證據2 「導線架」（申請專利範圍第7 項及圖式）：內部導腳5 （第1 圖(c) ）；晶片座2 ；連接該晶片座2 之支撐肋條3 ；該支撐肋條3 延伸方向之中央處的晶片座2 側邊，設有凹狀突起部4 ；圖式中亦可看出，晶片座2 相較於導腳5 係位於較低之水平平面。

⑶足見，系爭專利之技術內容係屬申請前已公開之習知技術而不具可專利性。

㈢就證據3 而言：

⒈證據3 說明書第3 頁第21至23行已明敘：「本發明之主要目的即在提供一種可避免模壓時上、下模流不平衡而產生晶片座、晶片或金線外露等情形之半導體裝置」；又說明書第4頁 第4 至12行亦明確揭示：「依據上述各目的所完成之半導體裝置，係包括晶片；表面附著有該晶片之晶片座；複數個內端與該晶片表面以例如銲線之可導電方式相連接之導腳；以及包覆有該晶片、晶片座、以及該等導腳之內端部份之封裝膠體；其中，該晶片座未附著有該晶片之另一表面上設置有至少一個彎折部，…，使該晶片暨晶片座得承受一將該彎折部下壓之作用力，再藉由該彎折部頂住封裝模具之模穴內表面之作用而得以避免晶片座之外露」。換言之，證據3 已明確揭示利用「於導線架形成向下折彎折部」之技術手段，增加該導線架在封膠過程中的定位效果。

⒉又根據系爭專利申請當時之既有技術與知識，該彎折部係形成於晶片座（即系爭專利之晶片承座）或是與該晶片座相連接之支撐肋條，係屬相同創作精神而為熟習該項技術者所能輕易完成，且該等差異並未能改變系爭專利之技術內容的創作精神已為證據3 所揭示。

㈣就證據4而言：證據4 之圖1-4 、6-12亦揭示在晶片座4 形成有彎折部13，該彎折部13具有一足以令其露出部15露出封膠體1 之高度，且該晶片座4 相較於導線架3 之內部導線12，係位於較低之水平面，同時該證據4 之第6 圖已明確繪示，該露出部15於合模進行模壓作業（molding ）時，該露出部15得抵接至下模具35之底面上，而使晶片座4 獲致良好之定位效果，俾避免晶片座4 或金線6 於模壓後外露於封膠體1 。

㈤故系爭專利之技術內容實與申請在先之證據1 相同，且早於系爭專利提出申請前，其技術內容已為申請並經核准公告在先之證據2 、3 、4 所揭示，且僅為運用申請前既有之技術而為熟習該項技術者所能輕易完成，實已違反專利法第98條第1 項第1 款及第2 款及第2 項之規定。

四、原告其餘所述亦不可採：

㈠原告指稱：「舉發證據1 不得與其他舉發證據以組合方式對系爭專利申請專利範圍第2-7 及9-11項進行比對，因此舉發審定書及訴願駁回理由之組合比對方式違反專利審查基準之『擬制新穎性』規定…」云云。惟查：

⒈按系爭專利審定公告當時所適用之專利法第98條第1 項第2 款之規定：「有相同之發明或新型申請在先並經核准專利者」依法不得取得專利；復依被告所頒行之專利審查基準第2-2-11至2-2-12頁關於相同新型明敘有：「在新型新穎性判斷之領域中，所謂『相同之新型』，係指兩新型之技術內容相同而言。『有相同之新型』，指申請新型專利時，已有相同之他件新型申請案存在，至於究為何人所請則非所問。…在認定先申請案之新型是否為本條款所規定之『相同之新型』時，除考量其申請專利範圍外，凡在新型說明或圖式有記載之新型，亦包涵在內」。換言之，一新型專利提出申請前，已有相同技術內容之他件新型申請案申請在先並於其後始公告，則不論申請人為何，顧及專利權之專有排他性及一發明一專利之原則，乃將先申請案所載之技術內容以法律擬制為既有技術，而使後申請案之新型不具新穎性。

⒉本件依原處分理由八所述：「於系爭專利申請專利範圍諸獨立項（第1,8 項）不具新穎性及進步性下，其附屬項第2 項至少一彎折部係裸露於該封膠體，其內容可見於證據1 第7頁 第4 至5 行、證據2 請求項第2 項及證據4 第1圖露出部（15）」，係指系爭專利申請專利範圍第2 項所揭示之技術特徵早已「分別」見於證據1 第7 頁第4 至5行、證據2 請求項第2 項及證據4 第1 圖露出部（15），而非原告所稱之必須結合證據1 、證據2 及證據4 方可論究系爭專利申請專利範圍第2 項不具專利要件。同樣地，系爭專利申請專利範圍第3-7 及9-11項之技術特徵亦可分別對應見於證據1 至4 ，而令系爭專利申請專利範圍第2-7 及9-11項之技術特徵不具專利要件。因此，原處分用以論究系爭案專利申請專利範圍之技術特徵不具新穎性或進步性之理由，並無違反專利法及專利審查基準之規定。是此部分原告所述要不可採。

㈡原告又稱：「舉發證據1 之技術特徵係為上位概念的發明『該導線架之晶片承座的邊緣上（或支撐助條與晶片承座四角落連接處之支撐助條上）具有複數個向下的突起』…而系爭專利之技術特徵係為下位概念的發明『該導線架之該支撐助條上具有一個向下的彎折部』，故系爭專利有新穎性，原處分顯違反專利審查基準之『新穎性判斷之概念及基本原則』」云云。惟查：

⒈依專利審查基準第1-2-6 頁規定：「下位概念（註）發明之公開，使上位概念發明不具新穎性。上位概念發明之公開，原則上不影響下位概念發明之新穎性，但藉參酌當時之技術知識，而可由上位概念導出下位概念表現的發明時，則不在此限。（註）：1.「上位概念」，係指匯集同族或同類事項而總括的概念，或基於某種共同性質之總括複數事項之概念…2.「下位概念」，係指非匯集同族或同類事項，亦非基於某種共同性質之總括複數事項，而相對應於「上位概念」呈現為下位之具體概念…」。

⒉所謂「上位概念」，係指匯集同族或同類事項而「總括」的概念，或基於某種共同性質之「總括」複數事項之概念，例如「金屬」，而所謂「下位概念」，係相對應於「上位概念」呈現為下位之具體概念，例如為「銅、銀或金等」。證據1 所揭示之「該導線架之晶片承座的邊緣上（或支撐助條與晶片承座四角落連接處之支撐助條上）具有複數個向下的突起」技術內容，實為完全揭示系爭案之「該導線架之該支撐助條上具有一個向下的彎折部」技術特徵，斷非原告所謬稱之證據1 所揭示者為上位概念，而系爭案所揭示者為下位概念。因此，證據1 即已明確揭示出系爭案之「該導線架之該支撐助條上具有一個向下的彎折部」之技術特徵，是以，原處分用以論究系專利不具新穎性之理由，並無違反專利法及專利審查基準之規定。是此部分原告所述亦不可採。

五、綜上，原告所訴為不可採。從而，被告所為本件「舉發成立，應撤銷專利權」之處分，揆諸首揭法條規定，並無不法，訴願決定予以維持，亦無不合。原告徒執前詞，訴請撤銷，為無理由，應予駁回。

六、兩造其餘攻擊防禦方法均與本件判決結果不生影響，故不逐一論述，併此敘明。

據上論結，本件原告之訴為無理由，爰依行政訴訟法第98條第1項前段，判決如主文。

第二庭審判長法 官　徐瑞晃