資料來源：司法院法令判解系統
貴轄○○科技股份有限公司（以下簡稱○○公司）函詢中壢三廠製程後段切割（濕式作業）程序是否需符合半導體製造業空氣污染管制及排放標準規定之疑義一案。
要旨
貴轄○○科技股份有限公司（以下簡稱○○公司）函詢中壢三廠製程後段 切割（濕式作業）程序是否需符合半導體製造業空氣污染管制及排放標準 規定之疑義一案，請查照。
內文
主 旨：貴轄○○科技股份有限公司（以下簡稱○○公司）函詢中壢三廠製程後段切割（濕式作業）程序是否需符合半導體製造業空氣污染管制及排放標準規定之疑義一案，請查照。
說 明：一、依半導體製造業空氣污染管制及排放標準（以下簡稱排放標準）第 2條第 6 款規定，揮發性有機物（VOCs）係指有機化合物成份之總稱。但不包括甲烷、一氧化碳、二氧化碳、碳酸、碳化物、碳酸鹽、碳酸銨等化合物。另依同排放標準第 4 條規定，半導體製造業產生之空氣污染物應由密閉排氣系統導入污染防制設備，處理至符合規定後始得排放，包括 VOCs 空氣污染物削減率應大於 90％ 或工廠總排放量應小於 0.6 kg／hr （以甲烷為計算基準）。又依同排放標準第 5條規定，依前條規定收集至污染防制設備處理之廢氣， VOCs 工廠總排放量大於等於 0.6 kg／hr 者，其 VOCs 防制設備之廢氣導入處及排放口應設置濃度監測器。
二、依○○公司提供中壢三廠從事 CMOS 影像感測元件之晶圓層級封裝生產之流程圖及相關資料，切割（濕式作業）程序使用切削液成分所含異丙醇屬 VOCs ，且該切割（濕式作業）程序係屬從事 CMOS 影像感測元件之晶圓層級封裝生產之必要程序，故其排放空氣污染物仍應符合前揭排放標準規定，將產生之空氣污染物由密閉排氣系統導入污染防制設備，處理至符合規定後始得排放，該廠 VOCs 總排放量大於等於 0.6 kg／hr 者，該 VOCs 防制設備之廢氣導入處及排放口仍應設置濃度監測器。本案請貴局依前揭規定，本權責依實際情形判定。
