智慧財產法院行政判決

　　　　　　　　　　　　　　　　　　 98年4月30日辯論終結

原告

甲○○

訴訟代理人

乙○○（專利代理人複代理人 己○○訴訟代理人 鍾亦琳律師被 告 經濟部智慧財產局代 表 人 丙○○（局長）住同上訴訟代理人 戊○○庚○○參 加 人 悠立半導體股份有限公司代 表 人 丁○○訴訟代理人 辛○○（專利代理人

上列當事人間因發明專利舉發事件，原告不服經濟部中華民國97年11月4 日經訴字第09706115390 號訴願決定，提起行政訴訟。本院判決如下︰

主文

事實及理由

一、事實概要︰參加人悠立半導體股份有限公司前於民國92年10月21日以「銲錫凸塊的形成方法」向被告智慧財產局申請發明專利，經被告編為第92129115號審查，准予專利，並於公告期滿後，發給發明第I226118 號專利證書。嗣原告於94年9 月8 日以其違反專利法第22條第1 項第1 款及第4 項之規定，對之提起舉發，參加人於94年12月5 日提出申請專利範圍更正本，將原申請專利範圍第1 項至第8 項刪除，並將原第9 項至14項之項次變更為第1 項至第6 項，被告認該更正本應可更正，經通知原告於96年12月7 日提出舉發補充理由書，案經被告依94年12月5 日更正本及兩造所提資料審查，於97年7 月21日以（97）智專三（二）04066 字第09720377470 號專利舉發審定書為「舉發不成立」之處分。原告不服，提起訴願，經經濟部97年11月4 日經訴字第09706115390 號訴願決定駁回，原告仍不服，遂向本院提起行政訴訟。本院認本件判決之結果，將影響參加人之權利或法律上之利益，依職權命參加人獨立參加本件訴訟。

二、原告之主張：

㈠被告所公告專利審查基準（下稱審查基準）5.12及5.1.3 可知，舉發的審定應依照原告所主張的理由以及證據所組合的事實來審酌。經濟部訴字00000000000 訴願決定「... 舉發理由... 提及，引證1 至引證3 的組合可以推知系爭專利請求項第1 項應不具進步性... 然原處分機關於舉發審定書中就此部分並未加以論述，顯有漏未審酌之情事... 」及審查基準5.1. 3「證據不同的組合，形成不同的爭點... 」。故被告雖已就原告所主張之「系爭專利請求項第1 項是否具備進步性事由」為處分，然被告所採之證據組合與原告於舉發理由中所提出之證據組合並不相同，故即使被告審查時之法條與原告主張之法條相同，兩者仍為不同的爭點。被告對原告所主張之重要理由並未加以論述，顯有漏未審酌之情事。按前揭訴願決定及審查基準，訴願機關應撤銷被告之處分。惟訴願機關卻未察被告漏未審酌，顯有違法失職之處。合先敘明。

㈡原告於訴願補充理由第2 點（2 ）已具體陳述系爭專利申請專利範圍第1 項之「大體」、「一既定高度」等用語不明確，無法作為界定技術特徵的依據。因該不明確會使所屬技術領域具有通常知識者無法瞭解其真實的技術特徵之技術意義，將影響系爭專利進步性的判斷，並使該申請專利範圍之保護範圍不明確。根據審查基準3.4 及該審查基準所例示之「3.4.1.3 界定發明之技術特徵或技術關係不明確與3.4.1.5表現方式所致之不明確」的請求項記載不明確事由，可知系爭專利申請專利範圍前揭不明確用語確屬審查基準所認定之請求項記載不明確的情形，違反專利法第26條之規定，系爭專利應為專利專責機關撤銷。前所述者為影響系爭專利存續與否的重要主張，被告於訴願理由中隻字未提，且訴願機關於訴願決定中亦無說明，顯見被告與訴願機關若非未考量到「系爭專利之用語不明確已影響專利存廢之情事」，即是有漏未審酌原告主張之違誤，應撤銷被告之原處分以及訴願決定。

㈢依原告所提之舉發理由書、舉發補充理由以及訴願補充理由書可知，系爭專利申請專利範圍第1 項之主要技術特徵已為系爭專利所揭之先前技術所揭露，且兩者之差異則揭露於引證一至四中，故系爭專利申請專利範圍第1 項應為所屬技術領域具有通常知識者所能輕易完成者。詳言之，原告已於舉發理由書6 、7 、8 以及表1 、2 陳明，系爭專利申請專利範圍第1 項之「提供一基底，具有一金屬層於一表面上」、「形成一圖形化的罩幕層於該金屬層上，暴露部分該金屬層」、「以電鍍法形成一銀含量為1.6~3 .0重量百分比(wt ﹪) 的銲錫(solder)凸塊於暴露的該金屬層上」、「移除該圖形化的罩幕層」以及「以該銲錫凸塊為罩幕，圖形化該金屬層為一凸塊下金屬層」已經完全揭露於系爭專利所揭之先前技術中，且該「銀含量為1.6~3 .0重量百分比(wt ﹪) 的銲錫(solder)凸塊」之技術特徵亦已揭露於引證一之申請專利範圍第1 項「... 銀含量係藉於1.5(wt﹪) 至2.8(wt﹪) 之範圍內... 」以及引證二之第11a 圖「... 增加溫度或攪動電解液有助於銀之共沈積，在寬廣的電流密度範圍內可以達到3 ±2﹪Ag之合金組成物... 」、第13圖「... 銀含量約3﹪之錫銀沈積，在儲存一段長時間之後( 例如，在室溫下儲存2 年) ，不會產生鬚晶(whisker)...」。故參加人於知悉舉發理由後即於94年12月5 日對系爭專利提出更正申請刪除申請專利範圍第1 至8 項，且於舉發答辯理由第6 頁4 至6行和第16至18行，亦自承引證1 和引證2 揭露了系爭專利申請專利範圍第1 項中的銲錫成分，但未揭露系爭專利申請專利範圍第1 項中其他必要的技術特徵，如第一段電鍍... 。由此顯見參加人已明瞭前述之「系爭專利的技術特徵」和「銲錫凸塊之銀含量」已揭示於系爭專利所自揭之先前技術以及引證案中，且對此並無異議。據上可知，系爭專利申請專利範圍第1 項與系爭專利所自揭之先前技術的差異僅在於「三階段電鍍技術並於各階段增加或維持電流以維持一既定電流密度的手段」。然而，以電鍍方式於金屬層上形成銲錫凸塊是相當習知的技術，且就實務上而言，在電鍍過程中不論分為幾個階段的電鍍來形成銲錫凸塊，都屬於以電鍍方式來形成高於罩幕層的銲錫凸塊（此部分已揭示於系爭專利所揭示的先前技術，舉發理由書中表1 中的C1與習知技術的比較），故系爭專利請求項1 之三階段電鍍手段與習知的技術手段和達成效果並無不同。復參照系爭專利說明書第6 頁、第7 頁關於三段電鍍手段的記載可知，系爭專利所謂「三階段電鍍方式」之步驟是以改變電鍍的電流作為階段的區分，換言之，系爭專利之三階段電鍍的方式與習知技術相同皆是在一次電鍍作業中完成且兩者並無差異，而系爭專利僅因在電鍍過程中增加電鍍之電流而將其電流改變時點稱為第一、二、三階段的電鍍。參酌引證2 之第11a 、b 、c 圖可知「增加電流密度有利於降低銀含量」，又由引證4 說明書第7欄表4 、第9 欄表10與11、第10欄表12與13、第11欄表15、第12欄表17結果均顯示「低電流密度所形成之凸塊中的銀含量較高，增加電流密度，則有利於降低凸塊中的銀含量」（舉發理由書表1 中的C1與習知技術的比較），因此，所屬技術領域具有通常知識者若欲維持銀含量必定會以控制電流密度作為技術手段。況且，系爭專利所自承之先前技術說明書第14頁18至21行已揭示「... 該隆起物將形成一柱狀外形。假若持續該電鍍製程至高於該光阻層之高度，則將形成一“蕈”之外形」及第3a圖可知，當以電鍍形成銲錫凸塊超過罩幕層時，該凸塊的形狀就不再受到罩幕層的限制而形成柱狀，反而會形成“蕈”之外形，換言之，當銲錫凸塊的高度高過於罩幕層時，該柱狀的橫向剖面積會因為凸塊形成“蕈”狀而變大，因此，若不調整電流則會使平均單位面積所分配到的電流減少，電流密度隨即下降，導致無法達到使該銲錫凸塊的銀含量不超過3.0wt%的目的。然而，如引證2 和4 之圖表所示，增加電流密度有利於降低凸塊中的銀含量。因此，所屬技術領域具有通常知識者於電鍍銲錫凸塊的過程中，為了使銲錫凸塊的銀含量不超過3.0wt%，必定會隨著凸塊形成“蕈”狀使得電鍍面積擴大時，相對地增加電鍍的電流以利於維持一既定的高電流密度，進而控制銲錫凸塊的銀含量，故系爭專利所謂之「三段式電鍍」與習知的電鍍作業並無不同。易言之，銀含量為1.6~3.0 重量百分比的銲錫凸塊之技術特徵已見於引證一，銲錫凸塊的高度以及電鍍面積的變化則係本領域的習知現象，亦見於系爭專利所自成的先前技術中，而系爭專利申請專利範圍第1 項在三段電鍍步驟反覆界定之「使通過該銲錫凸塊的電流具有該既定電流密度」，亦與引證2 和4 圖表所揭示之透過寬廣的電流密度所達成並無不同，僅是文字上對技術手段的界定方式變化，並無區分之實益，即便刻意區○○○段電鍍，其在性質上和數量上並未產生顯著的變化，根據被告專利審查基準第3.4.2.1 節之內容，實不具進步性。綜上所述，相較於引證1 、2 、4 以及系爭專利所自揭之先前技術的組合，系爭專利申請專利範圍第1 項為所屬技術領域具有通常知識者所能輕易完成，不具進步性。

㈣台北高等行政法院91年度訴字第1156號判決「該部分並非原告異議理由所主張……，被告以其取代原告主張之證據資料而為審查，亦有認作主張事實之違法」、94年2 月23日經訴字00000000000 「……關係人之專利舉發申請書之六、舉發事由之8 點理由中……實體技術僅分別論述引證1 或引證2均已揭露系爭專利結合油壓缸組與氣壓缸組之專利特徵……並未如原處分所述將引證1 之進風管路及回風管路係設於底座內部與引證2 之主要技術構造相互結合，主張系爭專利不具進步性而為舉發理由之情形。專利舉發制度實務上既採當事人進行主義，原處分所為本件舉發成立之理由，亦已構成『訴外裁判禁止』之違法」。由前述可知，原告係將系爭案申請專利範圍第1 項與系爭專利所自承的先前技術進行比對，證明系爭專利申請專利範圍第1 項等技術特徵均已揭露於系爭專利所自承的先前技術中，且其他的技術特徵差異亦為引證1 至4 所揭露，換言之，原告係主張系爭專利申請專利範圍第1 項是基於系爭專利所自揭的先前技術，依引證1 至4 之內容而為所屬技術領域具有通常知識者可輕易完成。若依被告之審理方式，將系爭專利僅相較於引證1 至4 而不考慮系爭專利所自承的先前技術，自會產生舉發不成立之結果。惟被告未依原告所提之爭點加以審酌，並敘明理由，卻以引證1 至引證4 之結合不能證明系爭專利申請專利範圍第1項為所屬技術領域中具有通常知識者依申請前之先前技術所能輕易完成作為系爭專利舉發不成立的處分理由，且於訴願答辯書亦未採納原告於訴願理由書陳述被告作成前處分時所疏漏之證據（亦即系爭專利所揭的先前技術），未將其納入比較，顯見被告處分全未考量原告之舉發主張，未針對舉發、訴願理由所提之爭點審查，違背處分權主義、審查基準及有漏未審酌、訴外裁判之違法。且訴願機關未能審視原處分之缺失而對於舉發理由詳加考量，反而直接引述被告之處分理由作出訴願無理由的決定，顯有違法失當。

㈤被告雖於答辯理由一陳稱係以概括方式而為論述，然專利舉發審定書中，僅論及引證一至四，隻字未提原告所主張之系爭案自承習知技術，由於該習知技術影響舉發成立與否至為重大，被告顯係以「概括方式」一詞，模糊其漏未審酌具有影響本案舉發成立與否之重要事實一事。詳述之，原告舉發理由第12頁第5 點，已就引證案結合中華民國註冊第502424號專利說明書（系爭專利自承之先前技術，下稱先前技術）後，證明系爭專利不具專利要件。原告舉發理由第3 、4 、8 及11頁表格以及第5 頁第七點舉發理由，已就引證案結合先前技術後，證明系爭專利不具專利要件一事加以說明。又舉發理由第3 、4 、8 及11頁表格以及第5 頁第7 點舉發理由所引用之先前技術及引證1 、2 、3 及4 ，即係用以證明系爭專利申請專利範圍第9 項不具專利要件。原告已於舉發補充理由第4 頁第2 段對應第3 頁第4 點有關先前技術，就電鍍步驟及增加電流之說明，惟原舉發審定於理由中完全未就引證案結合先前技術之結果加以審酌。復參閱舉發補充理由第2 及3 頁，已分別於舉發補充理由第2 至4 點引用引證一說明銀含量1.6 至3.0 重量百分比已為引證案揭示，引證2 及4 揭露電流密度與銲錫凸塊銀含量之關係，以及先前技術揭示持續電鍍製程使銲錫凸塊形成蕈狀外觀之必經過程，亦同時說明電鍍面積擴大時需要增加電流值的理由。因此，原告於舉發補充理由第4 頁第2 段「被舉發案方法中的" 第一段電鍍步驟" 至" 第二段電鍍步驟" ，由於所形成之銲塊的面積將不再受罩幕開口限制而擴大，為維持該既定電流密度使銀含量不超過3.0 重量百分比，勢必需要增加電流」之敘述，即對應舉發補充理由第3 頁第4 點先前技術就電鍍步驟及增加電流之說明。舉發補充理由第6 頁第7 點及第7 頁第9 點亦將先前技術列為舉發證據並與引證4 及引證1 和2組合，以證明系爭專利申請專利範圍第2 及6 項不具可專利性。舉發理由或舉發補充理由均明確引述先前技術專利說明書內文及圖式，故於舉發審查時，被告應審酌包含該專利或該專利與證據1 、2 、3 及/ 或4 之組合的爭點。然而，綜觀被告之處分理由未有針對舉發理由及補充理由中將系爭專利列為證據而論述的部分，始至答辯書方承認原告舉發理由及舉發補充理由據以引證案1 至4 結合系爭專利自承先前技術之事實，因此被告漏未審酌之情事，至為明確。

㈥聲明：1.訴願決定及原處分均撤銷。2.被告應為系爭專利舉發成立之審定。3.訴訟費用由被告負擔。

三、被告之主張：

㈠原告於舉發理由及舉發補充理由皆據以引證案1 至4 或引證案1 至4 結合系爭專利自承技術論述系爭專利不具專利要件，惟引證案1 至4 相較於系爭專利僅為部分揭示，且舉發理由及補充理由未有明確述明引證案間如何結合，僅有在結論處偶有指出結合引證案1 、2 等文字，原處分係以概括方式各引證案間結合而為論述，並無違反原告處分權範圍。

㈡查原處分理由（四）已詳述引證案一申請專利範圍第1 項所揭示一種半導體裝置，包括電路基板、半導體元件、以及銲錫合金所製成之凸塊，該半導體元件係透過該銲錫合金所製成之凸塊電性連接至電路基板，該銲錫合金係以錫- 銀為主之合金，該合金之錫含量為90（wt％）或以上，以及銀含量係介於1.5 （wt％）至2.8 （wt％）之範圍內，…。引證案二揭示多種無鉛銲錫合金銲料，圖11a 至圖11c 在不同溫度條件下，錫- 銀沉積物中之銀含量與電流密度關係，文中載明增加溫度或攪動電解液有助於銀之共沉積，在寬廣的電流密度範圍內可以達到3 ±2 ％Ag之合金組成物。引證案3 揭示在電鍍起始階段，該銅或銅合金係經電鍍至起始厚度，……。在第二電鍍階段使用前進- 後退脈衝電鍍完全將該開孔填滿。引證案4 揭示藉由改變電流密度而調整所形成之合金層的銀含量。相較系爭專利第1 項所載之技術特徵，就整體觀之，引證案1 至4 僅揭示第1 項部分技術特徵，故引證案1 至4 不能證明系爭專利第1 項為申請前已見於刊物或已公開使用者。又引證案1 至4 只有部份揭示關於電鍍形成銲錫凸塊等技術，相較系爭專利第1 項，在該金屬層通過具有一第一電流值的電流，執行第一段電鍍，形成高度大體與該圖形化的罩幕層同高的一銀含量為1.6~3.0 重量百分比(wt%)的銲錫凸塊，並使通過該銲錫凸塊的電流具有一既定電流密度；在該金屬層通過具有一第二電流值的電流，執行第二段電鍍，直到該銀含量為1.6~3.0 重量百分比的銲錫凸塊的高度大體為該圖形化的罩幕層高度的1.2 倍，其中該第二電流值大於該第一電流值，並使通過該銲錫凸塊的電流具有該既定電流密度；在該金屬層通過具有一第三電流值的電流，執行第三段電鍍，其中該第三電流值不小於該第二電流值，直到該銀含量為1.6~3. 0重量百分比的銲錫凸塊的高度到達一既定高度，並使通過該銲錫凸塊的電流具有該既定電流密度之主要技術特徵不同引證案1 至4 所揭示，故引證案1 至4結合不能證明系爭專利第1 項為其所屬技術領域中具有通常知識者依申請前之先前技術所能輕易完成。系爭專利附屬項2 至6 係包含其所引用之獨立項全部技術內容在內，作進一步敘明其所引用之獨立項外之技術特點，獨立項既具新穎性及進步性，故附屬項2 至6 亦具有新穎性及進步性。據此，原處分認事用法並無不當。

㈢聲明：1.駁回原告之訴。2.訴訟費用由原告負擔。

四、參加人之陳述：原告雖稱被告並未審酌先前技術，但觀之原告於舉發時所提出的證據不明確，因此指責被告未審酌先前技術並不適當。且即便參酌先前技術，該先前技術與系爭專利的發明精神也不相同，即便結合，也無法得到系爭專利的技術特徵。

五、本件之爭點：原告舉發理由之證據是否為系爭專利發明說明中之先前技術第502424號專利與引證1 至引證4 之結合，而被告僅對引證1 至引證4 之個別或結合審定舉發不成立，被告是否有漏未審酌之違誤？

六、本院得心證之理由：

㈠按「稱發明者，謂利用自然法則之技術思想之創作。」「凡可供產業上利用之發明，無下列情事之一者，得依本法申請取得發明專利：一、申請前已見於刊物或已公開使用者。「發明雖無第一項所列情事，但為其所屬技術領域中具有通常知識者依申請前既有之技術所能輕易完成時，仍不得依本法申請取得發明專利。」為系爭專利核准時專利法第21條、第22條第1 項第1 款及第4 項所規定。而對於獲准專利權之發明，任何人認有違反首揭專利法第21條至第22條規定者，依法得附具證據，向專利專責機關舉發之。從而，系爭專利有無違反首揭專利法之情事而應撤銷其發明專利權，依法應由舉發人附具證據證明之，倘其證據不足以證明系爭專利有違首揭專利法之規定，自應為舉發不成立之處分。

㈡次按依被告所公布「專利審查基準」第5-1-18頁規定：「依舉發人所述之舉發理由、所主張之專利要件、舉發證據、申請專利範圍請求項，以決定爭點範圍。」「證據之不同組合，形成不同的待證事實，構成不同之爭點。例如以證據A 與B 之組合主張系爭專利不具進步性；以及以證據A 、B 、C之組合主張系爭專利不具進步性，此兩種主張為不同之爭點。復依「專利爭議案件審查訓練教材」第48頁規定：「從舉發理由及答辯理由判斷個案所成立之爭點，其要素至少有三：專利要件、舉發證據、申請專利範圍請求項。以上三要素任一要素之不同，即構成不同之爭點。」是對於證據之不同組合，即形成不同爭點，舉發理由如已具體主張證據之不同組合，即形成不同之爭點，原處分自應分別予以審查，如其漏未審酌，即率認舉發不成立，於法即有未合。

㈢本件原告於94年9 月29日之舉發理由書第2 頁第六點第5 行「…被舉發案與其自承之相關先前技術之間的差異僅在於被舉發案將其錫焊凸塊之錫- 銀合金進一步限定為" 銀含量為1.6 至3.0 重量百分比(wt ％)"，其餘者均為所屬技術領域中具有通常知識者可直接置換，而非為被舉發案所創作之技術特徵，合先敘明」，表1 至表3 並做被舉發案與被舉發案與其自承之相關先前技術( 即公告第502424號專利) 做技術比對（見核駁卷第69至71頁）；另原告於96年12月7 日之舉發補充理由書第3 頁第4 點「根據被舉發案自承之相關先前技術(TW502424)專利說明書記載…。因此，利用電鍍方式形成焊錫凸塊的過程中，…」；舉發補充理由書第6 頁第7 點「誠如原舉發理由所述，由於被舉發案自承之相關先前技術(中華民國公告第502424號專利) 說明書第13頁第10至16行已明確指出：…」；舉發補充理由書第7 頁第9 點「經查，被舉發案所自承之先前技術（中華民國公告第502424號專利）說明書第10頁第21行：『…』、引證1 說明書【0029】亦載明『…』、以及引證2 所揭示者亦屬於…。換言之，被舉發案、被舉發案所自承之先前技術、以及引證1 與引證2所揭示之內容均為用於半導體封裝製程之無鉛金屬焊料，係屬於相同之技術領域。…」等（見核卷第252 、253 、256頁）。綜上足見原告舉發理由主張：引用證據應包括系爭專利自承之相關先前技術（即中華民國公告第502424號專利)及引證1 、2 、3 、4 。此外，被告於行政訴訟答辯理由一中亦敘述：「原告於舉發理由及舉發補充理由皆據以引證案1 至4 或引證案1 至4 結合系爭專利自承技術論述系爭專利不具專利要件」，及被告於本院行準備程序時亦自陳：「對於先前技術沒有審酌到並不爭執」等語（見本院98年3 月24日準備程序筆錄），顯見被告亦認同原告舉發理由之引用證據應包括被舉發案自承之相關先前技術( 即中華民國公告第502424號專利) 之事實。是依上開說明，系爭專利自承之相關先前技術（即中華民國公告第502424號專利) 與引證1、2、3 、4 如何為結合證據，均為獨立之爭點，對於此獨立之爭點，原處分自應分別予以審查。

㈣乃原處分於審定書之理由欄第（三）段謂：「舉發理由以引證1 至4 據為主張系爭專利申請專利範圍各項有違專利法第22條第1 項第1 款及第4 項之規定」；第（四）段謂：「引證1 至引證4 既無法證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具新穎性、進步性，自亦無法證明系爭專利申請專利範圍第2項至第6 項等附屬項不具新穎性、進步性。」（參本院卷第24、25頁），足見原處分確漏未審酌系爭專利之相關先前技術（即中華民國公告第502424號專利) 與引證1 、2 、3 、4 之間結合證據之舉發理由。是以被告所為之處分自與上述「專利審查基準」第5-1-18頁之規定有違。

㈤被告及參加人雖辯稱原告於舉發理由及補充理由均未有明確述明引證案間如何結合，僅有在結論處偶有指出結合引證案1 、2 等文字，原處分係以概括方式各引證案間結合而為論述，並無違反原告處分權範圍云云。惟查，被告於舉發審查時忽視原告上述舉發理由所含系爭專利之先前技術證據，忽略前開實質主張，亦未行使闡明權要求原告說明，而逕單就引證1 至引證4 與系爭專利做比對，遽為舉發不成立之審定，未考慮系爭專利之相關先前技術( 即中華民國公告第502424號專利) 與各引證之結合，與原告原舉發之主張明顯不合，被告有漏未審酌之情形，應屬明確。被告所辯，尚非可採。

七、綜上，原處分漏未審酌「系爭專利之相關先前技術( 即中華民國公告第502424號專利) 與各引證之結合」之舉發理由，殊堪認定，從而，被告認系爭專利並未違反其核准時專利法第22條第1 項第1 款及第4 項之規定，所為本件舉發不成立之處分，即有未合，訴願決定未予糾正，亦有未洽，原告訴請撤銷原處分及訴願決定，此部分為有理由。惟由於本件是否應作成舉發成立之處分，尚待被告就「系爭專利之相關先前技術( 即中華民國公告第502424號專利) 與各引證之結合」之舉發理由為審酌，及待原告就結前開引證案之如何結合關係闡述更為明確，故原告請求被告應作成舉發成立之處分，為無理由，此部份應不予准許。案經撤銷原處分及訴願決定，應由被告查明，依本院上開法律見解另為適法之處理。

八、兩造其餘攻擊防禦方法均與本件判決結果不生影響，故不逐一論述，併此敘明。

據上論結，本件原告之訴為一部有理由，一部無理由，爰依行政訴訟法第200 條第4 款、第104 條，民事訴訟法第79條，判決如主文。

智慧財產法院第一庭