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電力工程·97·電子學大意1/40

電力工程 97電子學大意考古題

39 題選擇題1 題申論題資料來源:考選部下載 .txt
跨年同科91-115
115制度上該年沒有本科114制度上該年沒有本科113制度上該年沒有本科112制度上該年沒有本科111制度上該年沒有本科110制度上該年沒有本科109制度上該年沒有本科108制度上該年沒有本科107制度上該年沒有本科106制度上該年沒有本科105制度上該年沒有本科104制度上該年沒有本科103制度上該年沒有本科102制度上該年沒有本科101制度上該年沒有本科100制度上該年沒有本科99制度上該年沒有本科9840974096制度上該年沒有本科95制度上該年沒有本科94制度上該年沒有本科93制度上該年沒有本科92制度上該年沒有本科91制度上該年沒有本科
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題目與答案為考試當年公告版本,實務標準請以現行規範為準。

試題40
97
1

下列對於雙載子接面電晶體放大電路工作在共集極組態時之描述,何者正確?

(A)具有低輸入阻抗
(B)具有高輸出阻抗
(C)具有與輸入同相的電壓輸出✓ 正解
(D)具有大的電壓增益
97
2

對一具有源極旁路電容器之共源極放大器,如將其旁路電容器移走時,則下列何者正確?

(A)電壓增益降低✓ 正解
(B)電壓增益增加
(C)互導降低
(D)互導增加
97
3

今有一BJT 放大器電路的小信號電路如圖所示,已知rπ = 2.6 kΩ、β = 100、ro = 80 kΩ。今定義無負載時之輸入電阻(input resistance with no load)∞=≡LRiiiivR,則iR 最接近的值為:

(A)80 kΩ
(B)10 kΩ
(C)2 kΩ✓ 正解
(D)條件不足
97
4

如圖所示的振盪器電路,則Vo2 的波形為何?

(A)三角波✓ 正解
(B)方波
(C)鋸齒波
(D)弦波
97
5

下列何種組態的雙極性接面電晶體,適合作為兼具電壓及電流訊號放大之應用?

(A)共基極
(B)共集極
(C)共射極✓ 正解
(D)共閘極
97
6

如圖所示為一波形產生電路,其輸出端電壓Vo 為:

(A)方波✓ 正解
(B)三角波
(C)正弦波
(D)鋸齒波
97
7

如圖所示為一主動低通電路,R1 = 2 kΩ、R2 = 2 kΩ、R3 = 12 kΩ、C1 = 0.01μF,則高頻截止頻率約為:

(A)2 kHz
(B)4 kHz
(C)8 kHz✓ 正解
(D)16 kHzvsig10kΩRsig iiEBvivπrπgmvπCro4kΩRLvoR1Vo2R2RCV+V-V+V-VoR2R1RVoCviR2R1R3C1vo
97
8

如圖所示的濾波器為:

(A)低通濾波器
(B)帶通濾波器
(C)高通濾波器
(D)帶拒濾波器✓ 正解
97
9

在電子電路中,設計正回授之目的為何?

(A)增加頻寬
(B)使電路穩定
(C)供作振盪器使用✓ 正解
(D)減少雜訊
97
10

一雙級放大器之轉移函數(transfer function)為T( jω ) = 100/(1+jω/ωp)2,當ω = ωp 時,則下列敘述何者正確?

(A)電壓增益為50,相位差為45 度
(B)電壓增益為50,相位差為90 度✓ 正解
(C)電壓增益為25,相位差為90 度
(D)電壓增益為25,相位差為180 度
97
11

圖為共源極放大器高頻響應之等效電路,輸入端之米勒(Miller)電容為何?

(A)Cgs
(B)Cgd
(C)Cgs (1+gmRL)
(D)Cgd (1+gmRL)✓ 正解
97
12

一CMOS inverter 如圖所示,當輸入電壓VI = 0 時,則輸出電壓VO 約為:

(A)VDD✓ 正解
(B)VDD-|Vt|
(C)VDD/2
(D)0
97
13

射極隨耦器有良好的高頻響應,是由何原因所造成?

(A)電壓增益大
(B)輸出阻抗大
(C)有厄利效應(Early Effect)
(D)無米勒效應(Miller Effect)✓ 正解
97
14

如圖所示的邏輯電路,此電路的功能為:

(A)NAND
(B)NOR
(C)XOR✓ 正解
(D)AND
97
15

關於序向邏輯(Sequential Logic),下列敘述何者正確?

(A)與輸入函數無關,與先前輸入值無關
(B)與輸入函數無關,與先前輸入值有關
(C)與輸入函數有關,與先前輸入值無關
(D)與輸入函數有關,與先前輸入值有關✓ 正解
97
16

對於動態隨機存取記憶體(DRAM)與靜態隨機存取記憶體(SRAM)工作方式比較的敘述,下列何者正確?

(A)DRAM 內記憶胞(memory cell)的資料(data)會隨時間變化✓ 正解
(B)DRAM 內記憶胞(memory cell)的陣列結構可隨時調整
(C)SRAM 內記憶胞(memory cell)的資料(data)在無電源供應情形下也能靜態維持準位
(D)SRAM 內記憶胞(memory cell)的陣列結構在無電源供應情形下也能靜態維持不變
97
17

有一邏輯電路執行ABY =,則下列何者正確?

(A)A = 0,B = 0;Y = 0
(B)A = 0,B = 1;Y = 0
(C)A =1,B = 0;Y = 0
(D)A = 1,B = 1;Y = 0VDDVIVOABCCgdVsCgsvgsgmvgsRsRLVo✓ 正解
97
18

變容二極體可以應用於下列何種電路?

(A)比較電路
(B)轉換電路
(C)諧振電路✓ 正解
(D)數位電路
97
19

需要週期性的更新(periodic refresh)以防止儲存資訊流失的是:

(A)唯讀記憶體(ROM)
(B)靜態隨機存取記憶體(SRAM)
(C)動態隨機存取記憶體(DRAM)✓ 正解
(D)所有記憶體均需要週期性的更新
97
20

圖所示電路中,BJT 之VCE 值約為:

(A)6.5 V✓ 正解
(B)7.4 V
(C)8.3 V
(D)9.2 V
97
21

雙極性接面電晶體(BJT)放大器的下列組態中,何者的電壓增益較小?

(A)CE 組態
(B)CB 組態
(C)CC 組態✓ 正解
(D)疊接(cascode)組態
97
22

一般功率放大器最高功率轉換效率(power conversion efficiency)的大小次序為何?

(A)A 類≥AB 類≥B 類
(B)A 類≥B 類≥AB 類
(C)AB 類≥B 類≥A 類
(D)B 類≥AB 類≥A 類✓ 正解
97
23

雙極性接面電晶體若用於數位電路中,則其主要功能是:

(A)整流
(B)放大
(C)開關✓ 正解
(D)濾波
97
24

當BJT 直流偏壓電路之操作點落於下列何區域,此電路方能應用於交流類比放大電路?

(A)截止區
(B)順向作用區(forward active region)✓ 正解
(C)逆向作用區(reverse active region)
(D)飽和區
97
25

一般發光二極體,最主要的發光機制為何?

(A)雪崩崩潰所誘發的發光現象
(B)基板效應所產生的發光現象
(C)電子、電洞在空乏區復合所產生的發光現象✓ 正解
(D)電子、電洞藉由半導體中缺陷復合所產生的發光現象
97
26

下列對於運算放大器的共模拒斥比(Common-Mode Rejection Ratio, CMRR)的描述,何者錯誤?

(A)共模拒斥比的值較大則功率消耗也較大✓ 正解
(B)理想運算放大器之共模拒斥比的值接近無窮大
(C)共模拒斥比係差模電壓信號增益對共模電壓信號增益的比值
(D)共模拒斥比的值較小者則較容易受共模雜訊干擾
97
27

如圖所示的運算放大器應用電路,其輸出電壓vo=?

(A)⎟⎠⎞⎜⎝⎛−−2211RvRvRF
(B)⎟⎠⎞⎜⎝⎛−2211RvRvRF
(C)⎟⎠⎞⎜⎝⎛+−2211RvRvRF✓ 正解
(D)⎟⎠⎞⎜⎝⎛+2211RvRvRF
97
28

某一放大器的電流增益為100,則此放大器電流增益為多少分貝(dB)?

(A)10
(B)20
(C)40✓ 正解
(D)50
97
29

設計電晶體差動放大器時,射極共同點接一穩定電流源之主要目的為何?

(A)增加負回授量
(B)提高CMRR✓ 正解
(C)增加頻寬
(D)提高增益+10V7kΩR1R2RC =1kΩ3kΩβF =150RE =2kΩRIN(BASE)v1v2R1R2RFabvoV+V-
97
30

如圖所示為達靈頓電路,若電晶體Q1 與Q2 之特性同為VBE1 = VBE2 = 0.7V,β1 = β2 = 49,又VCC = 10V,R1 =200 kΩ,R2 = 1 kΩ,則圖中第一級基極電流IB1 約為:

(A)1.6μA
(B)3.2μA✓ 正解
(C)5.2μA
(D)6.4μA
97
31

下列有關理想運算放大器特性之敘述,何者錯誤?

(A)輸入電流為零
(B)輸出電流為零✓ 正解
(C)二輸入端的電壓差為零
(D)輸出端可視為一理想電壓源
97
32

如圖所示之反相放大器電路中,其電壓增益Vo/Vi 為多少dB?

(A)100
(B)40✓ 正解
(C)-40
(D)-100
97
33

若TON、TOFF 分別代表二極體導通與關閉所需要的時間,則下列何者為正確?

(A)TON>>TOFF
(B)TON ≈ TOFF
(C)TON<<TOFF✓ 正解
(D)TOFF = 0
97
34

逆向偏壓的pn 接面,其接面電容隨該逆向偏壓的增大有何變化?

(A)增大
(B)減小✓ 正解
(C)無關
(D)視半導體之材質而定
97
35

有關運算放大器應用於積分電路時,下列敘述何者錯誤?

(A)輸入方波時,輸出為三角波
(B)類似高通電路✓ 正解
(C)輸入正弦波時,輸出與輸入相位差為90 度
(D)可以濾除高頻雜訊
97
36

假設在室溫之下,矽半導體之本質載子濃度(intrinsic carrier concentration)ni 為1010 cm-3,若已知某一矽半導體之電子濃度為2× 1017 cm-3,則其電洞濃度為何?

(A)2× 1017 cm-3
(B)2× 1027 cm-3
(C)2× 107 cm-3
(D)5× 102 cm-3✓ 正解
97
37

如下圖,已知二極體導通時的電壓為0.6V、VPS = 5V、R =2 kΩ,則此電路之電流為:

(A)1.9 mA
(B)2.2 mA✓ 正解
(C)2.5 mA
(D)2.8 mA
97
38

現代MOSFET 積體電路技術對於晶片面積甚為計較,因此在設計類比放大器時最常採用的偏壓(biasing)電路技術是那一種電路?

97
39

MOSFET 中厄利效應(Early Effect)最主要之成因為何?

(A)基板和閘極之間的p-n 接面
(B)閘極和源極之間空乏區互相影響
(C)通道長度因為閘極和汲極的逆偏而影響✓ 正解
(D)崩潰效應
97
40

順向偏壓的pn 接面,當p 型側的多數載子射入n 型側後,即形成(對n 型側而言):

(A)多數載子的漂移電流
(B)多數載子的擴散電流
(C)少數載子的漂移電流
(D)少數載子的擴散電流100kΩ1kΩ2kΩViVoR=2 kΩVDVPS =5VIDVDDMvivoiDGNDVDDRD voiDMviRGGNDRSVSSRG1vi RG2GNDRSiDvoRDVDDRGRDVDDvoiDGNDMMviOPACi R1Q1viIB1Q2R2CovoVcc✓ 正解
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