電力工程 98 年電子學大意考古題

今對純矽（Si）晶體材料均勻摻雜磷（P）元素，則此矽半導體應屬於那一類的半導體？

電荷耦合元件（Charge Couple Device, CCD）由何種基本結構所組成？

對於雙極性接面電晶體工作在截止時，下列有關其接面偏壓狀況之敘述，何者正確？

運算放大器電路之串並負回授（Series-Shunt Negative Feedback）對輸入阻抗Ri及輸出阻抗Ro之影響為何？

如圖示之電路，當輸出電流為零時，下列敘述何者正確？（二極體導通時之電壓降為0.7 V）3 VVIVOR－+－+

下列關於下圖反相器電路中，電晶體操作區之敘述何者正確？

一般的雙極性接面電晶體（Bipolar Junction Transistor），其射極（Emitter），基極（Base），集極（Collector）之雜質摻雜濃度以何者最高？

下圖所示之電路，pnp 雙極性接面電晶體（Bipolar Junction Transistor）係工作於何種區域（Region）？RC＝1 kΩRE＝2 kΩV+＝+10 VV－＝－10 V

有一放大器的-3 dB 頻率為100 Hz 和18 kHz，若其工作於標準測試頻率2 kHz 且為0 dB 時的輸出功率為60 W，則其工作於100 Hz 和18 kHz 時的輸出功率為：

下圖所示為一個n通道增強型（Enhancement Mode）MOSFET共源極電路，其參數值為：VDD＝5 V，ID＝0.1 mA，R1＝30 kΩ，R2＝20 kΩ，RD＝20 kΩ，VTn（臨限電壓）＝1.5 V，此電晶體被偏壓在下列何種工作區？－+VGSVDSR2VGR1IDRDVDD+－

關於液晶顯示（LCD）的敘述，下列何者錯誤？

下列何者非主動濾波器之優點？

下列何種振盪器，可以產生正弦波的振盪輸出電壓？

如圖所示的電路方塊圖若是理想振盪器，則其必須符合的條件為何？（註：| A(s)β(s) |及∠ A(s)β(s)分別為A(s)β(s)的大小及相角）A(s)++β(s)

邏輯函數BA +=F

變容二極體（Varactor）主要是藉由下列何者來改變其電容的大小？

如圖所示之頻率響應的放大器，則此放大器為何種濾波器？增益頻率

如圖所示電路，若C＝100 µF，R＝10 kΩ，Vi＝5 costV，當電路已達到穩態後，則輸出電壓Vo為：RCVi－OPAVo+

一放大器低頻響應的轉移函數為)25)(100()10()(+++=sssssF，則此放大器低頻3 dB 頻率近似於多少rad/s？L

下圖中A為理想運算放大器，若R1＝1 kΩ，R2＝R4＝10 kΩ，R3＝200 Ω，則Vo/Vi為：－+R3AR1R4R2ViVo

下列何種元件可將光能轉變為電能？

如圖所示，利用二極體及電阻組成數位正邏輯電路，則此為何種邏輯閘？+5 VVAVBVCVDRVO

當雙極性接面電晶體（Bipolar Junction Transistor）工作於順向作用區（Forward Active Region）時，集極電流仍會隨著集-射電壓VCE的增加而稍微的增加，其原因為何？

某一型態之正反器的特性函數（Characteristic Function）為Q (t＋1)＝A⊕ Q(t)，其中A 為輸入端信號，則此正反器為下述何種型態？

當一個放大器要用來放大一個輸入電壓訊號，則該放大器宜具有下列何種特性？

下列有關雙極性接面電晶體（BJT）的敘述，何者錯誤？

如圖所示電路，電晶體Q1與Q2有相同特性，若VCC＝15 V，VEE＝-20 V，電阻R1＝R2＝6 kΩ，R3＝R4＝8 kΩ，R5＝5 kΩ，當電晶體Q1與Q2皆為導通時，則輸出之電壓Vo約為何值？VCCV1R1R5VOQ1Q2Q3R4R2V2R3VEE

下圖所示為一主動濾波器，若Ri＝20 kΩ，Rf＝200 kΩ，R1＝1.5 kΩ，C1＝0.02 µF，則其半功率點的頻率為：－－++R1ViC1RfRiVo

如圖所示電路，假設R1＝5 kΩ，R2＝20 kΩ，Vo＝0.2 V，則其輸入抵補電壓（Input Offset Voltage）為多少mV？－+OPAR2R1Vo

理想運算放大電路如下圖所示，其輸出電壓Vo應為：－+1 kΩ1 kΩ4 kΩ1 kΩ+Vo10 V－

在IB保持固定情況下，∆VBE/∆VCE代表雙極性接面電晶體之：

當五個反相器（Inverters）接成一個環振盪器（Ring Oscillator），若各反相器具有相同之傳播延遲（Propagation Delay）tp，則該環振盪器之振盪頻率為：

下列對理想放大器特性之敘述，何者錯誤？

在不影響正常的電路運作下，輸出所能連接之相似電路的最多值，稱之為：

某一電晶體有200 MHz 的單位增益頻寬（unity gain bandwidth），當此電晶體被設計成電壓增益為100 的放大器時，其頻寬約為多少MHz？

下圖關於功率（Power）電晶體電路的最大集極電壓為何？Vo24 V8 ΩVi

齊納二極體（Zener Diode）在整流操作時，最主要是利用何種物理機制？

一個MOSFET完整的小信號等效電路模型可以如下之等效電路表示，其中gmb是基體調變效應（BodyEffect）所產生的互導（Transconductance）。－+GSvgsCgsCgdDCdbrogmbvbsgmvgsCsbBSDBG今若將接腳S（Source）與接腳B（Body）二者短路，則最正確的等效電路模型為：

某一放大器的電壓增益與電流增益皆為10，則此放大器功率增益為多少分貝（dB）？

下圖之反相加法電路中，輸出電壓Vo等於：