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電力工程 98 年電子學考古題

民國 98 年(2009)電力工程「電子學」考試題目,共 10 題 | 資料來源:考選部

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如圖一所示電路,求分枝電流(branch currents)i1、i2、i3與輸出電壓vo。另外,i2與 i3差異之電流來自何處?(16 分) 圖一
如圖1 所示的差動放大器,將R2與R4更換成兩個相等的電容C,並且令R1=R3=R。使 用重疊定理證明此電路等同一差動積分器υo=(υ2-υ1)/sCR。(20 分) 圖1 - υo + υ1 υ2 R1 R3 C R4 C R2
如圖二所示電路,求分枝電流I1、ID與節點電壓VG、VD、VS。其中電晶體之Vt=1 V, k’n(W/L)=1 mA/V2,通道調變可忽略。(20 分) RD=8 kΩ VDD=+10 V RS=8 kΩ VS VD VG ID I1 RG1=20 MΩ RG2=20 MΩ 圖二
試求圖2 之震盪器的頻率。放大器的電壓增益應如何設定?若改用運算放大 器來取代BJT 的放大器,請重新繪製其電路圖。(20 分) +12 V Vout 0.01 µF 0.1 µF 5 mH C1 C2 L C3 C4 R2 R4 R1 R3 C5 圖2 98年公務人員特種考試警察人員考試、98年特種考試交通事業 鐵路人員考試及98年公務人員特種考試民航人員考試試題 代號:50760 類 科: 電力工程 全一張 (背面)
如圖三所示之主動負載CE放大器,定電流源I由一pnp電晶體組成。令I=0.1 mA,兩 電晶體之|VA|=40 V,β=200,求Ri、ro、gm及放大器電壓增益Av。(20 分) 圖三 vo vi Q1 Q2 I VBIAS 98 年公務人員、關務人員升官等考試試題 代號: 類 科: 電力工程、電子工程 全一張 (背面) 35850 35950
如圖3 所示,為使用MOSFET的共源極放大器,試求VGS,ID,VDS及交流輸出電壓 。假設此元件VGS=4 V時,I D(on)=200 mA, VGS(th)=2V, gm=23 mS,交流輸入訊號 Vin=20 mV。(20 分) VDD +15 V RL 33 kΩ Vin Vout 10 µF 10 µF C2 C1 R2 8.2 kΩ RD 3.3 kΩ R1 47 kΩ 圖3
如圖四所示之一MOS差動對(differential pair)電路工作在1 mA之偏壓電流,電晶體 之W/L=100,k’n=0.1 mA/V2,而RD=5 kΩ,RSS=25 kΩ,電路完全匹配(perfectly matched)。 若輸出以單端(single-endedly)取出,求差動增益(differential gain)、共模增益 (common-mode gain)、共模拒絕比(common-mode rejection ratio)(以dB 表 示)。(10 分) 若輸出以差動方式(differentially)取出,重複各項所求。(10 分) 圖四 - + vo -VSS vicm vicm vo1 vo2 Q2 Q1 I RSS RD RD VDD
如圖4 所示,試求出IC,VCE,如果β=100,說明這個電晶體是否工作在飽和區? 如果β=50,說明這個電晶體是否工作在飽和區?此偏壓電路是否對β的變化具有 穩定度?(20 分) VCC +10 V R1 47 kΩ RC 4.7 kΩ RE1 470 Ω RE2 470 Ω R2 10 kΩ 圖4
如圖五所示之電壓對電流轉換器電路(voltage-to-current converter),經電阻器RF使用 串串聯回授(series-series feedback)。MOSFET尺寸如圖所示,k’n=25 µA/V2, |Vt|=1 V,|VA|=100 V。 求迴路增益(loop gain)夠大時之Io/Vs。(12 分) 若輸出電壓由Q5的源極取出,求閉迴路電壓增益(closed-loop voltage gain)。 (12 分) - RF 10 kΩ Rs=10 kΩ 0.8 mA 0.2 mA Q2 36/10 Q5 200/10 Io Q4 Q3 Q1 36/10 Vs +5 V 圖五
試求圖5 之總電壓增益,電晶體Q1與Q2之電流增益,β=150。(20 分) Vs VCC +10 V RE2 470 Ω Q1 10 µF RE1 470 Ω Rs 600 Ω R2 10 kΩ Vin C1 R1 47 kΩ Vout RC 4.7 kΩ RC1 4.7 kΩ VCC +10 V Vout C3 RE4 470 Ω C2 100 µF RE3 470 Ω R4 10 kΩ Q2 10 µF R3 47 kΩ C2 100 µF 10 µF C3 RL 47 kΩ 圖5