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電力工程 104 年電子學考古題

民國 104 年(2015)電力工程「電子學」考試題目,共 20 題 | 資料來源:考選部

0 題選擇題 + 20 題申論題

二極體為理想二極體:(每小題10 分,共20 分) 如圖一所示,請說明此電路之動作並繪出vO。 如圖二所示,請說明此電路功能及如何獲得此功能。
如圖所示電路與輸入波形,其中 Ω = = = k 1 3
對於n 通道增強型MOSFET 元件符號如圖一所示,其基底(substrate)相對源極常 加上某偏壓VBS,已知VBS = 0 V 時,電晶體之Vto = 1 V;當加上VBS = 2.25 V 時, Vt 變為1.75 V。試問:  VBS 之正負號應為何?(4 分)  加上VBS 會引起何種效應?(6 分)  當加上VBS = 1.44 V 時,Vt =?(10 分) 圖一
齊納二極體(Zener diode)之特性如圖一(a)。(每小題10 分,共20 分) 使用理想二極體,畫出此齊納二極體之等效電路。 畫出圖一(b)電路vo 與vs 之轉換特性曲線(transfer characteristic)。標示所有轉折 點與線段斜率。
如圖三所示,VBE(on)= VEB(on)=0.7 V,β =100:(每小題10 分,共20 分) 將電晶體Q1 左端之R1、R2 與電源轉成戴維寧等效電路。 利用之結果算出電晶體之IB1、IC1、IE1、IB2、IC2、IE2。 圖三 104年特種考試地方政府公務人員考試試題 代號: 34060 | 34260 全一張 (背面) 等 別: 三等考試 類 科: 電力工程、電子工程、電信工程 科 目: 電子學
1 R R R ;已知齊納二極體(Zener diode) 的崩潰電壓 V 6 = Z V 以及導通電壓為 V 7.0 ,請畫出其輸出波形ov 。(按:請清楚作圖 並標示轉折處位置數值。)(20 分) 二、如圖所示的電路,其中所有電晶體 50 = β 和 V 7.0 ) ON ( = BE V ,以及 V 5 = EE V 、 Ω = k 102 B R 、 Ω = k 3.2 1 E R 、 Ω = k 04 .2 1 C R 、 Ω = k 275 .1 2 C R 和 Ω = k 61 .0 2 E R ,試求1 V 、 2 V 、3 V 、4 V 及5 V 。(20 分)
圖二為理想OP 放大器電路,請求出:  流入Y 處之電流信號大小相對輸入信號電壓比值iY/vI =?(10 分)  Av = vO/vI =?(10 分) 圖二 D G B S iY Y 10 kΩ 15 kΩ 5 kΩ 2 kΩ vI vO + - 104年公務人員特種考試警察人員、一般警察人員考試及104年 特種考試交通事業鐵路人員、退除役軍人轉任公務人員考試試題 代號: 全一張 (背面) 類 科 別: 電力工程、電子工程 70850 70950
圖二電路中電晶體臨界電壓(threshold voltage)Vtn (NMOS) = |Vtp| (PMOS) = 1 V, 製程參數kn’(W/L) = 2kp’ (W/L) = 1 mA/V2,IQ = 2 mA,VG1 = 5 V,VDD、VG2 為適當 之直流電壓,爾立電壓(Early voltage)均為9 V,忽略基體效應(body effect)。 求算輸入電阻Rin(不含RS)與增益Av = vo/vs。(20 分)
如圖四所示:(每小題10 分,共20 分) 請說明此電路之功能並計算出此電路之AV 為何? R1=1.2 kΩ,C1=0.02 μF,請求出截止頻率並簡單畫出VO/VI 對頻率之關係圖。 圖四
依據下圖之真值表(Truth table),請求其輸出 ) , , ( C B A f 的布林函數(Boolean function) 表示式。在CMOS 半導體製程中,請用電晶體PMOS 和NMOS 來設計此電路。(20 分) 輸入 輸出 A B C f 0 0 0 1 0 0 1 0 0 1 0 1 0 1 1 0 1 0 0 1 1 0 1 0 1 1 0 0 1 1 1 0 +VEE -VEE V1 V4 V5 V3 RE1 RC2 V2 RC1 RE2 RB t (sec) vI R1 R2 R3 ZD vO vI -12 V 12 V 1 2 3
圖三電流鏡電路中所有電晶體特性均相同,均具有 = 80,忽略電晶體之輸出電阻, 已知IREF = 10 mA,請求出:  Ix =?(10 分)  Io =?(10 分) 圖三
圖三電路之放大器的開路電壓增益為A = 54 V/V,輸入阻抗Rin = ∞,輸出阻抗 Ro = 2 kΩ,求算電路電壓增益Av = vo/vs。(20 分) iD iD vD + - +1 V - 5 V rD = 0.5 Ω rD = 0.1 Ω R = 1 kΩ R = 1 kΩ - + 3 V vs vo VDD VG2 VG1 vo vs M1 M2 Rin RS IQ = 2 mA = 0.45 kΩ ∞ ∞ R2 = 4 kΩ R1 = 2 kΩ RL = 3 kΩ vo(t) vs(t) + - 圖一(a) 圖二 圖三 圖一(b) vD 104年公務人員高等考試三級考試試題 代號: 全一張 (背面) 26660 26760
如圖五所示,此電路之功能為Noninverting Schmitt trigger,二極體導通電壓為Vγ: (每小題10 分,共20 分) 請利用電路上符號算出VTH 及VTL。 畫出VO/VI 之關係圖。 圖五
圖四中NMOS 電晶體之Vt = 1 V,μnCox = 15 μA/V2,W = 50 μm,L = 5 μm,忽略通 道調變效應(λ= 0),已知電路中ID = 0.3 mA,試問:  電晶體操作於何種工作區?(10 分)  R =?(10 分) 圖四
圖四中兩電晶體完全匹配,其小信號參數為ro = 10 kΩ以及gm = 4 mA/V, RL = RD = 10 kΩ,C = 100 pF,不計寄生雜散電容與基體效應(body effect)。 (每小題10 分,共20 分) 以對稱半電路分析,求算低頻之小信號增益Av = vod/vid。 增益頻率函數中之極點與零點所對應的時間常數為何?
如下表,請算出w、x、y、z 之值,並且繪出logic diagram。(20 分) Input BCD Output excess-3 code A B C D w x y z 0 0 0 0 0 0 1 1 0 0 0 1 0 1 0 0 0 0 1 0 0 1 0 1 0 0 1 1 0 1 1 0 0 1 0 0 0 1 1 1 0 1 0 1 1 0 0 0 0 1 1 0 1 0 0 1 0 1 1 1 1 0 1 0 1 0 0 0 1 0 1 1 1 0 0 1 1 1 0 0
+ + - - t(sec)
圖五電路輸出vO為週期性振盪之方波,OP 為理想運算放大器,其最大飽和電壓為 ± 15 V。  請繪出 vX(t)波形圖?(10 分)  請求出輸出vO(t)之振盪頻率為多少Hz?(10 分) 圖五 IO IO IO VCC IREF IX -VEE ID 8 kΩ R 15 V 10 kΩ + - + - 10 kΩ X vx(t) 100 kΩ vo(t) 0.02 μF
圖五CMOS 數位電路中,C 為時脈(clock),輸入信號A 與B,輸出信號X 與Y。 依C = 0 與1 情況,分析此電路並建立X、Y 與A、B 關係之真值表。(20 分) +VDD -VSS -vid/2 +vid/2 RD RD RL Q1 Q2 C vod - + I 圖四 圖五 Q1 Q5 Q2 Q6 Q4 Q8 Q7 Q3 C A X Y C B VDD
104年公務人員升官等考試、104年關務人員升官等考試 104年交通事業公路、港務人員升資考試試題 代號: 全一張 (背面) 等 級: 薦任 類科(別): 電力工程、電子工程、電信工程 科 目: 電子學 25950 | 26150 四、我們可以將負回授電路的電路模型以如圖(a)電路所示,請求出電路相關參數(以 m G 、 s R 、 iR 、 L R 、 o R 和 F R 表示)。 此回授電路之等效電路可以用圖(b)電路模型表示,求出電路參數: mf G 、 if R 和 of R 。(12 分) 求出此電路的輸入電阻 in R 和輸出電阻 out R 。(4 分) 當 m G 很大時( ∞ ≈ m G ), mf G 為何?(4 分) 五、假設運算放大器(Operational amplifier)為理想電路,請求出轉換函式 i o v v s H / ) ( = (以R和C 表示)。(14 分)從轉換函式的特性,請說明此電路為何種性質的濾波器。 (6 分) R R R C R R C R R vo vi Rs Ro Ri vi RF Rin Rout RL vo vs Rif Rof vo vs 圖(a) 圖(b) 閉迴路之等效電路: Gmvi + - - + + - Gmfvs