電力工程 112 年電子學考古題
題目為考試當年公告版本,實務標準請以現行規範為準。
如圖一所示的二極體電路,電路中每個二極體的切入電壓(cut-in voltage) Vγ 皆為0.7V。試求ID1、ID2、ID3、VA 及VB。(25 分) 圖一 R1=5kΩ R2=5kΩ D1 D3 R3=5kΩ ID1 D2 ID2 ID3 +14V +5V −5V VA VB
如圖二所示的差動放大器電路,電晶體參數分別為Kn1=Kn2=0.1mA/V2, Kn3=Kn4=0.3mA/V2,λ1=λ2=0,λ3=λ4=0.02V-1,VTN1= VTN2= VTN3= VTN4= 1V。 試求差模增益Ad= vo2/vd、共模增益Acm=vo2/vcm、及共模斥拒比(CMRRdB)。 (25 分) 圖二 M4 vGS4 + _ V−=−10V V+=10V RD 16kΩ vo1 M1 RD 16kΩ vo2 M2 M3 v2 v1 IQ ID1 ID2 R1 30kΩ I1
如圖三所示的A 類源極隨耦器電路,電路中所有的電晶體參數皆相同,參 數為VTN = 0.5V,Kn=12mA/V2,λ=0。試求電路運作於線性區間之最大的 輸出電壓、最小的輸出電壓、及與它們(最大及最小的輸出電壓)相對應 的輸入電壓值。(25 分) 圖三 M1 −5V +5V R 1kΩ RL 1kΩ M2 M3 vo vI
如圖四所示的空乏型負載NMOS 反相器,其中VDD=3V,且電晶體參數為 kn ' =100μA/V 2,VTND = 0.4 V,VTNL = −0.8 V,(W/L)D = 6,(W/L)L = 2。忽略 本體效應(body effect)。試求反相器的最大功率消耗、電晶體MD 及ML 分別工作於過渡點(transition point)時的輸入電壓VIt、輸出電壓VOt、及 當輸入電壓vI = 3V 時的輸出電壓vo。(25 分) 圖四 ML VDD MD vo vI + − + vDSL − + vDSD − vGSD iDL iDD
有一個串並(series-shunt)回授放大器如圖五所示,在此我們使用一個 差動放大器,此差動放大器的增益= 103,輸入電阻Rid = 200 k,輸出 電阻ro = 2 k。在此電路中,RS = 20 k、RL = 2 k。 ㈠請說明為何此電路為一個負回授電路?(6 分) ㈡假設理想的回授放大器增益Af = Vo/Vs = 20 V/V,其所需的回授因數 (feedback factor)為何?如果R1 = 2 k,R2 應該為何?(6 分) ㈢請畫出完整的A 電路,其中R1 與R2 為㈡中所計算出之結果帶入,使 用此電路計算A、Ri 與Ro,並計算出此回授放大器之實際Af、Rin 與 Rout。(8 分) + - RS R2 R1 RL Rout Rin VS VO μ 圖五