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電力工程 107 年電子學考古題

民國 107 年(2018)電力工程「電子學」考試題目,共 14 題 | 資料來源:考選部

0 題選擇題 + 14 題申論題

圖一所示為理想運算放大器。 推導輸出電壓(vo),用vi1,vi2,Ra,Rb,Rc,Rd 表示。(10 分) 推導共模增益(Acm)。(10 分) 推導共模拒斥比(CMRR)為無限大的條件,用Ra,Rb,Rc,Rd 表示。 (5 分) Rb vo Ra Rc Rd vi2 vi1 圖一
圖一為理想運算放大器所建構的加法放大器: 請用v1、v2、v3 和v4 的輸入電壓來表示輸出的電壓vO。(10 分) 依圖一,若R1 = 10 kΩ,且Ra = Rb = Rc,請設計各電阻值使電路輸出電壓為 vO = v1 + 2v2 − 3v3 − 4v4。(10 分) 圖一 Ra
如圖所示,以下為二極體電路,其中二極體皆為內阻0 Ω,導通電壓VD,on = 0.7 V。 已知VB 為2 V,電阻R1 與R2 皆為1 kΩ。(每小題10 分,共20 分) 當輸入電壓Vi = 2 V,Vo 值為多少(V)? 當輸入電壓Vi = 8 V,流經電阻R1 之電流I1 值為多少(mA)? VB D1 D2 R1 Vi Vo I1 R2 I2 I1 R
圖二所示為具有回授網路之運算放大器。 假設運算放大器的輸入電阻為無限大,輸出電阻為零。請推導回授係 數β,用Ra,Rb 表示。(10 分) 假設開迴路電壓增益為103,回授係數β=0.099,求閉迴路電壓增益 Af。(15 分) 33660 vo Ra Rb vs 回授網路 Rs 圖二
考慮圖二的電路,電晶體參數為β = 120、VBE(on)= 0.7 V、熱電壓VT = 26 mV,且VA = ∞。 請求出中頻帶增益;並請求出C 與CE,使得與CE 有關的轉折點頻率(Corner frequency)為fE = 10 Hz,且與C 有關的轉折點頻率(Corner frequency)為fC = 50 Hz。 (20 分) C C 圖二 + − υ1 υ2 υO R2 R1 + − υ3 υ4 R4 Rb R3 Rc Ra Rc Rc R1 R v1 b v2 vO R3 v3 R2 R4 v4 υO υi RC = 7.65 kΩ +− CE IQ = 0.2 mA V + = 3 V V −= −3 V CC RL = 20 kΩ Ri = 10 kΩ Q 107年公務人員特種考試警察人員、一般警察人員考試及 107年特種考試交通事業鐵路人員考試試題 70560 全一張 (背面) 考試別: 鐵路人員考試 等 別: 高員三級考試 類科別: 電力工程、電子工程 科 目: 電子學
如圖所示,以下為一差動放大器。電晶體參數如下, 2 100 V A Cox n μ μ = , V 10 = A V ,但 Q1,2 之(W/L)1,2 = 25/1,Q3 之(W/L)3 = 50/1,Q4 之(W/L)4 = 10/1。電阻RD = 10 kΩ。假 設偏壓維持節點電壓VB = VX。(每小題各5 分,共20 分) 若電路的差模電壓增益Ad = (VO2-VO1)/(Vi1-Vi2)要達到5 V/V,需要IB 值多少? 計算差模的輸出電阻? 計算共模電壓增益Ac = VO1/Vi1? 若二個電阻不匹配ΔRD/RD = 2%,計算輸入參考之位移電壓(input-referred offset voltage)? 1 V o VB D1 2 V i D I2 R 2 VDD VDD RD RD IB Vo1 Vo2 Vi1 Vi2 Q1 Q2 X B Q4 Q3 107年公務人員高等考試三級考試試題 代號: 36060 36160 36260 全一張 (背面) 類 科: 電力工程、電子工程、電信工程 科 目: 電子學
圖三所示為741 放大器之偏壓電路及第一級差動電路。 請繪出第一級之小信號等效電路。(10 分) 假設電晶體Q1,Q2,Q3,Q4 集級(collector)的直流電流均為10 μA, 所有電晶體β=199,VT=25 mV,求第一級差動電路之輸入電阻Rid。 (15 分) Q11 Q10 Q1 Q2 R5=39 kΩ R4= 5 kΩ Q12 Q12 Q9 Q8 In In Y + - Q7 Q5 R1=1 kΩ Q6 Q3 Q4 R2=1 kΩ R3=50 kΩ Q9 Q8 R5=39 kΩ Rid Rid Q2 Q1 Q3 Q4 Q7 Q11 Q10 Q6 Q5 R4= 5 kΩ R3=50 kΩR2=1 kΩ R1=1 kΩ 圖三
在圖三的電路中,每一個電晶體參數都是β = 100、VBE(on)= 0.7 V、熱電壓VT = 26 mV 且VA = ∞。請求出整體小訊號電壓增益Aυ = υo /υs;並請求出輸入電阻Ris。(20 分) 圖三 Ro +− VCC = +10 V RC = 2.2 kΩ R1 = 335 kΩ RE2 = 1 kΩ Ris Q1 CC R2 = 125 kΩ υo υs CE Q2
如圖所示為一放大器電路,其中電晶體M1 之gm = 1 mA/V,ro = 10 kΩ,忽略其他寄 生效應。又電阻RS = 1 kΩ,RD = 10 kΩ,CF = 1 pF,CL = 3 pF。 此電路在輸入端之電容值?(5 分) 此電路在輸出端之電容值?(5 分) 此電路之主極點頻率fp(dominant pole frequency)?(10 分) RD CF Vout RS CL M1 VS
邏輯電路設計。 請用理想二極體設計布林代數為Y=A+B+C 的邏輯電路,請畫出電路 圖。(15 分) 請寫出真值表。(10 分)
考慮圖四的差動放大器,PMOS 參數為Kp = 80 μA/V2、λp = 0.02 V -1、VTP = -2 V; NMOS 參數為Kn = 80 μA/V2、λn = 0.015 V -1、VTN = +2 V。請求出開路差動電壓增益; 並請求出此差動放大器的輸出電阻。(20 分) 圖四 υ1 Q3 IQ = 0.2 mA V + = 10 V υ2 υO V −= −10 V Q1 Q2 Q4 R1 = 1 kΩ R1 = 1 kΩ
如圖所示為一電流鏡電路。電晶體之參數 2 100 V A Cox n μ μ = , m m L W μ μ 5.0
請回答下列問題: 以A、B、C、D、E 為邏輯輸入,試繪出一CMOS 邏輯閘電路;使得邏輯輸出 ) ( CE BD A Y + = 。(10 分) 試繪出pseudo-NMOS 實現互斥OR 函數 B A B A Y + = 。(10 分)
1 = ⎟⎠ ⎞ ⎜⎝ ⎛ , m m L W μ μ 5.0 10 2 = ⎟⎠ ⎞ ⎜⎝ ⎛ ,截止電壓 V 7.0 = TH V 。考慮短通道效應, V 10 = A V 。 若電流 A Io μ 200 = 時,電壓 為多少?(10 分) o V 若電壓 比原來增加1 V 時,電流變為多少?(10 分) o V M1 M2 100 μA Vo Io 五、如圖所示為一理想運算放大器電路,其中R = 1 kΩ,C = 1 μF。試求電路震盪時的頻 率與滿足震盪條件之R2 值。(20 分) R R2 R R C C vo 100 μA Io Vo M1 M2 R R2 V o C R C R