考慮圖四的差動放大器,PMOS 參數為Kp = 80 μA/V2、λp = 0.02 V -1、VTP = -2 V;
NMOS 參數為Kn = 80 μA/V2、λn = 0.015 V -1、VTN = +2 V。請求出開路差動電壓增益;
並請求出此差動放大器的輸出電阻。(20 分)
圖四
υ1
Q3
IQ = 0.2 mA
V + = 10 V
υ2
υO
V −= −10 V
Q1
Q2
Q4
R1 = 1 kΩ
R1 = 1 kΩ
如圖所示為一電流鏡電路。電晶體之參數
2
100
V
A
Cox
n
μ
μ
=
,
m
m
L
W
μ
μ
5.0
請回答下列問題:
以A、B、C、D、E 為邏輯輸入,試繪出一CMOS 邏輯閘電路;使得邏輯輸出
)
(
CE
BD
A
Y
+
=
。(10 分)
試繪出pseudo-NMOS 實現互斥OR 函數
B
A
B
A
Y
+
=
。(10 分)
1
=
⎟⎠
⎞
⎜⎝
⎛
,
m
m
L
W
μ
μ
5.0
10
2
=
⎟⎠
⎞
⎜⎝
⎛
,截止電壓
V
7.0
=
TH
V
。考慮短通道效應,
V
10
=
A
V
。
若電流
A
Io
μ
200
=
時,電壓
為多少?(10 分)
o
V
若電壓
比原來增加1 V 時,電流變為多少?(10 分)
o
V
M1
M2
100 μA
Vo
Io
五、如圖所示為一理想運算放大器電路,其中R = 1 kΩ,C = 1 μF。試求電路震盪時的頻
率與滿足震盪條件之R2 值。(20 分)
R
R2
R
R
C
C
vo
100 μA
Io
Vo
M1
M2
R
R2
V
o
C
R
C
R