下圖為一串級放大器,
iv 與
iv 為差動信號,若所有電晶體皆操作在飽和
區,且電晶體之寬長比
1
2
W
W
L
L
,
下圖為正回授振盪電路架構,假設使用理想運算放大器、電阻和電容為
電路組成元件,其中R3 = ൫R1∥R2൯、R = 1 kΩ和C = 100 pF。
依據圖正回授電路架構,說明巴克豪森定則(Barkhausen criterion)
振盪條件。(10分)
圖為相位位移(phase-shift)振盪器,計算此電路之振盪頻率和起振
時所需要R2/R1值。(15分)
放大器
A
頻率選擇電路
b
+
+
xs
xo
vo
R1
R2
R
C
(b)
(a)
R
C
R
C
R3
對於二輸入之數位邏輯電路,回答下列題目,完成CMOS 數位電路設計。
依據圖邏輯電路,請列出其真值表(truth table)。(5分)
為了完成圖邏輯電路,使用圖實現CMOS 互補式電晶體邏輯電路
設計,請將方塊電路完成。(10分)
圖為採用傳輸電晶體邏輯電路,只利用四個電晶體設計電路,請設
計連接NMOS 未完成的四個輸入點,得以實現圖邏輯電路功能。
(10分)
A
B
Z
A
B
方塊電路
C
Z
VDD
A
B
Z
VDD
(a)
(b)
(c)
W
W
L
L
。電晶體之轉導值gm1 = gm2 = gm3 = gm4 = gm7 = gm8 =
10 mA/V,gm5 = gm6 = 1 mA/V,輸出阻抗(ro)為10 kΩ,C = 10 pF。試求:
(每小題10分,共20分)
o
o
i
i
v
v
v
v
之低頻增益。(需標註正負號,全對計分。)
o
o
i
i
v
v
v
v
之主極點頻率(Dominant pole frequency)。
vi+
vi-
vi+
vi-
vo-
vo+
I1
M1
M2
M3
M4
M7
M8
M5
M6
C
I2
VDD
VDD
38260
38360
三、下圖電路中若電晶體M1-M4皆操作於飽和區,且電晶體之轉導值(gm)皆
為10 mA/V,電晶體之輸出阻抗(ro)皆為10 kΩ,若R = 100 kΩ,C = 10pF。
試求:(每小題10分,共20分)
o
i
v
v 之直流小信號增益。(需標註正負號,全對計分。)
o
i
v
v 之3 dB頻率(ωH)。
vi
vo
VDD
M1
M2
C
M3
M4
R
四、下圖為一振盪器。若V1=4V,V2=1V,vo的初始值為3V,Q的初始值為邏輯
0。若I1 = 1 mA,I2 = 4 mA,C = 10 pF,求Q在穩態時之輸出:
(每小題10分,共20分)
頻率。
責任週期(Duty cycle)。
vO
V1
V2
Q
Q
R
S
I1
I2
M1
M2
M3
M4
VDD
C
38260
38360
五、分析下圖之整流器電路(Rectifier)。若二極體D1-D4之導通電壓皆為1 V,
輸入信號為
= 4sin(
)
iv
t
(Volt),R = 1 kΩ。試求:(每小題10分,共20分)
VO之峰值(Peak value)。
電阻R之平均功耗。
1:2
R
D1
D2
D3
D4
VO
vi